JP5048145B2 - 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1を参照すれば、本実施形態に係る有機発光素子は、正極層(anode)11上に酸化物半導体層12が形成されており、酸化物半導体層12上に正孔注入層(hole injection layer:HIL)13、正孔輸送層(hole transfer layer:HTL)14、発光層(emisision layer:EML)15、電子輸送層(electron transfer layer:ETL)16及び電子注入層(electron injection layer:EIL)17が順次形成されている。そして、電子注入層(EIL)17上に、負極層(cathode)18が形成されている。
図2の有機発光素子の積層構造は、酸化物半導体層の真上に発光層が形成されている点で、図1の有機発光素子の積層構造と異なる。
図3を参照すれば、基板101上にゲート電極110及びゲート電極110上のゲート絶縁膜112が形成されている。基板101は、例えば、ガラス、石英、プラスチック材質であり、シリコン、セラミックまたは金属などの他の材質も使用可能である。基板の平滑性及び不純元素の浸透を遮断するために、または、移動性イオンを含むか、導電性の基板を使用する場合に、絶縁のためにバッファ層(図示せず)が使われるか、または、省略されうる。バッファ層(図示せず)は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸化窒化物で形成可能である。ゲート電極110は、例えば、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Tiまたはこれらの合金から形成可能である。ゲート絶縁膜112は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの絶縁膜から形成可能である。
図1の積層構造を使用して、青色発光用有機発光素子を製作した。正極層としてITO層を使用し、酸化物半導体層としてインジウム:ガリウム:亜鉛=2:2:1の組成比を持つGIZO酸化物半導体層(層厚:500Å)を使用した。この時、酸化物半導体のバンドギャップエネルギーは3.0〜3.4eVであり、酸化物半導体の価電子帯エネルギーは−2.0(eV)であり、正孔注入層のHOMOエネルギーは−5.2eV〜−5.5eVである。したがって、酸化物半導体の価電子帯エネルギーは、正極層の仕事関数と正孔注入層または発光層のHOMOエネルギーとの間に存在する。また、実施例1〜4では、酸化物半導体に正孔が注入されるので、正孔注入層または発光層のHOMOエネルギーが酸化物半導体の価電子帯エネルギーにほぼ一致する。酸化物半導体は主に電子を移動させるので、酸化物半導体に正孔が注入された際に、酸化物半導体の価電子帯に存在した電子が正孔注入層または発光層のHOMOに落ちるか、またはLUMOに一旦移動した後、HOMOに落ちうる。
図1の積層構造を使用して、赤色発光用有機発光素子を製作した。正極層としてITO層を使用し、酸化物半導体層としてインジウム:ガリウム:亜鉛=2:2:1の組成比を持つGIZO酸化物半導体層(層厚:500Å)を使用した。
図1の積層構造を使用して、緑色発光用有機発光素子を製作した。正極層としてITO層を使用し、酸化物半導体層としてインジウム:ガリウム:亜鉛=2:2:1の組成比を持つGIZO酸化物半導体層(層厚:500Å)を使用した。
図2の積層構造を使用して、青色発光用有機発光素子を製作した。正極層としてITO層を使用し、酸化物半導体層としてインジウム:ガリウム:亜鉛=2:2:1の組成比を持つGIZO酸化物半導体層(層厚:500Å)を使用した。
薄膜トランジスタの活性層(層厚:500Å)に、実施例1のGIZO酸化物半導体層、または、ハフニウム:インジウム:亜鉛=1:4.5:4.5の組成比を持つ酸化物半導体層を使用したときの電流―電圧特性を図11に示す。なお、絶縁層には酸化ケイ素(層厚:2000Å)、各電極にはモリブデン及びアルミニウム(層厚:5000Å)(例えば、ソース及びドレインがモリブデンで構成され、ゲートがアルミニウムで構成される)を使用した。この図によれば、実施例1のガリウムをハフニウムに変更した場合にも、同様の電流−電圧特性を示すので、後述する有機ELとしての特性も近似する。
ITO正極層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/負極層の積層構造を使用して、青色発光用有機発光素子を製作した。
ITO正極層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/負極層の積層構造を使用して、赤色発光用有機発光素子を製作した。
ITO正極層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/負極層の積層構造を使用して、緑色発光用有機発光素子を製作した。
電流効率(ηc[Cd/A])は、電流密度(J[A/m2])当たりの正面輝度(L[cd/m2])のサイズを表したものであって、素子の印加電圧に関係しないため、発光材料自体の発光性能を評価する際に使用される。
図7は、実施例3及び比較例3の緑色発光用有機発光素子の経時的な輝度を測定して比較したグラフ図である。図7で、●は、実施例3の有機発光素子の輝度であり、○は、比較例3の有機発光素子の輝度である。図7のグラフで、比較例3のITO正極層のみを使用した場合には輝度が一定に減少するが、実施例3のITO正極層上にGIZO酸化物半導体層を使用した場合には、輝度の起伏はあるが、減少傾向が明らかではない。また、時間が経過しても、ITO正極層上にGIZO酸化物半導体層を使用した実施例3の場合が、TO正極層のみを使用した比較例3の場合より輝度がずっと高いので、GIZO酸化物半導体層を使用した有機発光素子の寿命が向上したことが分かる。
一般的に電圧パルスが印加されれば、約〜1μs後から発光し始まる。これは、有機半導体層の抵抗が高いため、正孔と電子とが発光層まで入るのに時間がかかるためである。発光開始時間は、各有機半導体層の移動度及び隣接した有機層とのエネルギーレベル差により影響される。一般的に発光層に入った電荷は、低い移動度のために空間電荷制限電流(space−charge−limited−current:SCLC)を形成するようになって、電荷が押されて入るので、経時的な発光曲線が「S」字型の形態をなす。すなわち、パルスが維持される間に経時的に発光層内の電荷注入が飽和されて一定の強度を維持するようになる。この飽和発光の強度は、DCモードで電圧によって発生する発光強度と同じ値になる。
12 酸化物半導体層
13 正孔注入層
14 正孔輸送層
15 発光層
16 電子注入層
17 電子輸送層
18 負極層
101 基板
110 ゲート電極
112 ゲート絶縁膜
120 活性層
122 第1層間絶縁層
131、132 ソース/ドレイン電極
134 第2層間絶縁層
140 画素部積層構造
142 画素定義膜
Claims (13)
- 正極層と、
前記正極層上に位置し、酸化物半導体からなる正孔充電層と、
前記正孔充電層上に位置する一つ以上の有機層と、
前記有機層上に位置する負極層と、
を含み、
前記正孔充電層は、インジウム、亜鉛及びハフニウムを含む酸化物半導体であり、
前記インジウム、亜鉛及びハフニウムを含む酸化物半導体は、前記インジウムの含有量が35〜55原子%であり、前記亜鉛の含有量が35〜55原子%であり、前記ハフニウムの含有量が5〜15原子%であることを特徴とする、有機発光素子。 - 前記酸化物半導体のバンドギャップエネルギーは3〜3.5eVであり、
前記酸化物半導体の価電子帯エネルギーは、前記正極層の仕事関数と、前記酸化物半導体と接する前記有機層のHOMOエネルギーとの間に存在する
ことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記有機層は、前記正孔充電層上に位置する正孔注入層を有し、
前記酸化物半導体のエネルギー状態は、バンドテールを有し、前記酸化物半導体は、前記正孔注入層に対するエネルギー障壁を形成することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。 - 前記有機層は、発光層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記正孔充電層と前記発光層とが、発光領域を共有することを特徴とする、請求項4に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は、400nm〜700nm領域で発光することを特徴とする、請求項5に記載の有機発光素子。
- 前記有機層は、前記正孔充電層と前記発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも何れか一つを更に含むことを特徴とする、請求項4に記載の有機発光素子。
- 前記発光層と前記負極層との間に、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくとも何れか一つを更に含むことを特徴とする、請求項4又は5に記載の有機発光素子。
- 前記正極層は、酸化インジウムスズ(ITO)又は酸化インジウム亜鉛(IZO)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子は、青色光、赤色光又は緑色光を発光することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 基板と、
前記基板上に位置するゲート電極、前記ゲート電極及び前記基板上に位置するゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層上に位置し、前記ゲート電極と対向する活性層、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
絶縁層と、
を更に備え、
前記正極層は、前記絶縁層を貫通して前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接触することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。 - 正極層を形成する段階と、
前記正極層上に酸化物半導体からなる正孔充電層を形成する段階と、
前記正孔充電層上に少なくとも一つ以上の有機層を形成する段階と、
前記有機層上に負極層を形成する段階と、
を含み、
前記正孔充電層は、インジウム、亜鉛及びハフニウムを含む酸化物半導体であり、
前記インジウム、亜鉛及びハフニウムを含む酸化物半導体は、前記インジウムの含有量が35〜55原子%であり、前記亜鉛の含有量が35〜55原子%であり、前記ハフニウムの含有量が5〜15原子%であることを特徴とする、有機発光素子の製造方法。 - 前記酸化物半導体のバンドギャップエネルギーは、3〜3.5eVであり、
前記酸化物半導体の価電子帯エネルギーは、前記正極層の仕事関数と前記酸化物半導体と接する前記有機層のHOMOエネルギーとの間に存在する
ことを特徴とする、請求項12に記載の有機発光素子の製造方法。
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