CN102212878B - 一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法 - Google Patents
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- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 19
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 241000877463 Lanio Species 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- NQTSTBMCCAVWOS-UHFFFAOYSA-N 1-dimethoxyphosphoryl-3-phenoxypropan-2-one Chemical compound COP(=O)(OC)CC(=O)COC1=CC=CC=C1 NQTSTBMCCAVWOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002001 electrolyte material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000024 high-resolution transmission electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- CMIAIUZBKPLIOP-YZLZLFLDSA-N methyl (1r,4ar,4br,10ar)-7-(2-hydroperoxypropan-2-yl)-4a-methyl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydro-1h-phenanthrene-1-carboxylate Chemical compound C1=C(C(C)(C)OO)CC[C@@H]2[C@]3(C)CCC[C@@H](C(=O)OC)[C@H]3CC=C21 CMIAIUZBKPLIOP-YZLZLFLDSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000101 transmission high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法，该方法以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋、去离子水及衬底为原料，基于脉冲方式依次进源、利用表面吸附化学反应制得针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料；该方法采用化学气相沉积系统或原子层沉积系统实现。本发明具有反应温度低，生长条件简单，重复性高，无杂质、可控性高等优点；所制得的Bi2O3纳米材料在传感器、催化剂等领域具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米材料的制备方法，具体地说是一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法。
技术背景
纳米材料具有较好的光催化活性、光电转换特性和光吸收特性等优良的性能，从而引起物理、化学及材料科学家们的极大关注。Bi2O3主要用于化工行业、玻璃行业、电子行业以及其他行业。其中，电子行业是氧化铋应用最广的行业，主要用于电子陶瓷粉体材料、电解质材料、光电材料、高温超导材料、催化剂等。
近来，人们利用各种方法（激光灼烧，，高温氧化铋金属蒸气，高温化学气相沉积等）制备出了各种Bi2O3纳米结构，例如纳米线，纳米带，纳米棒等，并对这些纳米结构的物理、化学特性进行了研究，但现有的各种方法需要很高的蒸发温度（800℃以上），并因此带来高能耗的问题，导致生产成本高昂、难以与现有半导体工艺实现兼容；得到的产品也多为杂相材料，难以得到纯净的单一相的纳米材料。另外，纳米材料的可控生长一直是纳米材料研究领域的难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法，该方法将Bi2O3生长温度降至350℃，解决了现有Bi2O3纳米材料制备方法条件苛刻，能耗高的问题，并由此可实现与现有硅基半导体工艺兼容。
本发明的目的是这样实现的：
一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法，该材料具有针状或蘑菇状Bi2O3生长在LaNiO3薄膜或ITO薄膜上的纳米结构；该材料的制备方法包括以下具体步骤：
a）、原料
原料包括：铋源即三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋、去离子水及衬底，氮气或氩气作为载气，载气纯度至少为99.999%；衬底为LaNiO3薄膜或 ITO（氧化铟锡）薄膜；
b）、纳米材料制备
将衬底用无水乙醇冲洗后，用氮气吹干，放置于样品托盘上，送入原子层沉积系统或化学气相沉积系统的真空反应腔，抽真空使真空度达到1-3hpa；
对固定在真空反应腔的样品托盘上的衬底进行加热，使其保持在350℃；对装有铋源的源瓶进行加热使其温度保持在170～190℃；装有去离子水的源瓶保持在室温；沉积系统内通入氮气或氩气，使反应腔内、中间空间气压分别保持在1-3hpa、6-15hpa；
将铋源及水源依次通过管道送进真空反应腔体，每次送入原料后通入惰性气体脉冲进行冲洗真空反应腔，对样品托盘上的衬底多重循环生长，每个生长循环包括以下四个脉冲：
ⅰ、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋脉冲3秒；
ⅱ、氮气或氩气冲洗腔体5秒；
ⅲ、水蒸气脉冲0.2秒；
ⅳ、氮气或氩气冲洗腔体5秒；
当循环次数在100～500时，得到样品即形貌为针状Bi2O3纳米材料；当循环次数在1000～2000时，得到样品即形貌为蘑菇状Bi2O3纳米材料。
上述反应是在密封的真空反应腔中进行的，可基于化学气相沉积系统、原子层沉积系统实现。
本发明基于脉冲方式依次进源、利用表面吸附化学反应制备得到针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料。
与现有技术相比，本发明的特点是：（1）形貌新颖，以前合成的Bi2O3纳米结构多为纳米线，纳米棒之类，而蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备还是首次；（2）方法新颖，以往的一般方法要么是采用高温蒸发、灼烧，要么采用复杂的化学溶液配方；（3）相对于广泛采用的基于高温蒸发的纳米材料制备方法，反应温度的降低，大大节约能源；（4）不需要催化剂，不会给最终产品带来杂质；（5）可控性好，利用循环脉冲次数可精确控制材料的生长，可以大批量的制备。
附图说明
图1为本发明制得的Bi2O3纳米材料X射线衍射图；
图2为实施例1得到的针状Bi2O3纳米材料SEM图；
图3为实施例2得到的蘑菇状Bi2O3纳米材料SEM图；
图4为单根Bi2O3纳米针材料的HRTEM图；
图5为单根Bi2O3纳米针材料的SAED图。
具体实施方式
实施例1
将LaNiO3薄膜即衬底使用无水乙醇冲洗后，用氮气吹干，放置于样品托盘上，送入原子层沉积系统的真空反应腔，抽真空使真空度达到3hpa。
对固定在真空反应腔的样品托盘上的衬底进行加热，使其保持在350℃；对装有铋源的源瓶进行加热使其温度保持在190℃；装有去离子水的源瓶保持在室温；沉积系统内通入氮气，纯度为99.999%，使反应腔内、中间空间气压分别保持在3hpa、15hpa。
氮气作为载气，将铋、水两种源采用脉冲方式依次通过管道送进真空反应腔体，具体地说，每个的生长循环包括以下四个脉冲：
a、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋脉冲3秒；
b、氮气冲洗腔体5秒；
c、水蒸气脉冲0.2秒；
d、氮气冲洗腔体5秒。
以上循环次数重复500次，得到样品即形貌为针状的Bi2O3纳米材料，如图2所示。
以上操作也可采用化学气相沉积系统实现。
实施例2
将LaNiO3即衬底使用无水乙醇冲洗后，用氮气吹干，放置于样品托盘上，送入原子层沉积系统的真空反应腔，抽真空使真空度达到1hpa。
对固定在真空反应腔的样品托盘上的衬底进行加热，使其保持在350℃；对装有铋源的源瓶进行加热使其温度保持在180℃；装有去离子水的源瓶保持在室温；沉积系统内通入氮气或氩气，纯度为99.999%，使反应腔内、中间空间气压分别保持在3hpa、12hpa。
利用氮气作为载气，将铋、水两种源采用脉冲方式依次通过管道送进真空反应腔体，具体地说，每个的生长循环包括以下四个脉冲：
a、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋脉冲3秒；
b、氮气冲洗腔体5秒；
c、水蒸气脉冲0.2秒；
d、氮气冲洗腔体5秒；
以上循环次数重复1000次，得到样品即形貌为蘑菇状的Bi2O3纳米材料，如图3所示。
以上操作也可采用化学气相沉积系统实现。
实施例3
将ITO（氧化铟锡）薄膜即衬底使用无水乙醇冲洗后，用氮气吹干，放置于样品托盘上，送入原子层沉积系统的真空反应腔，抽真空使真空度达到2hpa。
对固定在真空反应腔的样品托盘上的衬底进行加热，使其保持在350℃；对装有铋源的源瓶进行加热使其温度保持在170℃；装有去离子水的源瓶保持在室温；沉积系统内通入氩气，纯度为99.999%，使反应腔内、中间空间气压分别保持在2hpa、8hpa。
利用氩气作为载气，将铋、水两种源采用脉冲方式依次通过管道送进真空反应腔体，具体地说，每个的生长循环包括以下四个脉冲：
a、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋脉冲3秒；
b、氩气冲洗腔体5秒；
c、水蒸气脉冲0.2秒；
d、氩气冲洗腔体5秒。
以上循环次数重复1000次，得到样品即形貌为蘑菇状的Bi2O3纳米材料。
以上操作也可采用化学气相沉积系统实现。
Claims (1)
1.一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法，该材料具有针状或蘑菇状Bi2O3生长在LaNiO3薄膜或ITO薄膜上的纳米结构，其特征在于该材料的制备包括以下具体步骤：
a）、原料
原料包括：铋源即三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋、去离子水及衬底，氮气或氩气作为载气，载气纯度至少为99.999%；衬底为LaNiO3薄膜或ITO薄膜；
b）、纳米材料制备
将衬底用无水乙醇冲洗后，用氮气吹干，放置于样品托盘上，送入原子层沉积系统或化学气相沉积系统的真空反应腔，抽真空使真空度达到1-3hpa；
对固定在真空反应腔的样品托盘上的衬底进行加热，使其保持在350℃；对装有铋源的源瓶进行加热使其温度保持在170～190℃；装有去离子水的源瓶保持在室温；沉积系统内通入氮气或氩气，使反应腔内、中间空间气压分别保持在1-3hpa、6-15hpa；
将铋源及水源依次通过管道送进真空反应腔体，每次送入原料后通入惰性气体脉冲进行冲洗真空反应腔，对样品托盘上的衬底多重循环生长，每个生长循环包括以下四个脉冲：
ⅰ、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋脉冲3秒；
ⅱ、氮气或氩气冲洗腔体5秒；
ⅲ、水蒸气脉冲0.2秒；
ⅳ、氮气或氩气冲洗腔体5秒；
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110140208XA CN102212878B (zh) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | 一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110140208XA CN102212878B (zh) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | 一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102212878A CN102212878A (zh) | 2011-10-12 |
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| CN201110140208XA Expired - Fee Related CN102212878B (zh) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | 一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102212878B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103112894B (zh) * | 2013-02-06 | 2014-09-10 | 长安大学 | 微波辅助液相法制备三氧化二铋纳米管及其应用 |
| CN104451600B (zh) * | 2014-12-04 | 2017-01-18 | 华东师范大学 | 一种氧化铋薄膜材料的制备方法 |
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-
2011
- 2011-05-27 CN CN201110140208XA patent/CN102212878B/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102212878A (zh) | 2011-10-12 |
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