CN102169920A - 薄膜太阳能电池制造方法和激光刻图装置 - Google Patents

Abstract

本发明的课题是提供能够针对作为引起在薄膜太阳能电池的激光刻图加工步骤中的加工不良的因素的玻璃基板的附着杂质、玻璃伤痕、玻璃基板内部气泡等，指定正确的位置、大小、形状等，从而容易并确实地修复任何加工不良的方法。一种薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，在为了将成膜在基板上的薄膜层与相邻结构分离，而照射激光以直线状地实施槽加工的薄膜太阳能电池的激光刻图加工步骤中，检查刻图线并指定作为引起加工不良的因素的玻璃基板的附着杂质、玻璃伤痕或玻璃基板内部气泡等的正确位置、大小、形状等，并在最终加工线形成之后，进行形成避开所述加工不良区域的新刻图线的修复加工。

Description

薄膜太阳能电池制造方法和激光刻图装置

技术领域

本发明涉及在薄膜太阳能电池的制造过程中的激光刻图技术。

背景技术

近年来，正在大力进行太阳能电池的研发，图10是由很多太阳能电池制造商量产的、一般公知的单一型非晶硅薄膜太阳能电池的刻图装置进行的加工例，图11是沿图10的A-A的局部放大截面图。在玻璃基板1上成膜透明电极层3之后，为了与相邻的层分离而实施由激光等加工出直线状的槽的刻图线加工6，并在其上成膜非晶硅层4，同样地，实施用于分离的刻图线加工7，并在其上成膜背面电极层5，同样地，实施用于分离的刻图线加工8。通常，加工线2的间隔是6～12mm，各刻图线之间的距离是100～150μm，各刻图线的宽度是40～70μm左右。

首先，在图12～图14中示出进行这样的刻图加工的激光加工器(激光刻图装置)的例子。图12是激光刻图装置的平面图，图1 3是其侧面图，图14是动作流程图。在该加工器中，包括在由激光通过聚光透镜108而照射的玻璃基板1的位置的正上方的集尘器109，并且构成为可以去除由激光加工而产生的粉尘渣等。

在由激光刻图装置进行的薄膜太阳能电池的加工中，作为第一步骤，将在图11中示出的成膜了透明电极层3的玻璃基板1供应到激光刻图装置本体100的传送面102上。并且，在本实施例中的玻璃基板1的朝向传送面102的表面是没有形成透明电极层3的表面，透明电极层3是朝天的方向。透明电极层3的成膜可以通过溅射法、CVD法、沉积法等已知的方法成膜。在向传送面102的供应方法中，在工厂生产线中本装置由传送装载机与上游装置连接的情况下，由传送装载机部供应玻璃基板1。在不由传送装载机连接的情况下，可以由传送机器人等供应。供应到玻璃基板传送面102上的玻璃基板1由安装到传送驱动部103上的玻璃基板保持部104夹住，传送驱动部103通过在传送驱动部导引器105上往返驱动，而使玻璃基板1在传送面102上往返移动。传送面102通过气浮台或树脂制无滚筒配置的台等，以尽量避免损伤玻璃基板1的方法构成。

配合玻璃基板1的传送面102上的往返移动，将通过反射镜(一组电流扫描镜)107、聚光透镜(fθ透镜)108的激光110照射到玻璃基板1上，从而形成刻图线111。虽然通过由激光110进行的加工，在激光110照射的位置上的透明电极层3被加热蒸发而产生粉尘，但该粉尘由集尘器109收集。由于反射镜107和聚光透镜108设置在移动台106上，因此反射镜107和聚光透镜108配合玻璃基板1的往返路径的加工而从完成的刻图加工线依次移动到预定形成线上，从而形成规定的线数。

通过图14的流程图说明该动作。传送玻璃基板1而供应到传送面102上。供应到传送面102上的玻璃基板1由玻璃基板保持部104夹住，构成可以在传送面102上往返移动的状态。当由操作员的指示等而开始加工时，包括反射镜107和聚光透镜108(下面统称为“加工头”)的移动台106移动到第一条刻图线上，N＝1(第一条)(步骤301)。朝向往路加工地传送玻璃基板1(步骤302)，玻璃基板1以规定的设定速度通过激光照射位置，从而实施往路加工(第一条)(步骤303)。在往路(第一条)的刻图线形成之后，停止玻璃基板1在传送面102上的移动，移动台106移动到下一条刻图线上(步骤304)。在此，在检查是否是最终加工线之后(步骤305)，朝向返路加工地传送玻璃基板1(步骤306)，玻璃基板1以规定的设定速度通过激光照射位置，从而实施返路加工(N+1＝第二条)(步骤307)，并停止(步骤308)。之后，反复进行往路加工(N＝第3、5、7、…条)、返路加工(N+1＝第4、6、8、…条)的加工处理，直到形成最终线(步骤302～310)，在加工了由方案设定的规定线数之后，结束。在此，在加工头是一个的情况下说明上述动作，与此相对，在加工头是多个的情况下，各加工头同时加工所负责的范围，并且在每个加工头加工规定的线数之后，结束。

作为第二步骤，在第一步骤中形成在图11中示出的透明电极层3的刻图线6之后，将在透明电极层3上成膜了非晶硅层4的玻璃基板1供应到激光刻图装置本体100的传送面102上。并且，在本实施例中的玻璃基板1的朝向传送面102的表面是没有成膜透明电极层3和非晶硅层4的表面，透明电极层3和非晶硅层4是朝天的方向。对非晶硅层4，向不与在第一步骤中形成的刻图线6重叠的位置形成刻图线7。加工方法与上述第一步骤相同。

作为第三步骤，在第二步骤中形成非晶硅层4的刻图线7之后，将在非晶硅层4上成膜了背面电极层5的玻璃基板1供应到激光刻图装置本体100的传送面102上。并且，在本实施例中的玻璃基板1的朝向传送面102的表面是没有成膜透明电极层3、非晶硅层4和背面电极层5的表面，透明电极层3、非晶硅层4和背面电极层5是朝天的方向。对非晶硅层4和背面电极层5，向不与在第一步骤和第二步骤中形成的刻图线6、7重叠的位置形成刻图线8。加工方法与上述第一步骤相同。

图15是图10的加工线2的圆B内的局部放大图，示出在上述方法中形成的刻图线6～8。图中的圆示出加工中使用的激光点(50μmφ)。在其形成的过程中，在玻璃基板1的膜表面侧或背面侧存在如图16所示的玻璃伤痕9和在上游步骤中实施的清洁步骤中未清洁干净而粘在基板上的杂质10或如图17所示的玻璃基板内部气泡15等时，会引起在刻图线的中途产生间断的加工不良。刻图线6b是因附着杂质10阻碍激光去除加工而产生间断的透明电极层3的加工不良例子，刻图线8b是因玻璃伤痕9阻碍激光去除加工而产生间断的非晶硅层4和背面电极层5的加工不良例子。

在这样的透明电极层3上加工的刻图线6产生加工不良的情况下，如图18所示，相邻的发电部11、12会导通，结果会降低发电量。此外，同样地，在非晶硅层4和背面电极层5上加工的刻图线8产生加工不良的情况下，如图19所示，相邻的发电部13、14会导通，结果会降低发电量。并且，仅对非晶硅层4进行的刻图线7用作从背面电极层5向透明电极层3的电子流动路径，即使刻图线7由于玻璃伤痕9、附着杂质10或玻璃基板内部气泡15等的影响而在中途发生间断，电子也会通过刻图正常的区域流动，所以发电量降低的影响比刻图线6、8小很多，处于可以忽略不计的水平。

对于这样的加工不良(缺陷)，在专利文献1中，公开了在刻图线加工之后，采用显微镜检测缺陷区域，并在缺陷区域中加速喷射冰水混合物而去除缺陷部分以修复的方法。

此外，在专利文献2中，公开了通过透过激光的检测和测量电气特性来检测缺陷区域，并采用第二激光光源或气刀、刷从检测区域去除杂质之后，再一次实施激光加工而修复的方法。

此外，在专利文献3中，公开了在通过采用探针的电阻值测量检测相邻的薄膜太阳能电池单元之间有无短路之后，对于检测出短路的薄膜太阳能电池单元，使玻璃基板移动预先设定的移动距离，从而，反复进行用于单元修复的新直线的激光刻图，直到检测不出短路的检查方法和修复方法。

根据玻璃基板的缺陷检测检查的观点，具有在专利文献4中公开的检查方法，其中，根据对由照相机拍摄的玻璃基板内缺陷的图像进行处理而计算出的亮度梯度指标值，检测玻璃基板内缺陷的深度方向位置。

专利文献1：日本专利特开2004-214565号公报(第0033～0034段)

专利文献2：日本专利特开2009-195968号公报(缺陷的检测涉及第0029、0035和0047段，缺陷的去除和修复加工涉及第0039～0040、0055和0058段)

专利文献3：日本专利特开2010-021517号公报(第0039～0062段，实施方式2和3)

专利文献4：日本专利特开2004-361384号公报(第0013～0040段)

在专利文献1的方法中，虽然在刻图线加工之后，采用显微镜检测加工不良区域，但是由于必须对所有的分离槽进行检查，因此加工不良区域的检测需要大量时间。此外，存在当在加工不良区域中加速喷射冰水混合物而去除加工不良部分时，其他的正常部分也会被破坏的问题。

此外，在专利文献2的方法中，虽然加工不良区域的检测与激光刻图加工同时进行，但是在由第二激光光源或气刀、刷从加工不良区域去除杂质之后，再次实施激光加工，装置会变得复杂。此外，在采用透过光的情况下，透明电极层和非晶硅层的缺陷检测是困难的。(专利文献2的第0031段)。进一步地，在图16中示出的玻璃基板1的伤痕9和在图17中示出的玻璃基板内部气泡15等导致的加工不良不是附着杂质，所以不能去除加工不良的成因，存在不能修复的问题。

此外，在专利文献3的方法中，由于在存在短路的情况下，使玻璃基板移动预先设定的移动距离α，并反复进行用于单元修复的新直线的激光刻图直到检测不出短路，因此加工时间会变长。

在专利文献4中，为了对玻璃基板的整个表面进行缺陷区域的指定，需要进行整个表面的扫描，因此检查需要大量时间。

发明内容

因此，本发明的课题是提供能够指定作为引起加工不良的因素的透明电极层3和玻璃基板1的伤痕等的正确位置·大小·形状等，从而容易并确实地修复任何加工不良的方法。

为了解决上述课题，可以采用电阻检测器和检查照相机检查激光刻图线而指定作为引起加工不良的因素的伤痕等的正确位置·大小·形状等，加工避开所述加工不良区域的新刻图线。

此外，通过一边调节检查照相机与玻璃基板的距离，一边使焦点从膜表面侧移动到玻璃表面侧，还可以检测玻璃内部存在的气泡等。

可知，不检测透过光，而检测反射照明的反射光的检查照相机对加工不良的灵敏度好。进一步地，通过形成避开由附着杂质和玻璃基板内部气泡等导致的加工不良区域的刻图线，可以对任何加工不良进行确实的修复。

在一般的非晶硅薄膜太阳能电池的情况下，玻璃基板的板厚度是2～4mm左右。在由检查照相机检查形成在膜表面上的线状态时，在由与膜表面侧的相反侧对应的玻璃表面侧上存在的伤痕导致膜表面侧上的刻图线产生间断的情况下，由于照相机的焦深(通常是μm等级)的关系，不能发现玻璃表面侧上存在的伤痕等的正确位置·大小·形状。

根据本发明，由同一装置指定作为引起加工不良的因素的玻璃基板表面的玻璃伤痕9、附着杂质10和玻璃基板内部气泡15等的正确位置·大小·形状，可以确实地进行形成避开加工不良区域的新刻图线的修复加工，同时将发电量的降低抑制为最小限度。

附图说明

图1是根据本发明装置例1的激光刻图装置的平面图。

图2是根据本发明装置例1的激光刻图装置的侧面图。

图3是根据本发明装置例1的激光刻图加工的动作流程图。

图4是根据本发明装置例2的激光刻图装置的平面图。

图5是根据本发明装置例2的激光刻图装置的侧面图。

图6是根据本发明装置例2的激光刻图加工的动作流程图。

图7是根据本发明的由激光刻图加工进行的第一修复加工例。

图8是根据本发明的由激光刻图加工进行的第二修复加工例。

图9是根据本发明的由激光刻图加工进行的第三修复加工例。

图10是激光刻图加工的薄膜太阳能电池的例子。

图11是沿图10的A-A的局部放大截面图。

图12是现有的激光刻图装置的平面图。

图13是现有的激光刻图装置的侧面图。

图14是现有的激光刻图加工的动作流程图。

图15是图10的圆B内的局部放大图。

图16示出产生加工不良区域的情况。

图17是示出玻璃基板和检查照相机的位置关系的截面图。

图18是透明电极层3中产生加工不良的情况下的截面图。

图19是背面电极层5中产生加工不良的情况下的截面图。

(符号说明)

1    玻璃基板

2    加工线

3    透明电极层

4    非晶硅层

5     背面电极层

6     刻图线

7     刻图线

8     刻图线

9     玻璃伤痕

10    玻璃基板附着杂质

15    玻璃基板内部气泡

20    照相机的焦点距离

21    薄膜层

100   激光刻图装置本体

102   玻璃基板传送面

103   玻璃基板传送驱动部

104   玻璃基板保持部

105   传送驱动部导引器

106   移动台

107   反射镜

108   光透镜

109   集尘器

110   激光

111   刻图线

112   检查照相机

113   检查照相机

114   检查照相机用移动台

115   刻图间电阻检测器

116   检查照相机

117   检查照相机用移动台

120   图像处理·记录装置

121   图像处理·记录装置

122    图像处理·记录装置

123    记录装置

130    计算装置

140    加工不良区域记录装置

具体实施方式

以(装置例1)和(装置例2)示出本发明中优选的装置和由其进行的缺陷位置的指定方法，以(加工例1)、(加工例2)、(加工例3)示出修复方法。

(装置例1)

图1和图2示出根据本发明装置例1的非常适合于激光刻图方法的激光刻图装置。图1是平面图，图2是侧面图。对于与现有装置的图12和图13中相同的部件给出相同的编号，并省略其说明。

在本发明的装置例1中的激光刻图装置中，在加工头107、108两侧配置检查照相机112、113，检查照相机112、113沿与基板传送方向(图中的左方向箭头)垂直的方向(图中的上下方向箭头)配置在可与设置了聚光透镜108的移动台106同步移动的照相机台114上。可以由这样的检查照相机112、113拍摄由加工头即将进行刻图加工前的基板表面和由加工头刚进行了刻图加工后的基板表面。检查照相机112、113具有同轴型或环形照明等斜光型反射照明装置(未图示)。

通过图3的流程图说明在本发明的装置例1中的激光刻图装置的动作。步骤201至210大致与图14中示出的现有的流程相同。传送成膜了透明电极层3或加上非晶硅层4和背面电极层5(统称为成膜层21)的玻璃基板1并供应到传送面102。在该加工器中，包括在由激光通过聚光透镜108而照射的玻璃基板1的位置的正上方的集尘器109，并且构成为可以去除由激光加工而产生的粉尘渣等。供应到传送面102的玻璃基板1由玻璃基板保持部104夹住，构成可以在传送面102上往返移动的状态。当由操作员的指示等而开始加工时，装有加工头的移动台106和照相机台114移动到第一条刻图线上，N＝1(第一条)(步骤201)。朝向往路加工地传送玻璃基板1，在进入加工头部之前(IN侧：进入侧)由检查照相机112拍摄表面状态，并将该图像数据记录在图像处理·记录装置120中(步骤202)。玻璃基板1以规定的设定速度通过激光照射位置(加工头)，实施往路加工(第一条)，之后由(OUT侧：出来侧)检查照相机113拍摄表面状态(加工结果)，并将该图像数据记录在图像处理·记录装置121中，之后由计算装置130将其与记录在图像处理·记录装置120中的同一区域的图像数据进行比较，当存在异常时作为加工不良区域而记录在加工不良区域记录装置140中(步骤203)。在往路(第一条)的刻图线形成之后，停止玻璃基板1在传送面102上的移动，移动台106和照相机台114移动到下一条刻图线上(步骤204)。在此，在检查是否是最终加工线之后(步骤205)，朝向返路加工地传送玻璃基板1，在进入加工头部之前(IN侧)由检查照相机113拍摄表面状态，并将该图像数据记录在图像处理·记录装置121中(步骤206)。玻璃基板1以规定的设定速度通过激光照射位置，而实施返路加工(N+1＝第2条)，之后由(OUT侧)检查照相机112拍摄表面状态(加工结果)，并将该图像数据记录在图像处理·记录装置120中，之后由计算装置130将其与记录在图像处理·记录装置121中的同一区域的图像数据进行比较，当存在异常时作为加工不良区域而记录在加工不良区域记录装置140中(步骤207)，并停止(步骤208)。之后，反复进行往路加工(N＝第3、5、7、…条)、返路加工(N+1＝第4、6、8、…条)的加工处理，直到形成最终线(步骤202～210)。在步骤205或步骤209中判断为加工完成由方案设定的规定线数之后，向操作监视器显示刻图线的间断·隆起等加工不良的个数、不良位置(步骤211)。通过与检查方案中预先设定的不良数的阈值进行自动比较，向操作监视器显示针对最终加工线形成基板的等级分类·未处理·修复加工等的分配指示(步骤212)。判断是否进行修复加工(步骤213)。根据需要(“是”时)，形成避开玻璃伤痕9、附着杂质10等位置的刻图线(步骤214)，并结束。

其中，虽然示出了在步骤203或步骤207中，比较IN侧的检查照相机的图像数据和OUT侧的图像数据的例子，但是在OUT侧的图像足够鲜明的情况下，也可以仅由OUT侧的图像判断加工不良区域。

(装置例2)

图4和图5示出根据本发明装置例2的非常适合于激光刻图方法的激光刻图装置。图4是平面图，图5是侧面图。对于与现有装置的图12和图13中相同的部件给出相同的编号，并省略其说明。

在本发明的装置例2中的激光刻图装置中，在玻璃基板1的膜表面侧配置刻图间电阻检测器115，在加工头107、108的一侧配置检查照相机116，检查照相机116配置在可与移动台106相同方向(相对于刻图线111垂直的方向)移动的照相机台117上。可以由电阻检测器115测量各刻图线之间的电阻值，此外，可以由检查照相机116拍摄最终加工线形成后的基板状态。检查照相机116具有同轴型或环形照明等斜光型反射照明装置(未图示)。

通过图6的流程图说明在本发明的装置例2中的激光刻图装置的动作。步骤201至210大致与图14中示出的现有的流程相同。传送成膜了透明电极层3或加上非晶硅层4和背面电极层5(统称为成膜层21)的玻璃基板1并供应到传送面102。在该加工器中，包括在由激光通过聚光透镜108而照射的玻璃基板1的位置的正上方的集尘器109，并且构成为可以去除由激光加工而产生的粉尘渣等。供应到传送面102的玻璃基板1由玻璃基板保持部104夹住，构成可以在传送面102上往返移动的状态。当由操作员的指示等而开始加工时，设置加工头的移动台106移动到第一根刻图线上，N＝1(第一根)(步骤201)。朝向往路加工地传送玻璃基板1(步骤222)，玻璃基板1以规定的设定速度通过激光照射位置，实施往路加工(第一根)(步骤223)。在往路(第一根)的刻图线形成之后，停止玻璃基板1在传送面102上的移动，并且将移动台106向下一根刻图线上移动(步骤204)。在此，在检查是否是最终加工线之后(步骤205)，朝向返路加工地传送玻璃基板1(步骤226)，玻璃基板1以规定的设定速度通过激光照射位置，而实施返路加工(N+1＝第2根)(步骤227)，并停止(步骤208)。之后，反复进行往路加工(N＝第3、5、7、…根)、返路加工(N+1＝第4、6、8、…根)的加工处理，直到形成最终线(步骤222～210)，并在加工由方案设定的规定线数之后，结束。

在最终加工线形成之后，由设置在玻璃基板1的膜表面侧的电阻检测器115测量各刻图线之间的电阻值，检测有无短路(步骤231)。将测量数据记录在记录装置123中。根据电阻值测量的结果，向操作监视器显示有无短路线(加工不良线)，并且在有的情况下，显示其条数、短路线的位置(步骤232)。通过与检查方案中预先设定的不良数的阈值进行自动比较，向操作监视器显示形成最终加工线的基板的等级分类·未处理·修复加工等的分配指示(步骤233)。判断是否存在短路线(步骤234)。当没有短路线时结束。

当存在短路线时(“是”时)，判断是否根据需要进行修复加工(步骤235)。在实施时，移动到由接下来的三个步骤构成的修复加工步骤240，并且经由计算装置130向设置检查照相机116的移动台117的驱动部传送记录在电阻检测器115的记录装置123中的短路线的位置信息。基于来自计算装置130的位置信息，使检查照相机116移动到相当于短路线的线上，首先，将检查照相机116的焦点对准在膜表面侧即各电极层上施加的加工线上，使玻璃基板1传送移动，同时拍摄短路线，并且基于在图像处理·记录装置122中取得的图像信息，检测加工不良区域(步骤236)。接下来，在检测出的加工不良区域中，当使检查照相机116的焦点从膜表面侧移动到玻璃表面侧且拍摄时，将焦点对准在引起玻璃伤痕9、附着杂质10或玻璃基板内部气泡15等加工不良的因素上。由此检测因素(步骤237)，并将相应位置·大小·形状等记录在图像处理·记录装置122中，结束检测作业。此时，通过沿相对于玻璃基板表面垂直的方向自动地上下移动检查照相机116，使得将焦点(照相机的焦点距离20)对准到各点上(图17中的A～D)。因此，向操作监视器显示加工不良区域(步骤238)并且基于来自图像处理·己录装置122的信息，由同一装置实施形成避开玻璃伤痕9、附着杂质10、玻璃基板内部气泡15等位置的新刻图线的修复加工(步骤239)，并结束。如果采用本修复步骤240，则不仅可以测量玻璃基板表面的玻璃伤痕9、附着杂质10的大小，而且可以测量玻璃基板内部气泡15的大小。

(加工例1)

图7是根据本发明的由激光刻图加工进行的第一修复加工例。示出了对于具有加工不良区域9的刻图线8b，根据记录在加工不良区域记录装置140或图像处理·记录装置122中的加工不良区域9的正确位置·大小·形状等，确定修复线和刻图线8b的最佳间隔，在加工不良区域9以外的位置上加工用于修复的新直线的刻图线8c，对于具有加工不良区域10的刻图线6b，根据记录在加工不良区域记录装置140或图像处理·记录装置122中的加工不良区域10的正确位置·大小·形状等，确定修复线和刻图线6b的最佳间隔，在加工不良区域10以外的位置上加工用于修复的新直线的刻图线6c的情况。并且，避开的刻图线8c和6c为了避免与刻图线7重叠，优选地，在与形成刻图线7的方向相反的方向形成。本例中的修复加工仅形成新直线的刻图线，容易控制，不需要使玻璃基板移动·停止到修复加工位置的动作，因此在相同的线中存在多个修复区域的情况下，修复加工的完成时间短。但是，在本例的情况下，非晶硅层的发电有效面积减小。

(加工例2)

图8是根据本发明的由激光刻图加工进行的第二修复加工例。示出了对于具有加工不良区域9的刻图线8b，根据记录在加工不良区域记录装置140或图像处理·记录装置122中的加工不良区域9的正确位置·大小·形状等，确定最佳修复线的长度和修复线与刻图线8b的间隔，加工用于迂回绕过加工不良区域9的修复的矩形刻图线8d，对于具有加工不良区域10的刻图线6b，根据记录在加工不良区域记录装置140或图像处理·记录装置122中的加工不良区域10的正确位置·大小·形状等，确定最佳修复线的长度和修复线与刻图线6b的间隔，加工用于迂回绕过加工不良区域10的修复的矩形刻图线6d的情况。并且，迂回的刻图线8d和6d为了避免与刻图线7重叠，优选地，在与形成刻图线7的方向相反的方向形成。本例中的修复加工仅形成迂回绕过加工不良区域的矩形刻图线，所以修复加工的时间短，并且将发电量的降低抑制到最小限度。在本例的情况下，非晶硅层的发电有效面积几乎不减小。

(加工例3)

图9是根据本发明的由激光刻图加工进行的第三修复加工例。示出了对于具有加工不良区域9的刻图线8b，根据记录在加工不良区域记录装置140或图像处理·记录装置122中的加工不良区域9的正确位置·大小·形状等，确定修复线的最佳直径，加工用于以加工不良区域9为中心的修复的圆形刻图线8e，对于具有加工不良区域10的刻图线6b，根据记录在加工不良区域记录装置140或图像处理·记录装置122中的加工不良区域10的正确位置·大小·形状等，确定修复线的最佳直径，加工用于以加工不良区域10为中心的修复的圆形刻图线6e的情况。在本例的情况下，例如虽然以加工不良区域9为中心的圆形刻图线8e在下侧与加工不良区域9重叠，但是由于刻图线可以由圆形的任一边连接，所以在这种情况下，由上侧连接，没有问题。并且，关于圆形的刻图线8e和6e，为了避免与刻图线7重叠，虽然当套孔圆的中心设定在刻图线上时，要求半径在与刻图线7的间隔以下，但是，当套孔圆的中心不设定在刻图线上时，可以构成为具有与刻图线7不重叠的直径。由于在本例的修复加工中，可以采用能够作为用作反射镜107的一组电流扫描镜的控制使用的套孔，所以容易控制，并且将发电量的降低抑制到最小限度。在本例中，非晶硅层4的发电有效面积几乎不减小。

在此，在图1、图2中示出的装置例1中，进一步地设置图像处理·记录装置122、检查照相机116、移动台117，通过将图3的步骤214替换为图6的步骤240，可以测量玻璃基板内部气泡15的大小而进行修复。

Claims (10)

1.一种薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

在为了将成膜在基板上的薄膜层与相邻结构分离，而照射激光以直线状地实施槽加工的薄膜太阳能电池的激光刻图加工步骤中，

检查刻图线，指定引起加工不良的因素的位置和大小，

在最终加工线形成之后，进行形成避开所述加工不良区域的新刻图线的修复加工。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

避开所述加工不良区域的新刻图线的形状是直线。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

避开所述加工不良区域的新刻图线的形状是矩形。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

避开所述加工不良区域的新刻图线的形状是圆形。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

由设置在激光刻图加工头的两侧的检查照相机拍摄刻图线加工前后的表面状态，并将其图像数据进行比较，从而指定引起所述加工不良的因素的位置·大小。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

在最终加工线形成之后，由设置在玻璃基板的膜表面侧的电阻检测器检测各刻图线之间的电阻值，从而检测短路线，并由设置在所述玻璃基板的玻璃表面侧的检查照相机拍摄需要修复加工的所述短路线，从而指定引起所述加工不良的因素的位置·大小。

7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，

通过上下移动设置在玻璃表面侧的检查照相机的焦点，来指定玻璃基板内部气泡的大小。

8.一种激光刻图装置，用于为了将成膜在基板上的薄膜层与相邻结构分离，而照射激光以直线状地实施槽加工的薄膜太阳能电池的激光刻图加工，其特征在于，

所述激光刻图装置具有：

在刻图加工头之后设置的、用于检查刻图线以指定加工不良的因素的检测照相机，和

用于记录所述加工不良区域的位置等的记录装置；

在最终加工线形成之后，进行形成避开所记录的所述加工不良区域的新刻图线的修复加工。

9.根据权利要求8所述的激光刻图装置，其特征在于，

在所述刻图加工头的前后设置所述检查照相机，并拍摄玻璃基板的表面状态，通过所拍摄的图像数据的比较，指定加工不良区域。

10.一种激光刻图装置，用于为了将成膜在基板上的薄膜层与相邻结构分离，而照射激光以直线状地实施槽加工的薄膜太阳能电池的激光刻图加工，其特征在于，

所述激光刻图装置具有：

设置在玻璃基板的膜表面侧的、用于检测刻图线之间的电阻值以检测短路线的电阻检测器，

设置在所述玻璃基板的玻璃表面侧的、用于指定引起刻图线加工不良的因素的、具有调整焦点距离的机构部的检查照相机，和

用于记录所述加工不良区域的位置等的图像处理·记录装置；

在最终加工线形成之后，进行形成避开所记录的所述加工不良区域的新刻图线的修复加工。

Images