JP4719031B2 - 太陽電池パネルの検査装置、膜研磨検査方法、及び太陽電池パネルの製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、本発明に係る太陽電池パネルの検査装置(1)において、太陽電池膜(3)の除去が、砥石研磨によるものであった場合に、画像処理装置(8)は、その受光画像の赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも大きい場合に残膜無しと判定する。また、その受光画像の赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも小さい場合には残膜有りと判定する。
砥石研磨による研磨面においては、残膜の無い正常部では赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも大きくなり、残膜の発生部分では赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも小さくなる。よって、上述のような構成とすることで、砥石研磨で太陽電池膜(3)が除去された場合においての残膜の判定を行うことができる。
本発明に係る太陽電池パネルの検査装置(1)において、太陽電池膜(3)の除去が、ブラスト研磨によるものであった場合に、画像処理装置(8)は、その受光画像の緑成分の輝度が赤成分の輝度よりも大きい場合に残膜なしと判定する。また、その受光画像の緑成分の輝度が赤成分の輝度よりも小さい場合に残膜ありと判定する。
ブラスト研磨による研磨面においては、残膜の無い正常部では赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも小さくなり、残膜の発生部分では赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも大きくなる。よって、上述のような構成とすることで、ブラスト研磨で太陽電池膜(3)が除去された場合においての残膜の判定を行うことができる。
本発明に係る太陽電池パネルの膜研磨検査方法において、太陽電池膜(3)の除去が砥石研磨により除去されたものであった場合に、残膜検出ステップ(S316)において、その受光画像の赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも小さい場合に残膜有りと判断する。
本発明に係る太陽電池パネルの膜研磨検査方法において、太陽電池膜(3)の除去がブラスト研磨によるものであった場合に、残膜検出ステップ(S316)において、その受光画像の緑成分の輝度が赤成分の輝度よりも小さい場合に残膜有りと判断する。
(構成)
本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る太陽電池パネルの検査装置1は、太陽電池パネル5の周辺部の膜の除去が適切に行われたかどうかを検査するものである。
太陽電池膜3の除去が、砥石を用いた研磨(回転砥石研磨)によるものであった場合について説明する。本実施の形態においては、炭化珪素系研磨材(♯400〜800)で、送り速度:10〜20m/分、加工深さ:1〜5μmとして透明基板2の表層まで研磨した場合について説明する。尚、この時に得られた搬送方向に平行な太陽電池パネルの外周部4表面の算術平均粗さRaは、搬送方向(Y方向)が0.1(μm)、X方向が0.3(μm)で、太陽電池パネル5の周囲の各辺方向にスジ状の研磨路が残っている状況である。
続いて、ブラスト研磨時の残膜の判断基準を説明する。本実施の形態においては、研磨材としてアルミナ(♯400〜800)、噴射圧が0.1〜0.5MPa、として透明基板2の表層まで研磨するようブラスト研磨を行った場合について説明する。尚、この時に得られた搬送方向に平行な太陽電池パネルの外周部4表面の算術平均粗さRaは、搬送方向(Y方向)が1.2(μm)、X方向が1.1(μm)であり、全体に凹凸の研磨跡が残っている状況である。
続いて、本実施の形態に係る太陽電池パネルの膜研磨検査方法の動作について説明する。図6は、太陽電池パネルの膜研磨検査方法の動作の流れを示すフローチャートである。図6Aに示されるように、検査装置1に搬送されてきた太陽電池パネル5は、まず前段検査ステップ(S31)において、搬送方向に平行な2辺についての検査が行われる。前段検査ステップ(S31)が終了すると、太陽電池パネル5は90°回転コンベヤ10によって水平面内で90°回転される(90°回転ステップS32)。後段検査ステップ(S33)において、残りの2辺についての検査が行われる。以下に、前段検査ステップ(S31)の動作の詳細を説明する。尚、後段検査ステップ(S33)における動作は、前段検査ステップ(S31)と同様であり、説明を省略する。
まず、ライン照明器6によって、スリット状の照明光が照射される。
続いて、太陽電池パネル5が検査装置1に搬送され、先端がカラーラインセンサカメラ7の撮影位置に到達すると、光電スイッチ91が太陽電池パネル5の到達を検出する。光電スイッチ91は、検査スタート信号Sを生成して、画像処理装置8へ送信する(S3121)。検査スタート信号Sを取得した画像処理装置8は、検査がスタートしたことを認識する(S3122)。基板が所定の距離だけ移動すると、ロータリーエンコーダ7がパルス信号Pを生成して画像処理装置8へ送信する(S3123)。画像処理装置8は、パルス信号Pを取得すると、トリガ信号Tを生成して、カラーラインセンサカメラ7へ送信する(S3124)。
トリガ信号Tを受信したカラーラインセンサカメラ7は、太陽電池パネル5の表面を撮影して、X方向に1ライン分の画像情報を有する受信画像信号Cとして画像処理装置8へ送信する。撮影は、太陽電池パネル5が撮影位置を通り過ぎるまで行われる(S3131)。
画像処理装置8は、次々と送られてくる受信画像信号Cを、太陽電池パネル5のどの部分の画像であるかを示す位置情報と対応付けてメモリに保存する。尚、この位置情報は、検査スタート信号Sとパルス信号Pに基いて生成することができる。画像処理装置8は、太陽電池パネルの外周部4のうちの一辺全体についての受信画像信号Cを取得すると、その位置情報に基いて太陽電池パネルの外周部4表面の一辺を表す二次元画像を形成する。
続いて、画像処理装置8は、その二次元画像に対して平滑化処理(ステップS3151)、基板領域特定処理(S3152)、及び画像ずれ補正処理(ステップS3153)を施して、基板搬送時の画像のずれを自動補正する。更に、画像処理装置8は、太陽電池膜3の膜除去を行った領域の残膜の有無を検査する領域を特定する(ステップS3154)。
続いて、画像処理装置8は、検査領域設定ステップにて特定された検査領域において、残膜の有無を検査する。ここで、既述の通り、検査は画像を参照して赤成分の輝度Rと緑成分の輝度Gの強度を比較することで行われる。研磨手法に対応して、R/GまたはG/Rの値と閾値を比較することで残膜有無の判断を画素単位で行い、検査対象領域を連結して残膜が検出された場合には、画像処理装置8は、残膜がある旨と、残膜の位置を特定する情報とを対応付けて表示装置14に表示する。また、記憶装置(図示せず)に太陽電池パネル5の製造番号になるID番号に対比して、残膜有無の検査結果と、残膜の位置とを保存する。
更に、画像処理装置8は、残膜検出ステップ(S316)における検出結果に基いて、太陽電池パネル5を再度研磨する必要があるか否かを判定する。再研磨の要否は、既述のように、「残膜率(%)=(R/G>THL)の画素数/(検査領域の画素数)×100」とし、残膜率が所定の閾値以上であるか、それよりも小さいかを判定することで行われる。
画像処理装置は、判定結果を表示装置14に表示してオペレータに通知するとともに、太陽電池パネル5のID番号に対比して記憶装置(図示せず)に保存する。
本発明は、太陽電池の膜研磨検査方法を用いた太陽電池パネルの製造方法でもある。ここでは、透明基板2としてのガラス基板上に太陽電池膜3として単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いた例について説明する。図8は、本実施の形態に係る太陽電池パネルの製造方法のフローチャートである。また、図9〜図12は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
まず、透明基板2の主面上に太陽電池膜3が形成される。図9及び図10を参照して、以下に太陽電池膜3を形成するステップの説明を行う。
(1)図9(a):
透明基板2としてソーダフロートガラス基板(1.4m×1.1m×板厚:4mm)を使用する。基板端面は破損防止にコーナー面取りやR面取り加工されていることが望ましい。
(2)図9(b):
透明導電層2として酸化錫膜(SnO2)を主成分とする透明電極膜を約500〜80
0nm、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当
な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層2として、透明電極膜に加えて、基
板1と透明電極膜との間にアルカリバリア膜(図示されず)を形成しても良い。アルカリ
バリア膜は、酸化シリコン膜(SiO2)を50〜150nm、熱CVD装置にて約50
0℃で製膜処理する。
(3)図9(c):
その後、透明基板2をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第1高調波(1064nm)を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射する。パルス発振:5〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セル5の直列接続方向に対して垂直な方向へ、溝35を形成するように幅約6〜10mmの短冊状にレーザーエッチングする。
(4)図9(d):
プラズマCVD装置により、減圧雰囲気:30〜150Pa、約200℃にて光電変換
層3としてのアモルファスシリコン薄膜からなるp層膜/i層膜/n層膜を順次製膜する。光電変換層33は、SiH4ガスとH2ガスとを主原料に、透明導電層31の上に製膜される。太陽光の入射する側からp層、i層、n層がこの順で積層される。光電変換層33は本実施形態では、p層:BドープしたアモルファスSiCを主とし膜厚10〜30nm、i層:アモルファスSiを主とし膜厚250〜350nm、n層:pドープした微結晶Siを主とし膜厚30〜50nmである。またp層膜とi層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
(5)図9(e)
透明基板2をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、光電変換層33の膜面側から入射する。パルス発振:10〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層2のレーザーエッチングラインの約100〜150μmの横側を、溝36を形成するようにレーザーエッチングする。
(6)図10(a)
裏面電極層34としてAg膜とTi膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約150℃にて順次製膜する。裏面電極層4は本実施形態では、Ag膜:200〜500nm、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜:10〜20nmをこの順に積層する。n層と裏面電極層34との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層33と裏面電極層34との間にGZO(GaドープZnO膜)を膜厚:50〜100nm、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。
(7)図10(b)
透明基板2をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、透明基板2側から入射することで、レーザー光が光電変換層33で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層34が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層31のレーザーエッチングラインの約250μm〜400μmの横側を、溝37を形成するようにレーザーエッチングする。
(8)図10(c)
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続
部分が短絡し易い影響を除去する。透明基板2をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、透明基板2側から入射することで、レーザー光が透明導電層31と光電変換層33で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明基板2の端部から5〜15mmの位置を、X方向絶縁溝を形成するようにレーザーエッチングする。このとき、Y方向絶縁溝は設けない。溝36は透明基板2の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させる。エッチングの終了はレーザー光の停止でも良いが、簡易的には基板1の非レーザーエッチング領域に金属性のマスキング板を設置することで対応が可能である。この透明基板2の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池膜3を除去する領域に基板端部まで横切る溝跡を透明基板2に残さないようにして、太陽電池パネル端部からの外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈する。
太陽電池膜3を形成するステップにおいて、太陽電池膜3は透明基板2の主面全体に形成されている。後工程の接着シートを介したバックシートとの健在な主たる接着・シール面を確保するために、透明基板2の外周部4に形成された太陽電池膜3を除去して、透明基板2を露出させる。透明電極膜が一部残留して絶縁耐圧が低下しないようにするために、更に透明基板2の表層まで除去してもよい。除去の方法としては、砥石を用いた回転砥石研磨や、サンドブラスト等を用いたブラスト研磨が挙げられる。この除去方法(研磨方法)に依存して、後工程で残膜を検査する際の検査方法が異なる。本実施の形態では、回転砥石研磨を行った場合と、サンドブラストを用いたブラスト研磨を行った場合の双方について説明する。
炭化珪素系研磨材(♯400〜♯800)、加工深さ:1〜5μmの条件で、太陽電池パネルの外周部4を研磨する。このようにして得られた外周部4表面の形状は、算術平均粗さRaが0.3μm(X方向)、0.1μm(Y方向)であり、太陽電池パネルの周囲方向に全体に0.1μm程度のシジ状の研磨跡があった。研磨屑や砥粒は透明基板2を洗浄処理して除去される。
研磨材として、アルミナ(♯400〜♯800)を用いる。これを、ノズルから噴射圧0.1〜0.5MPaとして噴射させ、太陽電池パネルの外周部4の太陽電池膜3を除去する。尚、除去しない部分に関しては、マスキング材によって保護することで、外周部4における太陽電池膜3を除去して透明基板2を露出することができる。透明電極膜が一部残留して絶縁耐圧が低下しないようにするために、更に透明基板2の表層まで除去してもよい。このようにブラスト研磨で得られた太陽電池パネルの外周部4表面の形状は、算術平均粗さRaが1.1μm(X方向)、1.2μm(Y方向)で、全体に1μm程度の凹凸の研磨跡があった。研磨屑や砥粒は透明基板2を洗浄処理して除去される。
太陽電池パネルの外周部4の研磨が行われた後に、残膜の検査が実施される。即ち、既述の太陽電池パネルの膜研磨検査方法に応じて、太陽電池パネルの外周部4上における残膜有無の検出と、再研磨の要否が判定される。再研磨の必要が無いと判断された太陽電池パネル5は、ステップS40に進む。一方、再研磨の必要が有ると判断された太陽電池パネルは、ステップS20へ戻り、再度太陽電池パネルの外周部4の少なくとも残膜部分の研磨が実施される。
再研磨の必要が無いと判断された太陽電池パネル5に対して、集電用の銅箔を設置し、接着シートを介したバックシートのラミネートによる貼り付けが行われる。図11(b)〜図12は、この様子を説明する図である。
(1)図11(b)
端子箱取付け部分はバックシートに開口貫通窓を設けて、銅箔の集電板を取出す。直列に並んだ一方端の太陽電池発電セル5と、他方端部の太陽電池発電セル5とから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール6の全体を覆い、太陽電池パネル5からはみ出さないようにEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等による接着シートを配置する。EVAの上に、防水効果の高いバックシートを設置する。バックシートは本実施形態では防水防湿効果が高いようにPTEシート/AL箔/PETシートの3層構造よりなる。バックシートまでを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約150〜160℃でプレスしながら、EVAを架橋させて密着させる。
(2)図12(a)
太陽電池モジュール6の裏側に端子箱を接着剤で取付ける。
(3)図12(b)
銅箔と端子箱の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱内部を封止剤(ポッティン
グ剤)で充填して密閉する。これで太陽電池パネル5が完成する。
本発明の第2の実施形態について説明する。第1の実施形態では、透明基板2を分割しないで、透明基板2の略全体を太陽電池モジュールとする場合について説明した。これに対して、本実施の形態では、透明基板2に太陽電池膜3を形成した後に、基板を分割して、一の透明基板2から複数の小型の太陽電池パネルを得る点で異なっている。
2 透明基板
3 太陽電池膜
31 透明導電層
32 発電セル
33 光電変換層
34 裏面電極層
4 外周部
4’ 外周部
5 太陽電池パネル
5’ 小型の太陽電池パネル
6 ライン照明器
7 カラーラインセンサカメラ
8 画像処理装置
81 位置検出部
82 平滑化部
83 画像ずれ補正部
84 検査領域設定部
85 残膜検出部
86 判定部
87 撮影制御部
88 画像形成部
89 基板領域特定部
9 位置検出装置
91 光電スイッチ
92 ロータリーエンコーダ
10 90°回転コンベア
11 移動装置
12 接着シート
13 調光器
14 表示装置
15 バックシート
50 切断予定線
Claims (11)
- 透明基板上に太陽電池膜を積層し、且つ、前記太陽電池膜の一部を除去した太陽電池パネルに対して、前記膜側の面に斜めに照明光を入射させるライン照明器と、
前記照明光が前記膜を除去した領域で反射した散乱反射光を受光するカメラと、
前記カメラが受光した受光画像の、赤成分の輝度と緑成分の輝度との大小関係に基いて、前記膜を除去した領域における残膜の有無を判断する画像処理装置と、
を具備し、
前記外周部の膜の除去が、砥石研磨によるものであった場合に、
前記画像処理装置は、
前記受光画像の赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも小さい場合に残膜有りと判定する太陽電池パネルの検査装置。 - 透明基板上に太陽電池膜を積層し、且つ、前記太陽電池膜の一部を除去した太陽電池パネルに対して、前記膜側の面に斜めに照明光を入射させるライン照明器と、
前記照明光が前記膜を除去した領域で反射した散乱反射光を受光するカメラと、
前記カメラが受光した受光画像の、赤成分の輝度と緑成分の輝度との大小関係に基いて、前記膜を除去した領域における残膜の有無を判断する画像処理装置と、
を具備し、
前記太陽電池膜の除去がブラスト研磨によるものであった場合に、
前記画像処理装置は、
前記受光画像の緑成分の輝度が赤成分の輝度よりも小さい場合に残膜有りと判定する太陽電池パネルの検査装置。 - 請求項1又は請求項2に記載された太陽電池パネルの検査装置であって、
更に、
前記太陽電池パネルの位置を検出する位置検出装置と、
を具備し、
前記画像処理装置は、残膜有りと判断した場合に、前記位置検出装置によって検出された位置情報に基いて、残膜の透明基板上での位置を特定して、出力装置に残膜の位置を出力する太陽電池パネルの検査装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載された太陽電池パネルの検査装置であって、
前記カメラの焦点位置は、前記太陽電池パネルの膜側の表面に設定されている太陽電池パネルの検査装置。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載された太陽電池パネルの検査装置であって、
前記膜を除去した領域は、太陽電池モジュールとなる領域の外周部である太陽電池パネルの検査装置。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載された太陽電池パネルの検査装置であって、
更に、
前記太陽電池パネルを搬送する移動装置と、
前記太陽電池パネルを搬送方向平面内で90°回転させる回転装置と、
を具備し、
前記太陽電池パネルは矩形状であり、
前記膜を除去した領域は、前記太陽電池パネルの4辺のうちのいずれかに平行な複数のライン状の領域であり、
前記移動装置は、前記太陽電池パネルの1対の辺が移動方向に略平行となるように前記太陽電池パネルを搬送し、
前記カメラ及び前記ライン照明器は前記回転装置の前段と後段のそれぞれに設けられ、
前記カメラ及び前記ライン照明器は、前記回転装置の前段と後段のそれぞれにおいて、
前記膜を除去した領域のうちの前記太陽電池パネルの移動方向に略平行な領域を撮影するように設けられている太陽電池パネルの検査装置。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載された太陽電池パネルの検査装置であって、
前記ライン照明器は、前記照射光が、前記太陽電池パネルの移動方向と直交する直交平面に対して20°±5°の角度を有して入射するように配置され、
前記カメラは、前記直交平面に対して30°±5°の角度に散乱反射される反射光を受光するように配置されている太陽電池パネルの検査装置。 - 透明基板上に太陽電池膜が積層され、且つ、膜の一部が除去された太陽電池パネルの膜側の面に、照明光を斜めに入射させるステップと、
前記膜を除去した領域において反射した前記照明光の反射光をカメラで受光するステップと、
前記カメラが受光した受光画像の、赤成分の輝度と緑成分の輝度との大小関係に基いて、残膜の有無を検出する残膜検出ステップと、
を具備し、
前記太陽電池膜の除去が、砥石研磨により行われたものであった場合に、
前記残膜検出ステップにおいて、前記受光画像の赤成分の輝度が緑成分の輝度よりも小さい場合に残膜有りと判断する太陽電池パネルの膜研磨検査方法。 - 透明基板上に太陽電池膜が積層され、且つ、膜の一部が除去された太陽電池パネルの膜側の面に、照明光を斜めに入射させるステップと、
前記膜を除去した領域において反射した前記照明光の反射光をカメラで受光するステップと、
前記カメラが受光した受光画像の、赤成分の輝度と緑成分の輝度との大小関係に基いて、残膜の有無を検出する残膜検出ステップと、
を具備し、
前記太陽電池膜の除去が、ブラスト研磨により行われたものであった場合に、
前記残膜検出ステップにおいて、前記受光画像の緑成分の輝度が赤成分の輝度よりも小さい場合に残膜有りと判断する太陽電池パネルの膜研磨検査方法。 - 請求項8又は請求項9に記載された太陽電池パネルの膜研磨検査方法であって、
更に、
前記カメラが受光した前記受光画像に対して、前記太陽電池パネル上における位置を特定するステップ、
を具備し、
前記残膜検出ステップにおいて、残膜が検出された場合には、検出された残膜の前記太陽電池パネル上での位置を示す情報を出力装置に出力する太陽電池パネルの膜研磨検査方法。 - 透明基板の主面上に太陽電池膜を形成するステップと、
前記透明基板の主面上の一部の前記太陽電池膜を除去するステップと、
前記太陽電池膜が除去された領域に対して、請求項8乃至10のいずれかに記載された太陽電池パネルの膜研磨検査方法によって残膜の検査を行うステップと、
検査の結果に基いて、再研磨する必要が無いと判断された前記太陽電池パネルに対して、前記太陽電池膜を被覆するように接着シートを形成するステップと、
を具備した太陽電池パネルの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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