JP4789630B2 - 半導体製造装置、半導体外観検査装置、及び外観検査方法 - Google Patents
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Description
半導体製造工程では、歩留まりが非常に重要であり、電気的検査の結果は製造工程にフィードバックされて各工程の管理に使用される。しかし、半導体製造工程は多数の工程で形成されており、製造を開始してから電気的検査が行われるまで非常に長時間を要する。このため、電気的な検査により工程に不具合があることが判明した時には既に多数のウエハは処理の途中であり、検査の結果を歩留まりの向上に十分に生かすことができない。
差分検出部26は、隣接する2つのダイ(セル・トゥ・セル比較では隣接する2つのセル)を含む範囲のグレイレベル信号(検査画像信号)が画像記憶部25に記憶されると、これら隣接する2つのダイ(又はセル)のそれぞれの同じ部分の小さな部分画像(ロジカルフレームと呼ばれる)のグレイレベル信号(基準画像信号)を画像記憶部25から読み出して、差分検出部26に入力する。実際には微小な位置合わせ処理などが行われるがここでは詳しい説明は省略する。
例えば、それ以前に実施された外観検査(以下「先の外観検査」と記す)の際に既に欠陥が存在していたにもかかわらず、先の検査では比較的大きな検出閾値が使用されたために検出されなかったところ、後の外観検査で比較的小さい検出閾値が使用されたためにこの欠陥を検出した場合などに生じうる。
このように所定の処理前後で欠陥検出を行うことにより、この処理の後に増加した検出が当該処理によって発生したことを精度良く特定することが可能である。また当該処理によって消失してしまう欠陥を処理前に検出することも可能となる。
さらに本発明では、所定の処理の前後のいずれか一方で行った外観検査で検出された欠陥が、他方で撮像された撮像画像上に存在するか否かをさらに判定する。この判定を行うことによって、所定の処理の前後の他方において存在していたにも関わらず検出できなかった欠陥の箇所を絞り込んで欠陥有無を再度チェックすることが可能となり、所定の処理前後で増減する欠陥をさらに精度良く特定することが可能となる。
またさらに、欠陥検出部によって所定の処理の前後のいずれか一方の撮像画像において検出された欠陥が、疑似欠陥であるか否かを判定する疑似欠陥判定部を、上記の半導体製造装置及び半導体外観検査装置に設けてもよい。この疑似欠陥判定部は、所定の処理の前後のいずれか一方の撮像画像において検出されかつ他方の撮像画像において検出されない欠陥が、この一方の撮像画像上に存在するか否かを判定することとしてよい。
このとき、上記のように半導体製造装置に外観検査手段を設けることによって、特定の処理の前後において撮像した画像を記憶するために要する記憶容量を節約することが可能となる。
半導体製造装置1は、例えば、リソグラフィ装置、CVD装置、PVD装置、CMP装置などの、試料である半導体ウエハに所定の処理を行う従来の半導体製造装置である試料処理部10と、半導体ウエハの表面を撮像した画像に基づいてウエハ上に存在する欠陥を検出する、本発明に係る半導体外観検査装置である半導体外観検査部20と、半導体製造装置1へのウエハの搬入出及び装置1内でのウエハの搬送を行う搬送部40と、を備えて構成される。
半導体ウエハが半導体外観検査部20に搬送されると、半導体外観検査部20は、試料処理部10による処理前におけるウエハ表面を撮像して、ウエハ表面の撮像画像(以下「処理前の撮像画像」と記す)を得る。そして半導体外観検査部20は、処理前の撮像画像に基づいてウエハ表面に現れた欠陥を検出した後、検出された各欠陥についてそれぞれ欠陥情報を作成して記憶すると共に、処理前の撮像画像を記憶する。半導体外観検査部20の構成は後述する。
所定の処理が施された後、半導体ウエハは、第1ウエハアーム41により経路93に沿って半導体外観検査部20に搬送される。
半導体外観検査部20による検査が終了したウエハは、第1ウエハアーム41により経路93に沿ってウエハカセット50に戻される。
ステージの上方には1次元又は2次元のCCDカメラなどを用いて構成される撮像部24が設けられ、撮像部24は、試料処理部10による処理の前及び後に半導体外観検査部20に搬入されたウエハ3の表面を撮像するために使用される。さらに撮像部24により撮像された処理前の撮像画像及び処理後の撮像画像は、半導体外観検査部20内に設けられた画像記憶部25に各々記憶される。
差分検出部26は、画像記憶部25に記憶された撮像画像の隣接する2つのダイ(セル・トゥ・セル比較では隣接する2つのセル)に対応する部分の画像を比較してその差分信号(グレイレベル差信号)を計算する。
なお、画像記憶部25に複数枚のウエハ3の画像を記憶して、これらのウエハ画像同士を比較しても欠陥検出を行うことができる。このとき差分検出部26は、1つのウエハ画像と他のウエハ画像の各々対応する部分の画像同士を比較してそのグレイレベル差信号を計算する。
また、検出閾値計算部27は、差分検出部26によるグレイレベル差信号の分布に応じて自動的に検出閾値を決定する。
なお、これら各構成要素26〜28の機能は、図1を参照して説明した従来の外観検査装置の各構成要素26〜28の機能と同様であるため、詳しい説明は省略する。
また、欠陥情報記憶部31は、処理後の撮像画像において検出された各欠陥の欠陥情報の各々を一時的に保存するために使用してもよい。
欠陥増減検出部32は、欠陥情報記憶部31に記憶された処理前の撮像画像における各欠陥情報と、欠陥検出部28により出力され又は欠陥情報記憶部31に記憶された処理後の撮像画像における各欠陥情報と、の間の各々の同一性を判断する。
そして、処理後の撮像画像に存在しかつ処理前の撮像画像に存在しない欠陥を検出して増加した欠陥とし、また、処理前の撮像画像に存在しかつ処理後の撮像画像に存在しない欠陥を検出して減少した欠陥とする。
処理前後に検出された欠陥間の同一性の判断は、少なくともこれら欠陥の欠陥情報に含まれる欠陥の位置情報に基づいて行うこととしてよい。この際に、欠陥情報に含まれるその欠陥の大きさ、種別、グレイレベル差も考慮してもよい。
欠陥有無判定部33は、増加した欠陥が処理前の撮像画像にも存在するか否かを判定する。すなわち、増加した欠陥の欠陥箇所と同じ位置に欠陥が存在するか否かを、処理前の撮像画像において判定する。
したがって欠陥有無判定部33により、欠陥増減検出部32が増加したと判定した各欠陥が、処理前の撮像画像から存在していたが処理前の検査では検出できなかった欠陥であるか否かについて、再チェックされる。
したがって欠陥有無判定部33により、欠陥増減検出部32が減少したと判定した各欠陥が、処理後の撮像画像にも存在していたが処理後の検査では検出できなかった欠陥であるか否かについて、再チェックされる。
増加した欠陥が処理前の撮像画像にも存在するか否かを判定する際には、例えば欠陥有無判定部33は、増加した欠陥箇所の部分画像を処理前後の各撮像画像中から選択して、これら部分画像同士を比較して差分が小さい場合は処理前から当該欠陥箇所に欠陥があったと判断し、差分が大きい場合は処理前には当該欠陥箇所に欠陥がなかったと判断してよい。
または欠陥有無判定部33は、上記の差分検出部26、検出閾値計算部27及び欠陥検出部28が行う画像比較処理と同様の処理を、画像記憶部25に保存された処理前の撮像画像上において、かつ検査条件を変更して(例えば検出感度を高くする、又は検査領域を変更するなど)行い、増加した欠陥箇所に欠陥があるか否かを判断してよい。
ここで、半導体外観検査部20は半導体製造装置1に付属して備えられるが、このように外観検査手段を個々の半導体製造装置1に付属させることにより、この半導体製造装置1の処理の前における試料の撮像画像を、比較的少ない記憶容量で、処理の後まで保持することができるメリットがある。
または欠陥有無判定部33は、差分検出部26、検出閾値計算部27及び欠陥検出部28が行う画像比較処理と同様の処理を、画像記憶部25に保存された処理後の撮像画像上において、かつ検査条件を変更して(例えば検出感度を高くする、又は検査領域を変更するなど)行い、増加した欠陥箇所に欠陥があるか否かを判断してよい。
疑似欠陥判定部35は、増加した欠陥、すなわち処理後の撮像画像で検出された画像のうち、処理前の撮像画像では検出されなかった検出画像が、確かに処理後の撮像画像上に存在するかを、検査条件を変更して(例えば検出感度を下げる、又は検査領域を変更するなど)再判定する。
または、疑似欠陥判定部35は、減少した欠陥、すなわち処理前の撮像画像で検出された画像のうち、処理後の撮像画像では検出されなかった検出画像が、確かに処理前の撮像画像上に存在するかを、検査条件を変更して(例えば検出感度を上げる、又は検査領域を変更するなど)再判定する。
疑似欠陥判定部35による疑似欠陥の判定を行う際には、例えば、上記の差分検出部26、検出閾値計算部27及び欠陥検出部28が行う画像比較処理と同様の処理を、当該欠陥が判定された撮像画像上において、かつ検査条件を変更して(例えば検出感度を変える、又は検査領域を変更するなど)再度実行して、判定の対象となる欠陥の検出位置に依然として欠陥が検出されるか否かを判定してよい。
異常検出部34は、半導体製造装置1の処理の間に発生したと判断された欠陥の検出結果に応じて、半導体製造装置1の異常を検出する。異常検出部34は、これら欠陥の数、種類、分布及び大きさのいずれかに応じて半導体製造装置1の異常を検出することが可能である。
または例えば欠陥の形状等の種類や大きさによって、欠陥の原因物質などが推測できる場合には、原因物質を使用する箇所を異常箇所として判定することも可能である。また欠陥の集中箇所及び程度等の分布によって、例えばガスの吹き出し口などにゴミがたまったなどの異常箇所を特定することも可能である。
3 半導体ウエハ
10 試料処理部
20 半導体外観検査部
40 搬送部
41 第1ウエハアーム
42 第2ウエハアーム
50 ウエハカセット
Claims (6)
- 半導体製造工程において試料に所定の処理を施して半導体装置を製造する半導体製造装置であって、
前記所定の処理の前後において前記試料の表面を各々撮像する撮像部と、
前記所定の処理の前後において各々撮像された前記試料の撮像画像に基づいて、これら撮像画像における欠陥を各々検出する欠陥検出部と、
前記所定の処理の前後の一方の撮像画像において検出された欠陥の位置と、前記所定の処理の前後の他方の撮像画像について検出された欠陥の位置とを比較する欠陥増減検出部と、
前記一方の撮像画像で欠陥が検出された検出位置と同じ位置において、前記他方の撮像画像で欠陥が検出されない場合に、前記他方の撮像画像中の前記検出位置において、検査条件を変えて欠陥の有無を再判定する欠陥有無判定部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 半導体製造工程において試料に所定の処理を施して半導体装置を製造する半導体製造装置であって、
前記所定の処理の前後において前記試料の表面を各々撮像する撮像部と、
前記所定の処理の前後において各々撮像された前記試料の撮像画像に基づいて、これら撮像画像における欠陥を各々検出し、検出された欠陥の位置情報を含む欠陥情報を作成する欠陥検出部と、
前記所定の処理の前後の一方の撮像画像において検出された欠陥の位置と、前記所定の処理の前後の他方の撮像画像について検出された欠陥の位置とを比較する欠陥増減検出部と、
前記一方の撮像画像で欠陥が検出された検出位置と同じ位置において、前記他方の撮像画像で欠陥が検出されない場合に、前記一方の撮像画像中の前記検出位置において、検査条件を変えて欠陥の有無を再判定する疑似欠陥判定部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 半導体製造工程において試料に所定の処理を施して半導体装置を製造する半導体製造装置に設けられて、前記試料の表面を撮像した画像に基づいてこの試料上に存在する欠陥を検出する半導体外観検査装置であって、
前記所定の処理の前後において前記試料の表面を各々撮像する撮像部と、
前記所定の処理の前後において各々撮像された前記試料の撮像画像に基づいて、これら撮像画像における欠陥を各々検出し、検出された欠陥の位置情報を含む欠陥情報を作成する欠陥検出部と、
前記所定の処理の前後の一方の撮像画像において検出された欠陥の位置と、前記所定の処理の前後の他方の撮像画像について検出された欠陥の位置とを比較する欠陥増減検出部と、
前記一方の撮像画像で欠陥が検出された検出位置と同じ位置において、前記他方の撮像画像で欠陥が検出されない場合に、前記他方の撮像画像中の前記検出位置において、検査条件を変えて欠陥の有無を再判定する欠陥有無判定部と、
を備えることを特徴とする半導体外観検査装置。 - 半導体製造工程において試料に所定の処理を施して半導体装置を製造する半導体製造装置に設けられて、前記試料の表面を撮像した画像に基づいてこの試料上に存在する欠陥を検出する半導体外観検査装置であって、
前記所定の処理の前後において前記試料の表面を各々撮像する撮像部と、
前記所定の処理の前後において各々撮像された前記試料の撮像画像に基づいて、これら撮像画像における欠陥を各々検出し、検出された欠陥の位置情報を含む欠陥情報を作成する欠陥検出部と、
前記所定の処理の前後の一方の撮像画像において検出された欠陥の位置と、前記所定の処理の前後の他方の撮像画像について検出された欠陥の位置とを比較する欠陥増減検出部と、
前記一方の撮像画像で欠陥が検出された検出位置と同じ位置において、前記他方の撮像画像で欠陥が検出されない場合に、前記一方の撮像画像中の前記検出位置において、検査条件を変えて欠陥の有無を再判定する疑似欠陥判定部と、
を備えることを特徴とする半導体外観検査装置。 - 半導体製造工程において所定の処理が施される試料の表面を撮像した画像に基づいて、この試料上に存在する欠陥を検出する外観検査方法であって、
前記所定の処理の前後において前記試料の表面を各々撮像し、
前記所定の処理の前後において各々撮像された前記試料の撮像画像に基づいて、これら撮像画像における前記欠陥を各々検出し、
前記所定の処理の前後の一方の撮像画像において検出された欠陥の位置と、前記所定の処理の前後の他方の撮像画像について検出された欠陥の位置とを比較し、
前記一方の撮像画像で欠陥が検出された検出位置と同じ位置において、前記他方の撮像画像で欠陥が検出されない場合に、前記他方の撮像画像中の前記検出位置において、検査条件を変えて欠陥の有無を再判定することを特徴とする外観検査方法。 - 半導体製造工程において所定の処理が施される試料の表面を撮像した画像に基づいて、この試料上に存在する欠陥を検出する外観検査方法であって、
前記所定の処理の前後において前記試料の表面を各々撮像し、
前記所定の処理の前後において各々撮像された前記試料の撮像画像に基づいて、これら撮像画像における前記欠陥を各々検出し、
前記所定の処理の前後の一方の撮像画像において検出された欠陥の位置と、前記所定の処理の前後の他方の撮像画像について検出された欠陥の位置とを比較し、
前記一方の撮像画像で欠陥が検出された検出位置と同じ位置において、前記他方の撮像画像で欠陥が検出されない場合に、前記一方の撮像画像中の前記検出位置において、検査条件を変えて欠陥の有無を再判定することを特徴とする外観検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006010711A JP4789630B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 半導体製造装置、半導体外観検査装置、及び外観検査方法 |
US11/655,407 US20070165211A1 (en) | 2006-01-19 | 2007-01-19 | Semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor surface inspection apparatus, and surface inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006010711A JP4789630B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 半導体製造装置、半導体外観検査装置、及び外観検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007192651A JP2007192651A (ja) | 2007-08-02 |
JP4789630B2 true JP4789630B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38262853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006010711A Expired - Fee Related JP4789630B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 半導体製造装置、半導体外観検査装置、及び外観検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070165211A1 (ja) |
JP (1) | JP4789630B2 (ja) |
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US11922619B2 (en) | 2022-03-31 | 2024-03-05 | Kla Corporation | Context-based defect inspection |
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US20070165211A1 (en) | 2007-07-19 |
JP2007192651A (ja) | 2007-08-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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