CN102165090B - 有机材料的蒸发器及蒸发有机材料的方法 - Google Patents

有机材料的蒸发器及蒸发有机材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102165090B
CN102165090B CN200980138390.6A CN200980138390A CN102165090B CN 102165090 B CN102165090 B CN 102165090B CN 200980138390 A CN200980138390 A CN 200980138390A CN 102165090 B CN102165090 B CN 102165090B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vaporizer
generating tube
wall
crucible
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200980138390.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102165090A (zh
Inventor
S·海恩
G·霍夫曼
P·斯库克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN102165090A publication Critical patent/CN102165090A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102165090B publication Critical patent/CN102165090B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01B—BOILING; BOILING APPARATUS ; EVAPORATION; EVAPORATION APPARATUS
    • B01B1/00—Boiling; Boiling apparatus for physical or chemical purposes ; Evaporation in general
    • B01B1/005—Evaporation for physical or chemical purposes; Evaporation apparatus therefor, e.g. evaporation of liquids for gas phase reactions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2252/00—Sheets
    • B05D2252/02—Sheets of indefinite length

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

本发明描述一种用于汽化欲沉积于一挠性基板上的有机材料的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，具有一壁，所述壁包围用于汽化所述有机材料的一空腔；至少一个加热装置，邻近于所述壁配置且经调适以加热所述蒸发管；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含具有一开口的一喷嘴盖；及一挡门，所述挡门用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有在140℃的挡门温度范围内的温度，以使得所述喷嘴盖的温度在所述挡门温度范围内。

Description

有机材料的蒸发器及蒸发有机材料的方法
技术领域
本发明的实施例是关于使有机材料汽化，例如使有机材料汽化的蒸发器，蒸发有机材料的方法。具体来说，这些实施例是关于汽化三聚氰胺(melamine)的蒸发器及汽化三聚氰胺的操作方法。
背景技术
一般而言，有机材料(如三聚氰胺)可被蒸发(升华)。通常，欲汽化的材料是配置在矩形坩埚中，而在坩埚中设置所述欲汽化的材料。坩埚可置放于汽化器管中，且所述汽化器管可用加热组件或加热系统来加热。坩埚必须加热至使有机材料蒸发的温度。通常，汽化器管具有一开口，经汽化的材料通过所述开口以沉积于一基板上，所述基板邻近所述汽化器管的开口而置放。通常，基板置放于所述开口上方。然而，喷嘴蒸发器可能因此被欲蒸发的材料而堵塞。
因此，希望提供一种用于蒸发材料的改良蒸发器及一种用于蒸发材料的改良方法。因此，(举例而言)希望提供一种蒸发管，所述蒸发管允许汽化的材料的均匀或均质地沉积。另外，涂布装置应易于使用及制造，且所述方法应易于实施。
发明内容
根据一个实施例，提供一种用于汽化欲沉积于一挠性基板上的有机材料的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，所述蒸发管具有一壁，所述壁包围用于汽化所述有机材料的一空腔；至少一个加热装置，所述加热装置邻近所述壁配置且经调适以加热所述蒸发管；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖，所述喷嘴盖具有一开口；及一挡门(shutter)，用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有在140℃的挡门温度范围内的温度，以使得所述喷嘴盖的温度在所述挡门温度范围内。
根据另一实施例，提供一种用于汽化欲沉积于一挠性基板上的有机材料的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，具有一壁，所述壁包围用于汽化所述有机材料的一空腔；至少一个加热装置，邻近所述壁配置且经调适以加热所述蒸发管；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖，所述喷嘴盖具有一开口；及一挡门，用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的第一温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的第二温度之间的温度。
根据另一实施例，提供一种用于汽化欲沉积于一挠性基板上的三聚氰胺的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，具有一壁，所述壁包围用于汽化所述三聚氰胺的一空腔；至少一个加热装置，经配置以加热所述蒸发管；所述蒸发管具有至少一个喷嘴组件，其中所述壁的平均热导率为约200W/m·K或更高，且所述壁的厚度为6mm或更高。
根据另一实施例，提供一种适于在一挠性基板上汽化三聚氰胺的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，具有一壁，所述壁包围用于汽化所述三聚氰胺的一空腔；至少一个加热装置，邻近所述壁配置且经调适以将所述蒸发管加热至200℃至350℃的范围内的温度，且蒸发管的所述温度的温度均匀性为±3％；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖，所述喷嘴盖具有一开口；及一挡门，用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的第一温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的第二温度之间的温度，且其中提供用于加热所述挡门的一挡门加热器或所述挡门具有4mm或4mm以下的厚度。
根据另一实施例，提供一种用于蒸发三聚氰胺的方法。所述方法包括将一蒸发管中的三聚氰胺加热至使所述三聚氰胺汽化的温度，其中所述蒸发管包含一壁及至少一个喷嘴组件，所述壁包围用于汽化所述三聚氰胺的一空腔，所述喷嘴组件自所述蒸发管突出，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖及一挡门，所述喷嘴盖具有一开口，所述挡门具有所述喷嘴的所述开口为基本上关闭所处的一关闭位置及所述三聚氰胺可通过所述开口所处的一开启位置；将所述挡门自所述关闭位置移动至所述开启位置；及将所述挡门加热至介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的第一温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的第二温度之间的温度。
附图说明
因此，可详细理解本发明的上述特征结构的方式，即上文简要概述的本发明的更特定描述可参照实施例进行，一些实施例图示于附加图式中。然而，应注意，附加图式仅图示本发明的典型实施例，且因此不欲视为本发明范畴的限制，因为本发明可以允许其他同等有效的实施例。
图1图示一汽化器组件的一侧视图；
图2图示一蒸发管的一立体视图；
图3图示一供欲汽化的材料用的坩埚；
图4图示所述喷嘴组件的一放大侧视图；
图5图示一挡门的一实施例；
图6图示一挡门的另一实施例；
图7图示一挡门的另一实施例；
图8图示一蒸发管的一实施例的一放大侧视图；
图9图示一蒸发管的另一实施例的一放大侧视图；及
图10以侧视图图示一蒸发管的另一实施例。
具体实施方式
现将详细参照各种实施例，这些实施例的一或多个实例图示于附图中。各实例是以解释说明方式提供且不欲作为本发明的限制。在以下图式描述内，相同组件符号是指相同组件。一般而言，仅仅描述关于个别实施例的差异。
通常，例如三聚氰胺的有机材料可在10-2mbar，且在约300℃下，尤其在约210℃与约320℃之间蒸发或升华。在另一实施例中，所述有机材料在约250℃及310℃之间蒸发。一些欲升华的有机材料在比升华温度稍高的温度下燃烧。举例而言，三聚氰胺在约330℃燃烧。因此，必须控制欲蒸发的材料的温度。通常，由于必须在狭窄温度范围内提供热，所以有机材料的蒸发速率不能藉由增大蒸发温度而显著地增加，因为材料在较高温度下不会蒸发反而会燃烧。因此，为提供有机材料的均匀或均质涂层，对有机材料的热供应不能以位置及时间为函数而大幅度地变化。
图1图示一侧视图，此图说明一蒸发组件的实施例。蒸发组件1包括一蒸发管10及一喷嘴组件20。一圆筒(drum)30支撑一挠性腹板(web)或一基板，而蒸发的材料则待沉积于所述挠性腹板或基板上。因此，举例而言，圆筒30可经冷却以便减小所述挠性基板上的热负荷。蒸发组件1可进一步包括一腔室50，所述腔室容纳所述蒸发管及所述喷嘴组件。根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，一坩埚14可提供于蒸发管10内。因此，与具有一相似蒸发管但并不包括一坩埚的实施例相比，可实现更均匀的加热。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，一助黏剂发射器(adhesion promoter emitter)40可配置于蒸发器管10与圆筒30之间，以使得所述助黏剂朝欲藉由欲蒸发的材料而涂布的基板或腹板投射。所述助黏剂发射器可(例如)为一甲醇蒸发器。甲醇蒸发器为一液体蒸发器，所述液体蒸发器具有一受热气体导引系统及一受热气体喷枪。所述助黏剂发射器的所述气体喷枪可经置放以使得蒸发管10中的一团欲蒸发的有机材料与一团所述助黏剂混合。
蒸发管10、助黏剂发射器40及喷嘴组件20可置放于一共享腔室50中，所述共享腔室具有一开口52，且所述开口52是基本上由圆筒30关闭的，藉此，在一实施例中，可于腔室50内提供次大气压力(sub-atmospheric pressure)。根据一些实施例，所述腔室内部的压力可处于约5-3mbar至1-2mbar，通常处于约10-2mbar。腔室50内的压力可取决于欲蒸发的材料，尤其是欲蒸发的有机材料而定。图1更图示出一泵54，所述泵用以抽空所述腔室50。
如图1中所示，喷嘴组件20自蒸发管10突出。喷嘴组件20包括一喷嘴盖22，所述喷嘴盖具有一开口24，来自蒸发管10的经蒸发的材料通过所述开口。根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，所述开口可提供为一狭缝开口，在操作时，例如三聚氰胺的经蒸发的材料通过所述狭缝开口。另外，所述喷嘴组件可包括一导引通道26，所述导引通道26用于将来自蒸发管10的经汽化的材料导引至所述喷嘴盖的开口24。喷嘴盖22的开口24可藉由一挡门(shutter)28选择性地开启或关闭。挡门28可藉由关于一轴29枢转而自一开启位置移动至一关闭位置，在所述开启位置中，喷嘴开口24开启，以使得蒸发的材料可通过所述开口且沉积于所述基板或所述腹板上；在所述关闭位置中，防止所述蒸发的材料通过喷嘴开口24。根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，可使用其他移动机制。举例而言，挡门28可藉由自所述开启位置至所述关闭位置的直线移动而移动。
如自图1及图2可见，根据一些实施例，蒸发管10具有一基本上圆柱形式。根据一实施例，一圆柱可藉由两个平行平表面(plane surface)及由平行直线形成的一表面来形成。在一典型实施例中，所述蒸发管由一圆柱形成，所述圆柱具有由平行直线的单参数族横跨的直纹面(ruled surface)。若穿过一表面的每一点都存在一条位于所述表面上的直线，则所述表面为直纹面。因此，根据可与本文中所述的实施例的任何实施例组合的不同实施例，所述圆柱可具有一圆形基底表面或一非圆形基底表面。根据典型实施例，所述圆柱可为一椭圆柱(circular cylinder)。
通常，操作时，蒸发管10具有一基本上水平圆柱轴。所述蒸发管的横截面因此具有两个侧扇形体(lateral quadrant)，即一上扇形体及一下扇形体。如在图1中可见，所述喷嘴组件配置在所述蒸发管的左侧扇形体处，以使得蒸发管10且尤其是蒸发管10的喷嘴组件20在操作时在一基本上水平的方向上引导汽化的有机材料。喷嘴组件20配置在所述蒸发管的纵向方向上。因此，喷嘴组件20的开口24可形成一狭缝开口，所述狭缝具有平行于所述蒸发管的圆柱轴的一纵向方向。因此，根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，可提供一水平圆柱，所述水平圆柱具有一水平圆柱轴及一水平开口24。
如图1中所示，所述蒸发管或汽化器管具有平均宽度B，及在导引方向上(亦即，在自汽化器管10至喷嘴开口24的方向上)具有长度L的导引通道26。因此，根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，比率B/L可为至少5。在一典型实施例中，长度L可介于约30mm至约60mm之间，尤其为约40mm。由于所述长度，所述导引通道可藉由一喷嘴盖的一加热装置及/或蒸发或汽化器管10的一加热装置来被动地加热。操作时，所述导引通道可被动地加热至接近于所述蒸发管中的欲蒸发的材料的蒸发温度的温度。「被动加热」意谓无加热装置设置于导引通道26的一外壁处或外壁中，亦即，热是藉由热传递而自所述喷嘴盖及/或所述蒸发管传递至导引通道26。因此，藉由被动加热所述导引通道且提供具有足够小的长度的所述导引通道，则防止在操作汽化器管10期间，欲蒸发的材料于导引通道26的壁上的去升华(desublimation)或冷凝。
图2图示蒸发管10的立体视图。在蒸发管10的外表面上，加热装置或加热器18a、18b经配置以加热所述蒸发或汽化器管10。在图2中，图示出两个加热组件，在所述蒸发管的纵向轴方向上，一者在空间上设置于另一者之后。图2中所示的两个加热组件18a、18b可经独立控制，以沿汽化器管10的纵向轴提供均匀热分布。在其他实施例中，可沿所述蒸发管的纵向轴，而在空间上相继地设置三个或三个以上的加热组件。由于此配置，用于汽化所述有机材料的温度可在蒸发管10的纵向轴的方向上得以精确控制。因此，可改良所述汽化材料沿蒸发或汽化器管10的纵向轴的沉积的均质性。
如图1中所示，一坩埚12可配置于蒸发管10中。提供坩埚12以容纳欲汽化的有机材料且所述坩埚在下方图3中更详细图示。坩埚12具有一开放侧(open side)14，以使得所述汽化的材料可容易地经由导引通道26及喷嘴开口24而由置放于蒸发管10中的所述坩埚传递至欲涂布的所述挠性腹板或基板上。坩埚12通常置放于蒸发管10中以使得坩埚12的一边缘16刚好配置在喷嘴组件20的导引通道26下方或接近于喷嘴组件20的导引通道26。
图3图示用于置入蒸发管10中的一坩埚12。根据一些实施例，坩埚12具有一基本上圆柱形式，且所述坩埚的一侧(例如，图3中的上侧)上具有至少一个开口14。坩埚12具有两个区域12a、12b，所述两个区域由一壁13分离开。壁13可具有一或多个孔15a、15b，通常是两个孔。孔15a、15b允许两个区域12a、12b之间的气体交换。根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，当坩埚12置放于蒸发管10中时，所述坩埚的横截面具有与蒸发管10的圆柱表面的一部分对立的一部分，其中所述坩埚的所述圆柱基底表面的所述部分(即，关于所述蒸发管的所述纵向轴的横截面)具有与蒸发管10的所述横截面的对立部分一相似的形状。如在图1中可见，此允许所述部分具有介于蒸发管10与坩埚12之间的基本上均匀的热传递。根据一些实施例，所述部分可为所述圆柱横截表面的至少20％，通常至少50％，所述部分并不对应于所述坩埚的所述开口。在另一实施例中，所述部分为坩埚12的所述圆柱表面的至少75％，尤其至少90％，所述部分并不对应于所述坩埚的所述开口。因此，改良自蒸发或汽化器管10至坩埚12的热传递，且至少沿着与蒸发或汽化器管10的所述圆柱表面的所述部分对立的坩埚10的所述横截部分提供在所述蒸发管的横截面中的更均质的热分布。根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，所述坩埚及所述蒸发器管的对应圆柱横截表面可尤其用于蒸发三聚氰胺或其他有机材料，上述材料自蒸发温度至燃烧温度的温度范围小，例如低于70℃，或上述材料自期望蒸发温度至燃烧温度的温度范围小，例如低于50℃或甚至30℃。
因此，操作所期望的温度窗口范围为约50℃或更小，诸如约30℃。鉴于小温度范围，极少摄氏度的温度波动导致所述温度范围的大百分比适于蒸发。因此，对具有适于蒸发的小温度范围的三聚氰胺及其他有机材料而言，难以获得均匀蒸发速率。因此，所述坩埚与所述蒸发管之间的上述均匀热传递可有利地用于三聚氰胺或其类似物，而所述均匀热传递可藉由具有对应圆柱横截表面部分，即，沿(例如)所述横截表面的至少10％的均匀热接触而实现。
图4图示喷嘴组件20的放大视图。根据一些实施例，喷嘴盖22可以为可释放地连接至导引通道26。因此，假若材料已于喷嘴盖22上冷凝或去升华，则可替换所述喷嘴盖。所述喷嘴盖可藉由螺钉或螺栓连接至导引通道26。在另一实施例中，所述喷嘴组件钳合至导引通道26上。在另一实施例中，喷嘴盖22被塞在导引通道26上，以使得所述喷嘴盖基本上藉由摩擦力而固持在导引通道26上。此外，可使用数种连接技术的组合。
另外，根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，喷嘴盖22具备一加热装置23。因此，减小所述汽化材料由于所述喷嘴盖的较低温度的冷却及于喷嘴盖22上所产生的冷凝或去升华。在一典型实施例中，喷嘴盖22(尤其是邻近所述开口24的所述喷嘴盖的这些部分)被加热升温至所述欲汽化的有机材料的升华温度±30℃的范围。举例而言，所述喷嘴盖在邻近所述喷嘴开口处可具有210℃至320℃的温度，尤其250℃至300℃的温度。在另一实施例中，仅仅开口24周围的喷嘴盖22的一部分藉由加热装置23来加热。
如上所述，根据其他实施例，喷嘴开口24可藉由一挡门26而关闭。因此，所述挡门可经配置以在操作时具有温度，以使得蒸发的有机材料并不会在挡门26及/或喷嘴盖22上冷凝或去升华。详言之，挡门26的温度可约与喷嘴盖22的温度相同或大于喷嘴盖22的温度。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，所述挡门可经配置以在操作所述蒸发管时具有在140℃的范围内的温度，其中所述喷嘴盖的温度在所述范围内。亦即，所述挡门可经配置以具有为约所述喷嘴盖的温度的温度，例如，所述温度介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的温度之间。通常，所述温度可介于比所述喷嘴盖的温度低30℃的温度与比所述喷嘴盖的温度高30℃的温度之间。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的一些实施例，所述挡门被提供而在操作期间将所述挡门加热及/或当在操作期间关闭时具有短暂的加热升温时期。
根据一些实施例，所述挡门具有一第一侧28a及一第二侧28b，假若挡门28处于关闭位置，则所述第一侧与喷嘴盖22的开口24对立。在一第一实施例中，挡门28的第一侧28a具有大于约15W/m·K(例如50W/m·K或更高)的热导率(heat conductivity)，及/或所述第一侧的热容量每平方米小于约7,8×103kJ/K。
在此种配置中，挡门28的所述第一侧可在操作蒸发器管10时藉由邻近挡门28的第一侧28a的环境的温度来加热。另外，在挡门28的第一侧28a，所述挡门经设计以具有高热导率及/或低热容量，以使得当挡门28(尤其是挡门28的第一侧28a)与喷嘴盖22进行接触时，所述挡门的第一侧28a立即被加热至约与喷嘴盖22的温度相同的温度。因此，可减小或避免所述蒸发的材料于所述挡门及/或所述喷嘴盖上的去升华。
根据一些实施例，挡门28(尤其是挡门28的第一侧28a)可使用铜来制造。根据一些实施例，所述挡门具有小于4mm的厚度d，在一典型实施例中，小于2mm。随后，当挡门28处于关闭位置时，所述挡门藉由喷嘴盖22中提供的热来被动地加热。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，所述挡门可配置于导引通道26内，以使得喷嘴开口24自喷嘴盖22的内侧关闭。因此，根据替代修改方案，在开口24允许材料进入的操作条件期间，所述挡门可随蒸发管10来设置。因此，与一外部位置相比，在操作期间挡门28所暴露的环境增大，以使得所述挡门可更加容易地提供于高温下。
图5图示关于本文中所述的一蒸发器中的一挡门的替代或额外修改方案的其他实施例。图5图示一挡门28′。挡门28′具有一第一侧28′a，若挡门28′处于关闭位置，则所述第一侧28′a与喷嘴盖22进行接触。所述挡门包括一加热装置28′c，所述加热装置28′c经调适以至少加热挡门28′的第一侧28′a。在一实施例中，提供与挡门28′的加热装置28′c连接的两个触点28′d。当所述挡门处于开启位置时，这些触点28′d与引脚(pin)28′e产生电接触，这些引脚电性连接至用于控制加热装置28′c的电源及/或控制装置。在另一实施例中，自加热装置28′c至控制装置及/或能量来源的电连接可经由所述挡门的轴29′来提供。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，如图6中所示，来自所述能量来源的能量是以无接触输送的方式提供至一挡门28″中的一加热组件28″c。一第一线圈28″d提供于挡门28″中，与加热组件28″c为电连接。一第二线圈28″e被调适成将能量传递至第一线圈28″d，且所述第二线圈经配置以使得在挡门28″的所述开启位置的能量传递成为可能。在所述实施例中，不会有触点(如图5中所示的实施例的触点28′d及引脚28′e)因欲蒸发的有机材料而可能变脏或被涂覆。另外，第二线圈28″e的一外壳可作为挡门28″的止挡件(stop)。因此，非接触电感性电力输送为挡门28″提供可靠的加热系统。
根据其他修改方案，如图7中所示，一挡门28″′维持在所述挡门的开启位置，如图7中所示，顶着含有一加热系统28″′c的一止挡件28″′e。挡门28″′必须制成足够薄以使得在短时期内挡门28″′的第一侧28″′a加热至期望温度，尤其约与喷嘴盖22的温度相同或大于喷嘴盖22的温度的温度。在一实施例中，止挡件28″′e是基本上覆盖挡门28″′的第二侧28″′b的完整表面。另外，止挡件28″′e的表面及挡门28″′的第二表面28″′b彼此符合以提供自止挡件28″′e至挡门28″′的良好热传输。
因此，挡门28″′在开启位置藉由止挡件28″′e来被动地加热，且在关闭位置藉由喷嘴盖22来被动地加热。举例而言，挡门28″′可具有大于15W/m·K，且通常大于50W/m·K或甚至200W/m·K的热导率。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，用于加热蒸发管10的所述加热器或加热装置可根据不同实施例来提供，以达成所述蒸发管的更均匀加热。如上文所说明，可例如藉由使一死循环控制系统连接至下文所述的不同加热组件而提供的良好加热均匀性，而所述加热均匀性尤其是相对于诸如三聚氰胺及其类似物的有机材料(所述等材料具有小的蒸发温度范围)而言。通常，这些加热装置与所述蒸发管接触以使得这些加热装置形成接触式加热装置。
图8图示蒸发管10的部分区段。坩埚12设置于蒸发管10中。在蒸发管10外部，提供加热组件18a以加热蒸发管10。在所述蒸发管内部，坩埚12的外表面基本上符合蒸发管10的内表面，以提供自蒸发管10至坩埚12的良好热传递。详言之，欲蒸发的典型的有机材料为三聚氰胺。因此，蒸发温度不可超过330℃，或三聚氰胺在操作参数下开始燃烧的对应温度。根据一些实施例，加热可藉由加热管18a来执行。
根据其他实施例，如图9中所示，所述蒸发管藉由与蒸发或汽化器管10的外侧进行接触的薄膜加热组件来加热。薄膜加热组件18′a配置于一基板上，所述基板提供与加热组件18′a的电连接。使用薄膜加热组件，可提供更均匀及适应性的热分布。根据一选择性的实施例，各加热组件18′a的表面可视欲加热的蒸发管10的部分上的位置而定。举例而言，加热组件的较小表面可在蒸发管10(在蒸发管10内侧不覆盖有坩埚12)的部分处提供。在一典型实施例中，各薄膜加热组件可独立控制。因此，对于欲汽化的有机材料的热传递可受精确控制，以将均质热引入提供给所述坩埚中的所述有机材料。
根据一些实施例，例如图9及图10中所示的蒸发管10可使用不锈钢来制造。在一典型实施例中，坩埚12由不锈钢、铜及/或铝制得。因此，所述坩埚及所述蒸发管的热传递系数(heat transfer coefficient)大于约4,5×103W/m2·K。在一典型实施例中，所述蒸发管具有约3mm的壁厚度，且所述坩埚的壁具有约3mm的厚度。因此，所述壁可具有大于6mm的厚度。因此，藉由加热装置或组件18′a或18a提供的热是基本上均质分布于坩埚12的所述壁的内侧上，以使得将均质热引入提供给所述坩埚中的所述有机材料。
图10图示所述蒸发或汽化器管的其他实施例的横截面。如图10中所示，无坩埚置放于汽化器管10中。根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，选择蒸发管10的厚度及材料以使得蒸发管提供约4,5×103W/m2·K的热输送系数(heat transmission coefficient)及/或以使得图10的蒸发管10的壁厚为约6mm。根据一些修改方案，所述材料可为铜或铝。因此，与图9中所示的蒸发管相比，可提供改良的热均匀性且可省略所述坩埚。使用省略坩埚的蒸发或汽化器管，可减小升温循环，亦即，与含有坩埚的蒸发管相比，可减小达到设置于所述蒸发管中的所述有机材料的升华温度的时间。
根据可产生本文中所述的实施例的其他修改方案的其他实施例，所述蒸发管的壁厚可视位置而变化。举例而言，蒸发管10的壁可在置放所述欲汽化的材料的所述蒸发管的下面部分或下扇形体处具有较大厚度。在蒸发管10的上扇形体中，所述蒸发管的壁的厚度可比在蒸发管10的下扇形体中的厚度小。在一典型实施例中，所述蒸发管使用铜及/或铝来制造。另外，图10图示呈管状加热组件形式的加热组件或装置18a。藉由加热装置或组件18′a或18a提供的热以基本上均质方式分布于蒸发管10的壁的内侧上，以使得将均质热引入提供给设置于蒸发管10的壁的内侧上的所述有机材料。在另一实施例中，图10的实施例可使用如图9中所示的薄膜加热组件。
关于(例如)图1及图8-图9而言，已描述内部具有及不具有一坩埚的蒸发管。因此，已提及所述蒸发管的壁的热导率，以达改良用于蒸发所述有机材料的热的均匀性的目的。因此，应了解热导率必须作为所述蒸发管的壁及(若存在)所述坩埚的壁的平均值来得到。因此，若所述蒸发管的壁的厚度与所述坩埚的壁的厚度相同，则平均热导率提供为蒸发管材料的热导率及所述坩埚的热导率的平均值。举例而言，若所述蒸发管的壁厚为整个壁厚的30％，且所述坩埚的壁厚为整个壁厚的其余70％，则热导率为分别由30％及70％加权(weight)的平均值。因此，平均热导率可理解为用所述壁的这些部分的厚度加权所述壁部分的平均值。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，欲由所述有机材料涂布的所述腹板及/或所述挠性基板与喷嘴盖12之间的距离可足够大以提供一空间，所述空间供一助黏剂发射装置用。因此，提供一助黏剂装置空间。通常，所述距离可为80mm或更高。因此，有可能将一助黏剂发射器置放于蒸发管10与欲由在蒸发管10中蒸发的所述有机材料涂布的所述腹板/或基板之间。另外，喷嘴盖12与所述欲涂布的挠性腹板或基板之间的较大距离实现沉积于所述腹板或基板上的所述材料的较大均匀性。
根据上文，本文中所述的实施例提供一种有机材料的改良蒸发器及一种用于蒸发有机材料的改良方法。此尤其适用于具有小的可用(available)蒸发温度范围的有机材料，诸如三聚氰胺或其类似物。因此，可改良以下方面中的至少一者：在轴向及/或横截面方向上的蒸发的均匀性——藉由改良加热均匀性；材料于所述喷嘴及所述挡门上的冷凝；及所述挠性基板上的均匀性及黏着力。
因此，多个实施例可包括上述细节及方面。举例而言，提供一种汽化欲沉积于一挠性基板上的有机材料的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，具有一壁，所述壁包围用于汽化所述有机材料的一空腔；至少一个加热装置，邻近所述壁配置，且经调适以加热所述蒸发管；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖，所述喷嘴盖具有一开口；及一挡门，用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有在140℃的挡门温度范围内的温度，以使得所述喷嘴盖的温度在所述挡门温度范围内。作为另一实例，提供一种用于汽化有机材料的蒸发器。所述蒸发器包括：一蒸发管，具有一壁，所述壁包围用于汽化所述有机材料的一空腔；至少一个加热装置，邻近所述壁配置且经调适以加热所述蒸发管；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖，所述喷嘴盖具有一开口；及一挡门，用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的第一温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的第二温度之间的温度。根据可包括任选修改方案的其他实施例，所述挡门可具有一第一侧及一第二侧，其中所述第一侧与所述喷嘴盖的所述开口对立，且其中所述挡门的所述第一侧被调适成处于上文所述的这些温度范围内。根据这些实施例的其他修改方案，可提供用于至少加热所述挡门的一第一侧的一挡门加热器，挡门的厚度可提供为4mm或4mm以下，可提供所述挡门(尤其所述第一侧)以具有约15W/mK或更高的热导率，及/或所述第一侧的热容量为每平方米约7,8×103kJ/K或更低，及/或所述喷嘴盖包括至少一个用于加热所述喷嘴盖的加热装置。根据可与本文中所述的实施例的任何实施例组合的其他实施例，所述蒸发管可在操作时具有一基本上水平圆柱轴，其中所述蒸发管的横截面具有两个侧扇形体：一上扇形体及一下扇形体，其中所述至少一个喷嘴组件配置在所述蒸发管的一侧扇形体处，以使得(例如)可在一基本上水平的方向上导引所述汽化的材料；及/或所述喷嘴组件可进一步包括一导引通道，所述导引通道用于将汽化的材料自所述蒸发管导引至所述喷嘴盖的所述开口。因此，根据其他额外或任选的修改方案，所述喷嘴盖可以为可释放地连接至所述导引通道；所述喷嘴盖的所述开口可为一狭缝开口；所述蒸发管具有平均宽度B；及/或所述导引通道在导引方向上具有长度L，其中比率B/L可为至少5，(例如)以使得所述长度L可介于约30mm与约60mm之间，尤其为约40mm。
根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，所述有机材料可为三聚氰胺。因此，所述蒸发器可经调适以例如在200℃至350℃的温度范围内且以所述蒸发温度的±10％，通常±5％或甚至3％的均匀性来蒸发三聚氰胺。根据其他额外或替代实施例，所述喷嘴盖的所述开口与所述挠性基板相距一距离，以提供供一助黏剂蒸发装置用的空间，所述距离为例如100mm或更低，诸如80mm。
根据另一实施例，提供一种用于汽化欲沉积于一挠性基板上的三聚氰胺的蒸发器。所述蒸发器包括一蒸发管，所述蒸发管具有一壁，所述壁包围用于汽化所述三聚氰胺的一空腔；至少一个加热装置，经配置以加热所述蒸发管；所述蒸发管具有至少一个喷嘴组件，其中所述壁具有约220W/mK或更高的平均热导率，及6mm或更高的厚度。根据可与本文中所述的其他实施例组合的其他实施例，所述壁可包括一内壁及一外壁，所述内壁为一坩埚的壁；所述至少一个加热装置可与所述蒸发管接触；所述蒸发器可包括至少两个加热装置，所述两个加热装置在一纵向方向上而于空间上相继设置，其中所述至少两个加热装置为可独立电性控制的；及/或所述坩埚可被定形为符合所述蒸发管的内壁。
根据另一实施例，提供一种蒸发三聚氰胺的方法。所述方法包括：将一蒸发管中的三聚氰胺加热至使所述三聚氰胺汽化的温度，其中所述蒸发管包含一壁及至少一个喷嘴组件，所述壁包围用于汽化所述三聚氰胺的一空腔，所述至少一个喷嘴组件自所述蒸发管突出，其中所述喷嘴组件进一步包含一喷嘴盖，所述喷嘴盖具有一开口；及一挡门，所述挡门具有所述喷嘴的所述开口为基本上关闭所处的一关闭位置及所述三聚氰胺可通过所述开口所处的一开启位置；将所述挡门自所述关闭位置移动至所述开启位置；及将所述挡门加热至介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的第一温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的第二温度之间的温度。根据可与本文中所述的实施例的任何实施例组合的另一任选实施例，所述挡门可藉由至少一种选自以下者的群组的方式来加热：藉由邻近所述挡门的环境的温度而被动地加热、藉由所述喷嘴盖的温度而被动地加热、藉由设置邻近所述挡门的一加热装置而主动地加热、藉由置放于所述挡门中的一加热装置而主动地加热，或上述方式的组合。作为上述方法的另一额外或替代修改方案，所述挡门可自所述开启位置移动至所述所述关闭位置。
根据另一实施例，提供一种适于在一挠性基板上汽化三聚氰胺的蒸发器。所述蒸发器包括一蒸发管，所述蒸发管具有一壁，所述壁包围用于汽化所述三聚氰胺的一空腔；至少一个加热装置，邻近所述壁配置且经调适以将所述蒸发管加热至200℃至350℃的范围内的温度，且以所述蒸发管的所述温度的±3％的温度均匀性来加热；至少一个自所述蒸发管突出的喷嘴组件，其中所述喷嘴组件进一步包含具有一开口的一喷嘴盖；及一挡门，用于选择性开启及关闭所述喷嘴盖的所述开口，其中所述挡门被调适成在操作所述蒸发管时具有介于比所述喷嘴盖的温度低50℃的第一温度与比所述喷嘴盖的温度高50℃的第二温度之间的温度，且其中提供用于加热所述挡门的一挡门加热器或所述挡门具有4mm或4mm以下的厚度。
虽然前文是针对本发明实施例，但可在不脱离本发明的基本范畴的情况下设计本发明的其他及另外实施例，且本发明的范畴是藉由随后的权利要求书来确定。

Claims (24)

1.一种用于汽化欲沉积于挠性基板上的有机材料的蒸发器，包含：
蒸发管，所述蒸发管具有壁，所述壁包围用于汽化所述有机材料的空腔；
至少一个加热装置，配置以加热所述蒸发管；
所述蒸发管具有至少一个喷嘴组件，其中所述壁的平均热导率约为200W/m·K或更高，所述壁的厚度为6mm或更高。
2.如权利要求1所述的蒸发器，其中所述至少一个加热装置与所述蒸发管接触。
3.如权利要求1所述的蒸发器，其中所述蒸发器包含至少两个加热装置，所述至少两个加热装置在纵向方向上且在空间上相继设置，其中所述至少两个加热装置是可独立电性控制的。
4.如权利要求2所述的蒸发器，其中所述蒸发器包含至少两个加热装置，所述至少两个加热装置在纵向方向上且在空间上相继设置，其中所述至少两个加热装置是可独立电性控制的。
5.如权利要求1所述的蒸发器，其中所述壁包含内壁及外壁，所述内壁是坩埚的壁。
6.如权利要求2所述的蒸发器，其中所述壁包含内壁及外壁，所述内壁是坩埚的壁。
7.如权利要求3所述的蒸发器，其中所述壁包含内壁及外壁，所述内壁是坩埚的壁。
8.如权利要求4所述的蒸发器，其中所述壁包含内壁及外壁，所述内壁是坩埚的壁。
9.如权利要求1所述的蒸发器，进一步包括坩埚，所述坩埚置入于所述蒸发管内并被定形为符合所述蒸发管的壁的内壁。
10.如权利要求2所述的蒸发器，进一步包括坩埚，所述坩埚置入于所述蒸发管内并被定形为符合所述蒸发管的壁的内壁。
11.如权利要求3所述的蒸发器，进一步包括坩埚，所述坩埚置入于所述蒸发管内并被定形为符合所述蒸发管的壁的内壁。
12.如权利要求4所述的蒸发器，进一步包括坩埚，所述坩埚置入于所述蒸发管内并被定形为符合所述蒸发管的壁的内壁。
13.如权利要求1-12中的任一项所述的蒸发器，其中所述有机材料是三聚氰胺。
14.如权利要求13所述的蒸发器，其中所述蒸发器被调适成在200℃至350℃的温度范围内并以所述蒸发温度的±10%的均匀性来蒸发三聚氰胺。
15.如权利要求13所述的蒸发器，其中所述蒸发器被调适成在200℃至350℃的温度范围内并以所述蒸发温度的±5%内的均匀性来蒸发三聚氰胺。
16.如权利要求13所述的蒸发器，其中所述蒸发器被调适成在200℃至350℃的温度范围内并以所述蒸发温度的±3%内的均匀性来蒸发三聚氰胺。
17.如权利要求1-2中的任一项所述的蒸发器，其中所述蒸发管在操作时具有基本上水平的圆柱轴，其中所述蒸发管的横截面具有两个侧扇形体，上扇形体和下扇形体，其中所述至少一个喷嘴组件被配置在所述蒸发管的一侧扇形体处。
18.如权利要求17所述的蒸发器，其中所述汽化的材料是在基本上水平的方向上被导引的。
19.如权利要求1-12中的任一项所述的蒸发器，其中所述喷嘴组件进一步包含导引通道和具有开口的喷嘴盖，所述导引通道用于将所述汽化的材料从所述蒸发管导引至所述喷嘴盖的所述开口。
20.如权利要求19所述的蒸发器，其中所述喷嘴盖被可释放地连接至所述导引通道。
21.如权利要求19所述的蒸发器，其中所述喷嘴盖的所述开口具有狭缝开口。
22.如权利要求21所述的蒸发器，其中所述蒸发管在操作时具有基本上水平的圆柱轴，且所述狭缝具有平行于所述蒸发管的所述圆柱轴的纵向方向。
23.如权利要求1-12中的任一项所述的蒸发器，其中所述蒸发管是用铝制造的。
24.如权利要求1-12中的任一项所述的蒸发器，其中所述喷嘴组件被配置在所述蒸发管的纵向方向上。
CN200980138390.6A 2008-09-29 2009-09-29 有机材料的蒸发器及蒸发有机材料的方法 Expired - Fee Related CN102165090B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08165435.2 2008-09-29
EP08165435.2A EP2168644B1 (en) 2008-09-29 2008-09-29 Evaporator for organic materials and method for evaporating organic materials
PCT/IB2009/006988 WO2010035128A2 (en) 2008-09-29 2009-09-29 Evaporator for organic materials and method for evaporating organic materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102165090A CN102165090A (zh) 2011-08-24
CN102165090B true CN102165090B (zh) 2013-08-14

Family

ID=40647152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980138390.6A Expired - Fee Related CN102165090B (zh) 2008-09-29 2009-09-29 有机材料的蒸发器及蒸发有机材料的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8591223B2 (zh)
EP (1) EP2168644B1 (zh)
JP (1) JP5705734B2 (zh)
CN (1) CN102165090B (zh)
MX (1) MX2011003340A (zh)
RU (1) RU2538891C2 (zh)
TW (1) TWI452156B (zh)
WO (1) WO2010035128A2 (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4974036B2 (ja) * 2009-11-19 2012-07-11 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機ｅｌ装置の製造方法
US9748526B2 (en) * 2011-03-15 2017-08-29 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for producing organic el display device
US10215457B2 (en) 2011-12-09 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Heat exchanger for cooling a heating tube and method thereof
USD760180S1 (en) 2014-02-21 2016-06-28 Hzo, Inc. Hexcell channel arrangement for use in a boat for a deposition apparatus
USD763807S1 (en) 2014-05-22 2016-08-16 Hzo, Inc. Boat for a deposition apparatus
USD764423S1 (en) 2014-03-05 2016-08-23 Hzo, Inc. Corrugated elements for defining longitudinal channels in a boat for a deposition apparatus
US20140335271A1 (en) * 2012-01-10 2014-11-13 Hzo, Inc. Boats configured to optimize vaporization of precursor materials by material deposition apparatuses
EP2802424A4 (en) 2012-01-10 2015-12-23 Hzo Inc PRE-DELIVERY, MATERIAL PROCESSING SYSTEMS WITH CONFIGURED PRE-DELIVERY FOR USE AND RELATED METHODS
WO2015134056A1 (en) * 2014-03-01 2015-09-11 Hzo, Inc. Boats configured to optimize vaporization of precursor materials by material deposition apparatuses
CN103993268B (zh) * 2014-04-30 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种坩埚
JP5987154B2 (ja) * 2014-10-14 2016-09-07 マシン・テクノロジー株式会社 真空蒸着装置およびそれに用いるフィルムコンデンサ用の蒸発装置
US10644239B2 (en) 2014-11-17 2020-05-05 Emagin Corporation High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display
US9508976B2 (en) 2015-01-09 2016-11-29 Applied Materials, Inc. Battery separator with dielectric coating
JP2019516865A (ja) * 2016-05-24 2019-06-20 イマジン・コーポレイション 高精度シャドーマスク堆積システム及びその方法
US10386731B2 (en) 2016-05-24 2019-08-20 Emagin Corporation Shadow-mask-deposition system and method therefor
TWI633197B (zh) 2016-05-24 2018-08-21 美商伊麥傑公司 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
US10876205B2 (en) 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US11926894B2 (en) * 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US20200066305A1 (en) * 2016-11-02 2020-02-27 Tomtom International B.V. Creating a Digital Media File with Highlights of Multiple Media Files Relating to a Same Period of Time
CN107058957A (zh) * 2017-04-18 2017-08-18 武汉华星光电技术有限公司 一种蒸发源装置
CN107217233A (zh) * 2017-04-24 2017-09-29 无锡市司马特贸易有限公司 聚合物真空镀膜机
CN109642309B (zh) * 2017-05-17 2021-08-17 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
CN111201634B (zh) 2017-08-17 2023-04-04 应用材料公司 无烯烃隔板的锂离子电池
CN112368813A (zh) * 2018-06-14 2021-02-12 应用材料公司 用于在基板上沉积材料的蒸发器、形成蒸发器的方法、及用于在柔性基板上沉积材料的蒸发设备
US11634812B2 (en) 2018-08-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Solid source sublimator
KR102657356B1 (ko) 2018-08-21 2024-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배터리들을 위한 분리기 상의 초박형 세라믹 코팅
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0962260A1 (en) * 1998-05-28 1999-12-08 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus, organic material evaporation source, and method of manufacturing thin organic film
CN1605652A (zh) * 2004-09-09 2005-04-13 复旦大学 一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法
CN1904130A (zh) * 2005-07-28 2007-01-31 应用薄膜有限公司 气相沉积装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1723827A1 (ru) * 1990-07-09 1994-06-15 Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе Устройство для нанесения покрытий
JPH08120444A (ja) * 1994-10-19 1996-05-14 Nissin Electric Co Ltd 蒸着物質収納坩堝
JP3516819B2 (ja) * 1996-09-12 2004-04-05 株式会社アルバック モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法
DE69836039T2 (de) * 1998-05-28 2007-12-06 ULVAC, Inc., Chigasaki Verdampfungsquelle für organisches Material
US6207239B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
DE19933230C2 (de) * 1999-04-15 2002-06-13 Fraunhofer Ges Forschung Release-Schicht, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie Verwendung
JP2001234335A (ja) 2000-02-17 2001-08-31 Matsushita Electric Works Ltd 蒸着装置
JP3906012B2 (ja) * 2000-07-06 2007-04-18 大日本印刷株式会社 ガスバリア性積層材の製造方法
KR100461283B1 (ko) * 2000-12-30 2004-12-14 현대엘씨디주식회사 유기전기발광소자 제조장치용 유기물증발보트구조
US7112351B2 (en) * 2002-02-26 2006-09-26 Sion Power Corporation Methods and apparatus for vacuum thin film deposition
US7192486B2 (en) * 2002-08-15 2007-03-20 Applied Materials, Inc. Clog-resistant gas delivery system
EP2369035B9 (en) * 2003-08-04 2014-05-21 LG Display Co., Ltd. Evaporation source
JP2005281858A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 堆積厚測定方法、材料層の形成方法、堆積厚測定装置および材料層の形成装置
US7669349B1 (en) * 2004-03-04 2010-03-02 TD*X Associates LP Method separating volatile components from feed material
KR100641022B1 (ko) 2004-11-01 2006-11-01 주식회사 대우일렉트로닉스 유기물 진공 증착 장치
EP1662017B1 (de) * 2004-11-20 2007-06-06 Applied Materials GmbH & Co. KG Vorrichtung zum Verdampfen von Materialien
JP4557170B2 (ja) * 2004-11-26 2010-10-06 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源
DE102005049906B4 (de) * 2005-10-17 2009-12-03 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Verdampfung von Verdampfungsmaterial
JP5173175B2 (ja) * 2006-09-29 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置
WO2008079209A1 (en) * 2006-12-19 2008-07-03 Veeco Instruments Inc. Vapor deposition sources and methods
KR100977374B1 (ko) * 2009-08-03 2010-08-20 텔리오솔라 테크놀로지스 인크 대면적 박막형 ｃｉｇｓ 태양전지 고속증착 및 양산장비, 그 공정방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0962260A1 (en) * 1998-05-28 1999-12-08 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus, organic material evaporation source, and method of manufacturing thin organic film
CN1605652A (zh) * 2004-09-09 2005-04-13 复旦大学 一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法
CN1904130A (zh) * 2005-07-28 2007-01-31 应用薄膜有限公司 气相沉积装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5705734B2 (ja) 2015-04-22
JP2012504187A (ja) 2012-02-16
WO2010035128A4 (en) 2010-08-26
EP2168644B1 (en) 2014-11-05
RU2011116918A (ru) 2012-11-10
WO2010035128A3 (en) 2010-06-17
US20100081104A1 (en) 2010-04-01
MX2011003340A (es) 2011-07-28
WO2010035128A2 (en) 2010-04-01
CN102165090A (zh) 2011-08-24
EP2168644A1 (en) 2010-03-31
US8591223B2 (en) 2013-11-26
RU2538891C2 (ru) 2015-01-10
TW201030163A (en) 2010-08-16
TWI452156B (zh) 2014-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102165090B (zh) 有机材料的蒸发器及蒸发有机材料的方法
KR101814390B1 (ko) 진공증착장치에 있어서의 증착재료의 증발, 승화방법 및 진공증착용 도가니 장치
EP1803836A1 (en) Evaporation source and method of depositing thin film using the same
US7905961B2 (en) Linear type deposition source
KR100805531B1 (ko) 증발원
EP1777320B1 (en) Apparatus and method for depositing thin films
TWI467040B (zh) 用於有機材料之蒸發器
WO2008079209A1 (en) Vapor deposition sources and methods
JP2003513169A (ja) 真空で基板を被覆するための方法及び装置
JP2008169456A (ja) 真空蒸着装置
US9428832B2 (en) Heat equalizer
EP2278044B1 (en) Controlling the application of vaporized organic material
CN101057349B (zh) 用于控制有机材料的蒸发的方法和设备
CN105296928B (zh) 线光源及具备此线光源的薄膜蒸镀装置
KR101754802B1 (ko) 증발기 및 증발 증착 장치
JP7223632B2 (ja) 真空蒸着装置用の蒸着源
KR100514588B1 (ko) 기상 증착 장치용 증발원
CN101280417A (zh) 一种有机电致发光器件蒸镀用装置
KR200282905Y1 (ko) 대면적 양면 박막 증착용 기판가열장치
KR970703444A (ko) 반응가스 송출장치 및 방법(Apparatus and method for delivery of reactant gases)
KR20120048671A (ko) 증발기, 증발기들의 장치 및 코팅 시스템
KR20190030993A (ko) 이종증착물질 증착을 위한 증발장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: American California

Applicant after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Applicant before: Applied Materials Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130814

Termination date: 20190929

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee