CN102163953A - 基波/谐波晶体振荡器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化的基波/谐波晶体振荡器。一种基波/谐波晶体振荡器,具备:晶体振子(1),能实现基波振荡或者谐波振荡;以及振荡电路(30),对来自晶体振子(1)的激励电流进行放大而输出振荡频率,对振荡电路(30)的晶体管(Tr31)的基极并联连接有电容器(Cf)和电容器(Co),与发射极连接,对发射极并联连接有电容器(C32)和电阻(R32),设置用于根据切换信号将电容器(Cf)连接到电路或者从电路切离的开关(SW31),开关(SW31)以在基波下振荡的情况下接通,在谐波下振荡的情况下断开的方式动作。
Description
技术领域
本发明涉及晶体振荡器,特别涉及可以使一个晶体振荡器在基波模式或者谐波模式下振荡的基波/谐波晶体振荡器。
背景技术
[以往的技术]
在以往的晶体振子中,可以在相同的规格下,在基波模式或者谐波模式下振荡。
但是,在基波模式或者谐波模式下,需要分别在最佳条件下构成电路,进而,期望根据用途、振子的规格,将激励电流设定为最佳,所以在希望通过同一装置得到基波和谐波这多个信号的情况下,需要成对地构成各自的振子和电路。
[基波晶体振荡器:图7]
参照图7,说明以往的基波晶体振荡器。图7是以往的基波晶体振荡器的电路图。
以往的基波晶体振荡器如图7所示,具备在基波下振动的晶体振子1a、和振荡电路10。
振荡器10由最佳化为基波的元件构成。
振荡电路10是柯耳匹兹(Colpitts)型的振荡电路,晶体振子1a的激励电流经由电容器C13提供到晶体管Tr11的基极,电源电压Vcc供给到晶体管Tr11的集电极,并且经由电阻R11供给到基极。
另外,对晶体管Tr11的集电极,连接有电容器C14的一端,另一端被接地。
进而,对晶体管Tr11的基极,连接有串联连接的电容器C11和电容器C12,电容器C12的另一端被接地。
对晶体管Tr11的发射极,经由电阻R12接地。
另外,电容器C11与电容器C12之间的点和发射极连接,从发射极输出基波的振荡频率。
[谐波晶体振荡器:图8]
参照图8,说明以往的谐波晶体振荡器。图8是以往的谐波晶体振荡器的电路图。
以往的谐波晶体振荡器如图8所示,具备在谐波下振动的晶体振子1b、和振荡电路20。
振荡器20由最佳化为谐波的元件构成。
振荡电路20是柯耳匹兹型的振荡电路,晶体振子1b的激励电流经由电容器C23提供到晶体管Tr21的基极,电源电压Vcc供给到晶体管Tr21的集电极,并且经由电阻R21供给到基极。
另外,对晶体管Tr21的集电极连接有电容器C24的一端,另一端被接地。
进而,对晶体管Tr21的基极,连接有串联连接的电容器C21和电容器C22,电容器C22的另一端被接地。
对晶体管Tr21的发射极,经由电阻R22接地。
另外,电容器C21与电容器C22之间的点和发射极连接,从发射极输出谐波的振荡频率。
[负性电阻特性:图9、图10]
接下来,参照图9、图10,说明晶体振荡器中的负性电阻特性例。图9是示出基波下的振荡电路的负性电阻例的图,图10是示出谐波下的振荡电路的负性电阻例的图。
从振子观察的电路侧在振子的共振频率下成为负性电阻是振荡的条件。
在基波频率带中具有负性电阻的电路中,在基波下振荡。在图9中,示出与26MHz的晶体振子对应地在基波频率带具有负性电阻的例子。
另外,在谐波带中具有负性电阻的电路中,在谐波下振荡。在图10中,示出与26MHz的晶体振子对应地在谐波频率带中具有负性电阻的例子。
[关联技术]
另外,作为关联的现有技术,有日本特开昭64-051806号公报“晶体振荡器用IC”(申请人:日本电波工业株式会社/专利文献1)、日本特开2004-128593号公报“振荡电路”(申请人:金石株式会社/专利文献2)、以及日本特开2009-177393号公报“3次谐波用振荡电路”(申请人:日本电气株式会社/专利文献3)。
专利文献1示出了如下技术:在晶体振荡器用IC中,在输入端与输出端之间设置第1电阻器、和电阻值比该第1电阻器低的第2电阻器,在基波振荡的情况下选择第1电阻,在3次谐波的情况下用开关7选择第2电阻,从而自如地进行基波或者3次谐波振荡的切换。
专利文献2示出了如下技术:在振荡电路中,具备对反相器(inverter)并联连接的两个反馈电阻、和设置在反相器的输入输出端子之间的压电振子,通过开关元件选择某一个反馈电阻,从而切换基波振荡或者谐波振荡。
专利文献3示出了如下技术:在3次谐波用振荡电路中,对反相器并联地连接有晶体振荡子,在输入端子和输出端子各自中设置多个电容器和选择用的开关,即使振荡电路的负性电阻由于基板的寄生电容值而变化,通过开关的切换来调整电容器电容,调整负性电阻。
发明内容
但是,在以往的振荡器中,在基波下振荡的振荡器需要将振荡电路中的元件最佳化为基波用,在谐波下振荡的振荡器需要将振荡电路中的元件最佳化为谐波用,存在难以将一个晶体振子构成为易于振荡为基波或者谐波这样的问题。
在专利文献1、2中,记载了通过切换电阻使基波或者谐波中的某一个振荡的技术,但仅通过电阻的切换难以使激励电流最佳化。
另外,在专利文献3中,使谐波振荡稳定化,而不是实现基波或者谐波振荡的现有技术。
本发明是鉴于上述实情而完成的,其目的在于提供一种基波/谐波晶体振荡器,可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
用于解决上述以往例的问题的本发明提供一种基波/谐波晶体振荡器,具备:晶体振子,能实现基波振荡或者谐波振荡;以及振荡电路,对来自晶体振子的激励电流进行放大而输出振荡频率,振荡电路具备对激励电流进行放大的晶体管,一端与晶体管的输入激励电流的基极连接的第1电容器、和一端与基极连接的第2电容器并联地连接,第1电容器的另一端和第2电容器的另一端连接到晶体管的发射极,一端与发射极连接的第3电容器、和一端与发射极连接的第1电阻并联地连接,第3电容器的另一端和第1电阻的另一端被接地,设置第1开关,该第1开关根据所输入的信号为了将第1电容器从电路切离而断开、或者为了将第1电容器连接到电路而接通,第1开关以在基波下振荡的情况下接通,在谐波下振荡的情况下断开的方式动作,所以具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
本发明在所述基波/谐波晶体振荡器中,在晶体振子与振荡电路之间设置开关电路,开关电路具备第2电阻和第2开关,第2开关在基波下振荡的情况下,切换为将从晶体振子输入的激励电流经由第2电阻输出到振荡电路,在谐波下振荡的情况下,切换为将从晶体振子输入的激励电流不经由第2电阻而输出。
本发明提供一种基波/谐波晶体同时振荡器,具备:晶体振子,能实现基波振荡或者谐波振荡;频率分离器,对来自晶体振子的激励电流进行分离;第1振荡电路,对来自频率分离器的输出进行放大而输出基波的振荡频率;以及第2振荡电路,对来自频率分离器的输出进行放大而输出谐波的振荡频率,在第1振荡电路中,为了进行基波下的振荡,元件被进行了最佳化,在第2振荡电路中,为了进行谐波下的振荡,元件被进行了最佳化,频率分离器具有:第1滤波器,输入来自晶体振子的激励电流,切断谐波带,使基波带通过而输出到第1振荡电路;以及第2滤波器,输入来自晶体振子的激励电流,切断基波带,使谐波带通过而输出到第2振荡电路,具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
本发明提供一种基波/谐波晶体振荡器,具备:晶体振子,能实现基波振荡或者谐波振荡;开关电路,对来自晶体振子的激励电流进行切换而输出;第1振荡电路,对来自开关电路的输出进行放大而输出基波的振荡频率;以及第2振荡电路,对来自开关电路的输出进行放大而输出谐波的振荡频率,在第1振荡电路中,为了进行基波下的振荡,元件被进行了最佳化,在第2振荡电路中,为了进行谐波下的振荡,元件被进行了最佳化,开关电路在基波下振荡的情况下,切换为将从晶体振子输入的激励电流输出到第1振荡电路,在谐波下振荡的情况下,切换为将从晶体振子输入的激励电流输出到第2振荡电路,所以具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
本发明提供一种基波/谐波晶体振荡器,其中,第1反相器IC和第2反相器IC串联地连接,第1反相器IC的输入侧和输出侧经由第1电阻连接,对第1反相器IC的输入侧连接有晶体振子的一端,对第1反相器IC的输出侧经由第2电阻连接有晶体振子的另一端,对晶体振子的一端连接有第1电容器的一端,第1电容器的另一端被接地,对晶体振子的另一端连接有开关,该开关将连接切换到基波振荡电容器或者谐波振荡电容器,对开关连接有基波振荡电容器的一端,基波振荡电容器的另一端被接地,对开关连接有谐波振荡电容器的一端,谐波振荡电容器的另一端被接地,开关在基波下振荡的情况下,切换为将晶体振子的另一端连接到基波振荡电容器,在谐波下振荡的情况下,切换为将晶体振子的另一端连接到谐波振荡电容器,所以具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
本发明提供一种基波/谐波晶体振荡器,其中,第1反相器IC和第2反相器IC串联地连接,第1反相器IC的输入侧和输出侧经由第1电阻连接,对第1反相器IC的输入侧连接有第1开关,对第1反相器IC的输出侧连接有第2开关,对晶体振子的一端连接有第3开关,并且连接有第1谐波振荡电容器的一端,第1谐波振荡电容器的另一端被接地,对晶体振子的另一端连接有第4开关,并且连接有第2谐波振荡电容器的一端,第2谐波振荡电容器的另一端被接地,第1开关将第1反相器IC的输入侧连接到第1基波振荡电阻的一端、或者第1谐波振荡电阻的一端中的某一个,第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端连接,第1基波振荡电容器的另一端被接地,第2开关将第1反相器IC的输出侧连接到第2基波振荡电阻的一端、或者第2谐波振荡电阻的一端中的某一个,第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端连接,第2基波振荡电容器的另一端被接地,第3开关将晶体振子的一端连接到第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端之间的点、或者第1谐波振荡电阻的另一端中的某一个,第4开关将晶体振子的另一端连接到第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端之间的点、或者第2谐波振荡电阻的另一端中的某一个,在基波下振荡的情况下,第1开关切换为将第1反相器IC的输入侧连接到第1基波振荡电阻的一端,第2开关切换为将第1反相器IC的输出侧连接到第2基波振荡电阻的一端,第3开关切换为将晶体振子的一端连接到第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端之间的点,第4开关切换为将晶体振子的另一端连接到第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端之间的点,在谐波下振荡的情况下,第1开关切换为将第1反相器IC的输入侧连接到第1谐波振荡电阻的一端,第2开关切换为将第1反相器IC的输出侧连接到第2谐波振荡电阻的一端,第3开关切换为将晶体振子的一端连接到第1谐波振荡电阻的另一端,第4开关切换为将晶体振子的另一端连接到第2谐波振荡电阻的另一端,所以具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
根据本发明,由于设成如下基波/谐波晶体振荡器,第1反相器IC和第2反相器IC串联地连接,第1反相器IC的输入侧和输出侧经由第1电阻连接,对第1反相器IC的输入侧连接有晶体振子的一端,对第1反相器IC的输出侧经由第2电阻连接有晶体振子的另一端,对晶体振子的一端连接有第1电容器的一端,第1电容器的另一端被接地,对晶体振子的另一端连接有将连接切换到基波振荡电容器或者谐波振荡电容器的开关,对开关连接有基波振荡电容器的一端,基波振荡电容器的另一端被接地,对开关连接有谐波振荡电容器的一端,谐波振荡电容器的另一端被接地,开关在基波下振荡的情况下,切换为将晶体振子的另一端连接到基波振荡电容器,在谐波下振荡的情况下,切换为将晶体振子的另一端连接到谐波振荡电容器,所以具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
根据本发明,由于设成如下基波/谐波晶体振荡器,第1反相器IC和第2反相器IC串联地连接,第1反相器IC的输入侧和输出侧经由第1电阻连接,对第1反相器IC的输入侧连接有第1开关,对第1反相器IC的输出侧连接有第2开关,对晶体振子的一端连接有第3开关,并且连接有第1谐波振荡电容器的一端,第1谐波振荡电容器的另一端被接地,对晶体振子的另一端连接有第4开关,并且连接有第2谐波振荡电容器的一端,第2谐波振荡电容器的另一端被接地,第1开关将第1反相器IC的输入侧连接到第1基波振荡电阻的一端、或者第1谐波振荡电阻的一端中的某一个,第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端连接,第1基波振荡电容器的另一端被接地,第2开关将第1反相器IC的输出侧连接到第2基波振荡电阻的一端、或者第2谐波振荡电阻的一端中的某一个,第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端连接,第2基波振荡电容器的另一端被接地,第3开关将晶体振子的一端连接到第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端之间的点、或者第1谐波振荡电阻的另一端中的某一个,第4开关将晶体振子的另一端连接到第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端之间的点、或者第2谐波振荡电阻的另一端中的某一个,在基波下振荡的情况下,第1开关切换为将第1反相器IC的输入侧连接到第1基波振荡电阻的一端,第2开关切换为将第1反相器IC的输出侧连接到第2基波振荡电阻的一端,第3开关切换为将晶体振子的一端连接到第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端之间的点,第4开关切换为将晶体振子的另一端连接到第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端之间的点,在谐波下振荡的情况下,第1开关切换为将第1反相器IC的输入侧连接到第1谐波振荡电阻的一端,第2开关切换为将第1反相器IC的输出侧连接到第2谐波振荡电阻的一端,第3开关切换为将晶体振子的一端连接到第1谐波振荡电阻的另一端,第4开关切换为将晶体振子的另一端连接到第2谐波振荡电阻的另一端,所以具有如下效果:可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
附图说明
图1是本发明的实施方式的电路切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
图2是本发明的实施方式的电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
图3是本发明的实施方式的另一电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
图4是本发明的实施方式的电阻·电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
图5是本发明的实施方式的另一电阻·电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
图6是本发明的实施方式的基波/谐波晶体同时振荡器的电路图。
图7是以往的基波晶体振荡器的电路图。
图8是以往的谐波晶体振荡器的电路图。
图9是示出基波下的振荡电路的负性电阻例的图。
图10是示出谐波下的振荡电路的负性电阻例的图。
(符号说明)
1、1a、1b:晶体振子;2:开关电路;3:开关电路;4:双工器(频率分离器);5:反相器IC;6:反相器IC;10:振荡电路;20:振荡电路;30:振荡电路。
具体实施方式
参照附图,说明本发明的实施方式。
[实施方式的概要]
本发明的实施方式的基波/谐波晶体振荡器通过开关的切换动作,在基波下振荡的情况下,选择基波振荡的电路结构,在谐波下振荡的情况下,选择谐波振荡的电路结构,从而可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化。
[第1晶体振荡器:图1]
参照图1,说明本发明的实施方式的第1基波/谐波晶体振荡器。图1是本发明的实施方式的电路切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
本发明的实施方式的第1基波/谐波晶体振荡器(第1晶体振荡器)如图1所示,是电路切换型的基波/谐波晶体振荡器,基本上具有晶体振子1、开关电路2、基波用的振荡电路10、以及谐波用的振荡电路20。
[第1晶体振荡器的各部]
具体说明第1晶体振荡器的各部。
晶体振子1的一端与开关电路2连接,另一端被接地,被施加电压而振荡。
开关电路2根据来自外部的控制信号切换为将晶体振子的一端连接到振荡电路10或者振荡电路20中的某一个。另外,开关电路2由二极管等构成。
具体而言,具备晶体振子1侧的端子2a、与振荡电路10连接的端子2b、以及与振荡电路20连接的端子2c,根据控制信号以如下方式进行切换动作:在基波振荡的情况下,将端子2a连接到端子2b,在谐波振荡的情况下,将端子2a连接到端子2c。
振荡电路10为了进行基波振荡,电阻、电容器的值被最佳化地设定。
振荡电路10是柯耳匹兹型的振荡电路,经由开关电路2输入晶体振子1的激励电流,该激励电流经由电容器C13提供到晶体管Tr11的基极,电源电压Vcc供给到晶体管Tr11的集电极,并且经由电阻R11供给到基极。另外,晶体管Tr11对输入到基极中的激励电流进行放大。
另外,对晶体管Tr11的集电极连接有电容器C14的一端,另一端被接地。
进而,对晶体管Tr11的基极,连接有串联连接的电容器C11和电容器C12,电容器C12的另一端被接地。
对晶体管Tr11的发射极,经由电阻R12接地。
另外,电容器C11与电容器C12之间的点和发射极连接,从设置在发射极的输出端子输出基波的振荡频率。
振荡电路20为了进行谐波振荡,电阻、电容器的值被最佳化地设定。
振荡电路20是柯耳匹兹型的振荡电路,经由开关电路2输入晶体振子1的激励电流,该激励电流经由电容器C23提供到晶体管Tr21的基极,电源电压Vcc供给到晶体管Tr21的集电极,并且经由电阻R21供给到基极。
另外,对晶体管Tr21的集电极连接有电容器C24的一端,另一端被接地。
进而,对晶体管Tr21的基极,连接有串联连接的电容器C21和电容器C22,电容器C22的另一端被接地。
对晶体管Tr21的发射极,经由电阻R22接地。
另外,电容器C21与电容器C22之间的点和发射极连接,从设置在发射极的输出端子输出谐波的振荡频率。
另外,权利要求中的开关电路相当于开关电路2,第1振荡电路相当于振荡电路10,第2振荡电路相当于振荡电路20。
[第1晶体振荡器的动作]
在第1晶体振荡器的动作中,如果从外部将选择基波振荡或者谐波振荡中的某一个的控制信号输出到开关电路2,则开关电路2将端子2a连接到端子2b或者端子2c。
在开关电路2中,如果进行了将端子2a连接到端子2b的动作,则从振荡电路10振荡出基波的频率,如果进行了将端子2a连接到端子2c的动作,则从振荡电路20振荡出谐波的频率。
另外,开关电路2中的控制开关的控制信号从控制电路等输出。
[第2晶体振荡器:图2]
参照图2,说明本发明的实施方式的第2基波/谐波晶体振荡器。图2是本发明的实施方式的电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
本发明的实施方式的第2基波/谐波晶体振荡器(第2晶体振荡器)如图2所示,是电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器,基本上具有晶体振子1、和振荡电路30。
[第2晶体振荡器的各部]
具体说明第2晶体振荡器的各部。
晶体振子1与图1中说明的晶体振子相同。
振荡电路30是柯耳匹兹型的振荡电路,晶体振子1的激励电流经由电容器C33提供到晶体管Tr31的基极,电源电压Vcc供给到晶体管Tr31的集电极,并且经由电阻R31供给到基极。另外,晶体管Tr31对输入到基极中的激励电流进行放大。
另外,对晶体管Tr31的集电极连接有电容器C34的一端,另一端被接地。
进而,对晶体管Tr31的基极,连接有串联连接的电容器Co和电容器C32,电容器C32的另一端被接地。
对晶体管Tr31的发射极,经由电阻R32接地。
另外,对晶体管Tr31的基极,连接有电容器Cf的一端,另一端与开关SW31的一端连接,开关SW31的另一端连接到电容器Co与电容器C32之间的点,进而电容器Co与电容器C32之间的点连接到发射极,从设置在发射极的输出端子输出基波/谐波的振荡频率。
开关SW31根据来自外部的切换信号进行接通/断开,在接通的状态下,成为对电容器Co和电容器Cf的并联连接,连接了电容器C32的状态,该连接状态成为对基波振荡最佳的电容器的电容。
另外,开关SW31在断开的状态下,成为电容器Co和电容器C32的串联连接状态,成为对谐波振荡最佳的电容器的电容。
因此,开关SW31在接通时进行基波振荡,在断开时进行谐波振荡。
另外,权利要求中的第1电容器相当于电容器Cf,第2电容器相当于电容器Co,第3电容器相当于电容器C32,第1电阻相当于电阻R32,第1开关相当于开关SW31。
[第2晶体振荡器的动作]
在第2晶体振荡器的动作中,在从外部将选择基波振荡或者谐波振荡中的某一个的切换信号输入到开关SW31时,如果该切换信号是选择基波振荡的信号,则开关SW31接通,在对电容器Co和电容器Cf的并联连接,连接了电容器C32的状态下,成为对基波振荡最佳的电容器的电容,从输出端子输出基波振荡的频率。
另外,如果切换信号是选择谐波振荡的信号,则开关SW31断开,在电容器Co和电容器C32的串联连接状态下,成为对谐波振荡最佳的电容器的电容,从输出端子输出谐波振荡的频率。
另外,对开关SW31的接通/断开进行控制的切换信号从控制电路等输出。
[第3晶体振荡器:图3]
参照图3,说明本发明的实施方式的第3基波/谐波晶体振荡器。图3是本发明的实施方式的另一电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
本发明的实施方式的第3基波/谐波晶体振荡器(第3晶体振荡器)如图3所示,是另一电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器,成为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)反相器的振荡器。
[第3晶体振荡器的具体结构]
具体说明第3晶体振荡器的结构。
第3晶体振荡器如图3所示,晶体振子X的一端与反相器IC5的输入侧(栅极)连接,进而,对晶体振子X的一端连接电容器C1的一端,其另一端被接地。反相器IC5的输出侧(漏极)与反相器IC6的输入侧(栅极)连接,反相器IC5与反相器IC6之间的点经由电阻R2连接到晶体振子X的另一端。
另外,反相器IC6的输出侧(漏极)与振荡频率的输出端子连接。
另外,反相器IC5的栅极和漏极经由电阻R1连接,在晶体振子X的另一端中,设置了开关SW32。
开关SW32根据切换信号,连接到基波振荡电容器Cf的一端、或者谐波振荡电容器Co的一端中的某一个。并且,电容器Cf和电容器Co的另一端分别被接地。
另外,权利要求中的第1反相器IC相当于反相器IC5,第2反相器IC相当于反相器IC6,第1电阻相当于电阻R1,第2电阻相当于电阻R2,第1电容器相当于电容器C1,开关相当于开关SW32,基波振荡电容器相当于基波振荡电容器Cf,谐波振荡电容器相当于谐波振荡电容器Co。
[第3晶体振荡器的动作]
说明第3晶体振荡器的动作。
第3晶体振荡器在进行基波振荡的情况下,切换信号以选择基波振荡电容器Cf的方式输出到开关SW32,开关SW32选择基波振荡电容器Cf,从而从反相器IC6的漏极输出基波振荡的频率。
另外,第3晶体振荡器在进行谐波振荡的情况下,切换信号以选择谐波振荡电容器Co的方式输出到开关SW32,开关SW32选择谐波振荡电容器Co,从而从反相器IC6的漏极输出谐波振荡的频率。
[第4晶体振荡器:图4]
参照图4,说明本发明的实施方式的第4基波/谐波晶体振荡器。图4是本发明的实施方式的电阻·电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
本发明的实施方式的第4基波/谐波晶体振荡器(第4晶体振荡器)如图4所示,是电阻·电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器,基本上具有晶体振子1、开关电路3、以及振荡电路40。
[第4晶体振荡器的各部]
具体说明第4晶体振荡器的各部。
晶体振子1与第1以及第2晶体振荡器中的晶体振子1相同。
开关电路3具有开关SW1和电阻R3,根据切换信号,开关SW1将来自晶体振子1的激励电流经由电阻R3、或者不经由电阻R3而输出到振荡电路40。
振荡电路40是柯耳匹兹型的振荡电路,晶体振子1的激励电流经由电容器C43提供到晶体管Tr41的基极,电源电压Vcc供给到晶体管Tr41的集电极,并且经由电阻R41供给到基极。另外,晶体管Tr41对输入到基极中的激励电流进行放大。
另外,对晶体管Tr41的集电极连接有电容器C44的一端,另一端被接地。
进而,对晶体管Tr41的基极,连接有串联连接的电容器Co和电容器C42,电容器C42的另一端被接地。
对晶体管Tr41的发射极,经由电阻R42接地。
另外,对晶体管Tr41的基极,连接有电容器Cf的一端,另一端与开关SW2的一端连接,开关SW2的另一端连接到电容器Co与电容器C42之间的点,进而电容器Co与电容器C42之间的点连接到发射极,从设置在发射极的输出端子输出基波/谐波的振荡频率。
开关SW2根据来自外部的切换信号进行接通/断开,在接通的状态下,成为对电容器Co和电容器Cf的并联连接,连接了电容器C42的状态,该连接状态成为对基波振荡最佳的电容器的电容。
另外,开关SW41在断开的状态下,成为电容器Co和电容器C42的串联连接状态,成为对谐波振荡最佳的电容器的电容。
因此,在开关SW41是接通时进行基波振荡,在断开时进行谐波振荡。
另外,权利要求中的开关电路相当于开关电路3,第2电阻相当于电阻R3,第2开关相当于开关SW1。
[第4晶体振荡器的动作]
在第4晶体振荡器的动作中,在选择基波振荡或者谐波振荡中的某一个的切换信号从外部输入到了开关SW1以及开关SW2时,如果该切换信号是选择基波振荡的信号,则开关SW1与电阻R3侧连接而激励电流经由电阻R3输出到振荡电路40,开关SW2接通,在对电容器Co和电容器Cf的并联连接,连接了电容器C42的状态下,成为对基波振荡最佳的电容器的电容,从输出端子输出基波振荡的频率。
另外,如果切换信号是选择谐波振荡的信号,则开关SW1将来自晶体振子1的激励电流直接输出到振荡电路40,开关SW2断开,在电容器Co和电容器C42的串联连接状态下,成为对谐波振荡最佳的电容器的电容,从输出端子输出谐波振荡的频率。
另外,指示开关SW1的切换的控制、开关SW2的接通/断开的控制的切换信号从控制电路等输出。
[第5晶体振荡器:图5]
参照图5,说明本发明的实施方式的第5基波/谐波晶体振荡器。图5是本发明的实施方式的另一电阻·电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器的电路图。
本发明的实施方式的第5基波/谐波晶体振荡器(第5晶体振荡器)如图5所示,是另一电阻·电容器切换型的基波/谐波晶体振荡器,成为CMOS反相器的振荡器。
[第5晶体振荡器的具体结构]
具体说明第5晶体振荡器的结构。
第5晶体振荡器如图5所示,晶体振子X的一端与谐波振荡电容器Co1的一端连接,并且与开关SW53连接,晶体振子X的另一端与谐波振荡电容器Co2的一端连接,并且与开关SW54连接,谐波振荡电容器Co1、Co2的另一端被接地。
对反相器IC5的输入侧(栅极)连接有开关SW51,反相器IC5的输出侧(漏极)与反相器IC6的输入侧(栅极)连接,反相器IC5与反相器IC6之间的点连接到开关SW52。
另外,反相器IC6的输出侧(漏极)与振荡频率的输出端子连接。
另外,反相器IC5的栅极和漏极经由电阻R1连接。
开关SW51根据切换信号,与基波振荡电阻Rf1的一端、或者谐波振荡电阻Ro1的一端中的某一个连接。另外,基波振荡电阻Rf1的另一端与基波振荡电容器Cf1的一端连接,该电容器Cf1的另一端被接地。另外,谐波振荡电阻Ro1的另一端与开关SW53连接。
开关SW52根据切换信号,与基波振荡电阻Rf2的一端、或者谐波振荡电阻Ro2的一端中的某一个连接。另外,基波振荡电阻Rf2的另一端与基波振荡电容器Cf2的一端连接,该电容器Cf2的另一端被接地。另外,谐波振荡电阻Ro2的另一端与开关SW54连接。
另外,开关SW53根据切换信号,连接到基波振荡电阻Rf1的另一端与基波振荡电容器Cf1的一端之间的点、或者谐波振荡电阻Ro1的另一端中的某一个。
另外,开关SW54根据切换信号,连接到基波振荡电阻Rf2的另一端与基波振荡电容器Cf2的一端之间的点、或者谐波振荡电阻Ro2的另一端中的某一个。
另外,在开关SW51与基波振荡电阻Rf1的一端连接,并且开关SW52与基波振荡电阻Rf2的一端连接时,开关SW53连接到基波振荡电阻Rf1的另一端与基波振荡电容器Cf1的一端之间的点,并且开关SW54连接到基波振荡电阻Rf2的另一端与基波振荡电容器Cf2的一端之间的点。
即,在进行基波振荡的情况下,成为谐波振荡电阻Ro1、Ro2被除去的结构。
另外,在开关SW51与谐波振荡电阻Ro1的一端连接,并且开关SW52与谐波振荡电阻Ro2的一端连接时,开关SW53与谐波振荡电阻Ro1的另一端连接,并且开关SW54与谐波振荡电阻Ro2的另一端连接。
即,在进行谐波振荡的情况下,成为基波振荡电阻Rf1、Rf2和基波振荡电容器Cf1、Cf2被除去的结构。
另外,权利要求中的第1反相器IC相当于反相器IC5,第2反相器IC相当于反相器IC6,第1电阻相当于电阻R1,第1基波振荡电阻相当于基波振荡电阻Rf1,第2基波振荡电阻相当于基波振荡电阻Rf2,第1谐波振荡电阻相当于谐波振荡电阻Ro1,第2谐波振荡电阻相当于谐波振荡电阻Ro2,第1基波振荡电容器相当于基波振荡电容器Cf1,第2基波振荡电容器相当于基波振荡电容器Cf2,第1谐波振荡电容器相当于谐波振荡电容器Co1,第2谐波振荡电容器相当于谐波振荡电容器Co2,第1开关相当于开关SW51,第2开关相当于开关SW52,第3开关相当于开关SW53,第4开关相当于开关SW54。
[第5晶体振荡器的动作]
说明第5晶体振荡器的动作。
第5晶体振荡器在进行基波振荡的情况下,切换信号以选择基波振荡电容器Cf1、Cf2的方式输出到开关SW51、SW52,开关SW51选择基波振荡电容器Cf1,开关SW52选择基波振荡电容器Cf2,从而基波振荡电阻Rf1和基波振荡电容器Cf1的串联电路连接到反相器IC5的栅极侧,基波振荡电阻Rf2和基波振荡电容器Cf2的串联电路连接到反相器IC5的漏极与反相器6的栅极之间的点。
进而,开关SW53使基波振荡电阻Rf1与基波振荡电容器Cf1之间的点连接到谐波振荡电容器Co1,并且连接到晶体振子X的一端。另外,开关SW54使基波振荡电阻Rf2与基波振荡电容器Cf2之间的点连接到谐波振荡电容器Co2,并且连接到晶体振子X的另一端。
通过以上的开关SW51~SW54的动作,从反相器IC6的漏极输出基波振荡的频率。
另外,第5晶体振荡器在进行谐波振荡的情况下,切换信号以选择谐波振荡电阻Ro1、Ro2的方式输出到开关SW51、SW52,开关SW51选择谐波振荡电阻Ro1,开关SW52选择谐波振荡电阻Ro2。
另外,切换信号以选择谐波振荡电阻Ro1、Ro2的方式输出到开关SW53、SW54,开关SW53选择谐波振荡电阻Ro1,开关SW54选择谐波振荡电阻Ro2。
由此,对反相器IC5的栅极串联连接谐波振荡电阻Ro1和谐波振荡电容器Co1,使谐波振荡电阻Ro1与谐波振荡电容器Co1之间的点连接到晶体振子X的一端。
另外,对反相器IC5的漏极与反相器IC6的栅极之间的点串联连接谐波振荡电阻Ro2和谐波振荡电容器Co2,使谐波振荡电阻Ro2与谐波振荡电容器Co2之间的点连接到晶体振子X的另一端。
通过以上的开关SW51~SW54的动作,从反相器IC6的漏极输出谐波振荡的频率。
[第6晶体振荡器:图6]
参照图6,说明本发明的实施方式的第6基波/谐波晶体振荡器。图6是本发明的实施方式的基波/谐波晶体同时振荡器的电路图。
本发明的实施方式的第6基波/谐波晶体振荡器(第6晶体振荡器)如图6所示,是基波/谐波晶体同时振荡器,基本上具有晶体振子1、双工器(频率分离器)4、振荡电路10、以及振荡电路20。
[第6晶体振荡器的各部]
具体说明第6晶体振荡器的各部。
另外,晶体振子1、振荡电路10以及振荡电路20与图1的第1晶体振荡器中的结构相同。
双工器(频率分离器)4输入并分支来自晶体振子1的激励电流,针对所分支出的一方的激励电流,使基波带通过(切断谐波带),输出到振荡电路10,针对所分支出的另一方的激励电流,使谐波带通过(切断基波带),输出到振荡电路20。
[双工器(频率分离器)4的具体结构]
双工器4具体而言,是组合了低通滤波器(LPF:Low Pass Filter)和高通滤波器(HPF:High Pass Filter)而得到的。
图6中示出的结构是一个例子,只要是LPF和HPF,则也可以是其他滤波器的结构。
作为双工器4中的LPF部分,具备串联连接的线圈L41和线圈L42,对线圈L41与线圈L42之间的点连接电容器C42的一端,另一端接地,对线圈L42的后级连接电容器C43的一端,另一端接地。
并且,线圈L42的后级与振荡电路10的输入连接。
作为双工器4中的HPF部分,具备串联连接的电容器C41和电容器C44,对电容器C41与电容器C44之间的点连接线圈L43的一端,另一端接地,对电容器C44的后级连接线圈L44的一端,另一端接地。
并且,电容器C44的后级与振荡电路20的输入连接。
另外,晶体振子1的一端连接到线圈L41与电容器C41之间的点。
另外,权利要求中的频率分离器相当于双工器4,第1振荡电路相当于振荡电路10,第2振荡电路相当于振荡电路20,第1滤波器相当于LPF,第2滤波器相当于HPF。
[第6晶体振荡器的动作]
如果晶体振子1的激励电流输入到双工器4,则第6晶体振荡器通过LPF部分切断谐波带而使基波带通过,输出到振荡电路10,通过HPF部分切断基波带而使谐波带通过,输出到振荡电路20。
在振荡电路10中,在基波下进行振荡,输出基波振荡的频率。
另外,在振荡电路20中,在谐波下进行振荡,输出谐波振荡的频率。
[实施方式的效果]
根据第1~6晶体振荡器,可以将振荡电路中的元件最佳化为基波用,并且可以将振荡电路中的元件最佳化为谐波用,所以具有可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化的效果。
另外,具有如下效果:在第1~5晶体振荡器中,可以实现最佳化的基波振荡或者谐波振荡,在第6晶体振荡器中,可以同时实现最佳化的基波振荡和谐波振荡。
本发明适用于可以通过1个晶体振子实现基波振荡和谐波振荡,并且可以使激励电流与基波振荡和谐波振荡对应地最佳化的基波/谐波晶体振荡器。
Claims (6)
1.一种基波/谐波晶体振荡器,其特征在于,具备:
晶体振子,能实现基波振荡或者谐波振荡;以及
振荡电路,对来自所述晶体振子的激励电流进行放大而输出振荡频率,
所述振荡电路具备对所述激励电流进行放大的晶体管,
一端与所述晶体管的输入所述激励电流的基极连接的第1电容器、和一端与所述基极连接的第2电容器并联地连接,所述第1电容器的另一端和所述第2电容器的另一端连接到所述晶体管的发射极,
一端与所述发射极连接的第3电容器、和一端与所述发射极连接的第1电阻并联地连接,所述第3电容器的另一端和所述第1电阻的另一端被接地,
设置第1开关,该第1开关根据所输入的信号,为了将所述第1电容器从电路切离而断开、或者为了将所述第1电容器连接到电路而接通,
所述第1开关以在基波下振荡的情况下接通,在谐波下振荡的情况下断开的方式动作。
2.根据权利要求1所述的基波/谐波晶体振荡器,其特征在于,
在晶体振子与振荡电路之间设置开关电路,
所述开关电路具备第2电阻和第2开关,
所述第2开关在基波下振荡的情况下,切换为将从所述晶体振子输入的激励电流经由所述第2电阻输出到所述振荡电路,在谐波下振荡的情况下,切换为将从所述晶体振子输入的激励电流不经由所述第2电阻而输出。
3.一种基波/谐波晶体同时振荡器,其特征在于,具备:
晶体振子,能实现基波振荡或者谐波振荡;
频率分离器,对来自所述晶体振子的激励电流进行分离;
第1振荡电路,对来自所述频率分离器的输出进行放大而输出基波的振荡频率;以及
第2振荡电路,对来自所述频率分离器的输出进行放大而输出谐波的振荡频率,
在所述第1振荡电路中,为了进行基波下的振荡,元件被进行了最佳化,
在所述第2振荡电路中,为了进行谐波下的振荡,元件被进行了最佳化,
所述频率分离器具有:
第1滤波器,输入来自所述晶体振子的激励电流,切断谐波带,使基波带通过而输出到所述第1振荡电路;以及
第2滤波器,输入来自所述晶体振子的激励电流,切断基波带,使谐波带通过而输出到所述第2振荡电路。
4.一种基波/谐波晶体振荡器,其特征在于,具备:
晶体振子,能实现基波振荡或者谐波振荡;
开关电路,对来自所述晶体振子的激励电流进行切换而输出;
第1振荡电路,对来自所述开关电路的输出进行放大而输出基波的振荡频率;以及
第2振荡电路,对来自所述开关电路的输出进行放大而输出谐波的振荡频率,
在所述第1振荡电路中,为了进行基波下的振荡,元件被进行了最佳化,
在所述第2振荡电路中,为了进行谐波下的振荡,元件被进行了最佳化,
所述开关电路在基波下振荡的情况下,切换为将从所述晶体振子输入的激励电流输出到所述第1振荡电路,在谐波下振荡的情况下,切换为将从所述晶体振子输入的激励电流输出到所述第2振荡电路。
5.一种基波/谐波晶体振荡器,其特征在于,
第1反相器IC和第2反相器IC串联地连接,
所述第1反相器IC的输入侧和输出侧经由第1电阻连接,
对所述第1反相器IC的输入侧连接有晶体振子的一端,所述第1反相器IC的输出侧经由第2电阻连接有所述晶体振子的另一端,
对所述晶体振子的一端连接有第1电容器的一端,所述第1电容器的另一端被接地,
对所述晶体振子的另一端连接有开关,该开关将连接切换到基波振荡电容器或者谐波振荡电容器,
对所述开关连接有所述基波振荡电容器的一端,所述基波振荡电容器的另一端被接地,
对所述开关连接有所述谐波振荡电容器的一端,所述谐波振荡电容器的另一端被接地,
所述开关在基波下振荡的情况下,切换为将所述晶体振子的另一端连接到所述基波振荡电容器,在谐波下振荡的情况下,切换为将所述晶体振子的另一端连接到所述谐波振荡电容器。
6.一种基波/谐波晶体振荡器,其特征在于,
第1反相器IC和第2反相器IC串联地连接,
所述第1反相器IC的输入侧和输出侧经由第1电阻连接,
对所述第1反相器IC的输入侧连接有第1开关,
对所述第1反相器IC的输出侧连接有第2开关,
对晶体振子的一端连接有第3开关,并且连接有第1谐波振荡电容器的一端,所述第1谐波振荡电容器的另一端被接地,
对所述晶体振子的另一端连接有第4开关,并且连接有第2谐波振荡电容器的一端,所述第2谐波振荡电容器的另一端被接地,
所述第1开关将所述第1反相器IC的输入侧连接到第1基波振荡电阻的一端、或者第1谐波振荡电阻的一端中的某一个,
所述第1基波振荡电阻的另一端与第1基波振荡电容器的一端连接,所述第1基波振荡电容器的另一端被接地,
所述第2开关将所述第1反相器IC的输出侧连接到第2基波振荡电阻的一端、或者第2谐波振荡电阻的一端中的某一个,
所述第2基波振荡电阻的另一端与第2基波振荡电容器的一端连接,所述第2基波振荡电容器的另一端被接地,
所述第3开关将所述晶体振子的一端连接到所述第1基波振荡电阻的另一端与所述第1基波振荡电容器的一端之间的点、或者所述第1谐波振荡电阻的另一端中的某一个,
所述第4开关将所述晶体振子的另一端连接到所述第2基波振荡电阻的另一端与所述第2基波振荡电容器的一端之间的点、或者所述第2谐波振荡电阻的另一端中的某一个,
在基波下振荡的情况下,所述第1开关切换为将所述第1反相器IC的输入侧连接到所述第1基波振荡电阻的一端,所述第2开关切换为将所述第1反相器IC的输出侧连接到所述第2基波振荡电阻的一端,所述第3开关切换为将所述晶体振子的一端连接到所述第1基波振荡电阻的另一端与所述第1基波振荡电容器的一端之间的点,所述第4开关切换为将所述晶体振子的另一端连接到所述第2基波振荡电阻的另一端与所述第2基波振荡电容器的一端之间的点,
在谐波下振荡的情况下,所述第1开关切换为将所述第1反相器IC的输入侧连接到所述第1谐波振荡电阻的一端,所述第2开关切换为将所述第1反相器IC的输出侧连接到所述第2谐波振荡电阻的一端,所述第3开关切换为将所述晶体振子的一端连接到所述第1谐波振荡电阻的另一端,所述第4开关切换为将所述晶体振子的另一端连接到所述第2谐波振荡电阻的另一端。
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