CN102162945B - 液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种液晶显示面板，其中设置为彼此面对的成对的基板的周边通过密封材料以给定的距离彼此贴合，液晶注入口形成在密封材料的一部分中，并且液晶密封在彼此成对的基板之间限定的内部空间中，液晶显示面板包括形成在成对的基板之一的内部空间侧的树脂膜以及形成在树脂膜的表面侧的无机绝缘膜。液晶面板中形成有不存在无机绝缘膜的区域。

Description

液晶显示面板
技术领域
本发明涉及具有液晶注入口的液晶显示面板，更具体地，涉及在完成树脂膜的形成后形成低温绝缘膜的液晶显示面板。
背景技术
液晶显示面板与阴极射线管(CRT)相比具有诸如重量轻、厚度薄和功耗低的特点，因此液晶显示面板用作很多电子设备中的显示面板。液晶显示面板是这样的，在预定方向上排列的液晶分子的取向通过施加电场而改变，从而改变透射通过液晶层的光量，由此在液晶显示面板上显示图像。关于这样的液晶显示面板，存在反射型、透射型以及包括反射型和透射型的半透射型的液晶显示面板。在此情况下，在反射型液晶显示面板中，外部光入射到液晶层并由反射板反射以再次透射通过液晶层而被发射。另外，在透射型液晶显示面板中，从背光单元照射的入射光透射通过液晶层。
已知的用于给液晶显示面板的液晶层施加电场的方法中有纵向电场系统和横向电场系统。关于采用纵向电场系统的液晶显示面板，大约指向纵向方向的电场通过成对的电极施加给液晶分子，该成对的电极设置为在该成对的电极之间夹持液晶层。已知具有扭曲向列(TN)模式的液晶显示面板、具有垂直取向(VA)模式的液晶显示面板、具有多域垂直取向(MVA)模式的液晶显示面板等为采用纵向电场系统的液晶显示面板。关于采用横向电场系统的液晶显示面板，成对的电极提供在成对的基板之一的内表面侧，该成对的基板设置为在该成对的基板之间夹持液晶层，且该成对的电极彼此绝缘。另外，大约指向横向方向的电场施加给液晶分子。已知具有在平面图中成对的电极不重叠的平面内转换(ISP)模式的液晶显示面板以及具有在平面图中成对的电极重叠的边缘场转换(FFS)模式的液晶显示面板为采用横向电场系统的液晶显示面板。
对于上述液晶面板，在具有IPS模式的液晶显示面板中，由像素电极和公共电极组成的成对的电极形成梳齿形状，从而该成对的电极彼此啮合，并且该成对的电极彼此电绝缘。另外，横向电场通过像素电极和公共电极来施加。具有IPS模式的液晶显示面板的优点是，其视角宽于具有纵向电场的液晶显示面板的视角。
在具有FFS模式的液晶显示面板中，成对的电极由公共电极和像素电极组成。另外，成对的公共电极和像素电极隔着绝缘膜分别设置在不同的层中。狭缝状开口形成在液晶层侧的公共电极或者像素电极中，并且大约指向横向方向并且穿过该狭缝状开口的电场被施加给液晶层。具有FFS模式的液晶显示面板近来已经用在很多情况下，这是因为具有FFS模式的液晶显示面板具有可获得宽视角以及可以改善图像对比度的效果。
关于具有FFS模式的液晶显示面板，已知日本特开2009-036800号公报(专利文件1)中所公开的液晶显示面板，其中如图2所示像素电极大约形成在与用作开关元件的薄膜晶体管(TFT)相同的层面上。另外，已知日本特开2009-047839(专利文件2)中公开的液晶面板，其中如图2所示公共电极和像素电极均设置在TFT的上面。
在它们当中，在公共电极和像素电极均设置在TFT上面的具有FFS模式的液晶面板中，TFT等的表面覆盖有由丙烯酸树脂等制作的层间膜。由透明导电材料制作的下电极形成在层间膜的表面上。另外，上电极隔着无机绝缘膜形成在下电极上。下电极可以用作像素电极和公共电极中任一者。层间膜平坦了由TFT等引起的不规则形状，并且上电极和下电极可以形成在TFT的上面，这使得开口率增加。
发明内容
然而，在公共电极和像素电极均设置在TFT上面的具有FFS模式的液晶面板中，某些情况下在显示区域内产生微小的亮点缺陷。对产生微小亮点缺陷的原因的研究结果发现：微小亮点缺陷的产生是由于位于显示区域内的外来物质的存在。如图10所示，显示区域12分成九个区域(a)至(i)，长度方向上三个×宽度方向上三个，并且对外来物质的分布进行了研究。结果发现最靠近液晶注入口14的区域(b)具有最大数量的外来物质，并且区域(a)至(c)以及(e)的每一个都具有第二大数量的外来物质。因此，区域(a)至(c)以及(e)具有外来物质的数量的比率等于或大于80％。由该研究结果可见，认为几乎所有的外来物质都从液晶注入口14侵入。另外，对外来物质的样本进行能量色散X射线光谱分析(EDS)，结果证明很多外来物质是作为用于无机绝缘膜的材料的氮化硅。
如日本特开2008-068623(专利文件3)所公开的，液晶注入口部采用划线系统(scribe system)在切割工艺中形成。另外，由丙烯酸树脂等制作的层间膜耐热性弱。因此，层间膜上由氮化硅或氧化硅制作的无机绝缘膜形成在低于通常的形成温度的温度下。因此，该无机绝缘膜也称为“低温绝缘膜”。关于上述微小亮点缺陷的原因，可以想到因为无机绝缘膜形成在低温下，所以层间膜和无机绝缘膜之间的粘合强度下降，无机绝缘膜在采用划线系统执行切割液晶注入口部的阶段中被剥离，并且无机绝缘膜的碎片与液晶一起从液晶注入口侵入显示区域中。
为了解决上述问题而进行本发明，因此所希望的是提供这样的液晶面板，其中几乎不产生形成在层间膜上的无机绝缘膜的碎片，从而减少了微小亮点缺陷的产生。
为了达到上述目标，根据本发明的实施例，提供一种液晶显示面板，其中彼此面对设置的成对的基板的周边以彼此间给定的距离由密封材料贴合，液晶注入口形成在密封材料的一部分中，并且液晶密封在彼此成对的基板之间限定的内部空间中。在此情况下，树脂膜形成在该成对的基板之一的内部空间侧，并且无机绝缘膜形成在树脂膜的表面侧；而且，在液晶面板中形成不存在无机绝缘膜的区域。
为了防止引起树脂膜的热退化和特性改变的目的，当无机绝缘膜形成在树脂膜的表面侧时，无机绝缘膜在低于无机绝缘膜的通常的形成条件的温度形成。因此，在树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜具有在树脂膜或其他绝缘膜与该无机绝缘膜之间差的粘合性。因此，如果与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜存在于液晶注入口侧，则在在切割工艺中每个液晶显示面板与母基板分开后，在注入液晶时无机绝缘膜的碎片与液晶一起进入显示区域。结果，增加了产生微小亮点缺陷的可能性。
然而，根据本发明实施例的液晶显示面板，形成了不存在与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜的区域。结果，几乎不产生微小亮点缺陷，这是因为在注入液晶的阶段中与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜的碎片几乎不侵入显示区域侧。
优选地，不存在无机绝缘膜的区域是对应于液晶注入口的端部。
在本发明实施例的液晶显示面板中，不存在无机绝缘膜的区域形成在液晶显示面板的对应于液晶注入口的端部。因此，无机绝缘膜的碎片几乎不侵入作为无机绝缘膜的碎片侵入最多的区域的最靠近液晶注入口的区域。结果，该区域中几乎不产生微小亮点缺陷。
优选地，不存在无机绝缘膜的区域形成在涵盖从液晶注入口的端部起预定的给定宽度的宽度上。
研磨用于从母基板切割液晶显示面板区域的凹槽的轮式切割机的位置偏移例如控制为最大至120μm。在本发明实施例的液晶显示面板中，没有形成与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜的区域的宽度设定为大于距液晶注入口侧的边的预定的给定宽度。例如，设定为大于作为轮式切割机的位置偏移公差的最大值的120μm。结果，在每个液晶显示面板从母基板切割时，即使轮式切割机的位置偏移变为120μm，也能防止产生无机绝缘膜的碎片，这是因为轮式切割机不会接触无机绝缘膜。
优选地，树脂膜没有形成在液晶显示面板的液晶注入口侧的边中。
在树脂膜没有形成在液晶显示面板的对应于液晶注入口侧的边中的情况下，即使在与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜形成在该部分中时，对于该部分的无机绝缘膜的粘合性也更好于有树脂膜的情况。因此，根据本发明实施例的液晶显示面板，满意地提供了上述效果。
另外，优选地，从液晶注入口侧的边起，没有形成树脂膜的部分的宽度宽于不存在无机绝缘膜的区域的宽度。
在从液晶注入口侧的边起没有形成树脂膜的部分的宽度制作为宽于不存在无机绝缘膜区域的宽度的情况下，当与树脂膜的表面侧形成的无机绝缘膜相同的无机绝缘膜形成在该部分中时，无机绝缘膜与树脂膜之外的部分接触。对于树脂膜之外的部分，无机绝缘膜具有更好的粘合性。因此，当使没有形成树脂膜的部分的宽度例如比不存在无机膜的区域的宽度宽80μm时，即使轮式切割机的位置偏移达到120μm，也几乎不产生无机绝缘膜的碎片，这是因为轮式切割机几乎不接触树脂膜上的无机绝缘膜。应当注意的是，在本发明实施例的液晶显示面板中，当没有形成树脂膜的部分的宽度制作为较大时，几乎不产生无机绝缘膜的碎片。然而，当没有形成树脂膜的部分的宽度制作为过大时，树脂膜的形成区域变窄。因此，没有形成树脂膜的部分的宽度应根据试验设定为适当值。
另外，优选地，下电极、无机绝缘膜和上电极依次形成在液晶显示面板中的所述树脂膜上，并且液晶显示面板以FFS模式运行。
结果，本发明可以应用于具有FFS模式的液晶显示面板，其中液晶显示面板具有树脂膜且开口率大。
附图说明
图1是示出通过切割获得根据本发明实施例的液晶显示面板前母基板的阵列基板概要的俯视平面图；
图2是示出根据本发明第一实施例的液晶显示面板的一个子像素的俯视平面图；
图3是沿着图2的III-III线剖取的截面图；
图4是沿着图1的IV-IV线剖取的截面图；
图5A、5B和5C分别是示出第一实施例的液晶显示面板中阵列基板的第一变型的截面图、第一实施例的液晶显示面板中阵列基板的第二变型的截面图以及第一实施例的液晶显示面板中阵列基板的第三变型的截面图；
图6是示出根据本发明第二实施例的液晶显示面板的一个子像素的俯视平面图；
图7是沿着图6的VII-VII线剖取的截面图；
图8是沿着图1的IV-IV线剖取的第二实施例的液晶显示面板中的一部分的截面图；
图9A和9B分别是示出第二实施例的液晶显示面板中阵列基板的第一变型的截面图以及第二实施例的液晶显示面板中阵列基板的第二变型的截面图；以及
图10是示出现有技术的液晶显示面板中外来物质分布的俯视平面图。
具体实施方式
在下文，将参考附图详细描述本发明的优选实施例。然而，下面描述的实施例不意味着本发明限于这里所描述的内容，因此本发明同样可应用于在不脱离权利要求所揭示的技术构思的情况下所进行的各种变化。应当注意的是，这里所述的阵列基板和滤色器基板的每一个中的“表面”是指形成有各种配线的表面或者面对液晶侧的表面。另外，在本说明书所用的说明书附图中，为了使绘制的层和构件具有在图上可识别的尺寸的目的，层和构件分别以不同的比例绘制，因此没有必要与它们的实际尺寸成比例地绘制。
第一实施例
现在，将参考图1至4描述根据本发明第一实施例的液晶显示面板的主要部分的结构。第一实施例的液晶显示面板采用低温多晶硅(LTPS)TFT以FFS模式运行。如图1所示，长度方向上两个×宽度方向上两个的四个液晶显示面板形成区域11形成在母基板10中。尽管实际上同时形成大量的液晶显示面板形成区域11，但是这里以易于理解的方式示出了四个液晶显示面板形成区域11。
在母基板10的四个液晶显示面板形成区域11的每一个中，液晶注入口14由密封材料13形成，密封材料13被涂敷为围绕显示区域12。另外，阵列基板AR和滤色器基板CF(参考图3)彼此接合，由此在阵列基板AR和滤色器基板CF之间限定空间。专利文件3所示的轮式切割机沿着图1所示的划线SC移动以形成凹槽，并且给母基板10施加应力，由此将母基板10切割成四个液晶显示面板11A。
如图3和4所示，在液晶面板11A中，液晶层LC夹设在阵列基板AR和滤色器基板CF之间。在由母基板10切割而成的液晶面板11A中，液晶从液晶注入口14注入该空间，然后液晶注入口14由密封材料密封。应当注意的是，尽管省略了图示，但是使液晶层LC保持具有预定厚度的柱状间隔物形成在滤色器基板CF或阵列基板AR上。
另外，液晶面板11A具有多个像素，该多个像素沿行方向和列方向设置在显示区域12中。一个像素例如由用于显示红(R)、绿(G)和蓝(B)三原色的三个子像素组成。另外，相应的一个像素的颜色分别根据R、G和B光的混合颜色决定。如图2所示，阵列基板AR中的子像素16包括扫描线17、信号线18和薄膜晶体管TFT。在此情况下，扫描线17由不透明的金属制造，例如铝或钼，并且沿X轴方向延伸。信号线18由不透明的金属制造，例如铝或钼，并且沿Y轴方向延伸。另外，薄膜晶体管TFT设置在扫描线17和信号线18之间的交叉点附近。
阵列基板AR具有第一透明基板19作为基底，该第一透明基板19由玻璃、石英或塑料等制造、为透明的且具有绝缘性。缓冲膜20层叠在第一透明基板19的表面上。由低温多晶硅制造的半导体层21形成在缓冲膜20的表面上，且在平面中为U字形状。例如，由氮化硅或氧化硅等制造的透明栅极绝缘膜22层叠来覆盖半导体层21和缓冲膜20。扫描线17形成在栅极绝缘膜22的表面上，且在平面中与半导体层21的U字形状的两个臂的每一个成直角交叉。扫描线17的与半导体层21重叠的两个部分成为栅极电极G。
由氮化硅或者氧化硅等制造的层间绝缘膜23形成来覆盖扫描线17和栅极绝缘膜22。例如，由诸如铝或钼的金属制造的信号线18沿图2的Y轴方向(列方向)形成在层间绝缘膜23的表面上。源极电极S从信号线18延伸。源极电极S通过用于源极电极S的接触孔24电连接到半导体层21的U字形状的两个臂之一，该接触孔24完全延伸通过层间绝缘膜23和栅极绝缘膜22。
另外，例如由诸如铝或钼的金属制造的漏极电极D形成在层间绝缘膜23的表面上。漏极电极D通过用于漏极电极D的接触孔25电连接到半导体层21的U字形状的两个臂的另一个，该接触孔25完全延伸通过层间绝缘膜23和栅极绝缘膜22。例如由氮化硅或氧化硅等制造的钝化膜26形成来覆盖全部的信号线18、源极电极S和漏极电极D。用作开关元件的薄膜晶体管TFT由栅极电极G、栅极绝缘膜22、半导体层21、源极电极S和漏极电极D构成。另外，薄膜晶体管TFT形成在各子像素11中。
由扫描线17和信号线18区划的多个区域分别成为子像素区域。用于显示R、G和B的三个子像素11组成基本上为正方形形状的一个像素(未示出)。因此，将一个像素三等分而获得的每个子像素11都具有矩形形状，其中扫描线17侧是短边，信号线18侧是长边。
另外，例如由诸如丙烯酸树脂或光致抗蚀剂的透明树脂材料制成的层间树脂膜27层叠来覆盖钝化膜26。另外，由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制造的下电极28形成来覆盖层间树脂膜27。像素电极的接触孔29形成为完全延伸通过层间树脂膜27和钝化膜26以到达漏极电极D。下电极28和漏极电极D通过像素电极的接触孔29彼此电连接。因此，下电极28用作像素电极。
例如，由氮化硅或氧化硅等制造的透明无机绝缘膜30层叠来覆盖下电极28。透明无机绝缘膜30以低于栅极绝缘膜22和层间绝缘膜23的每一个的温度沉积，这是因为层间树脂膜27耐热性弱。于是，在下面的描述中，为了使透明无机绝缘膜30区别于栅极绝缘膜22和层间绝缘膜23中每一个，透明无机绝缘膜30将称为“低温无机绝缘膜”。
另外，由诸如ITO或IZO的透明导电材料制造的上电极31形成来覆盖低温无机绝缘膜30。上电极31连接到显示区域12的周边部分中的公共配线(未示出)，因此用作公共电极。
如图2所示，多个狭缝状开口32形成在上电极31中。在采用光刻法将涂敷在上电极31的表面上的光致抗蚀剂材料曝光并显影后，采用得到的光致抗蚀剂材料作为蚀刻掩模进行选择性蚀刻，由此在上电极31中形成这些狭缝状开口32。尽管省略了图示，但是例如由聚酰亚胺制造的第一取向膜层叠来覆盖上电极31和狭缝状开口32的内侧。对第一取向膜进行液晶方向取向处理，即在图2的Y轴方向上(在基本上平行于信号线18的延伸方向的方向上)的摩擦处理。
每一个都沿信号线18的延伸方向延伸的多个V形狭缝状开口32以相等的间隔形成在上电极31中。因为子像素16在垂直方向上长，所以当狭缝状开口32制作为横向延伸时，狭缝状开口32的两端部数目增加。狭缝状开口32的端部是液晶分子不规则取向的区域。于是，在第一实施例的液晶显示面板10A中，如图2所示，狭缝状开口32的延伸方向设定为Y轴方向，从而减少狭缝状开口32的端部的数目，并且减少了开口率的降低。
V形狭缝状开口32的延伸方向相对于摩擦方向倾斜约+5°和约-5°。当所有的狭缝状开口32相对于摩擦方向在顺时针方向或逆时针方向上倾斜时，出现颜色根据视角方向而改变的现象，这是因为液晶分子在一个方向上被扭曲。这其中的原因是因为表观延迟(apparent retardation)根据液晶分子被观察的方向而变化。为了减少由于延迟的变化而引起的这种现象，在第一实施例的液晶显示面板11A中，提供狭缝状开口32的延伸方向相对于顺时针方向倾斜约+5°的域以及狭缝状开口32的延伸方向相对于顺时针方向倾斜约-5°的域。
滤色器基板CF具有由玻璃、石英或塑料等制造的第二透明基板33作为基底，该第二透明基板33是透明的且具有绝缘性。在第二透明基板33的最下层(这里是指在制造滤色器基板或阵列基板的工艺中首先形成在透明基板上的层)且在面对扫描线17、信号线18和薄膜晶体管TFT的位置形成具有遮光性的遮光层34。另外，分别透射不同颜色(R、G和B或者无色)光的滤色器层35分别形成在三个子像素16中。
另外，例如由诸如光致抗蚀剂的透明树脂材料制造的外覆层36层叠来覆盖遮光层34和滤色器层35。形成子像素16的外覆层36的目的是平坦化分别由不同颜色的滤色器层35引起的台阶部分，并且阻挡杂质从遮光层34或从滤色器层35泄出，从而这样的杂质不会进入液晶层LC。另外，尽管省略了图示，但是例如由聚酰亚胺制造的第二取向膜形成来覆盖外覆层36。对第二取向膜进行摩擦处理，其方向与第一取向膜的方向相反。
对于上述结构，当子像素16中的薄膜晶体管TFT导通时，在下电极28和上电极31之间产生电场，因此改变了液晶层LC的液晶分子的取向。结果，改变了液晶层LC的光透射性，因此液晶显示面板11A在其上以FFS模式显示图像。另外，下电极28和上电极31隔着低温无机绝缘膜30彼此面对的区域形成辅助电容器。这样形成的辅助电容器在薄膜晶体管TFT截止时及截止后将下电极28和上电极31之间产生的电场再保持预定的时间段。
接下来，将描述不存在低温无机绝缘膜30的区域37。如上所述，在完成层间树脂膜27的层叠后，层叠低温无机绝缘膜30，因为低温无机绝缘膜30粘合性弱，所以在切割阶段中产生低温无机绝缘膜30的碎片且这些碎片与液晶一起从液晶注入口14侵入显示区域12的可能性变得很高。为了应对这一情形，在第一实施例的液晶显示面板11A中，如图1所示，不存在低温无机绝缘膜30的区域37提供在液晶注入口14的部分划线SC中。液晶注入口14的划线SC对应于本发明的液晶注入口侧的边。结果，因为粘合性弱的低温无机绝缘膜30没有形成在液晶注入口14的部分中，所以防止低温无机绝缘膜30的碎片从液晶注入口14侵入显示区域12侧。通过上述结构，变得能够减少微小亮点缺陷的发生。
应当注意的是，在液晶注入口14部分的阵列基板AR中，如图4所示，上述子像素16的具有绝缘性的每个膜，即缓冲膜20、栅极绝缘膜22、层间绝缘膜23、钝化膜26、层间树脂膜27和低温无机绝缘膜30，依次层叠在第一透明基板19的表面上。不存在低温无机绝缘膜30的区域37在图1的Y轴方向上涵盖了液晶注入口14的宽度W，且在图1的X轴方向上也位于如图4所示的距划线SC为距离L1处。
在此情况下，距离L1设定为等于或大于约120μm。用于研磨切割用的凹槽的轮式切割机的位置偏移可最大至120μm。于是，不存在低温无机绝缘膜30的区域(去除区域)37提供为位于距划线SC 120μm或更大的距离处，从而，即使在轮式切割机偏移最大至120μm时，也可防止低温无机绝缘膜30的碎片产生。另外，因为低温无机绝缘膜30可防止杂质从低温无机绝缘膜30下面的层间树脂膜27泄出，所以超过必要的范围去除低温无机绝缘膜30不是优选的。因此，在液晶显示面板11A具有液晶注入口14的特定边的两端的划线SC中以及其它三个边的划线SC中没有去除低温无机绝缘膜30。
应当注意的是，在液晶注入口14部分的滤色器基板CF中，如图4所示，因为遮光层34和外覆层36依次形成在第二透明基板33的表面上，而没有层叠低温无机绝缘膜30，所以在滤色器基板CF中没有低温无机绝缘膜30的去除区域。
第一实施例的变型
图5A是示出第一实施例的第一变型的截面图。在第一实施例的第一变型中，钝化膜26从第一实施例的液晶显示面板11A的阵列基板AR去除。因为，在上述第一实施例的液晶显示面板11A中，层间树脂膜27和低温无机绝缘膜30都形成在薄膜晶体管TFT的上面，所以，即使在去除钝化膜26时，也没有对薄膜晶体管TFT产生坏的影响。在第一实施例的液晶显示面板11A中，钝化膜26可以以上述方式去除，因此本发明也可以应用于以这样更少的工艺制造的液晶显示面板的情况。
图5B是示出第一实施例的第二变型的截面图。在第一实施例的第二变型中，层间树脂膜27在距划线SC的距离L2范围内从第一实施例中的阵列基板AR去除。因为低温无机绝缘膜30对于层间树脂膜27粘合性弱，在划线SC中不形成层间树脂膜27，从而可以防止低温无机绝缘膜30在切割阶段中因为给层间树脂膜27施加应力而被剥离。另外，尽管低温无机绝缘膜30对层间树脂膜27的粘合性弱，但是低温无机绝缘膜30对钝化膜26的粘合性强，这是因为低温无机绝缘膜30由与钝化膜26的材料具有相同成分的材料制造。因此，低温无机绝缘膜30的端部粘合到钝化膜26，从而低温无机绝缘膜30的端部可几乎不剥离。
这里，优选L2＞L1，且(L2-L1)等于或大于约80μm。当(L2-L1)较大时，甚至在任何切割阶段中的任何时间轮式切割机偏移时，轮式切割机和层间树脂膜27上的低温无机绝缘膜30也几乎不彼此接触，并且低温无机绝缘膜30的粘合到层间树脂膜27的端部也几乎不剥离。然而，当距离L2太大时，层间树脂膜27的形成区域变窄。应当注意的是，图5C是示出第一实施例的第三变型的截面图，在第一实施例的第三变型中，第一实施例的第二变型应用于第一实施例的第一变型。
第二实施例
尽管第一实施例的液晶显示面板11A中的薄膜晶体管TFT是低温多晶硅(LTPS)型，但是在第二实施例的液晶面板11B中，薄膜晶体管TFT是非晶硅(a-Si)型。在下文，将参考图6至8详细描述第二实施例的液晶显示面板11B的阵列基板AR。应当注意的是，在图6至图8中，与图2至图4所示第一实施例的液晶显示面板11A的阵列基板AR具有相同结构的构成元件分别分配相同的附图标记用于描述。
在第二实施例的液晶面板11B中，扫描线17形成在阵列基板AR的第一透明基板19的表面上。栅极电极G从扫描线17延伸。由氮化硅或氧化硅等制造的透明栅极绝缘膜22层叠来覆盖扫描线17和栅极电极G。另外，由a-Si制造的半导体层21形成在栅极绝缘膜22的表面上且在平面图中与栅极电极G重叠。另外，每个都由诸如铝或钼的金属制造的多个信号线18形成在栅极绝缘膜20的表面上。源极电极S从这些信号线18的每一个延伸。源极电极S部分地接触半导体层21的表面。
另外，漏极电极D形成在栅极绝缘膜22的表面上，该漏极电极D由与信号线18和源极电极S中每一个相同的材料制造，且与信号线18和源极电极S中每一个同时形成，并且漏极电极D设置为靠近源极电极S，以部分地接触半导体膜21的表面。用作开关元件的薄膜晶体管TFT由栅极电极G、栅极绝缘膜22、半导体层21、源极电极S和漏极电极D组成。薄膜晶体管TFT形成在各子像素16中。
另外，例如由氮化硅或氧化硅等制造的透明钝化膜26层叠来覆盖信号线18、薄膜晶体管TFT和栅极绝缘膜22的暴露部分。另外，例如由诸如光致抗蚀剂的透明树脂材料制造的层间树脂膜27层叠来覆盖钝化膜26。另外，由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制造的下电极28形成来覆盖层间树脂膜27。用于像素电极的接触孔29形成为完全延伸通过层间树脂膜27和钝化膜26以到达漏极电极D。下电极28和漏极电极D通过用于像素电极的接触孔29彼此电连接。因此，下电极28用作像素电极。
例如由氮化硅或氧化硅等制造的透明低温无机绝缘膜30层叠来覆盖下电极28。另外，由诸如ITO或IZO的透明导电材料制造的上电极31形成来覆盖低温无机绝缘膜30。上电极31连接到显示区域12的周边部分中的公共配线(未示出)，因此用作公共电极。如图2所示，多个狭缝状开口32形成在上电极31中。尽管省略了图示，但是由聚酰亚胺制造的第一取向膜层叠来覆盖上电极31。对第一取向膜进行沿图2的Y轴方向(沿基本上平行于信号线18的延伸方向的方向)的液晶方向取向处理，即摩擦处理。
接下来，将描述没有低温无机绝缘膜30的区域37。与第一实施例的液晶显示面板11A的情况类似，第二实施例的液晶显示面板11B也具有没有低温无机绝缘膜30的区域37，这是因为与第一实施例的液晶显示面板11A的情况类似，存在完成层间树脂膜27的层叠后层叠的低温无机绝缘膜30。在液晶注入口14部分的阵列基板AR中，如图8所示，上述子像素16的具有绝缘性的每个膜，即栅极绝缘膜22、钝化膜26、层间树脂膜27和低温无机绝缘膜30，依次层叠在第一透明基板19的表面上。另外，与第一实施例的第二变型的情况一样，低温无机绝缘膜30在距划线SC的距离L1范围内被去除，并且层间树脂膜27在距划线SC的距离L2范围内被去除。结果，在第二实施例的液晶显示面板11B中，与第一实施例的液晶显示面板11A的情况类似，可以减少微小亮点缺陷的发生。
第二实施例的变型
图9A是示出第二实施例的第一变型的截面图。在第二实施例的第一变型中，钝化膜26从第二实施例的液晶显示面板11B的如图8所示的阵列基板AR中被去除。因为在上述的第二实施例的液晶显示面板11B中，层间树脂膜27和低温无机绝缘膜30形成在薄膜晶体管TFT的上面，所以即使在去除钝化膜26时，也没有对薄膜晶体管TFT施加坏的影响。因此，在第二实施例的液晶显示面板11B中，钝化膜26可以以上述方式去除，因此本发明也可以应用于以如此更少的工艺制造的液晶显示面板的情况。
图9B是示出第二实施例的第二变型的截面图。在第二实施例的第二变型中，层间树脂膜27从第二实施例的如图8所示的阵列基板AR被去除。即使在层叠于子像素16上的层间树脂膜27以这样的方式没有层叠在液晶注入口上时，也可以减少微小亮点缺陷的产生，这是因为低温无机绝缘膜30对栅极绝缘膜22的粘合性高于低温无机绝缘膜30对层间树脂膜27的粘合性。
应当注意的是，在上述实施例的液晶显示面板的每一个中，相对于上电极用作公共电极且下电极用作像素电极的情况进行了描述。然而，本发明也可以应用于上电极用作像素电极且下电极用作公共电极的情况。另外，尽管在上述实施例的每一个中，层间树脂膜平坦化薄膜晶体管等的不规则之处，并且低温无机绝缘膜是设置在下电极和上电极之间的绝缘膜，但是对于这些应用，本发明并不意味着限于层间树脂膜和低温无机绝缘膜，因此本发明可以应用于具有在完成树脂膜的形成后以低温形成的低温树脂膜的液晶显示面板。
本申请包含2010年2月22日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2010-035758中公开的相关主题，其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是，在权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。

Claims (5)

1.一种液晶显示面板，在所述液晶显示面板中彼此面对设置的成对的基板的周边通过密封材料以给定的距离彼此贴合，液晶注入口形成在所述密封材料的一部分中，并且液晶密封在彼此成对的所述基板之间限定的内部空间中，所述液晶显示面板包括：
形成在成对的所述基板之一的内部空间侧的树脂膜以及形成在所述树脂膜的表面侧的无机绝缘膜；
其中在所述液晶面板的对应于所述液晶注入口的端部中形成不存在所述无机绝缘膜的区域。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中不存在所述无机绝缘膜的所述区域形成在涵盖从所述液晶注入口的所述端部起预定的给定宽度的宽度上。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中所述树脂膜没有形成在所述液晶显示面板的液晶注入口侧的边中。
4.根据权利要求3所述的液晶显示面板，其中从所述液晶注入口侧的所述边起，没有形成所述树脂膜的部分的宽度宽于所述不存在所述无机绝缘膜的区域的宽度。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中下电极、所述无机绝缘膜和上电极依次形成在所述树脂膜上。
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