CN103576365B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示装置，其具有壁结构体，可以抑制低温冲击气泡的发生。另外，还可以防止制造时基板内部的电极等的损伤。该液晶显示装置具有：第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板、设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层（6）、形成在所述第一基板上的壁结构体（4）、设置在壁结构体（4）的至少侧面的像素电极（8）、以及形成在所述第一基板上的共通电极（5），还具备包含像素电极（8）和共通电极（5）的多个像素（10），其中，在所述第二基板的表面局部地设置有高度高的部分，通过使该高度高的部分与壁结构体（4）接触，使得所述第一基板和所述第二基板接触。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及一种以横电场方式进行驱动的液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示装置中，在形成有像素电极以及薄膜晶体管（TFT）的TFT基板和形成有滤色片等的对向基板之间填充液晶，通过利用电场对该液晶的分子进行驱动、控制来形成图像。其中，近年大多使用被称为横电场方式（IPS方式）驱动的液晶显示装置。

IPS方式是将液晶分子在面板面上水平地取向，并施加与面板面平行的电场（横电场）而使液晶分子在与面板面水平的面内旋转的液晶的驱动方式。该IPS方式的液晶显示装置，在形成有图像信号线（漏极线）、扫描信号线（栅极线）以及薄膜晶体管、像素电极等的第一基板侧还形成有共通电极，并利用施加在像素电极和共通电极上的电压差产生的第一基板的面内方向的电场来驱动液晶层。在由该结构形成的IPS方式的液晶显示装置中，例如构成为，在由透明导电膜形成的面状的共通电极的上层经由绝缘膜重叠线状的像素电极而配置。

即使在该IPS方式中，为了进一步提高液晶显示部的开口率，近年来大多使用如下的方式，即、以跨越液晶显示装置的邻接像素的形式形成有壁结构体，并在该壁结构体的侧壁上形成像素电极，进一步在相对的TFT基板和对向基板上分别形成共通电极和对向电极，并在基板面上产生平行的电场来驱动液晶层的方式。

另外，液晶显示装置中的TFT基板与对向基板间的间隔为非常小的数微米程度，适当地设定TFT基板与对向基板间的间隔，对于控制液晶的光的透射是极其重要的。由此，提案有使上述壁结构体兼备作为保持TFT基板与对向基板间的间隔的间隔体的功能。

但是，在制造液晶显示装置时，必须要在基板间填充液晶并进行密封。从而作为近年来大多使用的液晶的填充方法有被称为液晶下滴注入法（ODF方式）的方法，该方法首先在一基板上滴下所需量的液晶，然后将另一基板进行密封从而填充液晶。

根据ODF方式，与现有的液晶注入法相比具有不需要大型的制造设备，还可缩短制造所需时间，并且使液晶的大量生产变得容易等特点，但是对于液晶的下滴以及上述保持基板间的间隔则被要求具有非常高的精度。

当将该ODF方式适用于上述使壁结构体具备间隔功能的液晶显示装置时，则会有低温冲击气泡发生的可能性。低温冲击气泡是指，在对封入有液晶的液晶面板等通过外力等施加冲击时，在液晶层中产生负压，液晶层中溶入的氮等气体成分溶出而产生的真空气泡中，尤其是在-20℃左右的低温环境下所产生的气泡。

由于该低温冲击气泡很难再溶解，且不容易消灭，因此成为发生显示不均等的最大原因。低温冲击气泡易在基板与间隔的接触部发生，另外，通过实验可以确认，抑制发生低温冲击气泡的性能和间隔与基板的接触面积成反比例。

采用了壁结构体的IPS方式的液晶显示装置中成为发生低温冲击气泡问题的理由是，由于壁结构体的高度一定且在像素的长边上全部形成，即成为仅将主间隔体以高密度进行了配置的状态，而没有配置高度比主间隔体稍低的辅助间隔体的空间。即，因为与配置辅助间隔体的情况相比，基板与间隔体之间的接触面积增加了。

另外，将壁结构体与间隔体兼用的情况下使用上述ODF方式制造液晶显示装置时，由于使壁结构体直接承受贴合基板时的压力，因此，可能会对作为电极的ITO以及层间绝缘膜或者壁结构体自身产生损害。

在JP2005-157224A中公开了如下的技术，即、在VA方式的液晶显示装置中，在基板间配置壁结构体等支承体并规定液晶层厚度的技术。另外，在JP2009-145865A以及JP2010-210866A中也公开了利用间隔体来保持基板间的厚度的技术。但是，这些技术中的任意一种技术对于抑制IPS方式的低温冲击气泡或者防止壁结构体等的损伤都不充分。

发明内容

本发明鉴于上述问题而研发，其要解决的课题是对于具有壁结构体的液晶显示装置，可抑制低温冲击气泡的发生。另外，进一步追加的课题是对于具有壁结构体的液晶显示装置，可防止制造时基板内部的电极等的损伤。

为了解决上述课题，本发明的液晶显示装置具有下述的技术特征。

（1）具有：第一基板；与所述第一基板相对设置的第二基板；设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；形成在所述第一基板上的壁结构体；设置在所述壁结构体的至少侧面的像素电极；形成在所述第一基板上的共通电极，还具备包含所述像素电极和所述共通电极的多个像素，在所述第二基板的表面局部地设置有高度高的部分，通过使所述高度高的部分与所述壁结构体接触，使得所述第一基板和所述第二基板接触。

（2）在上述（1）中，所述高度高的部分为局部地形成在所述第二基板上的间隔膜。

（3）在上述（1）中，所述高度高的部分通过将形成在所述第二基板上的邻接的滤色膜的端部重合而形成。

（4）在上述（1）至（3）的任意一项中，所述壁结构体具有与所述像素的开口部不邻接的突出部，所述高度高的部分在所述突出部与所述壁结构体接触。

（5）在上述（4）中，在所述突出部的侧面没有形成所述像素电极以及所述共通电极。

（6）在上述（5）中，在所述突出部的侧面没有形成间隔所述像素电极和所述共通电极的绝缘膜。

（7）在上述（1）至（6）的任意一项中，所述像素的数量和所述高度高的部分与所述壁结构体接触部分的数量不同。

（8）在上述（4）至（6）的任意一项中，所述突出部的宽度方向的中心位置与所述间隔膜的宽度方向的中心位置错开进行设置。

（9）在上述（1）至（8）的任意一项中，所述像素为在其长度方向的中央附近弯曲的形状。

根据本发明的上述各技术特征，在具有壁结构体的液晶显示装置中，可以抑制低温冲击气泡的发生。另外，在具有壁结构体的液晶显示装置中，能够防止制造时基板内部的电极等损伤。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置中的像素构成的剖面图。

图2是示意性地表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置中的像素构成的平面图。

图3是表示图2的Ⅲ-Ⅲ线的剖面图。

图4是表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置的变形例的剖面图。

图5是表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置的又一变形例的剖面图。

图6是示意性地表示邻接的3个像素的构成的平面图。

图7是示意性地表示邻接的3个像素的构成的平面图。

图8是表示将突出部的宽度方向的中心位置和间隔膜的宽度方向的中心位置错开的实施例的剖面图。

图9是示意性地表示本发明的第二实施方式的液晶显示装置中的像素构成的平面图。

符号说明

1CF基板、2TFT基板、3支承体、4壁结构体、5共通电极、6液晶层、7绝缘膜、8像素电极、10像素、11邻接像素、12副壁结构体、13绝缘膜、14漏极信号线、15通孔、18开口部、19突出部、20间隔膜

具体实施方式

下面，参照图1至图8对本发明的第一实施方式的液晶显示装置100进行详细地说明。

图1是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置100中的像素构成的剖面图，图2是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置中的像素构成的平面图。

如图1所示，液晶显示装置100是层叠了作为第一基板的TFT基板2、与TFT基板2相对设置的作为第二基板的滤色器（CF）基板1、以及设于TFT基板2与CF基板1之间的液晶层6的结构。在TFT基板2上形成有壁结构体4、高度比壁结构体4稍低的副壁结构体12，并具有至少设于壁结构体4的侧面的作为第一电极的像素电极8、以及形成在TFT基板2上并至少覆盖副壁结构体12的共通电极5。在本实施方式中，像素电极8以覆盖壁结构体4的侧面以及壁结构体4和副壁结构体12之间的区域的方式进行设置，图示的截面构造为大致L字状。因此，副壁结构体12在俯视时没有被像素电极8覆盖。在本实施方式中，共通电极5以覆盖TFT基板2整个面的方式进行设置，但只要是覆盖副壁结构体12的形式即可。即，在俯视时，在配置副壁结构体12的区域共通电极5没有被像素电极8覆盖。像素电极8和共通电极5之间由绝缘膜13间隔开。另外，在壁结构体4与副壁结构体12之间的区域以覆盖像素电极8的方式来设置绝缘膜7。绝缘膜7也可以覆盖副壁结构体12。另外，该图中省略了取向膜的图示。

CF基板1具有红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器，从背面灯（未图示）进行照射，实现对透过液晶层6的光赋予色彩的作用。另外，如后叙的在CF基板上的划分像素间的位置上形成有黑色矩阵层BM，还包含对向电极9和保护层OC。

如上所述，液晶显示装置100成为，在相互相对的CF基板1与TFT基板2之间设置规定的间隙，并通过在该间隙中填满液晶来形成液晶层6的结构。并且，液晶层6通过配置在像素电极8和副壁结构体12上的共通电极间产生的电场来驱动。即，由相邻的壁结构体4夹持，且通过被赋予共通电位的像素电极8和共通电极5使液晶驱动的区域成为一个像素10。图1表示了液晶显示装置100的一个像素的截面。

其中，壁结构体4被配置在由黑色矩阵层BM遮光的遮光区域上，另外，在壁结构体4的下部配置有漏极信号线14。另外，在TFT基板2上，除了漏极信号线14之外，还阵列状地配置有未图示的施加扫描信号的栅极信号线，由一组栅极信号线以及漏极信号线14形成矩形的像素10。在TFT基板2上，另外还配置有TFT等开关元件等其他电路元件，但在图1所示的界面中没有体现。

作为CF基板1以及TFT基板2的原材料，例如通常有玻璃基板，但也可以是具有绝缘性的透明树脂基板。另外，像素电极8以及共通电极5例如使用ITO（Indium-Tin-Oxide）等透明导电材料并通过溅射法来形成电极膜，再通过光刻法进行选择蚀刻等的方法形成。另外，除了ITO之外例如还可以使用InZnO（Indium-Zinc-Oxide）等各种金属氧化物材料。壁结构体4以及副壁结构体12例如使用感光性树脂材料并通过已知的光刻法等形成。

另外，壁结构体4形成在划分像素10和邻接像素11的边界的遮光区域或者形成在不是液晶显示装置100的有效显示区域的显示部的周边电路区域。在此，遮光区域是指形成在CF基板1上且不参与显示而进行遮光的区域，在本实施方式中，形成由感光性树脂等形成的黑色矩阵层BM作为遮光区域。除了黑色矩阵层BM之外，例如也可以通过使TFT以及栅极信号线、漏极信号线14等具有遮光能力来形成遮光区域。另外，如上所述为了对液晶层6施加均匀的横电场，至少在壁结构体4的侧面形成有像素电极8，但优选不要形成在壁结构体4的上部。是为了避免发生与邻接像素11的显示电极8的短路。因此，在形成像素电极8时，适当地使用掩模或者可以在壁结构体4的上部预先形成剥离用膜并在电极膜形成之后将其去除。绝缘膜7是用于防止在共通电极5和像素电极8之间、或者上述电极与其他电路元件之间产生不必要的短路而设置的，利用SiN等材料并通过公知的CVD法等而形成。

通过上述构成，在像素电极8的尤其是在壁结构体4的侧面形成的部分和覆盖副壁结构体12的共通电极5的部分之间，产生对应于施加在像素电极8上的电压的强度的并具有与CF基板1以及TFT基板2平行的方向成分的电场，通过该电场使液晶层6中的液晶的分子的取向方向在水平面内进行旋转而被驱动。如上所述的液晶显示装置通常被称为IPS方式或者横电场方式，并被公认为是可以进行宽视角显示的装置。另外，本实施方式的液晶显示装置100进行通常黑色的显示，即在未对液晶层6施加电场时使的光透射率为最小（黑色显示），通过施加电场来增加光的透射率。

图2是示意性地表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置100中的像素构成的平面图。如该图所示，像素10为大概矩形，虽未图示但由栅极信号线和漏极信号线包围的区域形成。其中，该图表示的是形成在TFT基板2上的构造，并省略了绝缘膜7、13的图示。

而且，在本实施方式中，壁结构体4以夹持像素的形式连续地形成在像素的左右两端侧。另外，像素10的开口部18，即占据像素10的发光部调整来自背光灯的光线的透射率而透过的区域，是被形成在壁结构体4的侧面的像素电极8夹持并在与覆盖副壁结构体12的共通电极之间形成横电场的区域，如图中虚线所示。为了避免因来自背光灯的光线的泄漏引起的对比度以及色纯度的下降，将像素10中的开口部18以外部分的非开口部作为上述遮光区域。壁结构体4的一部分成为从与开口部17邻接的区域突出的突出部19。即，突出部19的侧面位于非开口部。另外，通孔15是将像素电极8和TFT的漏极电极（或者源电极）连接的结构。另外，之前所示图1是表示图2的Ⅰ—Ⅰ线的剖面图。

图3是表示图2的Ⅲ-Ⅲ线的剖面图。如该图所示，在壁结构体4的突出部19的正上方，在CF基板1的保护层OC的更上一层形成有间隔膜20，正由于间隔膜20的厚度的高度，CF基板1的表面局部变高。另外，壁结构体4在突出部19处与形成在CF基板1上的间隔膜20的表面接触，由此来限定CF基板1与TFT基板2之间的间隙的宽度。即，壁结构体4的突出部19以外的大半部分不与CF基板1接触，正由于间隔膜20的厚度部分，其隔开有间隙。

根据该结构，通过突出部19和间隔膜20在俯视时重合的微小范围的接触，来限定CF基板1和TFT基板2间的距离，剩余下的大半范围则允许有向表面的法线方向的挠曲。由此，即使在由于低温而使液晶层6的体积产生收缩的情况下，也可以利用CF基板1的挠曲将该体积变化吸收，从而使液晶层6不会成为明显的减压环境，从而，可以防止低温冲击气泡的发生。

间隔膜20的原材料，在本实施方式中采用的是聚酰亚胺等的有机树脂膜。对于相关原材料，由于间隔膜20产生微小弹性变形，因此，在利用ODF方式的液晶显示装置100的制造中粘合CF基板1和TFT基板2时，具有防止壁结构体4因局部作用大的应力而产生破损的效果。但是，间隔膜20的原材料并不局限于有机树脂膜。另外，代替间隔膜20，也可以将相互邻接的色彩不同的滤色层CF(因此，通过其他工艺制造)的端部进行重合来在CF基板1的表面上局部地形成高度高的部分。该情况下，具有不需要单独再制造间隔膜20的工艺的优点。

图4是表示本实施方式的液晶显示装置100的变形例的剖面图。其中，该图是对应图3的附图，与图3同样是表示图2的Ⅲ-Ⅲ线的剖面图。本变形例中，在突出部19的侧面以及顶面没有形成像素电极8以及共通电极5。其理由如下。即，当使用ODF方式制造液晶显示装置100时，粘合CF基板1和TFT基板2时的压力集中到与CF基板1和TFT基板2接触的壁结构体4的突出部19处，该压力作为将壁结构体4向垂直方向压缩的力而作用。此时，对形成在壁结构体4侧面的膜也作用有朝向膜的面内方向的压缩力，因此，当该膜是与壁结构体4的粘合力较弱，或者是不易产生弹性变形而表现出脆性等抗变形弱的膜时，则可能存在该膜发生破损而从壁结构体4剥离，并作为异物混入液晶层6中的问题。另外，在本实施方式中，如之前说明的像素电极8以及共通电极5是ITO等的金属氧化物，由于抗变形弱，因此，没有预先在突出部19的侧面形成。

图5是表示本实施方式的液晶显示装置100的又一变形例的剖面图。该图也是对应图3的附图，与图3同样是表示图2的Ⅲ-Ⅲ线的剖面图。本变形例中，像素电极8、共通电极5、再加上作为SiN等无机膜的绝缘膜13都没有形成在突出部19的侧面，在利用ODF方式制造时，防止上述这些膜的破损以及剥离。

但是，在上述的说明中，对按照每一个像素一个位置的比例来设置突出部19与间隔膜20接触部分的结构进行了说明。但是并不局限于此，也可以按照对多个像素一个位置的比例等，突出部19与间隔膜20接触部分的数量和配置不必与像素形成一对一的关系，例如也可以相对于多个像素设置一个壁结构体4的局部的高度高的部分。

图6以及图7是示意性地表示连接的3个像素的构成的平面图。图6所示的示例中，对邻接的3个像素分别以一个的比例来设置突出部19。另外一方面，设于CF基板1的间隔膜20仅设置在图中阴影线所示的部分，因此，成为相对3个像素以一个位置的比例使突出部19和间隔膜20接触。另一方面，在图7所示的示例中，相邻的3个像素中仅在1个像素上设置了突出部19，因此，成为相对3个像素以一个位置的比例使突出部19和间隔膜20接触。其中，图7中所示的间隔膜20为向像素的短边方向延伸的带状的平面形状，但只要是形成在与突出部19对应的位置任何形状都可以，例如图6所示的形状也没有问题。

突出部19和间隔膜20接触部分的个数以及配置是任意的，但是该部分配置的个数越多、越密集则CF基板1和TFT基板2之间的间隙就不会产生变动，则发生低温冲击气泡的可能性就变大。另一方面，如果该部分的个数越少、越稀疏地进行配置，则CF基板1（或者TFT基板2）就容易挠曲，液晶层6的厚度就容易发生变化，因此，所显示的图像发生不均匀的可能性就变大。因此，突出部19和间隔膜20接触部分的个数以及配置应对应所要制造的产品选择最适宜的方案。另外，关于配置而言，突出部19和间隔膜20接触部分可以规则地进行配置（例如，格子状配置），也可以不规则地进行配置。

但是，以上对根据突出部19和间隔膜20接触部分的个数以及配置密度，低温冲击气泡的发生可能性以及图像不均匀的发生可能性会产生变化进行了描述。更准确地说，如果突出部19和间隔膜20接触部分（无论规则还是不规则）在图像显示区域（图像形成的区域）内均等地进行配置，则根据图像显示区域内的CF基板1和TFT基板2接触部分（其相当于突出部19和间隔膜20接触部分）的面积的大小，低温冲击气泡的发生可能性以及图像不均匀的发生可能性会产生变化。

另外，本实施方式中，突出部19以及间隔膜20的形成方法没有特别的限定，但通常使用光刻法来形成上述部分比较合理。另外，当通过光刻法作成微细构造时，根据其分解能力，可形成的微细构造存在最少限度。因此，如图3所示在将间隔膜20配置在突出部19的正上方的结构中，突出部19和间隔膜20的接触面积存在无法再小的最低值。

于是，如图8所示，通过将突出部19的宽度方向的中心位置B与间隔膜20的宽度方向的中心位置C错开，使突出部19的顶面和间隔膜20在偏离的位置接触，由此，可以将突出部19和间隔膜20的接触面积调整到比图3所示的结构更小。

接着，说明本发明的第二实施方式。图9是示意性地表示本发明的第二实施方式的液晶显示装置200的像素构成的平面图。该图与之前的第一实施方式100的图2相对应。另外，液晶显示装置200中除了像素10整体为平面形状该点不同之外，其他均与第一实施方式的液晶显示装置100相同，因此，对共通的部分赋予相同的符号，并省略重复的说明。

如该图所示，液晶显示装置200中的像素10在其长度方向的中央附近弯曲，并以相对于像素10的长度方向的配置方向（图中上下方向）使壁结构体4以及副壁结构体12所成角度为互相相反的方式而具有区域D1以及区域D2。因此，形成在壁结构体4的侧面的像素电极8以及覆盖副壁结构体12的共通电极5的部分，也是在区域D1以及区域D2以相互相反的角度进行配置。另外，虚线所示的开口部18的形状也和像素10整体的形状相同，为在其长度方向的中央附近弯曲的形状。

图示的结构作为所谓的多畴构造而被人们熟知，通过将在区域D1和区域D2上产生的电场设为反向对称，来用于将各个区域的液晶的旋转角度变成互相反向对称的结构。由此，将从特定方向观察液晶显示装置100时发生的非意图着色在区域D1和区域D2中相互抵消，则可进行宽视角的高品质的图像显示。

（实施例）

上述第一实施方式中，使用图7以及图8所示的结构试做了各种各样的液晶显示装置100。此时，在将CF基板1和TFT基板2之间的接触面积率，以CF基板1和TFT基板2接触部分的面积（即，突出部19和间隔膜20接触部分的面积）相对于图像显示区域的面积的比例进行定义时，使接触面积率在0.005%～0.76%范围内变化，另外，使间隔膜20的厚度在0.2μm～0.7μm间变化。另外，对上述试做的各个液晶显示装置100，为了评价其相对于低温冲击气泡发生的耐性，而实施了下面的低温冲击气泡试验。另外，为了评价CF基板1和TFT基板2的间隙的大小的维持性能，而实施了下面的反复按压试验。

（低温冲击气泡试验）

将液晶显示装置100在-20℃下保持24小时之后，在-20℃的环境下将直径11mm的钢球从10cm的距离自由落下冲击液晶显示装置100，通过目视来评价低温冲击气泡发生的有无。

（反复按压试验）

对液晶显示装置100的表面的直径10mm的范围，将105N的负荷以200N/s的速度反复施加负荷5次，通过目视来评价卸载1分钟后的压痕产生的有无。

表1表示了上述试做的各个液晶显示装置100的接触面积率和间隔膜的膜厚、低温冲击气泡试验以及反复按压试验的结果。各个结果中，OK表示没有观察到低温冲击气泡或者压痕的发生，NG表示观察到低温冲击气泡或者压痕的发生。其中，序号10所示的试做例是没有形成间隔膜20的结构，其壁结构体4的顶面整体与CF基板1接触。

表1

从上述结果可以看出，接触面积率为0.076%时会发生低温冲击气泡，然而接触面积率为0.411%时则没有发生（试做序号8和9比较）。另外，当接触面积率低于0.050%时则会发生压痕（试做序号3和4比较）。进一步，当间隔膜20的膜厚高于0.7μm以上时则会发生压痕（根据试做序号2和3）。另外，本试做中，将间隔膜20的膜厚的最小值设为0.2μm，也并没有发现有问题（根据试做序号6以及8）。

根据上述结果得知，大致接触面积率优选在0.05%以上且0.41%以下，另外，间隔膜20的膜厚优选在0.2μm且以上0.6μm以下。

以上，对本发明的各种实施方式进行了叙述，但是，本发明并不限于上述实施方式，在不超出本发明请求的技术范围的精神的前提下，可以对本发明进行各种各样的修改。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，具有：

第一基板；

与所述第一基板相对设置的第二基板；

设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；

壁结构体，在所述第一基板形成有多条漏极信号线和栅极信号线，所述壁结构体沿着像素的长边方向形成在所述漏极信号线上，以夹持像素的形式连续地形成在像素的两端侧；

设置在所述壁结构体的至少侧面的像素电极；

形成在所述第一基板上的共通电极；

还具备包含所述像素电极和所述共通电极的多个像素，

在所述第一基板上，在所述壁结构体之间的区域层叠有共通电极、绝缘膜及像素电极，

在所述第二基板的表面局部地设置有间隔膜，通过使所述间隔膜与所述壁结构体的局部接触，使得所述第一基板和所述第二基板接触，

与所述间隔膜不接触的位置的所述壁结构体与所述第二基板之间形成有间隙。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述间隔膜通过将形成在所述第二基板上的邻接的滤色膜的端部重合而形成。

3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述壁结构体在所述漏极信号线上具有突出部，所述间隔膜在所述突出部与所述壁结构体接触。

4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述突出部的侧面没有形成所述像素电极以及所述共通电极。

5.如权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述突出部的侧面没有形成间隔所述像素电极和所述共通电极的绝缘膜。

6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素的数量和所述间隔膜与所述壁结构体接触的部分的数量不同。

7.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述突出部的宽度方向的中心位置与所述间隔膜的宽度方向的中心位置错开设置。

8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素为在其长度方向的中央附近弯曲的形状。

9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，将第一基板和第二基板接触的部分的面积相对于图像显示区域的面积的比例作为所述间隔膜与所述壁结构体的接触面积率，所述间隔膜与所述壁结构体的接触面积率在0.05％以上且0.41％以下。

10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述间隔膜的膜厚在0.2μm以上且0.6μm以下。