CN103488003B - 一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置，用以提供一种亚像素区域光线透过率较高的液晶面板和显示装置。所述阵列基板包括：基板，位于所述基板上的亚像素，所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，还包括位于第一电极和第二电极之间用于绝缘第一电极和第二电极的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。

Description

一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
液晶显示器按照显示模式可以分为：扭曲向列（Twisted Nematic，TN）型，平面转换（In Plane Switching，IPS）型和高级超维场开关（AdvancedSuperDimension Switch，ADS）型。其中，ADS模式液晶显示器通过液晶显示器中同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与不同层设置的面状公共电极层间产生的电场形成多维电场，该电场为水平电场，该水平电场使液晶盒内狭缝电极间、狭缝电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
现有ADS模式液晶面板，在亚像素区域周围的非显示区域不可避免地设置各种电极结构，例如设置有栅线或数据线等结构，由于像素电极和公共电极位于不同层，二者之间形成的电场受亚像素周围电极结构的影响，尤其是受栅线、数据线等上方分布的绝缘层的影响，使得电场具有一定衰减，另外，由于亚像素显示区域的面积有限，公共电极的为平面状结构，公共电极和像素电极之间的电场强度不够理想，尤其是公共电极边缘与像素电极之间的电场强度较小，影响亚像素区域光线的穿透率，不利于实现高透过率、广视角的液晶面板和显示装置。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、液晶面板及显示装置，用以提供一种亚像素区域光线透过率较高的液晶面板和显示装置。
为实现上述目的，本发明实施例提供的阵列基板，包括：基板，位于所述基板上的亚像素，所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；
其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。
较佳地，还包括位于所述基板与所述第二电极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有沿第一方向延伸的凹槽区域，所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状。
较佳地，所述基板具有沿第一方向延伸的凹槽区域，所述第二电极依照所述基板的形状设置于其上形成凹槽状。
较佳地，所述凹槽区域沿与所述第一方向垂直的第二方向的纵截面为倒立的梯形状。
较佳地，所述凹槽状第二电极的至少一个侧表面与所述基板之间的夹角非0°且非90°。
较佳地，所述凹槽状第二电极的两个侧表面，所述凹槽状第二电极的至少一个侧表面与所述基板之间的夹角为30°～75°
较佳地，所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于除所述凹槽区域之外的区域的厚度。
较佳地，所述第一电极由一个或多个沿第一方向延伸的子电极组成，所述第一电极距离所述凹槽状第二电极的两个侧表面的最短距离为1～4.5um。
较佳地，还包括：位于各亚像素周围沿第一方向分布的多条栅线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条数据线，所述第二绝缘层位于所述栅线上；或者还包括：
位于各亚像素周围沿第一方向分布的多条数据线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条栅线，所述第二绝缘层位于所述数据线上。
较佳地，所述第二绝缘层为透明树脂或黑色遮光树脂。
本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。
较佳地，在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为：
在所述基板上形成一层设定厚度的绝缘层，采用构图工艺在该绝缘层的预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域，具有凹槽区域的绝缘层为第二绝缘层；
在形成有所述第二绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第二绝缘层上的第二电极图形，所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状；
在形成有所述第二电极的基板上形成一层绝缘层，该绝缘层为用于绝缘所述第二电极和待形成的第一电极的第一绝缘层；
在形成有所述第一绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第一绝缘层上方的第一电极图形。
较佳地，所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于第二绝缘层中除所述凹槽区域之外的区域的厚度。
较佳地，在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为：
通过构图工艺在所述基板上的预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域；
在形成有凹槽区域的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述基板上的第二电极图形，所述第二电极依照所述基板的形状设置于其上形成凹槽状；
在形成有所述第二电极的基板上形成一层绝缘层，该绝缘层为用于绝缘所述第二电极和待形成的第一电极的第一绝缘层；
通过镀膜工艺在形成有所述第一绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第一绝缘层上方的第一电极图形。
本发明实施例提供的一种液晶面板，包括上述任一方式的阵列基板。
本发明实施例提供的一种显示装置，包括所述液晶面板。
综上所述，本发明实施例提供一种阵列基板，亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，还包括位于第一电极和第二电极之间用于绝缘第一电极和第二电极的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。第一电极和第二电极之间的面积增加，二者之间形成的电场强度更大，尤其是亚像素区域的边缘形成的电场强度更大，提高了亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场，提高了亚像素区域光线的透过率。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的阵列基板结构示意图之一；
图2为本发明实施例一提供的阵列基板结构示意图之二；
图3为本发明实施例一提供的阵列基板结构示意图之三；
图4为本发明实施例一提供的阵列基板结构示意图之四；
图5为本发明实施例二提供的阵列基板结构示意图；
图6为本发明实施例提供的阵列基板制作方法流程图之一；
图7为本发明实施例提供的阵列基板制作方法流程图之二。
具体实施方式
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置，用以提供一种亚像素区域光线透过率较高的液晶面板和显示装置，以及提供一种制作工艺较简单的阵列基板的制作方法。
本发明实施例提供一种改进的ADS显示模式的阵列基板和液晶面板。所述阵列基板包括基板，位于所述基板上的亚像素，所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，还包括位于第一电极和第二电极之间用于绝缘第一电极和第二电极的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面，像素电极和公共电极的表面积增加，像素电极和公共电极之间形成的电场强度更大，亚像素区域（如红色、绿色或蓝色亚像素区域等）的边缘形成的电场强度更大，提高了亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场，提高了亚像素区域光线的透过率。
优选地，像素电极和公共电极叠层设置。本发明其中一种实施方式为像素电极和公共电极均为曲面状；另两种实施方式为像素电极和公共电极其中之一为曲面状；上述实施方式均可以提高亚像素区域光线的透过率。
更优选地，位于基板上距离基板较近的像素电极（或公共电极）为曲面状，位于基板上距离基板较远的公共电极（或像素电极）为平面状，像素电极和公共电极之间形成的电场强度更大，亚像素区域的边缘形成的电场强度更大，提高了亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场，提高了亚像素区域光线的透过率。
曲面状的像素电极（或公共电极）可以有多种实现方式，较佳地，像素电极或公共电极设置为凹槽状，凹槽状的电极结构包括侧表面和底面，曲面状电极结构相比较平面状电极结构可以增加像素电极或公共电极的电极，增加像素电极和公共电极之间的电场强度，尤其增加像素电极边缘电场强度，提高亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场。当然，曲面状的像素电极或公共电极不限于为凹槽状结构，也可以为其他任何凹凸不平状结构。
需要说明的是，本发明实施例附图中的各功能膜层的厚度不代表真实的厚度，各膜层之间的相对厚度也不代表真实的相对厚度，本发明实施例提供的附图仅用于示意性地说明本发明。
以下将结合附图具体说明本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置。
本发明以凹槽状第二电极为例说明，形成凹槽状第二电极至少有以下两种实施方式：方式一：在表面平整的基板上设置第二绝缘层，对第二绝缘层进行构图工艺形成具有凹槽区域的绝缘层，第二电极依照第二绝缘层置于其上形成对应的凹槽状第二电极；该实施方式的优点在于第二绝缘层的刻蚀条件较简单，实现工艺难度较小。方式二：直接在基板上制作凹槽状区域，第二电极依照基板的形状置于其上形成对应的凹槽状第二电极，该实施方式的优点在于无需第二绝缘层，直接在基板上制作凹槽区域，阵列基板的厚度相对较薄。
本发明实施例提供的基板为衬底基板。衬底基板可以选用玻璃基板或柔性基板等。
本发明将以包括一个亚像素（如红色、绿色或蓝色亚像素区域等）的阵列基板局部示意图为例说明，即在阵列基板中仅体现一个亚像素区域的膜层结构。以下将通过附图分别具体说明包括上述两种方式形成的第二电极的阵列基板。
实施例一：
参见图1，为本发明实施例提供的阵列基板的截面示意图，包括：
基板1；
位于基板1上的多个亚像素，所述亚像素的区域设置有第一电极11、第二电极12、第一绝缘层13和第二绝缘层14；
第二绝缘层14位于基板1上；
第二电极12位于第二绝缘层14上；
第一绝缘层13位于第二电极12上；
第一电极11位于第一绝缘层13上；
其中，第二绝缘层14具有沿第一方向（如图1垂直于纸面的方向）延伸的凹槽区域，第二电极12依照第二绝缘层14的形状设置于其上形成表面为曲面的第二电极12，该第二电极12的形状为凹槽状。
凹槽状的第二电极12位于凹槽状第二绝缘层的凹槽的底部和凹槽的侧表面。
第一电极11和第二电极12其中之一为公共电极，另一为像素电极；公共电极（或像素电极）为凹槽状的电极结构，像素电极（或公共电极）位于凹槽状的电极上方，凹槽状的公共电极（或像素电极）的横向宽度一定时，表面积增加，公共电极和像素电极之间的电场强度增加，尤其是位于亚像素区域边缘的电场强度增加，提高了亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场，从而提高了亚像素区域光线的穿透率，最终提高了图像的显示品质。
所述第一电极可以为类似于第二电极的凹槽状结构，也可以为水平状电极结构，这里不做限制。例如：第二电极12也可以根据依照凹槽状的第一绝缘层13，形成表面为曲面的第二电极12，该第二电极12的形状为凹槽状。
优选地，参见图1，第一电极11为水平状电极，第二电极12为凹槽状电极。
优选地，参见图1，凹槽区域沿与第一方向垂直的第二方向的纵截面为倒立的梯形状，换句话说，凹槽的底面积小于底面相对的凹槽的开口面积，凹槽为上宽下窄的结构。即凹槽状第二电极12的两个侧表面至少其中一个侧表面与基板1之间的夹角α非0°且非90°(也即夹角α大于0°且小于90°)。当然，凹槽状第二电极12的两个侧表面与基板1之间的夹角α可以相等或不相等。
进一步地，凹槽状第二电极12的两个侧表面分别与基板1之间的夹角α为30～75°。
更进一步地，凹槽状第二电极12的两个侧表面至少之一与基板之间的夹角α相等，优选地，α值为45°。
上述凹槽状第二电极沿第一方向延伸的两个侧表面至少之一与基板之间的夹角α非90°，凹槽的两个侧表面相对于基板具有一定坡度角，因此位于凹槽底部的第二电极部分和位于侧表面上的第二电极部分之间不容易形成断裂，进一步提高了阵列基板的良品率。
较佳地，所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于除所述凹槽区域之外的区域的厚度。当第二绝缘层的凹槽区域的深度等于除所述凹槽区域之外的区域的厚度，则说明凹槽区域的底部不设置有第二绝缘层，这样的设置方式可以降低阵列基板的厚度。
较佳地，所述第二绝缘层可以但不限于为透明树脂或黑色树脂等制作的膜层。
当第二电极位于亚像素显示区域时，第二绝缘层可以为透明树脂，以实现不影响像素的开口率。
当第二电极位于亚像素非显示区域时，例如当第一电极为像素电极时，第一电极几乎占据整个亚像素显示区域，第二电极的面积大于第一电极的面积，第二电极沿第一方向的两个侧面位于亚像素区域之间的非显示区域，因此，第二绝缘层为黑色树脂层时，位于与彩膜基板黑矩阵相对应的区域，黑色树脂层还可以进一步起到黑矩阵的作用，防止液晶面板漏光的现象。
实施例一提供的第一电极可以由一个子电极组成，也可以由多个子电极组成。
参见图2，第一电极11由多个子电极111组成，多个子电极111的排列方式可以平行或部分子电极111平行，多个子电极111的设置方式不做限制。
如图3所示，第一电极11由一个子电极111组成，子电极111为条状电极，条状电极的两侧（即条状电极沿第一方向延伸的边缘）分别与凹槽状区域的两个侧表面之间的最短距离s大约为1um～4.5um。
通过液晶光学模拟软件模拟发现，第二绝缘层的厚度为1.1um～3.6um，第一电极的宽度为2.5um～6um，液晶的效率约提高一倍。s大约为1um～4.5um时，液晶的效率更高，较佳地，s为1.5um～3.5um液晶的效率更高。
较佳地，本发明所述阵列基板在相邻亚像素之间设置有沿第一方向分布的多条栅线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条数据线（也即相互交叉的栅线和数据线限定出亚像素），所述第二绝缘层位于所述栅线上，该第二绝缘层一方面可以起到凹陷区域的作用，另一方面还可以减小栅线和其它一些电极之间的寄生电容，或者避免栅线周围的电场对黑矩阵膜层造成电极化，使得黑矩阵表面感应出电荷，造成液晶面板残像的问题。
参见图4，或者，本发明所述阵列基板在相邻亚像素之间设置有沿第一方向分布的多条数据线15和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条栅线（图4中未体现栅线），第二绝缘层14位于数据线15上覆盖整条数据线15，该第二绝缘层14一方面可以起到凹陷区域的作用，另一方面还可以减小数据线和其它一些电极之间的寄生电容，或者避免数据线周围的电场对黑矩阵膜层造成电极化，使得黑矩阵表面感应出电荷，造成液晶面板残像的问题。
本发明上述实施例提供的阵列基板，对于高级超维场开关ADS模式的液晶面板，例如对应超精细的单一条状电极像素结构或公共电极结构，靠近基板的第二电极边缘形成一定倾斜角度的斜坡，可以有效提高像素的穿透率。
实施例二：
实施例二提供的另一方式的阵列基板，与实施例一不同之处在于，形成第二电极的方式不同，实施例一提供的阵列基板，第二电极按照上述方式一实现，实施例二提供的阵列基板，第二电极按照上述方式二实现，实施例一中除第二电极的形成方式不同于实施例二，其他较佳的实施方式均适用于实施例二，例如第一电极的设置方式、凹槽侧表面与基板之间的夹角、第一电极距离第二电极侧表面的距离，以及数据线和栅线的设置方式和有益效果等均适用于实施二。
参见图5，阵列基板包括：
基板1；
位于基板1上的多个亚像素，所述亚像素的区域设置有第一电极11、第二电极12和第一绝缘层13；
第二电极12位于基板1上；
第一绝缘层13位于第二电极12上；
第一电极11位于第一绝缘层13上；
其中，基板1上具有沿第一方向延伸的凹槽区域，第二电极12依照基板1的形状设置于其上形成表面为曲面的第二电极12，该第二电极12的形状为凹槽状。
公共电极（或像素电极）为凹槽状的电极结构，像素电极（或公共电极）位于凹槽状的电极上方，凹槽状的公共电极（或像素电极）的横向宽度一定时，表面积增加，公共电极和像素电极之间的电场强度增加，尤其是位于亚像素区域边缘的电场强度增加，提高了亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场，从而提高了亚像素区域光线的穿透率，最终提高了图像的显示品质。
较佳地，实施例一和实施例二提供的所述第一电极和第二电极为透明导电电极，例如可以为铟锡氧化物（ITO）或铟锌氧化物（IZO）等。
上述两个实施例仅是本发明提供的较优选的实施方式，在具体实施过程中阵列基板不限于上述两种实施方式，例如第一电极和第二电极均为曲面或第一电极为曲面的情况。所述曲面不限于为凹槽状，也可以为其他结构。对于多个子电极构成的第一电极，可以在每一个子电极对应的区域设置具曲面状的公共电极，也可以在靠近边缘的子电极对应的区域设置曲面状电极，这里不做具体限定。
以下将具体说明上述实施例提供的阵列基板的制作方法：
实施例三：阵列基板的制作方法。
阵列基板的制作方法整体包括以下步骤：
在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面。
针对第一实施例提供的阵列基板，参见图6，在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为：
S11、在所述基板上形成一层设定厚度的绝缘层，采用构图工艺在该绝缘层上预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域，具有凹槽区域的绝缘层为第二绝缘层；
S12、在形成有所述第二绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第二绝缘层上的第二电极图形，所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状；
S13、在形成有所述第二电极的基板上形成一层绝缘层，该绝缘层为用于绝缘所述第二电极和待形成的第一电极的第一绝缘层；
S14、在形成有所述第一绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第一绝缘层上方的第一电极图形。
较佳地，所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于除所述凹槽区域之外的区域的厚度。当第二绝缘层的凹槽区域的深度等于除所述凹槽区域之外的区域的厚度，则说明凹槽区域的底部不设置有第二绝缘层，这样的设置方式可以降低阵列基板的厚度。
针对第二实施例提供的阵列基板，参见图7，在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为：
S21、在所述基板上的预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域；
S22、在形成有凹槽区域的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述基板上的第二电极图形，所述第二电极依照所述基板的形状设置于其上形成凹槽状；
S23、在形成有所述第二电极的基板上形成一层绝缘层，该绝缘层为用于绝缘所述第二电极和待形成的第一电极的第一绝缘层；
S24、在形成有所述第一绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第一绝缘层上方的第一电极图形。
优选地，上述任一种阵列基板的实现方法，所述凹槽状第二电极的两个侧表面至少之一与所述基板之间的夹角非0°且非90°。
进一步地，所述凹槽状第二电极的两个侧表面至少之一与所述基板之间的夹角为45°。
优选地，所述第一电极由一个沿第一方向延伸的子电极组成，所述子电极距离所述凹槽状第二电极的两个侧表面的最短距离为1um～4.5um。
优选地，上述任一种阵列基板的实现方法，还包括制作薄膜晶体管、栅线和数据线的过程。
本发明实施例还提供一种液晶面板，包括上述任一种方式的阵列基板。所述液晶面板还可以包括彩膜基板或包括设置在阵列基板上的彩膜层，只要包括上述实施例提供的阵列基板即可，彩膜的设置不做限制。
本发明所述构图工艺可以包括成膜、曝光、显影、光刻刻蚀等部分或全部步骤。其中,成膜工艺可以采用沉积、旋涂、涂覆等方式等实现。
本发明实施例提供一种显示装置，包括上述液晶面板，所述显示装置可以为液晶面板、液晶显示器，或液晶电视等。
综上所述，本发明实施例提供一种阵列基板，包括基板，位于所述基板上的亚像素，所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，还包括位于第一电极和第二电极之间用于绝缘第一电极和第二电极的第一绝缘层；所述第一电极和第二电极其中之一为公共电极，另一为像素电极；其中，所述第一电极和第二电极至少之一的表面为曲面，像素电极和公共电极的表面积增加，像素电极和公共电极之间形成的电场强度更大，亚像素区域（如红色、绿色或蓝色亚像素区域等）的边缘形成的电场强度更大，提高了亚像素区域边缘加在液晶上的有效电场，提高了亚像素区域光线的透过率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板，位于所述基板上的亚像素，所述亚像素所在区域设置有第一电极和第二电极，还包括位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层；
其中，所述第二电极的表面为曲面，所述第一电极由一个或多个沿第一方向延伸的子电极组成，并且所述第一电极距离所述曲面状第二电极的两个侧表面的最短距离为1～4.5um。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述基板与所述第二电极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有沿第一方向延伸的凹槽区域，所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板具有沿第一方向延伸的凹槽区域，所述第二电极依照所述基板的形状设置于其上形成凹槽状。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽区域沿与所述第一方向垂直的第二方向的纵截面为倒立的梯形状。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽状第二电极的至少一个侧表面与所述基板之间的夹角非0°且非90°。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于除所述凹槽区域之外的区域的厚度。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于各亚像素周围沿第一方向分布的多条栅线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条数据线，所述第二绝缘层位于所述栅线上；或者还包括：
位于各亚像素周围沿第一方向分布的多条数据线和沿与第一方向垂直的第二方向分布的多条栅线，所述第二绝缘层位于所述数据线上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层为透明树脂或黑色遮光树脂。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层；其中，所述第二电极的表面为曲面，所述第一电极由一个或多个沿第一方向延伸的子电极组成，并且所述第一电极距离所述曲面状第二电极的两个侧表面的最短距离为1～4.5um。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为：
在所述基板上形成一层设定厚度的绝缘层，采用构图工艺在该绝缘层的预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域，具有凹槽区域的绝缘层为第二绝缘层；
在形成有所述第二绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第二绝缘层上的第二电极图形，所述第二电极依照所述第二绝缘层的形状设置于其上形成凹槽状；
在形成有所述第二电极的基板上形成一层绝缘层，该绝缘层为用于绝缘所述第二电极和待形成的第一电极的第一绝缘层；
在形成有所述第一绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第一绝缘层上方的第一电极图形。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的凹槽区域的深度等于或小于第二绝缘层中除所述凹槽区域之外的区域的厚度。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在基板上形成位于亚像素的区域中的第一电极和第二电极图形，以及位于第一电极和第二电极之间的第一绝缘层具体为：
通过构图工艺在所述基板上的预设区域形成具有沿第一方向延伸的凹槽区域；
在形成有凹槽区域的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述基板上的第二电极图形，所述第二电极依照所述基板的形状设置于其上形成凹槽状；
在形成有所述第二电极的基板上形成一层绝缘层，该绝缘层为用于绝缘所述第二电极和待形成的第一电极的第一绝缘层；
通过镀膜工艺在形成有所述第一绝缘层的基板上形成一层导电膜层，通过构图工艺形成位于所述第一绝缘层上方的第一电极图形。
13.一种液晶面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的阵列基板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的液晶面板。
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