JP2000305094A - 液晶装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一対の基板間に液晶が封入されてなる液晶装
置において、基板間ギャップを狭めつつ、液晶封入の不
良に起因した封入スジを低減する。 【解決手段】 基板（１０）やその上に形成される絶縁
膜（４）の液晶注入口（６０）に対向する部分を凹状に
形成する。これにより、ＴＦＴアレイ基板（１０）及び
対向基板（２０）をシール材で貼り合わせた後に形成さ
れる液晶注入口を広げられる。この液晶注入口を介して
液晶を注入する。他方、額縁領域における液晶の注入を
妨げない個所は基板等を凹状に形成しないことにより相
対的に高い表面を額縁領域に形成して、シール材による
液晶層への汚染を食い止める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に液
晶が封入されてなる液晶装置及びその製造方法の技術分
野に属する。

【０００２】

【背景技術】液晶装置の製造においては、一方の基板
に、アクティブマトリクス駆動、パッシブマトリクス駆
動、セグメント駆動等の駆動方式に応じた、画素電極、
走査線、データ線、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦ
Ｔと称す）、薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称
す）などが形成された後に、配向膜が形成される。他方
の基板に、やはり駆動方式に応じた、対向電極、配線、
ブラックマスクやブラックマトリクスと称される遮光
膜、カラーフィルタ等が形成された後に、配向膜が形成
される。そして、これらの配向膜が夫々形成された一対
の基板は、液晶に対向しており、実際に画像が表示され
る画像表示領域の周囲に位置するシール領域において、
シール材により貼り合わせられる。これらの工程によ
り、所謂空セルが製造される。その後、この空セル内に
液晶が封入されて、液晶セルが製造される。更に、偏光
板等が取り付けられて液晶装置が製造される。

【０００３】従来、このような空セル内に液晶を封入す
る工程には、真空注入法が用いられている。真空注入法
では、真空チャンバ内に空セルを配置して、真空脱気し
た後に、液晶を滴下する。すると、シール材内や空セル
内に散布されたスペーサと称されるギャップ材により所
定ギャップを有する基板間に、平面的に見てシール材の
一部が欠落してなる液晶注入口を介して液晶が注入され
る。このように液晶注入が終わると、液晶注入口から液
晶が漏れないように封止材により液晶注入口が封止され
る。

【０００４】この時点における液晶の配向状態には、液
晶封入の際に液晶の流動方向に依存して、封入スジと呼
ばれる流動状態の痕跡が残っており、そのままでは最終
的に製造された液晶装置において液晶の配向不良として
画像不良を引き起こす原因の一つとなる。そこで従来
は、液晶の配向状態を、流動方向ではなく配向膜のラビ
ング方向により大きく依存させるため、一旦等方相転移
温度以上の高温度にして等方処理を行うようにしてい
る。

【０００５】他方、この種の液晶装置においては、表示
画像の高品位化及び装置全体の小型軽量化が図られてお
り、このため特に画素ピッチが小さくなり、精細度が高
められて来ている。画素ピッチを小さくすると、基板に
垂直な方向に液晶に印加される本来の液晶駆動用の縦電
界に対して、画素電極間の電位差に起因する、基板に平
行な方向の横電界の大きさが相対的に大きくなる。この
縦電界に対する横電界の大きさは、対角数インチから十
数インチ程度の大型の液晶セルでは各画素の大きさ自体
が大きいため余り問題とならないが、例えば対角１イン
チ以下のプロジェクタ用やビューファインダ用の小型の
液晶セルでは非常に問題となる。このため、液晶層厚に
等しい基板間ギャップを狭めることにより、相対的に縦
電界を大きくする技術が採用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、画素ピ
ッチの微細化に伴って基板間ギャップを狭めると、前述
した液晶注入口も狭くなる。例えば、画像表示領域にお
ける基板間ギャップを３μｍ程度にまで狭めると、液晶
注入口やその付近における基板上には、データ線、走査
線、引き出し配線等の各種配線やサンプリング回路等が
設けられているため、これらの合計厚みを例えば１〜
１．５μｍ程度とすれば、液晶注入口や液晶注入口付近
における基板間ギャップ（即ち、液晶注入口の高さや液
晶注入口付近における液晶流路の高さ）は、１．５〜２
μｍしかないことになる。このため、真空注入工程の際
に液晶が液晶注入口から注入され難くなってしまう。こ
のように円滑な真空注入工程を行えずに液晶が十分封入
されなかったり封入速度にバラツキが生じると、前述の
等方処理によっては回復不能な程度にまで封入スジが入
ってしまい、最終的に製造される液晶装置において封入
スジが顕著に残って表示むらとなるという問題点があ
る。逆に、円滑に真空注入工程を行うために液晶注入口
を広げるべく基板間ギャップを広げたのでは、前述のよ
うに横電界が大きくなってしまい高精細の画像表示を実
現するのが困難となってしまう。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、一対の基板間に液晶が封入されてなる液晶装置
であって、基板間ギャップの狭ギャップ化により精細度
が高められていると同時にその製造工程における真空注
入工程で液晶が注入され難いことに起因する表示むらが
低減されており高品位の画像表示が可能な液晶装置及び
その製造方法を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は上記
課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に液
晶が封入されてなり、前記液晶の周囲に位置すると共に
前記液晶の注入口を除く所定のシール領域において前記
第１及び第２基板を相互に貼り合せるシール材と、前記
注入口を塞ぐ封止材とを備えており、前記第１基板及び
前記第１基板の前記液晶側の面上に形成される一の絶縁
膜のうち少なくとも一方は、前記注入口に対向する部分
が凹状に形成されている。

【０００９】本発明の液晶装置によれば、液晶は、シー
ル材により包囲されると共に第１及び第２基板間に封入
されており、製造工程時に液晶が真空注入される液晶注
入口は、封止材により塞がれている。ここで特に、第１
基板及びその上に形成される一の絶縁膜のうち少なくと
も一方の液晶注入口に対向する部分は、凹状に形成され
ている。従って、当該液晶装置の製造工程においては、
このように凹状に形成されていない場合と比較して液晶
注入口の高さが高くなり（即ち、基板面に垂直な方向の
距離が長くなり）、液晶注入口が広がる。この結果、当
該液晶装置の製造工程における真空注入工程では、画素
ピッチの微細化を推進すべく第１及び第２基板間のギャ
ップを狭くしても、広い液晶注入口を利用して注入速度
を適度に維持することが可能となる。従って液晶が十分
封入されなかったり封入速度にバラツキが生じることに
よる液晶の封入スジを低減できる。

【００１０】このように製造工程において第１及び第２
基板間のギャップを狭くしつつ液晶の注入を円滑に行う
ことにより、当該液晶装置では、表示画面内の封入スジ
が殆ど無く、高精細の画像表示が可能となる。

【００１１】本発明の液晶装置の一の態様では、前記第
１基板は、前記第２基板に対向しない張り出し部分を含
み、該張り出し部分に面する側に前記注入口が配置され
ており、前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なく
とも一方は、前記張り出し部分上において前記注入口に
隣接する滴下領域に対向する部分も凹状に形成されてい
る。

【００１２】この態様によれば、当該液晶装置の製造工
程における真空注入工程で、滴下領域の高さが相対的に
低くされているため、滴下領域から液晶注入口に至る液
晶の流路を広く確保することができる。この結果、滴下
領域に滴下された液晶を液晶注入口を介して空セル内に
円滑に導くことができ、適度な注入速度で真空注入を行
うことが可能となる。

【００１３】本発明の液晶装置の他の態様では、前記第
１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前
記シール領域に対向する部分も凹状に形成されている。

【００１４】この態様によれば、第１基板及び一の絶縁
膜のうち少なくとも一方のシール領域に対向する部分が
凹状に形成されている分だけ、シール領域における基板
間ギャップは広がる。従って、画像表示領域における基
板間ギャップを相対的に狭くしつつも、比較的基板間ギ
ャップが大きいシール領域においてギャップ制御を行え
る。例えば比較的大径のギャップ材をシール領域におい
て用いることにより、より精度の高いギャップ制御を比
較的容易に行える。

【００１５】この態様では、前記シール領域における前
記第１及び第２基板間のギャップが、画像表示領域の輪
郭を規定する額縁領域における前記第１及び第２基板間
のギャップより大きくてもよい。

【００１６】このように構成すれば、例えば比較的大径
のファイバ状やビーズ状のギャップ材をシール材内に混
入することにより、基板間ギャップの広いシール領域に
おいて、より精度の高いギャップ制御を比較的容易に行
えると同時に、シール領域から見て土手状に盛り上がっ
た額縁領域の存在により、シール材及びこれに混入され
たギャップ材のシール領域から液晶層への侵入を防ぐこ
とができ、液晶層へ不純物が混入することにより生じる
表示ムラを防止することができる。

【００１７】本発明の液晶装置の他の態様では、前記第
１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、画
像表示領域の輪郭を規定する額縁領域のうち、前記シー
ル領域の前記注入口が設けられていない各辺と前記画像
表示領域との間にある領域に対向する部分は、凹状に形
成されておらず、前記第１基板及び前記一の絶縁膜のう
ち少なくとも一方は、前記額縁領域のうち、前記シール
領域の前記注入口が設けられている一辺と前記画像表示
領域との間にある領域に対向する部分は、凹状に形成さ
れている。

【００１８】この態様によれば、額縁領域のうち、シー
ル領域の液晶注入口が設けられていない各辺と画像表示
領域との間にある領域においては、第１基板及び一の絶
縁膜のうち少なくとも一方は、凹状に形成されておら
ず、この領域において液晶に面する表面は相対的に高
い。即ち、相対的に高い土手形の表面がシール領域と画
像表示領域との間に帯状に連なる額縁領域に存在してい
るため、シール材自体やシール材に含まれる不純物がシ
ール領域から額縁領域を越えて画像表示領域内にある液
晶に侵入するのを効果的に抑制できる。

【００１９】本発明の液晶装置の他の態様では、前記第
１基板上には、所定の平面パターンを有するパターン部
が形成されており、前記凹状に形成された部分に、前記
パターン部が埋め込まれている。

【００２０】この態様によれば、第１基板上には、例え
ば、データ線、走査線、容量線、これらを画像表示領域
から周辺領域に延設する引き出し配線、画像信号線等の
各種配線や、画素スイッチング用ＴＦＴ、ＴＦＤ等の素
子や、サンプリング回路等の周辺回路などを構成する導
電層、半導体層、絶縁層等からなるパターン部が形成さ
れているが、このようなパターン部は、第１基板上にお
ける液晶注入口に対向する領域においては、凹状に形成
された部分に埋め込まれている。従って、パターン部が
液晶注入口に対向する位置に存在しても、液晶注入口を
広げることが可能となる。また、シール領域や、額縁領
域のうち液晶注入口が設けられた一辺と画像表示領域と
の間に有る領域などにおいても同様に、パターン部を凹
状に形成された部分に埋め込むことにより、その表面を
相対的に低くすることが可能となり、上述した各種の作
用効果が得られる。

【００２１】本発明の液晶装置の上述したパターン部が
埋めこまれた態様では、前記パターン部は、前記注入口
が設けられたシール領域の一辺に対して整列された複数
のパターン部分を含み、前記第１基板及び前記一の絶縁
膜のうち少なくとも一方は、前記注入口に対向する部分
のみならず前記シール領域の一辺に対向する部分が凹状
に形成されており、前記複数のパターン部分は、前記凹
状に形成された部分に一様に埋め込まれてもよい。

【００２２】このように構成すれば、パターン部には、
液晶注入口が設けられたシール領域の一辺に対して整列
された複数のパターン部分、例えば、各々がこの一辺に
直交して伸びると共にこの一辺に沿って配列された複数
の配線や回路素子などが含まれる。ここで特に、これら
複数のパターン部分は、液晶注入口に対向する領域にお
いてのみ凹状に形成された部分に埋め込まれているので
はなく、液晶注入口が設けられたシール領域の一辺に対
向する領域に渡って一様に凹状に形成された部分に埋め
込まれている。従って、液晶注入口下を通過するパター
ン部分とこれに隣接するパターン部分とで、埋め込まれ
ているか否かを境に電気特性が変わってしまうことによ
り最終的に表示むらが引き起こされる事態を未然に防げ
る。

【００２３】本発明の液晶装置の上述したパターン部が
埋めこまれた態様では、前記パターン部は、前記液晶に
対面する領域内に配線された内部配線と該内部配線から
前記液晶の周囲に引き出される引き出し配線とを含み、
前記引き出し配線は前記注入口に対向する領域において
埋め込まれてもよい。

【００２４】このように構成すれば、液晶注入口に対向
する領域には、引き出し配線が配線されているが、これ
は凹状に形成された部分に埋め込まれているので、引き
出し配線が埋め込まれていない場合と比較して、凹状の
深さの分だけ液晶注入口は広がる。この結果、液晶注入
口に対向する領域に引き出し配線を配線しつつ液晶の真
空注入を当該液晶注入口を介して円滑に行うことができ
る。

【００２５】本発明の液晶装置の上述したパターン部が
埋めこまれた態様では、前記パターン部は、前記液晶に
対面する領域内に配線されたデータ線と、前記シール領
域の内側に沿って位置する額縁領域のうち前記注入口付
近にある一辺に配置されており画像信号をサンプリング
して前記データ線に供給するサンプリング回路とを含
み、前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも
一方は、前記サンプリング回路に対向する部分も凹状に
形成されており、前記サンプリング回路は凹状に形成さ
れた部分に埋め込まれてもよい。

【００２６】このように構成すれば、液晶注入口付近に
ある額縁領域の一辺に配置されたサンプリング回路は、
凹状に形成された部分に埋め込まれている。従って、液
晶注入口を介して空セル内に流れ込む液晶流路がサンプ
リング回路に起因した突出表面により妨害されることは
ない。この際特に、液晶注入口付近におけるサンプリン
グ回路の一部のみを埋め込むのではなく、この額縁領域
の一辺全体に渡って一様に埋め込むのが好ましい。仮
に、この一辺全体に広がるサンプリング回路の一部のみ
を埋め込み、他の部分を埋め込まないと、両部分の境界
を境にサンプリング回路の電気特性が変化して、最終的
には表示むらを引き起こす恐れがあるからである。

【００２７】本発明の液晶装置の他の態様では、前記シ
ール材には、前記第１及び第２基板とを所定ギャップで
貼り合わせるためのギャップ材が混入されている。

【００２８】この態様によれば、シール領域において第
１及び第２基板を貼り合わせるシール材に混入されたフ
ァイバ状やビーズ状のギャップ材により基板間ギャップ
を制御可能となる。特に、前述の如くシール領域に対向
する部分を凹状に形成しておけば、画像表示領域におけ
る基板間ギャップよりも大きな基板間ギャップを有する
シール領域において容易に基板間ギャップを制御可能と
なる。

【００２９】本発明の液晶装置の製造方法は上記課題を
解決するために、一対の第１及び第２基板間に液晶が封
入されてなる液晶装置を製造する液晶装置の製造方法で
あって、前記第１基板及び前記第１基板の前記液晶側の
面上に形成される一の絶縁膜のうち少なくとも一方にお
ける前記液晶の注入口に対向する部分を凹状に形成する
工程と、前記液晶の周囲に位置すると共に前記注入口を
除く所定のシール領域において前記第１及び第２基板を
シール材により相互に貼り合せる工程と、前記第１及び
第２基板間に前記液晶を前記注入口を介して真空注入す
る工程と、前記真空注入工程の後に封止材により前記注
入口を塞ぐ封止工程とを含む。

【００３０】本発明の液晶装置の製造方法によれば、先
ず、第１基板及び一の絶縁膜のうち少なくとも一方にお
ける液晶注入口に対向する部分が、凹状に形成される。
より具体的には、液晶注入口に対向する部分において、
第１基板に溝を掘ったり、一の絶縁膜に溝を掘ったりす
る。或いは、一の絶縁膜下における第１基板上に配置さ
れた他の配線や素子等の存在に起因して、液晶側から見
て凸状に突出した一の絶縁膜部分を研磨等により除去し
たりする（即ち、一の絶縁膜を第１基板の側から見て凹
状にしたりする）。次に、第１及び第２基板は、液晶注
入口を除く所定のシール領域においてシール材により相
互に貼り合せられる。次に、第１及び第２基板間に、液
晶が液晶注入口を介して真空注入される。そして、真空
注入工程の後に、封止材により液晶注入口が塞がれる。
ここで特に、第１基板及び一の絶縁膜のうち少なくとも
一方の液晶注入口に対向する部分が凹状に形成されてい
るので、このように凹状に形成されていない場合と比較
して液晶注入口が広がる。この結果、真空注入工程で
は、画素ピッチの微細化を推進すべく第１及び第２基板
間のギャップを狭くしても、広い液晶注入口を利用して
液晶を注入し易くでき、注入速度を適度に維持すると共
に液晶セル内にまんべんなく液晶を封入できる。従って
液晶が十分に封入されなかったり封入速度のバラツキに
より発生する封入スジを低減できる。

【００３１】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施形態から明らかにされる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００３３】（液晶装置の構成）先ず、本実施形態の液
晶装置の構成について、図１から図８を参照して説明す
る。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマト
リクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

【００３４】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【００３５】図１及び図２において、液晶装置は、一対
の基板であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間
に液晶層５０が封入されてなり、ＴＦＴアレイ基板１０
と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置
するシール領域に設けられたシール材５２により相互に
接着されている。

【００３６】シール材５２は、両基板を貼り合わせるた
めの、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、
後述の製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に
塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられ
たものである。また、シール材５２中には、当該液晶装
置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液
晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を
所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ
等のギャップ材（スペーサ）が散布されてもよい。或い
は、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのよ
うに大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このよう
なギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。

【００３７】図1において、液晶層５０は、液晶注入口
６０の部分が欠落したシール材５２及びこの液晶注入口
６０を後述する液晶の真空注入工程の後に封止する封止
材５４により基板間に封入されている。

【００３８】シール材５２が配置されたシール領域の内
側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の
額縁５３が対向基板２０側に設けられている。ここに、
額縁５３により規定される４つの辺を図１のように辺５
３ａ、辺５３ｂ、辺５３ｃ及び辺５３ｄとする。

【００３９】シール材５２が配置されたシール領域の外
側の周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回
路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺
に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴア
レイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両
側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための
複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２
０のコーナー部の少なくとも一個所において、ＴＦＴア
レイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとる
ための上下導通材１０６が設けられている。

【００４０】図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線、容
量線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、ポリ
イミド系材料からなる配向膜１６が形成されている。他
方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、各画素毎
に非開口領域を規定する一般にブラックマスク又はブラ
ックマトリクスと称される遮光膜２３、カラーフィルタ
等が形成された最上層部分に、ポリイミド系材料からな
る配向膜２２が形成されている。これらの一対の配向膜
１６及び２２は夫々、後述の製造プロセスにおいて、ポ
リイミド系材料を塗布し、焼成した後、液晶層５０中の
液晶を所定方向に配向させると共に液晶に所定のプレチ
ルト角を付与するように配向処理が施されている。尚、
遮光膜２３は、表示画像におけるコントラストの向上、
カラーフィルタを形成した場合の色材の混色防止などの
機能を有する。このような遮光膜２３を対向基板２０の
側ではなく、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成してもよ
い。

【００４１】また、液晶層５０は、例えば一種又は数種
類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の
配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。

【００４２】図３は、図１において丸で囲まれたＣ１部
分（液晶注入口６０付近）の拡大図であり、図４（ａ）
は、図３のＡ−Ａ’断面図であり、図４（ｂ）は、その
変形例における図３のＡ−Ａ’断面図である。また、図
５は、図３のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図３から図５
では、封止材５４が設けられる前の液晶セル（空セル）
の状態に対応するＴＦＴアレイ基板１０上における、液
晶注入口６０、シール材５２及び額縁５３等が示されて
いる。

【００４３】図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の液晶注入口６０に対向する部分は、
少なくとも引き出し配線３０６が形成される領域を凹状
に形成されている。従って、当該液晶装置の製造工程に
おいては、このように凹状に形成されていない場合と比
較して液晶注入口６０の高さｈが高くなり、液晶注入口
６０が広がる。この結果、当該液晶装置の製造工程にお
ける真空注入工程では、図３に示すように、滴下領域６
１から広い液晶注入口６０を介して液晶の進行方向６２
に位置する空セル内の領域を液晶流路として液晶を真空
注入できる。従って、画素ピッチの微細化を推進すべく
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間のギャップを
狭くしても、このように広い液晶注入口６０を利用し
て、注入速度を適度に維持することが可能となり、液晶
が十分封入されなかったり封入速度にバラツキが生じる
ことによる前述した従来例の如き液晶の封入スジを極め
て効率的に低減できる。

【００４４】図５に示すように、本実施形態では、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０は、対向基板２０に対向しない張り出
し部分を含み、該張り出し部分に面する側に液晶注入口
６０が配置されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０
は、この張り出し部分上において液晶注入口６０に隣接
する滴下領域６１に対向する部分も、液晶注入口６０に
対向する部分と同様に凹状に形成されている。従って、
当該液晶装置の製造工程における真空注入工程で、滴下
領域６１の高さが低くされている（好適には、液晶注入
口６０と同一の高さとされている）ため、滴下領域６１
から液晶注入口６０に至る液晶の流路を広く確保するこ
とができる。この結果、滴下領域６１に滴下された液晶
を液晶注入口６０を介して空セル内に円滑に導くことが
でき、適度な注入速度で真空注入を行うことが可能とな
る。

【００４５】また、図４及び図５に示すように、本実施
形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上には、第１層間絶縁
膜１２、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７が形成
されている。これらの層間絶縁膜は、画像表示領域内に
形成される画素スイッチング用ＴＦＴ（後述する）や画
素電極９ａをＴＦＴアレイ基板１０上で積層形成する各
種導電層や半導体層を相互に絶縁するためや、データ
線、走査線、容量線、それらの引き出し配線、画像信号
線等のＴＦＴアレイ基板１０上に形成される各種導電層
を相互に分離するために用いられるものである。特に、
本実施形態では、図４及び図５に示すように、第２層間
絶縁膜４と第３層間絶縁膜７との間にある例えば、Ａｌ
（アルミニウム）等の金属膜や低抵抗ポリシリコン膜か
ら、所定の平面パターンを有するパターン部の一例とし
てのデータ線からの引き出し配線３０６が、液晶注入口
６０の下を液晶注入時の液晶の進行方向６２に沿って配
線されている。このような引き出し配線３０６は、係る
層間位置に限られるものではなく、例えば第１層間絶縁
膜１２と第２層間絶縁膜４との間に設けられてもよい。

【００４６】従って、図４及び図５に示すように、本実
施形態では、パターン部の一例たる引き出し配線３０６
は、ＴＦＴアレイ基板１０の凹状に形成された部分に埋
め込まれている。このため、引き出し配線３０６が液晶
注入口６０に対向する位置に存在しても、液晶注入口６
０を広げることが可能となる。

【００４７】また、シール領域や、額縁領域のうち液晶
注入口６０が設けられた辺５３ａと画像表示領域１０ａ
との間に有る領域などにおいても同様に、例えば、デー
タ線、走査線、容量線、これらを画像表示領域１０ａか
ら周辺領域に延設する引き出し配線、画像信号線等の各
種配線や、画素スイッチング用ＴＦＴ、ＴＦＤ等の素子
や、サンプリング回路等の周辺回路などを構成する導電
層、半導体層、絶縁層等からなるＴＦＴアレイ基板上に
形成されたパターン部を、ＴＦＴアレイ基板１０の凹状
に形成された部分に埋め込むことにより、その表面を相
対的に低くすることが可能となる。同様に例えば滴下領
域６１下に画像信号線が配線されている場合にも、この
画像信号線に対向する領域において、ＴＦＴアレイ基板
１０に溝を掘って当該画像信号線を埋め込んだり、画像
信号線上にある一の層間絶縁膜を薄膜化して、滴下領域
６１のうち画像信号線が存在する個所が高くならないよ
うにするとよい。

【００４８】更には、額縁領域内に位置する画像表示領
域１０ａ内においても、データ線、走査線、容量線等の
各種配線に対向する部分や画素スイッチング用ＴＦＴ、
ＴＦＤ等の各種素子に対向する部分も凹状に形成されて
もよい。これにより、画像表示領域１０ａ内におけるこ
れら各種配線や各種素子を埋め込む構成が得られ、画像
表示領域１０ａ内の配向膜の平坦度が増す（即ち、画素
電極９ａとこれに隣接する配線部や素子部における表面
の高さがほぼ均一になる）ことにより、液晶の配向不良
が低減される。

【００４９】本実施形態ではこれらの領域のうち特に、
図３に示した液晶の進行方向６２に延びる空セル内の領
域において、パターン部を埋め込むことにより、空セル
内における液晶流路を広く確保することができ、より良
好に液晶を真空注入できる。

【００５０】また、本実施形態では特に、図４及び図５
に示すように、引き出し配線３０６は、液晶注入口６０
が設けられたシール領域の一辺に対して複数整列されて
おり、ＴＦＴアレイ基板１０は、液晶注入口６０に対向
する部分のみならずシール領域の一辺に対向する部分が
凹状に形成されており、複数の引き出し配線３０６は各
々、このシール領域に沿って等しく埋め込まれている。
このように構成すれば、液晶注入口６０下を通過する引
き出し配線２０１とこれに隣接する引き出し配線３０６
とで、埋め込まれているか否かを境に電気特性が変わっ
てしまうことにより最終的に表示むらが引き起こされる
事態を未然に防げる。

【００５１】但し、図４（ｂ）の変形例に示すように、
ＴＦＴアレイ基板１０は、液晶注入口６０に対向する部
分のみ凹状に形成されてもよい。装置の仕様上、配線等
のパターン部が液晶注入口６０付近にのみ部分的に埋め
込まれることによる上述の如き電気特性変化が無視でき
る場合には、このように部分的にパターン部を埋め込む
ようにしても、画像劣化を引き起こすことなく、液晶注
入口６０の高さｈを局所的に高くすることにより、液晶
注入口６０を大きく広げることができる。

【００５２】また、本実施形態では前述した或いは後述
するいずれの態様においても、ＴＦＴアレイ基板１０を
凹状に形成することに代えて、または加えて、いずれか
の層間絶縁膜を凹状に形成してもよい。この場合、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の場合と同様に、いずれかの層間絶縁
膜に溝を形成しても良いし、或いは、いずれかの層間絶
縁膜下におけるＴＦＴアレイ基板１０上に配置された他
の配線や素子等の存在に起因して、液晶側から見て凸状
に突出した当該層間絶縁膜部分をＣＭＰ（Chemical Mec
hanical Polishing）処理などを用いた研磨等により除
去してもよい（即ち、研磨等された層間絶縁膜をＴＦＴ
アレイ基板１０の側から見て凹状にしてもよい）。更に
は、配線や素子等を構成する何らかの導電層、絶縁層、
半導体層等の一又は複数の層を液晶注入口６０に対向す
る領域に局所的に設けないことにより、液晶注入口６０
を広げることも可能である。例えば、第１層間絶縁膜１
２や第２層間絶縁膜４に溝を形成し、その中に引き出し
配線３０６を形成しても、同様な効果を得ることができ
る。

【００５３】尚、図１に示すように矩形であるシール領
域の４辺のうち、液晶注入口６０が設けられていない残
りの３辺（コの字型領域）に対向する部分についても、
シール領域においてギャップ制御を行う観点から、この
一辺の場合と同様に、引き出し配線３０６等のパターン
部が設けられているのであれば、この一辺の場合と同様
にＴＦＴアレイ基板１０を凹状に形成して、このパター
ン部を埋め込むことが好ましい。これにより、シール領
域における基板間ギャップをシール領域の４辺全体に渡
って均一化できる。

【００５４】次に、図１に示したサンプリング回路及び
画像信号線等の詳細な構成について図６及び図７を参照
して説明する。図６は、本実施形態の液晶装置の回路図
であり、図７は、図１において丸で囲まれたＣ２部分の
拡大図である。

【００５５】図６において、画像表示領域１０ａには、
各画素毎に、画素電極９ａ及び画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０が設けられており、各ＴＦＴ３０のソースには、
データ線６ａが接続されており、各ＴＦＴ３０のゲート
には、走査線３ａが接続されている。また、画素電極９
ａに書き込まれた電圧を保持するための蓄積容量７０を
設けてもよい。この場合、外部からの定電位ＣＡＰを定
電位線３０５を介して容量線３ｂに供給しても良いし、
定電位ＣＡＰの代わりにデータ線駆動回路１０１や走査
線駆動回路１０４の電源や共通電極電位に定電位線３０
５を接続して定電位を供給しても良い。走査線３ａは走
査線駆動回路１０４が接続されている。走査線駆動回路
１０４は、走査線３ａに所定タイミングで走査信号Ｇ
１、Ｇ２、Ｇ３・・・Ｇｍを供給する。データ線６ａには、
サンプリング回路３０１の各サンプリングスイッチ３０
２が夫々接続されている。サンプリング回路３０１は、
データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号
線３０６ａを介して供給されるサンプリング回路駆動信
号ＳＨ１、ＳＨ２、ＳＨ３…ＳＨｎに応じて、画像信号
線３０４及びその中継配線３０６ｂ上に供給される画像
信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６ａに画像
信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…Ｓｎを供給する。

【００５６】図７において、サンプリング回路３０１
は、液晶注入口６０（図１参照）に近い額縁領域の辺５
３ａに設けられている。データ線駆動回路１０１からサ
ンプリング回路３０１に至るサンプリング回路駆動信号
線３０６ａ及び画像信号線３０４からサンプリング回路
３０１に至る中継配線３０６ｂは、シール材５２の下に
配線されており、液晶注入口６０付近では、図４及び図
５に示した引き出し配線３０６として、ＴＦＴアレイ基
板１０あるいは絶縁膜に形成された溝内に埋め込まれて
いる。また、画像信号線３０４は、図３に示した滴下領
域６１を通過しており、ＴＦＴアレイ基板１０に形成さ
れた溝内に埋め込むようにすれば、液晶注入が更に容易
になる。更に、走査線駆動回路１０４と画像表示領域内
に有る走査線３ａとを結ぶ引き出し配線３０７について
も、引き出し配線３０６の場合と同様に、ＴＦＴアレイ
基板１０に形成された溝内に埋め込まれている。

【００５７】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ
信号を画像信号ＶＩＤに先行して各々供給するプリチャ
ージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品
質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。

【００５８】本実施形態では特に、液晶注入口６０付近
にある額縁５３の辺５３ａに配置されたサンプリング回
路３０１はその全体がＴＦＴアレイ基板１０の凹状に形
成された部分に埋め込むようにすると良い。このよう
に、額縁５３の領域内にサンプリング回路３０１を設け
ることにより、限られた基板上スペースの有効利用を図
れる。従って、液晶注入口６０を介して空セル内に流れ
込む液晶流路がサンプリング回路３０１に起因した突出
表面により妨害されることはない。即ち、図３に示した
液晶の進行方向６２に延びる空セル内の領域の一部にも
形成されているサンプリング回路３０１が液晶流路を妨
害することを未然に防ぐことにより、より良好に液晶を
真空注入できる。

【００５９】更に液晶注入口６０付近におけるサンプリ
ング回路３０１の一部のみを埋め込むのではなく、この
額縁５３の辺５３ａの一辺全体に渡って等しく埋め込む
ように構成されているので、埋め込まれたサンプリング
スイッチ３０２と埋め込まれていないサンプリングスイ
ッチ３０２との境界を境にサンプリングスイッチ３０２
の電気特性が変化して、表示むらを引き起こす事態を未
然に防げる。但し、装置の仕様上、サンプリング回路３
０１が液晶注入口６０付近にのみ部分的に埋め込まれる
ことによるサンプリングスイッチ３０２の特性変化が無
視できる場合には、図３に示した液晶の進行方向６２に
延びる空セル内の領域に位置するサンプリングスイッチ
３０２を埋め込むように構成してもよい。

【００６０】他方、図１において矩形である額縁５３の
４辺５３ａ、５３ｂ、５３ｃ及び５３ｄのうち、液晶注
入口６０付近ではない残りの３辺５３ｂ、５３ｃ及び５
３ｄにおいては、これらに対向する部分についてはシー
ル材５２が、額縁５３を越えて画像表示領域１０ａ内に
ある液晶層５０を汚染するのを防ぐ観点から、サンプリ
ング回路３０１を埋め込む一辺５３ａのようにＴＦＴア
レイ基板１０を凹状に形成しないのが好ましい。

【００６１】このように構成すれば、図１に示した額縁
５３のうち、コの字型をなす三つの辺５３ｂ、５３ｃ及
び５３ｄにおいては、ＴＦＴアレイ基板１０が凹状に形
成されていない分だけ、液晶層５０に面する表面は相対
的に高くなる。即ち、これら三つの辺５３ｂ、５３ｃ及
び５３ｄからなるコの字型の領域において、配向膜１６
表面が盛り上がり障壁となるので、シール材５２自体や
シール材５２に含まれる不純物がシール領域から当該障
壁を越えて液晶層５０に侵入するのを効果的に抑制でき
る。特に経時劣化（エージング）したシール材５２から
の汚染を、この様に障壁により食い止めることも可能と
なる。

【００６２】尚、シール材５２に対向する（即ち、シー
ル領域における）ＴＦＴアレイ基板１０部分について
は、４つの辺に渡って凹状に形成するのが好ましい。

【００６３】即ち図７のＣ−Ｃ’断面図である図８に示
すように、シール領域を通過する走査線３ａの引き出し
配線３０７は、ＴＦＴアレイ基板１０の溝に埋め込まれ
ており、その分だけ、シール領域における基板間ギャッ
プｈ１は広がる。従って、画像表示領域における基板間
ギャップｈ２を相対的に狭くしつつも、比較的基板間ギ
ャップｈ１が大きいシール領域においてギャップ制御を
行える。例えば比較的大径のファイバ状やビーズ状のギ
ャップ材５５をシール材５２内に混入することにより、
より精度の高いギャップ制御を比較的容易に行える。更
に、このようなギャップ制御を４つの辺について等しく
行うことにより、ギャップ制御の精度をより高められ
る。ここで、図８において点線で囲った部分に障壁５６
を設けることにより、シール材５２ばかりでなく、ギャ
ップ材５５の液晶層５０への侵入を防ぐことができ、液
晶層５０へ不純物が混入することにより生じる表示ムラ
を防止することができる。

【００６４】以上説明したように、本実施形態の液晶装
置によれば、高精細の画像表示に対応すべく画像表示領
域１０ａにおける基板間ギャップを狭くしつつも液晶封
入を良好に行うことが可能であり、最終的に封入スジ等
が低減された高品位の画像表示が可能な液晶装置を実現
できる。

【００６５】（液晶装置の製造プロセス）次に、本実施
形態の液晶装置の製造プロセスについて図９及び図１０
を参照して説明する。

【００６６】先ず、図９を参照して、ＴＦＴアレイ基板
１０側の液晶装置部分の製造プロセスについて説明す
る。ここに図９は、図５と同じく図３のＢ−Ｂ’断面に
対応する個所に形成される各層を、順を追って示す工程
図である。

【００６７】図９の工程（１）において、先ず石英基板
等の基板１０’が用意され、工程（２）において、ウエ
ットエッチング若しくはドライエッチング又はこれら両
者の組み合わせにより、埋め込むべきパターン部に対応
する領域に溝１０ｂを形成して、ＴＦＴアレイ基板１０
とする。次に、工程（３）において、第１層間絶縁膜１
２を形成する。次に工程（４）において第２層間絶縁膜
４を形成する。この際、画像表示領域１０ａでは、これ
らの層間絶縁膜により相互に分離された各種の導電層、
半導体層等により、ＴＦＴ３０や走査線３ａ等が形成さ
れる。これと平行して、周辺領域では、これらの層間絶
縁膜により相互に分離された各種の導電層、半導体層等
により、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０
４を構成するＴＦＴ等の回路素子や各種の配線、端子な
どが形成される。前述のようにこれらの画素部や周辺領
域においても、パターン部は適宜溝内に埋め込まれる。

【００６８】次に、工程（５）において、第２層間絶縁
膜１２上に、スパッタリング等によりＡｌ等の導電膜が
形成され、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、
引き出し配線３０６を含むパターン部が当該Ａｌ等の導
電膜から形成される。この際、画像表示領域１０ａで
は、データ線６ａ等が形成され、周辺領域では、画像信
号線３０４や外部回路接続端子１０２などが形成され
る。

【００６９】次に、工程（６）において、第３層間絶縁
膜７が形成される。次に工程（７）において、第３層間
絶縁膜７上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等から画
素電極９ａが形成される。

【００７０】以上の図９の工程（１）から工程（７）に
より、ＴＦＴアレイ基板１０上にＴＦＴや各種配線等が
形成された素子基板が製造される。

【００７１】次に、以上のようにＴＦＴ等が形成された
ＴＦＴアレイ基板１０と、対向電極が形成された対向基
板２０とを用いての液晶セルの組み立て及び液晶封入等
に係る液晶装置の製造プロセスについて図１０を参照し
て説明する。ここに、図１０は、製造プロセスを順を追
って示すプロセスフローチャートである。

【００７２】図１０において一方で、ＴＦＴアレイ基板
１０側のプロセスとしては、ＴＦＴ等が形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０に対して、先ず、これに付着した汚れ
やゴミ、埃を除去するための受け入れ洗浄を行う（ステ
ップＳ１）。次に、配向膜２１の形成を行う（ステップ
Ｓ２）。具体的には、例えば配向膜１６の材料であるポ
リイミド系材料を基板の全面に塗布した後に焼成を行
う。次に、形成された配向膜１６に対する配向処理を、
その表面を一定方向に擦るラビング処理により行う（ス
テップＳ３）。次に、シール領域に対して、ギャップ材
を添加・分散した後にシール材５２を印刷するか或いは
ギャップ材を混入したシール材５２を印刷し（ステップ
Ｓ４）、更に、上下導通材１０６をシール材５２の四隅
に塗布する（ステップＳ５）。

【００７３】図１０において他方で、対向基板２０側の
プロセスとしては、対向電極が形成された対向基板２０
に対して、先ず、これに付着した汚れやゴミ、埃を除去
するための受け入れ洗浄を行う（ステップＳ６）。次
に、配向膜２２の形成を行う（ステップＳ７）。具体的
には、ポリイミド系材料を基板の全面に塗布した後に焼
成を行う。次に、形成された配向膜２２に対する配向処
理を、その表面を一定方向に擦るラビング処理により行
う（ステップＳ８）。

【００７４】図１０において、ステップＳ１からＳ５を
経たＴＦＴアレイ基板１０とステップＳ６からＳ８を経
た対向基板２０とを、シール材５２により貼り合わせ
（ステップＳ９）、精度良くアラインメントした後（ス
テップＳ１０）、基板間ギャップを所望の液晶セルギャ
ップとなるまで加圧下で締め付けて圧着する（ステップ
Ｓ１１）。シール材５２中に添加・分散されたギャップ
材により、このような所望の基板間ギャップが得られ
る。

【００７５】次に、シール材５２に対して、紫外線照
射、加熱或いはそれらの両者により、シール材５２を硬
化させる（ステップＳ１２）。

【００７６】次に、真空雰囲気下で滴下領域６１（図３
参照）に液晶を滴下することにより真空注入工程が行わ
れる（ステップＳ１３）。この際、本実施形態では特
に、液晶注入口６０が広くされており、滴下領域６１の
高さも低くされており、埋め込まれたサンプリング回路
３０１が液晶の進行を妨害することもなく、液晶封入は
迅速且つ良好に行われる。この結果、不十分な液晶封入
や封入速度のバラツキに起因した封入スジを低減するこ
とが可能となる。

【００７７】次に、封止材５４により液晶注入口を封止
する（ステップＳ１４）。

【００７８】次に、液晶を一旦等方相転移温度以上の高
温度にして等方処理する。即ち、ネマチック相を等方相
に相転移した後に再配向させる高温処理を行う（ステッ
プＳ１５）。これにより、液晶の配向状態を、流動方向
ではなく配向膜のラビング方向により大きく依存させる
ことができる。本実施形態では特に、上述のように液晶
封入が迅速且つ良好に行われているため、当該等方処理
が効果的に作用し、封入スジの発生が顕著に抑えられ
る。

【００７９】次に、マザー基板上に複数形成されている
ＴＦＴアレイ基板１０を図１及び図２に示したような液
晶装置に分断した後（ステップＳ１６）、再び洗浄し
（ステップＳ１７）、更に、所定の配線や素子の導通・
絶縁検査や表示むらの検査等を行った後（ステップＳ１
８）、外部配線の接続、偏光板、位相差フィルム等の貼
り付けなどの実装処理が行われて（ステップＳ１９）、
液晶装置が完成する。

【００８０】以上、詳細に説明した本実施形態の製造方
法によれば、ＴＦＴアレイ基板１０における液晶注入口
６０に対向する部分が凹状に形成され、その後、この液
晶注入口６０を介して真空注入されるので、このように
凹状に形成されていない場合と比較して広い液晶注入口
６０を介して液晶注入を行える。従って、画素ピッチの
微細化を推進すべく基板間のギャップを狭くしても、液
晶を十分に注入することができ、注入速度を適度に維持
すると共に液晶セル内にまんべんなく液晶を封入でき
る。

【００８１】しかも、広い液晶注入口６０等の採用によ
る、真空注入にかかる時間自体の短縮に応じて、真空注
入後に行われる等方処理（ステップＳ１５）までの時間
も短縮される。ここに、液晶の封入状況に応じて発生す
る流動配向は、等方処理を施すまでの時間が長い程、等
方処理による回復がより困難になる性質をも有するた
め、このように真空注入にかかる時間を短縮することに
よっても、最終的に残る封入スジを低減できる。加え
て、真空注入工程を短時間で行うことは、スループット
の向上と低コスト化を図ることにもつながる。

【００８２】以上のように本実施形態の製造方法によ
り、表示画面内の封入スジが殆ど無く、高精細の画像表
示が可能な液晶装置を製造可能である。そして特に、ギ
ャップ材が液晶層５０中に散布されていない（即ち、ギ
ャップ材がシール材中に散布されている）小型の液晶装
置に本発明を適用した場合に、顕著な効果が期待でき
る。尚、本願発明を、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動
方式以外の、ＴＦＤアクティブマトリクス方式、パッシ
ブマトリクス駆動方式などいずれの方式の液晶装置に適
用しても、適当な流動速度で液晶注入が行われる結果、
封入スジが低減されると共に製造プロセスの短時間化を
図ることが可能である。更に、駆動回路内蔵型の液晶装
置（図１及び図２参照）のみならず、駆動回路を外付け
する型の液晶装置に、本発明を適用しても、やはり封入
スジが低減されると共に製造プロセスの短時間化を図る
ことが可能である。

【００８３】以上説明した実施形態における液晶装置で
は、対向基板２０の外面及びＴＦＴアレイ基板１０の外
面には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モー
ド、ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワ
イトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、
偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方
向で配置される。

【００８４】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう液晶装置或いはその製
造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の液晶装置の全体構成を示す
平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【図３】図１のＣ１部分の拡大図である。

【図４】図３のＡ−Ａ’断面図（図４（ａ））及びその
変形例の断面図（図４（ｂ））である。

【図５】図３のＢ−Ｂ’断面図である。

【図６】本発明の実施形態の液晶装置の回路図である。

【図７】図１のＣ２部分の拡大図である。

【図８】図７のＣ−Ｃ’断面図である。

【図９】本実施形態の製造方法における図３のＢ−Ｂ’
断面に対応する個所に形成される各層を、順を追って示
す工程図である。

【図１０】本実施形態の製造方法のプロセスフローチャ
ートである。

【符号の説明】 １０…ＴＦＴアレイ基板 ２０…対向基板 １６…配向膜 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…額縁 ５４…封止材 ６０…液晶注入口 ６１…滴下領域 １０１…データ線駆動回路 １０４…走査線駆動回路 ３０１…サンプリング回路 ３０６…引き出し配線

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の第１及び第２基板間に液晶が封入
   されてなり、 前記液晶の周囲に位置すると共に前記液晶の注入口を除
   く所定のシール領域において前記第１及び第２基板を相
   互に貼り合せるシール材と、前記注入口を塞ぐ封止材と
   を備えており、 前記第１基板及び前記第１基板の前記液晶側の面上に形
   成される一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記注入
   口に対向する部分が凹状に形成されていることを特徴と
   する液晶装置。
2. 【請求項２】 前記第１基板は、前記第２基板に対向し
   ない張り出し部分を含み、該張り出し部分に面する側に
   前記注入口が配置されており、 前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方
   は、前記張り出し部分上において前記注入口に隣接する
   滴下領域に対向する部分も凹状に形成されていることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 【請求項３】 前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち
   少なくとも一方は、前記シール領域に対向する部分も凹
   状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に
   記載の液晶装置。
4. 【請求項４】 前記シール領域における前記第１及び第
   ２基板間のギャップが、画像表示領域の輪郭を規定する
   額縁領域における前記第１及び第２基板間のギャップよ
   り大きいことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
5. 【請求項５】 前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち
   少なくとも一方は、画像表示領域の輪郭を規定する額縁
   領域のうち、前記シール領域の前記注入口が設けられて
   いない各辺と前記画像表示領域との間にある領域に対向
   する部分は、凹状に形成されておらず、 前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方
   は、前記額縁領域のうち、前記シール領域の前記注入口
   が設けられている一辺と前記画像表示領域との間にある
   領域に対向する部分は、凹状に形成されていることを特
   徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装
   置。
6. 【請求項６】 前記第１基板上には、所定の平面パター
   ンを有するパターン部が形成されており、 前記凹状に形成された部分に、前記パターン部が埋め込
   まれていることを特徴とする請求項１から５のいずれか
   一項に記載の液晶装置。
7. 【請求項７】 前記パターン部は、前記注入口が設けら
   れたシール領域の一辺に対して整列された複数のパター
   ン部分を含み、 前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方
   は、前記注入口に対向する部分のみならず前記シール領
   域の一辺に対向する部分が凹状に形成されており、前記
   複数のパターン部分は、前記凹状に形成された部分に一
   様に埋め込まれていることを特徴とする請求項６に記載
   の液晶装置。
8. 【請求項８】 前記パターン部は、前記液晶に対面する
   領域内に配線された内部配線と該内部配線から前記液晶
   の周囲に引き出される引き出し配線とを含み、 前記引き出し配線は前記注入口に対向する領域において
   埋め込まれていることを特徴とする請求項６又は７に記
   載の液晶装置。
9. 【請求項９】 前記パターン部は、前記液晶に対面する
   領域内に配線されたデータ線と、前記シール領域の内側
   に沿って位置する額縁領域のうち前記注入口付近にある
   一辺に配置されており画像信号をサンプリングして前記
   データ線に供給するサンプリング回路とを含み、 前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方
   は、前記サンプリング回路に対向する部分も凹状に形成
   されており、前記サンプリング回路は凹状に形成された
   部分に埋め込まれていることを特徴とする請求項６から
   ８のいずれか一項に記載の液晶装置。
10. 【請求項１０】 前記シール材には、前記第１及び第２
    基板とを所定ギャップで貼り合わせるためのギャップ材
    が混入されていることを特徴とする請求項１から９のい
    ずれか一項に記載の液晶装置。
11. 【請求項１１】 一対の第１及び第２基板間に液晶が封
    入されてなる液晶装置を製造する液晶装置の製造方法で
    あって、 前記第１基板及び前記第１基板の前記液晶側の面上に形
    成される一の絶縁膜のうち少なくとも一方における前記
    液晶の注入口に対向する部分を凹状に形成する工程と、 前記液晶の周囲に位置すると共に前記注入口を除く所定
    のシール領域において前記第１及び第２基板をシール材
    により相互に貼り合せる工程と、 前記第１及び第２基板間に前記液晶を前記注入口を介し
    て真空注入する工程と、 前記真空注入工程の後に封止材により前記注入口を塞ぐ
    封止工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方
    法。