CN102139863A - 一种利用坩埚提纯碲的方法 - Google Patents
一种利用坩埚提纯碲的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102139863A CN102139863A CN 201110113477 CN201110113477A CN102139863A CN 102139863 A CN102139863 A CN 102139863A CN 201110113477 CN201110113477 CN 201110113477 CN 201110113477 A CN201110113477 A CN 201110113477A CN 102139863 A CN102139863 A CN 102139863A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tellurium
- quartz crucible
- crucible
- purity
- purification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种利用坩埚提纯碲的方法。该方法的步骤如下:电子级纯度的石英坩埚在使用前用清洗,最后氮气吹干;将碲料放入石英坩埚,石英坩埚放入加热炉加热到400-500℃;加热炉预抽真空5Pa以下,在整个提纯过程中,以高纯氢气作为保护气氛;在整个提纯过程中,需均匀磁力搅拌熔体。去除铸造碲表层杂质,得到3N~4N的碲。本发明采用电子级纯度的石英坩埚提纯99%的工业碲,石英坩埚呈扁平长方体结构,有利于杂质的扩散挥发,整个过程中采用高纯氢气作为保护气氛,兼除杂作用,提纯方法简单,这种碲再经提纯以后,可用于太阳能电池、LED、热电、红外等半导体材料领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种碲的制备方法,具体的说是涉及一种利用坩埚提纯碲的方法。
背景技术
高纯碲广泛用于半导体材料,如CdTe、HgCdTe、CdZnTe、PbTe、BiTe是制备太阳能电池、红外测材料、电光调制器、射线探测材料和致冷材料等的主要材料。由于即使很微量(10-5级)的杂质也会导致材料电性能变差,碲的纯度是直接影响材料性能的重要因素。
目前,一般采用电解法得到含量99.99%的碲,采用多次真空蒸馏和区熔组成物理提纯工艺来制备高纯碲。电解法工艺复杂、产品收率低;真空蒸馏对硒、砷、铅、钠等杂质分离效果差,而且要求有良好的真空系统;区域熔炼能获得高纯碲,但操作要求严格,能耗大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用坩埚提纯碲的方法,以含量为99%的工业碲为原料,将硒、钠等杂质与碲进行分离,获得经济价值更高的纯碲。
本发明采用的技术方案的步骤如下:
1)电子级纯度的石英坩埚在使用前用体积分数为1%HF酸和王水混合溶液清洗,再用去离子水清洗,最后氮气吹干备用;
2)将碲料放入所述的石英坩埚,石英坩埚放入加热炉加热到400-500℃;
3)加热炉预抽真空5Pa以下,在整个提纯过程中,以高纯氢气作为保护气氛;
4)在整个提纯过程中,需均匀磁力搅拌熔体。
5)去除铸造碲表层杂质,得到3N~4N的碲。
2、如权利要求1所述的一种利用坩埚提纯碲的方法,其特征在于:所述的石英坩埚为扁平方形体结构,长∶宽∶高=2∶1∶0.5~1∶2∶0.3。
本发明具有的有益效果是:
本发明采用电子级纯度的石英坩埚提纯99%的工业碲,制备出3N~4N的碲,石英坩埚呈扁平长方体结构,有利于杂质的扩散挥发,整个过程中采用高纯氢气作为保护气氛,兼除杂作用,提纯方法简单,这种碲再经提纯以后,可用于太阳能电池、LED、热电、红外等半导体材料领域。
具体实施方式
实施例1:
坩埚尺寸为825*825*250,将石英坩埚用体积比1%HF∶王水=1∶5混合溶液清洗40分钟,再用去离子水清洗3次,最后氮气吹干,加入99%工业碲块,料厚高度为100mm,以高纯氢气作为保护气氛,加热到400℃,待碲料全部熔化后,恒温保持60分钟,期间匀速搅拌熔体,刮除熔体表面浮渣。待熔体冷却凝固后,取样分析,碲纯度达到99.97%。
实施例2:
坩埚尺寸为825*425*250,将石英坩埚用体积比1%HF∶王水=1∶5混合溶液清洗60分钟,再用去离子水清洗5次,最后氮气吹干,加入99%工业碲块,料厚高度为100mm,以高纯氢气作为保护气氛,加热到450℃,待碲料全部熔化后,恒温保持40分钟,期间匀速搅拌熔体,刮除熔体表面浮渣。待熔体冷却凝固后,取样分析,碲纯度达到99.991%。
实施例3:
坩埚尺寸为425*825*200,将石英坩埚用体积比1%HF∶王水=1∶5混合溶液清洗30分钟,再用去离子水清洗2次,最后氮气吹干,加入99%工业碲块,料厚高度为80mm,以高纯氢气作为保护气氛,加热到500℃,待碲料全部熔化后,恒温保持30分钟,期间匀速搅拌熔体,刮除熔体表面浮渣。待熔体冷却凝固后,取样分析,碲纯度达到99.98%。
Claims (2)
1.一种利用坩埚提纯碲的方法,其特征在于该方法的步骤如下:
1)电子级纯度的石英坩埚在使用前用体积分数为1%HF酸和王水混合溶液清洗,再用去离子水清洗,最后氮气吹干备用;
2)将碲料放入所述的石英坩埚,石英坩埚放入加热炉加热到400-500℃;
3)加热炉预抽真空5Pa以下,在整个提纯过程中,以高纯氢气作为保护气氛;
4)在整个提纯过程中,需均匀磁力搅拌熔体。
5)去除铸造碲表层杂质,得到3N~4N的碲。
2.如权利要求1所述的一种利用坩埚提纯碲的方法,其特征在于:所述的石英坩埚为扁平方形体结构,长∶宽∶高=2∶1∶0.5~1∶2∶0.3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110113477 CN102139863A (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 一种利用坩埚提纯碲的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110113477 CN102139863A (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 一种利用坩埚提纯碲的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102139863A true CN102139863A (zh) | 2011-08-03 |
Family
ID=44407688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110113477 Pending CN102139863A (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 一种利用坩埚提纯碲的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102139863A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112758901A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-07 | 清远先导材料有限公司 | 一种高纯碲的制备方法 |
CN113387336A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-14 | 中南大学 | 一种从碲锭中脱硒的方法 |
CN113957543A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-01-21 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种去除超高纯碲表面杂质的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59169908A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-26 | Nippon Mining Co Ltd | テルルの精製方法 |
JPS6472906A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Dowa Mining Co | Method for refining tellurium |
JPS6472907A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Dowa Mining Co | Production of high purity tellurium |
CN101648701A (zh) * | 2009-09-16 | 2010-02-17 | 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司 | 粗碲的还原熔炼和扒渣提纯的方法 |
CN101844750A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-09-29 | 中南大学 | 一种含碲物料制备高纯碲的方法 |
-
2011
- 2011-05-03 CN CN 201110113477 patent/CN102139863A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59169908A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-26 | Nippon Mining Co Ltd | テルルの精製方法 |
JPS6472906A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Dowa Mining Co | Method for refining tellurium |
JPS6472907A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Dowa Mining Co | Production of high purity tellurium |
CN101648701A (zh) * | 2009-09-16 | 2010-02-17 | 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司 | 粗碲的还原熔炼和扒渣提纯的方法 |
CN101844750A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-09-29 | 中南大学 | 一种含碲物料制备高纯碲的方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112758901A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-07 | 清远先导材料有限公司 | 一种高纯碲的制备方法 |
CN112758901B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-08-01 | 清远先导材料有限公司 | 一种高纯碲的制备方法 |
CN113387336A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-14 | 中南大学 | 一种从碲锭中脱硒的方法 |
CN113387336B (zh) * | 2021-06-15 | 2022-05-20 | 中南大学 | 一种从碲锭中脱硒的方法 |
CN113957543A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-01-21 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种去除超高纯碲表面杂质的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102153054A (zh) | 一种高纯碲的制备方法 | |
CN100372762C (zh) | 一种制备太阳能级多晶硅的方法 | |
CN101475174B (zh) | 一种提纯工业硅制备太阳能级硅的方法 | |
CN101018877A (zh) | 精制金属的方法 | |
TW201029056A (en) | Method for producing a dopant profile | |
CN101481111A (zh) | 一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法 | |
Sun et al. | Preparation of high pure tellurium from raw tellurium containing Cu and Se by chemical method | |
CN102618734B (zh) | 一种制备高纯度镓的规模化生产方法 | |
CN102139863A (zh) | 一种利用坩埚提纯碲的方法 | |
CN102249250B (zh) | 一种二氧化硅的提纯方法 | |
CN102229430A (zh) | 一种冶金法制备太阳能多晶硅的技术方法 | |
CN101698481B (zh) | 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法 | |
CN101293653A (zh) | 一种提纯硅废料制备高纯硅的方法 | |
CN102107874B (zh) | 一种低温去除硅中硼磷的方法 | |
NO329987B1 (no) | Halvkontinuerlig fremgangsmate for dannelse, separasjon og smelting av store, rene silisiumkrystaller | |
CN101723377A (zh) | 硅提纯方法及装置 | |
CN101775650B (zh) | 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法 | |
CN106517106A (zh) | 一种高纯碲的高效提纯方法 | |
CN106477536A (zh) | 一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法 | |
CN104513904A (zh) | 超纯锑制备工艺 | |
CN101362602A (zh) | 铸锭边皮和头料的拉制提纯方法 | |
CN103693647A (zh) | 一种低温去除硅中硼磷的方法 | |
CN106350865B (zh) | 高纯度多晶硅片的制备方法 | |
CN101759188B (zh) | 一种铝熔体提纯金属硅的方法 | |
CN101367523A (zh) | 铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110803 |