CN102098020A - 表面安装晶体振荡器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够实现小型化、提高品质、提高生产率的表面安装晶体振荡器及其制造方法。该表面安装晶体振荡器，在形成于矩形的陶瓷衬底(1)的角部的贯通孔(9)的壁面上形成直通端子(5x)，在陶瓷衬底(1)的表面上保持晶片(2)的晶体保持端子(4)的引出端子(4a)连接到对角的直通端子(5x)上，并且在陶瓷衬底(1)的背面形成连接到直通端子(5x)的安装端子(5a、5b)，另外，将金属盖的经由溶融树脂(8)而接合到陶瓷衬底(1)上的开口端面设为具有倾斜面的突缘(3a)。

Description

表面安装晶体振荡器及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种表面安装用的晶体振荡器，特别涉及能够提高生产率、实现小型化的表面安装晶体振荡器及其制造方法。

背景技术

表面安装晶体振荡器体积小、重量轻，所以作为频率、时间的基准源而特别内置在便携式的电子设备中。

以往的表面安装晶体振荡器有在陶瓷基板上搭载晶片2，并将凹状的盖倒转覆盖而进行密闭封装的。近年来，有频率偏差Δf/f比较平缓、例如为±150～±250ppm的廉价的民用表面安装晶体振荡器。

此外，作为相关的现有技术，有日本特开2007-158419号公报“表面実装水晶発振器”(日本电波工业株式会社)[专利文献1]、日本特开2003-179456号公报“水晶製品用表面実装容器及びこれを用いた水晶製品”(日本电波工业株式会社)[专利文献2]、以及日本特开2001-110925号公报“導電性キヤツプ、電子部品及び導電性キヤツプの

被膜形成方法”(株式会社村田制作所)[专利文献3]。

在专利文献1中示出如下结构：在表面安装晶体振荡器中，在IC芯片2上搭载晶片3，在安装基板4上形成IC芯片2等，并设有金属盖5。

另外，在专利文献2中示出如下结构：在晶体产品用表面安装容器中，在单层基板1A上经由晶体端子6而设置晶片3，并用盖2进行密闭封装。

另外，在专利文献3中示出如下结构：将覆盖形成在基板2上的压电元件4的金属套3的与基板2的接触面设为内侧侧面为曲线。

发明内容

然而，在上述现有的表面安装晶体振荡器中，存在如下问题：在设为将近年来日益小型化了的晶片搭载到基板上、并进一步用盖进行密闭封装了的结构的情况下，难以减少不合格率而提高生产率、提高质量。

具体而言，需要解决的是在将晶片和盖小型化了的情况下，利用导电性粘接剂连接到晶片上，并且使保持晶体振荡器的晶体保持端子、和从该晶体保持端子引出到电极的引出端子不发生电气短路(short)，而以现有的结构无法充分应对小型化。

另外，虽然在专利文献3中有关于接触到基板的金属套的记载，但是并不能应用到考虑了小型化的与引出端子的关系中。

本发明就是鉴于上述实际情况而做出的，其目的在于提供一种能够实现小型化且提高质量、提高生产率的表面安装晶体振荡器及其制造方法。

另外，用于解决上述现有例子的问题的本发明是一种表面安装晶体振荡器，在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子保持晶片，并经由溶融树脂的密封材料而利用金属盖进行密封，该表面安装晶体振荡器，在形成于基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子，在基板的表面上从第1晶体保持端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子上，从第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上，并且在基板的背面形成连接到直通端子的安装端子，金属盖的经由溶融树脂而接合到陶瓷基板上的开口端面为具有倾斜面的突缘，该表面安装晶体振荡器具有能够实现小型化、防止短路而提高质量、提高生产率的效果。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器中，晶片的一个引出电极和另一个引出电极向相反方向引出，第1晶体保持端子和第2晶体保持端子为在两端保持晶片的双支撑类型。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器中，在引出第1引出端子的端部，利用导电性粘接剂连接第1晶体保持端子和晶片的一个引出电极，在引出第2引出端子的端部，利用导电性粘接剂连接第2晶体保持端子和晶片的另一个引出电极。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器中，第1晶体保持端子中的未形成导电性粘接剂的一侧的端部，形成得比一个引出电极的端部向内侧靠近，第2晶体保持端子中的未形成导电性粘接剂的一侧的端部，形成得比另一个引出电极的端部向内侧靠近。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器中，晶片的一个引出电极和另一个引出电极向同方向引出，第1晶体保持端子和第2晶体保持端子为在一端保持晶片的单支撑类型。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器中，在引出第1引出端子的端部，利用导电性粘接剂连接第1晶体保持端子和向晶片的一边引出的一个引出电极，在引出另一个引出电极的晶片的一边，利用导电性粘接剂连接第2晶体保持端子和向晶片的一边引出的另一个引出电极，第2引出端子从利用该导电性接剂连接的第2晶体保持端子的位置通过晶片的下方，连接到与引出第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器中，金属盖的开口端面的突缘具有从内侧向外侧下降的倾斜面、或从内侧向外侧上升的倾斜面。

本发明提供一种表面安装晶体振荡器的制造方法，该表面安装晶体振荡器在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子来保持晶片，并经由溶融树脂的密封材料而利用金属盖密封，该制造方法具备如下所述的处理：在薄片状的陶瓷坯料上形成确定各个陶瓷基板的区域的断裂线(break line)，在该区域的角部形成贯通孔并进行焙烧，从而形成薄片状的陶瓷衬底；在贯通孔的壁面上形成直通端子的金属层，并且在陶瓷衬底的表面上形成第1晶体保持端子以及从该端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子上、从第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上那样的金属层的图案，并且在陶瓷衬底的背面形成连接到直通端子的安装端子的金属层的图案；在第1以及第2晶体保持端子上搭载晶片；使用连接到第1晶体保持端子的安装端子和连接到第2晶体保持端子的安装端子进行振荡频率的调整；以及将金属盖的经由溶融树脂而接合到陶瓷基板上的开口端面具有倾斜面的突缘浸渍到溶融树脂溶液中，在突缘的下表面形成溶融树脂的积存部，并在形成有积存部的状态下固定到陶瓷基板上。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器的制造方法中，向晶片的表面侧的激励电极照射气态离子而削去表面，减小该激励电极的质量，而将振荡频率从低的一方向高的一方调整。

另外，本发明在上述表面安装晶体振荡器的制造方法中，在激励电极上附加金属膜，将振荡频率从高的一方向低的一方调整。

附图说明

图1是本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器的剖面说明图。

图2是本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器的平面说明图。

图3是用于说明晶体保持端子的图案的平面概要图。

图4是用于说明安装端子的图案的平面概要图。

图5是表示金属盖的配置偏移的平面说明图。

图6是在薄片状的陶瓷板上形成了通孔和断裂线的图。

图7是在薄片状的陶瓷板上形成了晶体保持端子的图案的图。

图8是在薄片状的陶瓷板上形成了安装端子的图案的图。

图9是表示第1树脂涂敷工序的剖面说明图。

图10是表示第2树脂涂敷工序的剖面说明图。

图11是将没有倾斜面的突缘浸渍到溶融树脂中的剖面说明图。

图12是将没有倾斜面的突缘从溶融树脂中提起的剖面说明图。

图13是表示其它的突缘方式的剖面说明图。

图14是其它实施方式中的表面安装晶体振荡器的平面说明图。

附图标记说明

1：陶瓷衬底(基板)；1A：薄片状陶瓷衬底；2：晶片；3：金属盖(盖)；3a：突缘；4：晶体保持端子；4a、4b：引出端子；5a、5b：安装端子；5x：直通端子；6a：激励电极；6b：引出电极；7：导电性粘接剂；8：密封材料(溶融树脂)；8A：溶融树脂溶液；9：通孔(贯通孔)

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式。

[实施方式的概要]

本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器，在形成于矩形陶瓷基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子，在基板的表面上保持晶片的晶体保持端子的引出端子连接到对角的直通端子上，并且在基板的背面形成连接到直通端子的安装端子，另外，改良了覆盖晶片的金属盖的对基板的接触面，该表面安装晶体振荡器实现了小型化、并且防止短路而提高了质量、提高了生产率。

[表面安装晶体振荡器的结构：图1]

参照图1说明本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器。图1是本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器的剖面说明图。

如图1所示，本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器(本振荡器)，经由导电性粘接剂7而将晶片2搭载到形成在陶瓷衬底(基板)1上的晶体保持端子4上，并且使凹状的金属盖(盖)3倒转并接合到陶瓷衬底1上而进行密闭封装。

另外，在基板1的侧面形成直通端子5x，并连接到从形成在基板1的表面上的晶体保持端子4引出的引出端子4a上，且与形成在基板1的背面的安装端子5a连接。

直通端子5x形成在通孔(贯通孔)9的侧壁上，该通孔9形成在基板1的四角上。

另外，在基板1和盖3的接触部分之间形成具有绝缘性的密封材料8。

特别是，盖3的接触部分不是做成“L”字型，而是做成从内侧到外侧向倾斜方向张开的形状。

这么做是为了在盖3和基板1之间容易形成密封材料8并且易于盖3的配置，涂敷量也均匀而保持密闭性，并且密封材料8的剩余部分不会附着到内部的晶片2上。

具体的方法将后述。

[表面安装晶体振荡器的平面特征：图2]

接下来，参照图2说明本振荡器的平面特征。图2是本发明的实施方式中的表面安装晶体振荡器的平面说明图。

如图2所示，本振荡器在陶瓷衬底(基板)1上对置地形成用于保持晶片2的两端的晶体保持端子4，从晶体保持端子4的端部向最近的基板1的角部引出并形成引出端子4a，并连接到直通端子5x。即，两个引出端子4a连接到反方向的角部的直通端子5x上。

向基板1的角部引出引出端子4a并在角部连接到直通端子5x是因为与向基板1的水平方向或者垂直方向引出引出端子的情况相比，能够获得距离，因此即使金属盖3的位置发生偏移，也能避免晶体保持端子4和直通端子5x经由金属盖3而短路。

而且，在引出了引出端子4a的晶体保持端子4的端部，晶片2和晶体保持端子4通过导电性粘接剂7而连接。

如图2所示，由于是晶体保持端子4在晶片2的两端部保持晶片2的结构，因此称作“双支撑”类型。

关于晶体保持端子4的特征图案将后述。

[表面安装晶体振荡器的各部分]

陶瓷衬底(基板)1，作为由矩形的单板构成的平板状在一个主面(表面)的两端侧形成晶体保持端子4，在另一个主面(背面)的四角部形成安装端子5a、5b。

而且，形成在背面的四角部的安装端子5a、5b连接到形成在通孔9的壁面上的直通端子5x。

在此，安装端子5a是经由直通端子5x而连接到引出端子4a的端子，安装端子5b是连接到直通端子5x但未连接到引出端子4a的端子。

设晶片2为AT切割，对置的激励电极6a形成在两个主面中。

另外，晶片2形成从激励电极6a向相互相反方向的两端部延伸而在宽度方向的整个宽度范围内折返的引出电极6b。

而且，引出电极6b延伸的一组对角部(端部)通过作为导电材料的导电性粘接剂7而固定在晶体保持端子4上，将引出电极6b和晶体保持端子4进行电/机械连接。

金属盖3为凹状的形状，开口端面以从L字型内侧向外侧沿倾斜方向张开的形状折弯，在基板1的外周表面通过作为绝缘性的密封材料8的树脂而接合到基板1上。树脂使用溶融树脂。

具体而言，金属盖3的开口部具备做成向外侧的终端下降的斜坡(倾斜面)的突缘3a。详细情况通过图9、10进行说明。

晶体保持端子4是保持晶片2的结构，由Ag(银)Pd(钯)合金形成。另外，从晶体保持端子4的端部向最近的基板1的角部形成引出端子4a。

在形成于基板1的四角的通孔(贯通孔)9的侧壁上形成直通端子5x，且用与晶体保持端子4相同的AgPd合金形成。

另外，引出端子4a在基板1的四角部分(角部)连接到直通端子5x。

其中，因为引出端子4a形成在基板1的对角线上，所以在该对角线上的角部连接到直通端子5x，而在另一个对角线上的角部，直通端子5x未连接到引出端子4a。

安装端子5a、5b形成在基板1的背面的四角处，并在基板1的角部连接到直通端子5x。

如上所述，在直通端子5x中有的连接到引出端子4a而有的未连接到引出端子4a，在基板1的背面，进行利用测量装置使安装端子5a彼此接触而激发的测试，并进行后述的振荡频率的调整，其中所述安装端子5a与连接到引出端子4a的直通端子5x连接。

导电性粘接剂7将晶片2的引出电极6b和晶体保持端子4进行电气以及机械连接。

密封材料(溶融树脂)8被设置为：通过绝缘性且接合性的溶融树脂将盖3固定到基板1上，并且使盖3的接触面不与引出端子4a等接触(短路)。

通孔(贯通孔)9是在基板1被分割之前的陶瓷薄片的状态下，与断裂线同时形成的，其被形成为在所分割出的基板1的四角部分(角部)贯通表面和背面。

[晶体保持端子的图案：图3]

接下来，参照图3说明晶体保持端子4和引出端子4a的具体图案。图3是用于说明晶体保持端子的图案的平面概要图。

如图3所示，晶体保持端子4的图案与基板1的中央对置而形成，未形成引出端子4a的端部与现有的晶体保持端子相比短了长度L。这是为了即使金属盖3接触到一个晶体保持端子4，也能防止接触到另一个晶体保持端子4，从而避免短路。

[本振荡器的背面的安装端子5a的图案：图4]

另外，在基板1的背面，安装端子5a、5b的图案为如图4所示的图案，在基板1的四角矩形的金属图案连接到形成在贯通孔9的壁面上的直通端子5x。

图4是用于说明安装端子的图案的平面概要图。

[金属盖的配置偏移：图5]

接下来，参照图5说明本振荡器中的金属盖3的配置偏移。图5是表示金属盖的配置偏移的平面说明图。

以图2的虚线表示的位置表示金属盖3被正常地配置时的接触面，以图5的虚线表示的位置表示发生了金属盖3的配置偏移时的接触面。

虽然产生了金属盖3的配置偏移，但是因为设为晶体保持端子4与现有技术相比短了长度L，且与引出电极6b的长度方向的端部相比使该晶体保持端子4的端部向内侧靠近，所以即使金属盖3接触到另一个晶体保持端子4，在该晶体保持端子4的端部也不会与金属盖3接触，因此能够避免一个晶体保持端子4和另一个晶体保持端子4经由金属盖3而短路。

具体地说，在图5中，即使金属盖3的开口端面部的下侧在水平方向上接触到一个晶体振荡器4，但在相同的水平方向上金属盖3不会接触到另一个晶体保持端子4，因此能够避免短路。

[本振荡器的制造方法：图6～10]

接下来，参照图6～10说明本振荡器的制造方法。图6是在薄片状的陶瓷板上形成了通孔和断裂线的图，图7是在薄片状的陶瓷板上形成了晶体保持端子的图案的图，图8是在薄片状的陶瓷板上形成了安装端子的图案的图，图9是表示第1树脂涂敷工序的剖面说明图，图10是表示第2树脂涂敷工序的剖面说明图。

[第1工序：图6/薄片状陶瓷坯料焙烧]

首先，形成作为薄片状陶瓷衬底1A的基础的薄片状陶瓷坯料。

如图6所示，在薄片状陶瓷坯料上形成断裂线，并在其四角部(角部)形成贯通孔9，所述断裂线与各个陶瓷衬底1相对应而划分相邻的区域。

然后，对形成有贯通孔9的薄片状陶瓷坯料进行焙烧，得到薄片状陶瓷衬底1A。

[第2工序：图7、图8/电路图案的形成]

接下来，在薄片状陶瓷衬底1A的与电路图案相对应的区域，通过使用掩模的印刷来形成AgPd合金的金属焊膏。

关于电路图案，在一个主面(表面)上，如图7所示地形成晶体保持端子4的图案，在另一个主面(背面)上，如图8所示地形成安装端子5a、5b的图案，进而在贯通孔9的壁面上形成直通端子5x。

一个主面(表面)的晶体保持端子4如上述那样地相对于各陶瓷衬底1的中心呈点对称。即在陶瓷衬底1的对角线上形成引出端子4a。

另外，在另一主面(背面)的一组对角上形成的安装端子5a，经由直通端子5x、引出端子4a而与晶体保持端子4电连接的晶体外部端子，而在另一组对角上形成的安装端子5b为虚拟端子。

然后，焙烧设为AgPd合金的金属焊膏，得到形成了电路图案的薄片状陶瓷衬底1A。

此外，陶瓷的焙烧温度约为1500～1600℃，AgPd合金的焙烧温度为其以下的850℃，因此在陶瓷的焙烧之后涂敷AgPd合金焊膏，并与陶瓷一起焙烧AgPd合金焊膏。

这么做的原因在于：如果在衬底坯料上涂敷AgPd合金焊膏而以陶瓷的焙烧温度进行焙烧，则AgPd合金焊膏会因温度过高而变成块粒，从而无法形成电路图案。

[第3工序/晶片搭载]

接下来，通过导电性粘接剂7将从激励电极6a延伸有引出电极6b的晶片2的外周部固定搭载到形成有电路图案的薄片状陶瓷衬底1A的各晶体保持端子4上，进行电/机械地连接。

在此，延伸有引出电极6b的晶片2中的一组对角部被固定。

[第4工序/频率调整]

接下来，根据质量负荷效应来调整作为搭载(固定)到薄片状陶瓷衬底1A的晶体振荡器的各晶片2的振荡频率。

具体地说，在薄片状陶瓷衬底1A的背面，使来自测量器的测量端子(探头)接触到与各晶片2电连接的安装端子5a。然后，对露出板面的晶片2的表面侧的激励电极6a照射气态离子而削去表面，减小激励电极6a的质量，从而将振荡频率从低的一方向高的一方进行调整。

其中，例如也能够通过蒸镀、溅射而在激励电极6a上附加金属膜，从而将振荡频率从高的一方向低的一方进行调整。

[第5工序/金属盖接合(密闭封装)]

接下来，通过密封材料8而将设为凹状的金属盖3的开口端面接合到搭载了晶片2的薄片状陶瓷衬底1A的与各个陶瓷衬底1相对应的矩形区域的外周表面。

以下，对本实施方式中的将金属盖3接合到薄片状陶瓷衬底1A的方法进行说明。

[浸渍：图9]

首先，如图9所示，沿箭头方向(下方向)将金属盖3的开口端面浸渍到溶融树脂溶液8A之中。在此，以金属盖3的开口端面均匀地接触溶融树脂溶液8A的表面的方式浸渍。

如上所述，开口部具有向外侧端部下降的斜坡(倾斜面)的突缘3a，浸渍到突缘3a的外周端面(厚度)的上端附近。即，设为突缘3a的倾斜面的始端部(根部)的下表面接触到溶融树脂溶液8A的表面的程度。

因此，突缘3a的形状为根部的下表面接触到溶融树脂溶液8A，而外周端面直到上表面附近浸渍到溶融树脂溶液8A之中这种程度的倾斜。

[提起：图10]

然后，如图10所示，在使溶融树脂8附着在金属盖3的开口端面的状态下，沿箭头方向(上方向)从溶融树脂溶液8A之中提起金属盖3。在这种情况下，以沿着金属盖3的突缘3a的倾斜面向下侧凸起的方式形成积存部。因此，溶融树脂8在倾斜面上集中在积存部，并以倾斜面的重心为中心溶融树脂8由于表面张力而鼓起。

然后，在溶融树脂8附着在金属盖3的开口端面(突缘3a的倾斜面)的状态下，使金属盖3移动，并将开口端面定位在陶瓷衬底1的表面外周。利用金属盖3的自重或轻轻按压，将开口端面粘接到陶瓷衬底1的表面外周。

最后，对表面安装晶体振荡器整体地加热而使溶融树脂8硬化，将金属盖3接合到陶瓷衬底1而进行密封。

[第6工序/分割]

最后，按照断裂线对集成了晶体振荡器的薄片状陶瓷衬底1A进行横竖分割，得到各个表面安装晶体振荡器。

在本实施方式的制造方法中，设陶瓷衬底1的电路图案(晶体保持端子4、直通端子5x、安装端子5a)为AgPd合金，在设有贯通孔9的薄片状衬底坯料焙烧之后涂敷AgPd合金焊膏，并通过焙烧来形成。

因此，与现有例子中的在薄片状陶瓷坯料上涂敷W(钨)焊膏而焙烧之后通过电解电镀而形成Ni(镍)以及Au(金)的情况相比，不需要经历两次的电解电镀工序，因此能够减少制造工序数。

另外，因为不需要电解电镀工序，所以也不需要对例如陶瓷衬底1之间的电路图案进行电连接的电解电镀用的布线线路，因此具有能够使电路图案简化而廉价的效果。

另外，在此，设在形成有电路图案的薄片状陶瓷衬底1A的状态下，进行晶片2的搭载(第3工序)、频率调整(第4工序)以及金属盖3的接合(第5工序)。

因而，能够在薄片状陶瓷衬底1A的状态下，连续地进行这些工序，所以具有能够提高生产率的效果。

另外，在本实施方式中，设陶瓷衬底1背面的安装端子5a、5b为各自电气独立的4个端子。另一方面，在薄片状陶瓷衬底1A的状态下，相邻的矩形区域的四个角部的各安装端子5a、5b(4个)经由直通端子5x而电气地共同连接。

因而，具有如下效果：在四个角部的各安装端子5a、5b被共同连接了的状态下，也能使测量端子接触到连接在各陶瓷衬底1的晶体保持端子4的一组对角部的安装端子5a，进而针对每个晶片2进行振荡频率的调整。

另外，在以上的制造方法中，将包括突缘3a的金属盖3的开口端面浸渍到溶融树脂溶液8A之中而使溶融树脂8直接附着。例如，与将整形了的树脂临时固定的情况相比，能够减少工序、降低制造单价。

另外，因为在金属盖3的突缘3a的倾斜面上形成溶融树脂8的积存部，所以能够使适量的溶融树脂8均匀地附着，并且也不会有溶融树脂8不足的情况，能够充分地接合而确保气密性。另外，不会有溶融树脂8的剩余部分流入内部而附着到晶片2上的情况，能够良好地维持振荡特性。

[比较：图11、图12]

为了与图9、图10进行比较，示出突缘部分没有倾斜面的例子进行说明。图11是表示将没有倾斜面的突缘浸渍到溶融树脂的剖面说明图，图12是表示从溶融树脂中提起没有倾斜面的突缘的剖面说明图。

如图11、12所示，在水平方向平坦的突缘3a′的情况下，附着在突缘3a′的下表面的溶融树脂8大致均匀地形成积存部，所以可知稍稍有些少而不是充分的量。

[其它的突缘方式：图13]

接下来，虽然在图1、9、10中将金属盖3的突缘3a设为向外终端下降的斜坡，但是即使与此相反地设为上升的斜坡也能得到相同的效果。例如，如图13所示地设为突缘3a的外终端跳起的形状。

图13是表示其它的突缘方式的剖面说明图。

[单支撑类型：图14]

接下来，参照图14说明其它实施方式中的表面安装晶体振荡器。图14是其它实施方式所涉及的表面安装晶体振荡器的平面说明图。

如图14所示，其它实施方式中的表面安装晶体振荡器(其它振荡器)形成为：在晶片2的一方的端部形成引出电极6b，并在该一方经由导电性粘接剂7而连接到晶体保持端子4，在一个晶体保持端子4处向最近的角部形成引出端子4a，在另一个晶体保持端子4处引出端子4b通过晶片2的下部向图14的水平方向引出，并从晶片2的角部连接到最近的角部。

图14的结构是在晶片2的一方进行保持的情况，因此称作“单支撑”类型。

即使是图14的单支撑类型，也与本振荡器的双支撑类型同样地经由形成在对角线的贯通孔9上的直通端子5x而连接到背面的安装端子5a，背面为图8所示的安装端子5a、5b的图案。

另外，图14中的其它的振荡器的制造方法也与本振荡器的制造方法相同，具有能够提高生产率的效果。

另外，使测量端子接触到背面的安装端子5a，同样能够针对每个晶片2进行频率调整。

另外，即使在上述单支撑类型中，通过利用上述的制造方法将具有图1、9、10以及图13所示的特殊形状的突缘3a的金属盖3进行接合而密封，具有能够将溶融树脂8设为适当的量，能够提供廉价且良好的产品的效果。

[实施方式的效果]

根据本振荡器以及其它振荡器，具有如下效果：将陶瓷衬底1设为单板，因此基本上能够降低制造单价，通过将包含晶体保持端子4的电极设为AgPd合金，与现有的设为W以及Ni、Au的情况相比还能够减少电极的材料费、工序数，从而使其更廉价。

并且，根据本振荡器以及其它振荡器，具有如下效果：将来自晶体保持端子4的引出端子4a向陶瓷衬底1的对角线上的角部引出，经由在形成于该角部的贯通孔9的壁面上形成的直通端子5x而连接到背面的安装端子5a上，因此与向水平方向或者垂直方向引出引出端子4a的情况相比能够增加长度，即使金属盖3的开口端面部与一个晶体保持端子4的一端侧接触，因为到直通端子5x还有距离，所以能够防止接触到直通端子5x，从而能够避免电气短路(短路)。

另外，在本振荡器中，使晶体保持端子4的端部比晶片的引出电极6b短，因此即使作为金属盖3的一边的开口端面部与一个晶体保持端子4接触，也能够避免在相同方向上与另一个晶体保持端子4的接触。

其结果是具有如下效果：能够防止一对晶体保持端子4经由金属盖3而电气短路，能够提高生产率。

另外，在其它的振荡器中，因为设为引出端子4b通过晶片2的下侧而连接到引出电极6b，因此具有能够防止图14的垂直方向的一对晶体保持端子4经由金属盖3而短路的效果。

其中，因为晶体保持端子4并排配置在图14的垂直方向上，因此需要注意图14的横方向的偏移。

另外，根据本振荡器以及其它的振荡器，通过使其相对于金属盖3的配置偏移具有适应性，具有能够抑制导电性粘接剂7的固定状态的变化而使其稳定、并能够良好地维持表面安装晶体振荡器的老化特性的效果。

另外，因为设为将包括特殊形状的突缘3a的金属盖3的开口端面浸渍到溶融树脂溶液8A之中使溶融树脂8直接附着、在突缘3a的倾斜面上形成溶融树脂8的积存部、固定接合到基板1上并进行密封的方式，所以有如下效果：能够减少工序，降低制造单价，使适量的溶融树脂8均匀地附着，从而不会有溶融树脂8不足的情况，能够充分地接合而确保气密性，另外，溶融树脂8的剩余部分不会流入内部而附着在晶片2上，能够良好地维持振荡特性。

本发明适用于能够实现小型化、提高质量、提高生产率的表面安装晶体振荡器及其制造方法。

Claims (10)

1.一种表面安装晶体振荡器，在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子保持晶片，经由溶融树脂的密封材料而利用金属盖进行密封，其中，该表面安装晶体振荡器，

在形成于所述基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子，

在所述基板的表面上从所述第1晶体保持端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子上，从所述第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上，并且在所述基板的背面形成连接到所述直通端子的安装端子，

所述金属盖的经由所述溶融树脂而接合到所述陶瓷基板上的开口端面为具有倾斜面的突缘。

2.根据权利要求1所述的表面安装晶体振荡器，其特征在于，

晶片的一个引出电极和另一个引出电极向相反方向引出，

第1晶体保持端子和第2晶体保持端子，为在两端保持所述晶片的双支撑类型。

3.根据权利要求2所述的表面安装晶体振荡器，其特征在于，

在引出第1引出端子的端部，利用导电性粘接剂连接第1晶体保持端子和晶片的一个引出电极，

在引出第2引出端子的端部，利用导电性粘接剂连接第2晶体保持端子和所述晶片的另一个引出电极。

4.根据权利要求3所述的表面安装晶体振荡器，其特征在于，

第1晶体保持端子中的未形成导电性粘接剂的一侧的端部，形成得比一个引出电极的端部向内侧靠近，

第2晶体保持端子中的未形成导电性粘接剂的一侧的端部，形成得比另一个引出电极的端部向内侧靠近。

5.根据权利要求1所述的表面安装晶体振荡器，其特征在于，

晶片的一个引出电极和另一个引出电极向同方向引出，

第1晶体保持端子和第2晶体保持端子，为在一端保持所述晶片的单支撑类型。

6.根据权利要求5所述的表面安装晶体振荡器，其特征在于，

在引出第1引出端子的端部，利用导电性粘接剂连接第1晶体保持端子和向晶片的一边引出的一个引出电极，

在引出所述另一个引出电极的所述晶片的所述一边，利用导电性粘接剂连接第2晶体保持端子和向所述晶片的所述一边引出的另一个引出电极，第2引出端子从利用该导电性粘接剂连接的第2晶体保持端子的位置通过所述晶片的下方，而连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的表面安装晶体振荡器，其特征在于，

金属盖的开口端面的突缘具有从内侧向外侧下降的倾斜面、或从内侧向外侧上升的倾斜面。

8.一种表面安装晶体振荡器的制造方法，该表面安装晶体振荡器在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子保持晶片，经由溶融树脂的密封材料而利用金属盖进行密封，该制造方法具备如下处理：

在薄片状的陶瓷坯料上形成确定各个陶瓷基板的区域的断裂线，在该区域的角部形成贯通孔并进行焙烧，从而形成薄片状的陶瓷衬底；

在所述贯通孔的壁面上形成直通端子的金属层，并且在所述陶瓷衬底的表面上形成所述第1晶体保持端子以及从该端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子、从所述第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子那样的金属层的图案，并且在所述陶瓷衬底的背面形成连接到所述直通端子的安装端子的金属层的图案；

在所述第1以及所述第2晶体保持端子上搭载所述晶片；

使用连接到所述第1晶体保持端子上的安装端子和连接到所述第2晶体保持端子上的安装端子进行振荡频率的调整；以及

将所述金属盖的经由所述溶融树脂而接合到所述陶瓷基板上的开口端面具有倾斜面的突缘浸渍到溶融树脂溶液中，在所述突缘的下表面形成溶融树脂的积存部，并在形成有所述积存部的状态下固定到所述陶瓷基板上。

9.根据权利要求8所述的表面安装晶体振荡器的制造方法，其特征在于，

向晶片的表面侧的激励电极照射气态离子而削去表面，减少该激励电极的质量，从而将振荡频率从低的一方向高的一方进行调整。

10.根据权利要求8所述的表面安装晶体振荡器的制造方法，其特征在于，

在激励电极上附加金属膜，从而将振荡频率从高的一方向低的一方进行调整。

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