JP2015142209A - 水晶デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能な水晶デバイスを提供する。【解決手段】水晶デバイスは、基板１１０ａと、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と、電極パッド１１１上に少なくとも一つ設けられ、平面視して、円形状であるバンプ１１４と、電極パッド１１１上面からバンプ１１４の上面にかかるように設けられた導電性接着剤と、水晶素板１２１と、水晶素板１２１の上下面に設けられた励振用電極１２２と、励振用電極１２２と間を空けて水晶素板１２１に設けられた一対の引き出し用電極１２３と、を有し、導電性接着剤を介して電極パッド１１１上に実装された水晶素子１２０と、水晶素子１２０を気密封止するために設けられた封止蓋体１３０と、を備えている。【選択図】図１

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、水晶素板の両面が互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の周波数を発生させるものである。基板上に設けられた電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子を備えた水晶デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。水晶素子は、水晶素板の両主面に励振用電極を有しており、水晶素子の一端を基板の上面と接続した固定端とし、他端を基板の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造となる。

特開２００２−１１１４３５号公報

上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に実装する水晶素子も小型化になっている。従来の電極パッド上に導電性接着剤を塗布し、水晶素子を導電性接着剤の上面に載置すると、水晶素子の自由端又は励振用電極が基板に接触する虞がある。水晶素子の自由端又は励振用電極が基板に接触することで、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されて、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板の上面に設けられた電極パッドと、電極パッド上に少なくとも一つ設けられ、平面視して、円形状であるバンプと、電極パッド上面から前記バンプの上面にかかるように設けられた導電性接着剤と、水晶素板と、水晶素板の上下面に設けられた励振用電極と、励振用電極と間を空けて水晶素板に設けられた一対の引き出し用電極と、を有し、導電性接着剤を介して電極パッド上に実装された水晶素子と、水晶素子を気密封止するために設けられた封止蓋体と、を備えていることを特徴とするものである。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板の上面に設けられた電極パッドと、電極パッド上に少なくとも一つ設けられ、平面視して、円形状であるバンプと、電極パッド上面からバンプの上面にかかるように設けられた導電性接着剤と、水晶素板と、水晶素板の上下面に設けられた励振用電極と、励振用電極と間を空けて水晶素板に設けられた一対の引き出し用電極と、を有し、導電性接着剤を介して電極パッド上に実装された水晶素子と、水晶素子を気密封止するために設けられた封止蓋体と、を備えている。このようにすることによって、水晶デバイスは、導電性接着剤の硬化収縮時に水晶素子の固定端側が下方向に引っ張られ、バンプを支点とした梃子の原理により、水晶素子の自由端が上方向に浮き上がる。よって、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されることを低減することができるので、水晶素子の発振周波数を安定して出力することが可能となる。

本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。 （ａ）図１に示された水晶デバイスのＡ−Ａにおける断面図であり、（ｂ）図２（ａ）のＸ１箇所の部分拡大図である。 （ａ）本実施形態における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外した状態を示す平面図である。 （ａ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを示す断面図であり、（ｂ）図４（ａ）のＸ２箇所の部分拡大図である。 （ａ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外した状態を示す平面図である。 （ａ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外した状態を示す平面図である。 （ａ）本実施形態の第三変形例における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第三変形例における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外した状態を示す平面図である。 （ａ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法であるバンプ形成工程のパッド認識手段で電極パッドを認識している状態を示す断面図であり、（ｂ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法であるバンプ形成工程でバンプを形成している状態を示す断面図であり、（ｃ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法であるバンプ位置認識工程を示す断面図であり、（ｄ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法である導電性接着剤塗布工程を示す断面図である。 （ａ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法である水晶素子実装工程を示す断面図であり、（ｂ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法である水晶素子固着工程を示す断面図であり、（ｃ）本実施形態の水晶デバイスの製造方法である封止蓋体接合工程を示す断面図である。 本実施形態の水晶デバイスの製造方法で用いられるバンプ形成装置を示す斜視図である。 本実施形態の水晶デバイスの製造方法で用いられる水晶素子実装装置を示す斜視図である。

本実施形態における水晶デバイスは、図１〜図３に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、パッケージ１１０の上面に接合された蓋体１３０とを含んでいる。パッケージ１１０には、基板１１０ａの上面と枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた凹部Ｋが形成されている。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。

基板１１０ａは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０ａは、上面に、水晶素子１２０を接合するための一対の電極パッド１１１が設けられている。

基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と、基板１１０ａの下面に設けられた外部端子１１２とを電気的に接続するための配線パターン（図示せず）及びビア導体（図示せず）が設けられている。

枠体１１０ｂは、基板１１０ａの上面に配置され、基板１１０ａの上面に凹部Ｋを形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。

ここでパッケージ１１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜３．０ｍｍであり、パッケージ１１０の上下方向の寸法が、０．７〜１．５ｍｍである場合を例にして、凹部Ｋの大きさを説明する。凹部Ｋの長辺の長さは、０．７〜２．０．ｍｍであり、短辺の長さは、０．５〜１．５ｍｍとなっている。また、凹部Ｋの上下方向の長さは、０．２〜０．５ｍｍとなっている。

また、基板１１０ａの下面の四隅には、外部端子１１２が設けられている。外部端子１１２の内の二つの端子は、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と電気的に接続されている。また、電極パッド１１１と電気的に接続されている外部端子１１２は、基板１１０ａの下面の対角に位置するように設けられている。

電極パッド１１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド１１１は、基板１１０ａの上面に一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、第一電極パッド１１１ａと第二電極パッド１１１ｂとによって構成されている。電極パッド１１１は、基板１１０ａに設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板１１０ａの下面に設けられた外部端子１１２と電気的に接続されている。

また、封止用導体パターン１１３は、水晶素子１２０を囲むようして枠体１１０ｂの上面に設けられているため、外部電磁波ノイズが導体部１１２により遮られ、水晶素子１２０に外部電磁波ノイズが重畳することを抑えるためのものである。封止用導体パターン１１３は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０〜２５μｍの厚みに形成されている。

バンプ１１４は、水晶素子１２０の自由端が基板１１０ａに接触することを抑制するためのものである。バンプ１１４は、水晶素子１２０の引き出し電極１２３と対向する位置に設けられている。バンプ１１４は、第一バンプ１１４ａ及び第二バンプ１１４ｂによって構成されている。第一バンプ１１４ａは、図１に示すように、第一電極パッド１１１ａ上に設けられ、第二バンプ１１４ｂは、第二電極パッド１１１ｂ上に設けられている。

バンプ１１４は、平面視して、円形状になるようにして電極パッド１１１上に設けられている。バンプ１１４を円形状にすることにより、導電性接着剤１４０からバンプ１１４に加わる応力を均等に分散させることにより、電極パッド１１１上からバンプ１１４が剥がれることを低減することができる。またバンプ１１４は、例えば金、銅、アルミニウム又は銀等の少なくともいずれか一つから構成される金属線をワイヤーボンディング装置によって球状にし、超音波接合により電極パッド１１１上に設けられている。

ここでパッケージ１１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜３．０ｍｍであり、パッケージ１１０の上下方向の寸法が、０．７〜１．５ｍｍである場合を例にして、電極パッド１１１、バンプ１１４の大きさを説明する。基板１１０ａの一辺と平行となる電極パッド１１１の辺の長さは、２５０〜４００μｍとなる。また、基板１１０ａの一辺と交わる辺と平行となる電極パッド１１１の辺の長さは、２５０〜４００μｍとなる。電極パッド１１１の上下方向の厚みの長さは、１０〜６０μｍとなる。バンプ１１４の径の長さは、５０〜１００μｍとなる。バンプ１１４の上下方向の厚みの長さは、２０〜７５μｍとなる。

ここで、パッケージ１１０の作製方法について説明する。基板１１０ａ及び枠体１１０ｂがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド１１１又は外部端子１１２となる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。

水晶素子１２０は、図２及び図３（ａ）に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。

水晶素子１２０は、図２及び図３に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、上面に第一引き出し電極１２３ａと、下面に第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。

本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。

水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第一バンプ１１４ａと接触し、水晶素子１２０の第二引き出し電極１２３ｂは、第二バンプ１１４ｂと接触している。このように水晶素子１２０の引き出し電極１２３をバンプ１１４に接触させることにより、水晶素子１２０が傾くことを低減することできるため、水晶素子１２０の自由端及び励振用電極１２２が基板１１０ａに接触することを低減することができる。

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。

ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を形成することにより作製される。

水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって、電極パッド１１１上に拡がるようにして塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０が硬化収縮する際に、導電性接着剤１４０がバンプ１１４にかかるようにして水晶素子１２０の固定端側に塗布されているので、水晶素子１２０の固定端側が下方向に引っ張られ、バンプ１１４を支点とした梃子の原理が働くことになり、水晶素子１２０の自由端側が上方向に浮くようにして、一対の電極パッド１１１に接合される。

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。

導電性接着剤１４０は、平面視してバンプ１１４の上面に重なるようにして電極パッド１１１上に広がって形成され、水晶素子１２０の励振用電極１２２と間をあけて配置されている。水晶デバイスは、導電性接着剤１４０と励振用電極１２２とが間を空けて配置されていることにより、導電性接着剤１４０が励振用電極１２２に付着することで生じる短絡を低減することができる。

また、導電性接着剤１４０の粘度が、３５〜４５Ｐａ・ｓのものを使用することによって、電極パッド１１１上に塗布した際に、導電性接着剤１４０は、バンプ１１４を超えて電極パッド１１１上へ流れ出ることなく、電極パッド１１１上に留まり、導電性接着剤１４０の上下方向の厚みが維持される。

蓋体１３０は、矩形状であり、真空状態にある凹部Ｋ、あるいは窒素ガスなどが充填された凹部Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、枠体１１０ｂ上に設けられた封止用導体パターン１１３の上面に載置される。封止蓋体１３０の下面に設けられた接合部材１３１に熱が印加されることで、封止用導体パターン１１３と溶融接合される。また、蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。

接合部材１３１は、枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１３の上面から蓋体１３０の下面にかけて設けられている。接合部材１３１は、例えば、ガラスの場合には、３００℃〜４００℃で溶融するガラスであり、例えばバナジウムを含有した低融点ガラス又は酸化鉛系ガラスから構成されている。ガラスは、バインダーと溶剤とが加えられたペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接合する。接合部材１３１は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。また、接合部材１３１は、枠体１１０ｂの上面に印刷する際に、枠体１１０ｂの四隅に接合部材１３１が重なるようにして印刷される。よって、四隅の接合部材１３１の厚みは、接合部材１３１が設けられている他の箇所の厚みよりも厚くなるように設けられている。また、この酸化鉛系ガラスの組成は、酸化鉛、フッ化鉛、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化第二鉄、酸化銅及び酸化カルシウムとから構成されている。

接合部材１３１は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。枠体１１０ｂと蓋体１３０との間に設けられた接合部材１３１の厚みは、３０〜１００μｍとなっている。

接合部材１３１は、例えば、金錫の場合には、接合部材１３１の層の厚みは、１０〜４０μｍであり、例えば、成分比率が、金が７０〜８０％、錫が２０〜３０％のものを使用しても良い。また、接合部材１３１は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材１３１の層の厚みは、１０〜４０μｍであり、例えば、成分比率が、銀が７０〜８０％、銅が２０〜３０％のものを使用しても良い。

本実施形態における水晶デバイスは、基板１１０ａと、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と、電極パッド１１１上に少なくとも一つ設けられ、平面視して、円形状であるバンプ１１４と、電極パッド１１１上面からバンプ１１４の上面にかかるように設けられた導電性接着剤１４０と、水晶素板１２１と、水晶素板１２１の上下面に設けられた励振用電極１２２と、水晶素板１２１に設けられた励振用電極１２２と間を空けて設けられた一対の引き出し用電極１２３と、を有し、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に実装された水晶素子１２０と、水晶素子１２０を気密封止するために設けられた封止蓋体１３０と、を備えている。このように、水晶素子１２０の引き出し電極１２３が、電極パッド１１１と導電性接着剤１４０を介して接続されたことにより、導電性接着剤１４０の硬化収縮時に水晶素子１２０の固定端側が下方向に引っ張られ、バンプ１１４を支点とした梃子の原理により、水晶素子１２０の自由端が上方向に浮き上がる。よって、水晶デバイスは、水晶素子１２０の自由端及び励振用電極１２２が基板１１０ａに接触することを低減することができる。このようにすることで、水晶デバイスは、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されることがないため、安定して発振周波数を出力することができる。

また、本実施形態における水晶デバイスは、電極パッド１１１上に少なくとも一つ設けられ、平面視して、円形状であるバンプ１１４を備えていることによって、従来の水晶デバイスの電極パッド上に設けられた平面視して矩形状のバンプと比して、導電性接着剤１４０からバンプ１１４に加わる応力を均等に分散することができる。このようにすることにより、電極パッド１１１上からバンプ１１４が剥がれることを抑えることができる。また、水晶デバイスは、電極パッド１１１からバンプ１１４が剥がれることを抑えることにより、バンプ１１４が電極パッド１１１から剥がれることにより生じる水晶素子１２０が電極パッド１１１から剥がれることを低減することができる。

（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図４及び図５に示されているように、バンプ２１４の上面の中央に設けられた突起部２１５を備えており、導電性接着剤１４０が、電極パッド２１１上面からバンプ２１４の上面及び突起部２１５の側面にかかるように設けられている点で本実施形態と異なる。

バンプ２１４は、第一バンプ２１４ａと第二バンプ２１４ｂによって構成されている。第一バンプ２１４ａは、図４及び図５（ｂ）に示すように、第一電極パッド２１１ａ上に設けられ、第二バンプ２１４ｂは、第二電極パッド２１１ｂ上に設けられている。

突起部２１５は、バンプ２１４上に設けられており、第一突起部２１５ａ及び第二突起部２１５ｂによって構成されている。第一突起部２１５ａは、第一バンプ２１４ａ上に設けられており、第二突起部２１５ｂは、第二バンプ２１４ｂ上に設けられている。突起部２１５によって導電性接着剤１４０が遮られるため、導電性接着剤１４０が水晶素子１２０の励振用電極１２２ｂ側に向かって溢れ出ることを低減することができる。また、導電性接着剤１４０が、電極パッド２１１上面からバンプ２１４の上面及び突起部２１５の側面にかかるように設けられているので、バンプのみに導電性接着剤がかかるように設けられている場合と比べて、導電性接着剤１４０と突起部２１５との接触面積分が増えることになり、導電性接着剤１４０と、バンプ２１４及び突起部２１５との接合強度を向上させることができる。

ここでパッケージ２１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜３．０ｍｍであり、パッケージ２１０の上下方向の寸法が、０．７〜１．５ｍｍである場合を例にして、バンプ２１４及び突起部２１５の大きさを説明する。バンプ２１４の径の長さは、５０〜１００μｍとなる。バンプ２１４の上下方向の厚みの長さは、２０〜７５μｍとなる。突起部２１５の径の長さは、２０〜５０μｍとなる。また、突起部２１５の上下方向の厚みの長さは、１０〜３０μｍとなる。

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、バンプ２１４の上面の中央に設けられた突起部２１５を備えており、導電性接着剤１４０が、電極パッド２１１上面からバンプ２１４の上面及び突起部２１５の側面にかかるように設けられている。このようにすることで、水晶デバイスは、導電性接着剤１４０が突起部２１５で遮られるため、導電性接着剤１４０が水晶素子１２０の励振用電極１２２ｂ側に向かって溢れ出ることを抑えつつ、導電性接着剤１４０が励振用電極１２２ｂに付着して、励振用電極１２２ｂと第一引き出し電極１２３ａとが短絡してしまうことを低減することができる。

（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図６に示されているように、電極パッド３１１が矩形状であり、電極パッド３１１の一辺に沿って、バンプ３１４が二つ以上設けられている点で本実施形態と異なる。

バンプ３１４は、図６に示されているように、第一バンプ３１４ａ、第二バンプ３１４ｂ、第三バンプ３１４ｃ及び第四バンプ３１４ｄによって構成されている。第一バンプ３１４ａ及び第三バンプ３１４ｃは、図６に示すように、第一電極パッド３１１ａの一辺に沿って設けられており、第二バンプ３１４ｂ及び第四バンプ３１４ｄは、第二電極パッド３１１ｂの一辺に沿って設けられている。

また、第一バンプ３１４ａ、第二バンプ３１４ｂ、第三バンプ３１４ｃ及び第四バンプ３１４ｄは、図６に示されているように、基板３１０ａの一辺と平行となる直線に対して同一直線上に並ぶようにして設けられている。このようにすることによって、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａを第一バンプ３１４ａ及び第三バンプ３１４ｃと接触させ、第二引き出し電極１２２ｂを第二バンプ３１４ｂ及び第四バンプ３１４ｄに接触させながら電極パッド３１１に実装することで、水晶素子１２０が傾くことなく安定した状態で実装することができる。

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、電極パッド３１１の一辺と、その一辺と向かい合う一辺に沿って、バンプ３１４が設けられていることによって、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａを第一バンプ３１４ａ及び第三バンプ３１４ｃと接触させ、第二引き出し電極１２２ｂを第二バンプ３１４ｂ及び第四バンプ３１４ｄに接触させながら電極パッド３１１に実装することで、本実施形態の水晶デバイスと比較して水晶素子１２０を支持する場所が増えるため、水晶素子１２０が傾くことなく安定した状態で実装することができる。よって、水晶素子１２０の先端が基板３１０ａに接触することがないため、安定して水晶素子１２０の発振周波数を出力することができる。

（第三変形例）
以下、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、図７に示されているように、バンプ４１４が電極パッド４１１の一辺と、その一辺と向かい合う一辺に沿ってそれぞれ設けられている点で本実施形態と異なる。

バンプ４１４は、第一バンプ４１４ａ、第二バンプ４１４ｂ、第三バンプ４１４ｃ及び第四バンプ４１４ｄによって構成されている。第一バンプ４１４ａは、図７に示すように、第一電極パッド４１１ａの一辺に沿って設けられており、第三バンプ４１４ｃは、第一電極パッド４１１ａの一辺と向かい合う一辺に沿って設けられている。また、第二バンプ４１４ｂは、図７に示すように、第二電極パッド４１１ｂの一辺に沿って設けられており、第四バンプ４１４ｄは、第二電極パッド４１１ｂの一辺と向かい合う一辺に沿って設けられている。

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、水晶素板１２１の固定端側の外周縁が、平面視して、基板４１０ａの一辺と平行であり、第三バンプ４１４ｃ及び第四バンプ４１４ｄと重なるようにして設けられている。このようにすることにより、水晶素子１２０の実装位置を視覚的によりわかりやすくすることができるので、水晶デバイスの生産性を向上させることが可能となる。また、このようにすることによって、パッケージ４１０の枠体４１０ｂと、水晶素子１２０の外周縁とが接触することを低減することができ、水晶素子１２０の欠けを防ぐことが可能となる。

また、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、水晶素板１２１の固定端側の外周縁が、第三バンプ４１４ｃ及び第四バンプ４１４ｄと接触することになるので、水晶素子１２０の固定端が基板４１０ａの上面に接触することを抑えることができる。このようにすることで、水晶素子１２０の固定端側の外周縁が、基板１１０ａに接触することで生じる水晶素子１２０の欠けを防ぐことができる。また、水晶素板１２１の固定端側の外周縁は、第三バンプ４１４ｃ及び第四バンプ４１４ｄと接触することで、固定端側が第三バンプ４１４ｃ及び第四バンプ４１４ｄの上下方向の厚み分の距離を確保できるので、水晶素子１２０の自由端が浮きすぎることがなく、水晶素子１２０の自由端が封止蓋体１３０に接触することを抑制することができる。

（水晶デバイスの製造方法）
以下、上述の水晶デバイスの製造方法について説明する。水晶デバイスの製造方法は、図８及び図９に示すように、基板１１０ａの上面に設けられている電極パッド１１１を図１０に示すバンプ形成装置のパッド認識手段８４０により、電極パッド１１１の位置を認識し、電極パッド１１１上にバンプ１１４を形成するバンプ形成工程と、バンプ１１４を図１１に示す水晶素子実装装置のバンプ認識手段９５０により、バンプ１１４の位置を認識するバンプ位置認識工程と、認識したバンプ１１４に基づいてバンプ１１４から一定の間隔を設けて導電性接着剤１４０を塗布する導電性接着剤塗布工程と、導電性接着剤１４０によって、基板１１０ａに水晶素子１２０を実装する水晶素子実装工程と、導電性接着剤１４０を加熱硬化させ、電極パッド１１１と水晶素子１２０とを導通固着する水晶素子固着工程と、水晶素子１２０を気密封止するように、封止蓋体１３０と基板１１０ａとを接合するための封止蓋体接合工程と、を含む。

（バンプ形成工程）
バンプ形成工程は、図８（ａ）及び図（ｂ）に示すように、基板１１０の上面に設けられている電極パッド１１１にバンプ１１４を形成する工程である。バンプ形成装置のパッド認識手段８４０によって、配列治具（図示せず）に配列されている基板１１０ａの上面から撮影することで、基板１１０の上面に設けられた電極パッド１１１の位置を認識することができる。電極パッド１１１の位置を認識することで、バンプ１１４を形成する位置を決定し、キャピラリ８３１の先端に設けられたバンプ１１４を電極パッド上に接触させた後、バンプ１１４に超音波を印加することで、平面視して円形状のバンプ１１４を形成することができる。

バンプ１１４は、キャピラリ８３１と、キャピラリ８３１に挿通された金属線Ｌの先端との間で放電することで設けられる。このキャピラリ８３１で形成されたバンプ１１４は、バンプ１１４を電極パッドに押し付け、超音波振動によって接合させることで電極パッド１１１上に設けられる。

バンプ形成装置は、図１０に示されているように、キャピラリ８３１を有するバンプ形成手段８３０と、電極パッド１１１を認識するためのカメラ等を有するパッド認識手段８４０と、バンプ形成手段８３０を制御する制御手段８６０と、を備えている。バンプ形成手段８３０は、図１０に示すように、第一のガイドレールＲ１に備えられている。バンプ形成手段８３０は、キャピラリ８３１と、キャピラリ配置部８３２と、可動部８３３とで構成されている。また、可動部８３３は、Ｘ方向可動部８３３ａと、Ｙ方向可動部８３３ｂと、Ｚ方向可動部８３３ｃとで構成されている。可動部８３３を構成するＸ方向可動部８３３ａと、Ｙ方向可動部８３３ｂと、Ｚ方向可動部８３３ｃとは、例えば、
モータを備えて構成されている。

キャピラリ８３１は、図１０に示されているように、キャピラリ配置部８３２の先端部に配置されている。また、キャピラリ８３１は、Ｘ方向可動部８３３ａと、Ｙ方向可動部８３３ｂと、Ｚ方向可動部８３３ｃとによって、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に動作することができるようになっている。キャピラリ８３１には、放電電極（図示せず）が設けられており、金属線Ｌに放電電極から放電を行ってバンプ１１４を形成する。

パッド認識手段８４０は、例えばカメラによって構成され、図１０に示すように、第一のガイドレールＲ１に備えられている。パッド認識手段８４０は、図１０に示すように、パッケージ１１０の電極パッド１１１を示す画像データを撮影する役割を果たす。パッド認識手段８４０によって撮影された画像データは、記憶手段８５０に記憶される。記憶手段８５０は、パッド認識手段８４０から得たパッケージ１１０の電極パッド１１１の位置を示す画像データを記憶する役割を果たす。また、第二のガイドレールＲ２が設けられており、支柱ＰＬを介して第１のガイドレールＲ１が備えられている。また、図１１に示す素子配列治具ＸＪは、励振用電極１２２が形成されている水晶素子１２０を整列させるための治具である。

また、制御手段８６０は、コンピュータにより構成されており、バンプ形成手段８３０と、パッド認識手段８４０と、記憶部８５０に接続されている。制御手段８６０は、バンプ形成装置全体の制御を行うものである。つまり、制御手段８６０は、パッド認識手段８４０から得た画像データによって、電極パッド１１１の各辺の数値データを求め、数値データを基にして、バンプ形成手段８３０のキャピラリ８３１の位置を補正するように制御する役割を果たす。

このようにして電極パッド１１１上にバンプ１１４を形成することができるので、バンプ１１４の形状が、従来のメタライズを印刷することで形成されるバンプの形状と比較して小さくすることができ、導電性接着剤１４０の塗布領域に自由度が増し、安定した塗布をすることが出来る。またバンプ１１４の電極パッド上の位置精度が安定すると共に、バンプ１１４の高さも安定して形成する出来ることができる。また、バンプ１１４のＸ−Ｙ方向の変化が小さいため、安定して水晶素子１２０の先端を浮かせて、水晶素子１２０の特性を良好にすることができる。

（バンプ位置認識工程）
バンプ位置認識工程は、図８（ｃ）に示すように、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と、電極１１１とパッケージ１１０の一方の主面とに跨るように設けられているバンプ１１４を図１１に示す水晶素子実装装置のバンプ認識手段９５０により、バンプ１１４の位置を認識する工程である。水晶素子実装装置のバンプ認識手段９５０によって、配列治具ＴＪに配列されているパッケージ１１０の凹部Ｋ側から撮影することで、パッケージ１１０の電極パッド１１１と電極パッド１１１上に設けられているバンプ１１４の位置を撮影する。

電極パッド１１１に設けられているバンプ１１４は、水晶素子実装装置のバンプ認識手段９５０によって撮影することで、電極パッド１１１上にあるバンプ１１４の位置を判別することができる。このように撮影することで、画像より、バンプ１１４の中心線とパッケージ１１０の枠体１１０ｂの内周側縁部との間隔を測定する。

水晶素子実装装置は、図１１に示すように、塗布ノズル９３１を有する塗布手段９３０と、吸着ノズル９４１を有する吸着手段９４０と、電極パッド１１１に設けられたバンプ１１４を認識するためのカメラ等を有するバンプ認識手段９５０と、バンプ認識手段９５０から得た画像データによって、バンプ１１４の位置ずれ幅を求め、この位置ずれに対して導電性接着剤１４０の塗布位置を補正するために塗布手段９３０を制御する制御手段９７０と、を備えている。

塗布手段９３０は、図１１に示すように、第一のガイドレールＲ１に備えられている。塗布手段９３０は、塗布ノズル９３１（図１１参照）と、塗布ノズル配置部９３２と、可動部９３３とで構成されている。また、吸着手段９４０は、吸着ノズル９４１と、吸着ノズル配置部９４２と、可動部９３３とで構成されている。また、可動部９３３は、Ｘ方向可動部９３３ａと、Ｙ方向可動部９３３ｂと、Ｚ方向可動部９３３ｃとで構成されている。可動部９３３を構成するＸ方向可動部９３３ａと、Ｙ方向可動部９３３ｂと、Ｚ方向可動部９３３ｃとは、例えば、モータを備えて構成されている。

塗布ノズル９３１は、塗布ノズル配置部９３２の先端部に配置されている。また、塗布ノズル９３１は、Ｘ方向可動部９３３ａと、Ｙ方向可動部９３３ｂと、Ｚ方向可動部９３３ｃとによって、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に動作することができるようになっている。

これら塗布手段９３０は、Ｚ方向に往復して移動可能であり、パッケージ１１０の電極パッド１１１に導電性接着剤１４０を塗布するときにＺ方向に移動する。また、塗布手段９３０は、隣に配置されているパッケージ１１０における電極パッド１１１に導電性接着剤１４０を塗布するときにＸ方向に移動する。

吸着手段９４０は、第一のガイドレールＲ１に備えられている。吸着手段９４０は、吸着ノズル９４１と、吸着ノズル配置部９４２と、可動部９３３とで構成されている。吸着ノズル９４１は、吸着ノズル配置部９４２の先端部に配置されている。また、吸着ノズル９４１は、Ｘ方向可動部９３３ａと、Ｙ方向可動部９３３ｂと、Ｚ方向可動部９３３ｃとによって、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に動作することができるようになっている。また、吸着手段９４０は、素子配列治具ＸＪに配列されている水晶素子１２０を吸着し、配列治具ＴＪに配列されているパッケージ１１０の凹部Ｋ内に設けられた電極パッド１１１に実装するための吸着ノズル９４１を有する。吸着ノズル９４１は、吸着手段９４０のノズル配置部９４２に並列に配置されている。また、吸着ノズル９４１は、真空ポンプ（図示せず）と連結しており、真空ポンプが動作することで、吸着ノズル９４１に設けられている吸着孔（図示せず）から空気が吸い込まれる。よって、素子配列治具ＸＪに配列されている水晶素子１２０は、吸着ノズル９４１に吸着される。

これら吸着手段９４０は、Ｚ方向に往復して移動可能であり、素子配列治具ＸＪから水晶素子１２０を吸着するとき、及びパッケージ１１０に搭載するときにＺ方向に移動する。また、パッケージ１１０に移動するとき、及び新たに水晶素子１２０を吸着するときにＸ方向に移動する。

吸着ノズル９４１は、素子配列治具ＸＪに配列されている圧電振動素子１２０と向かい合うようにして、吸着ノズル配置部９４２の先端部に配置されている。また、吸着ノズル９４１は、Ｘ方向可動部９３３ａと、Ｙ方向可動部９３３ｂと、Ｚ方向可動部９３３ｃと、回動部（図示せず）とによって、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θ方向に動作することができるようになっている。

バンプ認識手段９５０は、例えばカメラによって構成され、図１１に示すように、第一のガイドレールＲ１に備えられている。バンプ認識手段９５０は、図１１に示すように、パッケージ１１０の電極パッド１１１に設けられているバンプ１１４の状態を示す画像データを撮影する役割を果たす。また、バンプ認識手段９５０は、画像データを撮影後、吸着手段９４０と衝突しないように移動することができる。認識手段９５０によって撮影された画像データは、記憶手段９６０に記憶される。記憶手段９６０は、バンプ認識手段９５０のカメラから得たパッケージ１１０の電極パッド１１１に設けられているバンプ１１４の位置を示す画像データを記憶する役割を果たす。また、第二のガイドレールＲ２が設けられており、支柱ＰＬを介して第一のガイドレールＲ１が備えられている。また、素子配列治具ＸＪは、励振用電極１２２が形成されている圧電振動素子１２０を整列させるための治具である。

このようにすることで、塗布手段９３０は、素子配列治具ＸＪにＸ方向に整列された複数の水晶素子１２０を２つ同時に吸着し、パッケージ１１０の凹部Ｋに設けられた電極パッド１１１に実装する。この電極パッド１１１には、導電性接着剤１４０が付着されている。したがって、塗布手段９３０は、電極パッド１１１上の導電性接着剤１４０に圧電振動素子１２０を実装することになる。これにより、パッケージ１１０に圧電振動素子１２０を実装することができる。

バンプ認識手段９５０は、配列治具ＴＪに配列されているパッケージ１１０の凹部Ｋ側から撮影できるように設けられている。また、認識手段９５０は、図８（ｃ）に示すように、配列治具ＴＪに配列されているとパッケージ１１０に設けられているバンプ１１４と枠体１１０ｂとの間隔の状態を示す画像データを撮影するためのものである。また、バンプ認識手段９５０は、画像データを撮影後、吸着手段９４０と衝突しないように移動することができる。バンプ認識手段９５０によって撮影された画像データは、記憶部９６０に記憶される。

また、制御手段９７０は、コンピュータにより構成されており、塗布手段９３０と、吸着手段９４０と、バンプ認識手段９５０と、記憶部９６０に接続されている。制御手段９７０は、水晶素子実装装置全体の制御を行うものである。つまり、制御手段９７０は、バンプ認識手段９５０から得た画像データによって、設けられているバンプ１１４と枠部１１０ｂとの間隔の数値データを求め、数値データを基にして、吸着手段９４０の吸着ノズル９４１の位置を補正するように制御する役割を果たす。

（導電性接着剤塗布工程）
導電性接着剤塗布工程は、図８（ｄ）に示すように、認識したバンプ１１４に基づいてバンプ１１４から一定の間隔を設けて導電性接着剤１４０を塗布する工程である。導電性接着剤１４０は、塗布ノズル９３１で電極パッド１１１の主面に塗布される。

塗布ノズル９３１は、導電性接着剤１４０が充填された塗布ノズル９３１内に圧力をかけることによって導電性接着剤１４０を噴出させ、導電性接着剤１４０を塗布することができる。この際、導電性接着剤１４０は、電極パッド１１１上に、バンプ１１４の電極パッド１１１の中心に向いた側面の一部にかかるように塗布されている。また、導電性接着剤１４０は、水晶素子１２０を搭載したときにバンプ１１４の上面の幅方向の半分まで形成されている。つまり、導電性接着剤１４０は、水晶素子１２０を搭載したときに、バンプ１１４を二等分する二等分線よりも、パッケージ１１０の中心側を越えないように形成されている。導電性接着剤１４０の塗布径は、例えば、２５０〜３５０μｍとなっている。

（水晶素子実装工程）
水晶素子実装工程は、図９（ａ）に示すように、導電性接着剤１４０によって、パッケージ１１０に水晶素子１２０を搭載する工程である。パッケージ１１０の凹部Ｋ内には一対の電極パッド１１１が設けられており、電極パッド１１１上に導電性接着剤１４０を塗布し、この電極パッド１１１に塗布された導電性接着剤１４０に水晶素子１２０の表面に形成した励振用電極１２２から延出した引き出し電極１２３を付着させる形態で水晶素子１２０を実装する。

（水晶素子固着工程）
水晶素子固着工程は、図９（ｂ）に示すように、導電性接着剤１４０を加熱硬化させ、前記電極パッド１１１と水晶素子１２０とを導通固着する水晶素子固着工程である。硬化炉（図示せず）に前記パッケージ１１０を収容し、約２５０℃まで昇温することで、導電性接着剤１４０を加熱硬化させる。

（封止蓋体接合工程）
封止蓋体接合工程は、図９（ｃ）に示すように、水晶素子１２０を気密封止するようにパッケージ１１０に封止蓋体１３０を接合する工程である。封止蓋体１３０は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）が用いられ、水晶素子１２０を窒素ガス雰囲気中や真空雰囲気中などで気密封止する際に用いられる。

具体的には、接合部材１３１がガラス、絶縁性樹脂又は金錫の場合、封止蓋体１３０は、窒素ガス雰囲気中や真空雰囲気中で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂの表面に設けられた封止用導体パターン１１３上に載置され、封止蓋体１３０の上面からハロゲンランプ等の熱源を照射し、接合部材１３１を溶融させることで、封止用導体パターン１１３を介して枠部１１０ｂに接合される。

また、接合部材１３１が銀ロウの場合には、封止蓋体１３０は、窒素ガス雰囲気中や真空雰囲気中で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上に載置され、枠体１１０ｂの表面に設けられた封止用導体パターン１１３の金属と封止蓋体１３０の接合部材１３１とが溶接されるように、シーム溶接機（図示せず）のローラ電極（図示せず）を封止蓋体１３０に接触させ、ローラ電極に電源を供給しながら、封止蓋体１３０の外側縁部に沿って動かすことで、枠体１１０ｂに接合される。

本発明の水晶デバイスの製造方法は、パッド認識手段８４０により、電極パッド１１１の位置を判別した後に、バンプ１１４を形成するので、バンプ１１４が電極パッド１１１上から位置ズレすることなく、安定してバンプ１１４を形成することができる。また、バンプ１１４の形状が、従来のメタライズを印刷することで形成されるバンプの形状と比較して小さくすることができ、導電性接着剤１４０の塗布領域に自由度が増し、安定した塗布をすることが出来る。このようにしてバンプ１１４を形成することで、バンプ１１４の電極パッド１１１上の位置精度が安定すると共に、バンプ１１４の高さも安定して形成する出来ることができる。また、このようして製造された水晶デバイスは、バンプ１１４のＸ−Ｙ方向の変化が小さいため、安定して水晶素子１２０の先端を浮かせて、水晶素子１２０の発振周波数が変動してしまうことを低減することができるので生産性を向上させることができる。

また、本発明の水晶デバイスの製造方法は、バンプ認識手段９５０により、バンプ１１４の位置を判別した後に、導電性接着剤１４０を塗布するので、導電性接着剤１４０がバンプ１１４上から位置ズレすることなく、安定して導電性接着剤１４０を塗布することができる。

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、枠体１１０ｂが基板１１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体１１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。また、本実施形態では、枠体１１０ｂの上面に封止用導体パターン１１３が形成されている場合を説明したが、接合部材１３１が、ガラス又は絶縁性樹脂の場合には、封止用導体パターン１１３を設けることなく、枠体１１０ｂに接合されていても構わない。

上記実施形態では、基板１１０ａの上面に枠体１１０ｂが設けられている場合について説明したが、基板に水晶素子を実装した後に、封止基部の下面に封止枠部が設けられた封止蓋体を用いて、水晶素子を気密封止する構造であっても構わない。封止蓋体は、矩形状の封止基部と、封止基部の下面の外周縁に沿って設けられている封止枠部とで構成されており、封止基部の下面と封止枠部の内側側面とで収容空間が形成されている。封止枠部は、封止基部の下面に収容空間を形成するためのものである。封止枠部は、封止基部の下面の外縁に沿って設けられている。

また、水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。

上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、水晶基部と、水晶基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の水晶振動部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。水晶素子は、水晶片と、その水晶片の表面に設けられた励振電極と、引き出し用電極と、周波数調整用金属膜とにより構成されている。水晶片は、水晶基部と水晶振動部とからなり、水晶振動部が第一水晶振動部及び第二水晶振動部とから成る。水晶基部は、結晶の軸方向として電気軸がＸ軸、機械軸がＹ軸、及び光軸がＺ軸となる直交座標系としたとき、Ｘ軸回りに−５°〜＋５°の範囲内で回転させたＺ′軸の方向が厚み方向となる平面視略四角形の平板である。第一水晶振動部及び第二水晶振動部は、水晶基部の一辺からＹ′軸の方向に平行に延設されている。このような水晶片は、水晶基部と各水晶振動部とが一体となって音叉形状を成しており、フォトリソグラフィー技術と化学エッチング技術により製造される。

１１０、２１０、３１０、４１０・・・パッケージ
１１０ａ、２１０ａ、３１０ａ、４１０ｂ・・・基板
１１０ｂ、２１０ｂ、３１０ｂ、４１０ｂ・・・枠体
１１１、２１１、３１１、４１１・・・電極パッド
１１２、２１２、３１２、４１２・・・外部端子
１１３、２１３、３１３、４１３・・・封止用導体パターン
１１４、２１４、３１４、４１４・・・バンプ
２１５・・・突起部
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・封止蓋体
１３１・・・接合部材 １４０・・・導電性接着剤
Ｋ・・・凹部

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の上面に設けられた電極パッドと、
   前記電極パッド上に少なくとも一つ設けられ、平面視して、円形状であるバンプと、
   前記電極パッド上面から前記バンプの上面にかかるように設けられた導電性接着剤と、
   水晶素板と、前記水晶素板の上下面に設けられた励振用電極と、前記励振用電極と間を空けて前記水晶素板に設けられた一対の引き出し用電極と、を有し、前記導電性接着剤を介して前記電極パッド上に実装された水晶素子と、
   前記水晶素子を気密封止するために設けられた封止蓋体と、を備えていることを特徴とする水晶デバイス。
2. 請求項１記載の水晶デバイスであって、
   前記バンプの上面の中央に設けられた突起部を備えており、
   前記導電性接着剤が、前記電極パッド上面から前記バンプの上面及び前記突起部の側面にかかるように設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
3. 請求項１記載の水晶デバイスであって、
   前記電極パッドが矩形状であり、
   前記電極パッドの一辺に沿って、前記バンプが二つ以上設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
4. 請求項１記載の水晶デバイスであって、
   前記電極パッドが矩形状であり、
   前記電極パッドの一辺と、その一辺と向かい合う一辺に沿って、前記バンプが設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
5. 基板の上面に設けられている電極パッドをバンプ形成装置の認識手段により、前記電極パッドの位置を認識し、前記電極パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程と、
   前記バンプを水晶素子実装装置の認識手段により、前記バンプの位置を認識するバンプ位置認識工程と、
   認識した前記バンプに基づいて前記バンプから一定の間隔を設けて導電性接着剤を塗布する導電性接着剤塗布工程と、
   前記導電性接着剤によって、前記基板に水晶素子を実装する水晶素子実装工程と、
   前記導電性接着剤を加熱硬化させ、前記電極パッドと前記水晶素子とを導通固着する水晶素子固着工程と、
   前記水晶素子を気密封止するように、封止蓋体と前記基板とを接合するための封止蓋体接合工程と、を含むことを特徴とする水晶デバイスの製造方法。

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