CN102064789B - 表面安装晶体振荡器及其制造方法 - Google Patents

表面安装晶体振荡器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够实现小型化且提高品质、提高生产率的表面安装晶体振荡器及其制造方法。该表面安装晶体振荡器,在形成于矩形的陶瓷衬底(1)的角部的贯通孔(9)的壁面上形成直通端子(5x),在陶瓷衬底(1)的表面上保持晶片(2)的晶体保持端子(4)的引出端子(4a)连接到对角的直通端子(5x)上,并且在陶瓷衬底(1)的背面形成连接到直通端子(5x)的安装端子(5a、5b)。

Description

表面安装晶体振荡器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种表面安装用的晶体振荡器,特别涉及能够提高生产率、实现小型化的表面安装晶体振荡器及其制造方法。
背景技术
[现有技术]
表面安装晶体振荡器体积小、重量轻,因此特别地被内置在便携式的电子设备中作为频率、时间的基准源。
目前,有如下的表面安装晶体振荡器:在陶瓷基板上搭载晶片2,使凹状的盖倒转覆盖而进行密闭封装。近年来,有频率偏差Δf/f比较平缓、例如为±150~±250ppm的廉价的民用表面安装晶体振荡器。
[相关技术]
此外,作为相关的现有技术,有日本特开2007-158419号公报“表面実装水晶発振器”(日本电波工业株式会社)[专利文献1]、以及日本特开2003-179456号公报“水晶製品用表面実装容器及びこれを用いた晶体製品”(日本电波工业株式会社)[专利文献2]。
在专利文献1中示出如下结构:在表面安装晶体振荡器中,在IC芯片2上搭载晶片3,在安装基板4上形成IC芯片2等,并设有金属盖5。
另外,在专利文献2中示出如下结构:在晶体产品用表面安装容器中,在单层基板1A上经由晶体端子6而设置晶片3,并用盖2进行密闭封装。
[专利文献1]日本特开2007-158419号公报
[专利文献2]日本特开2003-179456号公报
发明内容
然而,在上述现有的表面安装晶体振荡器中,存在如下问题点:在将近年来日益小型化的晶片搭载在基板上、并用盖进行密闭封装的结构的情况下,难以减少不合格率而提高生产率、提高质量。
具体地说,在将晶片和盖小型化了的情况下,需要解决的是利用导电性粘接剂连接到晶片上、并且使保持晶体振荡器的晶体保持端子和从该晶体保持端子引出到电极的引出端子不发生电气短路(short),而在现有的结构中,无法充分应对小型化。
本发明是鉴于上述情况而做出的,其目的在于提供一种能够实现小型化且提高质量、提高生产率的表面安装晶体振荡器及其制造方法。
用于解决上述现有例子的问题点的本发明,是一种表面安装晶体振荡器,在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子来保持晶片,在形成于基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子,在基板的表面上从第1晶体保持端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子上,从第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上,并且在基板的背面形成有连接到直通端子的安装端子,该表面安装晶体振荡器具有能够实现小型化且提高质量、提高生产率的效果。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器中,晶片的一个引出电极和另一个引出电极向相反方向引出,第1晶体保持端子和第2晶体保持端子为在两端保持晶片的双支撑类型。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器中,在引出第1引出端子的端部,利用导电性粘接剂连接第1晶体保持端子和晶片的一个引出电极,在引出第2引出端子的端部,利用导电性粘接剂连接第2晶体保持端子和晶片的另一个引出电极。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器中,第1晶体保持端子中的未形成导电性粘接剂的一侧的端部,形成得比一个引出电极的端部靠近内侧,第2晶体保持端子中的未形成导电性粘接剂的一侧的端部,形成得比另一个引出电极的端部靠近内侧。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器中,晶片的一个引出电极和另一个引出电极向同方向引出,第1晶体保持端子和第2晶体保持端子为在一端保持晶片的单支撑类型。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器中,在引出第1引出端子的端部,利用导电性粘接剂连接第1晶体保持端子和向晶片的一边引出的一个引出电极,在引出另一个引出电极的晶片的一边,利用导电性粘接剂连接第2晶体保持端子和向晶片的一边引出的另一个引出电极,第2引出端子从利用该导电性接剂连接的第2晶保持端子的位置通过晶片下方,连接到与引出第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上。
本发明提供一种表面安装晶体振荡器的制造方法,该表面安装晶体振荡器在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子来保持晶片,该制造方法的特征在于,具备如下处理:在薄片状的陶瓷坯料上形成确定各个陶瓷基板的区域的断裂线,在该区域的角部形成贯通孔并进行焙烧,从而形成薄片状的陶瓷衬底;在贯通孔的壁面上形成直通端子的金属层,并且在陶瓷衬底的表面上形成第1晶体保持端子以及从该端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子、从第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子那样的金属层的图案,并且在陶瓷衬底的背面形成连接到直通端子的安装端子的金属层的图案;在第1以及第2晶体保持端子上搭载晶片;以及使用连接在第1晶体保持端子的安装端子和连接到第2晶体保持端子的安装端子进行振荡频率的调整。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器的制造方法中,向晶片的表面侧的激励电极照射气态离子而削去表面,减小该激励电极的质量,将振荡频率从低的一方向高的一方调整。
另外,本发明在上述表面安装晶体振荡器的制造方法中,在激励电极上附加金属膜,将振荡频率从高的一方向低的一方调整。
附图说明
图1是与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器的剖面说明图。
图2是与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器的平面说明图。
图3是用于说明晶体保持端子的图案的平面概要图。
图4是用于说明安装端子的图案的平面概要图。
图5是表示金属盖的配置偏移的平面说明图。
图6是在薄片状的陶瓷板上形成了通孔和断裂线(break line)的图。
图7是在薄片状的陶瓷板上形成了晶体保持端子的图案的图。
图8是在薄片状的陶瓷板上形成了安装端子的图案的图。
图9是与其它实施方式有关的表面安装晶体振荡器的平面说明图。
附图标记说明
1:陶瓷衬底(基板);1A:薄片状陶瓷衬底;2:晶片;3:金属盖(盖);4:晶体保持端子;4a、4b:引出端子;5a、5b:安装端子;5x:直通端子;6a:激励电极;6b:引出电极;7:导电性粘接剂;8:密封材料;9:通孔(贯通孔)
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施方式。
[实施方式的概要]
与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器,在形成于矩形陶瓷基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子,在基板的表面上保持晶片的晶体保持端子的引出端子连接到对角的直通端子,并且在基板的背面形成连接到直通端子的安装端子,该表面安装晶体振荡器实现了小型化、并且防止短路而提高了质量、提高了生产率。
[表面安装晶体振荡器的结构:图1]
参照图1说明与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器。图1是与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器的剖面说明图。
如图1所示,与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器(本振荡器),经由导电性粘接剂7而将晶片2搭载到形成在陶瓷衬底(基板)1上的晶体保持端子4上,并且使凹状的金属盖(盖)3倒转并接合到陶瓷衬底1上进行密闭封装。
另外,在基板1的侧面形成直通端子5x,并将直通端子5X连接到从形成在基板1的表面上的晶体保持端子4引出的引出端子4a上,且与形成在基板1的背面的安装端子5a连接。
直通端子5x形成在通孔(贯通孔)9的侧壁上,该通孔9形成在基板1的四角。
并且,在基板1和盖3的接触部分之间形成具有绝缘性的密封材料8。
[表面安装晶体振荡器的平面特征:图2]
接下来,参照图2说明本振荡器的平面特征。图2是与本发明的实施方式有关的表面安装晶体振荡器的平面说明图。
如图2所示,本振荡器在陶瓷衬底(基板)1上对置地形成用于保持晶片2的两端的晶体保持端子4,从晶体保持端子4的端部向最近的基板1的角部引出并形成引出端子4a,并连接到直通端子5x。即,两个引出端子4a连接到反方向的角部的直通端子5x。
向基板1的角部引出引出端子4a并在角部连接到直通端子5x的原因是:与向基板1的水平方向或者垂直方向引出引出端子的情况相比,能够得到更长的距离,因此即使金属盖3的位置发生偏移,也会避免晶体保持端子4和直通端子5x经由金属盖3而短路的情况。
而且,晶片2和晶体保持端子4在引出了引出端子4a的晶体保持端子4的端部通过导电性粘接剂7而进行连接。
如图2所示,由于是晶体保持端子4在晶片2的两端部保持晶片2的结构,因此称作“双支撑”类型。
关于晶体保持端子4的特征图案将后述。
[表面安装晶体振荡器的各部分]
陶瓷衬底(基板)1做为由矩形的单板构成的平板状而在一个主面(表面)的两端侧形成晶体保持端子4,在另一个主面(背面)的四角部形成安装端子5a、5b。
而且,形成在背面的四角部的安装端子5a、5b连接到形成在通孔9的壁面上的直通端子5x。
在此,安装端子5a是经由直通端子5x而连接到引出端子4a的端子,安装端子5b是连接到直通端子5x而未连接到引出端子4a的端子。
设晶片2为AT切割,对置的激励电极6a形成在两个主面中。
另外,晶片2形成从激励电极6a向相互相反方向的两端部延伸并在宽度方向的整个宽度范围内折返的引出电极6b。
而且,引出电极6b的延伸的一组对角部(端部)通过作为导电材料的导电性粘接剂7而固定在晶体保持端子4上,将引出电极6b和晶体保持端子4进行电气/机械连接。
金属盖3为凹状的形状,开口端面弯曲成L字状,在基板1的外周表面通过作为绝缘性的密封材料8的树脂、玻璃而接合到基板1。
晶体保持端子4是保持晶片2的结构,由Ag(银)Pd(钯)合金形成。另外,从晶体保持端子4的端部向最近的基板1的角部形成引出端子4a。
在通孔(贯通孔)9的侧壁上形成直通端子5x,该通孔9形成在基板1的四角,直通端子5x用与晶体保持端子4相同的AgPd合金形成。
另外,引出端子4a在基板1的四角部分(角部)连接到直通端子5x。
其中,引出端子4a形成在基板1的对角线上,因此在该对角线上的角部连接到直通端子5x,而在另一对角线上的角部,直通端子5x未连接到引出端子4a。
安装端子5a、5b形成在基板1的背面的四角处,并在基板1的角部连接到直通端子5x。
如上所述,直通端子5x中有连接到引出端子4a的和未连接的,在基板1的背面,进行通过测量装置使安装端子5a彼此接触并激发的测试,进行后述的振荡频率的调整,其中所述安装端子5a与连接到引出端子4a的直通端子5x连接。
导电性粘接剂7将晶片2的引出电极6b和晶体保持端子4进行电气以及机械连接。
密封材料8被设置成:通过具有绝缘性和接合性的树脂将盖3固定在基板1上,并且使盖3的接触面不与引出端子4a等接触(短路)。
通孔(贯通孔)9是在分割基板1之前的陶瓷薄片的状态下,与断裂线同时形成的,其被形成为在所分割出的基板1的四角部分(角部)贯通表面和背面。
[晶体保持端子的图案:图3]
接下来,参照图3说明晶体保持端子4和引出端子4a的具体图案。图3是用于说明晶体保持端子的图案的平面概要图。
如图3所示,晶体保持端子4的图案与基板1的中央对置而形成,未形成引出端子4a的端部与现有的晶体保持端子相比短了长度L。这是为了即使金属盖3接触到一个晶体保持端子4,也能防止接触到另一个晶体保持端子4,从而避免短路。
[本振荡器的背面的安装端子5a的图案:图4]
另外,在基板1的背面,安装端子5a、5b的图案为如图4所示的图案,在基板1的四角矩形的金属图案连接到形成在贯通孔9的壁面上的直通端子5x。
图4是用于说明安装端子的图案的平面概要图。
[金属盖的配置偏移:图5]
接下来,参照图5说明本振荡器中的金属盖3的配置偏移。图5是表示金属盖的配置偏移的平面说明图。
以图2的虚线所示的位置表示金属盖3被正常配置时的接触面,以图5的虚线所示的位置表示发生了金属盖3的配置偏移时的接触面。
虽然发生金属盖3的配置偏移,因为使晶体保持端子4与现有技术相比短了长度L,且与引出电极6b的长度方向的端部相比更靠近该晶体保持端子4的端部的内侧,所以即使金属盖3接触到另一个晶体保持端子4,因为在该晶体保持端子4的端部不会与金属盖3接触,因此能够避免一个晶体保持端子4和另一个晶体保持端子4经由金属盖3而短路的情况。
具体地说,在图5中,即使金属盖3的开口端面部的下侧在水平方向接触到一个晶体振荡器4,因为在相同的水平方向金属盖3不会接触到另一个晶体保持端子4,因此能够避免短路。
[本振荡器的制造方法:图6~8]
接下来,参照图6~8说明本振荡器的制造方法。图6是在薄片状的陶瓷板上形成通孔和断裂线的图,图7是在薄片状的陶瓷板上形成晶体保持端子的图案的图,图8是在薄片状的陶瓷板上形成安装端子的图案的图。
[第1工序:图6/薄片状陶瓷坯料焙烧]
首先,形成作为薄片状陶瓷衬底1A的基础的薄片状陶瓷坯料。
如图6所示,在薄片状陶瓷坯料上形成与各个陶瓷衬底1相对应而使相邻的区域彼此分割的断裂线,并在其四角部(角部)形成贯通孔9。
然后,对形成有贯通孔9的薄片状陶瓷坯料进行焙烧,并得到薄片状陶瓷衬底1A。
[第2工序:图7、图8/电路图案形成]
接着,在薄片状陶瓷衬底1A的与电路图案相对应的区域,通过使用掩模的印刷来形成AgPd合金的金属焊膏。
关于电路图案,在一个主面(表面)中,如图7所示地形成晶体保持端子4的图案,在另一个主面(背面)中,如图8所示,形成安装端子5a、5b的图案,并且在贯通孔9的壁面上形成直通端子5x。
一个主面(表面)的晶体保持端子4,如上述那样地相对于各陶瓷衬底1的中心呈点对称。即在陶瓷衬底1的对角线上形成引出端子4a。
另外,在另一主面(背面)的一组对角上形成的安装端子5a,是经由直通端子5x、引出端子4a而与晶体保持端子4电连接的晶体外部端子,而形成在另一组对角上的安装端子5b为虚拟端子。
然后,焙烧设为AgPd合金的金属焊膏,得到形成了电路图案的薄片状陶瓷衬底1A。
此外,陶瓷的焙烧温度约为1500~1600℃,AgPd合金为其以下的850℃,因此在陶瓷焙烧之后涂敷AgPd合金焊膏,并与陶瓷一起焙烧AgPd合金焊膏。
这么做的原因是:如果在衬底坯料上涂敷AgPd合金焊膏并以陶瓷的焙烧温度进行焙烧,则AgPd合金焊膏会因温度过高而变成块粒,从而无法形成电路图案。
[第3工序/晶片搭载]
接下来,在形成了电路图案的薄片状陶瓷衬底1A的各晶体保持端子4上,通过导电性粘接剂7对从激励电极6a延伸有引出电极6b的晶片2的外周部进行固定搭载,并电气/机械地连接。
在此,延伸有引出电极6b的晶片2中的一组对角部被固定。
[第4工序/频率调整]
接下来,根据质量负荷效应来调整作为搭载(固定)到薄片状陶瓷衬底1A的晶体振荡器的各晶片2的振荡频率。
具体地说,在薄片状陶瓷衬底1A的背面,使来自测量器的测量端子(探头)接触到与各晶片2电连接的安装端子5a。然后,对露出板面的晶片2的表面侧的激励电极6a照射气态离子而削去表面,减小激励电极6a的质量,从而将振荡频率从低的一方向高的一方进行调整。
其中,例如也能够通过蒸镀、溅射而在激励电极6a上附加金属膜,从而将振荡频率从高的一方向低的一方进行调整。
[第5工序/金属盖接合(密闭封装)]
接下来,通过密封材料8而将设为凹状的金属盖3的开口端面接合到搭载了晶片2的薄片状陶瓷衬底1A的与各个陶瓷衬底1相对应的矩形区域的外周表面。
在此,设预先涂敷在金属盖3的开口端面上的树脂为密封材料8,进行加热熔融来接合。例如,将金属盖3的开口端面设为L字状而加长所谓的封口路径(seal pass)。由此,形成封闭封装各个晶片2而集成化了的薄片状晶体振荡器。
[第6工序/分割]
最后,按照断裂线对集成化了晶体振荡器的薄片状陶瓷衬底1A进行横竖分割,得到各个表面安装晶体振荡器。
在本实施方式的制造方法中,设陶瓷衬底1的电路图案(晶体保持端子4、直通端子5x、安装端子5a)为AgPd合金,在设有贯通孔9的薄片状衬底坯料焙烧之后涂敷AgPd合金焊膏,并通过焙烧来形成。
因而,与现有例子中的在薄片状陶瓷坯料上涂敷W(钨)焊膏、而焙烧之后通过电解电镀而形成Ni(镍)以及Au(金)的情况相比,不需要两次的电解电镀工序,因此能够减少制造工序数。
另外,因为不需要电解电镀工序,所以例如也不需要对陶瓷衬底1之间的电路图案进行电连接的电解电镀用的布线线路,因此具有能够使电路图案简单而廉价的效果。
另外,在此,设在形成有电路图案的薄片状陶瓷衬底1A的状态下,进行晶片2的搭载(第3工序)、频率调整(第4工序)以及金属盖3的接合(第5工序)。
因而,能够在薄片状陶瓷衬底1A的状态下,连续地进行这些工序,所以具有能够提高生产率的效果。
并且,在本实施方式中,设陶瓷衬底1背面的安装端子5a、5b为各自电气独立的4个端子。另一方面,在薄片状陶瓷衬底1A的状态下,相邻的矩形区域的四个角部的各安装端子5a、5b(4个)经由直通端子5x而电气共用连接。
因而,具有如下效果:在四个角部的各安装端子5a、5b被共用连接了的状态下,也能使测量端子接触到连接在各陶瓷衬底1的晶体保持端子4的一组对角部的安装端子5a,进而对每个晶片2调整振荡频率。
[单支撑类型:图9]
接下来,参照图9说明与其它实施方式有关的表面安装晶体振荡器。图9是与其它实施方式有关的表面安装晶体振荡器的平面说明图。
如图9所示,与其它实施方式有关的表面安装晶体振荡器(其它振荡器)形成为:在晶片2的一方的端部形成引出电极6b,并在该一方的端部经由导电性粘接剂7而连接到晶体保持端子4,在一个晶体保持端子4处向最近的角部形成引出端子4a,在另一个晶体保持端子4处,通过晶片2的下部向图9的水平方向引出引出端子4b,并连接在离晶片2的角部最近的角部。
图9的结构是晶片2由单方保持的情况,因此称作“单支撑”类型。
即使是图9的单支撑类型,也与本振荡器的双支撑类型同样地经由形成在对角线上的贯通孔9上的直通端子5x而连接到背面的安装端子5a,背面为图8所示的安装端子5a、5b的图案。
此外,图9中的其它的振荡器的制造方法也与本振荡器的制造方法相同,具有能够提高生产率的效果。
另外,使测量端子接触到背面的安装端子5a,同样能够对每个晶片2进行频率调整。
[实施方式的效果]
根据本振荡器以及其它振荡器,具有如下效果:将陶瓷衬底1设为单板,因此基本上能够降低制造单价,通过将包含晶体保持端子4的电极设为AgPd合金,与设为W以及Ni、Au的现有情况相比,减少了电极的材料费、工序数,能够使其更廉价。
并且,根据本振荡器以及其它振荡器,具有如下效果:将来自晶体保持端子4的引出端子4a向陶瓷衬底1的对角线上的角部引出,经由在形成在该角部的贯通孔9的壁面上形成的直通端子5x而连接到背面的安装端子5a上,因此与向水平方向或者垂直方向引出引出端子4a的情况相比能够增加长度,即使金属盖3的开口端面部与一个晶体保持端子4的一端侧接触,因为到直通端子5x还有距离,所以能够防止接触到直通端子5x,从而能够避免电气短路(短路)。
另外,在本振荡器中,使晶体保持端子4的端部比晶片的引出电极6b短,因此即使作为金属盖3的一边的开口端面部与一个晶体保持端子4接触,也能够避免在相同方向上与另一个晶体保持端子4的接触。
其结果是,具有如下效果:防止一对晶体保持端子4经由金属盖3而电气短路的情况,能够提高生产率。
另外,在其它的振荡器中,因为使引出端子4b通过晶片2的下侧而连接到引出电极6b,因此具有能够防止图9的垂直方向的一对晶体保持端子4通过金属盖3而短路的效果。
但是,因为晶体保持端子4并排配置在图9的垂直方向上,因此需要注意图9的横方向的偏移。
另外,根据本振荡器以及其它的振荡器,通过使其相对于金属盖3的配置偏移具有适应性,从而具有抑制导电性粘接剂7的固定状态的变化而使其稳定、并能够良好地维持表面安装晶体振荡器的老化特性的效果。
本发明优选用于能够实现小型化、且提高品质、提高生产率的表面安装晶体振荡器及其制造方法。

Claims (6)

1.一种表面安装晶体振荡器,在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子来保持晶片,该表面安装晶体振荡器的特征在于,
晶片的一个引出电极和另一个引出电极向相反方向引出,所述第1晶体保持端子和所述第2晶体保持端子为在两端保持所述晶片的双支撑类型,
在形成于所述基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子,
在所述基板的表面从所述第1晶体保持端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子上,从所述第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上,并且在所述基板的背面形成连接到所述直通端子的安装端子,
在引出所述第1引出端子的端部,利用导电性粘接剂连接所述第1晶体保持端子和所述晶片的一个引出电极,
在引出所述第2引出端子的端部,利用导电性粘接剂连接所述第2晶体保持端子和所述晶片的另一个引出电极。
2.根据权利要求1所述的表面安装晶体振荡器,其特征在于,
第1晶体保持端子中未形成导电性粘接剂的一侧的端部,形成得比一个引出电极的端部靠近内侧,
第2晶体保持端子中未形成导电性粘接剂的一侧的端部,形成得比另一个引出电极的端部靠近内侧。
3.一种表面安装晶体振荡器,在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子来保持晶片,该表面安装晶体振荡器的特征在于,
所述晶片的一个引出电极和另一个引出电极向同方向引出,所述第1晶体保持端子和所述第2晶体保持端子为在一端保持所述晶片的单支撑类型,
在形成于所述基板的角部的贯通孔的壁面上形成直通端子,
在所述基板的表面从所述第1晶体保持端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子上,从所述第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上,并且在所述基板的背面形成连接到所述直通端子的安装端子,
在引出所述第1引出端子的端部,利用导电性粘接剂连接所述第1晶体保持端子和向所述晶片的一边引出的一个引出电极,
在引出另一个引出电极的所述晶片的所述一边,利用导电性粘接剂连接所述第2晶体保持端子和向所述晶片的所述一边引出的所述另一个引出电极,所述第2引出端子从利用该导电性粘接剂连接的所述第2晶体保持端子的位置通过所述晶片下方,连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子上。
4.一种表面安装晶体振荡器的制造方法,该表面安装晶体振荡器在矩形的陶瓷基板上利用第1以及第2晶体保持端子来保持晶片,该制造方法的特征在于,具备如下处理:
在薄片状的陶瓷坯料上形成确定各个陶瓷基板的区域的断裂线,在该区域的角部形成贯通孔并进行焙烧,从而形成薄片状的陶瓷衬底;
在所述贯通孔的壁面上形成直通端子的金属层,并且在所述陶瓷衬底的表面上以所述第1晶体保持端子以及从该端子引出的第1引出端子连接到最近的角部的直通端子、从所述第2晶体保持端子引出的第2引出端子连接到与引出所述第1引出端子的方向相反方向的角部的直通端子的方式形成金属层的图案,并且在所述陶瓷衬底的背面形成连接到所述直通端子的安装端子的金属层的图案;
在所述第1以及所述第2晶体保持端子上搭载所述晶片;以及
使用连接在所述第1晶体保持端子上的安装端子和连接在所述第2晶体保持端子上的安装端子进行振荡频率的调整。
5.根据权利要求4所述的表面安装晶体振荡器的制造方法,其特征在于,
向晶片的表面侧的激励电极照射气态离子而削去表面,减少该激励电极的质量而将振荡频率从低的一方向高的一方进行调整。
6.根据权利要求4所述的表面安装晶体振荡器的制造方法,其特征在于,
在激励电极上附加金属膜而将振荡频率从高的一方向低的一方进行调整。
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