CN102034564B - 制备导电膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及制备导电膜的方法，所述方法包括在支持体上形成包含导电物质和粘结剂的导电金属部分的导电金属部分形成步骤；和将所述导电金属部分与过热蒸气接触的蒸气接触步骤。该方法可以进一步包括将所述导电金属部分平滑化的平滑化处理步骤，使得在所述蒸气接触步骤中将平滑化的导电金属部分与过热蒸气接触。

Description

制备导电膜的方法
技术领域
本发明涉及制备导电膜的方法，所述导电膜适合作为透光电磁屏蔽膜用于各种显示装置，作为透明电极用于各种电子装置，作为透明平面加热元件等。
背景技术
近来，己知具有透明基板和金属细丝等的网状图案导电层的材料作为导电膜，所述导电膜适合作为透光电磁屏蔽膜用于各种显示装置，作为透明电极用于各种电子装置，作为透明平面加热元件等。制备这种材料的已知方法包括以下步骤：将形成在透明基板上的感光卤化银层曝光为图案以形成图案化的显影银，并将显影银进行镀覆处理以形成图案化的导电层(参见日本特开No.2004-221564等)。
通过使用压光辊(calender roll)的平滑化处理可以充分地降低由这种包含银盐(特别是卤化银)的感光材料制备的导电膜的表面电阻。而且，该方法有利地能够形成具有所需图案和均一形状的金属银部分，由此提高导电膜产率(参见日本特开No.2008-251417等)。
同样，已经提出了通过将形成在支持体上的导电金属部分与蒸气接触，制备具有改善的电导率的导电膜的方法(参见日本特开No.2008-277249)。该专利文件描述了使用100℃-140℃的蒸气。
这种蒸气可以是在过热蒸气的状态以及饱和蒸气的状态。例如，在日本特开No.2008-249817、2009-086343和09-502252(PCT申请)等中使用了过热蒸气。
日本特开No.2008-249817描述了制造正性感光平版印刷板的方法，所述正性感光平版印刷板包括基底(base)，该基底具有依次形成其上的下涂层和图像记录层，其中所述下涂层是通过施用包含溶剂和具有碱可溶基团的丙烯酸树脂的下涂层溶液，随后将涂层干燥获得的，并且所述图像记录层包含酚醛清漆树脂(novolac resin)和红外吸收剂。在该方法中，所施用的下涂层溶液在下涂层干燥步骤中被干燥，该下涂层干燥步骤包括使用具有90℃-200℃的温度和5％-70％的相对湿度的含蒸气的热空气的含蒸气的热空气干燥步骤。
日本特开No.2009-086343描述了包括以下步骤的方法：在基板上形成感光层的步骤，用外涂层涂布所述感光层的步骤，向所述外涂层施用热空气的第一干燥步骤，和在第一干燥步骤之后向所述外涂层施用热空气和过热蒸气的第二干燥步骤。
日本特开No.09-502252(PCT申请)描述了使用过热蒸气在干燥室(drying enclosure)中至少部分地干燥潮湿的材料的方法。
然而，上述文献没有描述使用过热蒸气或加压蒸气(加压饱和蒸气)制备适合作为透光电磁屏蔽膜用于各种显示装置，作为透明电极用于各种电子装置，作为透明平面加热元件等的导电膜。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供制备导电膜的方法，当制备适合作为透光电磁屏蔽膜用于各种显示装置，作为透明电极用于各种电子装置，作为透明平面加热元件等的导电膜时，通过使用加压蒸气(加压饱和蒸气)，该方法能够改善导电膜的电导率。
本发明的另一目的是提供制备导电膜的方法，当制备适合作为透光电磁屏蔽膜用于各种显示装置，作为透明电极用于各种电子装置，作为透明平面加热元件等的导电膜时，通过使用过热蒸气，该方法能够改善导电膜的电导率。
[1]根据本发明的第一方面的制备导电膜的方法，所述方法包括
在支持体上形成包含导电物质和粘结剂的导电金属部分的导电金属部分形成步骤；将所述导电金属部分平滑化的平滑化处理步骤；和将平滑化的导电金属部分与饱和蒸气(加压蒸气)在高于0.1MPa的压力下接触的蒸气接触步骤；其中，所述饱和蒸气具有101-361kPaA的绝对压力。
[2]如第一方面所述的方法，其中，将所述平滑化的导电金属部分与所述加压蒸气接触5分钟或更短。
[3]如第一方面所述的方法，其中，将所述平滑化的导电金属部分与所述加压蒸气接触20-120秒。
[4]根据本发明的第二方面制备导电膜的方法，所述方法包括
在支持体上形成包含导电物质和粘结剂的导电金属部分的导电金属部分形成步骤；和将所述导电金属部分与过热蒸气接触的蒸气接触步骤。
[5]如第二方面所述的方法，其中，所述过热蒸气具有在1atm下100℃-160℃的温度。
[6]如第二方面所述的方法，其中，所述支持体包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[7]如第二方面所述的方法，其中，所述过热蒸气具有在1atm下100℃-125℃的温度。
[8]如第二方面所述的方法，其中，将所述导电金属部分与所述过热蒸气接触5分钟或更短。
[9]如第二方面所述的方法，其中，将所述导电金属部分与所述过热蒸气接触4-120秒。
[10]如第二方面所述的方法，其中，所述过热蒸气以500-600g/m3的量施用。
[11]如第二方面所述的方法，还包括将所述导电金属部分平滑化的平滑化处理步骤，其中，在所述蒸气接触步骤中，将平滑化的导电金属部分与所述过热蒸气接触。
[12]如第一和第二方面所述的方法，其中，在所述导电金属部分形成步骤中，在所述支持体上形成包含银盐的乳剂层以准备感光材料，并且之后将所述感光材料曝光并显影以在所述支持体上形成所述导电金属部分。
[13]如第一和第二方面所述的方法，其中，所述乳剂层的银/粘结剂的体积比为1/1或更大。
[14]如第一和第二方面所述的方法，其中，在所述导电金属部分形成步骤中，将包含所述导电物质和所述粘结剂的糊浆印刷到所述支持体上以在所述支持体上形成所述导电金属部分。
[15]如第一和第二方面所述的方法，其中，在所述平滑化处理步骤中，在1960N/cm(200kgf/cm)或更高的线压力(line pressure)下将所述导电金属部分平滑化。
如上所述，在本发明的导电膜制备方法中，通过使用过热蒸气或加压蒸气(加压饱和蒸气)，可以制备具有改善的电导率的适合作为透光电磁屏蔽膜用于各种显示装置，作为透明电极用于各种电子装置，作为透明平面加热元件等的导电膜。
通过以下结合附图的描述，其中通过示例性实施例显示了本发明的优选实施方式，本发明的上述和其它目的、特征和优点都将更清楚。
附图说明
图1是显示用于使用过热蒸气的第一处理的第一干燥设备的例子的结构图。
图2是显示用于使用加压蒸气的第二处理的第二干燥设备的例子的结构图。
具体实施方式
下面描述本发明的导电膜制备方法。由本发明的方法制备的导电膜可以用在除霜器(除霜装置)、用于车辆的窗玻璃等中，并可以用作通过流过电流产生热的加热片、用于触摸面板的电极、无机EL装置、有机EL装置，或太阳能电池或印制板(printed board)。应当注意，在本说明书中，数值范围“A-B(A至B)”包括数值A和B作为下限值和上限值。
<用于导电膜制备的感光材料>
[支持体]
在本发明的制备方法中使用的感光材料的支持体可以塑料膜、塑料板、玻璃板等。塑料膜和塑料板的材料的例子包括：聚酯，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯；聚烯烃，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯和EVA；乙烯树脂，例如聚氯乙烯和聚偏氯乙烯；聚醚醚酮(PEEK)；聚砜(PSF)；聚醚砜(PES)；聚碳酸酯(PC)；聚酰胺；聚酰亚胺；丙烯酸树脂；和三乙酰纤维素(TAC)。
[含银盐层]
在本发明的制备方法中使用的感光材料具有支持体和其上作为光传感器(light sensor)的含有银盐的乳剂层(含银盐层)。所述含银盐层除了银盐外可以包含粘结剂、溶剂等。除非产生问题，包含银盐的乳剂层(或含银盐层)可以简称为乳剂层。
所述乳剂层除了银盐外如果需要可以包含染料、粘结剂、溶剂等。下面描述在乳剂层中的各个成分。
<染料>
所述感光材料至少在乳剂层中可以包含染料。染料用在乳剂层中作为阻光染料(filter dye)或用于防止辐射等。所述染料可以是固体分散性染料。用于本发明的染料的优选例子描述在日本特开No.2008-251417，并因此在此省略了对其例子的描述。考虑到例如防止辐射的效果和由于过量添加导致的感光度下降，在乳剂层中染料与总固体成分的质量比优选为0.01质量％-10质量％，更优选0.1质量％-5质量％。
<银盐>
用于本发明的银盐可以是无机银盐例如卤化银或有机银盐例如乙酸银。在本发明中，由于其优异的感光性质，卤化银是优选的。
下面描述优选用于本发明的卤化银。
在本发明中，优选感光性质优异的卤化银。在本发明中可以使用用于照相银盐膜(photographic silver salt film)、照相纸(photographic paper)、印刷雕版膜(print engraving film)、用于光掩蔽的乳胶掩模(emulsion mask)等的卤化银技术。
卤化银可以包含氯、溴、碘或氟的卤素元素，且可以包含这些元素的组合。例如，卤化银优选包含AgCl、AgBr、或AgI作为主要成分，更优选AgBr或AgCl作为主要成分。卤化银可以包含氯溴化银、碘氯溴化银、或碘溴化银。卤化银更优选为氯溴化银、溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银；最优选氯化银含量为50mol％或更多的氯溴化银或碘氯溴化银。
卤化银可以是固体颗粒的状态。考虑到在曝光和显影后形成的图案化的金属银层的图像质量，以球当量直径计，卤化银颗粒的平均粒度优选为0.1-1000nm(1μm)，更优选0.1-100nm，再优选1-50nm。卤化银颗粒的球当量直径是指与卤化银颗粒具有相同体积的球形颗粒的直径。
在本发明中用作乳剂层的涂布液的卤化银乳剂可以通过以下文献描述的方法制备：P.Glafkides，“Chimie et Physique Photographique”，Paul Montel，1967，G.F.Dufin，“Photographic Emulsion Chemistry”，The Forcal Press，1966，V.L.Zelikman，et al.，“Making and Coating Photographic Emulsion”，TheForcal Press，1964，etc.
[粘结剂]
在乳剂层中可以使用粘结剂以均匀地分散银盐颗粒并帮助乳剂层粘附到支持体上。在本发明中，尽管粘结剂可以包含水不溶性聚合物和水溶性聚合物，但是优选粘结剂具有高含量的通过浸泡到热水中或与下述的水蒸气接触可以被去除的水溶性组分。
粘结剂的例子包括明胶(gelatins)、角叉菜胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、多糖例如淀粉、纤维素和其衍生物、聚环氧乙烷、多糖、聚乙烯胺、壳聚糖、聚赖氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明质酸和羧基纤维素。由于官能团的离子性，粘结剂表现出中性、阴离子性或阳离子性。
粘结剂优选包含明胶。明胶可以是石灰处理过的(lime-treated)明胶或酸处理过的明胶，并可以是水解的明胶、酶降解的明胶或具有改性的氨基或羧基的明胶(例如邻苯二甲酰化的明胶(phthalated gelatin)或乙酰化的明胶)。在制备银盐中使用的明胶优选是使得氨基的正电荷被转变成不带电荷或带负电荷的状态。再优选额外使用邻苯二甲酰化的明胶。
粘结剂在乳剂层中的量没有特别的限制，并可以适当地选择以获得充分的分散和粘合性质。在乳剂层中银/粘结剂的体积比优选为1/1或更大，更优选1.5/1或更大，再优选2/1或更大。银/粘结剂的体积比的上限优选为20/1，更优选10/1。可以通过将卤化银材料与粘结剂的重量比转换成银与粘结剂的重量比，并通过进一步将银与粘结剂的重量比转换成银与粘结剂的体积比，获得银/粘结剂的体积比。
<溶剂>
用于形成乳剂层的溶剂没有特别的限制，其其例子包括水、有机溶剂(例如醇例如甲醇；酮例如丙酮；酰胺例如甲酰胺；亚砜例如二甲亚砜；酯例如乙酸乙酯；醚)、离子液体和它们的混合物。在本发明中，溶剂与乳剂层中的银盐、粘结剂等全部的质量比为的30质量％-90质量％，优选50质量％-80质量％。
[非感光中间层]
非感光中间层可以包含明胶或明胶与SBR的组合。进一步，该层可以包含例如交联剂或表面活性剂的添加剂。
[其它层]
在乳剂层上可以形成保护层。在本发明中使用的保护层包含粘结剂例如明胶或大分子，并形成在感光乳剂层上以改善防划伤性或机械性质。保护层的厚度优选为0.3μm或更小。施用或形成保护层的方法没有特别的限制，并可以从已知的涂布方法中适当地选择。
<导电膜制备方法>
下面描述使用上述感光材料制备导电膜的方法。
在本发明的导电膜制备方法中，首先将包含支持体和其上的含银盐乳剂层的感光材料曝光和显影。然后，将由显影形成的金属银部分进行平滑化处理例如压光处理。在金属银部分的形成中，除了金属银部分外，可以形成透光部分或绝缘部分，或作为选择地，通过全部表面曝光可以在整个膜表面形成金属银部分。在通过本发明的方法制备的导电膜中，可以通过图案曝光在支持体上形成金属部分。在图案曝光中，可以使用扫描曝光法(scanning exposure method)或表面曝光法。金属银部分可以形成在曝光区域或未曝光区域。
根据目的用途可以适当地选择图案形状细节。例如，对于制备电磁屏蔽膜，图案可以是网状图案(mesh pattern)，或者对于制备印制板可以是线形图案(wiring pattern)。
本发明的导电膜制备方法包括以下三种实施方式，区别在于感光材料和显影处理。
实施方式(1)，包括将不含物理显影核(physical development nuclei)的黑白卤化银感光材料进行化学或热显影，以在感光材料上形成金属银部分。
实施方式(2)，包括将具有包含物理显影核的卤化银乳剂层的黑白卤化银感光材料进行溶解的物理显影(solution physical development)，以在材料上形成金属银部分。
实施方式(3)，包括将不含物理显影核的黑白卤化银感光材料和具有包含物理显影核的非感光层的图像接收片的叠层进行扩散转印显影(diffusion transfer development)，以在非感光图像接收片上形成金属银部分。
在实施方式中可以使用负显影处理或反转显影处理(reversaldevelopment treatment)。在扩散转印显影中，可以使用自动正感光材料(auto-positive photosensitive material)进行负显影处理。
化学显影、热显影、溶解的物理显影和扩散转印显影具有本领域通常的含义，并在普通照相化学课本中有解释，例如Shin-ichi Kikuchi，“ShashinKagaku(Photographic Chemistry)”，Kyoritsu Shuppan Co.，Ltd.和C.E.K.Mees，“The Theory of Photographic Process，第4版”。
[曝光]
在本发明的制备方法中，将形成在支持体上的含银盐层曝光。该层可以使用电磁波曝光。例如，可以使用光(例如可见光或紫外光)或射线(例如X射线)产生电磁波。可以使用具有波长分布(wavelength distribution)或特定波长的光源进行曝光。对于制备电磁屏蔽膜，可以网状图案施用辐照光，对于制备印制板，可以线形图案施用辐照光。
[显影处理]
在本发明的制备方法中，在曝光之后将含银盐层进行显影处理。用于照相银盐膜、照相纸、印刷雕版膜、用于光掩蔽的乳胶掩模等的普通显影处理可以用于本发明。用于显影处理的显影剂没有特别的限制，并可以是PQ显影剂、MQ显影剂、MAA显影剂等。可以用于本发明的可商购的显影剂的例子包括可得自FUJIFILM公司的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3和PAPITOL；可得自Eastman Kodak公司的C-41、E-6、RA-4、Dsd-19和D-72；以及包含在其试剂盒中的显影剂。显影剂可以是里斯(lith)显影剂例如可得自Eastman Kodak公司的D85。
在本发明的制备方法中，通过曝光和显影处理，金属银部分形成在曝光区域并且下面描述的透光部分形成在未曝光区域。如果需要，可以在显影处理之后通过将样品水洗以去除粘结剂从而进一步提高膜的电导率。在本发明中，显影、定影和水洗优选在25℃或更低的温度下进行。
在本发明的制备方法中，显影步骤可以包括定影处理，以去除在未曝光区域的银盐从而稳定材料。用于照相银盐膜、照相纸、印刷雕版膜、用于光掩蔽的乳胶掩模等的通常定影处理技术可以用于本发明。
用于显影处理的显影剂可以包括用于改善图像质量的图像质量改进剂。图像质量改进剂的例子包括含氮的杂环化合物例如苯并三唑。聚乙二醇尤其优选用作里斯显影剂。
在显影后包含在曝光区域的金属银与在曝光前包含在该区域的银的质量比优选为50质量％或更多，更优选80质量％或更多。当质量比为50质量％或更多时，可以很容易地获得高电导率。
在显影处理之后，在曝光区域的金属银部分包含银和非导电大分子，并且银/非导电大分子的体积比优选为1/1或更大，更优选1.5/1或更大，再优选2/1或更大，特别优选3/1或更大。银/非导电大分子的体积比的上限为20/1，更优选10/1。银/非导电大分子的体积比可以由银部分和非导电大分子之间的截面积的比例(其通过截面观察(cross-sectional observation)金属银部分获得)确定。
在本发明中，通过显影获得的色调(tone)(灰度(gradation))尽管没有特别的限制，但是优选大于4.0。当显影之后的色调大于4.0时，可以提高导电金属部分的电导率同时保持透光部分的高透明度。例如，可以通过掺杂铑和铱离子获得4.0或更大的色调。
[氧化处理]
在本发明的制备方法中，通过显影形成的金属银部分优选进行氧化处理。例如，通过氧化处理，可以去除沉积在透光部分的少量金属，使得透光部分的透光度增加至约100％。
例如，可以通过已知的方法使用氧化剂例如Fe(III)离子进行氧化处理。可以在含银盐层的曝光和显影处理之后进行氧化处理。
在本发明中，在曝光和显影处理之后可以使用含Pd的溶液处理金属银部分。Pd可以在二价钯离子或金属钯的状态。通过这个处理可以防止金属银部分的黑色随时问改变。
在本发明的制备方法中，具有特定线宽(line width)、开口率(openingratio)和银含量的网状金属银部分通过曝光和显影处理直接形成在支持体上，并由此可以呈现令人满意的表面电阻。因此，不必将金属银部分再进行物理显影和/或镀覆以增加电导率。因此，在本发明中，可以通过简单的工艺制备透光导电膜。
如上所述，本发明的透光导电膜可以用在除霜器(除霜装置)、用于车辆的窗玻璃等，通过流过电流产生热的加热片、用于触摸面板的电极、无机EL装置、有机EL装置，或太阳能电池或印制板中。
[还原处理]
通过在显影处理之后将感光材料浸泡在还原性水溶液中可以获得所需的高导电性膜。还原性水溶液可以是亚硫酸钠、对苯二酚、对苯二胺、草酸等。水溶液优选具有10或更高的pH。
[形成导电金属部分的其它方法]
尽管在上述的实施方式中导电金属部分通过在支持体上形成含银盐的乳剂层以准备感光材料，并通过曝光和显影所准备的感光材料而形成在支持上，但是导电金属部分可以如下形成在支持体上。
即，可以通过将包含导电物质(例如银)和粘结剂的糊浆印刷到支持体上获得导电金属部分。作为选择地，通过使用丝网印刷板或凹版印刷板将导电金属部分(薄金属膜)印刷到支持体上。
[平滑化处理]
在本发明的制备方法中，在显影之后将金属银部分(整个表面的金属银部分、图案化的金属网状部分或图案化的金属线状部分)进行平滑化处理。通过平滑化处理可以显著地提高金属银部分的电导率。如果适当地设计金属银部分和透光部分的区域，所得的导电膜可以适合用作具有高的电磁屏蔽性能、高的光透过率和黑色网状部分的透光电磁屏蔽膜，作为用于各种电子装置的透明电极，作为透明平面加热元件等。
可以使用压光辊设备进行平滑化处理。压光辊设备通常具有一对辊。使用压光辊设备进行的平滑化处理以下称为压光处理。
在压光处理中使用的辊可以由金属或塑料例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺或聚酰亚胺-酰胺组成。特别是在感光材料在两面具有乳剂层的情况下，优选用一对金属辊处理。在感光材料仅在一面具有乳剂层的情况下，考虑到防止起皱，可以使用金属辊和塑料辊组合进行处理。线压力的下限优选为1960N/cm(200kgf/cm，相应于699.4kgf/cm2的表面压力(surfacepressure))或更高，更优选2940N/cm(300kgf/cm，相应于935.8kgf/cm2的表面压力)或更高。线压力的上限为6860N/cm(700kgf/cm)或更低。
使用通常的压光辊设备进行平滑化处理的温度优选为10℃(没有温度控制)至100℃。尽管根据金属的网状图案或线形图案的密度和形状以及粘结剂类型等，优选的温度范围是不同的，但是通常温度更优选10℃(没有温度控制)至50℃。
[蒸气接触处理]
在本发明的制备方法中，在平滑化处理之后在蒸气接触步骤中将导电金属部分与蒸气接触。在蒸气接触步骤中，可以将平滑化的导电金属部分与过热蒸气接触(第一处理)或与加压蒸气(加压饱和蒸气)接触(第二处理)。通过这个步骤可以在短时间内很容易地改善电导率和透明度。认为在该步骤中部分地去除了水溶性粘结剂，由此在金属物质(导电物质)之间的粘接位点增加。
[使用过热蒸气的第一处理]
在以下参考图1描述使用过热蒸气的第一处理。图1是显示可用于本发明的第一干燥设备10A的例子的结构图。第一干燥设备10A具有沿输送平滑化的导电膜前体12的方向设置的干燥箱14。在干燥箱14的两端形成有狭缝状开口16a和16b，通过该开口输送导电膜前体12，并且用于输送导电膜前体12的多个路径辊(path roller)18设置在干燥箱14内部。
干燥箱14包括将过热蒸气施用到导电膜前体12的导电膜部分上的干燥器20，由此干燥导电金属部分。
干燥器20具有用于将过热蒸气22喷雾到导电膜前体12的导电金属部分上的多个喷嘴24。喷嘴24设置在干燥箱14的上部，且通过管子26与过热蒸气发生器28连接。因此，干燥器20可以将过热蒸气22施用到导电膜前体12的导电金属部分上。喷嘴24的数量和位置不限于图1的实施例。过热蒸气22可以是过热水蒸气或过热水蒸气与气体的混合物。
将过热蒸气22通过喷嘴24喷雾到导电膜前体12的导电金属部分上的施用时间为4-120秒。当施用时间少于4秒时，不能得到较大的电导率改善。从这个角度，施用时间优选为4秒或更多。另一方面，当施用时间大于120秒时，电导率的改善被饱和。因此，施用过热蒸气大于120秒是浪费的。
将过热蒸气22通过喷嘴24喷雾到导电膜前体12的导电金属部分上的施用量为500-600g/m3。过热蒸气22的温度控制在1atm下100℃-160℃。当平滑化的导电金属部分以这种方法通过喷雾过热蒸气22干燥时，可以将平滑化的导电膜前体12的表面电阻再降低约68％-77％以大大改善电导率。在不进行平滑化处理的情况下，导电膜前体12的表面电阻可以降低约56％-82％。
另外，在第一处理中，施用时间可以是4-120秒的短时间，优选10-70秒。因此，可以使与过热蒸气22接触的空间很小，使得减小处理装置的尺寸并可以提高生产能力。
[使用加压蒸气的第二处理]
下面参考图2描述使用加压蒸气的第二处理。图2是显示用于本发明的第二干燥装置10B的例子的结构图。第二干燥装置10B具有与日本特开No.60-202049中描述的液体喷射型密封装置类似的结构。第二干燥装置10B包括用于储存液体50(例如水)的液体槽52，设置在液体槽52上方的高压气体处理室54，设置在液体槽52和高压气体处理室54之间的第一液体喷射部件56a和第二液体喷射部件56b，和用于将液体槽52中的液体50循环到第一和第二液体喷射部件56a和56b的循环部件58。
第一和第二液体喷射部件56a和56b各自具有与高压气体处理室54的底部开口相连的上狭缝60和浸泡在液体槽52的液体50中的下狭缝62。循环部件58具有形成在液体槽52上的出口64，用于将液体50从出口64通过第一管子66a输送到第一和第二液体喷射部件56a和56b的压力泵68，用于将液体50从压力泵68导入到第一和第二液体喷射部件56a和56b的第二管子66b。
由此，从液体槽52经过第一液体喷射部件56a、高压气体处理室54和第二液体喷射部件56b至液体槽52形成一个输送路径。因此，例如，设置第一至第八路径辊70a至70h用于将导电膜前体12沿该输送路径输送。
将高压气体经过供应阀门72和供应管子74通过鼓风机(图中未示出)引入到高压气体处理室54中。引入到高压气体处理室54中高压气体可以部分地被液化，并且液体通过排出管子76和排出阀门78排出。可以通过适当地控制供应到高压气体处理室54中的高压气体的压力和用于循环液体50的压力泵68的压力来增加装置的密封气密性，由此控制在第一和第二液体喷射部件56a和56b中的液面。
在该实施例中，高压气体是加压饱和水蒸气。因此，高压气体处理室54充满了加压饱和水蒸气。因此，当通过第一至第八路径辊70a至70h输送平滑化的导电膜前体12时，导电膜前体12上的导电金属部分与加压饱和水蒸气接触。结果，平滑化的导电膜前体12的表面电阻可以进一步降低约77％-85％从而大大改善了电导率。饱和水蒸气优选具有101-360kPaA的绝对压力。在导电膜前体12上的导电金属部分优选与加压饱和水蒸气接触20-120秒。
图2的第二干燥装置10B适合用于伸长的导电膜前体12。此外，在使用例如具有60mm长和1m宽的矩形的导电膜前体的情况下，可以整片加入(sheet-fed)的方式使用高压釜等处理该前体。通常的高压釜具有圆柱形容器和用于封闭容器上方开口的盖子。在盖子上设置有排气口、温度计和压力计，排出阀门设置在容器的底部。在使用高压釜时，在排出阀门关闭的情况下将水放入容器中，将导电膜前体置于容器中的水之上，将盖子封闭，并且之后打开排气口，并加热容器。最初在容器中的空气从排气口排出，然后蒸汽从中喷出。当容器中充满水蒸气时，关闭排气口，并继续加热容器同时控制内部温度和压力。在预定时间之后停止加热，冷去容器，并然后将导电膜前体从容器中取出。使用煤气炉等进行加热。同样可以合适地使用在日本特开No.06-134283中描述的高压釜以及上述的常用高压釜。
[水洗]
在本发明的方法中，在用过热蒸气或加压蒸气处理后优选将导电金属部分水洗。被过热蒸气或加压蒸气溶解或脆化的粘结剂可以在蒸气接触处理后通过水洗去除，由此改善电导率。在水洗之后，将导电金属部分干燥。在这种情况下，干燥温度优选60℃或更高，更优选70℃-90℃，再更优选80℃-90℃。在水洗之后的干燥导致膜的收缩，并相应地增加膜的银密度，由此改善电导率。
[镀覆处理]
在本发明中，将金属银部分进行平滑化处理，并可以进行镀覆处理。通过镀覆处理，可以进一步降低表面电阻以改善电导率。可以在镀覆处理之前或之后进行平滑化处理。当在镀覆处理之前进行平滑化处理时，可以更有效地进行镀覆处理以形成均一的镀覆层。镀覆处理可以是电镀或无电镀。用于镀覆层的材料优选是具有充分电导率的金属例如铜。
本发明可以适当地与以下表1和2中的特开和国际公布中描述的技术结合。其中省略了“日本特开”、“公开号”、“册子号(pamphlet No.)”等。
表1
表2
实施例
以下参照实施例更详细地描述本发明。不离开本发明的范围情况下，在实施例中使用的材料、量、比例、处理内容、处理步骤等可以适当地改变。因此，以下的具体实施例从任何方面都应该被认为是示例性的而不是限制性的。
[第一实施例]
<实施例1-15和对比实施例1-4>
[乳剂制备]
液体1
水                                    750ml
邻苯二甲酰化的明胶                    20g
氯化钠                                3g
1，3-二甲基四氢咪唑-2-硫酮            20mg
苯硫代磺酸钠                          10mg
柠檬酸                                0.7g
液体2
水                                    300ml
硝酸银                                150g
液体3
水                                    300ml
氯化钠                                38g
溴化钾                                32g
六氯铱(III)酸钾
(0.005％KCl，20％水溶液)              5ml
六氯铑酸铵
(0.001％NaCl，20％水溶液)             7ml
通过将络合物粉末溶解在KCl或NaCl的20％水溶液中并通过在40℃下分别加热所得溶液120分钟，制备在液体3中的六氯铱(III)酸钾(0.005％KCl，20％水溶液)和六氯铑酸铵(0.001％NaCl，20％水溶液)。
将液体1保持在38℃和pH4.5，并将90％的液体2和3在搅拌下在20分钟时间内同时加入到液体1中，以形成0.16-μm的核颗粒。然后，将下面描述的液体4和5在8分钟时间内加入其中，并在2分钟时间内将剩余的10％的液体2和3加入，使得核颗粒生长至0.21μm。再加入0.15g的碘化钾，并将所得的混合物熟化5分钟，由此完成颗粒的形成。
液体4
水                                  100ml
硝酸银                              50g
液体5
水                                  100ml
氯化钠                              13g
溴化钾                              11g
钾碱的黄色氰化物
(yellow prussiate of potash)        5mg
通过通常的絮凝方法将所得物水洗。具体地，将温度降低至35℃，通过硫酸降低pH直到卤化银沉淀(在3.6±0.2的pH范围内)，并且去除约3L的上清溶液(第一水洗)。然后，向其中加3L的蒸馏水，加入硫酸直到卤化银沉淀，并且再次去除3L的上清溶液(第二水洗)。第二水洗的步骤重复一次(第三水洗)，由此完成水洗和脱盐(demineralization)工艺。在水洗和脱盐工艺之后，控制获得的乳剂在pH 6.4和pAg 7.5。向其中加入100mg的稳定剂1，3，3a，7-四氮杂茚和100mg的防腐剂PROXEL(商品名，可得自ICI Co.，Ltd.)，以获得立方体(cubic)碘氯溴化银颗粒的最终乳剂，该颗粒包含70mol％的氯化银和0.08mol％的碘化银，并具有0.22μm和9％的变异系数的平均粒径。最终乳剂具有pH 6.4，pAg 7.5，4000μS/cm的电导率，1.4×103kg/m3的密度，和20mPa·s的粘度。
[制备涂布样品]
向乳剂中加入以下化合物(Cpd-1)8.0×10-4mol/mol Ag和1，3，3a，7-四氮杂茚1.2×10-4mol/mol Ag，并将所得物充分混合。然后，如果需要，向混合物中加入下述化合物(Cpd-2)以控制溶胀比，并使用柠檬酸将涂布液体的pH控制在5.6。
(n＝2)∶(n＝3)＝3∶1
在100μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上形成下涂层，并将由上述乳剂制备的乳剂层涂布液体以5g/m2的Ag密度和0.4g/m2的明胶密度施用到下涂层上。将所得物干燥，获得涂布样品。
在得到的涂布样品中，乳剂层具有1/1的银/粘结剂的体积比(银/GEL比(体积))。
[曝光和显影]
将干燥的涂层在来自高压汞灯光源的平行光中曝光，该平行光通过具有格子图案的孔隙(space)(线(line)/孔隙＝195μm/5μm(间距(pitch)200μm))的光掩模。光掩模能够形成图案化的显影的银图像(线/孔隙＝5μm/195μm)。然后将涂层进行包括显影、定影、水洗和干燥的处理。
[显影剂组成]
1L的显影剂包含以下化合物：
对苯二酚                            15g/L
亚硫酸钠                            30g/L
碳酸钾                              40g/L
乙二胺四乙酸                        2g/L
溴化钾                              3g/L
聚乙二醇2000                        1g/L
氢氧化钾                                 4g/L
pH                                       控制在10.5
[定影剂组成]
1L定影剂包含以下化合物：
硫代硫酸铵(75％)                         300ml
单水合亚硫酸铵                           25g/L
四乙酸1，3-二氨基丙烷                    8g/L
乙酸                                     5g/L
氨水(27％)                               1g/L
碘化钾                                   2g/L
pH                                       控制的6.2
[还原处理]
将上述显影的样品浸泡在保持在40℃的10质量％的亚硫酸钠水溶液中10分钟。
[压光处理]
将上述显影的样品(导电膜前体)使用一对金属辊作为压光辊进行压光处理。所述样品在金属辊之间以4900N/cm(500kgf/cm)的线压力进行输送以进行压光处理。然后测定压光处理的样品的表面电阻。通过DiaInstruments Co.，Ltd.制造的LORESTA GP(型号MCP-T610)采用在线四探针方法(in-line four-probe method)(ASP)测定在样品中任意选择的10个区域的表面电阻值，并使用测定值的平均值作为样品的表面电阻。该样品的表面电阻是2.5Ω/sq。
实施例1
使用图1的第一干燥装置10A将压光处理的样品(导电膜前体)与过热蒸气接触，然后水洗。过热蒸气的温度为105℃且施用量为590g/m3。样品与过热蒸气接触的处理时间是10秒。
实施例2-5
在实施例2、3、4和5中，以与实施例1相同的方式将样品与过热蒸气接触并水洗，除了分别使用20、40、60和70秒的处理时间。
实施例6
在实施例6中，以与实施例1相同的方式将样品与过热蒸气接触并水洗，除了过热蒸气的温度为121℃且施用量为540g/m3。
实施例7-10
在实施例7、8、9和10中，以与实施例6相同的方式将样品与过热蒸气接触并水洗，除了分别使用20、40、60和70秒的处理时间。
实施例11
在实施例11中，以与实施例1相同的方式将样品与过热蒸气接触并水洗，除了过热蒸气的温度为150℃且施用量为506g/m3。
实施例12-15
在实施例12、13、14和15中，以与实施例11相同的方式将样品与过热蒸气接触并水洗，除了分别使用20、40、60和70秒的处理时间。
对比实施例1
将压光处理的样品(导电膜前体)与饱和水蒸气接触，然后水洗。饱和水蒸气的温度为97℃。样品与饱和水蒸气接触的处理时间是20秒。
对比实施例2-4
在对比实施例2、3和4中，以与对比实施例1相同的方式将样品与饱和水蒸气接触并水洗，除了分别使用40、60和70秒的处理时间。
评价
在实施例1-15和对比实施例1-4的各个样品中，通过Dia InstrumentsCo.，Ltd.制造的LORESTA GP(型号MCP-T610)采用在线四探针方法(ASP)测定任意选择的10个区域的表面电阻值，并使用测定值的平均值作为每个样品的表面电阻。表3详细地显示了实施例1-15和对比实施例1-4的测定结果。
表3
压光处理的样品(导电膜前体)具有约2.5Ω/sq的表面电阻。在实施例1、6和11中，仅仅通过将压光处理的样品与过热蒸气接触仅10秒的短时间，表面电阻降低约68％分别至0.82Ω/sq、0.79Ω/sq和0.80Ω/sq。相比于使用10秒的处理时间的实施例1、6和11，同样，在实施例2、7和12中，仅仅通过将样品与过热蒸气接触仅20秒的短时间，表面电阻分别进一步降低0.13Ω/sq、0.15Ω/sq和0.18Ω/sq。即，相对于压光处理的样品的表面电阻，表面电阻降低约75％。因此，可以清楚地看到，仅仅通过将样品与过热蒸气接触仅10秒或20秒的短时间，压光处理的样品(导电膜前体)的表面电阻被大大地降低，由此改善了电导率。此外，在实施例4、5、9、10、14和15中，仅仅通过将压光处理的样品与过热蒸气接触60秒或70秒，相对于压光处理的样品的表面电阻，表面电阻降低约76％-77％。另外，同样对于在实施例1-15的乳剂层中使用银/粘结剂的体积比为1.5/1、2/1或3/1的情况下，电导率也以如上所述的方式得到改善。
在对比实施例1-4中，压光处理的样品与97℃的饱和水蒸气接触，处理时间为10-40秒。将对比实施例1-4与实施例1-15相比，对表面电阻降低而言，饱和水蒸气稍微差于过热蒸气。
[第二实施例]
<实施例21-25和对比实施例11-14>
以与实施例1相同的方式制备导电膜前体，除了不进行压光处理，并且测定其表面电阻。结果，导电膜前体具有35Ω/sq的表面电阻。
实施例21
使用图1的第一干燥装置10A将未压光处理的样品(导电膜前体)与过热蒸气接触，然后水洗。过热蒸气的温度为121℃且施用量为540g/m3。样品与过热蒸气接触的处理时间是10秒。
实施例22-25
在实施例22、23、24和25中，以与实施例21相同的方式将样品与过热蒸气接触并水洗，除了分别使用20、40、60和70秒的处理时间。
对比实施例11
将未压光处理的样品(导电膜前体)与饱和水蒸气接触，然后水洗。饱和水蒸气的温度为97℃。样品与饱和水蒸气接触的处理时间是20秒。
对比实施例12-14
在对比实施例12、13和14中，以与对比实施例11相同的方式将样品与饱和水蒸气接触并水洗，除了分别使用40、60和70秒的处理时间。
评价
测定实施例21-25和对比实施例11-14的表面电阻。表4详细地显示了测定结果。
表4
未压光处理的样品(导电膜前体)具有约35Ω/sq的表面电阻。在实施例21中，仅仅通过将未压光处理的样品与过热蒸气接触仅10秒的短时间，表面电阻降低约94％至2.20Ω/sq。相比于使用10秒的处理时间的实施例21，在实施例22中，仅仅通过将样品与过热蒸气接触仅20秒的短时间，表面电阻进一步降低0.95Ω/sq。即，相对于未压光处理的导电膜前体的表面电阻，表面电阻降低约96％。因此，可以清楚地看到，仅仅通过将样品与过热蒸气接触仅10秒或20秒的短时间，未压光处理的样品(导电膜前体)的表面电阻被大大地降低，由此改善了电导率。此外，在实施例24和25中，仅仅通过将未压光处理的样品与过热蒸气接触60秒或70秒，相对于未压光处理的样品的表面电阻，表面电阻降低约97％。另外，同样对于在实施例21-25的乳剂层中使用银/粘结剂的体积比为1.5/1、2/1或3/1的情况下，电导率也以如上所述的方式得到改善。
在对比实施例11-14中，未压光处理的样品与97℃的饱和水蒸气接触，处理时间为10-40秒。将对比实施例11-14与实施例21-25相比，对表面电阻降低而言，饱和水蒸气稍微差于过热蒸气。
[第三实施例]
[实施例31-34]
测定以与实施例1相同的方式制备的压光处理的样品(导电膜前体)的表面电阻。结果，样品具有2.5Ω/sq的表面电阻。
实施例31
使用图2的第二干燥装置10B将压光处理的样品(导电膜前体)与加压水蒸气接触并水洗。加压水蒸气具有101.4180kPaA的压力。样品与加压水蒸气接触的处理时间为60秒。
实施例32-34
在实施例32、33和34中，以与实施例31相同的方式将样品与加压水蒸气接触并水洗，除了分别使用压力143.3760kPaA、169.1770kPaA和205.0389kPaA。
评价
测定实施例31-34的表面电阻。表5详细地显示了测定结果。
表5
压光处理的样品(导电膜前体)具有约2.5Ω/sq的表面电阻。在实施例31、32、33和34中，仅仅通过将压光处理的样品与具有0.1MPa或更高的高压的加压水蒸气接触60秒，表面电阻降低约77％-85％分别至0.58Ω/sq、0.52Ω/sq、0.45Ω/sq和0.39Ω/sq。因此，可以清楚地看到，仅仅通过将样品与加压蒸气接触60秒，压光处理的样品(导电膜前体)的表面电阻被大大地降低，由此改善了电导率。另外，同样对于在实施例31-34的乳剂层中使用银/粘结剂的体积比为1.5/1、2/1或3/1的情况下，电导率也以如上所述的方式得到改善。
应当理解，本发明的导电膜制备方法不局限于上述的实施方式，在不偏离本发明的范围的情况下下，可以做出各种改变和修饰。

Claims (6)

1.制备导电膜的方法，所述方法包括
在支持体上形成包含导电物质和粘结剂的导电金属部分的导电金属部分形成步骤；
将所述导电金属部分平滑化的平滑化处理步骤；和
将平滑化的导电金属部分与具有143.3760kPaA-361kPaA的绝对压力的加压蒸气接触的蒸气接触步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其中，将所述平滑化的导电金属部分与所述加压蒸气接触5分钟或更短。
3.如权利要求1所述的方法，其中，将所述平滑化的导电金属部分与所述加压蒸气接触20秒-120秒。
4.如权利要求1所述的方法，其中，在所述导电金属部分形成步骤中，在所述支持体上形成包含银盐的乳剂层以准备感光材料，并且之后将所述感光材料曝光并显影以在所述支持体上形成所述导电金属部分。
5.如权利要求1所述的方法，其中，在所述导电金属部分形成步骤中，将包含所述导电物质和所述粘结剂的糊浆印刷到所述支持体上以在所述支持体上形成所述导电金属部分。
6.如权利要求1所述的方法，其中，在所述平滑化处理步骤中，在1960N/cm(200kgf/cm)或更高的线压力下将所述导电金属部分平滑化。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20120981A1 (it) * 2012-11-13 2014-05-14 Itt Italia Srl Metodo ed impianto per la verniciatura a polvere di elementi elettricamente non conduttivi, in particolare pastiglie freno
JP6200304B2 (ja) * 2012-12-04 2017-09-20 戸田工業株式会社 連続式過熱水蒸気熱処理装置及び導電性塗膜の製造方法
US20140231723A1 (en) * 2013-02-20 2014-08-21 Kurt Michael Sanger Enhancing silver conductivity
JP6232889B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-22 東洋紡株式会社 導電性ペースト、金属薄膜及びその製造方法
CA2934666A1 (en) 2013-12-20 2015-06-25 Lockheed Martin Corporation Condensation inhibiting layer, method of forming the layer, and condensation inhibiting device
JP2017045529A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 富士フイルム株式会社 導電性フィルムの製造方法およびタッチパネルの製造方法
DE102017200191A1 (de) * 2017-01-09 2018-07-12 Ford Global Technologies, Llc Glätten einer aus einem Kunststoff gebildeten Oberfläche eines Artikels

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1579009A (zh) * 2002-04-22 2005-02-09 精工爱普生株式会社 薄膜装置的制造方法、晶体管的制造方法、电光装置及电子设备
CN101512684A (zh) * 2006-12-21 2009-08-19 富士胶片株式会社 导电薄膜及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03137977A (ja) * 1989-10-24 1991-06-12 Shinichi Mori 洗浄装置
DE4135118C2 (de) * 1991-10-24 1993-11-04 Hebel Ag Autoklav
GB9317727D0 (en) * 1993-08-26 1993-10-13 Heat Win Ltd Method and apparatus for continous drying in superheated steam
WO2008038764A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Fujifilm Corporation Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode
JP4786580B2 (ja) * 2007-03-29 2011-10-05 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版の製造方法
JP5192713B2 (ja) * 2007-03-30 2013-05-08 富士フイルム株式会社 導電膜及びその製造方法
US7878722B2 (en) * 2007-05-21 2011-02-01 Fujifilm Corporation Method of developing photosensitive material and method of producing conductive layer-attached film
US20090072560A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Andrew Tien Strap configuration and method of use
JP2009086343A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版原反の製造方法及び平版印刷版原反
JP5447365B2 (ja) * 2008-02-28 2014-03-19 東洋紡株式会社 積層体の製造方法
JP5564866B2 (ja) * 2009-09-11 2014-08-06 東洋紡株式会社 金属薄膜製造方法および金属薄膜

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1579009A (zh) * 2002-04-22 2005-02-09 精工爱普生株式会社 薄膜装置的制造方法、晶体管的制造方法、电光装置及电子设备
CN101512684A (zh) * 2006-12-21 2009-08-19 富士胶片株式会社 导电薄膜及其制备方法

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