CN102027342B - 分光模块以及分光模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高可靠性的分光模块。在本发明所涉及的分光模块(1)中，向分光部(4)行进的光L1在通过光通过孔(50)的时候，穿过朝着基板(2)侧变得越来越窄的光入射侧部(51)，只有入射到以与光入射侧部(51)的底面(51b)相对的形式形成的光出射侧部(52)的光从光出射开口(52a)出射。为此，入射到光入射侧部(51)的侧面(51c)或者底面(51b)的杂散光M被反射到与光出射侧部(52)相反的一侧，所以能够抑制杂散光入射到光出射侧部(52)。因此，能够提高分光模块(1)的可靠性。

Description

分光模块以及分光模块的制造方法
技术领域
本发明是有关对光进行分光并加以检测的分光模块以及其制造方法。
背景技术
作为以往的分光模块例如众所周知专利文献1～3所记载的分光模块。在专利文献1中记载的分光模块具备：使光透过的支撑体、使光入射到支撑体的入射狭缝部、对入射到支撑体的光进行分光并加以反射的凹面衍射光栅、检测由凹面衍射光栅进行分光并反射的光的二极管。
专利文献1：日本专利申请公开平4-294223号公报
专利文献2：日本专利申请公开2000-65642号公报
专利文献3：日本专利申请公开2004-354176号公报
发明内容
然而，对于专利文选1所记载的分光模块来说，从入射狭缝部入射的光会变成在支撑体内进行散射的杂散光，从而有分光模块的可靠性发生降低的担忧。
因此，本发明就是借鉴于这样的课题而完成的，其目的在于提供一种高可靠性的分光模块以及该分光模块的制造方法。
为了达到上述目的，本发明所涉及的分光模块的特征在于，具备：使光透过的主体部；分光部，对从主体部的规定面侧入射到主体部的光进行分光并向规定面侧反射；光检测元件，被配置于规定面上，检测由分光部进行了分光的光；光检测元件具有基板部，该基板部上形成有向分光部行进的光所通过的光通过孔，光通过孔包含划定光入射开口的光入射侧部以及划定光出射开口的光出射侧部，光入射侧部具有与规定面大致平行的底面并且是以朝着规定面变得越来越窄的形式形成，光出射侧部具有与规定面大致垂直的侧面并且以与底面相对的形式形成。
在该分光模块中，在向分光部行进的光通过光通过孔的时候，只有入射到以与朝着主体部的规定面侧而变得越来越窄的光入射侧部的底面相对的形式形成的光出射侧部的光，才能从光出射开口被出射。此时，入射到光入射侧部的侧面或者底面的光，因为被反射到光出射侧部的相反侧，所以能够抑制杂散光入射到光出射侧部。因此，能够提高分光模块的可靠性。
在本发明所涉及的分光模块中，在光检测元件与规定面之间形成有吸收光的光吸收层，光吸收层具有通过光通过孔而向分光部行进的光所通过的光通过狭缝，在与被形成于分光部的衍射光栅沟槽的延伸方向大致垂直的方向上，光通过狭缝的宽度优选小于光出射侧部的最小宽度。
分光模块的分辨率很大程度上受到在与衍射光栅沟槽的延伸方向大致垂直的方向上的狭缝的最小宽度的影响。为此，通过在与衍射光栅沟槽的延伸方向大致垂直的方向上，使光吸收层的光通过狭缝的宽度小于光检测元件的光通过孔的最小宽度，从而能够提高分光模块的分辨率。这有利于提高分光模块的可靠性。
在本发明所涉及的分光模块中，基板部由结晶材料所构成，光入射侧部的侧面优选沿着(111)结晶面形成。相对于由Si等的结晶材料所构成的基板部，通过由湿式蚀刻等方法沿着材料的(111)结晶面形成侧面，能够高精度地形成光入射侧部，从而能够形成高精度的光通过孔，并且还能够提高分光模块的可靠性。
本发明所涉及的分光模块的制造方法，其特征在于，分光模块具备：使光透过的主体部；分光部，对从主体部的规定面侧入射到主体部的光进行分光并向规定面侧反射；光检测元件，检测由分光部进行了分光的光；本发明的分光模块的制造方法具备以下工序：光检测元件准备工序，准备具有基板部的光检测元件，该基板上形成有光通过孔；配置工序，将在光检测元件准备工序中准备好的光检测元件和分光部配置于主体部；光检测元件准备工序包括：光入射侧部形成工序，通过从基板部的一主面侧实施湿式蚀刻，以具有与一主面大致平行的底面且朝着另一主面变得越来越窄的形式，形成划定光通过孔的光入射开口的光入射侧部；光出射侧部形成工序，在光入射侧部形成工序之后，通过从基板部的另一主面侧实施干式蚀刻，以具有与一主面大致垂直的侧面且与底面相对向的形式，形成划定光通过孔的光出射开口的光出射侧部。
根据本发明所涉及的分光模块的制造方法，在基板部上形成光通过孔的时候，通过从基板部的一主面侧实施湿式蚀刻，在形成了划定光入射开口的光入射侧部之后，通过从基板部的另一主面侧实施湿式蚀刻，从而形成划定光出射开口的光出射侧部。如上所述，通过实施湿式蚀刻来形成光入射侧部，能够缩短光检测元件准备工序的时间并且降低成本。另外，通过实施干式蚀刻而高精度地形成光出射侧部，从而能够形成具有稳定的光通过特性的光通过孔，并且能够提高分光模块的高可靠性。
根据本发明可提供一种高可靠性的分光模块。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的分光模块的平面图。
图2是沿着由图1所表示的II-II线的截面图。
图3是分光模块的底视图。
图4是表示光通过孔的主要部分放大截面图。
图5是表示光通过孔的主要部分放大平面图。
图6是用于说明形成光入射侧部的工序的截面图。
图7是用于说明形成光出射侧部的工序的截面图。
图8是表示光通过孔变形例的对应于图5的主要部分放大平面图。
图9是表示光通过孔变形例的对应于图5的主要部分放大平面图。
图10是表示光通过孔变形例的对应于图5的主要部分放大平面图。
图11是表示第2实施方式所涉及的分光模块的对应于图2的截面图。
图12是表示第2实施方式所涉及的光通过孔的对应于图3的主要部分放大截面图。
符号说明
1，21.分光模块
2.基板(主体部)
2a.前面(规定面)
3.透镜部(主体部)
4.分光部
5，22.光检测元件
5a，22a.半导体基板
5b，22b.光检测部
6.衍射层
6a.衍射光栅沟槽
13，27.光吸收层
50，60，70，80，90.光通过孔
51，61，71，81，91.光入射侧部
52，62，72，82，92.光出射侧部
51a，61a，71a，81a，91a.光入射开口
51b，61b，71b，81b.底面
51c，61c，71c，81c，92c.侧面
52a，62a，72a，82a，92a.光出射开口
92b.上面(底面)
52b，62b，72b，82b，91b.侧面
A.一主面
B.另一主面
具体实施方式
以下参照附图对本发明所涉及的分光模块的优选实施方式加以详细的说明。还有，在各个附图中将相同的符号标注于相同或者相当的部分，从而避免重复说明。
[第1实施方式]
如图1、2所示，分光模块1具备使从前面(规定面)2a进行入射的光L1透过的基板(主体部)2、使透过基板2从入射面3a进行入射的光L1透过的透镜部(主体部)3、对入射到透镜部3的光L1进行分光并进行反射的分光部4、检测由分光部4进行了分光的光L2的光检测元件5。分光模块1是一种以分光部4将光L1分光成对应于多个波长的光L2，并通过由光检测元件5检测该光L2从而测定光L1的波长分布或者特定波长成分的强度等的微型分光模块。
基板2是由BK7和Pyrex(登录商标，派热克斯玻璃)以及石英等的光透过性玻璃、塑料等被形成为长方形板状(例如，全长为15～20mm，全宽为11～12mm，厚度为1～3mm)。在基板2的前面2a上形成有由Al和Au等的单层膜或者Cr-Pt-Au、Ti-Pt-Au、Ti-Ni-Au、以及Cr-Au等的层叠膜构成的配线11。配线11具有被配置于基板2的中央部的多个焊垫部11a、被配置于基板2的长边方向上的一端部的多个焊垫部11b、以及将对应的焊垫部11a和焊垫部11b连接的多个连接部11c。另外，配线11在基板2的前面2a侧具有由CrO等的单层膜或者Cr-CrO等的层叠膜构成的光反射防止层。
还有，被形成于基板2前面2a的光吸收层13具有：经由光检测元件5的光通过孔50(后述)向分光部4行进的光L1通过的狭缝(光通过狭缝)13a，以及向光检测元件5的光检测部5b(后述)的光L2所通过的开口部13b。作为光吸收层13的材料可以列举含有黑色抗蚀剂、填料(碳和氧化物等)的有色树脂(硅酮树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、复合树脂等)、Cr和Co等的金属或者氧化金属、或者含有这些物质的层叠膜、多孔状的陶瓷和金属或者氧化金属。
如图2、3所示，透镜部3由与基板2相同的材料、光透过性树脂、光透过性的无机·有机混合材料、或者复写(光刻)成形用的光透过性低熔点玻璃、以及塑料等形成，其形状为半球状的透镜被与其入射面(底面)3a大致垂直并且互相大致平行的2个平面切割而形成侧面3b的形状[例如曲率半径为6～10mm，入射面3a的全长为12～18mm，入射面3a的全宽(侧面3b间的距离)为6～10mm，高度为5～8mm]，并且是作为将由分光部4进行分光的光L2成像于光检测元件5的光检测部5b的透镜而行使其功能。还有，透镜形状不限定于球面透镜也可以是非球面透镜。
分光部4是一种具有以下三层的反射型衍射光栅(gratings)，该三层分别为被形成于透镜部3的外侧表面的衍射层6、被形成于衍射层6的外侧表面的反射层7、覆盖衍射层6以及反射层7的钝化层8。衍射层6是通过沿着基板2的长边方向并列设置多个衍射光栅沟槽6a而形成，衍射光栅沟槽6a的延伸方向基本上一致于与基板2的长边方向大致相垂直的方向。衍射层6例如采用锯齿状截面的闪耀光栅(blazedgrating)、矩形状截面的二元光栅(binary grating)以及正弦波状截面的全息光栅(holographic grating)等，它是通过光固化具有光固化性的环氧树脂、丙烯酸树脂或者有机无机混合树脂等的复写(光刻)用光学树脂而形成的。反射层7是膜状，它是例如通过将Al和Au等蒸镀于衍射层6的外侧表面而形成的。还有，通过调整形成反射层7的面积能够调整分光模块1的光学NA。另外，也可以由上述材料将透镜部3和构成分光部4的衍射层6形成为一体。钝化层8是膜状，它是例如通过将MgF2和SiO2等蒸镀于衍射层6以及反射层7的外侧表面而形成的。
如图1、2以及图4所示，光检测元件5配置于基板2的前面2a上，具有长方形形状(例如，全长为5～10mm，全宽为1.5～3mm，厚度0.1～0.8mm)的半导体基板5a(基板部)。半导体基板5a由Si、GaAs、InGaAs、Ge、SiGe等的结晶材料所构成。
在半导体基板5a的分光部4侧的面上形成有光检测部5b。光检测部5b是CCD映像传感器、PD阵列或者CMOS映像传感器等，它是多通道(channel)在与分光部4的衍射光栅沟槽6a的延伸方向大致垂直的方向(衍射光栅沟槽6a的并列设置方向)上排列而形成。另外，在与半导体基板5a的分光部4相反侧的面上通过蒸镀而形成由Al或Au等构成的遮光层12。
如果光检测部5b是CCD映像传感器，那么通过对入射到二维排列像素的位置上的光强度信息实施行合并(line binning)，从而作为一维位置上的光强度信息来时序(time series)性地读出其一维位置上的光强度信息。总之，被施以行合并(line binning)的像素的行(line)成为1个通道(channel)。如果光检测部5b是PD阵列或者CMOS映像传感器，那么因为时序(time series)性地读出了入射到一维排列像素的位置上的光强度信息，所以1个像素成为1个通道(channel)。
还有，如果光检测部5b是PD阵列或者CMOS映像传感器、且二维排列像素的情况下，那么在与分光部4的衍射光栅沟槽6a的延伸方向相平行的一维排列方向上进行排列的像素的行(line)将成为1个通道(channel)。另外，如果光检测部5b是CCD映像传感器的话，那么例如排列方向上的通道(channel)彼此的间隔为12.5μm、通道全长(被施以行合并的一维像素列的长度)为1mm、以及被排列的通道数为256的光学构件被用于光检测元件5。
如图2、4以及图5所示，在半导体基板5a上形成有在通道(channel)的排列方向上与光检测部5b相并列设置并且向分光部4行进的光L1所通过的光通过孔50。光通过孔50在与基板2的前面2a大致相垂直的方向上延伸，并以相对于光检测部5b进行高精度定位的状态由蚀刻而被加以形成。
光通过孔50是由划定光L1所入射的光入射开口51a的光入射侧部51以及划定光L1所出射的光出射开口部52a的光出射侧部52所构成。光入射侧部51以朝着基板2的前面2a变得越来越窄的形式被形成为大致方形锥台形状，并具有与基板2的前面2a大致相平行的底面51b。
光出射侧部52是以从半导体基板5a的分光部4侧的面与光入射侧部51的底面51b相对且连接的形式被形成为大致矩形柱形状，并具有与基板2的前面2a大致相垂直的侧面52b。光出射侧部52在光检测部5b的通道排列方向(与衍射光栅沟槽6a的延伸方向大致相垂直的方向)上以其宽度H1(最小宽度)大于光吸收层13的狭缝13a的宽度H2的形式形成。
另外，在半导体基板5a与基板2或者光吸收层13之间至少充填有使光L2透过的底部充填材料15。在半导体基板5a的基板2侧的面上以围绕着光出射开口52a的周围的形式形成有矩形环状的凸部53，被充填的底部充填材料15在到达光出射开口部52a之前被凸部53所阻拦。由此，因为防止了底部充填材料15进入到光通过孔50，所以不会由于底部充填材料15而发生折射或扩散就能够使光入射到主体部2。另外，在从光吸收层13露出的焊垫部11a上，由通过凸块(突起物)14的倒装焊接来电连接光检测元件5的外部端子。焊垫部11b与外部的电气元件(没有图示)相电连接。
接着，就有关上述分光模块1的制造方法作如下说明。
首先，准备光检测元件5。例如，在由Si构成的半导体基板5a上，通过使用KOH(氢氧化钾)和TMAH(四甲基氢氧化铵)等实施碱性蚀刻，从而以围绕预定的光出射开口52a的形式形成矩形环状的凸部53。之后，在另一主面B侧准备光检测部5b和配线以及电极焊垫。
接着，将检测部5b作为基准并以使用了双面对准定位的光刻法在规定的位置上对掩模进行开口，通过实施碱性蚀刻从而形成大致方形锥台形状的光入射侧部51(参照图6)。此时，例如在由Si构成的半导体基板5a上，通过实施碱性蚀刻从而沿着相对于(100)结晶面倾斜大约55°的(111)结晶面形成光入射侧部51的侧面51c。然后，相对于半导体基板5a的另一主面B，在规定的位置上通过用将检测部5b作为基准的照相技术来实施使用了等离子放电的深硅干式刻蚀(Deepsilicon dry etching)，从而形成与光入射侧部51的底面51b相对的大致方形锥台形状的光出射侧部52(参照图7)。如此，形成了在与半导体基板5a的一主面A大致垂直的方向上进行延伸的光通过孔50。之后，通过在一主面A和光入射侧部51的侧面51c以及底面51b上蒸镀Al和Au等而形成遮光层12，通过将检测部5b作为基准来切割晶片来完成光检测元件5。
接着，将分光部4形成于透镜部3。具体而言，相对于在透镜部3的顶点附近滴下的复写(光刻)用光学树脂，放置刻有对应于衍射层6的衍射光栅的光透过性母版衍射光栅(master grating)。然后，在该状态下通过照射光来使复写(光刻)用光学树脂固化(硬化)，优选为了使光学树脂稳定化而通过实施加热固化来形成具有多个衍射光栅沟槽6a的衍射层6。之后，剥离母版衍射光栅，通过将Al或Au等掩模蒸镀或者全面蒸镀于衍射层6的外侧表面来形成反射层7，再进一步，通过将MgF2或SiO2等掩模蒸镀或者全面蒸镀于衍射层6以及反射层7的外侧表面而形成钝化层8。
另一方面，准备基板2并将具有狭缝13a以及开口部13b的光吸收层13形成于基板2的前面2a。还有，狭缝13a以及开口部13b被形成为，相对于为了将分光部4定位于基板2而成为基准部的基板2的外缘部，具有规定位置关系。
在光吸收层13的上面由倒装焊接来安装光检测元件5。接着，在光检测元件5与基板2的前面2a之间充填底部充填材料15。之后，通过将基板2的外缘部作为基准并由光学树脂剂18将形成了分光部4的透镜3粘结于基板2的后面2b，从而获得分光模块1。还有，此时，光检测元件5与基板2通过凸块(突起物)14而被电连接。
接着，就有关上述分光模块1的作用效果作如下说明。
在该分光模块1中，在向分光部4行进的光L1通过光通过孔50的时候，只有入射到以与朝着基板2侧变得越来越窄的光入射侧部51的底面51b相对的形式形成的光出射侧部52的光，才能从光出射开口52a出射。此时，入射到光入射侧部51的底面51b或者侧面51c的杂散光M因为被反射到光入射开口51a侧，所以能够抑制杂散光入射到光出射侧部52。因此，能够提高分光模块1的可靠性。
另外，在该分光模块1中，通过相对于晶片状态的半导体基板5a实施碱性蚀刻一次性形成光入射侧部51，从而能够在光检测元件5的准备工序中缩短工序以及降低成本。
另外，通过从半导体基板5a的另一主面B实施深硅干式刻蚀(Deepsilicon dry etching)而能够高精度地形成光出射侧部52，所以能够实现具有稳定的光通过特性的光通过孔50的形成，并且还能够提高分光模块1的可靠性。具体而言，在分光模块1中因为从配置光检测部5b的另一主面B侧形成光出射侧部52，所以能够提高相对于同一面上光检测部5b的光出射侧部52的位置精度。通过该光通过孔50的光出射侧部52的光在分光部4的衍射光栅沟槽6a上衍射并反射，并在光检测部5b上被检测出，所以通过提高光出射侧部52和光检测部5b的位置精度就能够提高分光模块1的可靠性。再有，该光出射侧部52的开口截面的形状(即光出射开口52a的形状)在光检测部5b上发生光学成像，对应于半导体基板5a长边方向上的光出射侧部52的最小宽度排列光检测部5b的通道。为此，分光模块1的分辨率在很大程度上受到在通道的排列方向上的光出射侧部52的最小宽度的影响。因此，通过实施深硅干式刻蚀(Deep silicon dry etching)来高精度地形成光出射侧部52，从而能够抑制每个产品之间的分辨率的偏差，并且还能够提高分光模块1的可靠性。
另外，在该分光模块1中，半导体基板5a由Si等的结晶材料构成，通过实施碱性蚀刻而沿着材料的(111)结晶面形成侧面，从而就能够高精度地形成光入射侧部51，所以能够形成高精度的光通过孔50。因此，能够提高分光模块1的可靠性。
另外，分光模块1的分辨率受到在与衍射光栅沟槽6a的延伸方向大致垂直的方向上光所通过的狭缝的最小宽度的影响。为此，在与衍射光栅沟槽6a的延伸方向大致垂直的方向上，通过将光吸收层13的狭缝13a的宽度H2缩小到小于光检测元件5上的光通过孔50的最小宽度H1，从而能够提高分光模块1的分辨率。这有利于分光模块1的可靠性的提高。
还有，如图8所示，光检测元件5上形成的光通过孔60也可以是，具有与光入射侧部61的底面61b大致垂直的侧面62b的光出射侧部62被形成为截面是椭圆的形状。另外，如图9所示，也可以形成为：相比于图5，光出射侧部72在与半导体基板5a的长边方向大致垂直的方向(衍射光栅沟槽6a的延伸方向)上被延长，且光入射侧部71的底面71b的宽度与光出射侧部72的开口截面的宽度相等，也就是说，光出射侧部72的侧面72b与光入射侧部71的侧面71c直接连接。或者，如图10所示，也可以形成为：相比于图9，光出射侧部82进一步延长，且光出射侧部82的开口截面的宽度大于与半导体基板5a的长边方向大致垂直的方向上的光入射侧部81的底面81b的宽度。
[第2实施方式]
第2实施方式所涉及的分光模块21与第1实施方式所涉及的分光模块1的不同点在于，光检测元件的构成以及前者将配线基板配置于基板的前面。
如图11、12所示，在分光模块21中多个端子电极23形成在与光检测元件22的分光部4相反侧的面上。各个端子电极23由导线26而与所对应的配线基板24的焊垫部24a相连接。由此，端子电极23与配线基板24被电连接，在光检测部22b上所产生的电信号通过端子电极23、配线基板24的焊垫部24a以及焊垫部24b而被取出到外部。
在半导体基板22a上形成的光通过孔90由划定光入射开口91a的光入射侧部91以及划定光出射开口92a的光出射侧部92构成。光入射侧部91具有与基板2的前面2a相垂直的侧面91b。光射出侧部92朝着基板2的前面2a以其底部变宽的形式形成为大致方形锥台形状，并具有与基板2的前面2a大致平行的上面92b。光入射侧部91与光出射侧部92的上面92b相对并被形成为大致矩形柱形状，而其侧面91b则连接于光出射侧部92的上面92b。另外，形成于基板2前面2a的光吸收层27在与分光部4的衍射光栅沟槽6a的延伸方向大致垂直的方向上具有比光入射侧部91的最小宽度小的狭缝(光通过狭缝)27a。
接着，就有关上述分光模块21的制造方法作如下说明。
首先，准备光检测元件22。例如，在由Si构成的晶片状态的半导体基板22a上，在另一主面B侧准备光检测部22b和配线以及电极焊垫。之后，通过将Al或Au等蒸镀于另一主面B的SiO2等的绝缘膜上来形成遮光层29，由此完成光检测元件22a的准备工作。
接着，通过实施使用了KOH(氢氧化钾)和TMAH(四甲基氢氧化铵)等的碱性蚀刻或干式蚀刻等，以围绕预定的光出射开口92a的形式形成矩形环状的凸部93。之后，将光检测部22b作为基准，对于半导体基板22a的一主面A以使用了双面对准定位的光刻法在规定的位置上对掩模进行开口，通过实施使用了KOH(氢氧化钾)和TMAH(四甲基氢氧化铵)的碱性蚀刻而形成大致方形锥台形状的光出射侧部92。然后，通过对于半导体基板22a的另一主面B以将检测部22b作为基准的照相技术在规定的位置上实施使用了等离子放电的深硅干式刻蚀(Deep silicon dry etching)，从而形成连接于光出射侧部92的底面92b的大致矩形柱形状的光入射侧部91。如此，形成了在与半导体基板22a的一主面A大致垂直的方向上延伸的光通过孔90。之后，通过将Al或Au等蒸镀于一主面A和光入射侧部91的侧面91c以及底面91b上而形成遮光层29，通过将检测部22b作为基准来切割晶片来完成光检测元件22。
然后，将光检测元件22和基板2的外缘部或者对准定位标记作为基准部，由光学树脂材料17使光检测元件22的另一主面B侧粘结于基板2的前面2a。之后，由导线26来连接所对应的光检测元件22的端子电极23和基板2的焊垫部24a。焊垫部24a通过配线层19而电连接于端子焊垫部24b。还有，因为在基板2上由黑色抗蚀剂构成的光吸收层配置于光检测元件22的外周部，所以能够吸收环境光和来自分光部4的不能作为信号的反射光，从而能够确保可靠性。
然后，通过将基板2的外缘部作为基准部并由光学树脂剂18将形成有分光部4的透镜部3粘结于基板2的后面2b，从而获得分光模块21。
根据上述第2实施方式所涉及的分光模块21，通过对晶片状态的半导体基板22a实施碱性蚀刻而一次性地形成光出射侧部92，从而能够在光检测元件22的准备工序中缩短工序以及降低成本。另外，通过从半导体基板5a的另一主面B实施深硅干式刻蚀(Deep silicon dryetching)，能够高精度地形成光出射侧部52，所以能够形成具有稳定的光通过特性的光通过孔50，并且还能够提高分光模块1的可靠性。
本发明并不限定于上述实施方式。
例如，第1实施方式中的光入射侧部以及第2实施方式中的光出射侧部的形状并不限定于大致方形锥台形状，只要是具有与基板2的前面2a大致平行的底面(上面)并且朝着前面2a变得越来越窄的形状即可。同样，第1实施方式中的光出射侧部以及第2实施方式中的光入射侧部的形状并不限定于大致矩形柱形状，只要是具有与基板2的前面2a大致垂直的侧面并且以与成双的光入射侧部(光出射侧部)的底面(上面)相对的形式形成即可。
另外，光通过孔并不限定于光入射侧部与光出射侧部直接相连接的样式，也可以设置连接它们之间的中间部(例如侧面的倾斜角度或者开口截面的形状不同的部位)。
另外，第1实施方式中的光入射侧部以及第2实施方式中的光出射侧部并不限定于通过碱性蚀刻而形成，只要是由各种各样的湿式蚀刻或者干式蚀刻来形成的方式即可。同样，第1实施方式中的光出射侧部以及第2实施方式中的光入射侧部并不限定于通过深硅干式刻蚀(Deep silicon dry etching)来形成，只要是由各种各样的干式蚀刻来形成的方式即可。
另外，在上述第1实施方式中也可以采用第2实施方式中的光通过孔的结构，在第2实施方式中也可以采用第1实施方式中的光通过孔的结构。
产业上的利用可能性
本发明能够提供一种高可靠性的分光模块。

Claims (4)

1.一种分光模块，其特征在于：
具备：
使光透过的主体部；
分光部，对从所述主体部的规定面侧入射到所述主体部的光进行分光并向所述规定面侧反射；
光检测元件，被配置于所述规定面上，该光检测元件检测由所述分光部进行了分光的光；
所述光检测元件具有基板部，该基板部上形成有向所述分光部行进的光所通过的光通过孔，
所述光通过孔包含划定光入射开口的光入射侧部以及划定光出射开口的光出射侧部，
所述光入射侧部具有与所述规定面大致平行的底面并且以朝着所述规定面变得越来越窄的形式形成，
所述光出射侧部具有与所述规定面大致垂直的侧面并且以与所述底面相对的形式形成。
2.如权利要求1所记载的分光模块，其特征在于：
在所述光检测元件与所述规定面之间形成有吸收光的光吸收层，
所述光吸收层具有通过所述光通过孔而向所述分光部行进的光所通过的光通过狭缝，
在与被形成于所述分光部的衍射光栅沟槽的延伸方向大致垂直的方向上，所述光通过狭缝的宽度小于所述光出射侧部的最小宽度。
3.如权利要求1所记载的分光模块，其特征在于：
所述基板部由结晶材料构成，
所述光入射侧部的侧面沿着(111)结晶面形成。
4.一种分光模块的制造方法，其特征在于：
所述分光模块具备：使光透过的主体部；分光部，对从所述主体部的规定面侧入射到所述主体部的光进行分光并向所述规定面侧反射；光检测元件，检测由所述分光部进行了分光的光；
所述分光模块的制造方法具备以下工序：
光检测元件准备工序，准备具有基板部的所述光检测元件，在该基板部上形成有光通过孔；
配置工序，将在所述光检测元件准备工序中准备好的所述光检测元件和所述分光部配置于所述主体部；
所述光检测元件准备工序包括：光入射侧部形成工序，通过从所述基板部的一主面侧实施湿式蚀刻，以具有与所述一主面大致平行的底面且朝着另一主面变得越来越窄的形式，形成划定所述光通过孔的光入射开口的光入射侧部；光出射侧部形成工序，在所述光入射侧部形成工序之后，通过从所述基板部的另一主面侧实施干式蚀刻，以具有与所述一主面大致垂直的侧面且与所述底面相对的形式，形成划定所述光通过孔的光出射开口的光出射侧部。
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