CN102023274A - 一种去除芯片陶瓷封装体的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种去除芯片陶瓷封装体的方法，所述芯片粘贴在所述陶瓷封装体上，所述芯片表面的焊点与所述陶瓷封装体上的引脚之间通过引线键合，包括以下步骤：去除所述连接芯片表面焊点与陶瓷封装体上的引脚的引线；对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热；使用去离子水对所述芯片进行冲洗，使所述芯片从所述陶瓷封装体上脱落。本发明提供的去除芯片陶瓷封装体的方法不会损害芯片内部的金属互连线，保证了利用完成了电迁移测试的芯片进行进一步失效分析时可得到准确的失效分析结果。该方法易操作，且可取得明显的有益效果。

Description

一种去除芯片陶瓷封装体的方法
技术领域
本发明涉及集成电路测试领域，特别涉及一种去除芯片陶瓷封装体的方法。
背景技术
电迁移通常是指在电场的作用下导电离子运动造成元件或电路失效的现象。金属互连线的电迁移是微电子芯片中的主要失效原因之一。电迁移可能造成金属互连线的开路或短路，使芯片的漏电流增加。在芯片尺寸向亚微米、深亚微米发展后，金属互连线的宽度也不断减少，电流密度不断增加，使得芯片更加易于因发生电迁移而失效。因此，对芯片实施金属互连线的电迁移测试便非常重要。通常对芯片进行电迁移测试时，需将其进行封装后放置于提供高温环境的烘箱内，同时对芯片通入电流进行测试。进行电迁移测试的芯片通常采用陶瓷封装，芯片通过导电胶粘贴于陶瓷基板上，芯片的焊点与陶瓷基板上的引脚间通过引线键合。对上述封装后的芯片进行电迁移测试时，对陶瓷基板上的引脚通入电流，电流通过键合芯片焊点与陶瓷基板引脚的引线传导进入芯片，从而进行测试。
对于完成了电迁移测试而确认具有电迁移失效问题的芯片，通常还需要对其具体的失效部位和失效原因进行进一步的分析，这时就需要将芯片从上述陶瓷封装体上完整的分离出来。现有的芯片分离方法是将芯片连同陶瓷封装体不经任何处理直接放入到热的发烟硝酸中，从而使芯片与陶瓷基板分离，但这样的处理会对芯片本身产生比较严重的损伤。请参阅图1，图1为一种芯片内部的金属互连线结构示意图，如图1所示，第一金属层8与第二金属层9之间通过通孔10互连，由于热的发烟硝酸的温度较高，高温通过陶瓷基板的引脚传导至键合芯片焊点与陶瓷基板引脚的引线，高温通过引线进而传导至芯片内部的第一金属层8和第二金属层9以及通孔10，从而很容易导致图中虚线框11范围内的通孔10及其附近的第一金属层8和第二金属层9发生熔化，破坏了第一金属层8和第二金属层9因电迁移而造成的开路或短路的现场，这样再对分离出的芯片进行进一步的电测试失效分析时便无法得出准确结论，无法判断出芯片因电迁移而导致失效的具体位置。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种去除芯片陶瓷封装体的方法，以解决使用现有方法去除芯片陶瓷封装体时会对芯片本身造成损伤的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种去除芯片陶瓷封装体的方法，所述芯片粘贴在所述陶瓷封装体上，所述芯片表面的焊点与所述陶瓷封装体上的引脚之间通过引线键合，包括以下步骤：
去除所述连接芯片表面焊点与陶瓷封装体上的引脚的引线；
对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热；
使用去离子水对所述芯片进行冲洗，使所述芯片从所述陶瓷封装体上脱落。
可选的，对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热的步骤包括：将所述芯片及所述整个陶瓷封装体放入到热的硝酸溶液中进行加热。
可选的，所述加热时间为3-4分钟。
可选的，所述硝酸溶液的浓度范围为70％～98％。
可选的，所述硝酸溶液的温度为100℃～122℃。
本发明提供的去除芯片陶瓷封装体的方法不会损害芯片内部的金属互连线，保证了利用完成了电迁移测试的芯片进行进一步失效分析时可得到准确的失效分析结果。该方法易操作，且可取得明显的有益效果。
附图说明
图1为一种芯片内部的金属互连线结构示意图；
图2为一种陶瓷封装结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明所述的去除芯片陶瓷封装体的方法可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。
请参阅图1，图1为一种陶瓷封装结构示意图。如图1所示，该陶瓷封装结构包括芯片1和陶瓷封装体3，该陶瓷封装体3为一种具有引脚的陶瓷基板。芯片1通过导电胶2粘贴在陶瓷封装体3上，导电胶2一般为环氧树脂或环氧树脂加银粉，银粉的作用是提高导电胶的导电和导热性能，有利于使芯片产生的热量通过陶瓷封装体3散布到周围环境中去。芯片1表面的焊点4与陶瓷封装体3上的引脚7的内端焊点5之间通过引线6键合。
为了将芯片1与陶瓷封装体3分离且不对芯片1本身造成损伤，本发明的去除芯片陶瓷封装体的方法包括以下步骤：
首先，去除连接芯片1表面的焊点4与陶瓷封装体3上的引脚7的内端焊点5的引线6；
其次，对芯片1及陶瓷封装体3进行加热。加热方式可采用将芯片1及整个陶瓷封装体3放入到热的浓硝酸溶液中加热3-4分钟，通过高温将粘贴芯片1和陶瓷封装体3的导电胶2熔化。所述硝酸溶液的浓度范围为70％～98％，温度为100℃～122℃。由于将芯片1连同其陶瓷基板3放入浓硝酸溶液之前已经将连接芯片1表面的焊点4与陶瓷封装体3上的引脚7内端焊点5的引线6去除，故而浓硝酸溶液的高温不会通过陶瓷封装体3的引脚7传导至连引线6，因而芯片1内部的金属互连线不会因为高温而发生熔化。
最后，将芯片1及陶瓷封装体3从硝酸溶液中取出，使用去离子水对芯片1进行冲洗，使芯片1从陶瓷封装体3上脱落，并且通过去离子水对芯片1的表面进行清洁，去除芯片1表面附着的浓硝酸溶液及熔化的导电胶2。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (5)

1.一种去除芯片陶瓷封装体的方法，所述芯片粘贴在所述陶瓷封装体上，所述芯片表面的焊点与所述陶瓷封装体上的引脚之间通过引线键合，其特征在于，包括以下步骤：
去除所述连接芯片表面焊点与陶瓷封装体上的引脚的引线；
对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热；
使用去离子水对所述芯片进行冲洗，使所述芯片从所述陶瓷封装体上脱落。
2.如权利要求1所述的去除芯片陶瓷封装体的方法，其特征在于，对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热的步骤包括：将所述芯片及所述整个陶瓷封装体放入到热的硝酸溶液中进行加热。
3.如权利要求2所述的去除芯片陶瓷封装体的方法，其特征在于，所述加热时间为3-4分钟。
4.如权利要求2所述的去除芯片陶瓷封装体的方法，其特征在于，所述硝酸溶液的浓度范围为70％～98％。
5.如权利要求2所述的去除芯片陶瓷封装体的方法，其特征在于，所述硝酸溶液的温度为100℃～122℃。
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