CN101930926A - Ldmos制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LDMOS制造方法，在BCD工艺流程中，形成LDMOS的漏端，然后对漏端进行两次以上离子注入，离子注入方向同晶圆轴线的角度由大到小，注入离子能量由高到低，注入离子剂量由低到高。采用本方法制造的LDMOS器件，有高工作电压并且击穿电压稳定，成本低。

Description

LDMOS制造方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺，特别涉及一种LDMOS制造方法。
背景技术
LDMOS(Lateral Diffused Medal-Oxide-Semiconductor，横向双扩散金属氧化物半导体)的工作电压要求较高。器件的工作电压一般是取决于漏端下面的结的载流子浓度和均匀性。为了获得LDMOS高工作电压，目前BCD工艺平台中，通常是在LDMOS漏端下面进行低浓度掺杂，然后进行长时间高温度推阱来实现较长漂移区，当提高工作电压时，耗尽区向漏端掺杂浓度低区域延伸，从而获得较高工作电压，这种工艺主要是利用了低压阱或高压阱，要进行高温炉管长时间退火，增加了热预算、工艺时间和成本，而且漏端下面NP结的形貌是底面深而两边浅，NP结的载流子浓度分布不均匀，电场强度的梯度分布不均匀，击穿电压不稳定，工作电压提高有限。一传统工艺的制造的NLDMOS(N型横向双扩散金属氧化物半导体)结构如图1所示。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种LDMOS制造方法，能使LDMOS器件有高工作电压并且击穿电压稳定，成本低。
为解决上述技术问题，本发明的LDMOS制造方法，包括以下步骤：
一.在BCD工艺流程中，形成LDMOS的漏端；
二.对漏端进行两次以上离子注入，离子注入方向同晶圆轴线的角度由大到小，注入离子能量由高到低，注入离子剂量由低到高。
离子注入方向同晶圆轴线的角度范围可以为45度到15度。
注入离子能量范围可以为1500千伏到70千伏。
注入离子剂量范围可以为1E14到1E16个。
可以对漏端进行三次离子注入，先进行漏端大角度45度斜角，高能量1000千伏，1E14个低剂量的离子注入；再进行漏端中角度30度斜角，中能量500千伏，5E14个中剂量的离子注入；再进行漏端小角度15度斜角，低能量70千伏，2E15个高剂量的离子注入。
本发明的LDMOS制造方法，对器件漏端进行多次不同浓度多角度注入从而调整PN结的纵向结构，形成漏端缓变均匀结，并且由于多次对器件漏端进行多次不同能量和浓度，多角度注入，形成更加缓变均匀结，漏端下工作漂移区的电场梯度更多，从而提高了击穿电压，在保证管子VT(阈值电压)满足要求且要求导通电阻较小的前提下，管子的工作电压提升空间得到提高，降低了表面击穿的风险，达到低导通电阻和高工作电压兼容的良好结果。同时还节省了高温度长时间炉管退火，节省了工艺成本和加快产品跑货速度。。
附图说明
图1是一常硅工艺制造的NLDMOS结构剖面图；
图2是发明的LDMOS制造方法一实施方式流程图；
图3是发明的LDMOS制造方法一实施方式制造的LDMOS剖面图。
具体实施方式
本发明的LDMOS制造方法一实施方式如图2、图3所示，其具体工艺流程如下：
一.在BCD工艺流程中，形成LDMOS的漏端；
二.进行漏端光刻胶涂布、漏端显影、漏端曝光，对漏端进行两次以上离子注入，注入方向同晶圆轴线的角度由大到小，例如从45度到15度，注入离子能量由高到低，例如从1500千伏到70千伏，注入离子剂量由低到高，例如从1E14到1E16个。对N型横向双扩散金氧半导体的漏端注入的是磷离子，砷离子，锑离子，对P型横向双扩散金氧半导体的漏端注入的是硼离子，硼氟离子。
一较佳实施例如图3所示，
1.在BCD工艺流程中，形成横向双扩散金氧半导体管的漏端；
2.先进行漏端光刻胶教涂布；
3.再进行漏端显影；
4.进行漏端曝光；
5.进行漏端大角度45度斜角，高能量1000千伏，1E14个低剂量的离子注入；
6.再进行漏端中角度30度斜角，中能量500千伏，5E14个中剂量的离子注入；
7.再进行漏端小角度15度斜角，低能量70千伏，2E15个高剂量的离子注入；
8.再去除光刻胶。
本发明的LDMOS制造方法制造的LDMOS器件结构如图3所示。对器件漏端进行多次不同浓度多角度注入，调整了PN结的PN结的纵向结构，形成一缓变均匀结，从而提高了击穿电压，同时管子的直流特性不受影响，达到低Rdson(源漏导通电阻)和高BV(击穿电压)兼容的良好结果。
本发明的LDMOS制造方法，对器件漏端进行多次不同浓度多角度注入从而调整PN结的纵向结构，形成漏端缓变均匀结，并且由于多次对器件漏端进行多次不同能量和浓度，多角度注入，形成更加缓变均匀结，漏端下工作漂移区的电场梯度更多，从而提高了击穿电压，在保证管子VT(阈值电压)满足要求且要求导通电阻较小的前提下，管子的工作电压提升空间得到提高，降低了表面击穿的风险，达到低导通电阻和高工作电压兼容的良好结果。同时还节省了高温度长时间炉管退火，节省了工艺成本和加快产品跑货速度。

Claims (5)

1.一种LDMOS制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.在BCD工艺流程中，形成LDMOS的漏端；
二.对漏端进行两次以上离子注入，离子注入方向同晶圆轴线的角度由大到小，注入离子能量由高到低，注入离子剂量由低到高。
2.根据权利要求1所述的LDMOS制造方法，其特征在于，离子注入方向同晶圆轴线的角度范围为45度到15度。
3.根据权利要求1所述的LDMOS制造方法，其特征在于，注入离子能量范围为1500千伏到70千伏。
4.根据权利要求1所述的LDMOS制造方法，其特征在于，注入离子剂量范围为1E14到1E16个。
5.根据权利要求1所述的LDMOS制造方法，其特征在于，步骤二对漏端进行三次离子注入，先进行漏端大角度45度斜角，高能量1000千伏，1E14个低剂量的离子注入；再进行漏端中角度30度斜角，中能量500千伏，5E14个剂量的离子注入；再进行漏端小角度15度斜角，低能量70千伏，2E15个高剂量的离子注入。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165452A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 Ldmos晶体管制造方法及ldmos晶体管
CN103367451A (zh) * 2012-07-13 2013-10-23 成都芯源系统有限公司 一种高压半导体器件及其制作方法
US9543432B2 (en) 2015-02-15 2017-01-10 Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation High voltage LDMOS device with an increased voltage at source (high side) and a fabricating method thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101150068A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 上海华虹Nec电子有限公司 减小gidl效应的方法
CN101399288B (zh) * 2008-10-23 2010-08-25 北京时代民芯科技有限公司 一种ldmos芯片的轻掺杂漂移区结构形成方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165452A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 Ldmos晶体管制造方法及ldmos晶体管
CN103165452B (zh) * 2011-12-09 2015-10-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Ldmos晶体管制造方法
CN103367451A (zh) * 2012-07-13 2013-10-23 成都芯源系统有限公司 一种高压半导体器件及其制作方法
US9543432B2 (en) 2015-02-15 2017-01-10 Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation High voltage LDMOS device with an increased voltage at source (high side) and a fabricating method thereof

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