CN101930909A

CN101930909A - 生产半导体晶片的方法

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Publication number: CN101930909A
Application number: CN201010193354.4A
Authority: CN
Inventors: J·施万德纳
Original assignee: Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 2009-06-24
Filing date: 2010-05-27
Publication date: 2010-12-29
Anticipated expiration: 2030-05-27
Also published as: KR101291880B1; JP5481284B2; TW201107102A; US8389409B2; DE102009030295A1; JP2011009747A; US20100327414A1; SG187384A1; DE102009030295B4; KR20100138748A; CN101930909B; TWI398336B

Abstract

一种生产半导体晶片的方法，包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片。b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片的正面和背面为平面，而边缘区域为圆整倾斜表面。c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学-机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8-15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5-5psi。

Description

生产半导体晶片的方法

本发明涉及一种生产半导体晶片的方法。

特别的，本发明用于抛光下一代技术的半导体晶片，主要是直径为300mm或更大的晶片，特别是直径为450mm的晶片。目前，直径为300mm的抛光或外延涂布的半导体晶片被用于电子工业中的大多数所需的应用。基材直径为450mm的硅晶片正在开发。

无论微处理器还是记忆芯片，电子工业需要更大的基材用于其组件的生产的基本原因在于其拥有的巨大经济利益。在半导体工业中，长期以来，关注可用基材面积一直是惯例，或者换句话说，考虑可以在单个基材上提供多大量的组件，即逻辑芯片或记忆芯片。这与如下事实有关，即组件制造商的加工步骤的多重性针对全部基材，以及还有用于构造基材的单独步骤，即生产随后形成单独芯片的组件结构，从而用于两组加工步骤的生产成本非常特别地通过基材尺寸确定。基材尺寸在非常大的程度上影响每个组件的生产成本，从而具有非常高的经济重要性。

然而，增大基材直径是很高和有时是全新的、迄今为止未知的技术问题。

最后，所有加工步骤，无论其是完全机械的(锯切、打磨、层叠)、化学的(蚀刻、清洗)或实际上化学-机械的(抛光)以及热加工(外延、退火)，都需要彻底修改，特别是有关用于其的机械和体系(设备)。

本发明关注：当晶片用于生产记忆芯片时，半导体晶片的抛光作为最后的基本加工步骤，或当晶片用作所谓的ep时，主要作为晶片外延附生之前的倒数第二个基本加工步骤；用于生产现代微处理器的晶片。

发明人发现，抛光450mm晶片的方法也需要基本的改变。那些被考虑用于确定新的抛光方法的现有技术中已知的抛光方法将在后呈现。这基本上包含双面抛光(DSP)和化学机械抛光(CMP)的传统使用方法的修饰，其在一种情况下包含用抛光垫抛光半导体晶片的两侧，同时施加抛光剂作为粗抛光(DSP步骤)，而在另一种情况下仅用更软的抛光垫对正面(“组件一面”)进行最终抛光作为所谓的精抛光(CMP步骤)，以及相当新的所谓的“固定磨料抛光”(FAP)技术，其中在抛光垫上抛光半导体晶片，然而所述抛光垫含有结合在抛光垫上的磨料物质(“固定磨料片”)。在其中使用所述FAP抛光垫的抛光步骤将在后简称为FAP步骤。

除了DSP之外，现有技术中所谓的CMP抛光也是必要的，以消除缺陷和减少表面粗糙度。在CMP中，使用比在DSP中更柔软的抛光垫。而且，仅在半导体晶片的一侧用CMP抛光，即组件随后用于制造的一侧。现有技术还涉及精抛光。例如在US 2002-0077039和US 2008-0305722中公开了CMP法。

WO 99/55491A1描述了两步抛光法，含有第一FAP抛光步骤和随后的第二CMP抛光步骤。在CMP中，抛光垫不含固定磨料物质。在此，如在DSP步骤中，悬浮液形式的磨料物质被引入到硅晶片和抛光垫之间。所述两步抛光法特别用于消除FAP步骤后在基材的抛光表面上留下的刮痕。

EP 1717001A1也是用于抛光半导体晶片的FAP步骤的实例，在半导体晶片的表面上还未形成组件结构。抛光所述半导体晶片基本上用于产生至少一侧特别平坦的和具有最小可能性的微粗糙度和纳米拓扑结构的表面。

US 2002/00609967A1涉及到用于在生产电子组件期间抛光表面形貌的CMP方法。其主要目标是减轻在使用FAP抛光垫时的低材料去除率的缺点。提出了一系列抛光步骤，其中首先用FAP片结合抛光剂悬浮液进行抛光，而后用FAP片结合抛光剂溶液抛光。有意选择所述系列抛光步骤是为了增加材料去除率。在此并没有公开抛光具有均匀组合物的材料的晶片，例如半导体晶片。

同样，WO 03/074228A1也公开了一种在电子组件的生产期间抛光表面形貌的方法。在此，所述发明的关键点是在CMP法中的终点识别。如已知的，终点识别包含在从特定不需要抛光的区域中去除材料之前迅速终止抛光并因而终止材料去除。为此，提出用两步法抛光铜层。在第一步中，用FAP抛光垫抛光，在此情况下抛光剂任选地可以含有或不含磨料颗粒。在第二抛光步骤中，同样用FAP抛光垫抛光，然而，基本上使用不含磨料颗粒的抛光剂。

德国专利申请DE 102 007 035 266 A1描述了一种用于抛光硅材料基材的方法，包含两种不同FAP类型的抛光步骤，其中在一个抛光步骤中，将含有非结合磨料物质作为固体的抛光剂悬浮液引入到基材和抛光垫之间，而在第二抛光步骤中，抛光剂悬浮液被不含固体的抛光剂溶液代替。

以下将使用“抛光剂”的表述作为抛光剂悬浮液和抛光剂溶液的涵盖性术语。

与半导体晶片的制造有关，特别是直径大于等于300mm的半导体晶片——特别地在此可以提及直径为450mm的半导体晶片——操作性能、半导体晶片在系统间的传送、在加工工序中的关键的保存、支持和最终加工性能越来越重要。这也在用于制造半导体组件的方法中的部分晶片制造商的消费者对半导体晶片的进一步加工中得到应用。

在此，特别是半导体晶片的背面是重要的标准，尤其因为不同的操作系统，特别是与半导体晶片接触的设备，使半导体晶片的特殊背面性能成为必要。所述装置例如是卡盘，即在其背面上牢固固定半导体晶片的晶片固定器，例如通过真空吸盘，而正面被加工，例如打磨。对于在其边缘区域固定半导体晶片的系统，在背面边缘区域设定半导体晶片也是重要的，从而可以排除半导体晶片的变形。特别的，对于直径为450mm的下一代半导体晶片，晶片背面和晶片边缘的性质对其是至关重要的。

另一方面，半导体晶片的背面是支持表面——例如在装箱运输(FOUP、FOSB)期间和特别是在制造方法的储存或固定期间(例如涂布室、炉加工等)。无论在运输、装载期间还是在涂布加工期间，都必须避免半导体晶片的自由滑落。

最后，除了晶片制造商的加工管理外，还须提及如下的部分消费者。

在此特别重要的是组件生产方法，其中需要加工的晶片的背面性能本身对加工步骤的成功具有很大影响。这例如在所有类型的炉加工中得到应用。所用层的附着，例如氧化物层，基本上依赖于表面性质，尤其是由于要涂布的表面的反射率程度共同决定了其发射和吸收行为，并因而也决定了吸收的热辐射水平和本身的加工管理，例如以长或短涂布时间的形式。在这点上，晶片背面的性能迄今已被忽略至发明人已经确定了商业需求的程度。

所述问题是本发明的目的，即提供具有确定的和有利的半导体晶片背面性质的半导体晶片。

在此，当在一个抛光机上完全抛光晶片背面和从而在另一个抛光机上抛光晶片正面，或者是否这些全部在相同的抛光机上进行并不重要。

本发明的目的通过生产半导体晶片的方法达到，所述方法包含：

a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片，

b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片的正面和背面为平面，而边缘区域为圆整倾斜表面。

c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学-机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压力压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8-15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5-5psi。

依据所述解决方案，提供在其背面具有确定表面粗糙度的半导体晶片。

本领域内的技术人员已知诸如粗抛光(双面抛光，DSP)和精抛光(化学-机械抛光，CMP)的传统抛光法都导致半导体晶片在正面和背面上具有相当窄的有限范围内的表面粗糙度。

当使用具有250μm滤光器的Chapman表面轮廓仪MP 2000(空间波长大于250μm＝不平度数据，参考Chapman Technical Note-TG-1，Rev-01-09)测量表面粗糙度时，在DSP抛光的半导体晶片的正面和背面上都发现了3-6埃的平均表面粗糙度R_a。

本发明人已经认识到，所述晶片背面的低粗糙度不总是有利的，其在达到比传统抛光技术中可能的更宽的用于半导体晶片的背面粗糙度的范围是期望的。

已经发现，FAP抛光允许这样。通过FAP，可以产生依据Chapman(具有250μm滤光器)为3-45埃的平均表面粗糙度R_a。这覆盖了比DSP/CMP可能的范围大10倍的范围。在图1和2中发现了在使用80μm、30μm和10μm滤光器时相应的粗糙度数据。

因而对于本发明，通过FAP实施半导体晶片的背面抛光是基础，以提供半导体晶片期望的确定背面。

不同类型的抛光机适合所述目的，例如产自Applied Materials Inc.的“Reflection”型3盘单面抛光机，或产自Peter Wolters的“Apollo”型2盘抛光机或产自Strasbaugh的“nHance(6EG)”型1盘抛光机。

在步骤c)中的正面抛光优选在半导体晶片的正面的平面上产生0.05-0.2nm的平均表面粗糙度R_a。

在其背面的平面上，半导体晶片优选具有0.3-4.5nm的平均表面粗糙度R_a，根据空间波长表示为小于等于250μm。

优选的，在步骤c)之后的另外的步骤d)中，在半导体晶片正面上进行外延涂布。

在外延涂布硅晶片的情况下，为了所述目的，在外延反应器中用热源加热一个或多个硅晶片，优选用上部或下部热源。例如灯或灯触排(banks oflamps)，而后处于由含有硅化合物(硅烷)、载气(例如氢气)和任选的掺杂气体(例如二硼烷)的源气组成的气体混合物中。

传统上通常通过CVD法(“化学气相沉积”)，在硅晶片的表面上提供硅烷，例如三氯硅烷(SiHCl₃，TCS)作为源气沉积外延层，在600-1250℃的温度下在此分解成元素硅和挥发性副产物，并在硅晶片上形成外延生长的硅层。

当实施本方法后，在正面的平面上的半导体晶片的平均表面粗糙度R_a为0.05-0.2nm，在背面的平面上的平均表面粗糙度R_a为0.3-4.5nm，均根据空间波长表示为小于等于250μm。

正面和背面都在边缘附近包含圆整表面，其优选具有0.5-2nm的平均表面粗糙度R_a。

如果在半导体晶片上提供外延层，正面的平面的平均表面粗糙度R_a为0.05-0.2nm，而背面的平面的平均表面粗糙度R_a为0.3-4.5nm，均根据空间波长表示为小于等于250μm。

正面的倾斜和圆整表面优选具有0.5-6nm的平均表面粗糙度R_a，而背面上的倾斜和圆整表面具有0.5-2nm的平均表面粗糙度R_a。

特别的，背面的平面的表面粗糙度R_a(BS)与背面的倾斜和圆整表面R_a(BS边缘)之间的差别优选为-1.7至4nm，更特别优选0.8-1.8nm，均用于抛光过的和用于外延涂布的半导体晶片。

本发明使得在宽窗口内主动调节晶片背面粗糙度成为可能，从而保证与现有和未来消费者需求相关的更高的适应性。

通过选择抛光晶片的生产性质，本发明还允许更高的选择性加工管理。

本发明特别用于加工和产生抛光和外延涂布的晶片，其具有300mm或更大的直径，更特别优选450mm的直径。

本发明已经发现，仅仅半导体晶片的正面和背面的连续抛光适于达到期望的结果。在先使用的分批抛光法，其同时在两侧抛光固定在载体盘上的多个半导体晶片，不适合所述目的并需要被单晶片加工代替。

在依据本发明的方法中的背面抛光的第一步骤中的抛光剂溶液的最简单情况是水，优选去离子水(DIW)，其纯度是硅工业中使用所必需的。

然而，抛光剂溶液优选还可以含有化合物，如碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或其任何混合物。

特别是更优选使用碳酸钾。

在所述情况下，抛光剂溶液的pH优选位于10-12的范围内，在抛光剂溶液中，所述化合物的比例优选为0.01-10重量％，特别优选0.01-0.2重量％。

抛光剂溶液还可以含有一种或多种其他添加剂，例如表面活性添加剂，如润湿剂和表面活性剂、作为保护性胶体的稳定剂、防腐剂、生物杀灭剂、醇和螯合剂。

在背面抛光半导体晶片的第二步骤中，使用含有磨料的抛光剂。

在抛光剂悬浮液中，磨料物质的比例优选为0.25-20重量％，特别优选0.25-1重量％。

磨料物质颗粒的粒径分布优选为单峰分布。

平均粒径为5-300nm，特别优选5-50nm。

磨料物质包含机械去除基材材料的材料，优选一种或多种元素铝、铈或硅的氧化物。

含有胶体状分散二氧化硅的抛光剂悬浮液是特别优选的。

在抛光背面的第二步中，与第一步相反，优选不引入诸如碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)的添加。

然而抛光剂悬浮液可以含有一种或多种其他添加剂，例如表面活性添加剂，如润湿剂和表面活性剂、作为保护性胶体的稳定剂、防腐剂、生物杀灭剂、醇和螯合剂。

在背面抛光半导体晶片的第三步中，同样使用含有磨料的抛光剂。

相对于第一和第二步，抛光压从8-15psi降至0.5-5psi。

磨料物质颗粒的粒径分布优选为单峰形状的。

平均粒径为5-300nm，特别优选5-50nm。

含有胶体状分散二氧化硅的抛光剂悬浮液是特别优选的。

在抛光背面的第三步中，与第一步相反，优选不引入诸如碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)的添加。

基本上，借助于“抛光头”将半导体晶片要抛光的侧面压至位于抛光盘上的抛光垫上。

抛光头还包含“固定环”，其从侧面包裹基材，防止其在抛光期间从抛光头上滑落。

在现代抛光头的情况下，远离抛光垫的半导体晶片的侧面位于弹性膜上，其转移施加的抛光压。膜是通过气垫或液垫形成的室系统的一部分。

在使用弹性支撑(“支持片”)代替膜的情况下也可以使用抛光头。

在基材和抛光垫之间提供抛光剂，并通过旋转抛光头和抛光盘来实施基材抛光。

另外，抛光头还可以平移越过抛光垫，从而达到抛光垫表面的更广泛的应用。

而且，依据本发明的方法可以同等地在单盘或多盘抛光机上实施。

优选使用的多盘抛光机优选具有两个，更特别优选三个抛光盘和抛光头。

在所述情况下，可以使用不同的抛光垫和不同的抛光剂。

在依据本发明的方法中，含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫(FAP和FA片)用于全部三个背面抛光步骤中。

适合的磨料物质包含元素铈、铝、硅或锆的氧化物颗粒，或者诸如碳化硅、氮化硼或金刚石的硬质材料的颗粒。

特别适合的抛光垫具有通过重复微结构赋予的表面形貌。所述微结构(“柱状结构”)具有例如具有圆柱形或多边形横截面的柱状形式，或多边形横截面或者角锥或截棱锥的形式。

例如在WO 92/13680A1和US 2005/227590A1中含有所述抛光垫的更详细的说明。

更特别优选使用含有氧化铈颗粒的抛光垫，也参见US 6602117 B1及其中描述的抛光垫。

所用的FAP抛光垫的粒径优选大于等于0.1μm并小于等于1.0μm。

如果期望所要求范围的最高值的高背面粗糙度，那么优选使用0.5-1.0μm粒径的FAP片。

如果期望低背面粗糙度，优选使用0.1-0.25μm粒径的FAP片。

使用粒径大大低于0.1μm或大大高于1.0μm的粒径不能产生期望的结果。

而且，半导体晶片的边缘抛光优选在中心旋转卡盘上进行，将半导体晶片和相对于卡盘倾斜并带有含固定磨料的抛光垫的中心旋转抛光鼓置于一起，将半导体晶片与抛光鼓压至一起，同时提供不含固体的抛光剂。

当实施步骤b)后，半导体晶片具有圆整边缘(根据传统边缘打磨法产生)。

所述半导体晶片或者在步骤c)之前或者之后通过抛光鼓抛光，在其表面上附着结合了几乎没有可压缩性并含有固定磨料的硬质抛光垫，同时提供碱性溶液。

优选的，而后在相同的抛光垫上进行平滑步骤，同时提供硅溶胶，例如具有约1重量％SiO₂的Glanzox 3900。

对于所述边缘抛光，优选在依据本方法的步骤c)的正面和背面抛光中使用相同的抛光剂溶液和悬浮液。

同样也应用到所用的抛光垫。

特别的，在边缘抛光中，还优选使用含有粒径为0.1μm-1.0μm的颗粒形式的磨料的抛光垫。

所述颗粒优选选自元素铈、铝、硅和锆的氧化物。

实施例

在产自Strasbaugh Inc.的“nHance 6EG”型抛光机上进行测试。

产自Strasbaugh Inc.的抛光机具有带有抛光垫和抛光头的抛光盘，其可以完全自动化加工半导体晶片。抛光头被普遍安装并包含固定的基板，用“衬垫”和可移动固定环将其覆盖。可以穿过在两个同心压力区域：内部压力区域和外部压力区域中的基板中的孔设置气垫，在抛光期间，半导体晶片漂浮在所述气垫上。可以通过压缩的球胆给可移动固定环加压，以给抛光垫预加压使其与半导体晶片接触，并保持其平坦。

在所有测试中，抛光步骤1是使用K₂CO₃溶液(0.2重量％)的粗抛光步骤。

使用不含K₂CO₃的Glanzox 3900^*(1重量％)实施第二抛光步骤，并通常用与步骤1相同的抛光压。

Glanzox 3900^*是Fujimi Incorporated，Japan作为浓缩物提供的抛光剂悬浮液的商品名。未稀释溶液的pH为10.5并含有约9重量％的胶状SiO₂，平均粒径为30-40nm。

在提供Glanzox 3900^*(1重量％)并不含K₂CO₃下实施第三抛光步骤，并用比步骤1和2更低的抛光压。

可选的，在步骤3之后进行低压抛光步骤，同时提供表面活性剂或表面活性剂+DIW(去离子水)。

用具有0.1-1μm的不同粒径的FAP片实施测试。

对于图中显示的测试，使用在其中固定的氧化铈磨料的抛光垫，如US 6602117B1中所述。

平均粒径为0.5μm。

对于正面的化学机械抛光，使用典型的粗抛光垫。适合所述情况的实例是产自Rohm & Haas的系列SUBA^TM抛光垫，如SUBA^TM 1250(“粗片”)，或典型的CMP抛光垫(“精细片”)，如产自Rodel

的SPM 3100。

图1显示了依据本发明加工的直径为300mm的硅半导体晶片的背面的粗糙度值。在不同抛光条件下进行了15次测试。得到了1.3-4.5nm的粗糙度值(250μm滤光器)。

测试1-9包含用K₂CO₃溶液(0.2重量％)的粗抛光步骤，随后使用不含K₂CO₃的抛光剂溶液(Glanzox 3900)进行第二抛光步骤，以及不含K₂CO₃并具有比前两个抛光步骤更低的抛光压的第三抛光步骤。

这样，在前两个步骤中每个的抛光压为7-13psi，而在第三抛光步骤中，抛光压为0.5-2psi。

测试10-13另外含有使用DIW的抛光步骤。

图2同样显示了依据本发明加工的半导体晶片的粗糙度值。

在此，得到0.3-1.7nm的粗糙度值(250μm滤光器)。

还在此，全部测试包含抛光压为10-13psi同时提供K₂CO₃溶液的粗抛光，提供Glanzox 3900并且抛光压为10-13psi的第二抛光步骤以及抛光压为0.5-3.5psi的第三抛光步骤。在测试14-20中，在前两步中，抛光剂流速为3000-5000ml/min，而在第三步中为350ml/min。然而在测试1中，在第二抛光步骤中的抛光剂流速为100ml/min。

Claims

1.一种生产半导体晶片的方法，其包含：

a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片，

b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片包括在正面和背面上的平面，以及在边缘区域中的圆整倾斜表面，

2.权利要求1的方法，其还包含：

d)外延涂布半导体晶片的正面。

3.权利1或2的方法，其中在背面抛光半导体晶片的第一步中的抛光剂溶液含有去离子水(DIW)。

4.权利要求3的方法，其中抛光剂溶液含有化合物，如碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或其任何混合物。

5.权利要求4的方法，其中抛光剂溶液的pH为10-12，所述化合物在抛光剂溶液中的比例为0.01-10重量％。

6.权利要求1或2的方法，其中在第二抛光步骤中的抛光剂悬浮液含有一种或多种元素铝、铈或硅的氧化物的颗粒。

7.权利要求6的方法，其中抛光剂悬浮液是胶体分散二氧化硅。

8.权利要求1-7之一的方法，其中抛光垫含有固定磨料物质，所述磨料物质为元素铈、铝、硅和锆的氧化物的颗粒形式，或选自诸如碳化硅、氮化硼和金刚石的硬质物质的颗粒形式。

9.权利要求8的方法，其中结合在抛光垫中的磨料物质的粒径大于等于0.1μm并小于等于1.0μm。

10.通过权利要求1的方法生产的半导体晶片，其具有抛光过的正面、抛光过的背面以及圆整和抛光过的边缘，其包含在正面和背面上的平面，以及在边缘区域中的倾斜圆整表面，其在正面的平面上的平均表面粗糙度R_a为0.05-0.2nm，在背面的平面上的平均表面粗糙度R_a为0.3-4.5nm，两者都根据空间波长表示为小于等于250μm。

11.权利要求10的半导体晶片，其中正面和背面上的圆整表面的平均表面粗糙度R_a为0.5-2nm。

12.通过权利要求2的方法产生的半导体晶片，其具有抛光过和外延涂布的正面、抛光过的背面以及圆整和抛光过的边缘，其包含在正面和背面上的平面，以及在边缘区域中的倾斜圆整表面，其在外延涂布的正面的平面上的平均表面粗糙度R_a为0.05-0.2nm，在背面的平面上的平均表面粗糙度R_a为0.3-4.5nm，两者都根据空间波长表示为小于等于250μm。

13.权利要求12的半导体晶片，其在正面的倾斜和圆整表面上具有0.5-6nm的平均表面粗糙度R_a，并在背面的倾斜和圆整表面上具有0.5-2nm的平均表面粗糙度R_a。