CN101891208A - 一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法 - Google Patents

一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101891208A
CN101891208A CN 201010232223 CN201010232223A CN101891208A CN 101891208 A CN101891208 A CN 101891208A CN 201010232223 CN201010232223 CN 201010232223 CN 201010232223 A CN201010232223 A CN 201010232223A CN 101891208 A CN101891208 A CN 101891208A
Authority
CN
China
Prior art keywords
spherical particles
solution
silicon dioxide
ultrasonic
dehydrated alcohol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201010232223
Other languages
English (en)
Other versions
CN101891208B (zh
Inventor
伍媛婷
王秀峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Quechen Silicon Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shaanxi University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi University of Science and Technology filed Critical Shaanxi University of Science and Technology
Priority to CN2010102322232A priority Critical patent/CN101891208B/zh
Publication of CN101891208A publication Critical patent/CN101891208A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101891208B publication Critical patent/CN101891208B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,首先将正硅酸乙酯和氨水分别溶于无水乙醇,在超声条件下将两者一次性的混合,继续超声分离沉淀后得到颗粒均匀、形貌完整的SiO2亚微米球体颗粒。本发明SiO2亚微米球的制备方法的生产工艺简单,设备简单,操作简便,制备周期短,成本低,产率较高。在超声下混合后产生的SiO2亚微米球体颗粒的纯度高、分散性较好。

Description

一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法。
背景技术
二氧化硅粉体是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料,在建筑业、化工、航天航空业、农业等方面都有重要的应用。二氧化硅粉体在声、光、电、磁及热力学等方面呈现出奇异的特性,广泛应用于微电子、信息材料、涂料、橡胶、塑料、农作物种子处理剂、抛光剂、高级耐火材料及造纸等方面,特别是均匀球体的制备是研制二氧化硅光子晶体材料的关键。研制二氧化硅材料,生产出高纯度、高科技产品是当前的研究热点之一。
目前制备二氧化硅粉体的方法很多,但无论是气相法,还是液相沉淀法,都存在反应设备要求高、工艺复杂、成本高等问题他主要的制备方法包括
Figure BDA0000023526940000011
法、燃烧法、溶胶-凝胶法、碳化法、胶束溶胶法等。其中针对均匀二氧化硅球体的制备方法中,
Figure BDA0000023526940000012
法是工艺较成熟的工艺,按照氨水加入的方法分,
Figure BDA0000023526940000013
法可分为滴定法和分次加料法,其中,滴定法中所制备的二氧化硅球体颗粒粒度较为均匀,但其滴定反应时间较长,制备周期长;而分次加料法中,虽然与滴定法相比,其制备周期相对较短,但其更难于制备粒度均匀的球体颗粒。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,该方法的生产工艺简单、周期短、设备简单,所制备的SiO2亚微米颗粒均为完整的球体颗粒,且粒径分布窄、分散性好。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将正硅酸乙酯溶于a份的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积2~8倍的氨水溶于b份的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=(3~5)∶(90~100);
2)将溶液A置于超声设备中,在超声下将溶液B加入溶液A中,继续超声1~2h;超声完成后,分离沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于60~80℃干燥,得到亚微米二氧化硅球体颗粒。
所述的氨水的体积浓度为25~28%。
所述的a∶b=1~1.5∶1。
所述的溶液A置于超声设备中时,超声设备的功率设定为80W~100W,温度设定为30~40℃,超声频率设定为30~40KHz。
所述的亚微米二氧化硅球体颗粒为完整的球状颗粒,颗粒大小为100~400nm。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
本发明首先将正硅酸乙酯和氨水分别溶于无水乙醇,在配好溶液之后不需要做其他的处理,按照正硅酸乙酯和氨水的特定的比例和浓度(正硅酸乙酯/无水乙醇+氨水),在超声条件下将两种溶液一次性的混合,继续超声分离沉淀后得到颗粒均匀、形貌完整的SiO2亚微米球体颗粒。
本发明SiO2亚微米球的制备方法的生产工艺简单,设备简单,操作简便,制备周期短,成本低,产率较高。通过对正硅酸乙酯和氨水的特定的比例和浓度的控制,对混合前的正硅酸乙酯溶液和氨水溶液均不需要其他处理,缩短了工艺时间,在超声下混合后产生的SiO2亚微米球体颗粒的纯度高、分散性较好。
附图说明
图1为本发明制备的亚微米二氧化硅球体颗粒的SEM照片,可以看出亚微米二氧化硅球体颗粒为完整的球状,颗粒粒径分布窄,颗粒大小为100~400nm。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明做进一步详细描述,所述是对本发明的解释而不是限定。
实施例1
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将10ml正硅酸乙酯溶于120ml(a份)的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积2倍的氨水(体积浓度25%)溶于80ml(b份)的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=5∶96;
2)将溶液A置于超声设备中,功率设定为100W,频率设定为40KHz,温度设定为30℃,在超声下将溶液B加入溶液A中,然后继续超声1h;超声完成后,分离混合溶液中生成的沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于60℃干燥,得到颗粒大小为100~400nm的SiO2亚微米球。
实施例2
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将10ml正硅酸乙酯溶于145ml(a份)的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积8倍的氨水(体积浓度28%)溶于112ml(b份)的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=3∶90;
2)将溶液A置于超声设备中,功率设定为80W,温度设定为40℃,频率设定为30KHz,在超声下将溶液B加入溶液A中,然后继续超声2h;超声完成后,分离混合溶液中生成的沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于80℃干燥,得到颗粒大小为100~400nm的SiO2亚微米球。
实施例3
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将10ml正硅酸乙酯溶于120ml(a份)的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积6倍的氨水(体积浓度25%)溶于120ml(b份)的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=3.5∶93;
2)将溶液A置于超声设备中,功率设定为85W,温度设定为38℃,频率设定为40KHz,在超声下将溶液B加入溶液A中,然后继续超声1h;超声完成后,分离混合溶液中生成的沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于70℃干燥,得到颗粒大小为100~400nm的SiO2亚微米球。
实施例4
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将10ml正硅酸乙酯溶于150ml(a份)的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积5倍的氨水(体积浓度28%)溶于100ml(b份)的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=3.4∶90;
2)将溶液A置于超声设备中,功率设定为90W,温度设定为35℃,频率设定为40KHz,在超声下将溶液B加入溶液A中,然后继续超声1.5h;超声完成后,分离混合溶液中生成的沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于60℃干燥,得到颗粒大小为200~400nm的SiO2亚微米球。
实施例5
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将10ml正硅酸乙酯溶于120ml(a份)的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积4倍的氨水(体积浓度28%)溶于100ml(b份)的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=4∶100;
2)将溶液A置于超声设备中,功率设定为95W,温度设定为35℃,频率设定为40KHz,在超声下将溶液B加入溶液A中,然后继续超声1.2h;超声完成后,分离混合溶液中生成的沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于65℃干燥,得到颗粒大小为200~400nm的SiO2亚微米球。
实施例6
一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,包括以下步骤:
1)将10ml正硅酸乙酯溶于100ml(a份)的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积3倍的氨水(体积浓度28%)溶于80ml(b份)的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=5∶92;
2)将溶液A置于超声设备中,功率设定为85W,温度设定为40℃,频率设定为40KHz,在超声下将溶液B加入溶液A中,然后继续超声1.6h;超声完成后,分离混合溶液中生成的沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于80℃干燥,得到颗粒大小为200~400nm的SiO2亚微米球。

Claims (5)

1.一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将正硅酸乙酯溶于a份的无水乙醇配置成溶液A,将正硅酸乙酯体积2~8倍的氨水溶于b份的无水乙醇配置成溶液B,以质量比计,正硅酸乙酯/(a+b份的无水乙醇+氨水)=(3~5)∶(90~100);
2)将溶液A置于超声设备中,在超声下将溶液B加入溶液A中,继续超声1~2h;超声完成后,分离沉淀,沉淀分别用水和无水乙醇清洗后于60~80℃干燥,得到亚微米二氧化硅球体颗粒。
2.如权利要求1所述的亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,其特征在于,所述的氨水的体积浓度为25~28%。
3.如权利要求1所述的亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,其特征在于,所述的a∶b=1~1.5∶1。
4.如权利要求1所述的亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,其特征在于,所述的溶液A置于超声设备中时,超声设备的功率设定为80W~100W,温度设定为30~40℃,超声频率设定为30~40KHz。
5.如权利要求1所述的亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法,其特征在于,所述的亚微米二氧化硅球体颗粒为完整的球状颗粒,颗粒大小为100~400nm。
CN2010102322232A 2010-07-21 2010-07-21 一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法 Active CN101891208B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102322232A CN101891208B (zh) 2010-07-21 2010-07-21 一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102322232A CN101891208B (zh) 2010-07-21 2010-07-21 一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101891208A true CN101891208A (zh) 2010-11-24
CN101891208B CN101891208B (zh) 2012-06-27

Family

ID=43100586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102322232A Active CN101891208B (zh) 2010-07-21 2010-07-21 一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101891208B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102432191A (zh) * 2011-08-23 2012-05-02 陕西科技大学 一种双尺寸SiO2光子晶体的制备方法
CN103288491A (zh) * 2013-05-29 2013-09-11 陕西科技大学 一种蓝绿色光子晶体结构色薄膜的制备方法
CN106395807A (zh) * 2016-08-30 2017-02-15 北京化工大学 一种高效低成本制备二维纳米材料的方法
CN106477586A (zh) * 2016-10-14 2017-03-08 北京海岸鸿蒙标准物质技术有限责任公司 用于校准粒度测量的纳米粒度标准物质及其制备方法
CN110015666A (zh) * 2019-04-29 2019-07-16 江苏辉迈粉体科技有限公司 一种高纯亚微米球形硅微粉的制备方法
CN110983423A (zh) * 2019-12-31 2020-04-10 哈尔滨工业大学 一种弯折不变色的胶体光子晶体薄膜及图案化的胶体光子晶体薄膜的制备方法
CN113049651A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 重庆大学 一种同时检测乳腺癌四种标志物的原位电化学免疫传感器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1730389A (zh) * 2005-06-17 2006-02-08 朱广山 合成介孔氧化硅纳米球载体材料的超声波方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1730389A (zh) * 2005-06-17 2006-02-08 朱广山 合成介孔氧化硅纳米球载体材料的超声波方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《化学工程》 20100331 翟晓瑜等 亚微米SiO2微球的制备与改性 第72-75,85页 1-5 第38卷, 第3期 2 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102432191A (zh) * 2011-08-23 2012-05-02 陕西科技大学 一种双尺寸SiO2光子晶体的制备方法
CN102432191B (zh) * 2011-08-23 2013-12-18 陕西科技大学 一种双尺寸SiO2光子晶体的制备方法
CN103288491A (zh) * 2013-05-29 2013-09-11 陕西科技大学 一种蓝绿色光子晶体结构色薄膜的制备方法
CN106395807A (zh) * 2016-08-30 2017-02-15 北京化工大学 一种高效低成本制备二维纳米材料的方法
CN106477586A (zh) * 2016-10-14 2017-03-08 北京海岸鸿蒙标准物质技术有限责任公司 用于校准粒度测量的纳米粒度标准物质及其制备方法
CN110015666A (zh) * 2019-04-29 2019-07-16 江苏辉迈粉体科技有限公司 一种高纯亚微米球形硅微粉的制备方法
CN110983423A (zh) * 2019-12-31 2020-04-10 哈尔滨工业大学 一种弯折不变色的胶体光子晶体薄膜及图案化的胶体光子晶体薄膜的制备方法
CN110983423B (zh) * 2019-12-31 2021-07-09 哈尔滨工业大学 一种弯折不变色的胶体光子晶体薄膜及图案化的胶体光子晶体薄膜的制备方法
CN113049651A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 重庆大学 一种同时检测乳腺癌四种标志物的原位电化学免疫传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101891208B (zh) 2012-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101891208B (zh) 一种亚微米二氧化硅球体颗粒的制备方法
CN102249248B (zh) 单分散球形介孔二氧化硅纳米材料及制备方法
CN103500622B (zh) 磁性无机纳米粒/有序介孔二氧化硅核壳复合微球及其制备方法
CN101707106B (zh) 一种核壳结构的二氧化硅磁性复合微球的制备方法
CN101347841B (zh) 粒度可控高振实密度银粉的制备方法
CN108117083B (zh) 一种连续可控制备纳米二氧化硅球形颗粒的方法
CN101993086A (zh) 一种单分散二氧化硅微球的制备方法
CN101891207A (zh) 一种SiO2/TiO2复合粉体的制备方法
CN102092721A (zh) 硫酸沉淀法制备纳米级白炭黑的方法
CN105502342A (zh) 一种以多巴胺为碳源制备纳米空心碳球的方法
CN104607231A (zh) 具有三维有序大孔结构的氮化碳光催化剂及其制备方法
CN103231072A (zh) 高温电子浆料用二氧化硅/银核壳复合粉的制备方法
CN104003408B (zh) 一种连续式可控的单分散二氧化硅微球的制备方法
CN104445214A (zh) 一种介孔二氧化硅纳米空心球及其制备方法
CN106395834B (zh) 一种一步可控合成单峰多分散纳米、亚微米二氧化硅颗粒的方法
CN104261404A (zh) 超分散纳米金刚石水溶胶的制备
CN102874823A (zh) 以花粉粒为生物模板制备形状均一的二氧化硅中空微球
CN101759159A (zh) 一种液相中制备纳米硒的方法及其得到的纳米硒
CN103641122A (zh) 一种多级介孔二氧化硅纳米颗粒的制备方法
CN101891209B (zh) 一种球形二氧化硅纳米粉体的制备方法
CN107804854A (zh) 利用低品位凹凸棒石黏土制备硅酸铜纳米管的方法
CN101891974A (zh) 一种TiO2/SiO2复合粉体的制备方法
CN102718262B (zh) 一种纳米线组装的钨酸钙球形结构的制备方法
CN101891210B (zh) 一种纳米二氧化硅粉体的制备方法
CN104014817B (zh) 适合规模生产的银纳米材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: Q + C SILICON CHEMICAL CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Effective date: 20130428

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 710021 XI AN, SHAANXI PROVINCE TO: 214196 WUXI, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130428

Address after: Donggang Qinggil Zhen Dong village in Xishan District of Wuxi city of Jiangsu Province in 214196

Patentee after: Quechen Silicon Chemical Co., Ltd.

Address before: 710021 Shaanxi province Xi'an Weiyang University Park No. 1

Patentee before: Shaanxi University of Science and Technology