CN101887689B - 显示设备和显示方法 - Google Patents

Abstract

在此公开了一种显示设备和显示方法，该显示设备包括：像素电路，用于通过合成在一个水平时段内输入的信号值生成用于显示的信号值，并且以对应于用于显示的信号值的灰度进行显示；在像素阵列上以列的形式布置的信号线，在所述像素阵列中以矩阵的形式安排所述像素电路；在所述像素阵列上以行的形式布置的扫描线；信号线驱动部分，配置为在一个水平时段内输出作为要提供到每个像素电路的信号值的各信号值到所述信号线；以及扫描线驱动部分，配置为通过驱动所述扫描线将一个水平时段内的各信号值顺序引入每行中的所述像素电路，所述各信号值在所述信号线中生成。

Description

显示设备和显示方法

技术领域

本发明涉及具有像素阵列的显示设备和显示方法，在像素阵列中，以矩阵的形式安排使用有机电致发光元件(有机EL元件)或液晶元件的像素电路。

背景技术

例如，在像素中使用有机电致发光(EL)发光元件的有源矩阵型显示设备是已知的。该显示设备通过在像素电路内部提供的有源元件(典型地为薄膜晶体管：TFT)控制流过每个像素电路内部的发光元件的电流。也就是说，因为有机EL元件是电流发光元件，所以控制流过EL元件的电流量以获得色彩灰度。

[专利文献1]

日本专利公开No.2003-255856

[专利文献2]

日本专利公开No.2003-271095

图35示出使用有机EL元件的现有像素电路的示例。

顺便提及，尽管图35中仅示出一个像素电路，但是实际显示设备具有以m×n矩阵的形式安排的如图所示的像素电路，并且通过水平选择器101和写入扫描器102选择和驱动每个像素电路。

该像素电路具有由n沟道TFT形成的采样晶体管Ts、存储电容器Cs、由p沟道TFT形成的驱动晶体管Td和有机EL元件1。像素电路布置在信号线DTL和写入控制线WSL的交叉的部分处。信号线DTL连接到采样晶体管Ts的一端。写入控制线WSL连接到采样晶体管Ts的栅极。

驱动晶体管Td和有机EL元件1在电源电势Vcc和地电势之间相互串联连接。采样晶体管Ts和存储电容器Cs连接到驱动晶体管Td的栅极。驱动晶体管Td的栅极-源极电压由Vgs表示。

在该像素电路中，当写入控制线WSL设置在选择状态、并且将对应于亮度信号的信号值施加到信号线DTL时，采样晶体管Ts导通以将信号值写到存储电容器Cs。写到存储电容器Cs的信号值的电势变为驱动晶体管Td的栅极电势。

当写入控制线WSL设置在未选择状态时，信号线DTL和驱动晶体管Td相互电断开。然而，驱动晶体管Td的栅极电势由存储电容器Cs稳定地保持。然后驱动电流Ids在从电源电势Vcc到地电势的方向流过驱动晶体管Td和有机EL元件1。

此时的电流Ids是对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs的值。有机EL元件1以对应于电流值的亮度发光。

也就是说，在该像素电路的情况下，施加到驱动晶体管Td的栅极的电压通过将信号值的电势从信号线DTL写到存储电容器Cs而改变。从而控制流过有机EL元件1的电流值以获得色彩灰度。

由p沟道TFT形成的驱动晶体管Td的源极连接到电源Vcc，并且驱动晶体管Td设计为始终操作在饱和区。因此，驱动晶体管Td是具有以下(等式1)示出的值的恒流源。

[等式1]

$\mathrm{Ids}=\frac{1}{2}\mathrm{\μ}\frac{W}{L}\mathrm{Cox}{(\mathrm{Vgs}-\mathrm{Vth})}^2$

其中Ids表示操作在饱和区的晶体管的漏极和源极之间流动的电流，μ表示迁移率，W表示沟道宽度，L表示沟道长度，Cox表示栅极电容，并且Vth表示驱动晶体管Td的阈值电压。

如从该(等式1)清楚的，饱和区中晶体管的漏极电流Ids由栅极-源极电压Vgs控制。因为驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs保持在恒定电平，所以驱动晶体管Td操作为恒流源，以便能够使得有机EL元件1以恒定亮度发光。

发明内容

在此情况下，输入到驱动晶体管Td的栅极的电压(信号值)是对应于灰度的电压。通常，大量灰度相应地提高颜色再现性。然而，大量灰度意味着相应的水平选择器101的信号驱动器的大尺寸，这在成本降低方面是不利的。

此外，通过白色显示时的电压和黑色显示时的电压(最大信号值电压和最小信号值电压)之间的差和灰度的数目确定一个灰度的电压。当增加灰度的数目而不改变白色显示时的电压和黑色显示时的电压时，降低一个灰度的电压，并且如信号驱动器的偏差等的变化表现为画面中的条纹。

设置最大信号值电压和最小信号值电压之间的差大作为针对该问题的措施是足够的。然而，信号驱动器的功耗相应增加，这在成本降低方面是不利的。

鉴于这样的问题，本发明用于实现表现超过可以由水平选择器输出为信号值的灰度的数目(信号值的阶数)的许多灰度的显示。也就是说，希望能够实现更多灰度的显示而不改变水平选择器的信号驱动器的电压分辨率(灰度)或最大信号值电压和最小信号值电压之间的范围。

根据本发明的实施例，提供一种显示设备，包括：像素电路，用于通过合成在一个水平时段内输入的多个信号值来生成用于显示的信号值，并且以对应于用于显示的信号值的灰度进行显示；在像素阵列上以列的形式布置的信号线，在所述像素阵列中以矩阵的形式安排所述像素电路；在所述像素阵列上以行的形式布置的扫描线；信号线驱动部分，配置为在一个水平时段内输出作为要提供到每个像素电路的信号值的多个信号值到所述信号线；以及扫描线驱动部分，配置为通过驱动所述扫描线将一个水平时段内的多个信号值顺序引入每行中的所述像素电路，所述多个信号值在所述信号线中生成。

例如，所述信号线驱动部分在一个水平时段内至少输出第一信号值和第二信号值到所述信号线，并且所述像素电路通过基于所述第一信号值和所述第二信号值之间的差和像素电路内存在的电容之间的比率、合成在一个水平时段内输入的所述第一信号值和所述第二信号值，生成用于显示的信号值。

此外，所述像素电路包括：发光元件；驱动晶体管，用于施加对应于所述用于显示的信号值的电流到所述发光元件，所述用于显示的信号值输入到驱动晶体管；电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述驱动晶体管的栅极节点的输入点的一端；第一开关元件，连接在所述电容的所述一端和所述信号线之间，并且由第一扫描线的电势控制导通；以及第二开关元件，连接在所述电容的另一端和所述信号线之间，并且由第二扫描线的电势控制导通。当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述电容的两端，并且当所述第二信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述电容的所述另一端，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

此外，所述像素电路包括：发光元件；驱动晶体管，用于施加对应于所述用于显示的信号值的电流到所述发光元件，所述用于显示的信号值输入到驱动晶体管；第一开关元件，其具有连接到所述信号线的一端，并且由第一扫描线的电势控制导通；第一电容；第二电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述驱动晶体管的栅极节点的输入点的一端；以及第二开关元件，其具有每个连接在所述第一电容的一端和所述第二电容的一端之间的一端和另一端，第二开关元件的所述一端和所述另一端之一连接到所述第一开关元件的另一端，并且第二开关元件由第二扫描线的电势控制导通。当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述第一电容的一端和所述第二电容的一端，当所述第二信号值接下来输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第一开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述第一电容的一端和所述第二电容的一端之一，然后所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相互连接，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

此外，所述像素电路包括：液晶元件；电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述液晶元件的输入点的一端；第一开关元件，连接在所述电容的所述一端和所述信号线之间，并且由第一扫描线的电势控制导通；以及第二开关元件，连接在所述电容的另一端和所述信号线之间，并且由第二扫描线的电势控制导通。当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述电容的两端，并且当所述第二信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述电容的所述另一端，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

此外，所述像素电路包括：液晶元件；第一开关元件，其具有连接到所述信号线的一端，并且由第一扫描线的电势控制导通；第一电容；第二电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述液晶元件的输入点的一端；以及第二开关元件，其具有每个连接在所述第一电容的一端和所述第二电容的一端之间的一端和另一端，第二开关元件由第二扫描线的电势控制导通。当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述第一电容的一端和所述第二电容的一端，当所述第二信号值接下来输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第一开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述第一电容的一端和所述第二电容的一端之一，然后所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相互连接，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

根据本发明实施例的一种显示方法是显示设备的显示方法，所述显示设备包括像素电路、在其中以矩阵的形式安排所述像素电路的像素阵列上以列的形式布置的信号线、在所述像素阵列上以行的形式布置的扫描线、配置为输出要提供到每个像素电路的信号值到所述信号线的信号线驱动部分、以及配置为通过驱动所述扫描线将在所述信号线中生成的信号值引入每行中的所述像素电路的扫描线驱动部分。所述信号线驱动部分在一个水平时段内输出作为要输入到所述像素电路的信号值的多个信号值到所述信号线；所述扫描线驱动部分将在一个水平时段内输出到所述信号线的所述多个信号值的每一个顺序地引入像素电路；以及所述像素电路通过合成顺序地引入的所述多个信号值来生成用于显示的信号值，并且以对应于所述用于显示的信号值的灰度进行显示。

在本发明中，在一个水平时段内将例如第一信号值和第二信号值的多个信号值提供到像素电路。像素电路然后使用电容合成多个信号值。例如，基于第一信号值和第二信号值之间的差和像素电路内存在的电容之间的比率合成第一信号值和第二信号值，从而生成用于显示的信号值。然后，以对应于用于显示的信号值的灰度进行显示。因此，通过多个信号值的组合，可以创建用于比可以由信号值表现的灰度数更多的灰度的显示的信号值，并且可以实现以超过信号值的分辨率的大量灰度的显示。

根据本发明的实施例，使用多个输入信号值，在像素电路内创建反映灰度的用于显示的信号值，因此可以用少量信号灰度表现许多灰度。从而可能以更大量的灰度显示图像，而不例如提高设备配置(信号线驱动部分)的性能或扩展信号值电压的范围，因此以低成本实现高颜色再现性。

附图说明

图1是根据本发明实施例的显示设备的框图；

图2是根据第一实施例的像素电路的电路图；

图3是辅助说明根据第一实施例、第二实施例和第六实施例的操作波形的图；

图4是辅助说明根据各实施例的灰度数目的增加的图；

图5是根据第二实施例的像素电路的电路图；

图6是根据第三实施例的像素电路的电路图；

图7是辅助说明根据第三实施例的操作波形的图；

图8是根据第四实施例的像素电路的电路图；

图9是辅助说明根据第四实施例的操作波形的图；

图10A和10B是根据第四实施例的操作的等效电路图；

图11是辅助说明根据第四实施例的修改的示例的操作波形的图；

图12是根据第五实施例的像素电路的电路图；

图13是辅助说明根据第五实施例的操作波形的图；

图14是根据第六实施例的像素电路的电路图；

图15是根据第七实施例的像素电路的电路图；

图16是辅助说明根据第七实施例和第九实施例的操作波形的图；

图17是辅助说明根据第七实施例的修改的示例的操作波形的图；

图18是辅助说明根据第七实施例的修改的示例的扫描线的图；

图19是根据第八实施例的像素电路的电路图；

图20是辅助说明根据第八实施例的操作波形的图；

图21是根据第九实施例的像素电路的电路图；

图22是根据第十实施例的像素电路的电路图；

图23是辅助说明根据第十实施例的操作波形的图；

图24是根据第十一实施例的像素电路的电路图；

图25是辅助说明根据第十一实施例的操作波形的图；

图26是辅助说明根据第十一实施例的修改的示例的操作波形的图；

图27是根据第十二实施例的像素电路的电路图；

图28是辅助说明根据第十二实施例的操作波形的图；

图29A和29B是根据第十二实施例的操作的等效电路图；

图30A和30B是根据第十二实施例的操作的等效电路图；

图31是根据第十三实施例的像素电路的电路图；

图32A和32B是辅助说明根据第十三实施例、第十四实施例和第十五实施例的操作波形的图；

图33是根据第十四实施例的像素电路的电路图；

图34是根据第十五实施例的像素电路的电路图；以及

图35是现有像素电路的电路图。

具体实施方式

下文中将以以下顺序描述本发明的优选实施例。

[1.有机EL显示设备的配置]

[2.像素电路和操作]

<2-1第一实施例>

<2-2第二实施例>

<2-3第三实施例>

<2-4第四实施例>

<2-5第五实施例>

<2-6第六实施例>

<2-7第七实施例>

<2-8第八实施例>

<2-9第九实施例>

<2-10第十实施例>

<2-11第十一实施例>

<2-12第十二实施例>

[3.到液晶显示设备的应用示例]

<3-1第十三实施例>

<3-2第十四实施例>

<3-3第十五实施例>

[4.修改的示例]

[1.有机EL显示设备的配置]

将描述作为第一到第十二实施例的有机EL显示设备的示例。根据这些实施例的有机EL显示设备的基本配置在图1中示出。顺便提及，一些实施例具有与图1的配置不同的一般配置。将按场合需要描述差别。

该有机EL显示设备具有有机EL元件作为发光元件，并且包括通过有源矩阵系统执行发光驱动的像素电路10。

如图1所示，有机EL显示设备具有像素阵列20，其具有在其中以列方向和行方向(m行×n列)的矩阵形式安排的大量像素电路10。顺便提及，每个像素电路10形成R(红)、G(绿)和B(蓝)之一的发光像素。各个颜色的像素电路10通过预定规则安排以形成彩色显示设备。

作为用于每个像素电路10的发光驱动的配置，有机EL显示设备具有水平选择器11、第一写入扫描器12和第二写入扫描器13。

在像素阵列上的列方向安排信号线DTL1、DTL2、...，所述信号线由水平选择器11选择并且提供对应于作为显示数据的亮度信号的信号值(灰度值)的电压到像素电路。以与在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的列数相等的数目安排信号线DTL1、DTL2、...。

此外，在像素阵列20上的行方向安排第一写入控制线WSL1(WSL1-1、WSL1-2、...)和第二写入控制线WSL2(WSL2-1、WSL2-2、...)。以与在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数相等的数目安排第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的每个。

写入控制线WSL1(WSL1-1、WSL1-2、...)由第一写入扫描器12驱动。第一写入扫描器12以设置的预定定时顺序提供扫描脉冲WS1(WS1-1、WS1-2、...)到以各行的形式安排的各条写入控制线WSL1-1、WSL1-2、...，以便以行为单位执行像素电路10的线顺序驱动。

写入控制线WSL2(WSL2-1、WSL2-2、...)由第二写入扫描器13驱动。第二写入扫描器13以设置的预定定时顺序提供扫描脉冲WS2(WS2-1、WS2-2、...)到以各行的形式安排的各条写入控制线WSL2-1、WSL2-2、...，以便以行为单位执行像素电路10的线顺序驱动。

顺便提及，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13基于时钟ck和启动脉冲sp设置扫描脉冲WS1和WS2的定时。

水平选择器11以这样的方式提供作为用于像素电路10的输入信号的信号值电势到在列方向安排的信号线DTL1、DTL2、...，以便与第一写入扫描器12和第二写入扫描器13的线顺序扫描同步。

在此情况下，水平选择器11在一个水平时段输出信号值Vsig1和Vsig2。

水平选择器11包括用于驱动信号线DTL1、DTL2、...的每个的信号驱动器。信号驱动器输出通过将从作为信号值Vsig的最大电压值到最小电压值的范围除以灰度的数目而获得的电压值。最大电压值是当使得像素电路10进行白色显示(以最高亮度的显示)时的电压值。最小电压值是当使得像素电路10进行黑色显示(以最低亮度的显示)时的电压值。

可以通过信号驱动器输出的灰度的数目设为64、128、256等。从最大电压值到最小电压值的电压范围设计为预定范围。

通过将从最大电压值到最小电压值的电压范围除以灰度的数目获得各个灰度的信号值电压之间的差。

过去，信号驱动器的输出灰度照原样用作显示灰度。

为了增加灰度的数目并且实现高颜色再现性，已经需要通过采样高性能的信号驱动器来增加输出灰度的数目。此外，当减少一个灰度的电压差时，倾向于产生信号驱动器中的变化的不利影响，因此已经需要加宽从最大电压值到最小电压值的电压范围。

本实施例实现更多灰度的显示，而不用增加信号驱动器的输出灰度的数目或加宽电压范围。

为此，信号值Vsig1和Vsig2在一个水平时段输出，而没有对水平选择器的每条信号线DTL进行信号驱动器的x灰度(例如256灰度)的改变。信号值Vsig1和Vsig2两者是x灰度之一的电压值。

然后，信号值Vsig1和Vsig2在像素电路10侧合成。例如，像素电路10通过在一个水平时段内输入的信号值Vsig1和Vsig2之间的差、和像素电路10内存在的电容之间的比率，合成信号值Vsig1和Vsig2，从而生成用于显示的信号值。然后，根据用于显示的信号值执行发光操作。

也就是说，通过两个信号值Vsig1和Vsig2的组合，可以显示数目上等于(灰x度×(x-1)灰度)的数目的灰度。例如，当信号驱动器的输出灰度的数目是64时，可以显示64×63＝4032灰度。

顺便提及，本实施例中的水平选择器11对应于在本发明的权利要求中描述的信号线驱动部分。

随后要描述的各实施例中的第一写入扫描器12、第二写入扫描器13和驱动扫描器14以及控制扫描器20到25和30到35的每个是在权利要求中描述的扫描线驱动部分的元件。

信号线DTL对应于权利要求中描述的信号线。

随后要描述的各实施例中描述的写入控制线WSL1和WSL2、电源控制线DSL和控制线L20到L25和L30到L35的每个对应于在权利要求中描述的扫描线。

[2.像素电路和操作]

<2-1.第一实施例>

以下将描述每个实施例。第一到第六实施例中的像素电路10基本具有以下构成元件。

首先，像素电路10包括作为自发光元件的有机EL元件1、以及用于根据用于显示的信号值施加电流到有机EL元件1的驱动晶体管Td。

此外，像素电路10包括至少一个电容(例如电容C2)，其具有作为用于显示的信号值到驱动晶体管Td的栅极节点的输入点的一端。

此外，像素电路10包括采样晶体管Ts1，作为连接在电容C2的一端和信号线DTL之间、并且通过第一扫描线(写入控制线WSL1)的电势(扫描脉冲WS1)导通控制的第一开关元件。

此外，像素电路10具有采样晶体管Ts2，作为连接在电容C2的另一端和信号线DTL之间、并且通过第二扫描线(写入控制线WSL2)的电势(扫描脉冲WS2)导通控制的第二开关元件。

当信号值Vsig1输出到信号线DTL时，作为扫描线驱动部分的第一写入扫描器12和第二写入扫描器13使得作为第一开关元件和第二开关元件的采样晶体管Ts1和Ts2导通。从而信号值Vsig1输入到电容C2的两端。此外，当信号值Vsig2输出到信号线DTL时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13仅使得作为第二开关元件的采样晶体管Ts2导通，从而信号值Vsig2输入到电容C2的另一端。因此，在到驱动晶体管Td的栅极节点的输入点处获得从信号值Vsig1和Vsig2的合成得到的用于显示的信号值。

将参照图2和图3具体描述第一实施例。

图2示出像素电路10的配置的示例。该像素电路10如在图1的配置中的像素电路10的情况下以矩阵的形式安排。顺便提及，为了简化，图2仅示出了布置在信号线DTL和写入控制线WSL1和WSL2交叉的部分处的一个像素电路10。

像素电路10包括有机EL元件1、两个电容C1和C2、采样晶体管Ts1和Ts2、以及驱动晶体管Td。采样晶体管Ts1和Ts2是n沟道薄膜晶体管(TFT)。驱动晶体管Td是p沟道TFT。

像素电路10的发光元件是例如二极管结构的有机EL元件1，并且具有阳极和阴极。有机EL元件1的阴极连接到预定布线(阴极电势Vcat)。

驱动晶体管Td的漏极和源极连接在有机EL元件1的阳极和电源Vcc线之间。

电容C1和C2在驱动晶体管Td的栅极节点和电源Vcc线之间相互串联连接。电容C1和C2之间的连接点是点A。

电容C1和C2的串联连接形成用于栅极-源极电压Vgs的存储电容器。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极节点和信号线DTL之间。采样晶体管Ts1的栅极连接到写入控制线WSL1。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在点A和信号线DTL之间。采样晶体管Ts2的栅极连接到写入控制线WSL2。

有机EL元件1的发光驱动如下。

由p沟道TFT形成的驱动晶体管Td的源极连接到电源Vcc，并且驱动晶体管Td设计为总是操作在饱和区。因此，驱动晶体管Td是具有上述(等式1)中示出的值的恒流源。

流过有机EL元件1的电流具有对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的值。有机EL元件1以对应于该电流值的亮度发光。通过将用于显示的信号值写入驱动晶体管Td的栅极节点，改变施加到驱动晶体管Td的栅极的电压，如将随后描述的。从而，控制流过有机EL元件1的电流的值以获得色彩灰度。也就是说，以对应于用于显示的信号值的灰度发光。

通过合成在一个水平时段内从信号线DTL输入的信号值Vsig1和Vsig2，获得用于显示的信号值。

将参照图3描述操作。

图3示出由第一写入扫描器12和第二写入扫描器13提供到写入控制线WSL1和WSL2的扫描脉冲WS1和WS2。

图3还示出作为DTL输入信号由水平选择器11提供到信号线DTL的信号值电压。如图3所示，水平选择器11在一个水平时段内顺序输出作为用于一个像素的信号值的信号值Vsig1和Vsig2到信号线DTL。

图3还通过实线示出驱动晶体管Td的栅极电压的改变、和驱动晶体管Td的漏极电压(有机EL元件1的阳极电压)的改变，并且通过点线示出在点A处的电压改变。

执行之前帧的发光直到时间t1。在发光期间，扫描脉冲WS1和WS2两者处于L电平，因此采样晶体管Ts1和Ts2截止。驱动晶体管Td根据栅极-源极电压Vgs将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件。

从时间t1开始执行当前帧的发光操作。

在水平选择器11将信号值Vsig1的电势提供到信号线DTL的时段中，扫描脉冲WS1和WS2两者设为H电平，以便在时间t1导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1的电势写入到驱动晶体管Td的栅极。在驱动晶体管Td的栅极电势变为信号值Vsig1的情况下，栅极-源极电压Vgs的值出现改变，并且有机EL元件1的阳极电势变为电势Vx，如图3所示。

顺便提及，因为采样晶体管Ts2也导通，所以信号值Vsig1也写入到点A。也就是说，电容C2的两端具有信号值Vsig1。

接下来，在时间t2，扫描脉冲WS1设为L电平，以便仅截止采样晶体管Ts1，并且采样晶体管Ts2继续处于导通状态。

顺便提及，采样晶体管Ts2不必须继续处于导通状态。也就是说，采样晶体管Ts1和Ts2可以在时间t2同时截止，并且在信号线的电势在时间t3变为信号值Vsig2之后，可以仅导通采样晶体管Ts2。

在任一情况下，在信号线的电势在时间t3变为信号值Vsig2之后，仅采样晶体管Ts2导通。

当水平选择器11在时间t3输出信号值Vsig2到信号线DTL时，因为仅采样晶体管Ts2导通，所以信号值Vsig2写入到点A，并且点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。然后，变化量经由电容C2输入驱动晶体管Td的栅极。

此时驱动晶体管Td的栅极的电压改变量(ΔV)是由以下(等式2)表示的值。

[等式2]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C2}{C2+\mathrm{Cg}}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

其中“Cg”是不包括电容C2的、栅极和固定电势之间的总电容，作为从驱动晶体管Td的栅极可见的电容(在图2中由虚线指示)。

如从(等式2)理解的，改变量(ΔV)由电容C2和Cg以及信号值Vsig1和Vsig2之间的差组成。此时驱动晶体管Td的栅极-源极电势是Vsig1+ΔV。

该操作再次改变栅极-源极电压Vgs，使得有机EL元件1的阳极电势在经过一定时间之后再次改变为电势Vy。然后，在时间t4，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2。从而完成信号写入。

此后，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件，并且有机EL元件1以对应于Vsig1+ΔV的灰度发光。

现在将给出在有机EL元件1发光时驱动晶体管Td的栅极电势的考虑。如上所述，在发光时驱动晶体管Td的栅极电势是Vsig1+ΔV，并且Vsig1＜Vsig1+ΔV＜Vsig2。

也就是说，可以说合成信号电压Vsig1和Vsig2，以便通过像素内的驱动创建新的用于显示的信号值(Vsig1+ΔV)。

换句话说，可以增加灰度，而不增加水平选择器11内信号驱动器的输出的数目。

例如，图4示出信号值和灰度(发光亮度)之间的关系。

假设作为信号值的一个灰度输出的电压宽度是Vw。水平选择器11输出由电压宽度Vw设置的电压值Va、Vb、Vc、...作为信号值Vsig1和Vsig2。

假设简单地通过信号值本身确定灰度，则例如当信号值Vsig＝Va时设置灰度La，并且当信号值Vsig＝Vb时设置灰度Lb。

然而，在本示例中，通过信号值Vsig1和Vsig2的值的组合确定ΔV的值。从而，表示为信号值的一阶的一个灰度可以细分为更精细的灰度。如图4所示，通过信号值Vsig1和Vsig2的值的组合控制ΔV的值为ΔV1、ΔV2、ΔV3等，使得能够通过细分灰度La和Lb之间的间隔获得如灰度Lab1、Lab2、Lab3等的灰度表示。

因此，使得可能超过水平选择器11的信号驱动器的输出灰度的数目的更多灰度的显示灰度表示。

此外，因为通过将信号值Vsig2和Vsig1之间的差乘以电容C2和Cg之间的比率确定ΔV的值，所以即使当一个细分的灰度的电压减小时，一个灰度的电压也可以由相对大的信号值Vsig2和Vsig1的值表示。

顺便提及，存在ΔV＝0的情况。例如，存在其中希望在图4的示例中显示灰度La、Lb等的情况。在此情况下，设置信号值Vsig1＝Vsig2是足够的。

例如，当执行以灰度La的发光时，对于水平选择器11设置信号值Vsig1＝Vsig2＝Va是足够的。对于随后要描述的每个实施例同样是正确的。

如上所述，本示例使用电容性耦合生成反映像素内的灰度的信号电压。因此，可能用信号值的小数目的灰度表示许多灰度，降低信号驱动器的成本，并且实现高颜色再现性。

此外，因为可以通过相对大的信号值Vsig2和Vsig1的值表示一个灰度的电压，所以即使当灰度的数目增加时，最大信号电压也不需要提高，使得可以降低信号驱动器的成本。

<2-2第二实施例>

图5示出根据第二实施例的像素电路10。

在此情况下，电容C2的一端连接到驱动晶体管Td的栅极节点，并且电容C2的另一端连接到采样晶体管Ts2。

电容C1具有连接到驱动晶体管Td的栅极节点的一端，并且具有连接到电源Vcc线的另一端。

也就是说，尽管通过前述第一实施例中的电容C1和C2的串联连接形成存储电容器，但是第二实施例的不同在于单独通过电容C1形成用于栅极-源极电压Vgs的存储电容器。

像素电路10的基本驱动系统与参照图3上述的相同。具体地，采样晶体管Ts1和Ts2对于从时间t1到时间t2的时段导通。从而，信号值Vsig1输入到图5中的驱动晶体管Td的栅极和点A。也就是说，电容C2的两端具有信号值Vsig1。

此后，第一写入扫描器12在时间t2截止采样晶体管Ts1。水平选择器11在时间t3将信号线的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。

然后，在从时间t3到时间t4的时段，仅采样晶体管Ts2导通，因此，信号值Vsig2输入到点A。

在点A处的电压改变经由电容C2输入驱动晶体管Td的栅极。

栅极电压变为Vsig1+ΔV。

在此情况下，栅极电压的改变量ΔV由以下(等式3)表示。

[等式3]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C2}{C2+\mathrm{Cg}+C1}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

在此情况下，“Cg”通过从驱动晶体管Td的栅极和固定电势之间的电容排除电容C1和C2获得。

此后，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件1，并且有机EL元件1以对应于Vsig1+ΔV的灰度发光。

在本示例中也获得与第一实施例的效果类似的效果。

此外，第二实施例的示例具有容易表示小电压的优点，因为与第一实施例相比，通过电容C1、C2和Cg确定ΔV的值。此外，第二实施例的示例具有的优点在于，驱动晶体管Td的栅极电势不容易由采样晶体管Ts1和Ts2的漏电流改变。

<2-3第三实施例>

将参照图6和图7描述第三实施例。

第三实施例是本发明到具有阈值校正功能的像素电路的应用示例。

除了由有机EL元件1、驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、以及电容C1和C2形成其配置的图2的配置外，该像素电路10具有由n沟道TFT形成的开关晶体管T20、T21和T22和电容C3。

此外，作为扫描线驱动部分，提供控制扫描器20、21和22以及第一写入扫描器12和第二写入扫描器13。

由p沟道TFT形成的驱动晶体管Td的漏极和源极经由开关晶体管T22，连接在有机EL元件1的阳极和电源Vcc线之间。

电容C1和C2经由电容C3在驱动晶体管Td的栅极节点和电源Vcc线之间相互串联连接。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在电容C3和信号线DTL之间。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在作为电容C1和C2之间的连接点的点A和信号线DTL之间。

控制扫描器20提供控制脉冲P20到控制线L20。控制扫描器21提供控制脉冲P21到控制线L21。控制扫描器22提供控制脉冲P22到控制线L22。顺便提及，如在图1中第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的情况，以等于在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数的数目安排控制线L20、L21和L22。

第一写入扫描器12和第二写入扫描器13以及控制扫描器20、21和22基于时钟ck和启动脉冲sp，设置扫描脉冲WS1和WS2和控制脉冲P20、P21和P22的定时。

开关晶体管T20的漏极和源极连接在信号值输入到驱动晶体管Td的栅极节点的点(点B)和固定参考电势Vofs之间，点B是电容C2的一端。开关晶体管T20的栅极连接到控制线L20。因此，开关晶体管T20由来自控制扫描器20的控制脉冲P20控制导通。

开关晶体管T21的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和漏极之间。开关晶体管T21的栅极连接到控制线L21。因此，开关晶体管T21由来自控制扫描器21的控制脉冲P21控制导通。

开关晶体管T22的漏极和源极连接在驱动晶体管Td和有机EL元件1的阳极之间。开关晶体管T22的栅极连接到控制线L22。因此，开关晶体管T22由来自控制扫描器22的控制脉冲P22控制导通。

图7示出像素电路10的驱动波形。图7示出控制脉冲P20、P21和P22、扫描脉冲WS1和WS2、以及DTL输入信号。

执行之前帧的发光直到时间t10。在从时间t10到时间t18的不发光时段，执行时间t18之后的当前帧的发光的操作。

在直到时间t10的发光时段，开关晶体管T22导通，并且对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的电流通过有机EL元件1。

在时间t10，控制扫描器22设置控制脉冲P22为L电平，以便截止开关晶体管T22。因此，停止提供到有机EL元件1的电流，以熄灭有机EL元件1。

在时间t11，控制脉冲P22设为H电平以便导通开关晶体管T22。在时间t12，控制扫描器20和21设置控制脉冲P20和P21为H电平，以便导通开关晶体管T20和T21。然后，在从时间t12到时间t13的时段进行阈值校正准备。

在该时段，开关晶体管T20、T21和T22的每个处于导通状态，并且电容C2和C3之间的中间点(点B)的电势急剧上升，以便会聚到参考电压Vofs。

同时，电容C3的电荷通过开关晶体管T21和T22提取，并且急剧降低到有机EL元件1的阳极电势。也就是说，增加跨越电容C3的电压。该操作重置由电容C3保持的电压。

接下来，在时间t13，控制脉冲P22设为L电平，以便截止开关晶体管T22。然后，在从时间t13到时间t14的时段进行阈值校正。

具体地，处于导通状态的驱动晶体管Td的漏极电流经由开关晶体管T21流入电容C3。在此情况下，降低由电容C3保持的电压。

然而，电容C2和C3之间的中点(点B)的电势保持参考电压Vofs。另一方面，驱动晶体管Td的栅极电压随着由电容C3保持的电压的降低而上升。

当栅极电压和电源电势Vcc之间的电势差此后上升到驱动晶体管Td的阈值电压Vth时，流过驱动晶体管Td的电流变得非常小。在此情况下，栅极电压几乎停止上升。

电容C3因此存储校正用作电流驱动元件的驱动晶体管Td中固有的阈值电压Vth所需的电压。

在时间t14，控制脉冲P20和P21设为L电平，以便截止开关晶体管T20和T21。从而，完成阈值校正。

从时间t15起执行信号值写入。

在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t15，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1写入到图6中的点A和点B。

然后，在时间t16，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1，并且仅采样晶体管Ts2继续导通。水平选择器11然后提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到图6中的点A。点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。从而，变化量经由电容C2输入到点B。顺便提及，电容C3保持从阈值校正操作得到的电压。

结果，在此情况下，用于显示的信号值(Vsig1+ΔV)的ΔV如下：

[等式4]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C3}{C3+\mathrm{Cg}}\&CenterDot;\frac{C2}{C2+\left(\frac{C3\mathrm{Cg}}{C3+\mathrm{Cg}}\right)}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

$=\frac{C2C3}{C2C3+C2\mathrm{Cg}+C3\mathrm{Cg}}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

顺便提及，在此情况下，通过从驱动晶体管Td的栅极和固定电势之间的电容排除电容C3获得“Cg”。

此后，在时间t17，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2。在时间t18，通过控制脉冲P22导通开关晶体管T22。从而，启动有机EL元件1的发光。

在此情况下，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件1，并且有机EL元件1以对应于用于显示的信号值Vsig1+ΔV的灰度发光。此外，因为在由电容C3保持的阈值电压Vth作为参考的情况下给出用于显示的信号值Vsig1+ΔV，所以执行发光操作，其中抵消每个像素中的驱动晶体管Td的阈值电压Vth的变化的影响。

同样在第三实施例中，如在第一和第二实施例中，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。

此外，在此情况下，可以通过阈值校正操作实现不受阈值电压Vth的变化影响的显示操作。

顺便提及，作为第三实施例的修改的示例，用于保持阈值电压Vth的电容C3可以连接到电容C1和C2之间的连接点。也就是说，基于图5所示的第二实施例的电路配置也是可能的。

此外，可以通过两个电容的串联连接形成电容C3，并且电容之一(在距栅极更远侧的电容)可以提供有上述示例中的电容C2的功能。

此外，尽管图6中控制扫描器20和21是分开的扫描器，但是可能共享一个扫描器。例如，开关晶体管T20和T21可以由一个控制扫描器20和一个控制线L20控制导通。

<2-4第四实施例>

将参照图8到11描述第四实施例。

第四实施例是其中n沟道TFT用作驱动晶体管Td并且进行阈值校正的示例。

根据第四实施例的像素电路10包括有机EL元件1、驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、电容C1和C2、以及开关晶体管T23、T24和T25。驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、以及开关晶体管T23和T24是n沟道TFT。开关晶体管T25是p沟道TFT。顺便提及，电容Cel指有机EL元件1的寄生电容。

作为扫描线驱动部分，除了第一写入扫描器12和第二写入扫描器13外，还提供控制扫描器23、24和25。

由n沟道TFT形成的驱动晶体管Td的源极连接到有机EL元件1的阳极。驱动晶体管Td的漏极经由开关晶体管T25连接到电源Vcc线。

电容C1和C2在驱动晶体管Td的栅极和源极之间相互串联连接。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和信号线DTL之间。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在作为电容C1和C2之间的连接点的点A和信号线DTL之间。

控制扫描器23提供控制脉冲P23到控制线L23。控制扫描器24提供控制脉冲P24到控制线L24。控制扫描器25提供控制脉冲P25到控制线L25。顺便提及，如在图1中第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的情况，以等于在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数的数目安排控制线L23、L24和L25。

第一写入扫描器12和第二写入扫描器13以及控制扫描器23、24和25基于时钟ck和启动脉冲sp，设置扫描脉冲WS1和WS2和控制脉冲P23、P24和P25的定时。

开关晶体管T23的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和固定参考电势Vofs之间。开关晶体管T23的栅极连接到控制线L23。因此，开关晶体管T23由来自控制扫描器23的控制脉冲P23控制导通。

开关晶体管T24的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的源极和固定电势Vss之间。开关晶体管T24的栅极连接到控制线L24。因此，开关晶体管T24由来自控制扫描器24的控制脉冲P24控制导通。

开关晶体管T25的漏极和源极连接在驱动晶体管Td和电源电势Vcc之间。开关晶体管T25的栅极连接到控制线L25。因此，开关晶体管T25由来自控制扫描器25的控制脉冲P25控制导通。

图9示出像素电路10的驱动波形。图9示出控制脉冲P23、P24和P25、扫描脉冲WS1和WS2、以及DTL输入信号。

执行之前帧的发光直到时间t20。在从时间t20到时间t29的不发光时段，执行用于时间t29之后当前帧的发光的操作。

在直到时间t20的发光时段，控制脉冲P25处于L电平，并且p沟道开关晶体管T25导通，使得电压Vcc施加到驱动晶体管Td。开关晶体管T23和T24以及采样晶体管Ts1和Ts2截止。

因此，对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的电流通过有机EL元件1，以便发光。

在时间t20，控制扫描器25设置控制脉冲P25为H电平，以便截止开关晶体管T25。因此，停止提供到有机EL元件1的电流，以熄灭有机EL元件1。

在时间t21，控制脉冲P24设为H电平以便导通开关晶体管T24。在时间t22，控制扫描器23设置控制脉冲P23为H电平，以便导通开关晶体管T23。然后，在从时间t22到时间t23的时段进行阈值校正准备。

具体地，通过导通开关晶体管T24，驱动晶体管Td的源极电势(有机EL元件1的阳极电势)下降到固定电势Vss。此外，通过导通开关晶体管T23，驱动晶体管Td的栅极电势下降到参考电势Vofs。此后，开关晶体管T24在时间t23截止。顺便提及，进行设置使得Vss＜Vofs-Vth。

在时间t24，控制脉冲P25设为L电平，以便导通开关晶体管T25。从而，启动阈值校正。

因为进行的设置使得Vss＜Vofs-Vth，所以驱动晶体管Td处于导通状态。此时，驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs取值Vofs-Vss，并且对应于该值的电流流动。

有机EL元件1的等效电路由如图8所示的二极管和电容表示。只要阳极电势Vel≤Vcat+Vthel(有机EL元件1的阈值电压)，也就是说，只要有机EL元件1的漏电流显著小于流过驱动晶体管Td的电流，驱动晶体管Td的电流就用于充电电容C2和Cel。

此时，开关晶体管T24截止，并且阻断驱动晶体管Td的漏极电流的电流路径，使得施加到有机EL元件1的电压Vel随着时间上升。

在经过一定时间之后，驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs取为阈值电压Vth。此时施加到有机EL元件1的电压Vel是Vel＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel。

然后，由电容C1和C2保持作为出现在驱动晶体管Td的栅极和源极之间的电势差的驱动晶体管Td的阈值电压Vth。

在时间t25，开关晶体管T25截止。从而漏极电流停止流动，以结束阈值校正操作。此后，开关晶体管T23也截止。

从时间t26起执行信号值写入。

在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t26，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。此时的等效电路在图10A中示出。如图10A所示，信号值Vsig1写入到驱动晶体管Td的栅极和点A。

然后，在时间t27，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1，并且仅采样晶体管Ts2继续导通。等效电路在图10B中示出。

水平选择器11此时提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到图10B中的点A。点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。从而，ΔV的电压经由电容C1和C2输入到驱动晶体管Td的栅极。

在此情况下，用于显示的信号值(Vsig1+ΔV)的ΔV如下。

[等式5]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C1C2+C1\mathrm{Cel}+C1\mathrm{Cg}+C2\mathrm{Cg}}{C1C2+C1\mathrm{Cel}+C1\mathrm{Cg}+C2\mathrm{Cg}+\mathrm{CelCg}+C2\mathrm{Cd}+\mathrm{CelCd}+\mathrm{CgCd}}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

顺便提及，在此情况下，通过从驱动晶体管Td的栅极和源极电势之间的电容排除电容C1和C2的系统获得“Cg”。“Cd”表示驱动晶体管Td和固定电源Vcc之间的电容。

此后，在时间t28，扫描脉冲WS2设为L电平，以便也截止采样晶体管Ts2。

然后，在时间t29，通过控制脉冲P25导通开关晶体管T25。从而启动有机EL元件1的发光。

在此情况下，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件1，并且有机EL元件1以对应于用于显示的信号值Vsig1+ΔV的灰度发光。此外，因为在驱动晶体管Td的栅极和源极之间保持的阈值电压Vth作为参考的情况下给出用于显示的信号值Vsig1+ΔV，所以执行发光操作，其中抵消每个像素中的驱动晶体管Td的阈值电压Vth的变化的影响。

同样在第四实施例中，如在第一到第三实施例中，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。

此外，在此情况下，可以通过阈值校正操作实现不受阈值电压Vth的变化影响的显示操作。

顺便提及，作为第四实施例的修改的示例，驱动晶体管Td的栅极可以连接到电容C1和C2之间的连接点。也就是说，基于图5所示的第二实施例的电路配置也是可能的。

此外，添加如图11所示的迁移率校正的操作也考虑为驱动系统的修改示例。图11中直到时间t27的操作与图9的操作类似。

在此情况下，在仅采样晶体管Ts2导通、并且从时间t27起写入信号值Vsig2的同时，在时间t27-2，控制脉冲P25设为L电平以便导通开关晶体管T25。因此，电流从电源Vcc通过，驱动晶体管Td的源极电压上升，并且进行迁移率校正。

通过应用这种迁移率校正，可以进行显示而不受每个像素中的驱动晶体管Td的迁移率的变化的影响。

因为在具有阈值校正功能和迁移率校正功能的像素电路中也可以用少量信号灰度表示许多灰度，所以可能降低信号驱动器的成本，并且实现高颜色再现性。

顺便提及，在图11中，在采样晶体管Ts2导通、并且输入信号值Vsig1的同时，通过导通开关晶体管T25来执行迁移率校正操作。然而，存在另外的方法。

例如，可以在采样晶体管Ts1和Ts2导通并且输入信号值Vsig2的同时，通过仅导通开关晶体管T25来进行迁移率校正。

此外，可以在输入信号值Vsig1时和输入信号值Vsig2时的每个时段，通过导通开关晶体管T25来进行迁移率校正。

<2-5第五实施例>

将参照图12和图13描述第五实施例。

根据第五实施例的像素电路10包括由n沟道TFT形成的驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、电容C1和C2、以及有机EL元件1。

在此情况下，水平选择器11在一个水平时段输出信号值Vsig1和Vsig2以及参考电势Vofs到信号线DTL。

作为扫描线驱动部分，除了第一写入扫描器12和第二写入扫描器13外，还提供驱动扫描器14。

驱动扫描器14驱动电源控制线DSL。顺便提及，如在图1中第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的情况，以等于在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数的数目安排电源控制线DSL。

驱动扫描器14与第一写入扫描器12和第二写入扫描器13的线顺序扫描同步，提供电源脉冲DS到以行的形式布置的每个电源控制线DSL，所述电源脉冲DS作为改变到驱动电势(Vcc)和初始电势(Vss)的两个值的电源电压。

顺便提及，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13以及驱动扫描器14基于时钟ck和启动脉冲sp，设置扫描脉冲WS1和WS2和电源脉冲DS的定时。

由n沟道TFT形成的驱动晶体管Td的源极连接到有机EL元件1的阳极。驱动晶体管Td的漏极连接到电源控制线DSL。

电容C1和C2在驱动晶体管Td的栅极和源极之间相互串联连接。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和信号线DTL之间。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在作为电容C1和C2之间的连接点的点A和信号线DTL之间。

图13示出像素电路10的驱动波形。图13示出电源脉冲DS、扫描脉冲WS1和WS2、以及DTL输入信号。

首先，假设水平选择器11在一个水平时段顺序输出参考电势Vofs和信号值Vsig1和Vsig2到信号线DTL，作为如图13所示的DTL输入信号。

执行之前帧的发光直到时间t30。在从时间t30到时间t36的不发光时段，执行用于时间t36之后的当前帧的发光的操作。

在直到时间t30的发光时段，电源脉冲DS＝驱动电压Vcc，并且采样晶体管Ts1和Ts2截止。

因此，对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的电流通过有机EL元件1，以便发光。

在之前帧的发光时段结束的时间t30，驱动扫描器14停止提供驱动电压Vcc到电源控制线DSL，并且设置电源控制线DSL为初始电压Vss。从而，停止有机EL元件1的发光。此时，初始化驱动晶体管Td的源极电势Td。

接下来，在水平选择器11提供参考电势Vofs到信号线DTL的时间t31，作为阈值校正准备，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以使得采样晶体管Ts1和Ts2导通。此时，驱动晶体管Td的栅极电势固定在参考值Vofs。因为驱动晶体管Td的源极电压固定在Vss，所以驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs是Vgs＝Vofs-Vss。

在时间t32，电源脉冲DS设为驱动电压Vcc，并且启动阈值校正。

此时，源极电压上升，并且栅极-源极电压Vgs变为阈值电压Vth。此后，扫描脉冲WS在时间t33设为L电平，因此，完成阈值校正。

然后，从时间t34起执行信号值写入和迁移率校正。

在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t34，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。因此，信号值Vsig1写入到图12中的驱动晶体管Td的栅极和点A。

然后，在时间t35，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1，并且仅采样晶体管Ts2继续导通。

水平选择器11在此状态下提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到点A。点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。因此，电压ΔV经由电容C1和C2输入到驱动晶体管Td的栅极。

也就是说，在此情况下，也形成用于显示的信号值(Vsig1+ΔV)。

顺便提及，在信号值写入时，在提供驱动电压Vcc并且驱动晶体管Td由电流通过而升高源极电压的情况下，进行迁移率校正。

此后，在时间t36，扫描脉冲WS2设为L电平，以便也截止采样晶体管Ts2。此后执行有机EL元件1的发光。也就是说，对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs的电流通过有机EL元件1，并且有机EL元件1以对应于用于显示的信号值(Vsig1+ΔV)的灰度发光。

同样在第五实施例，如在第一到第四实施例，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。

此外，在此情况下，可以通过阈值校正操作和迁移率校正操作实现不受阈值电压Vth或迁移率的变化影响的显示操作。

此外，在图12的像素电路配置中，驱动晶体管Td和采样晶体管Ts1和Ts2都由n沟道型TFT形成。因此，可以在TFT创建中使用现有无定形硅(a-Si)工艺，这在降低TFT基底的成本和增加屏幕尺寸方面是有利的。

<2-6第六实施例>

图14示出根据第六实施例的像素电路10。

该像素电路10是基于与图5所示的第二实施例的概念类似概念的前述第五实施例的电路配置的修改。

具体地，驱动晶体管Td的栅极连接到电容C1和C2之间的连接点。电容C1连接在驱动晶体管Td的栅极和源极之间。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和信号线DTL之间。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在电容C2和信号线DTL之间。

在此情况下的像素电路10的驱动波形类似于图13的像素电路10的驱动波形是足够的。在信号写入中，在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t34，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。因此，信号值Vsig1写入到图14中的驱动晶体管Td的栅极和点A。

然后，在时间t35，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1，并且仅采样晶体管Ts2继续导通。

水平选择器11在此状态下提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到点A。点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。从而，电压ΔV经由电容C2输入到驱动晶体管Td的栅极。也就是说，在此情况下，在栅极节点也形成用于显示的信号值(Vsig1+ΔV)。

第六实施例提供与第五实施例的效果类似的效果。

<2-7第七实施例>

接下来将描述第七实施例。

下面要描述的第七到第十二实施例中的像素电路10基本具有以下构成元件。

像素电路10具有作为发光元件的有机EL元件1。像素电路10包括驱动晶体管Td，用于根据输入其信号值到驱动晶体管Td的用于显示的信号值，施加电流到发光元件。

此外，像素电路10包括作为第一开关元件的采样晶体管Ts1，其具有连接到信号线DTL的一端，并且由第一扫描线(写入控制线WSL1)的电势(扫描脉冲WS1)控制导通。

此外，像素电路10包括作为第一电容的电容C1。

此外，像素电路10包括作为第二电容的电容C2，其一端是用于显示的信号值到驱动晶体管Td的栅极节点的输入点。

此外，像素电路10包括作为第二开关元件的采样晶体管Ts2，其具有分别连接在第一电容(C1)的一端和第二电容(C2)的一端之间的一端和另一端。采样晶体管Ts2的所述一端和所述另一端之一连接到第一开关元件(采样晶体管Ts1)的另一端，并且采样晶体管Ts2由第二扫描线(写入控制线WSL2)的电势(扫描脉冲WS2)控制导通。

当信号值Vsig1输出到信号线DTL时，作为扫描线驱动部分的第一写入扫描器12和第二写入扫描器13使得采样晶体管Ts1和Ts2导通，以将信号值Vsig1输入到第一电容(C1)的一端和第二电容(C2)的一端。

接下来，当信号值Vsig2输出到信号线DTL时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13仅使得采样晶体管Ts1导通，以将信号值Vsig2输入到第一电容(C1)的一端和第二电容(C2)的一端之一。

此后，仅使得采样晶体管Ts2导通，并且第一电容(C1)的一端和第二电容(C2)的一端相互连接。从而，在上述输入点处获得从信号值Vsig1和Vsig2的合成得到的用于显示的信号值。

将参照图15和图16具体描述第七实施例。

图15示出像素电路10的配置示例。

像素电路10具有有机EL元件1、两个电容C1和C2、采样晶体管Ts1和Ts2、以及驱动晶体管Td。采样晶体管Ts1和Ts2是n沟道薄膜晶体管(TFT)。驱动晶体管Td是p沟道TFT。

有机EL元件1的阴极连接到预定布线(阴极电势Vcat)。

驱动晶体管Td的漏极和源极连接在有机EL元件1的阳极和电源Vcc线之间。

电容C2连接在驱动晶体管Td的栅极节点和电源Vcc线之间。电容C2的一端是点B。

电容C1连接在采样晶体管Ts1和Ts2之间的连接点和电源Vcc线之间。电容C1的一端是点A。

电容C2形成用于保持驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs的存储电容器。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在点A和信号线DTL之间。采样晶体管Ts1的栅极连接到写入控制线WSL1。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接到点A和点B。采样晶体管Ts2的栅极连接到写入控制线WSL2。

将参照图16描述操作。

图16示出由第一写入扫描器12和第二写入扫描器13提供到写入控制线WSL1和WSL2的扫描脉冲WS1和WS2。

图16还示出作为DTL输入信号由水平选择器11提供到信号线DTL的信号值电压。如图16所示，水平选择器11在一个水平时段内，将作为一个像素的信号值的信号值Vsig1和Vsig2顺序输出到信号线DTL。

此外，图16通过实线示出驱动晶体管Td的栅极电压的改变和驱动晶体管Td的漏极电压(有机EL元件1的阳极电压)的改变，并且通过点线示出在点A处的电压改变。

执行之前帧的发光直到时间t41。在发光期间，扫描脉冲WS1和WS2都处于L电平，因此采样晶体管Ts1和Ts2截止。驱动晶体管Td根据栅极-源极电压Vgs将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件。

从时间t41起执行当前帧的发光操作。

在水平选择器11将信号值Vsig1提供到信号线DTL的时段中，扫描脉冲WS1和WS2两者设为H电平，以便在时间t41导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1的电势写入到驱动晶体管Td的栅极(点B)和点A。在驱动晶体管Td的栅极电势变为信号值Vsig1的情况下，栅极-源极电压Vgs的值出现改变，并且有机EL元件1的阳极电势变为电势Vx，如图16所示。

接下来，在时间t42，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2，而采样晶体管Ts1继续处于导通状态。

顺便提及，采样晶体管Ts1不必须继续处于导通状态。也就是说，采样晶体管Ts1和Ts2可以在时间t42同时截止，并且在信号线的电势在时间t43变为信号值Vsig2之后，可以仅导通采样晶体管Ts1。

在任一情况下，在信号线的电势在时间t43变为信号值Vsig2之后，仅采样晶体管Ts1导通。

当水平选择器11在时间t43输出信号值Vsig2到信号线DTL时，因为仅采样晶体管Ts1导通，所以信号值Vsig2写入到点A，并且点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。

在一定时段之后的时间t44，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1。

此后，在时间t45，扫描脉冲WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts2。因为将点A连接到点B的采样晶体管Ts2导通，所以电容C1和电容C2相互连接以便相互电容性耦合。

此时驱动晶体管Td的栅极的电压改变量(ΔV)是由以下(等式6)表示的值。

[等式6]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C1}{C1+C2+\mathrm{Cg}}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

其中“Cg”是从驱动晶体管Td的栅极可见的不包括电容C2的总电容(在图7中由点线指示)。

如从(等式6)理解的，电压改变量ΔV由电容C1、C2和Cg以及信号值Vsig1和Vsig2之间的差组成。此时驱动晶体管Td的栅极-源极电势是Vsig1+ΔV。

该操作再次改变栅极-源极电压Vgs，使得有机EL元件1的阳极电势在经过一定时间之后再次改变为电势Vy。然后，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2。因此，完成信号写入。

此后，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过有机EL元件1，并且有机EL元件1以对应于Vsig1+ΔV的灰度发光。

有机EL元件1的发光时的驱动晶体管Td的栅极电势是Vsig1+ΔV，并且Vsig1＜Vsig1+ΔV＜Vsig2。也就是说，可以说信号电压Vsig1和Vsig2用于通过像素内的驱动创建新的信号电压Vsig1+ΔV。换句话说，同样在该配置中，可以增加灰度而不用增加信号驱动器的输出的数目。

如上所述，本示例使用电容性耦合生成反映像素内的灰度的信号电压。因此，可能用少量信号值的灰度表示许多灰度，降低信号驱动器的成本，并且实现高颜色再现性。

此外，因为通过电容C1、C2和Cg确定ΔV的值，所以即使当一个灰度的电压减少时，也可以通过相对大信号值Vsig2和Vsig1的值表示一个灰度的电压。因此，即使当灰度的数目增加时，最大信号电压也不需要上升，并且可以降低信号驱动器的成本。

将参照图17描述根据第七实施例的像素电路10的另一驱动系统的示例。

图17的基本操作类似于上述图16的基本操作。然而，共享用于控制采样晶体管Ts1和Ts2的扫描脉冲WS。

如图17所示，扫描脉冲(PL2)提供到某一像素电路10，以便从时间t41到时间t44导通采样晶体管Ts1。此外，提供扫描脉冲(PL1)，以便从时间t41到时间t42导通采样晶体管Ts2。此外，提供扫描脉冲(PL2)，以便从时间t45往下导通采样晶体管Ts2。

如从波形图理解的，提供到采样晶体管Ts1和Ts2的扫描脉冲相互偏移1H的时段。

在此情况下，提供一个写入扫描器12是足够的，如图18所示。从写入扫描器12引出的写入控制线WSL-1、WSL-2、...的每一个安排用于两行像素电路10。

例如，关注于第二行的像素电路10-21、10-22、10-23...，引入写入控制线WSL-2和WSL3。写入控制线WSL-2连接到像素电路10-21、10-22、10-23...中的采样晶体管Ts1的栅极。写入控制线WSL-3连接到像素电路10-21、10-22、10-23...中的采样晶体管Ts2的栅极。

例如，假设图17的操作波形用于第二行中的像素电路10-21，从时间t41起提供到采样晶体管Ts1的扫描脉冲PL2，是与从时间t46起提供到紧接像素电路10-21的行前面的行中的像素电路10-11中的采样晶体管Ts2的扫描脉冲PL2相同的脉冲。

此外，从时间t41起提供到像素电路10-21中的采样晶体管Ts2的扫描脉冲PL1，是与在时间t40提供到像素电路10-21的行之后的行中的像素电路10-31中的采样晶体管Ts1的扫描脉冲PL1相同的脉冲。顺便提及，尽管在发光时段中、在时间t40通过扫描脉冲PL1导通每个像素电路10中的采样晶体管Ts1，但是这不影响像素操作。这是因为尽管点A的电势改变，但采样晶体管Ts2截止，因此不影响栅极电势。然后，在随后时间t41输入用于像素电路10的信号值Vsig1。

因此，提供一个写入扫描器12作为扫描线驱动部分。扫描脉冲相互差别一个水平时段的定时的共同波形的扫描脉冲，提供到像素阵列的每个水平线中的用于控制采样晶体管Ts1的扫描线、和用于控制采样晶体管Ts2的扫描线。

因此，可以实现类似于图16的操作的操作。此外，因为提供一个写入扫描器12是足够的，所以例如可能简化显示设备的配置，简化栅极线，简化扫描脉冲生成控制，并且实现高产量。

<2-8第八实施例>

将参照图19和图20描述第八实施例。

图19的像素电路10通过从上述图15的像素电路省略电容C2形成。在图19的情况下，使用驱动晶体管Td的栅极和固定电源Vcc之间的寄生电容Cg代替电容C2。

图20中示出像素电路的驱动波形。

基本操作类似于参照图16描述的基本操作。具体地，在水平选择器11提供信号值Vsig1到信号线DTL的时段中，扫描脉冲WS1和WS2都设为H电平，以便在时间t51导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1写入到驱动晶体管Td的栅极(点B)和点A。在驱动晶体管Td的栅极电势变为信号值Vsig1的情况下，栅极-源极电压Vgs的值出现改变，并且有机EL元件1的阳极电势变为电势Vx，如图20所示。

接下来，在时间t52，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2，并且采样晶体管Ts1继续处于导通状态。

当水平选择器11在时间t53输出信号值Vsig2到信号线DTL时，因为仅采样晶体管Ts1导通，所以信号值Vsig2写入到点A，并且点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。

在一定时段之后的时间t54，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1。

此后，在时间t55，扫描脉冲WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts2。然后，点A和点B相互连接，并且驱动晶体管Td的栅极由于电容C1和C2的电容性耦合设为Vsig1+ΔV。

此时驱动晶体管Td的栅极的电压改变量(ΔV)是由以下(等式7)表示的值。

[等式7]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C1}{C1+\mathrm{Cg}}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

其中“Cg”是驱动晶体管Td的栅极和固定电势之间的电容。

如从(等式7)理解的，改变量(ΔV)由电容C1和Cg以及信号值Vsig1和Vsig2之间的差组成。此时驱动晶体管Td的栅极-源极电势是Vsig1+ΔV。

该操作再次改变栅极-源极电压Vgs，使得有机EL元件1的阳极电势在经过一定时间之后再次改变为电势Vy。

此后，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过有机EL元件1，并且有机EL元件1以对应于Vsig1+ΔV的灰度发光。

在图19的电路配置中，电容C1用作栅极-源极电压的存储电容器。这是因为当寄生电容Cg低于电容C1时，来自采样晶体管Ts1的漏电流容易偏移驱动晶体管Td的栅极电势，并且因此可能出现图像质量中的缺陷。

因此，如图20所示，采样晶体管Ts2需要在时间t55电容性耦合之后继续导通状态。

同样在第八实施例中，如在第七实施例中，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。

此外，可以忽略像素内的电容C2，使得可以实现像素电路的简化和产量的增加。

<2-9第九实施例>

将参照图21描述第九实施例。

图21的像素电路10不同于图15的第七实施例在于，采样晶体管Ts1连接到驱动晶体管Td的栅极(点B)。

用于像素电路10的驱动波形类似于图16的驱动波形。

具体地，同样在此情况下，在水平选择器11提供信号值Vsig1到信号线DTL的时段，采样晶体管Ts1和Ts2导通。从而，信号值Vsig1写入到驱动晶体管Td的栅极(点B)和点A。

接下来，采样晶体管Ts2截止，并且采样晶体管Ts1继续处于导通状态。然后，水平选择器11输出信号值Vsig2到信号线DTL。因此，信号值Vsig2写入到点A，并且点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。

然后，采样晶体管Ts1截止。此后采样晶体管Ts2导通。然后，点A和点B相互连接，并且驱动晶体管Td的栅极由于电容C1和C2的电容性耦合而设为Vsig2+ΔV。

此时驱动晶体管Td的栅极的电压改变量(ΔV)是由以下(等式8)表示的值。

[等式8]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C1}{C1+C2+\mathrm{Cg}}(\mathrm{Vsig}1-\mathrm{Vsig}2)$

其中“Cg”是通过从驱动晶体管Td的栅极和固定电势之间的电容排除电容C2获得的。

作为该操作的结果，栅极-源极电压Vgs＝用于显示的信号值Vsig2+ΔV。驱动晶体管Td将在上述(等式1)中示出的电流通过有机EL元件1，并且有机EL元件1以对应于Vsig2+ΔV的灰度发光。

第九实施例可以提供与第七实施例的效果类似的效果。

<2-10第十实施例>

将参照图22和图23描述第十实施例。

第十实施例是本发明到具有阈值校正功能的像素电路的应用示例。

除了由有机EL元件1、驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、以及电容C1和C2形成其配置的图15的配置外，该像素电路10具有由n沟道TFT形成的开关晶体管T30、T31和T32和电容C3。

作为扫描线驱动部分，除了第一写入扫描器12和第二写入扫描器13外，提供控制扫描器30、31和32。

由p沟道TFT形成的驱动晶体管Td的漏极和源极经由开关晶体管T32，连接在有机EL元件1的阳极和电源Vcc线之间。

电容C3的一端连接到驱动晶体管Td的栅极。

电容C2连接在电容C3的另一端(点B)和电源Vcc线之间。

电容C1连接在采样晶体管Ts1和Ts2之间的连接点(点A)和电源Vcc线之间。

电容C2形成用于保持驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs的存储电容器。电容C3用于保持阈值电压Vth。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在点A和信号线DTL之间。采样晶体管Ts2的漏极和源极连接到点A和点B。

控制扫描器30提供控制脉冲P30到控制线L30。控制扫描器31提供控制脉冲P31到控制线L31。控制扫描器32提供控制脉冲P32到控制线L32。顺便提及，如在图1中第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的情况，以等于在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数的数目安排控制线L30、L31和L32。

第一写入扫描器12和第二写入扫描器13以及控制扫描器30、31和32基于时钟ck和启动脉冲sp，设置扫描脉冲WS1和WS2和控制脉冲P30、P31和P32的定时。

开关晶体管T30的漏极和源极连接在信号值输入到驱动晶体管Td的栅极节点的点(点B)和固定参考电势Vofs之间，点B是电容C2的一端。开关晶体管T30的栅极连接到控制线L30。因此，开关晶体管T30由来自控制扫描器30的控制脉冲P30控制导通。

开关晶体管T31的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和漏极之间。开关晶体管T31的栅极连接到控制线L31。因此，开关晶体管T31由来自控制扫描器31的控制脉冲P31控制导通。

开关晶体管T32的漏极和源极连接在驱动晶体管Td和有机EL元件1的阳极之间。开关晶体管T32的栅极连接到控制线L32。因此，开关晶体管T32由来自控制扫描器32的控制脉冲P32控制导通。

图23示出像素电路10的驱动波形。图23示出控制脉冲P30、P31和P322、扫描脉冲WS1和WS2、以及DTL输入信号。

执行之前帧的发光直到时间t60。在从时间t60到时间t70的不发光时段，执行用于时间t70之后的当前帧的发光的操作。

在直到时间t60的发光时段，开关晶体管T32导通，并且对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的电流通过有机EL元件1。

在时间t60，控制扫描器32设置控制脉冲P32为L电平，以便截止开关晶体管T32。因此，停止提供到有机EL元件1的电流，以熄灭有机EL元件1。

在时间t61，控制脉冲P32设为H电平以便导通开关晶体管T32。在时间t62，控制扫描器30和31设置控制脉冲P30和P31为H电平，以便导通开关晶体管T30和T31。然后，在从时间t62到时间t63的时段进行阈值校正准备。

在该时段，开关晶体管T30、T31和T32每个处于导通状态，并且电容C2和C3之间的中点(点B)的电势急剧上升，以便会聚到参考电压Vofs。

同时，电容C3的电荷通过开关晶体管T31和T32提取，并且急剧降低到有机EL元件1的阳极电势。也就是说，增加跨越电容C3的电压。该操作重置由电容C3保持的电压。

接下来，在时间t63，控制脉冲P32设为L电平，以便截止开关晶体管T32。然后，在从时间t63到时间t64的时段进行阈值校正。

具体地，处于导通状态的驱动晶体管Td的漏极电流经由开关晶体管T31流入电容C3。在此情况下，降低由电容C3保持的电压。

然而，电容C2和C3之间的中点(点B)的电势维持参考电压Vofs。另一方面，驱动晶体管Td的栅极电压随着由电容C3保持的电压的降低而上升。

当栅极电压和电源电势Vcc之间的电势差此后上升到驱动晶体管Td的阈值电压Vth时，流过驱动晶体管Td的电流变得非常小。在此情况下，栅极电压几乎停止上升。

电容C3因此存储校正用作电流驱动元件的驱动晶体管Td中固有的阈值电压Vth所需的电压。

在时间t64，控制脉冲P30和P31设为L电平，以便截止开关晶体管T30和T31。因此，完成阈值校正。

从时间t65起执行信号值写入。

在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t65，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1写入到图22中的点A和点B。

然后，在时间t66，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2，并且仅采样晶体管Ts1继续导通。水平选择器11然后提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到点A。

在时间t67，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1。

此后，在时间t68，扫描脉冲WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts2。然后，点A到点B相互连接，并且点B由于电容C1和C2的电容性耦合而设为Vsig1+ΔV。

此时输入驱动晶体管Td的栅极的电压改变量(ΔV)是由以下(等式9)表示的值。

[等式9]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C3}{C3+\mathrm{Cg}}\&CenterDot;\frac{C1}{C1+C2+\left(\frac{C3\mathrm{Cg}}{C3+\mathrm{Cg}}\right)}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

其中“Cg”在此情况下是从驱动晶体管Td的栅极和固定电势之间的电容排除电容C3获得的。

此后，扫描脉冲WS2设为L电平，以便在时间t69也截止采样晶体管Ts2。在时间t70，通过控制脉冲P32导通开关晶体管T32。从而，启动有机EL元件1的发光。

在此情况下，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件，并且有机EL元件1以对应于用于显示的信号值Vsig1+ΔV的灰度发光。此外，因为在由电容C3保持的阈值电压Vth作为参考的情况下给出用于显示的信号值Vsig1+ΔV，所以执行发光操作，其中抵消每个像素中的驱动晶体管Td的阈值电压Vth的变化的影响。

同样在第十实施例中，如在第七实施例中，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。

此外，在此情况下，可以通过阈值校正操作实现不受阈值电压Vth的变化影响的显示操作。

顺便提及，作为第十实施例的修改示例，基于图21所示的第九实施例的电路配置(也就是说，其中采样晶体管Ts1的一个端子连接到点B的配置)也是可能的。

此外，尽管图22中控制扫描器30和31是分开的扫描器，但是可以共享一个扫描器。例如，一个控制扫描器30和一个控制线L30可以执行开关晶体管T30和T31的导通控制。

<2-11第十一实施例>

将参照图24和图25描述第十一实施例。

第十一实施例是其中n沟道TFT用作驱动晶体管Td并且进行阈值校正的示例。

根据第十一实施例的像素电路10包括有机EL元件1、驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、电容C1和C2、以及开关晶体管T33、T34和T35。驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、以及开关晶体管T34和T35是n沟道TFT。开关晶体管T35是p沟道TFT。顺便提及，电容Cel指有机EL元件1的寄生电容。

作为扫描线驱动部分，除了第一写入扫描器12和第二写入扫描器13外，还提供控制扫描器33、34和35。

由n沟道TFT形成的驱动晶体管Td的源极连接到有机EL元件1的阳极。驱动晶体管Td的漏极经由开关晶体管T35连接到电源Vcc线。

电容C2连接在驱动晶体管Td的栅极和源极之间。

电容C1连接在驱动晶体管Td的源极和采样晶体管Ts1和Ts2之间的连接点(点A)之间。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在点A和信号线DTL之间。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在点A和驱动晶体管Td的栅极(点B)之间。

控制扫描器33提供控制脉冲P33到控制线L33。控制扫描器34提供控制脉冲P34到控制线L34。控制扫描器35提供控制脉冲P35到控制线L35。顺便提及，如在图1中第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的情况，以等于在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数的数目安排控制线L33、L34和L35。

第一写入扫描器12和第二写入扫描器13以及控制扫描器33、34和35基于时钟ck和启动脉冲sp，设置扫描脉冲WS1和WS2和控制脉冲P33、P34和P35的定时。

开关晶体管T33的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的栅极和固定参考电势Vofs之间。开关晶体管T33的栅极连接到控制线L33。因此，开关晶体管T33由来自控制扫描器33的控制脉冲P33控制导通。

开关晶体管T34的漏极和源极连接在驱动晶体管Td的源极和固定电势Vss之间。开关晶体管T34的栅极连接到控制线L34。因此，开关晶体管T34由来自控制扫描器34的控制脉冲P34控制导通。

开关晶体管T35的漏极和源极连接在驱动晶体管Td和电源电势Vcc之间。开关晶体管T35的栅极连接到控制线L35。因此，开关晶体管T35由来自控制扫描器35的控制脉冲P35控制导通。

图25示出像素电路10的驱动波形。图25示出控制脉冲P33、P34和P35、扫描脉冲WS1和WS2、以及DTL输入信号。

执行之前帧的发光直到时间t71。在从时间t71到时间t83的不发光时段，执行用于时间t83之后的当前帧的发光的操作。

在直到时间t71的发光时段，控制脉冲P35处于L电平，并且p沟道开关晶体管T35导通，使得电压Vcc施加到驱动晶体管Td。开关晶体管T33和T34以及采样晶体管Ts1和Ts2截止。

因此，对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的电流通过有机EL元件1，以便发光。

在时间t71，控制扫描器35设置控制脉冲P35为H电平，以便截止开关晶体管T35。因此，停止提供到有机EL元件1的电流，以熄灭有机EL元件1。

在时间t72，控制脉冲P34设为H电平以便导通开关晶体管T34。在时间t73，控制扫描器33设置控制脉冲P33为H电平，以便导通开关晶体管T33。然后，在从时间t73到时间t74的时段进行阈值校正准备。

具体地，通过导通开关晶体管T34，驱动晶体管Td的源极电势(有机EL元件1的阳极电势)下降到固定电势Vss。此外，通过导通开关晶体管T33，驱动晶体管Td的栅极电势(点B)下降到参考电势Vofs。此后，开关晶体管T34在时间t74截止。顺便提及，进行设置使得Vss＜Vofs-Vth。

在时间t75，控制脉冲P35设为L电平，以便导通开关晶体管T35。从而，启动阈值校正。

因为进行的设置使得Vss＜Vofs-Vth，所以驱动晶体管Td处于导通状态。此时，驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs取值Vofs-Vss，并且对应于该值的电流流动。

只要有机EL元件1的阳极电势是Vel≤Vcat+Vthel(有机EL元件1的阈值电压)(有机EL元件1的漏电流显著小于流过驱动晶体管Td的电流)，电容C2和Cel就用驱动晶体管Td的电流充电。

此时，开关晶体管T34截止，并且阻断驱动晶体管Td的漏极电流的电流路径，使得施加到有机EL元件1的电压Vel随着时间上升。

在经过一定时间之后，驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs取为阈值电压Vth。此时施加到有机EL元件1的电压Vel是Vel＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel。

然后，由电容C2保持作为出现在驱动晶体管Td的栅极和源极之间的电势差的驱动晶体管Td的阈值电压Vth。

在时间t76，开关晶体管T35截止。因此，漏极电流停止流动，以结束阈值校正操作。此后，开关晶体管T23也在时间t77截止。

从时间t78起执行信号值写入。

在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t78，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。因此，信号值Vsig1写入到点A(电容C1)和点B(电容C2)。

然后，在时间t79，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2，并且仅采样晶体管Ts1继续导通。水平选择器11然后提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到点A。

在时间t80，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1。

此后，在时间t81，扫描脉冲WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts2。然后，点A到点B相互连接，并且点B由于电容C1和C2的电容性耦合而设为Vsig1+ΔV。

在时间t82，扫描脉冲WS2设为L电平，以同样截止采样晶体管Ts2。

然后，在时间t83，通过控制脉冲P35导通开关晶体管T35。从而，启动有机EL元件1的发光。

在此情况下，驱动晶体管Td根据在此情况下的栅极-源极电压Vgs＝Vsig1+ΔV，将在上述(等式1)中示出的电流通过EL元件，并且有机EL元件1以对应于用于显示的信号值Vsig1+ΔV的灰度发光。此外，因为在驱动晶体管Td的栅极和源极之间保持的阈值电压Vth作为参考的情况下给出用于显示的信号值Vsig1+ΔV，所以执行发光操作，其中抵消每个像素中的驱动晶体管Td的阈值电压Vth的变化的影响。

同样在第十一实施例中，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。

此外，在此情况下，可以通过阈值校正操作实现不受阈值电压Vth的变化影响的显示操作。

顺便提及，作为第十一实施例的修改的示例，采样晶体管Ts1可以连接在点B(而不是点A)和信号线DTL之间。

此外，添加如图26所示的迁移率校正的操作也考虑为驱动系统的修改示例。图26中直到时间t78的操作与图25的操作类似。

在此情况下，在采样晶体管Ts1和Ts2导通、并且从时间t78起写入信号值Vsig1的同时，对于从时间t78-2到时间t78-3的时段，控制脉冲P35设为L电平，以便导通开关晶体管T35。因此，电流从电源Vcc通过，驱动晶体管Td的源极电压上升，并且进行迁移率校正。

顺便提及，在开关晶体管T35处于导通状态的情况下，可以通过截止采样晶体管Ts2来结束迁移率校正。

通过应用这样的迁移率校正，可以进行显示而不受每个像素中的驱动晶体管Td的迁移率的变化的影响。

因为在具有阈值校正功能和迁移率校正功能的像素电路中也可以用少量信号灰度表示许多灰度，所以可能降低信号驱动器的成本，并且实现高颜色再现性。

<2-12第十二实施例>

将参照图27到30描述第十二实施例。

根据第十二实施例的像素电路10包括由n沟道TFT形成的驱动晶体管Td、采样晶体管Ts1和Ts2、电容C1和C2、以及有机EL元件1。

在此情况下，水平选择器11在一个水平时段中输出信号值Vsig1和Vsig2以及参考电势Vofs到信号线DTL。

作为扫描线驱动部分，除了第一写入扫描器12和第二写入扫描器13外，还提供驱动扫描器14。

驱动扫描器14驱动电源控制线DSL。顺便提及，如在图1中的第一写入控制线WSL1和第二写入控制线WSL2的情况，以等于在像素阵列20中以矩阵形式安排的像素电路10的行数的数目安排电源控制线DSL。

驱动扫描器14与第一写入扫描器12和第二写入扫描器13的线顺序扫描同步地，提供电源脉冲DS到以行的形式布置的每个电源控制线DSL，所述电源脉冲DS作为改变到驱动电势(Vcc)和初始电势(Vss)的两个值的电源电压。

由n沟道TFT形成的驱动晶体管Td的源极连接到有机EL元件1的阳极。驱动晶体管Td的漏极连接到电源控制线DSL。

电容C2连接在驱动晶体管Td的栅极和源极之间。

电容C1连接在驱动晶体管Td的源极和采样晶体管Ts1和Ts2之间的连接点(点A)之间。

采样晶体管Ts1的漏极和源极连接在点A和信号线DTL之间。

采样晶体管Ts2的漏极和源极连接在点A和驱动晶体管Td的栅极(点B)之间。

图28示出像素电路10的驱动波形。图28示出电源脉冲DS、扫描脉冲WS1和WS2、以及DTL输入信号。

首先，假设水平选择器11在一个水平时段顺序输出参考电势Vofs和信号值Vsig1和Vsig2到信号线DTL，如图28中示出为DTL输入信号。

执行之前帧的发光直到时间t90。在从时间t90到时间t98的不发光时段，执行用于时间t98之后的当前帧的发光的操作。

在直到时间t90的发光时段，电源脉冲DS＝驱动电压Vcc，并且采样晶体管Ts1和Ts2截止。

因此，对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压的电流通过有机EL元件1，以便发光。

在之前帧的发光时段结束的时间t90，驱动扫描器14停止提供驱动电压Vcc到电源控制线DSL，并且设置电源控制线DSL为初始电压Vss。从而，停止有机EL元件1的发光。此时，初始化驱动晶体管Td的源极电势Td。

接下来，在水平选择器11提供参考电势Vofs到信号线DTL的时间t91，作为阈值校正准备，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以使得采样晶体管Ts1和Ts2导通。此时，驱动晶体管Td的栅极电势固定在参考值Vofs。因为驱动晶体管Td的源极电压固定在Vss，所以驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs是Vgs＝Vofs-Vss。

在时间t92，电源脉冲DS设为驱动电压Vcc，并且启动阈值校正。

此时，源极电压上升，并且栅极-源极电压Vgs变为阈值电压Vth。此后，扫描脉冲WS在时间t93设为L电平，从而，完成阈值校正。

然后，从时间t94起执行信号值写入和迁移率校正。

在水平选择器11正提供信号值Vsig1到信号线DTL的时间t94，扫描脉冲WS1和WS2设为H电平，以便导通采样晶体管Ts1和Ts2。在图29A中示出此时的等效电路。

此时，信号值Vsig1写入到驱动晶体管Td的栅极(点B)和点A。

顺便提及，此时在电源脉冲DS＝Vcc的情况下，电流Ids从电源控制线DSL流动。当流过有机EL元件1的电流充分小于基于驱动电压Vcc的电流Ids时，也就是说，当有机EL元件1处于截止区时，有机EL元件1可以认为是电容Cel。因此，驱动晶体管Td的源极电压根据驱动晶体管Td的迁移率上升。

当经过一定时间之后采样晶体管Ts2截止时(时间t95)，驱动晶体管Td的源极电压是Vx，如图29A所示。

在完成迁移率校正之后，在时间t95，扫描脉冲WS2设为L电平，以便截止采样晶体管Ts2，并且仅采样晶体管Ts1继续导通。

如图29B所示，水平选择器11在此状态下提供信号值Vsig2到信号线DTL。从而，信号值Vsig2输入到点A。

此时，驱动晶体管Td的栅极处于浮置状态，并且栅极电势根据源极电势的改变而改变。具体地，当驱动晶体管Td的源极电压通过电流Ids改变电压ΔV1时，栅极电势是Vsig1+ΔV1。

此外，在经过一定时间之后的时间t96，扫描脉冲WS1设为L电平，以便截止采样晶体管Ts1。因此，如图30A所示，电容C1和采样晶体管Ts1之间的连接端(点A)根据驱动晶体管Td的源极电势的改变而改变。当驱动晶体管Td的源极电压变为Vx+ΔV1+ΔV2时，点A变为Vsig2+ΔV2，并且驱动晶体管Td的栅极变为Vsig1+ΔV1+ΔV2。

最后，在时间t97，采样晶体管Ts2再次导通，以便通过电容性耦合改变驱动晶体管Td的栅极电势(图30B)。因此，驱动晶体管Td的栅极电压变为电势Vy，并且驱动晶体管Td的源极电压变为电势Vel。在时间t98之后，基于对应于驱动晶体管Td的栅极-源极电压Vgs的电流Ids”，以对应于用于显示的信号值的灰度发光。

同样在第十二实施例，可能增加灰度的数目，并且以低成本实现高颜色再现性。此外，可以通过阈值校正操作和迁移率校正操作实现不受阈值电压Vth或迁移率的变化的影响的显示操作。

此外，在图27的像素电路配置中，驱动晶体管Td和采样晶体管Ts1和Ts2都由n沟道型TFT形成。因此，可以在TFT创建中使用现有无定形硅(a-Si)工艺，这在降低TFT基底的成本和增加屏幕尺寸方面是有利的。

顺便提及，作为第十二实施例的修改示例，采样晶体管Ts1可以连接在点B(而不是点A)和信号线DTL之间。

[3.到液晶显示设备的应用示例]

<3-1第十三实施例>

接下来将描述作为液晶显示设备的实施例。

图31示出第十三实施例的配置。显示设备的一般配置与图1中基本相同。

提供水平选择器11作为用于液晶像素电路10L的信号线驱动部分。水平选择器11在一个水平时段中输出信号值Vsig1和Vsig2到信号线DTL。

此外，提供第一写入扫描器12和第二写入扫描器13作为扫描线驱动部分。

液晶像素电路10L包括由n沟道TFT形成的采样晶体管Ts1和Ts2、电容C1和C2、以及液晶元件Cle。

电容C1具有连接到用于显示的信号值到液晶元件Cle的输入点(点B)的一端。电容C1和C2在用于显示的信号值到液晶元件Cle的输入点(点B)和公共电极Vcom之间相互串联连接。

作为第一开关元件的采样晶体管Ts1连接在电容C1的一端和信号线DTL之间。采样晶体管Ts1的栅极由作为第一扫描线的写入控制线WSL1的电势(WS1)控制导通。

作为第二开关元件的采样晶体管Ts2连接在电容C1的另一端(作为电容C1和C2之间的连接点的点A)和信号线DTL之间。采样晶体管Ts2的栅极由作为第二扫描线的写入控制线WSL2的电势(WS2)控制导通。

在信号值Vsig1输出到信号线DTL的同时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13使得采样晶体管Ts1和Ts2导通，以便输入信号值Vsig1到电容C1的两端。此外，当信号值Vsig2输出到信号线DTL时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13仅使得采样晶体管Ts2导通，以便输入信号值Vsig2到点A。从而，在输入点(点B)获得从信号值Vsig1和Vsig2的合成得到的用于显示的信号值。

图32A示出操作控制波形。

图32A和32B示出由第一写入扫描器12和第二写入扫描器13提供到写入控制线WSL1和WSL2的扫描脉冲WS1和WS2。图32A和32B还示出由水平选择器11作为DTL输入信号提供到信号线DTL的信号值电压。

执行之前帧的显示直到时间t100。

从时间t100起执行当前帧的显示操作。

在水平选择器11将信号值Vsig1的电势提供到信号线DTL的时段中，扫描脉冲WS1和WS2两者设为H电平，以便在时间t100导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1写入到点A和点B。

接下来，在时间t101，扫描脉冲WS1设为L电平，以便仅截止采样晶体管Ts1，并且采样晶体管Ts2继续处于导通状态。

因此，当水平选择器11将信号值Vsig2输出到信号线DTL时，将信号值Vsig2写入到点A，并且点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。然后，变化量经由电容C1输入到点B。

此时点B的电压改变量(ΔV)是由以下(等式10)表示的值。

[等式10]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C1}{C1+\mathrm{Clc}+\mathrm{Cg}}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

其中“Clc”是液晶元件Cle的电容，并且“Cg”是排除电容C1和C2的电容，作为如从点B可见的电容。

如从(等式10)理解的，电压改变量ΔV由电容C1、Clc和Cg以及信号值Vsig1和Vsig2之间的差组成。施加到液晶元件Cle的电势是Vsig1+ΔV。

该操作根据用于显示的信号值Vsig1+ΔV控制液晶元件Cle的透射率。液晶像素电路10L以对应于用于显示的信号值Vsig1+ΔV的灰度进行显示。

如上所述，本示例还使用电容性耦合生成反映像素内的灰度的信号电压。因此，可能用信号值的少量灰度表示许多灰度，降低信号驱动器的成本，并且实现高颜色再现性。

此外，一个灰度的电压可以由相对大的信号值Vsig2和Vsig1的值表示。因此，即使当灰度的数目增加时，最大信号电压也不需要上升，并且可以降低信号驱动器的成本。

<3-2第十四实施例>

图33中示出第十四实施例。

本示例中的液晶像素电路10L也包括由n沟道TFT形成的采样晶体管Ts1和Ts2、电容C1和C2、以及液晶元件Cle。

作为第一开关元件的采样晶体管Ts1具有连接到信号线DTL的一端，并且具有连接到第一扫描线(写入控制线WSL1)的栅极。采样晶体管Ts1由写入控制线WSL1的电势(WS1)控制导通。

作为第二开关元件的采样晶体管Ts2具有分别连接到作为用于显示的信号值到液晶元件Cle的输入点的点B、和采样晶体管Ts1的另一端的一端和另一端。采样晶体管Ts2的栅极连接到第二扫描线(写入控制线WSL2)。采样晶体管Ts2由写入控制线WSL2的电势(WS2)控制导通。

电容C1连接在采样晶体管Ts1和Ts2之间的连接点(点A)和公共电极Vcom之间。

电容C2连接在点B和公共电极Vcom之间。

在信号值Vsig1输出到信号线DTL的同时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13使得采样晶体管Ts1和Ts2导通，以便输入信号值Vsig1到电容C1的一端(点A)和电容C2的一端(点B)。

接下来，当信号值Vsig2输出到信号线DTL时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13仅使得采样晶体管Ts2导通，以便输入信号值Vsig2到点A。此后，仅使得采样晶体管Ts2导通，以便将电容C1的一端(点A)和电容C2的一端(点B)相互连接。因此，在作为输入点的点B处获得从信号值Vsig1和Vsig2的合成得到的用于显示的信号值。

图32B示出操作控制波形。

执行之前帧的显示直到时间t110。

从时间t110起执行当前帧的显示操作。

在水平选择器11将信号值Vsig1的电势提供到信号线DTL的时段中，扫描脉冲WS1和WS2两者设为H电平，以便在时间t110导通采样晶体管Ts1和Ts2。

从而，信号值Vsig1写入到点A和点B。

接下来，在时间t111，扫描脉冲WS2设为L电平，以便仅截止采样晶体管Ts2，并且采样晶体管Ts1继续处于导通状态。

因此，当水平选择器11将信号值Vsig2输出到信号线DTL时，将信号值Vsig2写入到点A，并且点A的电势从信号值Vsig1变为信号值Vsig2。

此后，采样晶体管Ts1在时间t112截止。采样晶体管Ts2在时间t113导通。

因此，可以通过电容性耦合改变施加到液晶的点B的电压。

此时点B的电压改变量(ΔV)是由以下(等式11)表示的值。

[等式11]

$\mathrm{\&Delta;V}=\frac{C1}{C1+\mathrm{Clc}+C2}(\mathrm{Vsig}2-\mathrm{Vsig}1)$

如从(等式11)理解的，电压改变量ΔV由电容C1、C2、Clc和Cg以及信号值Vsig1和Vsig2之间的差组成。施加到液晶元件Cle的电势是Vsig1+ΔV。

该操作根据用于显示的信号值Vsig1+ΔV控制液晶元件Cle的透射率。液晶像素电路10L以对应于用于显示的信号值Vsig1+ΔV的灰度进行显示。

因此，获得与前述第十三实施例的效果类似的效果。

<3-3第十五实施例>

图34中示出第十五实施例。

图34的像素电路10与图33的第十四实施例不同在于采样晶体管Ts1连接到点B。

用于液晶像素电路10L的驱动波形类似于图32B的驱动波形。

在此情况下，在信号值Vsig1输出到信号线DTL的同时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13使得采样晶体管Ts1和Ts2导通，以便输入信号值Vsig1到电容C1的一端(点A)和电容C2的一端(点B)。

接下来，当信号值Vsig2输出到信号线DTL时，第一写入扫描器12和第二写入扫描器13仅使得采样晶体管Ts1导通，以便输入信号值Vsig2到点B。此后，仅使得采样晶体管Ts2导通，以便将电容C1的一端(点A)和电容C2的一端(点B)相互连接。从而，在作为输入点的点B处获得从信号值Vsig1和Vsig2的合成得到的用于显示的信号值。

第十五实施例也提供与前述第十三和第十四实施例的效果类似的效果。

[4.修改的示例]

尽管上面已经描述了各种实施例，但是本发明容许更多种修改示例。

例如，尽管已经假设在一个水平时段中输出两个信号值Vsig1和Vsig2来描述每个实施例，但是可能在一个水平时段中输出三个或更多信号值。也就是说，当通过在像素电路中合成三个或更多信号值来生成用于显示的信号值时，甚至可以用信号驱动器的少量输出灰度实现更精细的灰度的显示。

本申请包含涉及于2009年5月12日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-115197中公开的主题，在此通过引用并入其全部内容。

本领域技术人员应当理解，依赖于设计需求和其他因素可以出现各种修改、组合、子组合和更改，只要它们在权利要求或其等效物的范围内。

Claims (14)

1.一种显示设备，包括：

像素电路，用于通过合成在一个水平时段内输入的多个信号值来生成用于显示的信号值，并且以对应于用于显示的信号值的灰度进行显示；

在像素阵列上以列的形式布置的信号线，在所述像素阵列中以矩阵的形式安排所述像素电路；

在所述像素阵列上以行的形式布置的扫描线；

信号线驱动部分，配置为在一个水平时段内输出作为要提供到每个像素电路的信号值的多个信号值到所述信号线；以及

扫描线驱动部分，配置为通过驱动所述扫描线将一个水平时段内的多个信号值顺序引入每行中的所述像素电路，所述多个信号值在所述信号线中生成，

其中所述信号线驱动部分在一个水平时段内至少输出第一信号值和第二信号值到所述信号线，并且

所述像素电路通过基于所述第一信号值和所述第二信号值之间的差和像素电路内存在的电容之间的比率，合成在一个水平时段内输入的所述第一信号值和所述第二信号值，生成用于显示的信号值。

2.如权利要求1所述的显示设备，

其中所述像素电路包括：

发光元件；

驱动晶体管，用于施加对应于所述用于显示的信号值的电流到所述发光元件，所述用于显示的信号值输入到驱动晶体管；

电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述驱动晶体管的栅极节点的输入点的一端；

第一开关元件，连接在所述电容的所述一端和所述信号线之间，并且由第一扫描线的电势控制导通；以及

第二开关元件，连接在所述电容的另一端和所述信号线之间，并且由第二扫描线的电势控制导通；并且

当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述电容的两端，并且当所述第二信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述电容的所述另一端，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

3.如权利要求2所述的显示设备，

其中所述驱动晶体管、所述第一开关元件和所述第二开关元件由n沟道薄膜晶体管形成。

4.如权利要求1所述的显示设备，

其中所述像素电路包括：

发光元件；

驱动晶体管，用于施加对应于所述用于显示的信号值的电流到所述发光元件，所述用于显示的信号值输入到驱动晶体管；

第一开关元件，其具有连接到所述信号线的一端，并且由第一扫描线的电势控制导通；

第一电容；

第二电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述驱动晶体管的栅极节点的输入点的一端；以及

第二开关元件，其具有每个连接在所述第一电容的一端和所述第二电容的所述一端之间的一端和另一端，第二开关元件的所述一端和所述另一端之一连接到所述第一开关元件的另一端，并且第二开关元件由第二扫描线的电势控制导通；并且

当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端，当所述第二信号值接下来输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第一开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端之一，然后所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端相互连接，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

5.如权利要求4所述的显示设备，

其中所述第一开关元件的所述另一端连接到所述第一电容的所述一端，并且

当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端，当所述第二信号值接下来输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第一开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述第一电容的所述一端，然后所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端相互连接，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

6.如权利要求4所述的显示设备，

其中所述扫描线驱动部分将公共波形的扫描脉冲提供到所述像素阵列的每条水平线中的所述第一扫描线和所述第二扫描线，所述扫描脉冲通过一个水平时段的定时相互不同。

7.如权利要求4所述的显示设备，

其中所述第二电容由所述驱动晶体管的寄生电容形成。

8.如权利要求4所述的显示设备，

其中所述第一开关元件的所述另一端连接到所述第二电容的所述一端，并且

当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端，当所述第二信号值接下来输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第一开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述第二电容的所述一端，然后所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端相互连接，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

9.如权利要求4所述的显示设备，

其中所述驱动晶体管、所述第一开关元件和所述第二开关元件由n沟道薄膜晶体管形成。

10.如权利要求1所述的显示设备，

其中所述像素电路具有校正所述驱动晶体管的阈值电压的功能。

11.如权利要求1所述的显示设备，

其中所述像素电路具有校正所述驱动晶体管的迁移率的功能。

12.如权利要求1所述的显示设备，

其中所述像素电路包括：

液晶元件；

电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述液晶元件的输入点的一端；

第一开关元件，连接在所述电容的所述一端和所述信号线之间，并且由第一扫描线的电势控制导通；以及

第二开关元件，连接在所述电容的另一端和所述信号线之间，并且由第二扫描线的电势控制导通；并且

当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述电容的两端，并且当所述第二信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述电容的所述另一端，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

13.如权利要求1所述的显示设备，

其中所述像素电路包括：

液晶元件；

第一开关元件，其具有连接到所述信号线的一端，并且由第一扫描线的电势控制导通；

第一电容；

第二电容，其具有作为所述用于显示的信号值到所述液晶元件的输入点的一端；以及

第二开关元件，其具有每个连接在所述第一电容的一端和所述第二电容的所述一端之间的一端和另一端，第二开关元件由第二扫描线的电势控制导通；并且

当所述第一信号值输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分使得所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以将所述第一信号值输入到所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端，当所述第二信号值接下来输出到所述信号线时，所述扫描线驱动部分仅使得所述第一开关元件导通，以将所述第二信号值输入到所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端之一，然后所述扫描线驱动部分仅使得所述第二开关元件导通，以将所述第一电容的所述一端和所述第二电容的所述一端相互连接，从而在所述输入点处获得从所述第一信号值和所述第二信号值的合成得到的所述用于显示的信号值。

14.一种显示设备的显示方法，所述显示设备包括像素电路、在其中以矩阵的形式安排所述像素电路的像素阵列上以列的形式布置的信号线、在所述像素阵列上以行的形式布置的扫描线、配置为输出要提供到每个像素电路的信号值到所述信号线的信号线驱动部分、以及配置为通过驱动所述扫描线将在所述信号线中生成的信号值引入每行中的所述像素电路的扫描线驱动部分，所述显示方法包括以下步骤：

所述信号线驱动部分在一个水平时段内输出作为要输入到所述像素电路的信号值的多个信号值到所述信号线；

所述扫描线驱动部分将在一个水平时段内输出到所述信号线的所述多个信号值的每一个顺序地引入像素电路；以及

所述像素电路通过合成顺序地引入的所述多个信号值生成用于显示的信号值，并且以对应于所述用于显示的信号值的灰度进行显示，

其中所述信号线驱动部分在一个水平时段内至少输出第一信号值和第二信号值到所述信号线，并且

所述像素电路通过基于所述第一信号值和所述第二信号值之间的差和像素电路内存在的电容之间的比率，合成在一个水平时段内输入的所述第一信号值和所述第二信号值，生成用于显示的信号值。

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