CN101883797B - 转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法 - Google Patents

转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101883797B
CN101883797B CN2008801174126A CN200880117412A CN101883797B CN 101883797 B CN101883797 B CN 101883797B CN 2008801174126 A CN2008801174126 A CN 2008801174126A CN 200880117412 A CN200880117412 A CN 200880117412A CN 101883797 B CN101883797 B CN 101883797B
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound
transfer materials
solidification compound
mentioned
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008801174126A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101883797A (zh
Inventor
新井良和
内田博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN101883797A publication Critical patent/CN101883797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101883797B publication Critical patent/CN101883797B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29DPRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D17/00Producing carriers of records containing fine grooves or impressions, e.g. disc records for needle playback, cylinder records; Producing record discs from master stencils
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/045Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/38Polysiloxanes modified by chemical after-treatment
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855Coating only part of a support with a magnetic layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/40Esters of unsaturated alcohols, e.g. allyl (meth)acrylate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种转印材料用固化性组合物,其适合用于可以高生产量形成微细图案的工艺即紫外纳米压印法,有时还适合用于热纳米压印法,并且可以形成氟类气和氧气的蚀刻速度选择性高的微细图案。本发明的转印材料用固化性组合物,其特征在于,含有在同一分子内具有特定倍半硅氧烷骨架和固化性官能团的含倍半硅氧烷骨架的化合物。

Description

转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法
技术领域
本发明涉及用于通过压印法形成微细图案的转印材料用固化性树脂组合物、和使用该组合物形成微细图案的方法。
背景技术
作为在半导体制造工艺、图案化介质等的磁记录介质制造工艺等中制作微细图案的方法,纳米压印技术受到人们关注,人们需要用于纳米压印技术的优异转印材料。
作为纳米压印用转印材料有时使用聚甲基丙烯酸甲酯等热塑性树脂,这种情况中,一般将已涂布上的材料加热到玻璃化转变温度以上,压模,再冷却,然后取下模板循环使用。这种方法存在非常耗时,生产效率不好的问题。
为此,在特开2003-100609号公报中公开了一种技术,其使用含有作为硅氧烷化合物之一的氢化倍半硅氧烷和溶剂的溶液加工材料,在基板上形成其涂膜,然后在室温下压模,再除去溶剂并水解固化,由此得到微细图案。此外,在特开2005-277280号公报中公开了一种技术,由含有儿茶酚衍生物和间苯二酚衍生物的组合物在基板上形成涂膜,然后在室温下按压模板,从而得到微细图案。
这些方法被称作室温压印法,虽按可以省略加热、冷却的步骤,但模板按压需要较长时间,生产效率也不能说是充分的。此外,由于在高压下按压所以印模的寿命方面也是个难点,作为批量生产化的技术尚不充分。
因而,提出了使用可在紫外线下固化的光固化性树脂的、被称作“紫外纳米压印”的技术。该工艺是在涂布光固化性树脂之后,在用印模按压的状态下照射紫外线使树脂固化,然后取下印模,从而形成微细图案的方法。该工艺不需要加热、冷却的步骤,通过紫外线固化的时间可非常短,压模的压力较低即可,可解决上述各种问题的可能性高。
但紫外纳米压印中通常使用的树脂是丙烯酸酯类的有机类树脂。当形成微细图案作为抗蚀剂使用时,由于干蚀刻的气体种类不同而产生的蚀刻速度选择性是重要的。这里,蚀刻速度选择性是指因蚀刻的气体的种类不同而使蚀刻速度不同的性质。并且将蚀刻速度区别较大的称作蚀刻速度选择性高。
当要使微细图案发挥抗蚀层的功能时,需要对蚀刻中使用的气体耐性高、在要除去时容易除去。即需要蚀刻速度选择性高。经常作为蚀刻用气体使用的气体有氟类气和氧气。一般在微细图案为树脂的情况中,在氟类气和氧气下其蚀刻速度没有太大区别。
因而,为了得到在氟类气和氧气下的蚀刻速度选择性,通常使用硅化合物。上述氢化倍半硅氧烷等是一个例子,其特征为在氟类气下的蚀刻速度较大,而在氧气下的蚀刻速度非常慢。但由于氢化倍半硅氧烷不具有光固化性,所以存在不能使用紫外纳米压印法的问题。
作为解决该问题的方法,在特开2007-72374号公报中提出了使用由溶胶凝胶法合成的、具有官能团的硅化合物来形成图案的方法。但在该方法中,当在溶胶凝胶过程中硅化合物的分子量变高时,会凝胶化成在溶剂中不溶解不融合的化合物,所以存在不能提高分子量,难以得到压印成形时和成形后的微细图案的强度和柔软性之间的平衡的问题。
专利文献1:特开2003-100609号公报
专利文献2:特开2005-277280号公报
专利文献3:特开2007-72374号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种转印材料用固化性组合物,其适合用于可以以高生产量形成微细图案的工艺即紫外纳米压印法,有时还适合用于热纳米压印法,并且可以形成氟类气和氧气的蚀刻速度选择性高的微细图案。
本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究,结果发现含有在同一分子内具有下式(1)所示的倍半硅氧烷骨架和固化性官能团的含倍半硅氧烷骨架的化合物的固化性组合物可以解决上述课题。
即本发明的内容是下述[1]~[20]所记载的内容。
[1].一种转印材料用固化性组合物,是用于形成微细图案的组合物,其特征在于,含有含倍半硅氧烷骨架的化合物,所述含倍半硅氧烷骨架的化合物在同一分子内具有下式(1)所示的倍半硅氧烷骨架和固化性官能团。
Figure GPA00001140627700032
[2].如[1]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,
上述倍半硅氧烷骨架占上述含倍半硅氧烷骨架的化合物的分子量的5%以上。
[3].如[1]或[2]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述含倍半硅氧烷骨架的化合物是通过具有Si-H基和上述式(1)所示的倍半硅氧烷骨架的笼型倍半硅氧烷(A)、与具有上述固化性官能团和该固化性官能团以外的其它碳碳不饱和基团的化合物(B)进行硅氢化反应制造的。
[4].如[3]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,
上述笼型倍半硅氧烷(A)以下式(2)表示。
Figure GPA00001140627700041
式中,R1表示氢原子或HR2R3SiO-,R2和R3独立表示芳香族烃基团或碳原子数1~10的脂肪族基团,多个存在的R1可相同也可以不同。
[5].如[1]~[4]的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述固化性官能团是活性能量线固化性官能团。
[6].如[5]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述活性能量线固化性官能团是选自(甲基)丙烯酰基和环氧基中的至少1种。
[7].如[3]或[4]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述化合物(B)是选自下面所示的化合物(a)、化合物(b)和化合物(c)中的至少1种,
Figure GPA00001140627700042
上述式中,R4是下面所示的任一结构,R5是氢或甲基,
Figure GPA00001140627700043
上述式中,R6~R8是氢或甲基,R9是碳原子数为2~8的亚烷基。
[8].如[3]~[6]的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述化合物(B)是1,2-环氧-4-乙烯基环己烷。
[9].如[1]~[8]的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,含有固化剂或聚合引发剂。
[10].如[9]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,
上述固化性官能团是环氧基,上述固化剂是酸酐。
[11].如[6]或[7]所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,还含有多元硫醇化合物,上述固化性官能团是(甲基)丙烯酰基。
[12].如[6]~[8]的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,还含有具有乙烯基醚基的化合物,上述固化性官能团是环氧基。
[13].如[1]~[12]的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述微细图案是10μm以下的微细图案。
[14].一种微细图案形成方法,其特征在于,包括下述工序:
将[1]~[4]的任一项所述的转印材料用固化性组合物涂布在基板上的工序;
将模板按压在该转印材料用固化性组合物上的工序;
通过加热使上述转印材料用固化性组合物固化的工序;以及从已固化的转印材料用固化性组合物上取下模板的工序。
[15].一种微细图案形成方法,其特征在于,包括下述工序:
将[1]~[13]的任一项所述的转印材料用固化性组合物涂布在基板上的工序;
将模板按压在该转印材料用固化性组合物上的工序;
照射活性能量线以使上述转印材料用固化性组合物固化的工序;以及
从已固化的转印材料用固化性组合物上取下模板的工序。
[16].如[15]所述的微细图案形成方法,其特征在于,从模板面向上述转印材料用固化性组合物的涂膜的方向照射上述活性能量线。
[17].如[15]所述的微细图案形成方法,其特征在于,上述基板是透明基板,从透明基板面向上述转印材料用固化性组合物的涂膜的方向照射上述活性能量线。
[18].一种已微细图案化的磁记录介质的制造方法,其特征在于,上述基板在基体上具有磁性膜,利用通过[14]~[17]的任一项所述的方法形成的微细图案对上述磁性膜的一部分进行除去或非磁性化。
[19].一种磁记录介质,其特征在于,由[18]所述的方法得到。
[20].一种磁记录再生装置,其特征在于,具有[19]所述的磁记录介质。
使用本发明的转印材料用固化性组合物,可以以高生产量形成氟类气和氧气的蚀刻速度选择性高的微细图案。
并且使用这种转印材料用固化性组合物的本发明的微细图案形成方法具有下面三个特征。
(1)压印时的转印性能良好;
(2)在压印后使磁性层露出的去底、和剥离由该组合物形成的固化膜时,可以通过使用氟类气来进行反应性离子蚀刻,从而容易除去固化膜;
(3)另一方面,在加工介质时,在氧气蚀刻、氩气减薄等的蚀刻中显示作为抗蚀剂的良好的耐性。
此外,通过使用本发明的微细图案形成方法,可以在半导体、磁记录介质制造工艺等中制作微细图案。
附图说明
图1显示了使用本发明的转印材料用固化性组合物形成10μm以下的微细图案的方法的工序。
图2显示了实施例2的、沿着半径方向形成凹凸形状的石英玻璃制的圆板。圆板的直径是1.8英寸。凹部的宽度(L)在图的半径方向上为80nm,凹部的深度为150nm,凸部的宽度(S)在图的半径方向上为120nm。此外,图2中,在圆板形状的玻璃基板上的右侧图示的模板所对应的长方形的纵(较短)向的长度为0.1mm。
图3显示出了将实施例2的、在薄膜上转印形成了图案形状的玻璃基板截断后,所得截面的场致发射电子显微镜像。
图4显示出了磁记录介质的磁性膜的加工中的去底工序。
图5示出了对磁记录介质的磁性膜的一部分进行除去、或非磁性化的大概过程。
附图标记说明
12 模板
14 由本发明的转印材料用固化性组合物形成的涂膜
16 基板
20 由固化性组合物得到的微细图案
22 磁性膜
24 基体
26 非磁性层
具体实施方式
下面对本发明的转印材料用固化性组合物和使用该组合物形成微细图案的方法进行详细说明。
[转印材料用固化性组合物]
本发明的转印材料用固化性组合物(下文中有时简称为“固化性组合物”),其特征在于,含有在同一分子内具有下式(1)所示的倍半硅氧烷骨架和固化性官能团的含倍半硅氧烷骨架的化合物(下文中有时简称为“含倍半硅氧烷骨架的化合物”)。
本发明的固化性组合物中,式(1)所示的倍半硅氧烷骨架优选占含倍半硅氧烷骨架的化合物的分子量的5%以上、更优选为8%~65%。当少于5%时,有时从固化性组合物得到的抗蚀剂的氧气蚀刻耐性降低。另一方面,如果式(1)所示的倍半硅氧烷骨架的比例过高,则往往固化性组合物在溶剂中的溶解性降低,难以作为抗蚀剂液操作,而且往往在相同浓度下粘性变高,进而固化速度变慢。
另外,式(1)所示的倍半硅氧烷骨架在含倍半硅氧烷骨架的化合物的分子量中所占的比例(%)的计算方法如下。
式(1)的结构式量为416.7,例如,对于由1摩尔八(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷和8摩尔甲基丙烯酸烯丙基酯反应而成的含倍半硅氧烷骨架的化合物而言,分子量为2027.2,所以416.7/2027.2=20.6%。
该含倍半硅氧烷骨架的化合物可以通过具有Si-H基和上述式(1)所示的倍半硅氧烷骨架的笼型倍半硅氧烷(A)与具有上述固化性官能团和该固化性官能团以外的其它碳碳不饱和基团的化合物(B)进行硅氢化反应来制造。
<笼型倍半硅氧烷(A)>
作为该笼型倍半硅氧烷(A),可以列举出在下式(2)所示的同一分子中具有-Si-H基的化合物。
Figure GPA00001140627700081
上述式(2)中,R1表示氢原子或HR2R3SiO-。R2和R3各自独立表示芳香族烃基团或碳原子数1~10的脂肪族基团。该芳香族烃基团的碳原子数通常为6~14。此外,多个存在的R1可相同,也可以不同。
上述含倍半硅氧烷骨架的化合物,可以通过使上述笼型倍半硅氧烷(A)、与具有可以与该-Si-H基进行硅氢化反应的碳碳不饱和基团和除该官能团以外的其它固化性官能团的化合物(化合物(B))进行反应来合成。
作为式(2)所示的笼型倍半硅氧烷(A),具体可以列举出,八(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、八(甲基苯基硅氧基)倍半硅氧烷、八(二甲基苯基硅氧基)倍半硅氧烷、一(三甲基硅氧基)七(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、二(三甲基硅氧基)六(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、三(三甲基硅氧基)五(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、四(三甲基硅氧基)四(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、五(三甲基硅氧基)三(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、六(三甲基硅氧基)二(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、七(三甲基硅氧基)一(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、氢化倍半硅氧烷等。
这些化合物中的例如氢化倍半硅氧烷,可以使用Inorg.Chem.,30,2707(1991)中公开的方法,借助氯化铁催化剂通过三氯硅烷水解来合成。此外,八(取代硅氧基)倍半硅氧烷可以使用J.Organomet.Chem.,441,373(1992)中公开的方法,以使Si8O20 8-的四甲基铵盐和二甲基氯硅烷、甲基苯基氯硅烷、二苯基氯硅烷、三甲基氯硅烷之类的氯化烷基取代硅化合物反应等方式来合成。
<化合物(B)>
作为上述可与-Si-H基进行硅氢化反应的碳碳不饱和基团,可以列举出乙烯基、烯丙基、异丙烯基、炔丙基等。
此外,含倍半硅氧烷骨架的化合物所具有的固化性官能团是可借助活性能量线或热进行反应的固化性官能团,其中优选可借助活性能量线反应的(甲基)丙烯酰基、环氧基。这里本说明书中的环氧基,除了通常所指的、具有直接键合的2个碳原子介由氧原子桥接成的三角形结构的基团以外,还指具有直接或隔着其它原子(主要是碳原子)结合的二个碳原子介由氧原子桥接的结构的基团。即在本说明书中,环氧基包括缩水甘油基、氧杂环丁基、氧化环己烯基等。
作为分子内具有这两官能团的化合物、即具有固化性官能团和除该固化性官能团以外的其它碳碳不饱和基团的化合物(化合物(B)),可以列举出烯丙基缩水甘油基醚、1,2-环氧-4-乙烯基环己烷、3,4-环氧环己烷甲酸烯丙基酯等具有环氧基和烯丙基的化合物,(甲基)丙烯酸烯丙基酯、(甲基)丙烯酸乙二醇一烯丙基醚、(甲基)丙烯酸二甘醇一烯丙基醚、(甲基)丙烯酸丙二醇一烯丙基醚、(甲基)丙烯酸双丙甘醇一烯丙基醚等含有(甲基)丙烯酰基和烯丙基的化合物,(甲基)丙烯酸炔丙基酯、3-チル-3-羟基甲基氧杂环丁烷的烯丙基醚等的化合物。
作为化合物(B),优选可借助活性能量线固化的具有(甲基)丙烯酰基、氧化环己烯基等环氧基的化合物。
作为化合物(B)的其它具体例,可以列举出以下结构式所示的化合物(a)~(c)。
Figure GPA00001140627700101
上述式中,R4是下面所示的任一结构,R5是氢或甲基。
Figure GPA00001140627700102
上述式中,R6~R8是氢或甲基,R9是碳原子数为2~8的亚烷基。
<含倍半硅氧烷骨架的化合物的制造方法>
本申请中的具有固化性官能团的含倍半硅氧烷骨架的化合物,可以通过使具有Si-H基和上述特定的倍半硅氧烷骨架的笼型倍半硅氧烷(A)、与具有固化性官能团和除该固化性官能团以外的其它碳碳不饱和基团的化合物(B)进行硅氢化反应、结合在一起,从而制造。
一般的硅氢化反应如下所示。
Figure GPA00001140627700103
例如,在使作为上述笼型倍半硅氧烷(A)的下述式(d)的八(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷、与作为化合物(B)的下述式(e)的甲基丙烯酸烯丙基酯反应时,主要生成下述式(f)所示结构的化合物。
Figure GPA00001140627700104
Figure GPA00001140627700111
本申请中具有固化性官能团的含倍半硅氧烷骨架的化合物可以如上述方法那样,使笼型倍半硅氧烷(A)与化合物(B)反应来制造,但在不影响后面的固化反应的限度内,可以使用部分仅具有可与-Si-H进行反应的碳碳双键的化合物来代替化合物(B)。
作为这种化合物,可以列举出烯丙醇、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、苯乙烯、乙烯基甲苯等。
此外,虽然有时需要注意凝胶化,但作为上述仅具有碳碳双键的化合物,可以使用少量具有多个不饱和基团的化合物。
作为这些化合物,可以列举出二烯丙基醚、二甲基二乙烯基硅烷、二乙烯基甲基苯基硅烷、二苯基二乙烯基硅烷、1,4-二(二甲基乙烯基甲硅烷基)苯、1,1,3,3-四苯基二乙烯基硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二甲硅醚、1,3-二(二甲基乙烯基硅氧基)苯、1,4-二(二甲基乙烯基硅氧基)苯、四乙烯基硅烷等。
必须将它们的使用量控制在其与多官能的氢化倍半硅氧烷反应时不发生凝胶化的摩尔比以下。
此外,作为具有Si-H基的化合物,在不破坏固化性组合物的固化物的蚀刻速度选择性的限度内,也可以并用除了具有Si-H基和上述特定的倍半硅氧烷骨架的笼型倍半硅氧烷(A)以外的、其它具有Si-H基的化合物来制造含倍半硅氧烷骨架的化合物。
作为这种化合物,可以列举出例如,苯基硅烷之类的一烷基硅烷、二苯基硅烷、甲基苯基硅烷之类的二烷基硅烷那样的硅原子上具有2个以上氢的化合物、或以下通式所示的聚氢化硅氧烷化合物。
Figure GPA00001140627700121
Figure GPA00001140627700122
(HSiO3/2)n
上述式中,R1表示碳原子数为1~5的烷基,R2~R5表示碳原子数为1~8的烷基或苯基,(HSiO3/2)n表示笼状和梯状倍半硅氧烷,m和n独立表示1~500的整数。
在为了制造含倍半硅氧烷骨架的化合物而进行硅氢化反应时,笼型倍半硅氧烷(A)和化合物(B)的使用比例优选为:可与Si-H基反应的碳碳不饱和基团比Si-H基多。具体地说,碳碳不饱和基团/Si-H基的摩尔比优选为1.0以上,更优选为1.02~10,进而优选为1.1~2.5。
作为反应的方法,优选下述方法:先将化合物(B)与笼型倍半硅氧烷(A)反应,然后与前述低沸点的、不具有固化性官能团而仅具有碳碳双键的化合物反应。这是由于过量使用的仅具有碳碳双键的化合物容易通过蒸留等方式除去的缘故。
此外,在化合物(B)残留在转印材料用固化性组合物中的情况下,也可以直接使用该固化性组合物进行微细图案转印工序。
优选在进行上述硅氢化反应时使用催化剂。作为这种加成反应催化剂可以列举出铂催化剂、铑催化剂、钯催化剂、钌催化剂等,但优选铂催化剂。作为铂催化剂,可以列举出氯铂酸、氯铂酸与乙醇的反应物、氯铂酸与烯烃化合物的反应物、氯铂酸与含乙烯基的硅氧烷的反应物、铂烯烃配合物、铂含乙烯基的硅氧烷配合物、铂羰基配合物等。优选将它们溶解或分散在乙醇等溶剂中使用。
具体地说,优选使用2%的二乙烯基四甲基二甲硅醚铂配合物的二甲苯溶液(GELEST INC.制)等。
对上述加成反应催化剂的使用量不特别限定,添加量为对反应有效的量即足够。具体地说,相对于进行硅氢化反应的原料加起来的总量,作为铂等的金属元素成分,以质量基准计算为0.01~10000ppm,优选为0.1~1000ppm。所述进行硅氢化反应的原料为笼型倍半硅氧烷(A)和化合物(B),有时是它们以及除了化合物(B)以外的其它可与-Si-H反应的仅具有碳碳双键的化合物、和/或除了笼型倍半硅氧烷(A)以外的其它具有Si-H基的化合物。
上述硅氢化反应的反应温度通常为0~250℃。为了防止含倍半硅氧烷骨架的化合物的成为固化性官能团的官能团发生聚合反应,优选为0~100℃。此外,由于有时根据原料体系不同,反应速度会变慢,所以这种情况优选加热到40℃以上,但在加热时,按照固化性官能团预先在反应体系中加入阻聚剂为宜。
此外,由于水分有时会使上述反应不稳定,所以可以根据需要,在氩气、氮气的气氛中进行反应。
这些反应散热剧烈,可以根据需要使用反应溶剂。可以使用例如,甲苯、二甲苯等的芳香族烃类溶剂、己烷、辛烷等的脂肪族烃类溶剂、丁酮、甲基异丁基酮等的酮类溶剂、乙酸乙酯、乙酸异丁酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯等的酯类溶剂、二异丙基醚、1,4-二噁烷等的醚类溶剂、异丙醇丙二醇一正丙基醚、乙二醇一乙基醚等的醇类溶剂或它们的混合溶剂。
其中优选芳香族烃类溶剂或脂肪族烃类溶剂。此外,可以使用含有氰基的化合物作为反应溶剂。
<转印材料用固化性组合物中的其它成分>
当本发明的转印材料用固化性组合物含有的含倍半硅氧烷骨架的化合物中的固化性官能团为(甲基)丙烯酰基时,上述含倍半硅氧烷骨架的化合物可以单独进行自由基聚合,或者、在与具有可与(甲基)丙烯酰基共聚的官能团的化合物的存在下进行自由基聚合,或与多元硫醇加成聚合进行自由基聚合。
此外,当上述固化性官能团为环氧基时,上述含倍半硅氧烷骨架的化合物可以单独、或在具有乙烯基醚基之类的可与环氧基共聚的官能团的化合物的存在下进行阳离子聚合,或使用酸酐作为固化剂进行加成聚合等的聚合。
当含倍半硅氧烷骨架的化合物中的固化性官能团为(甲基)丙烯酰基时,在使用后述的方法使本发明的转印材料用固化性组合物固化时,如果在上述含倍半硅氧烷骨架的化合物以及具有可与(甲基)丙烯酰基共聚的官能团的其它化合物的存在下进行自由基聚合,则可以调节本发明的转印材料用固化性组合物固化时的固化速度。
作为这类具有可与(甲基)丙烯酰基共聚的官能团的化合物,可以列举出具有(甲基)丙烯酰基、苯乙烯基、乙烯基、烯丙基、马来酰基、富马酰基等的化合物,其中特别优选具有(甲基)丙烯酰基的化合物,使用具有1个以上的(甲基)丙烯酸酯结构的单体或低聚物更为合适。
作为上述具有1个以上(甲基)丙烯酸酯结构的单体或低聚物,可以使用单官能或多官能的(甲基)丙烯酸酯,举例可以列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N-丙烯酰基吗啉等。
此外,作为具有可与(甲基)丙烯酰基共聚的官能团的化合物,还可以使用双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、N-缩水甘油基型环氧树脂、双酚A的酚醛清漆型环氧树脂、螯合型环氧树脂、乙二醛型环氧树脂、含氨基的环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、双环戊二烯酚型环氧树脂、硅氧烷改性环氧树脂、ε-己内酯改性环氧树脂等的环氧树脂与(甲基)丙烯酸加成而得的所谓环氧丙烯酸酯。
作为具有可与(甲基)丙烯酰基共聚的官能团的化合物的其它例子,可以列举出以下化合物。
多异氰酸酯化合物与含有活性氢的(甲基)丙烯酸酯类单体反应而成的氨基甲酸酯丙烯酸酯等,其中,多异氰酸酯化合物为例如,2,4-或2,6-甲苯二异氰酸酯、间或对苯二甲撑二异氰酸酯、氢化苯二甲撑二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4′-二异氰酸酯或其改性物、聚合物、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、1,4-四亚甲基二异氰酸酯、萘二异氰酸酯等;含有活性氢的(甲基)丙烯酸酯类单体为例如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、二缩三丙二醇(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇一(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-氯丙酯、丙三醇一(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇甲基丙烯酸酯丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等;
苯乙烯和其衍生物例如苯乙烯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、邻甲基苯乙烯、间甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,5-二甲基苯乙烯、2,6-二甲基苯乙烯、3,4-二甲基苯乙烯、3,5-二甲基苯乙烯、2,4,6-三甲基苯乙烯、2,4,5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、邻乙基苯乙烯、间乙基苯乙烯、对乙基苯乙烯、邻氯苯乙烯、间氯苯乙烯、对氯苯乙烯、邻溴苯乙烯、间溴苯乙烯、对溴苯乙烯、邻甲氧基苯乙烯、间甲氧基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、2-乙烯基联苯、3-乙烯基联苯、4-乙烯基联苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基-对三联苯、1-乙烯基蒽、α-甲基苯乙烯、邻异丙烯基甲苯、间异丙烯基甲苯、对异丙烯基甲苯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2,3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3,5-二甲基-α-甲基苯乙烯、对异丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯、二乙烯基苯、二乙烯基联苯、二异丙基苯等;
(甲基)丙烯腈和其衍生物例如,丙烯腈、甲基丙烯腈等;
有机羧酸的乙烯基酯和其衍生物例如,乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、己二酸二乙烯基酯等;
有机羧酸的烯丙基酯和其衍生物例如,乙酸烯丙酯、苯甲酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、对苯二甲酸二烯丙酯、间苯二甲酸二烯丙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯等;
富马酸的二烷基酯和其衍生物例如,富马酸二甲酯、富马酸二乙酯、富马酸二异丙酯、富马酸二仲丁酯、富马酸二异丁酯、富马酸二正丁酯、富马酸二2-乙基己酯、富马酸二苄酯等;
马来酸的二烷基酯和其衍生物例如,马来酸二甲酯、马来酸二乙酯、马来酸二异丙酯、马来酸二仲丁酯、马来酸二异丁酯、马来酸二正丁酯、马来酸二2-乙基己酯、马来酸二苄酯等;
衣康酸的二烷基酯和其衍生物例如,衣康酸二甲酯、衣康酸二乙酯、衣康酸二异丙酯、衣康酸二仲丁酯、衣康酸二异丁酯、衣康酸二正丁酯、衣康酸二2-乙基己酯、衣康酸二苄酯等;
有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物例如,N-甲基-N-乙烯基乙酰胺等;
马来酰胺和其衍生物例如,N-苯基马来酰胺、N-环己基马来酰胺等。
如前所述,当本发明的转印材料用固化性组合物中含有的含倍半硅氧烷骨架的化合物中的固化性官能团为(甲基)丙烯酰基时,可以与多元硫醇加成聚合进行自由基聚合。作为在与多元硫醇加成聚合进行自由基聚合中使用的多元硫醇化合物,可以列举出2,2-二(巯基甲基)-1,3-丙二硫醇、二(2-巯基乙基)醚、乙二醇二(2-巯基乙酸酯)、乙二醇二(3-巯基丙酸酯)、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯/三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、1,8-二巯基-3,6-二氧杂辛烷、1,2,3-三巯基苯、1,2,4-三巯基苯、1,3,5-三巯基苯、1,2,3-三(巯基甲基)苯、1,2,4-三(巯基甲基)苯、1,3,5-三(巯基甲基)苯等。
当含倍半硅氧烷骨架的化合物中的固化性官能团为环氧基时,在使用后述的方法使本发明的转印材料用固化性组合物固化时,如果在上述含倍半硅氧烷骨架的化合物以及具有可与环氧基共聚的官能团的其它化合物存在下进行阳离子聚合,则可以调节本发明的转印材料用固化性组合物固化时的固化速度。
作为此类具有可与环氧基共聚的官能团的化合物,可以列举出具有乙烯基醚基的化合物,作为该化合物可以列举出例如,三甘醇二乙烯基醚、四甘醇二乙烯基醚、三羟甲基丙烷三乙烯基醚、环己烷-1,4-二甲醇二乙烯基、1,4-丁二醇二乙烯基醚、聚酯二乙烯基醚、聚氨酯聚乙烯基醚等。
此外,作为具有可与环氧基共聚的官能团的化合物,可以列举出双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、多官能型环氧树脂、胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂、脂环式环氧树脂、N-缩水甘油基型环氧树脂、双酚A的酚醛清漆型环氧树脂、螯合型环氧树脂、乙二醛型环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、双环戊二烯酚型环氧树脂、硅氧烷改性环氧树脂、ε-己内酯改性环氧树脂等、一分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物。
具体可以列举出例如,
ジヤパンエポキシレジン(株)制的商品名エピコ一ト828、1002、1004等;
ジヤパンエポキシレジン(株)制的商品名エピコ一ト806、807、4005P、东都化成(株)制的商品名YDF-170等;
ジヤパンエポキシレジン(株)制的商品名エピコ一ト152、154、日本化药(株)制的商品名EPPN-201等;
日本化药(株)制的商品名EOCN-125S、103S、104S等;
ジヤパンエポキシレジン(株)制的商品名エピコ一トYX-4000,YL-6640等;
ジヤパンエポキシレジン(株)制的商品名エピコ一ト1031S、チバ·スペシヤルテイ·ケミカルズ(株)制的商品名アラルダイト0163、ナガセ化成(株)制的商品名デナコ一ルEX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、E-411、EX-321等;
ジヤパンエポキシレジン(株)制的商品名エピコ一ト604、东都化成(株)制的商品名YH-434、三菱ガス学(株)制的商品名TETRAD-X、TETRAD-C、日本化药(株)制的商品名GAN、住友化学(株)制的商品名ELM-120等;
チバ·スペシヤルテイ·ケミカルズ(株)制的商品名アラルダイトPT810等;
ダイセル化学工业(株)制的EHPE3150、EHPE3150CE、セロキサイド2000、セロキサイド2021、セロキサイド2081、エポリ一ドPB3600、エポリ一ドGT401等;
ダイセル化学工业(株)制的エポリ一ドPB3600等的环氧化聚丁二烯,它们可以1种单独使用,或2种以上组合使用。
此外,还可以使用具有氧杂环丁基的化合物,作为此类化合物,可以列举出1,3-二〔(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基〕丙烷、乙二醇二(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、三羟甲基丙烷三(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、季戊四醇四(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二季戊四醇六(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、2-乙基-2-羟基甲基氧杂环丁烷等。
当上述固化性官能团为环氧基、特别是缩水甘油基时,可以使用酸酐化合物作为固化剂,通过加成聚合来固化。作为酸酐化合物可以列举出邻苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐等的芳香族酸酐类、四氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐等的环状脂肪酸酐。
这些酸酐的使用量,相对于环氧基为0.7~1.2当量,优选为0.8~1.1当量。此外作为固化促进剂可以使用咪唑类、叔胺类、有机膦化合物。
要使本发明的固化性组合物固化,有活性能量线固化和热固化两种方法,特别是在上述的自由基聚合、阳离子聚合的情况中,按照聚合方式的不同,根据需要添加各种最佳的聚合引发剂为宜。
当上述固化性官能团为(甲基)丙烯酰基、并且固化性组合物含有上述多元硫醇化合物时,优选使用自由基聚合引发剂。
热聚合时,作为热自由基引发剂可以列举出,过氧化丁酮、过氧化环己酮、过氧化甲基环己酮、过氧化乙酸甲酯、过氧化乙酰丙酮、1,1-二(叔丁基过氧化)丁烷、1,1-二(叔丁基过氧化)-环己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)-2-甲基环己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)环十二烷、1,1-二(叔己基过氧化)-环己烷、1,1-二(叔己基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、2,2-二(4,4-二-叔丁基过氧化环己基)丙烷、叔丁基过氧化氢、叔己基过氧化氢、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化氢、枯基过氧化氢、对甲基过氧化氢、二异丙苯基过氧化氢、过氧化二叔丁基、过氧化二枯基、过氧化叔丁基枯基、α,α′-二(叔丁基过氧化)二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己炔-3、过氧化异丁酰、过氧化3,3,5-三甲基己酰、过氧化辛酰、过氧化月桂酰、过氧化硬脂酰、过氧化琥珀酸、过氧化间甲基苯甲酰苯甲酰、过氧化苯甲酰、过氧化二碳酸二正丙酯、过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二(4-叔丁基环己)酯、过氧化二碳酸二-2-乙氧基乙酯、过氧化二碳酸二-2-乙氧基己酯、过氧化二碳酸二-3-甲氧基丁酯、过氧化二碳酸二叔丁酯、过氧化二碳酸二(3-甲基-3-甲氧基丁)酯、α,α′-二(新癸酰基过氧化)二异丙苯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化新癸酸叔己基酯、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化新癸酸酯、1-环己基-1-甲基乙基过氧化新癸酸酯、过氧化新癸酸枯基酯、过氧化新戊酸叔丁基酯、过氧化新戊酸叔己基酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸叔己酯、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己酰过氧化)己烷、过氧化-2-乙基己酸1-环己基-1-甲基乙基酯、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁基酯、叔丁基过氧化异丙基一碳酸酯、叔己基过氧化异丙基一碳酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己基一碳酸酯、叔丁基过氧化烯丙基一碳酸酯、过氧化异丁酸叔丁基酯、过氧化马来酸叔丁基酯、过氧化苯甲酸叔丁基酯、过氧化苯甲酸叔己酯、过氧化间甲基苯甲酰苯甲酸叔丁基酯、过氧化月桂酸叔丁酯、过氧化乙酸叔丁酯、二(叔丁基过氧化)间苯二甲酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(间甲基苯甲酰过氧化)己烷、2,5-二甲基-2,5-二(苯甲酰过氧化)己烷、叔丁基三甲基甲硅烷基过氧化物、3,3′,4,4′-四(叔丁基过氧化羰基)二苯甲酮、2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷等有机过氧化物;
和、1-[(1-氰基-1-甲基乙基)偶氮]甲酰胺、1,1′-偶氮二(环己烷-1-甲腈)、2,2′-偶氮二(2-甲基丁腈)、2,2′-偶氮二异丁腈、2,2′-偶氮二(2,4-二甲基-4-甲氧基戊腈)、2,2′-偶氮二(2,4-二甲基戊腈)、2-苯基偶氮-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈、2,2′-偶氮二(2-甲基丙脒)二盐酸盐、2,2-偶氮二(2-甲基-N-苯基丙脒)二盐酸盐、2,2′-偶氮二[N-(4-氯苯基)-2-甲基丙脒]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[N-(4-氢苯基)-2-甲基丙脒]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-甲基-N-(2-丙烯基)丙脒]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[N-(2-羟基乙基)-2-甲基丙脒]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-甲基-N-(苯基甲基)丙脒]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2′-偶氮二{2-[1-(2-羟基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-(4,5,6,7-四氢-1H-1,3--二氮杂环庚三烯-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-(3,4,5,6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2′-偶氮二[2-(5-羟基-3,4,5,6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2′-偶氮二(2-甲基丙酰胺)、2,2′-偶氮二[2-甲基-N-(2-羟基乙基)丙酰胺]、2,2′-偶氮二{2-甲基-N-[1,1-二(羟基甲基)-2-羟基乙基]丙酰胺}、2,2′-偶氮二{2-甲基-N-[1,1-二(羟基甲基)乙基]丙酰胺}、2,2′-偶氮二(2-甲基丙烷)、2,2′-偶氮二(2,4,4-三甲基戊烷)、二甲基2,2′-偶氮二(2-甲基丙酸酯)、4,4′-偶氮二(4-氰基戊酸)、2,2′-偶氮二[2-(羟基甲基)丙腈]等偶氮化合物等。
作为上述固化性官能团为环氧基时的聚合引发剂,可以列举出三聚氰胺、咪唑、2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-〔2′-甲基咪唑基-(1′)〕-乙基-均三嗪、2,4-二氨基一6-〔2′-十一烷基咪唑基-(1′)〕-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-〔2′-乙基-4′-咪唑基-(1′)〕-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-〔2′-甲基咪唑基-(1′)〕-乙基-均三嗪/异氰脲酸加成物、2-苯基咪唑/异氰脲酸加成物、2-甲基咪唑/异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2,3-二氢-1H-吡咯并〔1,2-a〕苯并咪唑、4,4′-亚甲基二(2-乙基-5-甲基咪唑)、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基氯化咪唑鎓等的咪唑类;
1,8-二氮杂双环(5.4.0)十一碳烯-7、和其酚盐、辛基盐、对甲苯磺酸盐、甲酸盐、间苯二甲酸酸盐、或苯酚酚醛清漆树脂盐、1,5-二氮杂双环(4.3.0)壬烯-5、和其苯酚酚醛清漆树脂盐等有机强碱类和其盐;
溴化季鏻盐、芳香族二甲基脲、脂肪族二甲基脲等脲类等阴离子类引发剂、
三苯基硅烷醇等的硅烷醇类的阳离子催化剂;
三(乙酰丙酮)铝等的铝螯合类催化剂等。
此外,本发明的微细图案形成方法中使用的活性能量线,只要可以与上述含倍半硅氧烷骨架的化合物的官能团作用、使固化性组合物固化即可,没有特殊限定。可以列举出例如、紫外线、X射线等的放射线、电子束。其中优选使用紫外线、电子束。
当使用电子束时,虽然没有聚合引发剂时也可以使(甲基)丙烯酰基反应固化,但优选按照本组合物所使用的活性能量线和官能团的组合,根据需要添加聚合引发剂。
当上述固化性官能团为(甲基)丙烯酰基、固化性组合物中含有多元硫醇化合物时,固化性组合物中可以含有:
4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基-二氯苯乙酮、4-叔丁基-三氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-环己基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-羟基-2-苯基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)-苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮类自由基光聚合引发剂;
苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶酰二甲基缩酮等苯偶姻类自由基光聚合引发剂;
二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、4-苯甲酰基-4′-甲基二苯硫醚、3,3′-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、4,4′-二甲基氨基二苯甲酮、4,4′-二乙基氨基二苯甲酮、3,3′,4,4′-四(叔丁基过氧化羰基)二苯甲酮等二苯甲酮类自由基光聚合引发剂;
噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、异丙基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮等噻吨酮类自由基光聚合引发剂;
α-酰基肟酯、甲基苯基乙醛酸酯、二苯基乙二酮、9,10-菲醌、樟脑醌、二苯并环庚酮、2-乙基蒽醌、4′,4″-二乙基异酞酚酮(isophthalophenone)等酮类自由基光聚合引发剂;
2,2′-二(2-氯苯基)-4,4′,5,5′-四苯基-1,2′-咪唑等咪唑类自由基光聚合引发剂;
2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等的酰基氧化膦类自由基光聚合引发剂;
咔唑类自由基光聚合引发剂;
六氟锑酸三苯基鏻、六氟磷酸三苯基鏻、六氟锑酸对(苯硫基)苯基二苯基锍、六氟磷酸4-氯苯基二苯基锍、(2,4-环戊二烯-1-基)[(1-甲基乙基)苯]六氟磷酸铁盐等路易斯酸的鎓盐等的自由基光聚合引发剂。
当上述固化性官能团为环氧基时,或者在固化性官能团为环氧基、并且在固化性组合物中含有具有乙烯基醚基的化合物时,固化性组合物中可以含有六氟锑酸三苯基锍盐等的锍盐类、或碘鎓盐类、重氮盐类、芳烃-离子配合物类等阳离子光聚合引发剂。
这些聚合引发剂可以单独使用,或将2种以上组合使用,相对于固化性组合物100质量份,优选以0.01~10质量份的量使用。
本发明的固化性组合物中,除了聚合引发剂、固化剂以外,还可以加入粘度调节剂、分散剂、表面调节剂等添加剂。此时,相对于固化性组合物的总量100质量份,添加剂的总量优选为30质量份以下。添加剂量过多时,使用本发明的固化性组合物所的的微细图案的蚀刻性能可能会劣化。
另外,在本发明的固化性组合物中,为了提高涂布性,可以根据需要添加溶剂等。作为稀释溶剂,可以直接使用在制造上述含倍半硅氧烷骨架的化合物的反应中反应时使用的溶剂,也可以先在减压下将反应溶剂蒸馏除去,然后用不同的溶剂稀释。
作为这种溶剂,可以列举出甲基异丁基酮等的酮类溶剂、甲苯和二甲苯等的芳香族烃溶剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯等的酯类溶剂、2-丙醇、丁醇和己醇、丙二醇一正丙基醚、乙二醇一乙基醚等的醇类溶剂等。
[10μm以下的微细图案的形成方法]
下面对使用本发明的转印材料用固化性组合物形成10μm以下的微细图案的方法予以说明。这里,10μm以下的微细图案是指刻在金属模板上的、凹凸的线宽尺寸为10μm以下的图案、即一个凹陷的线宽和一个凸起的线宽之和为10μm以下的图案。
本发明的10μm以下的微细图案形成方法,其特征在于,包括下述工序:将本发明的转印材料用固化性组合物涂布在基板上的工序;将模板按压在该转印材料用固化性组合物上的工序;通过活性能量线照射和/或加热使该转印材料用固化性组合物固化的工序;以及从已固化的转印材料用固化性组合物上取下模板的工序。下面对各工序予以说明。
<1、涂布工序>
对将固化性组合物涂布在基板上的方法没有特殊限定,可以使用例如旋涂、浸涂等的方法,但优选使用使基板上的转印材料用固化性组合物的膜厚均匀的方法。图1(a)示出了涂布在基板上的本发明的固化性组合物的状态。
另外,基板是指在玻璃板等的基体上具有磁性膜和/或保护膜等的要形成图案的层的基板。
<2、转印工序和固化工序>
可以通过将已具有微细图案的模板按压在涂膜上(转印),来形成微细图案。将模板按压在涂膜上之后,通过活性能量线进行固化、或进行热固化,以使固化性组合物固化。此外,可以将两方法组合在一起,在加热下照射活性能量线。图1(b)和(c)中示出了将模板按压在涂布在基板上的本发明的固化性组合物上,通过活性能量线照射和/或热来固化该组合物的工序。
对模板的材质没有特殊限定,但在用紫外线等的活性能量线使固化性组合物固化时,优选使用活性能量线可以透射的树脂、玻璃或石英制的模板,这是由于即使在使用活性能量线不能透射的基板时,可以从模板面向固化性组合物的涂膜的方向照射活性能量线,从而使固化性组合物固化,形成微细图案。当基板为活性能量线可透射的透明基板等时,通常从透明基板的面向固化性组合物的涂膜的方向照射活性能量线,进行固化。
此外,对按压模板时、或之后的加热或照射能量线时的气氛没有特殊限定,但为了防止固化后的固化性组合物中残留气泡,优选为真空。此外,当固化性官能团为(甲基)丙烯酰基、烯丙基、乙烯基等的碳碳双键时,为了防止氧阻止聚合,优选在真空中按压模板、以及在真空中进行之后的加热或照射能量线。
<3、脱模工序>
在由本发明的固化性组合物形成的涂膜固化后,从涂膜上取下模板。在取下模板后,为了提高微细图案的耐热性、物理强度,可以加热。此时,对加热的方法没有特殊限定,但为了使形成的图案不坍塌,优选保持在涂膜的玻璃化转变温度以下的温度、慢慢升温,为了防止涂膜热分解,优选加热的上限为250℃。
这样来形成10μm以下的微细图案。该微细图案,是由作为物质的本发明的转印材料用固化性组合物固化而成的,氟类气和氧气的蚀刻速度选择性高。因此,由本发明的10μm以下的微细图案形成方法形成的微细图案对蚀刻使用的气体耐性高,所以容易控制蚀刻的程度,并且由于对除去时使用的气体耐性低,所以容易除去。因此,上述微细图案是优异的抗蚀体,可以在半导体、磁记录介质为代表的广泛用途中使用。
如上所述,本发明的转印材料用固化性组合物可以在磁记录介质为代表的广泛用途中使用。作为磁记录介质的用途,可以使用由上述的微细图案形成方法得到的固化膜的微细图案,在磁记录介质上形成该微细图案。例如,通过沿着该微细图案对磁记录介质的磁性膜的一部分进行除去加工或非磁性化,可以制造微细图案化的磁记录介质。下面对该方法予以说明。
(1.去底)
使用反应性离子蚀刻机(也称作RIE、离子减薄仪)蚀刻微细图案的凹陷部分,使磁性膜表面露出。图4示出了该工序的大概过程。
(2.磁性膜的一部分的除去加工或非磁性化)
通过离子减薄仪对露出的磁性部分进行蚀刻,或通过反应性气体对露出的磁性部分进行非磁性化。此时的微细图案必须对离子减薄仪和反应性气体具有耐性。图5示出了该工序的大概过程。另外,作为使磁性部分非磁性化的方法,可以列举出例如特开2007-273067号公报中记载的方法,即在磁性部上利用离子束法等注入硅、硼、氟、磷、钨、碳、铟、锗、铋、氪、氩等的原子,使磁性部分非晶化。
然后除去残留在磁性膜上的微细图案,从而得到磁记录介质。
通过将使用以上方法制造的磁记录介质装入到磁记录再生装置中,可以制造不仅可确保与以往同等或更好的的记录再生特性、并且大幅增加记录密度的磁记录再生装置。
实施例
下面通过实施例来详细说明本发明,但本发明并不以此为限。另外,在下面的实施例中,只要没有特别说明,“份”就表示“质量份”。
[实施例1]
在带有温度计和冷凝管的3口烧瓶中加入八(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷(アルドリツチ制:PSS-Octakis(dimethylsilyloxy)substituted)1.0g(0.98mmol)、甲基丙烯酸烯丙酯(三菱ガス化学制)1.98g(15.7mmol、以Si-H为基准,为2.0摩尔倍)、甲苯30ml,在氩气流下室温搅拌。一点点地添加2%的二乙烯基四甲基二甲硅醚铂配合物的二甲苯溶液(GELEST INC.制)0.093g(铂金属的重量是加入原料的1000ppm)。室温搅拌2小时,然后减压蒸馏除去甲苯溶剂(固化性组合物的、骨架式(1)占含倍半硅氧烷骨架的化合物的比例为:20.6%),将所得的产物溶解在丙二醇一甲基醚乙酸酯中使固体成分浓度为10%。
按照相对于固体成分100份添加3份的量,向所得的溶液中加入自由基光聚合引发剂2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(Darocure 1173チバ·スペシヤリテイ·ケミカルズ(株)社制),溶解后用0.2μm的过滤器过滤,将所得的固化性组合物0.5ml滴加到设置在旋涂机内的玻璃基板上。以500rpm的速度旋转玻璃基板5秒钟,然后再以3000rpm的速度旋转2秒钟,再以5000rpm的速度旋转20秒钟,从而在玻璃基板上形成薄膜。氮气流下对涂布有固化性组合物的玻璃基板照射紫外线。测定所得的固化薄膜在CF4气和氧气下的反应性离子蚀刻速度。
(蚀刻速度测定方法)
在已固化的薄膜上贴附小玻璃片,使用下面条件的反应性离子蚀刻装置进行蚀刻处理。取下小玻璃片,测定被小玻璃片保护的薄膜部分和被蚀刻的薄膜部分的高度差。
蚀刻速度(nm/秒)=高度差(nm)÷处理时间(秒)
反应性离子蚀刻的条件
(氟类气)
蚀刻气:四氟化碳
压力:0.5Pa
气流量:40sccm
等离子体电压:200W
偏电压:20W
处理时间:30秒
(氧气)
蚀刻气:氧气
压力:0.5Pa
气流量:40sccm
等离子体电压:200W
偏电压:20W
处理时间:600秒。
[比较例1]
向带有回流冷凝器、温度计、搅拌装置和陶瓷帽的100ml三口烧瓶中加入环状氢化硅氧烷(LS-8600、信越化学制)1.0g(4.2mmol)、甲基丙烯酸烯丙酯4.16g(33.3mmol)、甲苯30.0ml,氩气流下室温搅拌。使用注射器向该混合溶液中慢慢滴加2%的二乙烯基四甲基二甲硅醚铂配合物的二甲苯溶液(GELEST INC.制)0.0987g(1.0mol%),室温搅拌。室温搅拌2小时后,减压蒸馏除去甲苯溶剂,将所得的产物溶解在丙二醇一甲基醚乙酸酯中使固体成分浓度为10%。
按照相对于固体成分100份添加3份的量,在所得的溶液中溶解自由基光聚合引发剂2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(Darocure 1173チバ·スペシヤリテイ·ケミカルズ(株)社制),然后用0.2μm的过滤器过滤,将所得的组合物0.5ml滴加到设置在旋涂机内的玻璃基板上。以500rpm的速度旋转玻璃基板5秒钟,然后再以3000rpm的速度旋转2秒钟,再以5000rpm的速度旋转20秒钟,从而在玻璃基板上形成薄膜。氮气流下对涂布有固化性组合物的玻璃基板照射紫外线。测定所得的树脂薄膜在CF4气和氧气下的反应性离子蚀刻速度。
下表中示出了实施例1、比较例1在各气体下的反应性离子蚀刻速度。
[表1]
 实施例1  比较例1
 氧气蚀刻速度(nm/秒)  0.37  1.49
 CF4气蚀刻速度(nm/秒)  1.33  1.16
由实施例1的固化性组合物得到的固化物氧气蚀刻速度慢,可知氧气蚀刻耐性高。此外,实施例1在CF4下的蚀刻速度比比较例1快,可知由实施例1的固化性组合物得到的固化物蚀刻速度选择性非常高,适合作为抗蚀剂使用。
[实施例2]
在带有温度计和冷凝管的3口烧瓶中加入八(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷(アルドリツチ制:PSS-Octakis(dimethylsilyloxy)substituted)1.0g(0.98mmol)、甲基丙烯酸烯丙酯(三菱ガス化学制)1.98g(15.7mmol,以Si-H基准计算为2.0摩尔倍)、甲苯30ml,氩气流下室温搅拌。一点点地添加2%的二乙烯基四甲基二甲硅醚铂配合物的二甲苯溶液(GELEST INC.制)0.093g(铂金属的重量为加入原料的1000ppm)。室温搅拌2小时,然后减压下蒸馏除去甲苯溶剂(固化性组合物的、骨架式(1)占含倍半硅氧烷骨架的化合物的比例为20.6%),将所得的产物溶解在丙二醇一甲基醚乙酸酯中,使固体成分浓度为5%。
按照相对于固体成分100份添加3份的量,在溶液中溶解自由基光聚合引发剂2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(Darocure 1173チバ·スペシヤリテイ·ケミカルズ(株)社制),然后用0.2μm的过滤器过滤,将所得的固化性组合物0.5ml滴加到设置在旋涂机内的玻璃基板上。以500rpm的速度旋转玻璃基板5秒钟,然后再以3000rpm的速度旋转2秒钟,再以5000rpm的速度旋转20秒钟,从而在玻璃基板上形成薄膜。
接着在形成了上述固化性组合物膜的玻璃基板(圆盘状)的涂布固化性组合物的面上放置图2所示的石英玻璃制的、沿着半径方向形成了凹凸形状的模板,使模板的形成图案的面向下。此外,该模板的凹部的深度为150nm。将它们放置在紫外纳米压印加压装置ST50(东芝机械(株)社制)上,按压模板,并照射波长365nm、强度6.5mW的紫外光。将带有模板的圆板从加压装置中取出,取下模板,观察玻璃圆板上的被膜,没有发现图案缺损、涂膜不均匀等涂膜的不良状态。
图3示出了转印有图案的基板的截面SEM测定结果。
[实施例3]
在装有温度计和冷凝管的3口烧瓶中加入八(二甲基硅氧基)倍半硅氧烷(アルドリツチ制:PSS-Octakis(dimethylsilyloxy)substituted)1.0g(0.98mmol)、1,2-环氧-4-乙烯基环己烷0.975g(ダイセル化学工业制:セロキサイド2000、7.84mmol、以Si-H为基准,为1.0摩尔倍)、甲苯5ml,氩气流下室温搅拌。一点点地添加2%的二乙烯基四甲基二甲硅醚铂配合物的二甲苯溶液(GELEST INC.制)0.093g(铂金属的重量为加入原料的1000ppm)。室温搅拌2小时,然后减压蒸馏除去甲苯溶剂(固化性组合物的、骨架式(1)占含倍半硅氧烷骨架的化合物的比例为20.7%),将所得的产物溶解在丙二醇一甲基醚乙酸酯中使固体成分浓度为10%。
按照相对于固体成分100份添加1份的量,在所得的溶液中溶解阳离子光聚合引发剂六氟锑酸三苯基鏻(CPI-101Aサンアプロ(株)制),然后用0.2μm的过滤器过滤,将所得的固化性组合物0.5ml滴加到设置在旋涂机内的玻璃基板上。以500rpm的速度旋转玻璃基板5秒钟,然后再以3000rpm的速度旋转2秒钟,再以5000rpm的速度旋转20秒钟,从而在玻璃基板上形成薄膜。氮气流下对涂布有固化性组合物的玻璃基板照射紫外线。与实施例1同样测定所得固化薄膜在CF4气和氧气下的反应性离子蚀刻速度。
[表2]
 实施例3
 氧气蚀刻速度(nm/秒)  0.70
 CF4气蚀刻速度(nm/秒)  1.23
实施例1和实施例3的结果暗示了,在本发明的固化性组合物中,与固化性官能团为环氧基的情况相比,在固化性官能团为甲基丙烯酰基的情况中由固化性组合物得到的抗蚀剂的、蚀刻速度选择性更优异。

Claims (16)

1.一种转印材料用固化性组合物,是用于形成微细图案的组合物,其特征在于,含有含倍半硅氧烷骨架的化合物,所述含倍半硅氧烷骨架的化合物在同一分子内具有下式(1)所示的倍半硅氧烷骨架和固化性官能团,
所述含倍半硅氧烷骨架的化合物是通过具有Si-H基和下式(1)所示的倍半硅氧烷骨架的笼型倍半硅氧烷(A)、与具有所述固化性官能团和该固化性官能团以外的其它碳碳不饱和基团的化合物(B)进行硅氢化反应制造的,
所述笼型倍半硅氧烷(A)以下式(2)表示,
所述固化性官能团是选自(甲基)丙烯酰基和环氧基中的至少1种,
Figure FSB00000725006900011
式(2)中,R1表示氢原子或HR2R3SiO-,R2和R3独立表示芳香族烃基团或碳原子数1~10的脂肪族基团,多个存在的R1可相同也可以不同。
2.如权利要求1所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,
上述倍半硅氧烷骨架占上述含倍半硅氧烷骨架的化合物的分子量的5%以上。
3.如权利要求1或2所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述化合物(B)是选自下面所示的化合物(a)、化合物(b)和化合物(c)中的至少1种,
Figure FSB00000725006900012
上述式中,R4是下面所示的任一结构,R5是氢或甲基,
Figure FSB00000725006900021
上述式中,R6~R8是氢或甲基,R9是碳原子数为2~8的亚烷基。
4.如权利要求1或2所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述化合物(B)是1,2-环氧-4-乙烯基环己烷。
5.如权利要求1~4的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,含有固化剂或聚合引发剂。
6.如权利要求5所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述固化性官能团是环氧基,上述固化剂是酸酐。
7.如权利要求1~3的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,还含有多元硫醇化合物,上述固化性官能团是(甲基)丙烯酰基。
8.如权利要求1~4的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,还含有具有乙烯基醚基的化合物,上述固化性官能团是环氧基。
9.如权利要求1~8的任一项所述的转印材料用固化性组合物,其特征在于,上述微细图案是10μm以下的微细图案。
10.一种微细图案形成方法,其特征在于,包括下述工序:
将权利要求1或2所述的转印材料用固化性组合物涂布在基板上的工序;
将模板按压在该转印材料用固化性组合物上的工序;
通过加热使上述转印材料用固化性组合物固化的工序;以及
从已固化的转印材料用固化性组合物上取下模板的工序。
11.一种微细图案形成方法,其特征在于,包括下述工序:
将权利要求1~10的任一项所述的转印材料用固化性组合物涂布在基板上的工序;
将模板按压在该转印材料用固化性组合物上的工序;
照射活性能量线以使上述转印材料用固化性组合物固化的工序;以及
从已固化的转印材料用固化性组合物上取下模板的工序。
12.如权利要求11所述的微细图案形成方法,其特征在于,从模板面向上述转印材料用固化性组合物的涂膜的方向照射上述活性能量线。
13.如权利要求11所述的微细图案形成方法,其特征在于,上述基板是透明基板,从透明基板面向上述转印材料用固化性组合物的涂膜的方向照射上述活性能量线。
14.一种已微细图案化的磁记录介质的制造方法,其特征在于,上述基板在基体上具有磁性膜,利用通过权利要求10~13的任一项所述的方法形成的微细图案对上述磁性膜的一部分进行除去或非磁性化。
15.一种磁记录介质,其特征在于,由权利要求14所述的方法得到。
16.一种磁记录再生装置,其特征在于,具有权利要求15所述的磁记录介质。
CN2008801174126A 2007-11-30 2008-11-11 转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法 Active CN101883797B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP311446/2007 2007-11-30
JP2007311446 2007-11-30
JP2008136664 2008-05-26
JP136664/2008 2008-05-26
PCT/JP2008/070519 WO2009069465A1 (ja) 2007-11-30 2008-11-11 転写材料用硬化性組成物および該組成物を用いた微細パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101883797A CN101883797A (zh) 2010-11-10
CN101883797B true CN101883797B (zh) 2012-10-17

Family

ID=40678367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801174126A Active CN101883797B (zh) 2007-11-30 2008-11-11 转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20110129689A2 (zh)
JP (1) JP5258788B2 (zh)
CN (1) CN101883797B (zh)
TW (1) TW200940567A (zh)
WO (1) WO2009069465A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110135749A1 (en) * 2008-03-04 2011-06-09 Agency For Science, Technology And Research Low shrinkage multifunctional ssq resins
CN102666731B (zh) * 2009-12-04 2014-12-31 道康宁公司 硅倍半氧烷树脂的稳定化
TWI384636B (zh) * 2009-12-31 2013-02-01 Nat Univ Tsing Hua 以液態或凝膠態前驅物形成圖案化金屬氧化物層或圖案化金屬層之製作方法
JP5570267B2 (ja) * 2010-03-26 2014-08-13 新日鉄住金化学株式会社 ポリエン/ポリチオール系感光性樹脂組成物
JP2012097225A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Daicel Corp 硬化性樹脂組成物及び硬化物
JP5999375B2 (ja) * 2011-09-22 2016-09-28 日産化学工業株式会社 ハードディスク用平坦化膜形成組成物
CN102591140B (zh) * 2011-12-30 2013-07-24 苏州锦元纳米科技有限公司 一种纳米压印方法
CN108549122A (zh) * 2012-11-29 2018-09-18 新加坡科技研究局 形成具有柱状透镜阵列的膜的方法
CN103279011B (zh) * 2013-06-14 2016-03-30 中国科学院光电技术研究所 一种巯基-烯紫外光固化纳米压印材料
US9341948B2 (en) * 2013-08-24 2016-05-17 Polyera Corporation Photopatternable materials and related electronic devices and methods
US10331030B2 (en) 2014-08-21 2019-06-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Imprint material
CN106054523B (zh) * 2016-05-24 2019-10-18 北京化工大学 一种双重响应型可降解光刻胶及其制备方法和使用方法
WO2018164017A1 (ja) * 2017-03-08 2018-09-13 キヤノン株式会社 硬化物パターンの製造方法、光学部品、回路基板および石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コート用材料およびその硬化物
KR101996262B1 (ko) * 2017-09-01 2019-10-01 (주)휴넷플러스 차단성 수지 조성물, 광경화 차단막의 제조방법 및 전자소자
TWI770354B (zh) * 2018-01-31 2022-07-11 日商大日本印刷股份有限公司 熱轉印片、脫膜層用塗佈液、及熱轉印片之製造方法
CN116679530B (zh) * 2023-05-31 2024-01-26 珦盛新材料(珠海)有限公司 感光性树脂组合物、环状硅氧烷化合物、元件、抗蚀剂图形的和印刷线路制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261265A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 位相シフター光学素子その製造方法及び得られる素子
JP2006285017A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Seiko Epson Corp 微細パターンの形成方法及び偏光分離素子の製造方法
CN1968992A (zh) * 2004-07-16 2007-05-23 陶氏康宁公司 辐射敏感的有机硅树脂组合物
WO2007094848A2 (en) * 2006-02-13 2007-08-23 Dow Corning Corporation Antireflective coating material

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4443495A (en) * 1981-03-05 1984-04-17 W. R. Grace & Co. Heat curable conductive ink
JP2572073B2 (ja) * 1987-09-18 1997-01-16 富士通株式会社 パターン形成材料
US20040036201A1 (en) * 2000-07-18 2004-02-26 Princeton University Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography
US7553904B2 (en) * 1999-08-04 2009-06-30 Hybrid Plastics, Inc. High use temperature nanocomposite resins
US6605669B2 (en) * 2001-04-03 2003-08-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Radiation-curable coating compounds
JP4208447B2 (ja) * 2001-09-26 2009-01-14 独立行政法人科学技術振興機構 Sogを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー
JP4256756B2 (ja) * 2002-09-30 2009-04-22 新日鐵化学株式会社 官能基を有するかご型シルセスキオキサン樹脂の製造方法
US7297460B2 (en) * 2003-02-26 2007-11-20 Agfa-Gevaert Radiation curable ink compositions suitable for ink-jet printing
JP4185008B2 (ja) * 2004-03-26 2008-11-19 株式会社東芝 ナノインプリント用組成物およびそれを用いたパタン形成方法
JP4775561B2 (ja) * 2005-04-01 2011-09-21 信越化学工業株式会社 シルセスキオキサン系化合物混合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法
JP4649262B2 (ja) * 2005-04-19 2011-03-09 株式会社東芝 磁気記録媒体の製造方法
JP2007016128A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Nagase Chemtex Corp 光学樹脂
JP5000112B2 (ja) * 2005-09-09 2012-08-15 東京応化工業株式会社 ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法
US7468330B2 (en) * 2006-04-05 2008-12-23 International Business Machines Corporation Imprint process using polyhedral oligomeric silsesquioxane based imprint materials
JP5036810B2 (ja) * 2006-05-15 2012-09-26 日東電工株式会社 発光デバイスおよび組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1968992A (zh) * 2004-07-16 2007-05-23 陶氏康宁公司 辐射敏感的有机硅树脂组合物
JP2006261265A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 位相シフター光学素子その製造方法及び得られる素子
JP2006285017A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Seiko Epson Corp 微細パターンの形成方法及び偏光分離素子の製造方法
WO2007094848A2 (en) * 2006-02-13 2007-08-23 Dow Corning Corporation Antireflective coating material

Also Published As

Publication number Publication date
JP5258788B2 (ja) 2013-08-07
US20130307195A1 (en) 2013-11-21
CN101883797A (zh) 2010-11-10
JPWO2009069465A1 (ja) 2011-04-14
WO2009069465A1 (ja) 2009-06-04
US20100316889A1 (en) 2010-12-16
TW200940567A (en) 2009-10-01
US20110129689A2 (en) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101883797B (zh) 转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法
CN101848915B (zh) 含环氧基的有机硅氧烷化合物、转印材料用固化性组合物和使用该组合物的微细图案形成方法
EP1784465B1 (en) Coating composition for film with low refractive index and film prepared therefrom
US8691389B2 (en) Method of nanopatterning, a cured resist film use therein, and an article including the resist film
US10197916B2 (en) Curable composition, resist material and resist film
TW201239528A (en) Cured composition for nano-imprint, nano-imprint molding and method for forming pattern
CN101978420A (zh) 磁记录介质的制造方法、磁记录介质和磁记录再生装置
CN101479662A (zh) 印刷形式前体和由该前体制备压模的方法
TW201540782A (zh) 氧電漿蝕刻用抗蝕劑材料、抗蝕劑膜、及使用其之積層體
TWI513769B (zh) 可加工之無機及有機聚合物調配物、其製造方法及用途
TW201116862A (en) Process for production of laminate, and laminate
CN103376661B (zh) 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件
TW201522391A (zh) 含反應性聚矽氧化合物之聚合性組成物
JP2010031254A (ja) ヒドロシリル化反応物およびその製造方法、該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物、ならびに該ヒドロシリル化反応物または該転写材料用硬化性組成物を用いた転写層の製造方法
KR101611935B1 (ko) 투명 플라스틱 기판용 수지 조성물
JP2012532980A (ja) 光硬化型含フッ素樹脂組成物およびこれを用いた樹脂モールドの製造方法
CN103279011A (zh) 一种巯基-烯紫外光固化纳米压印材料
CN102197055A (zh) 转印材料用固化性组合物和图案形成方法
JP2011077353A (ja) 転写材料用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
EP1672026A1 (en) Resin composition for protective film
WO2021187324A1 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、パターン構造、及びパターン硬化膜の製造方法
TW200925781A (en) Mold film composition for forming pattern and mold film manufactured by using the same
TW201932271A (zh) 凹凸結構體的製造方法、製造凹凸結構體的方法中使用的積層體及該積層體的製造方法
Shin et al. Diazoketo-functionalized POSS resists for high performance replica molds of ultraviolet-nanoimprint lithography
JP5729744B2 (ja) 表面にパターンが形成された積層体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230512

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha