CN101874302A - 具有至少两个发光半导体组件的装置和用于制备这种装置的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有至少两个互相相邻设置的发光半导体组件(101、111)的装置，其具有包封(102、112)，该包封总是至少部分地包围至少两个发光半导体组件。在包封中含有转换物质，所述转换物质部分或完全地转换由半导体组件发射出的辐射的波长范围。在至少两个发光半导体组件之间设置至少一个光学阻尼元件(103)，其光学隔绝半导体组件的各个包封，以减少从至少一个包封(102)到至少另一个包封(112)的耦合，或减少从至少一个半导体组件(101)到至少另一个半导体组件(111)的包封(112)的耦合。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有至少两个发光半导体组件的装置和一种用于制备具有至少两个发光半导体组件的装置的方法。
背景技术
本专利申请要求德国专利申请10 2007 056 925.6和德国专利申请10 2008 011 153.8的优先权，这两个德国专利申请的所有公开内容特此通过引用并入到本专利申请中。
为了借助于发光半导体组件生成白光，发光半导体组件配备有含有转换物质的包封(Umhüllung)。这种转换物质将从半导体组件发出的第一波长范围的辐射(一次辐射)转换成第二波长范围的辐射(二次辐射)，该第二波长范围与第一范围不同。可以以这种方式或者通过一次辐射与二次辐射相混合来生成白光，或者通过经转换的辐射的颜色份额混合在一起而得出白光。
当多个发光半导体组件与转换包封相邻设置时，相邻的发光组件的辐射可导致半导体组件的转换物质的激发，其中在半导体组件上没有施加电压。这种伴随照明导致，只能用高的费用才可实现在明亮区域和黑暗区域之间需要有精确划分的应用。
发明内容
本发明的任务是，给出一种具有至少两个发光半导体组件的装置以及一种用于制备具有至少两个发光半导体组件的装置的方法，其中该发光半导体组件可更简单地和成本更低廉地制备。
该任务通过具有权利要求1的特征的装置以及具有权利要求11的特征的方法来实现。
具有至少两个互相相邻设置的发光半导体组件的装置具有包封，该包封总是至少部分地包围所述至少两个发光半导体组件。在包封中含有转换物质，该转换物质部分地或完全地转换从半导体组件所发射的辐射的波长范围。该装置具有至少一个光学阻尼元件，该光学阻尼元件设置在所述至少两个发光半导体组件之间。该阻尼元件光学地隔绝各自的包封，以减少从至少一个半导体组件发出的辐射到至少另一个半导体组件的包封中的光学耦合。阻尼元件也可减少从至少一个包封所发射的辐射到至少另一个包封中的光学耦合。
在一个实施方案中阻尼元件被构造为用于至少两个发光半导体组件的承载元件的增长物。例如承载元件和阻尼元件由一体构造，例如由陶瓷构成。为了减少通过该增长物的透射，阻尼元件可以用不能通过光线的材料涂层，例如电镀金属层。承载元件的增长物达到至少直至所述包封的高度，以光学地隔绝所述包封。
在另一个实施方案中阻尼元件被构造为由浇注材料构成的物体，所述物体包围至少两个半导体组件和各自的包封并且光学隔绝所述包封。阻尼元件可以是由塑料构成的物体，该物体包围至少两个半导体组件和各自的包封并且光学隔绝该所述包封。
光学阻尼元件可作为透光的覆盖物的一部分，所述覆盖物用于保护半导体组件而被设置在半导体组件上的上方。在一个实施方案中，硅条足够高，使得该硅条与覆盖物相连接地-例如通过阳极键合连接-对所述包封进行光学隔绝。在另一个实施方案中，由经压注的塑料构成的物体与覆盖物连接，例如粘合或压到覆盖物上。阻尼元件可以是覆盖物的成形物，其与覆盖物由一体构造。该成形物用不透光的涂层配备，所述涂层例如是含铬的。
在用于制备具有至少两个相邻设置的发光半导体的方法中设置有包封，该包封总是至少部分地包围两个发光半导体。在包封中含有转换物质，该转换物质将半导体组件所发出的辐射的波长范围部分地或完全地转换。在两个发光半导体组件之间安装至少一个光学阻尼元件。该阻尼元件光学地隔绝各个包封，以减少从至少一个半导体组件所发出的辐射到至少另一个半导体组件的包封中的光学耦合。阻尼元件也可减少从至少一个包封所发出的辐射到至少另一个包封中的光学耦合。
该方法可以包括在承载元件上安装发光半导体组件并且在半导体组件之间设置阻尼元件。阻尼元件足够高，使得其光学隔绝包封并且具有使得至少两个半导体元件互相能够以小的距离定位的形状。
在一个实施方案中光学阻尼元件和承载元件被构造为一体并且二者由相同的材料制备。在另一个实施方案中该方法包括在至少两个发光半导体组件之间对浇注材料进行丝网印刷。该方法可以对具有塑料的发光半导体组件进行注塑封装，使得塑料光学隔绝所述包封。
该方法可以包括提供用于保护至少两个半导体组件的透光的覆盖物，在覆盖物处构造至少一个光学阻尼元件并且设置覆盖物，使得至少一个光学阻尼元件处于至少两个发光半导体组件之间。例如光学阻尼元件通过阳极键合而与覆盖物连接。该方法可以包含对由与覆盖物连接的硅层构成的承载元件进行腐蚀。光学阻尼元件可以粘合或压到覆盖物上。在另一个实施方案中冲压具有至少一个构造的覆盖层，并且该构造用透光的材料进行涂层。
附图说明
其它特征、优点和扩展方案由下面与图1至13相结合所阐释的示例给出。
图1示出根据一个实施方案的装置的示意图，
图2示出发光半导体组件的示意图，
图3示出具有阻尼元件的承载元件的示意图，
图4示出根据具有由浇注材料构成的物体
的实施方案的装置的示意图，
图5示出根据具有塑料物体的实施方案的装置的示意图，
图6示出承载元件以及透光覆盖物的示意图，在该透光覆盖物处设置有阻尼元件，
图7示出透光覆盖物的示意图，在该透光覆盖物上安装有阻尼元件，
图8示出透光覆盖物的示意图，该透光覆盖物与成形物一起被冲压出，
图9A至9D示出用于如下方法的实施例的示意图，所述方法用于具有包封的半导体组件的重注(Umgieβen)，
图10A至10C示出如下方法的示意图，在该方法的情况下阻尼元件设置在承载元件上，
图11A和11B示出用于丝网印刷法的实施例的示意图，
图12A至12C示出用于如下方法的实施例的示意图，在该方法的情况下光学阻尼元件设置在透光的覆盖物上，以及
图13A至13C示出蚀刻法的实施例的示意图。
具体实施方式
图1示出发光半导体组件101和111、构成荧光转换层102和112的发光半导体组件的包封、以及光学阻尼元件103。半导体组件在施加电压时发出确定的波长范围内的辐射。包封含有转换材料，该转换材料在其受到确定波长范围的电磁辐射的激发时发射确定波长的辐射。该转换材料可含有至少一种发光材料。适于作为发光材料的例如是无机发光材料或有机发光材料。
进行激发和所发射的辐射的波长范围是不同的。包封或者可以转换所有入射到其上的辐射，该包封也可以只转换一部分入射辐射并让其余部分通过，而不显著地影响所通过的辐射的波长范围。
阻尼元件用于以光学方式分离包封或者包封和半导体组件。对于从半导体组件和包封发射出的波长范围来说，该阻尼元件尽可能不透光。
在所示出的实施例中阻尼元件设置在具有各自的包封的两排半导体组件之间，并且很大程度上阻止相邻设置的半导体组件和/或其转换层所发射的辐射对包封中的转换材料进行激发，其中在包封所属的半导体组件上未施加电压。
可以设置许多在其它排之间的其它阻尼元件，以便使所述其它排互相在光学上隔绝。阻尼元件也可以以晶格状构造，使得每个具有各自的包封的半导体组件与其余相邻的半导体组件及其包封基本上光学分离。阻尼元件也可以被构造为使得具有各自的包封的发光半导体组件阵列互相分离。
阻尼元件的宽度104尽可能小，由此半导体组件几乎可以并排设置。因此，这对该装置的发光图像起到均匀的效果。也可在发射辐射的半导体组件与未施加电压的半导体组件之间达到较高的对比度。对比度值尽可能地超过100∶1，例如为200∶1。
图2示出发光半导体组件201、荧光转换层202、导电体204以及承载元件205的示意图。荧光转换层设置在发光半导体组件上，使得可转换由半导体组件发出的辐射。半导体组件设置在承载元件上并且与导体导电地相连接。
通过导体可在半导体组件处施加电压。在一个实施方案中，在施加电压时从半导体组件发射出的辐射处于蓝光的颜色范围中，例如为445nm。转换物质可通过由发光半导体组件发射出的一次辐射来激发并且发射出二次辐射。在一个实施方案中，该二次辐射的波长范围处在黄光的颜色范围中，也即在560与590nm之间。在另一个实施方案中，转换物质发射如下辐射：该辐射处于不同的波长范围中，例如处于红光(625至740nm)和绿光(520至560nm)的颜色范围中。
一次辐射和二次辐射具有不同的波长范围。一次辐射中的一部分在没有波长转换的情况下通过转换物质。一次辐射和二次辐射相加地混合。所期望得到的色点-例如白色-例如可通过调节一次辐射和二次辐射的混合比例而调节。转换物质也可转换所有一次辐射。在这种情况下，二次辐射由不同波长的辐射构成，这些不同波长以混合在一起的方式给出所期望的色点。
在蓝光颜色范围中的辐射与在黄光颜色范围中辐射混合得出白光。在红光颜色范围中的辐射与在绿光颜色范围中辐射混合得出黄光。在蓝光、红光和绿光颜色范围中的辐射混合得出白光。
承载元件可以用于导出在发光半导体组件中产生的热。为此，该承载元件由足够良好地导热的材料制成，例如陶瓷。
图3示出具有包封、光学阻尼元件303、导电体304以及承载元件305的发光半导体组件，其中该包封含有荧光转换层301。半导体组件设置在承载元件上并且可通过导体而被供给电压。阻尼元件与承载元件形成一体。为此，在制备承载元件时在半导体组件之间的位置处构成承载元件的增长部
为了达到半导体组件的期望窄的光栅，尽可能薄地构造该增长部。该增长部可以用透光的材料来进行涂层，以提高光学阻尼作用，例如可以以电镀方式施加金属层。
在所示出的实施方案中，承载元件的增长部分开二行半导体组件。但是，阻尼元件也可被构造为使得每个具有各自的包封的半导体组件与其余相邻的半导体组件及其包封光学分离。阻尼元件也可被构造为使得确定的半导体组件的阵列相互光学地分离。阻尼元件的高度302至少足够高，使得具有各自的包封的发光半导体组件充分地互相隔绝，即没有荧光转换层被无意地激发。
图4示出具有包封、框架402、浇注材料403、导电体404和承载元件405的发光半导体组件401。该包封含有荧光转换层。该半导体组件设置在承载元件上并且可通过导体被供给电压。所述框架围绕其中设置有半导体组件的区域构成。该框架用于使不应被浇注材料覆盖的区域与该浇注材料隔离。
该浇注材料在框架内部足够高地对区域进行覆盖，使得发光半导体组件和相应的具有荧光转换材料的包封光学地隔绝，但是最大直至发光半导体组件和从那里发射出辐射的包封的表面406的高度。
除了尽可能透光的浇注体之外，可在发光半导体组件和浇注物质的上方在表面406那侧安装用于保护该半导体组件的透光浇注物。在这种情况下，所述框架必须被构造为足够高，使得透光的浇注材料只在框架内扩展开并且使不应覆盖该浇注材料的区域与该透光的浇注材料隔离。
图5示出具有包封、键和线502、壳体503、导电体504和承载元件505的发光半导体组件。包封含有荧光转换层。具有荧光转换层的半导体组件设置在承载元件上并且可通过导体和键合线被供给电压。壳体例如由尽可能透光的塑料构成并且包围该发光半导体组件、荧光转换层、承载元件以及部分的导体。通过在具有各自的包封的发光半导体组件之间构造壳体使这些发光半导体组件互相光学地隔绝。
除了光学分离之外，塑料体还满足保护体的功能。壳体例如用于保护导体和半导体组件免受外部影响以及用于使例如在安装期间对该装置的操作简单化。
图6示出具有包封、覆盖物602、光学阻尼元件603、导电体604和承载元件605的发光半导体组件。包封含有荧光转换层。该半导体组件设置在承载元件上并且可通过导体被供给电压。覆盖物由透光材料构成并且用于保护该半导体组件免受外部影响，其中所述透光材料例如是玻璃、例如BF33或硅硼酸玻璃。
光学阻尼元件被设置为覆盖物的一部分。在该图中，覆盖物未在其最终位置中示出，而在与半导体组件和承载元件存在较大的距离。阻尼元件的高度606足够高，使得当覆盖物被设置在其预先给定的位置中时阻尼元件对半导体组件和各自的包封起到光学分离的作用。
在一个实施方案中阻尼元件到达直至所述包封之间，在另一个实施方案中阻尼元件到达直至所述包封和发光半导体组件之间。所以，阻尼元件减少从至少一个包封中所发射出的辐射到至少另一包封中的光学耦合。阻尼元件也可以减少从至少一个半导体组件所发射出的辐射到至少另一个半导体组件的包封中的光学耦合。
在所示出的实施例中，通过光学阻尼元件使具有荧光转换层的两排发光半导体组件相互隔绝。也可设置其它的光学阻尼元件，以互相隔绝多于二排的具有各自的包封的半导体组件。
如在所示出的实施方案中那样，阻尼元件可以是矩形的，该阻尼元件也可以具有其它形状，例如在横截面中是三角形的。所述形状被构造为使得发光半导体组件尽可能互相靠近地设置。宽度607例如在0.05mm至0.3mm的范围内，高度在0.2mm至0.8mm的范围内。阻尼元件例如通过阳极键连而与覆盖物连接并且在一个实施方案中可由硅构成。
图7示出具有隔断701的覆盖物702。阻尼元件被构造为晶格状，使得当覆盖物被设置在其所规定的位置中以保护半导体组件时，发光半导体组件与相邻的半导体组件光学隔绝。阻尼元件也可以被构造为使得具有各自的荧光转换层的多排发光半导体组件互相隔绝。
覆盖物由透光材料、例如玻璃制成。阻尼元件可以由安装在覆盖物上的尽可能透光的涂层蚀刻而成。尽可能透光的涂层例如是硅涂层，该硅涂层例如阳极地键合到覆盖物上。在另一个实施方案中，阻尼元件由塑料构成并且例如粘合或压到覆盖物上。
图8示出覆盖物802的经涂覆的构造801。该覆盖物由透光材料制备。所述构造尽可能地透光地被涂层，例如具有金属结构。覆盖物的构造足够高，使得当覆盖物被设置在其所规定的位置中以用于保护半导体组件时，所述构造可以光学地隔绝发光半导体组件的包封。阻尼元件被构造为晶格状，使得发光半导体组件与相邻的半导体组件光学地隔绝。阻尼元件也可以被构造为使得具有各自的荧光转换层的多排发光半导体组件互相隔绝。
图9A示出发光半导体组件901和911、具有荧光转换层902和912的包封、导体904、键合线905以及保护元件906。具有荧光转换层的半导体组件与由导体904构成的导线框架例如通过粘结或焊接连接。在发光半导体组件和包封的与该导线框架相对的表面上安装保护元件、例如保护薄膜，该保护薄膜在下面的方法步骤中保护半导体组件和包封免受损害、例如刮擦。
图9B示出压注模具907，该压注模具在一侧上较精确地用保护元件封闭，在另一侧上用导线框架封闭。在本方法中出现的塑料体可以将发光半导体组件和各自的包封互相光学地分离。导线框架的与半导体组件相对的那侧以及发光半导体组件的发射出辐射的那侧不用浇注材料覆盖。
图9C示出塑料体903，该塑料体903包围具有各自的包封的发光半导体组件。该塑料体具有通过压注模具而预先给定的形状，并且既不覆盖导线框架的与半导体组件相对的那侧也不覆盖半导体组件的表面，其中从该表面中发射出辐射。塑料体将发光半导体组件和各自的包封相互光学地分离。
图9D示出移除保护元件的该装置。在保护元件充分地透光时，这个步骤可以取消。在这种情况下，透光的保护元件可保留在该装置中。
图10A示出具有荧光转换层105、承载元件106和导电体107的发光半导体组件。具有荧光转换层的发光半导体组件安装在承载元件上。通过导体可施加电压。在该实施例中设置具有各自的包封的2x2半导体组件。在其它实施方案中在承载元件上设置许多半导体组件，例如具有各自的包封的13x66半导体组件的装置。
在图10B中，阻尼元件108设置在具有荧光转换层的两排发光半导体组件之间。阻尼元件足够高，使得该阻尼元件将发光半导体组件和各自的包封相互分离。在所示出的实施方案中，两排发光半导体组件互相光学隔绝。阻尼元件也可被构造为晶格形状并且半导体组件可与它们各自相邻的半导体组件光学地隔绝。
在承载元件被用发光半导体组件装备之前，可将阻尼元件设置在承载元件上。图10C示出这样的具有阻尼元件的承载元件。
图10C示出具有导体和芯片连接面109的承载元件。阻尼元件设置在芯片连接面之间。当在承载元件上安装半导体组件时，这导致如在图10B中所示出的装置。承载元件和阻尼元件可构造成一体，例如由陶瓷构成并用半导体组件装备。
图11A示出具有荧光转换层113、框架114、浇注材料115、导电体116、承载元件117和模板(Schablone)118的发光半导体组件。半导体组件设置在承载元件上并且可通过导体被供应电压。框架被设置在承载元件上，使得该框架包围应该用浇注材料填充的区域。
借助于模板压力通过模板将浇注材料压到承载元件上。模板在应压印浇注材料的地方具有孔。浇注材料在压到承载元件上后进一步扩展开，直至该浇注材料完全硬化。框架限制浇注材料的扩展。浇注材料不应覆盖半导体组件的发射出辐射的表面119。通过设置在承载元件上方的模板应该压印如此之多的浇注材料，使得所述浇注材料在承载元件上足够高，以便使具有荧光转换层半导体组件光学隔绝，但是不覆盖表面119。
图11B示出具有由浇注材料115制成的浇注体110、承载元件以及具有包封的半导体组件的装置。浇注体被压到装置上。只有具有荧光转换层的半导体组件的表面119保持露出，其中从该表面119发射出辐射。其它的面由浇注材料包围。通过该框架可以确定，承载元件上的哪些区域被浇注材料覆盖。
在承载元件上可设置许多框架，以便能够在该承载元件上构造多个浇注体。这些框架分别包括一个区域，在该区域中浇注体被构造用于对在该区域中所设置的具有荧光转换层的发光半导体组件进行光学隔绝。
图12A示出透光的覆盖物122。该覆盖物用于保护具有荧光转换层的半导体组件的装置免受外部影响。该覆盖物122是透光的，因此吸收和反射尽可少的在半导体组件和荧光转换层所发射的波长范围内的辐射。
在一个实施方案中，由该装置所发射的辐射的范围处于可见光范围，即在约380nm与780nm之间。但是，对于红外范围(780nm至1mm)或紫外范围(1nm至380nm)中的辐射来说，该覆盖物也可以是透光的。该覆盖物可以满足光学功能，例如该覆盖物可被构造为透镜或含有起透镜作用区域。
图12B示出阻尼元件123。该阻尼元件是尽可透光的并且设置在覆盖物的位置处，在该位置处设置对应该由覆盖物所覆盖的发光半导体组件进行光学分离。阻尼元件被构造为使得要覆盖的半导体组件可以尽可能相互靠近地设置。
阻尼元件例如可通过阳极键合而与覆盖物连接，该阻尼元件例如是阳极键连的硅条。在另一个实施方案中阻尼元件粘合在覆盖物上，在另一个实施方案中阻尼元件压印到覆盖物上。
在另一个实施方案中，阻尼元件在冲压覆盖物时被形成为覆盖物的构造。这些构造被用透光的材料进行涂层，例如以电镀方式具有金属结构。
图12C示出具有荧光转换层121的发光半导体组件，这些发光半导体组件用具有阻尼元件的覆盖物覆盖。该覆盖物被设置在具有荧光转换层的半导体组件的上方，使得阻尼元件处在这些半导体组件之间，并且将这些半导体组件与相邻所设置的半导体组件和荧光转换层光学地分离。
图13A示出透光的覆盖物132和尽可能不透光的层131。所述覆盖物与该层连接。覆盖物例如由玻璃构成。所述层例如是硅层，该层阳极地键合到覆盖物上。
图13B示出蚀刻掩模134。该蚀刻掩模用于穿孔蚀刻，并且被构造为使得在蚀刻过程后阻尼元件保留在玻璃覆盖物的位置处，其中在该位置处具有荧光转换层的半导体组件应被光学地互相隔绝。
该蚀刻掩模例如由氧化硅(SiO)或氮化硅(SiN)构成。通过较细的掩模结构和该掩模出现的根蚀(
)-即蚀刻材料侵入到掩模下方，可以构成楔形的阻尼元件。这例如构造54.7°的角。所述蚀刻材料例如是氢氧化钾(KOH)或乙二胺对苯二酚(EDP)。覆盖物的在那里半导体组件的辐射应尽可能地无妨碍地通过该覆盖物的区域通过对不透光层的蚀刻制成。
图13C示出在腐蚀过程后的具有阻尼元件133的覆盖物。阻尼元件以楔形构造在位置处，在这些位置处期望对应由覆盖物覆盖的半导体组件进行光学分离。所述阻尼元件是足够高的，以到达半导体组件的包封和半导体组件之间。阻尼元件具有如下形状：该形状使得要覆盖的半导体组件能够邻近地设置。
Claims (15)
1.一种具有至少两个相互相邻设置的发光半导体组件(101、111)的装置，包括：
-总是至少部分地包围所述至少两个发光半导体组件的包封(102、112)，在该包封中含有转换物质以用于部分或完全地对由所述至少两个发光半导体组件(101、111)所发射出的辐射进行波长转换，以及
-至少一个光学阻尼元件(103)，该光学阻尼元件设置在所述至少两个发光半导体组件(101、111)之间并且对各个包封(102、112)进行光学隔离，以减少从至少一个半导体组件(101)发射出的辐射到至少另一个半导体组件(111)的包封(112)中的光学耦合或者从至少一个包封(102)发射的辐射到至少另一个包封(112)中的光学耦合。
2.根据权利要求1所述的装置，包括承载元件(305)，该承载元件支承至少两个半导体组件(301)，其中所述承载元件(305)和所述至少一个光学阻尼元件(303)由一体构造。
3.根据权利要求2所述的装置，包括所述载波元件(305)的至少一个增长物(303)，该增长物(303)设置在所述至少两个半导体组件(301)之间，到达直至所述包封的高度并且光学隔绝所述包封。
4.根据权利要求1所述的装置，包括由浇注材料(113)构成的物体(403)，该物体包围所述至少两个半导体组件(101、111)和各个包封并且光学隔绝所述包封。
5.根据权利要求1所述的装置，包括由塑料构成的物体(503)，该物体包围所述至少两个半导体组件(501)和各个包封并且光学隔绝所述包封。
6.根据权利要求1所述的装置，包括用于保护所述至少两个半导体组件(601)的透光覆盖物(602、702)，所述覆盖物具有至少一个构造(603、701)，该构造光学隔绝所述包封。
7.根据权利要求6所述的装置，包括至少一个硅条(603)，所述硅条足够高使得对所述包封进行光学隔绝。
8.根据权利要求7所述的装置，包括阳极键合连接，该阳极键合连接连接至少一个硅条(603)和所述覆盖物(602)。
9.根据权利要求6所述的装置，包括至少一个覆盖物(802)的成形物(801)，该成形物(801)与所述覆盖物由一体构造，用不透光的涂层装备并且足够高使得该成形物(801)光学隔绝所述包封。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述不透光的涂层是含铬的。
11.一种用于制备具有至少两个相邻设置的发光半导体组件(901、911)的装置的方法，
-其中设置总是至少部分地包围所述两个发光半导体组件(901、911)的包封(902、912)，在该包封中含有转换物质以用于部分或完全地对由所述至少两个发光半导体组件(901、911)发射出的辐射进行波长转换，以及
-其中至少一个光学阻尼元件(903)被安装在所述至少两个发光半导体组件(901、911)之间，所述光学阻尼元件光学隔绝各个包封(902、912)，以减少从至少一个半导体组件(901)发射出的辐射到至少另一个半导体组件(911)的包封(902)中的光学耦合或者从至少一个包封(912)发射的辐射到至少另一个包封(902)中的光学耦合。
12.根据权利要求11所述的方法，包括：
-将所述至少两个发光半导体组件(105)安装到承载元件(106)上；
-将所述至少一个光学阻尼元件(108)设置在所述至少两个半导体组件(105)之间的承载元件(106)上，其中所述至少一个光学阻尼元件(108)足够高，使得所述光学阻尼元件光学地隔绝所述包封并且具有使得所述至少两个半导体组件(105)能够以小距离定位的形状。
13.根据权利要求11所述的方法，包括：
-将所述至少一个光学阻尼元件(108)设置在所述至少两个用于半导体组件的连接面(109)之间的承载元件(106)上；
-将所述至少两个发光半导体元件(105)安装到所述连接面(109)上，其中所述至少一个光学阻尼元件(108)足够高，使得所述光学阻尼元件光学隔绝所述包封并且具有使得所述至少两个半导体组件(105)能够以小距离定位的形状。
14.根据权利要求11所述的方法，包括：在所述至少两个发光半导体组件(113)之间对浇注材料(115)进行丝网印刷以用于构造至少一个物体，该物体足够高，使得所述包封被光学隔绝。
15.根据权利要求11所述的方法，包括：
-提供用于所述至少两个半导体组件(121)的透光覆盖物(122)；
-在所述覆盖物(122)处构造至少一个光学阻尼元件(123)，所述光学阻尼元件足够高，使得所述光学阻尼元件光学隔绝所述包封；
-设置所述覆盖物(122)，使得所述至少一个光学阻尼元件(123)处在所述至少两个发光半导体组件(121)之间，以对各个包封进行光学隔绝。
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Publications (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593336A (zh) * | 2011-01-17 | 2012-07-18 | 三星Led株式会社 | 发光器件封装件及其制造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008025923B4 (de) * | 2008-05-30 | 2020-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
| DE102010025319B4 (de) * | 2010-06-28 | 2022-05-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente |
| DE102011003969B4 (de) * | 2011-02-11 | 2023-03-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102012105677B4 (de) | 2012-06-28 | 2016-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenmodul und Kfz-Scheinwerfer |
| DE102012212968A1 (de) | 2012-07-24 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element |
| DE102012212963B4 (de) | 2012-07-24 | 2022-09-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
| DE102012113003A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| JP6186904B2 (ja) | 2013-06-05 | 2017-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102013213073A1 (de) | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| KR102222580B1 (ko) | 2014-07-30 | 2021-03-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| DE102014116134A1 (de) | 2014-11-05 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
| DE102017107226A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| DE102018111637A1 (de) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement |
| DE102018118251B4 (de) | 2018-07-27 | 2020-02-06 | Infineon Technologies Ag | Chipanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190684U (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-17 | 三菱電機株式会社 | 表示パネル |
| JPH087426Y2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-03-04 | アイシン精機株式会社 | 発光表示板の射光もれ防止装置 |
| JPH11153970A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光漏れ防止装置 |
| US6614103B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| JP2002211030A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Ricoh Co Ltd | Ｌｅｄプリントヘッド及びその製造方法 |
| CN100477210C (zh) * | 2001-09-13 | 2009-04-08 | 卢西雅股份公司 | 发光板和载板 |
| DE50309259D1 (de) * | 2002-05-06 | 2008-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement |
| JP2004319530A (ja) | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004303503A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | アルカリ二次電池の製造方法 |
| JP2005187367A (ja) | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 殺菌剤組成物 |
| JP4572312B2 (ja) | 2004-02-23 | 2010-11-04 | スタンレー電気株式会社 | Ｌｅｄ及びその製造方法 |
| DE102004021233A1 (de) | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung |
| EP1780592A4 (en) | 2004-06-30 | 2014-07-09 | Mitsubishi Chem Corp | LIGHT-EMITTING COMPONENT, BACKLIGHT UNIT, DISPLAY UNIT AND DISPLAY UNIT |
| JP5081370B2 (ja) | 2004-08-31 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2006114854A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
| KR100580753B1 (ko) | 2004-12-17 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| ITRM20040633A1 (it) | 2004-12-23 | 2005-03-23 | St Microelectronics Srl | Trasmettitore ottico multi-sorgente e dispositivo di visualizzazione fotonico. |
| JP4679183B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-04-27 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
| KR100663906B1 (ko) * | 2005-03-14 | 2007-01-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| WO2006129278A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Silicon deflector on a silicon submount for light emitting diodes |
| JP2007005735A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | 電子部品の封止構造及びその製造方法 |
| JP5080758B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2012-11-21 | 日立マクセル株式会社 | 半導体装置 |
| JP2007201361A (ja) | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CA2640083A1 (en) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Kyosemi Corporation | Light receiving or emitting semiconductor module |
| JP2007242856A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
| CN100490195C (zh) | 2006-03-16 | 2009-05-20 | 先进开发光电股份有限公司 | 固态发光元件的封装结构和其制造方法 |
| KR100875443B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| US7932470B2 (en) * | 2006-09-05 | 2011-04-26 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Printed wiring board |
| US7564067B2 (en) * | 2007-03-29 | 2009-07-21 | Eastman Kodak Company | Device having spacers |
| KR100891810B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광 소자 |
-
2008
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-
2014
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593336A (zh) * | 2011-01-17 | 2012-07-18 | 三星Led株式会社 | 发光器件封装件及其制造方法 |
| CN102593336B (zh) * | 2011-01-17 | 2016-06-22 | 三星电子株式会社 | 发光器件封装件及其制造方法 |
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