CN101872747B - 电子部件模块 - Google Patents

电子部件模块 Download PDF

Info

Publication number
CN101872747B
CN101872747B CN2010101674770A CN201010167477A CN101872747B CN 101872747 B CN101872747 B CN 101872747B CN 2010101674770 A CN2010101674770 A CN 2010101674770A CN 201010167477 A CN201010167477 A CN 201010167477A CN 101872747 B CN101872747 B CN 101872747B
Authority
CN
China
Prior art keywords
top board
electronic component
component module
supporting member
electronic unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010101674770A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101872747A (zh
Inventor
山下光义
天野义久
出口明辉
栉野正彦
村上雅启
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN101872747A publication Critical patent/CN101872747A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101872747B publication Critical patent/CN101872747B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/006—Casings specially adapted for signal processing applications, e.g. CATV, tuner, antennas amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371—Shields or metal cases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10522—Adjacent components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

提供了一种电子部件模块，其具有高可靠性，且能抑制装配机的操纵性能降低。电子部件模块(100)包括装配在模块衬底(10)的顶面上的多个电子部件(20)、覆盖这些电子部件(20)的平坦顶板(30)、以及用于支承顶板(30)的顶板支承构件(40)。多个电子部件(20)包括石英谐振器(23)和RF-IC(21)，该RF-IC(21)的高度小于石英谐振器(23)的高度，并设置在模块衬底(10)的顶面上以与石英谐振器(23)并排地布置。此外，顶板(30)固定至石英谐振器(23)，而且用于支承顶板(30)的顶板支承构件(40)设置在RF-IC(21)和顶板(30)之间。

Description

电子部件模块
技术领域
本发明涉及电子部件模块。
背景技术
近年来，在诸如信息通信设备之类的电子设备领域中，对尺寸减小和性能提高的设备的需求不断增加。因此，已经实现了装在设备内部的电子部件的尺寸减小、高性能以及高密度装配。此外，为了更高性能和更高密度装配的目的，这些电子部件被设计为模块。
包含多个电子部件的电子部件模块装配在装配衬底上并被装在电子设备内。此外，电子部件模块通过使用装配机(例如一的装配机)装配在装配衬底上。为改善装配机的操纵，已知一种具有用于装配机头吸附(suck)和卡扣(catch)的平坦部分的常规电子部件模块。这样的电子部件模块在日本待审实用新型申请公开No.7-42126中进行了描述。
日本待审实用新型申请公开No.7-42126描述了具有用于在电路板上形成平坦部的绝缘板(顶板)的复合部件(电子部件模块)。该复合部件包括通过表面装配而装配在电路板上的芯片电感器、芯片电阻器以及集成电路(IC)。此外，上述IC设置在电路板的中间区域。此外，上述绝缘板用热固树脂固定于IC的上表面上。注意，日本待审查实用新型申请公开No.7-42126中描述的复合部件起滤波器的作用。
根据具有上述结构的常规复合部件(电子部件模块)，该绝缘板固定在设置于电路板的中间区域中的IC的上表面上，从而平坦部由绝缘板在复合部件上形成。因此，该平坦部被母头(mother head)吸附和卡扣，从而可通过使用装配机来容易地进行表面装配。
然而，日本待审实用新型申请公开No.7-42126中描述的复合部件(电子部件模块)的结构具有以下缺点。如果固定绝缘板的IC装配在电路板的边缘部分，则会因为母头在吸附卡扣时的冲击负荷而出现绝缘板倾斜这一不便。因此，在这种情况下，存在装配机的操纵性能会降低的问题。此外，存在大负荷因为绝缘板的倾斜而施加至绝缘板的固定部分或IC的焊接部分的不便。因此，IC被损坏，或IC与电路板之间的电气连接被破坏。因此，存在可靠性降低的问题。
此外，如果固定绝缘板的IC装配在上述日本待审实用新型申请公开No.7-42126中所述的复合部件(电子部件模块)的结构中的电路板的边缘部分上，则存在难以将用于形成平坦部的绝缘板固定到电路板的不便。因此，也因为这个原因，可靠性降低，而且装配机的操纵性能也降低。
尤其是近年来，随着电子部件模块的性能变高，装配在电子部件模块上的电子部件数量易于增多。因此，越来越难以将固定绝缘板的诸如IC之类的电子部件装配于类似于上述常规复合部件的电路板的中间区域中。因此，随着电子部件模块的性能变高，上述问题易于出现。
发明内容
创造了本发明以解决上述问题，且本发明的目的是提供一种电子部件模块，其具有高可靠性，且能抑制装配机的操纵性能降低，并提供一种用于制造该电子部件模块的方法。
为实现上述目的，根据本发明的一个方面的电子部件模块包括：设置在衬底的顶面上的第一电子部件；第二电子部件，其高度小于第一电子部件的高度，并设置在衬底的顶面上以与第一电子部件并排地布置；平坦顶板，其固定至第一电子部件，以覆盖第一电子部件和第二电子部件；以及顶板支承构件，其设置在第二电子部件与顶板之间以支承顶板。注意，第一电子部件和第二电子部件中的每一个包含一个或多个电子部件。此外，在本发明中，“覆盖第一电子部件和第二电子部件”意味着，在俯视图中，第一电子部件的至少一部分和第二电子部件的至少一部分设置在顶板的背面。
在根据该方面的电子部件模块中，平坦顶板固定至第一电子部件，而用于支承顶板的顶板支承构件设置在第二电子部件与顶板之间，如上所述。因此，即使固定顶板的第一电子部件安装在衬底的边缘部分上，顶板也可固定于稳定状态。因此，即使当进行吸附卡扣时来自装配机头的冲击负荷作用于顶板，顶板支承构件也能支承该顶板，从而有可能抑制顶板的倾斜。因此，可能抑制装配机的操纵性能降低。
此外，在一个方面中，顶板支承构件设置在第二电子部件与顶板之间，因此装配机头的冲击负荷至少分散至第一电子部件和第二电子部件，从而不会仅集中于第一电子部件。因此，可能抑制由装配机头的冲击负荷引起的对第一电子部件的损伤。此外，因为上述顶板支承构件支承顶板，所以当装配机头进行吸附卡扣时，可能防止大负荷作用于第一电子部件的焊接接缝部分等。因此，可能抑制第一电子部件与衬底之间的电连接因为作用于第一电子部件的焊接接缝部分的大负荷而断开的不便发生。因此，该结构可提供高可靠性。
此外，在一个方面中，因为设置在第二电子部件与顶板之间的顶板支承构件可支承顶板，所以该顶板可稳定地固定至该衬底。因此，例如，可能抑制顶板与衬底的固定角的变化。因此，通过该结构，还可能抑制可靠性降低，并防止装配机的操纵性能降低。
此外，在一个方面中，利用上述结构，即使所安装的电子部件的数量随着电子部件模块的性能变高而增多，顶板也能固定于稳定状态。因此，能获得具有高可靠性和高性能的电子部件模块。
在根据上述方面的电子部件模块中，顶板支承构件的厚度基本等于第一电子部件的高度与第二电子部件的高度之差。利用该结构，顶板能容易地支承以与衬底基本平行。因此，顶板能容易地固定至衬底。因此，装配机的操纵性能能容易地提高，且可靠性能改善。
在根据上述方面的电子部件模块中，第二电子部件优选是包括集成电路元件的装配部件。利用该结构，顶板支承构件可以大，因为包括集成电路元件的装配部件具有相对大平面面积的顶面。因此，如果设置在第二电子部件与顶板之间的顶板支承构件被构建为大，则顶板可更稳定地支承。因此，顶板能容易地以稳定状态固定于衬底。
在根据上述方面的电子部件模块中，第二电子部件可以是包括集成电路元件的高频装配部件。在这种情况下，优选顶板支承构件由电磁屏蔽材料制成。利用该结构，用于支承顶板的顶板支承构件可具有屏蔽效果。因此，即使顶板自身不具有屏蔽效果，也容易屏蔽高频噪声等。因此，电子部件模块的特性可提高，且可靠性可增强。此外，如果顶板支承构件具有屏蔽效果，则选择形成顶板的材料的灵活性也能提高。
在根据上述方面的电子部件模块中，第二电子部件可以是通过被驱动而发热的发热部件。在这种情况下，优选顶板支承构件由导热材料制成。利用该结构，来自发热部件的热可通过顶板支承构件耗散，从而电子部件模块的散热特性可提高。因此，电子部件模块的特性可提高，且可靠性可增强。
在根据上述方面的电子部件模块中，顶板支承构件优选由金属材料制成。利用该结构，顶板支承构件能容易具有屏蔽效果。此外，利用该结构，来自发热部件的热能有效地通过顶板支承构件耗散。
在根据上述方面的电子部件模块中，顶板支承构件可由包括导热树脂或导电树脂的树脂材料制成。利用该结构，顶板支承构件还可具有屏蔽效果，而且来自发热部件的热通过顶板支承构件能有效地耗散。
在该情况下，形成顶板支承构件的树脂材料优选包含热固树脂。利用该结构，设置在第二电子部件与顶板之间的顶板支承构件能容易地形成。
在根据上述方面的电子部件模块中，顶板优选由金属板制成。利用该结构，覆盖第一电子部件和第二电子部件的顶板可具有屏蔽效果，从而容易屏蔽高频噪声等。此外，利用该结构，来自发热部件的热不仅可通过由导热材料制成的顶板支承构件耗散，而且可通过顶板耗散，从而该电子部件模块的散热特性可提高更多。注意，因为在该结构中，顶板可在不使用模具的情况下形成，所以还可能抑制设备成本和制造成本的升高。换言之，如果金属外壳附连至电子部件模块以屏蔽高频噪声等，则必须使用用于制造金属外壳的处理模具。从而，用于制造该模具的初始成本变得非常高，从而存在设备成本和制造成本升高的不便。反之，如果顶板由金属板制成，则不必要使用模具来制造金属外壳等等。因此，设备成本的升高可被抑制，从而电子部件模块的制造成本可降低。
在根据上述方面的电子部件模块中，顶板优选由树脂绝缘板制成。
在根据上述方面的电子部件模块中，顶板优选具有复合结构，该复合结构包括绝缘基材部分和形成在基材部分上的导电箔。利用该结构，覆盖第一电子部件和第二电子部件的顶板能具有屏蔽效果，从而容易屏蔽高频噪声等。
在包括具有上述复合结构的顶板的电子部件模块中，顶板的基材部分优选由玻璃环氧化物材料制成，而顶板的导电箔优选由铜箔制成。利用该结构，能容易地获得具有屏蔽效果的顶板。注意，因为在该结构中，顶板可在不使用模具的情况下形成，所以还可能抑制设备成本和制造成本的升高。换言之，如果金属外壳附连至电子部件模块以屏蔽高频噪声等，则必须使用处理模具来制造金属外壳。反之，如果顶板的基材部分由玻璃环氧化物材料制成，而形成在基材部分上的导电箔由铜箔制成，则顶板可通过使用印刷电路板等的制造工艺来形成。因此，没必要使用模具来制造金属外壳或类似物。因此，设备成本的升高可被抑制，从而电子部件模块的制造成本可降低。
在包括具有上述复合结构的顶板的电子部件模块中，优选所述导电箔的平面面积小于所述基材部分的平面面积，且所述导电箔被设置成使所述导电箔的外缘在平面视图中在所述基材部分的外缘内侧。利用该结构，即使顶板从装配在印刷电路板(装配衬底)或类似物上的状态脱离，也可能抑制与外围部件或类似物的电短路或漏电的出现。
在包括具有上述复合结构的顶板的电子部件模块中，优选顶板还包括覆盖导电箔的绝缘构件。利用该结构，即使顶板从装配在印刷电路板(装配衬底)或类似物上的状态脱离，也可能抑制与外围部件或类似物的电短路或漏电的出现。
在这种情况下，该绝缘构件可具有使导电箔的一部分暴露的开口部分。利用该结构，例如，通过将导电箔在开口部分处暴露的那部分与安装有该电子部件模块的电子设备的接地部分电连接，能容易地获得接地屏蔽效果。
此外，在这种情况下，顶板可调整成使开口部分设置在与衬底相反的那一侧。利用该结构，导电箔的一部分与安装有电子部件模块的电子设备的接地部分能容易地电连接。
根据上述方面的电子部件模块优选包括设置在顶板与电子部件之间的具有弹性功能的弹性构件，而且该顶板经由该弹性构件固定至第一电子部件。利用该结构，当电子部件模块安装在印刷电路板或类似物上时，从装配机头接收的冲击可被弹性构件吸收。因此，作用于电子部件(第一电子部件和第二电子部件)的冲击负荷可减少，从而耐负荷性能可提高。因此，可能防止所安装的电子部件(第一电子部件和第二电子部件)被损坏，且可能抑制这些电子部件(第一电子部件和第二电子部件)之间的电连接断开。因此，利用这种结构，还能提高可靠性。
在这种情况下，弹性构件可按照具有预定厚度的薄片形状来形成。此外，可能将这样的弹性构件预先固定至顶板。
在具有上述弹性构件的电子部件的结构中，优选弹性构件由具有低弹性的环氧树脂制成。如果顶板经由这样的弹性构件固定，则在安装在印刷电路板或类似物上时，从装配机头接收的冲击容易被弹性构件吸收。因此，作用于电子部件(第一电子部件和第二电子部件)的冲击负荷能容易地减少。
在根据上述方面的电子部件模块中，优选顶板的平面面积小于衬底的平面面积，而且该顶板被设置成顶板的外缘在衬底的外缘内侧。利用该结构，即使因为模块安装步骤中的掉落或在处于塔盘中的包装状态的产品(电子部件模块)在运输期间的振动引起的摇摆而使大冲击横向作用于电子部件模块，也可能防止此类冲击直接作用于顶板。因此，可能抑制因为对顶板的直接横向强冲击而引起的诸如对电子部件的损伤或电子部件与衬底之间的电连接断开之类的不便出现。因此，可靠性可提高更多。
如上所述，根据本发明，可能容易获得具有高可靠性且能抑制装配机的操纵性能降低的电子部件模块。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的分解立体图。
图2是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的一般立体图。
图3是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的立体图。
图4是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的平面视图。
图5是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的截面图。
图6是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的平面视图(处于顶板被去除的状态)。
图7是示出根据第一实施例的电子部件模块装配在装配衬底上的状态的图解。
图8是示出根据第一实施例的电子部件模块被吸附和卡扣的状态的图解。
图9是示出无顶板支承构件的电子部件模块被吸附和卡扣的状态的图解。
图10是示出无顶板支承构件的电子部件模块被吸附和卡扣的状态的图解。
图11是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的平面视图。
图12是用于示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图13是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的平面视图。
图14是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的平面视图。
图15是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图16是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的平面视图。
图17是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图18是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图19是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例的截面图。
图20是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例的截面图。
图21是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例的平面视图。
图22是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例的截面图。
图23是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例的截面图。
图24是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的截面图。
图25是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的截面图。
图26是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的平面视图。
图27是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的截面图。
图28是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的截面图。
图29是示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的截面图。
图30是用于示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第三变体示例的截面图。
图31是根据本发明的第二实施例的电子部件模块的截面图。
图32是示出根据本发明的第二实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图33是示出根据本发明的第二实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图34是根据本发明的第三实施例的电子部件模块的截面图。
图35是根据本发明的第三实施例的电子部件模块的顶板的平面视图。
图36是沿图35中的线B-B所取的截面图。
图37是示出根据本发明的第三实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图38是根据本发明的第三实施例的电子部件模块的制造方法的平面视图。
图39是示出根据本发明的第三实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图40是根据本发明的第四实施例的电子部件模块的截面图。
图41是根据本发明的第四实施例的电子部件模块的一般立体图。
图42是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的第一装配示例的截面图。
图43是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的第二装配示例的截面图。
图44是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的第三装配示例的截面图。
图45是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图46是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图47是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图48是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。
图49是根据本发明的第五实施例的电子部件模块的分解立体图。
图50是根据本发明的第五实施例的电子部件模块的截面图。
图51是根据本发明的第五实施例的电子部件模块的平面视图。
图52是根据本发明的第一变体示例的电子部件模块的平面视图。
图53是根据本发明的第二变体示例的电子部件模块的平面视图。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本发明的具体实施例。
(第一实施例)
图1是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的分解立体图，而图2是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的一般立体图。图3是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的立体图，而图4是根据本发明的第一实施例的电子部件模块的平面视图。图5到10是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的结构的图解。注意，图3和6示出顶板已去除的状态，而图5示出沿图4中的直线A-A所截取的截面。首先，参照图1到10，将描述根据本发明的第一实施例的电子部件模块100的结构。
根据第一实施例的电子部件模块100构成为起调谐器模块(高频模块)的作用，且如图1到3所示包括模块衬底10、装配在模块衬底10的顶面上的多个电子部件20、覆盖电子部件20的平坦顶板30、以及支承顶板30的顶板支承构件40。注意，模块衬底10是本发明的“衬底”的示例。
此外，根据第一实施例的电子部件模块100具有如图4所示的平面视图中的方形。具体而言，电子部件模块100在X方向上具有约5.9mm的宽度W，在Y方向上具有约5.9mm的长度L。此外，如图5所示，电子部件模块100具有约1.0mm的厚度t。
电子部件模块100的模块衬底10由具有预定厚度的陶瓷多层衬底组成。该模块衬底10形成为具有如图4和6中所示的平面视图中的四个边(外缘)11的方形。具体而言，模块衬底10被形成为在X方向上具有约5.9mm的宽度W1(参见图4)，在Y方向上具有约5.9mm的长度L1(参见图4)。此外，如图5所示，模块衬底10设置有形成为预定布线图案的布线导体12，电子部件20电连接至布线导体12。另一方面，模块衬底10的下侧设置有电极端子13，这些电极端子13经由通孔(未示出)或过孔(未示出)电连接至布线导体12。
装配在模块衬底10的顶面上的多个电子部件20包括诸如半导体器件(IC)之类的有源部件和诸如电阻器元件、电感器元件、电容器元件等等之类的无源部件。具体而言，多个电子部件20包括射频集成电路(RF-IC)21、正交频分复用(OFDM)解调IC 22、石英谐振器23、带通滤波器24以及无源部件25(电阻器元件、电容器元件、电感器元件等)。换言之，根据第一实施例的电子部件模块100包括起调谐器作用的所有基本电子部件。然后，这些电子部件20通过表面装配(焊接)而装配在模块衬底10的顶面上的预定区域中，并经由模块衬底10的布线导体12(参见图2)和过孔(未示出)彼此电连接。因此，构成了一种类型的集成电路，且电子部件模块100被构成为起调谐器模块(高频模块)的作用。注意，石英谐振器23是本发明的“第一电子部件”的示例，RF-IC 21是本发明的“第二电子部件”、“包括集成电路元件的装配部件”以及“包括集成电路元件的高频装配部件”的示例。
此外，石英谐振器23具有1.6mm长度和1.2mm宽度。其在装配之后的装配高度约为0.35mm到0.45mm。此外，RF-IC 21具有2.1mm长度和2.1mm宽度。该RF-IC 21与石英谐振器23并排装配在模块衬底10的顶面上，且其高度(在装配之后的设定高度)低于石英谐振器23的高度。具体而言，RF-IC 21具有约0.2到0.3mm的高度(装配之后的设定高度)。此外，OFDM解调IC 22具有2.9mm的长度和2.7mm的宽度，而且装配之后的设定高度约为0.2到0.3mm。注意，在第一实施例中，RF-IC 21和OFDM解调IC 22中的每一个被构成为晶片级的芯片级封装(WL-CSP)。此外，在第一实施例中，石英谐振器23是具有最大高度的高部件。
此外，无源部件25由芯片类电子部件(芯片部件)组成。该无源部件25具有作为元件的陶瓷烧结主体以及在该主体的两个边缘部上的外部端电极25a(参见图1)。无源部件25的尺寸如下。在所谓的0603部件的情况下，例如，长度为0.6mm，宽度为0.3mm，以及高度为0.3mm。在所谓的0402部件的情况下，例如，长度为0.4mm，宽度为0.4mm，以及高度为0.2mm。
此外，在第一实施例中，如图6所示，相对于模块衬底10的X方向上的中心S，作为长部件的石英谐振器23装配在一个边缘部分侧(X1侧)的区域中。另一方面，相对于模块衬底10的X方向上的中心S，RF-IC 21装配在另一边缘部分侧(X2侧)的区域中。注意，石英谐振器23和RF-IC 21装配在模块衬底10的Y方向上的中心区域中。
此外，如图1、2以及5所示，顶板30设置在模块衬底10的顶面侧上，以覆盖电子部件20。该顶板30由树脂绝缘板组成，且具有约0.1到0.3mm的厚度。注意，顶板30在电子部件模块100的工作条件下具有预定柔性。此外，顶板30形成为具有如图4中所示的平面视图中的四个边(外缘)31的方形。具体而言，顶板30在X方向上具有约5.6mm的宽度W2，在Y方向上具有约5.6mm的长度L2。换言之，在第一实施例中，顶板30的平面面积被形成为小于模块衬底10的平面面积。
此外，如图5所示，粘合层45在顶板30的背面(与模块衬底10相对的表面)上形成。顶板30经由该粘合层45固定至石英谐振器23的顶面。
此外，顶板30设置在模块衬底10的中间部分处，从而在图4中所示的平面视图中，顶板30的边(外缘)31位于模块衬底10的边(外缘)11内侧。具体而言，顶板30被设置成使顶板30的边(外缘)31定位在模块衬底10的边(外缘)11内侧且相距约0.15mm的距离“a”(参见图2和4)。
这里，在第一实施例中，如图5所示，顶板支承构件40设置在RF-IC21和固定至石英谐振器23的顶板30之间。该顶板支承构件40的厚度(约为0.05到0.25mm)和石英谐振器23与RF-IC 21之间的高度差基本相同，以补偿顶板30与RF-IC 21之间的间隙。然后，利用该顶板支承构件40，顶板30被保持为基本平行于模块衬底10。换言之，利用顶板支承构件40，顶板30以稳定状态被固定至模块衬底10。
此外，在第一实施例中，顶板支承构件40由屏蔽材料(电磁屏蔽材料)制成。具体而言，顶板支承构件40由铜、铝等等的金属板制成。此外，顶板支承构件40具有例如2.0mm的长度和2.0mm的宽度，且设置成覆盖RF-IC 21的顶面。注意，顶板支承构件40正对RF-IC 21的表面设置有粘合层(未示出)。因此，顶板支承构件40固定至RF-IC 21的顶面。此外，顶板支承构件40还经由粘合层45固定至顶板30。
根据第一实施例的具有上述结构的电子部件模块100由装配机50(参见图8)移动至装配衬底60(印刷电路板)上的装配位置，且如图7和8所示那样装配在装配衬底60上。
这里，如图9所示，如果顶板支承构件未设置石英谐振器23与RF-IC21之间，则顶板30与RF-IC 21之间会因为石英谐振器23与RF-IC 21之间的高度差而形成间隙。在这样的状态下，如果装配机头51进行吸附卡扣，则来自装配机头51的冲击负荷在石英谐振器23的焊接接缝部等等处产生大负荷。因此，如图10所示，出现石英谐振器23与模块衬底10之间的电连接断开的不便。此外，如果来自装配机头51的冲击负荷作用于顶板30，则顶板30倾斜，从而装配机50的吸附操作变得困难。因此，还会出现装配机50的操纵性质降低的不便。
注意，近年来，为了电子部件模块的高性能的目的，装配了多个半导体器件(IC)。因此，与用作滤波器的常规复合部件不同，变得难以将固定顶板的电子部件装配在模块衬底上的中心区域中。此外，诸如无源部件之类的外部部件数量也大于作为滤波器的常规复合部件的数量。因此，顶板上不与电子部件接触的部分(悬置部分)的面积也增大。因此，上述不便易于产生。
反之，在根据第一实施例的电子部件模块100中，顶板30如图8所示那样被顶板支承构件40支承。因此，即使来自装配机头51的冲击负荷作用于顶板30，顶板30的倾斜也会被抑制。此外，在第一实施例中，因为顶板30被顶板支承构件40支承，所以当进行吸附卡扣时，来自装配机头51的作用于石英谐振器23的焊接接缝部分等等的大负荷被抑制。
如上所述，在第一实施例中，平坦顶板(30)固定至石英谐振器(23)，而且用于支承顶板30的顶板支承构件40设置在RF-IC 21与顶板30之间。因此，即使固定顶板30的石英谐振器23装配在模块衬底10的边缘部分处，顶板30也可固定于稳定状态。因此，即使来自装配机头51的冲击负荷在吸附卡扣操作时作用于顶板30，顶板30也能被顶板支承构件40支承，因此顶板30的倾斜可被抑制。因此，可能抑制装配机(装配机)50的操纵性质降低。
此外，在第一实施例中，顶板支承构件40设置在RF-IC 21与顶板30之间，在吸附卡扣操作时来自装配机头51的冲击负荷可分散至石英谐振器23和RF-IC 21。因此，可能抑制装配机头51的冲击负荷仅作用于石英谐振器23。因此，由来自装配机头51的冲击负荷引起的对石英谐振器23的损伤可被抑制。此外，因为顶板支承构件40支承顶板30，所以当装配机头51执行吸附卡扣时，可能抑制大负荷作用于石英谐振器23的焊接接缝部分等等。因此，可能抑制石英谐振器23与模块衬底10之间的电连接因为大负荷作用于石英谐振器23的焊接接缝部分等等而被破坏的不便发生。因此，利用该结构，可获得高可靠性。
此外，在第一实施例中，因为设置在RF-IC 21与顶板30之间的顶板支承构件40能支承顶板30，所以顶板30能稳定地固定至模块衬底10。因此，顶板30相对于模块衬底10的固定角的变化可被抑制。因此，通过该结构，可靠性降低也被抑制，而且能防止装配机50的操纵性质降低。
此外，在具有上述结构的第一实施例中，即使所装配的电子部件的数量随着电子部件模块的性能变高而增多，顶板也能固定于稳定状态。因此，能提供具有高性能和高可靠性的电子部件模块。
此外，在第一实施例中，顶板支承构件40的厚度和石英谐振器23与RF-IC 21之间的高度差基本相同，顶板30容易得到支承以与模块衬底10基本平行。因此，顶板30能容易地以稳定状态固定至模块衬底10。因此，装配机50的操纵性质和可靠性能容易地提高。
此外，在第一实施例中，顶板支承构件40设置在RF-IC 21的顶面上，因此与诸如无源部件25之类的电子部件相比，RF-IC 21具有相对大的顶面平面面积。因此，顶板支承构件40可被形成为具有大尺寸。因此，通过形成设置在RF-IC 21与顶板30之间的大尺寸的顶板支承构件40，顶板30能被支承得更稳定。因此，顶板30能容易地以更稳定状态固定至模块衬底10。
此外，在第一实施例中，因为顶板支承构件40由金属板制成，所以用于支承顶板30的顶板支承构件40可具有屏蔽效果。因此，如果顶板支承构件40被设置成覆盖RF-IC 21的顶面，则即使顶板自身没有屏蔽效果，也容易屏蔽高频噪声等。因此，电子部件模块100的特性可提高，且可靠性可增强。此外，因为顶板支承构件40具有屏蔽效果，所以选择顶板30的材料时的灵活性可增强。注意，顶板支承构件40与顶板30单独形成，因此它可由与顶板30的材料不同的材料制成。因此，选择顶板支承构件40的材料的灵活性可加强。
此外，在第一实施例中，顶板30由树脂绝缘板构成。因此，即使顶板30从装配在装配衬底60(印刷电路板)或类似物上的状态脱离，与外围部件的电短路或漏电也可被抑制。
此外，在第一实施例中，如果顶板30具有柔性，则即使来自装配机头51的冲击负荷作用于顶板30，顶板30也能弯曲，从而作用于电子部件模块100的冲击负荷能有效地减少。因此，电子部件模块100的耐负荷性能可提高。此外，如果作用于电子部件模块100的冲击负荷被减少，则对石英谐振器23和RF-IC 21的损伤能被有效抑制。
此外，在第一实施例中，顶板30的平面面积被形成为小于模块衬底10的平面面积，且在平面视图中，顶板30被设置成使顶板30的边(外缘)34在模块衬底10的边(外缘)11内侧。因此，例如，即使因为模块安装步骤中的掉落或在处于塔盘中的包装状态的产品在运输期间的振动引起的摇摆而使大冲击横向作用于电子部件模块100，也可能防止此类冲击直接作用于顶板30。因此，可能抑制因为对顶板30的直接横向强冲击而引起的诸如对所装配电子部件20的损伤或电子部件20与模块衬底10之间的电连接断开之类的不便出现。因此，电子部件模块100的可靠性也能通过这种方法得到提高。
图11到18是示出根据本发明的第一实施例的电子部件模块的制造方法的图解。接着，参照图1、4、5以及11到18，将描述根据本发明的第一实施例的电子部件模块100的制造方法。
首先，如图11所示，制备其中多个模块衬底10耦合的衬底集合体10a。该衬底集合体10a由陶瓷多层衬底构成，而且衬底集合体10a的顶面设置有其中装配有电子部件20(参见图1)的部件装配区10b。注意，衬底集合体10a在稍后步骤中被分割成单个模块衬底10，其中它被沿X方向上的切割线P(P1)和Y方向上的切割线P(P2)切割。此外，上述部件装配区10b设置在模块衬底10中的每一个中。
接着，如图12和13所示，电子部件20装配在衬底集合体10a(模块衬底10)的部件装配区10b中。接着，如图14所示，制备由平坦绝缘板组成的顶板集合体30a。该顶板集合体30a处于多个顶板30耦合的状态。在稍后步骤中，顶板集合体30a通过沿X方向上的切割线P(P1)和Y方向上的切割线P(P2)切割而被分割成单个顶板30。
接着，粘合层45(参见图5)在顶板集合体30a的一个表面上形成。接着，厚度(约0.05到0.25mm)基本等于石英谐振器23与RF-IC 21之间的高度差的金属板被加工，以形成长度为2.0mm、宽度为2.0mm的多个顶板支承构件40。然而，所形成的顶板支承构件40被固定至其上形成有粘合层45的顶板集合体30a的表面。在这种情况下，顶板支承构件40被固定至对应于装配在衬底集合体10a上的RF-IC 21的区域。此外，粘合层(未示出)在顶板支承构件40的两个表面或一个表面(与顶板集合体30a相对的表面)上形成。
如图15所示，在那之后，具有顶板支承构件40的顶板集合体30a被固定至装配在衬底集合体10a的部件装配区10b上的电子部件20的一部分。具体而言，顶板集合体30a经由粘合层45固定至作为长部件的石英谐振器23的顶面，而且顶板支承构件40固定至RF-IC 21的顶面。因此，如图16所示，顶板集合体30a附连至衬底集合体10a(参见图11和15)。
最后，如图16所示，单个电子部件模块通过沿切割线P(P1和P2)切割(分割)而获得。
这里，在第一实施例中，如图17所示，切割片70被粘合至衬底集合体10a的背面，从而仅顶板集合体30a首先通过使用第一割刀80沿切割线P被切割。接着，如图18所示，仅衬底集合体10a通过使用第二割刀90沿切割线P被切割。在这种情况下，用于切割顶板集合体30a的第一割刀80的刀厚度大于用于切割衬底集合体10a的第二割刀90的刀厚度，因此顶板集合体30a的切割宽度(分割宽度)大于衬底集合体10a的切割宽度(分割宽度)。因此，如图4所示，顶板30的外尺寸小于模块衬底10的外尺寸。
以此方式，制造了根据本发明的第一实施例的电子部件模块100。
在根据第一实施例的电子部件模块100的制造方法中，利用上述结构，顶板30和模块衬底10在该过程中可按照薄片状态移动。因此，分割之前的处理可作为批处理来执行。因此，电子部件模块100可以非常高的生产率来制造。
[第一变体示例]
图19到23是用于示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例的图解。接着，参照图5、12、13、15以及17到23，将描述根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第一变体示例。
在该第一变体示例中，与上述第一实施例不同，金属板被粘合到顶板集合体。之后，金属板被图案化以在顶板集合体上的预定区域中形成顶板支承构件。
具体而言，利用与图12和13所示的第一实施例相同的方法，电子部件20被装配在衬底集合体10a(模块衬底10)上的部件装配区10b中。
接着，如图19所示，厚度和石英谐振器23(参见图5)与RF-IC 21(参见图5)之间的高度差基本相同的金属板41被粘合到顶板集合体30a的一个表面上。
然后，如图20和21所示，金属板41(参见图19)通过利用光刻技术和蚀刻技术而图案化，从而形成由金属板制成的顶板支承构件40。在这种情况下，例如，顶板支承构件40被形成为具有3.5mm长度和3.5mm宽度。此外，进行图案化，从而顶板支承构件40定位于与装配在衬底集合体10a上的RF-IC 21相对应的区域中(参见图15)。因此，具有顶板支承构件40的顶板集合体30a形成。
接着，如图22所示，粘合层45在顶板集合体30a上形成有顶板支承构件40的表面的整个区域中形成。
之后，如图23所示，具有顶板支承构件40的顶板集合体30a被固定至装配在衬底集合体10a的部件装配区10b中的电子部件20的一部分。具体而言，顶板集合体30a经由粘合层45固定至作为长部件的石英谐振器23的顶面，而且顶板支承构件40固定至RF-IC 21的顶面。
最后，使用与图17和18中所示的第一实施例相同的方法来获得单个电子部件模块。
如上所述，根据第一变体示例的制造方法，金属板41被粘合至顶板集合体30a，然后金属板41被图案化以形成顶板支承构件40。因此，顶板支承构件40可准确地形成，且可准确地设置在对应于RF-IC 21的区域中。因此，可能容易制造具有高可靠性的电子部件模块，且能抑制装配机的操纵性能的降低。
注意，第一变体示例的其他效果与第一实施例的效果相同。
[第二变体示例]
图24到29是用于示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例的图解。接着，参照图5和24到29，将描述根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第二变体示例。
在该第二变体示例中，顶板支承构件在另一板构件上形成，然后所形成的顶板支承构件被转移到顶板集合体上，从而具有顶板支承构件的顶板集合体形成。
具体而言，首先如图24所示，厚度和石英谐振器23(参见图5)与RF-IC 21(参见图5)之间的高度差基本相同(约0.05到0.25mm)的金属板41被粘合到板构件42的一个表面上。在这种情况下，具有较小粘合力的粘合层用于将金属板41粘合至板构件42，从而金属板41能在稍后步骤中从板构件42容易地去除。
然后，如图25和26所示，与第一变体示例相似，金属板41通过利用光刻技术和蚀刻技术而图案化，从而形成由金属板制成的顶板支承构件40。
接着，如图27所示，其一个表面上形成有粘合层45的顶板集合体30a粘合至其上形成有顶板支承构件40的板构件42。然后，如图28所示，板构件42被去除，从而在板构件42上形成的顶板支承构件40被转移到顶板集合体30a上。因此，具有顶板支承构件40的顶板集合体30a形成。
之后，如图29所示，具有顶板支承构件40的顶板集合体30a被固定至装配在衬底集合体10a的部件装配区10b中的电子部件20的一部分。
注意，第二变体示例的其他结构与第一变体示例的其他结构相同。
此外，第二变体示例的效果与第一实施例和第一变体示例的效果相同。
[第三变体示例]
图30是用于示出根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第三变体示例的截面图。接着，参照图30，将描述根据第一实施例的电子部件模块的制造方法的第三变体示例。
在该第三变体示例中，如图30所示，顶板支承构件40固定至RF-IC 21的顶面，然后顶板集合体30a固定至石英谐振器23和顶板支承构件40的顶面。
注意，第三变体示例的其他结构与第一实施例的其他结构相同。此外，第三变体示例的效果与第一实施例的效果相同。
(第二实施例)
图31是根据本发明的第二实施例的电子部件模块的截面图。接着，参照图5和31，将描述根据本发明的第二实施例的电子部件模块200的结构。
在根据第二实施例的电子部件模块200中，与第一实施例不同，顶板由金属板制成，而顶板支承构件由可固化树脂材料制成。换言之，在第二实施例中，如图31所示，设置了由金属板制成的顶板230来代替由绝缘板构成的顶板30(参见图5)。此外，在第二实施例中，设置了由可固化树脂材料制成的顶板支承构件240来代替由金属板构成的顶板支承构件40(参见图5)。
顶板230由诸如铜板或铝板之类的金属板制成，且具有与第一实施例相似的约0.1到0.3mm厚度。此外，顶板支承构件240由诸如环氧树脂、未充满树脂、热固聚酰亚胺树脂等等之类的热固树脂制成。
注意，第二实施例的其他结构与第一变体示例的其他结构相同。
在第二实施例中，如上所述，顶板230由金属板制成，从而覆盖电子部件20的顶板230可具有屏蔽效果。因此，容易屏蔽高频噪声等。此外，利用该结构，还可能抑制传入的外部噪声。注意，当附连平坦顶板230时，间隙在模块衬底10与顶板230之间产生，但该间隙约为0.4到0.5mm，因此能获得足够的屏蔽效果。
此外，在第二实施例中，因为顶板230由金属板制成，所以顶板230能不利用模具而形成。因此，还可能抑制设备成本和制造成本的提高。换言之，如果金属外壳附连至电子部件模块以屏蔽高频噪声等，则用于制造金属外壳的处理模具是必须的。从而，用于制造该模具的初始成本非常高，因此存在设备成本和制造成本升高的不便。反之，如果顶板230由金属板制成，则用于制造金属外壳等等的模具是不必要的。因此，设备成本等等的提高可被抑制，从而电子部件模块的制造成本可降低。
此外，在第二实施例中，如果顶板支承构件240由热固树脂制成，则设置在RF-IC 21与顶板230之间的顶板支承构件240能容易地形成。注意，顶板支承构件240可由含金属粉末(例如铝粉等等)、金属填充物(例如银填充物等)等等的导电热固树脂制成。如果采用了该结构，则顶板支承构件240可具有屏蔽效果。因此，如果顶板支承构件240被设置成覆盖RF-IC21的顶面，则可能更高效地屏蔽高频噪声等。
第二实施例的其他效果与第一实施例的其他效果相同。
图32和33是示出根据本发明的第二实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。接着，参照图12、17、18、32以及33，将描述根据本发明的第二实施例的电子部件模块200的制造方法。
首先，电子部件20通过与图12中所示的第一实施例的方法相同的方法装配在衬底集合体10a(模块衬底10)的部件装配区10b中。
接着，如图32所示，液状树脂241(在固化前为热固树脂)通过使用注射器250涂敷在RF-IC 21的顶面上。在这种情况下，优选将液状树脂241的涂敷量调节成与石英谐振器23的顶面基本等高。
接着，如图33所示，其一个表面上形成有粘合层45的顶板集合体230a被固定至装配在衬底集合体10a的部件装配区10b中的电子部件20的一部分。具体而言，顶板集合体230a经由粘合层45固定至作为长部件的石英谐振器23的顶面，而且顶板集合体230a与涂敷在RF-IC 21的顶面上的液状树脂241接触。然后，液状树脂241通过加热被固化，从而用于支承顶板230的顶板支承构件240在顶板230与RF-IC 21之间形成。
在那之后，通过使用与图17和18中所示的第一实施例的方法相同的方法获得单个电子部件模块。以此方式，制造根据第二实施例的电子部件模块200。
在根据第二实施例的电子部件模块200的制造方法中，利用上述结构，制造顶板支承构件240的步骤可得以简化。因此，电子部件模块的制造工艺可得以简化。因此，即使顶板支承构件240设置在顶板230与RF-IC 21之间，制造成本的增加也可被抑制。
根据第二实施例的制造方法中的其他方法与根据第一实施例的制造方法中的其他方法相同。
(第三实施例)
图34是根据本发明的第三实施例的电子部件模块的截面图。图35是根据本发明的第三实施例的电子部件模块的顶板的平面视图。图36是沿图35中的线B-B所取的截面图。接着，参照图5和34到36，将描述根据本发明的第三实施例的电子部件模块300的结构。
根据第三实施例的电子部件模块300具有含复合结构的顶板330，来代替第一实施例的结构中由绝缘板构成的顶板30(参见图5)。具体而言，在第三实施例中，如图34和36所示，顶板330具有复合结构(层叠结构)，该复合结构包括具有绝缘性质的平坦基材部分331、粘合在基材部分331的一个主面上的导电箔332、以及形成在基材部分331的一个主面上以覆盖导电箔332的绝缘层333。此外，构成顶板330的基材部分331由厚度约为0.1mm的玻璃环氧化物材料(玻璃布基环氧树脂板)组成，而导电箔332由厚度约为18μm的铜箔构成。此外，绝缘层333由阻焊剂组成，且在基材部分331的主表面上形成，从而导电箔332的厚度变为约30μm。注意，绝缘层333在本发明中是“绝缘构件”的示例。
此外，在第三实施例中，如图35所示，顶板330(基材部分331)形成为具有平面视图中的四个边(外缘)334的方形。具体而言，顶板330在X方向上具有约5.6mm的宽度W2，在Y方向上具有约5.6mm的长度L2。换言之，在第三实施例中，与第一和第二实施例相似，顶板330的平面面积被形成为略小于模块衬底10的平面面积。
此外，在第三实施例中，顶板330被构成使导电箔332的边缘部分在基材部分331内侧。具体而言，导电箔332被形成为具有平面视图中的四个边(外缘)332a的方形，其具有X方向上的约5.6mm的宽度W3和Y方向上的约5.6mm的长度L3。然后，导电箔332设置在基材部分331的中部，从而在平面视图中，导电箔332的边(外缘)332a在基材部分331(顶板330)的各个边334内侧。此外，利用上述结构，顶板330在电子部件模块330的工作条件下具有预定柔性。
此外，与第一实施例相似的粘合层45(参见图34和36)在顶板330的背面上形成(基材部分331的表面与导电箔332相对)，从而顶板330经由粘合层45被固定至石英谐振器23(参见图34)的顶面。
注意，第三实施例的其他结构与第一实施例的其他结构相同。
在第三实施例中，如上所述，顶板330被构成为具有包括绝缘基材部分331以及在基材部分331上形成的导电箔332的复合结构，从而覆盖电子部件20的顶板330具有屏蔽效果。因此，可能容易地屏蔽高频噪声等。此外，利用该结构，还可能抑制传入的外部噪声。注意，当平坦顶板330附连时，间隙在模块衬底10与顶板330之间产生，但该间隙约为0.4到0.5mm，因此能获得足够的屏蔽效果。
此外，在第三实施例中，因为顶板330被构成为具有包括由玻璃环氧化物材料制成的平坦基材部分331、粘合到基材部分331的一个主表面上的导电箔332、以及在基材部分331的一个主表面上形成以覆盖导电箔332的绝缘层333的复合结构(层叠结构)，所以顶板330可通过利用印刷电路板等等的制造工艺来形成。因此，能更容易地提供具有屏蔽效果的顶板330。
此外，在第三实施例中，因为顶板330被构成为具有包括由玻璃环氧化物材料制成的基材部分331的复合结构，所以顶板330可具有柔性。因此，即使来自装配机头的冲击负荷作用于顶板330，顶板330也能弯曲，从而作用于电子部件模块300的冲击负荷能有效减少。因此，电子部件模块300的耐负荷性能可提高。此外，如果作用于电子部件模块300的冲击负荷被减少，则对固定顶板330的RF-IC 21和石英谐振器23的损伤能被有效抑制。
此外，在第三实施例中，因为顶板330通过利用由玻璃环氧化物材料制成的基材部分331形成，所以顶板330可不使用模具进行制造。因此，制造模具的初始成本是不必要的。因此，设备成本的提高可被抑制，从而添加至生产成本(制造成本)的设备成本可降低。因此，生产成本(制造成本)可降低。
此外，在第三实施例中，导电箔332的平面面积被形成为小于基材部分331的平面面积，而导电箔332被设置成使导电箔332的边(外缘)32a在平面视图中在顶板330(基材部分331)的边(外缘)34内侧。因此，因为导电箔332被绝缘层333密封，所以即使顶板330脱离装配到装配衬底上的状态，与外围部件的电短路、漏电等等的出现可被抑制。
此外，在第三实施例中，因为覆盖导电箔332的绝缘层333在顶板330的基材部分331上形成，所以即使顶板330脱离装配到装配衬底的状态，与外围部件的电短路、漏电等等的出现也能确保被抑制。
第三实施例的其他效果与第一实施例的其他效果相同。
图37到39是示出根据本发明的第三实施例的电子部件模块的制造方法的图解。接着，参照图37至39，将描述根据本发明的第一实施例的电子部件模块300的制造方法。注意，在第三实施例中，除顶板330之外的其他部件的制造工艺与第一实施例中相同。因此，在下文中，将仅描述顶板330(顶板集合体330a)的制造方法。
首先，如图37所示，制备由玻璃环氧树脂制成的厚度约为0.1mm的用于制造印刷电路板等等的平坦基材部分331。接着，具有厚度约为18μm的粘合剂的铜箔热压缩并接合到基材部分331的一个主表面上，且铜箔通过蚀刻等方法图案化成方形。因此，如图38所示，由铜箔制成的多个导电箔332在基材部分331上以矩阵的形式形成。
接着，如图39所示，浆料阻焊剂被印刷在基材部分331的一个主表面的整个表面上，在该主表面上已通过利用印刷方法等形成并热固化了导电箔332。因此，绝缘层333在基材部分331的一个主表面上形成以覆盖导电箔332，从而形成具有复合结构的顶板集合体330a。该顶板集合体330a具有其中多个顶板330与第一和第二实施例相似地耦合的结构，这些顶板在后续步骤中通过切割被分割成单个顶板330。
(第四实施例)
图40是根据本发明的第四实施例的电子部件模块的截面图。图41是根据本发明的第四实施例的电子部件模块的一般立体图。接着，参照图40和41，将描述根据本发明的第四实施例的电子部件模块400的结构。
在根据第四实施例的电子部件模块400中，具有弹性功能和粘合功能的弹性构件445设置在顶板330与第三实施例的结构中的电子部件20之间。然后，通过该弹性构件445，顶板330被固定至石英谐振器23和顶板支承构件40(RF-IC 21)。
弹性构件445由低弹性和约25到100μm(例如约50μm)厚度的薄片状环氧树脂构成，且在电子部件模块400的工作条件下具有约1到200MPa的弹性模量。此外，如图40所示，薄片状弹性构件445通过热压缩接合被预先固定到顶板330的另一主表面(正对电子部件20的表面)的整个表面上。注意，固定弹性构件445的顶板330的另一主表面利用诸如氩等离子体处理之类的表面粗糙化处理进行处理，以改善弹性构件445与顶板330之间的粘合性。通过该表面粗糙化处理，顶板330的另一主表面具有约400nm的表面粗糙度(算术平均表面粗糙度Ra)。
此外，作为弹性构件445，可能使用模具接合薄片(模具接合膜)，例如用于模具接合半导体芯片。注意，优选使用通过动态粘弹性测量方法(DMA)在23℃下测得弹性模量约为100MPa的模具接合薄片(模具接合膜)。
此外，在第四实施例中，如图40和41所示，开口部分333a在顶板330的绝缘层333的预定部分处形成。然后，通过该开口部分333a，导电箔332的一部分暴露给电子部件20的另一边。
第四实施例的其他结构与第三实施例的其他结构相同。
在第四实施例中，如上所述，平坦顶板330经由具有弹性功能的弹性构件445固定至电子部件20。因此，当电子部件模块400被装配在诸如印刷电路板之类的装配衬底60上时，来自装配机头的冲击可被弹性构件445吸收。因此，因为作用于电子部件20(石英谐振器23和RF-IC 21)的冲击负荷可被减少，所以耐负荷性能可提高。因此，对已装配电子部件20(石英谐振器23和RF-IC 21)的损伤可减少，且电子部件20与模块衬底10之间的电连接断开可被抑制。因此，可靠性也会被提高。
此外，在第四实施例中，开口部分333a在绝缘层333的预定部分中形成，以使导电箔332的一部分暴露。因此，通过开口部分333a暴露的导电箔332的一部分电连接至其上装配有电子部件模块400的电子设备(未示出)的接地部分，例如，从而能容易地获得接地屏蔽效果。
第四实施例的其他效果与第三实施例的其他效果相同。
图42到44是示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的装配示例的截面图。注意，图42示出了第一装配示例，图43示出了第二装配示例，以及图44示出了第三装配示例。接着，参照图42到44，将描述根据本发明的第四实施例的电子部件模块400的装配示例。
在根据第四实施例的电子部件模块400的第一装配示例中，如图42所示，电子部件模块400被装配在装配衬底60上。在该状态下，导电弹性构件401将形成在电子设备的外壳402上的用于接地的导电层402a与导电箔332通过开口部分333a暴露的部分电连接。因此，顶板330的导电箔332的电位可以与GND电位相同，从而可获得接地屏蔽效果。
注意，导电弹性构件401可以是例如具有导电性质的管芯接合薄片、由环氧化物材料制成的含银填料或多种金属填料的导电浆料等。
在根据第四实施例的电子部件模块400的第二装配示例中，如图43所示，电子部件模块400装配在装配衬底60上。在该状态下，具有弹簧功能和导电性质的弹性构件411将形成在电子设备的外壳402上的用于接地的导电层402a与导电箔332通过开口部分333a暴露的那部分电连接。
在根据第四实施例的电子部件模块400的第三装配示例中，如图44所示，电子部件模块400被装配在装配衬底60上。在该状态下，导电引线421将形成在装配衬底60上的用于接地的导电层60a与导电箔332通过开口部分333a暴露的那部分电连接。注意，导电引线421利用导电构件422(例如导电粘合剂、焊料等)固定。
图45到48是用于示出根据本发明的第四实施例的电子部件模块的制造方法的截面图。接着，参照图17、18、37到40以及45到48，将描述根据本发明的第四实施例的电子部件模块400的制造方法。
首先，利用与图37到39中所示的第三实施例相同的方法，顶板集合体330a(参见图39)形成。在这种情况下，阻焊剂被图案化，以使开口部分333a(参见图40)在绝缘层333的预定部分中形成。
接着，如图45所示，基材部分331的在一个主表面的反面的另一主表面利用诸如氩等离子体处理之类的表面粗糙化处理进行处理，从而使基材部分331的另一主表面具有约400nm的表面粗糙度(算术平均表面粗糙度Ra)。图45中的箭头概念性地示出了氩等离子体处理。然后，如图46和47所示，薄片状弹性构件445(例如管芯接合薄片)在表面粗糙化处理之后通过热压缩和接合工艺固定到基材部分331的另一主表面上。以此方式，顶板集合体330a形成为多个耦合的顶板330。注意，弹性构件445预先固定至顶板集合体330a。
接着，如图48所示，顶板支承构件40固定至顶板集合体330a，然后以与第一和第三实施例相同的方式，具有顶板支承构件40的顶板集合体330a被固定至装配在衬底集合体10a的部件装配区10b中的某些电子部件20。
在那之后，通过使用与图17和18中所示的第一实施例的方法相同的方法获得单个电子部件模块。以此方式，制造了根据第四实施例的电子部件模块400。
(第五实施例)
图49是根据本发明的第五实施例的电子部件模块的分解立体图。图50是根据本发明的第五实施例的电子部件模块的截面图。图51是根据本发明的第五实施例的电子部件模块的平面视图。注意，图51示出了顶板被去除的状态。接着，参照图49到51，将描述根据本发明的第五实施例的电子部件模块500。
如图49和50所示，根据第五实施例的电子部件模块500包括模块衬底510、装配在模块衬底510的顶面上的多个电子部件520、覆盖电子部件520的平面顶板530、以及用于支承顶板530的顶板支承构件540。注意，模块衬底510是本发明中的“衬底”的示例。
构成电子部件模块500的模块衬底510由具有预定厚度的陶瓷多层衬底组成。此外，如图49和51所示，在模块衬底510的顶面上，装配有诸如发热部件521、包括半导体器件(IC)的半导体部件522以及无源部件523(电阻器元件、电感器元件、电容器元件等)之类的电子部件520。此外，在第五实施例中，半导体部件522是具有最大高度的长部件。注意，半导体部件522是本发明中的“第一电子部件”的示例，而发热部件521是本发明中的“第二电子部件”的示例。
发热部件521包括在被驱动时发热的发热元件，而且是需要散热以抑制热影响的部件。具体而言，在第五实施例中，表面声波(SAW)滤波器作为发热部件521被装配在模块衬底510上。该SAW滤波器包括压电衬底(未示出)。此外，该SAW滤波器产生在压电衬底上传播的表面声波(SAW)的损耗，该损耗随着温度每升高1℃而增大约0.02dB。因此，为了将损耗衰减控制成例如低于0.1dB，必须将温度升高设置成低于5℃。此外，因为SAW滤波器具有40ppm每℃的温度系数，如果SAW滤波器的温度升高，则它的频率特性被移至低温侧。因此，为了将频率移动控制成例如低于0.2MHz，必须控制温度的升高低于3℃。
此外，如图49和50所示，顶板530由诸如铜板或铝板之类的金属板制成，且设置在模块衬底510的顶面侧，以覆盖电子部件520。此外，粘合层45(参见图50)在顶板530的背面(正对模块衬底510的表面)上形成，而且顶板530经由粘合层45被固定至半导体部件522的顶面。
这里，在第五实施例中，顶板支承构件540设置在发热部件521与固定至半导体部件522的顶板530之间。顶板支承构件540的厚度基本等于半导体部件522与发热部件521之间的高度差，以补偿顶板530与发热部件521之间的间隙。然后，顶板支承构件540支承顶板530以使其与模块衬底510基本平行。换言之，顶板支承构件540将顶板530以稳定状态固定至模块衬底510。
此外，在第五实施例中，顶板支承构件540由导热材料制成。具体而言，顶板支承构件540由诸如铜板或铝板之类的金属板制成。此外，顶板支承构件540被设置成覆盖发热部件521的顶面，如图50所示。
在第五实施例中，如上所述，由金属板制成的顶板支承构件540设置在顶板530与发热部件521之间以覆盖发热部件521的顶面，从而来自发热部件521的热能通过顶板支承构件540耗散。因此，电子部件模块500的散热特性可在无需提供附加热辐射构件或类似物的情况下得以提高。因此，发热部件521的性能退化可被抑制，从而电子部件模块500的特性可提高，而且可靠性可提高。
此外，在第五实施例中，因为顶板530由金属板制成，所以来自发热部件521的热不仅可通过顶板支承构件540耗散，而且可通过顶板530耗散。因此，电子部件模块500的散热特性能提高更多。
第五实施例的其他效果与第一实施例的其他效果相同。
注意，这里所公开的实施例是各个方面的示例，而且不应解释为限制。本发明的范围不由对实施例的描述限定而是由权利要求限定，权利要求还包括在权利要求的等价含义和范围内的各种修改。
例如，第一到第五实施例描述了其中电子部件模块由作为陶瓷多层衬底的模块衬底构成的示例，但本发明不限于该结构。通过使用不同于陶瓷多层衬底的模块衬底构成电子部件模块也是可能的。例如，可能使用由多层树脂衬底组成的模块衬底来构成电子部件模块。
此外，第一到第四实施例描述了包括用作调谐器的电子部件的多个电子部件装配在模块衬底的顶面上的示例，但除上述电子部件之外，诸如低通滤波器(LPF)或SAW滤波器的部件可装配在模块衬底的顶面上。
此外，第一到第五实施例描述了顶板支承构件设置在一个电子部件与顶板之间的示例，但本发明不限于该结构。可能将顶板支承构件设置在顶板与多个电子部件之间。例如，在第一到第四实施例中，顶板支承构件不仅可设置在RF-IC与顶板之间，而且可设置在OFDM解调IC与顶板之间。此外，如果诸如半导体器件(IC)或SAW滤波器之类的其他电子部件装配在模块衬底上，则支承构件可设置在电子部件与顶板之间。注意，同一结构也可应用于第五实施例。
此外，第一到第五实施例描述了顶板固定至具有最大高度的长电子部件的示例，但本发明不限于该结构。可能将顶板固定至除具有最大高度的长电子部件之外的电子部件。在这种情况下，如图52所示，顶板30(230、330或530)应当被构造为在顶板30(230、330或530)的一部分中具有开口部分35，以避开具有最大高度的长部件20(520)。此外，如图53所示，如果具有最大高度的长部件20(520)装配在模块衬底10(510)的边缘部分处，则可能通过在顶板30(230、330或530)中形成凹口36来构成顶板30，以避开具有最大高度的长部件20(520)。
此外，在第一到第五实施例中，优选顶板由与被顶板覆盖的电子部件的特性相关的材料制成。例如，如果装配在模块衬底上的电子部件包括产生高频电磁波等的电子部件，则优选顶板由电磁屏蔽材料制成。此外，如果除产生高频电磁波等的电子部件之外，装配在该模块上的电子部件还包括发热部件，则优选顶板由具有屏蔽功能和热辐射功能的材料制成。
此外，在第一到第五实施例中，当顶板和顶板支承构件由电磁屏蔽材料制成时，可使用诸如镁、黄铜、铁或坡莫合金(Fe-Ni合金)之类的电磁屏蔽材料代替铜或铝作为电磁屏蔽材料。
此外，第一到第五实施例描述了顶板的平面面积小于模块衬底的面积的示例，但本发明不限于该结构。可能顶板与模块衬底具有相同的外尺寸(平面形状和平面面积)。
注意，在第一到第五实施例中，电子部件模块的形状和大小、电路的结构等可适当地修改。
此外，第一到第五实施例描述了顶板设置在模块衬底侧的顶面上以覆盖装配在模块衬底上的多个电子部件的示例，但本发明不限于该结构。可能采用装配在模块衬底上的某些电子部件未被顶板覆盖的结构。
此外，在第一到第五实施例中，顶板支承构件可通过使用多种材料来形成。例如，其中金属层和树脂层堆叠的多层树脂衬底可用于形成顶板支承构件。
此外，在第一到第五实施例中，优选顶板支承构件由与被顶板支承构件覆盖的电子部件的特性相关的材料制成。例如，如上述实施例所述，如果被顶板支承构件覆盖的电子部件是产生高频电磁波等等的电子部件，则优选顶板支承构件由电磁屏蔽材料制成。此外，如果被顶板支承构件覆盖的电子部件是发热部件，则优选顶板支承构件由高导热材料制成。
此外，在第一到第五实施例中，顶板支承构件可覆盖电子部件的顶面的一部分，或可覆盖电子部件的顶面的整个表面。注意，为了稳定地支承顶面，优选顶面支承构件被形成为具有尽可能大的平面面积。因此，优选顶面支承构件的平面面积被形成为约等于或大于电子部件的顶面的平面面积。此外，利用该结构，可能有效地获得屏蔽效果或热辐射效果。
注意，在第一到第五实施例中，顶板支承构件可固定至电子部件或可不固定至电子部件。此外，如果顶板支承构件固定至电子部件，则顶板支承构件可不固定至顶板。
此外，第一到第四实施例描述了电子部件模块构成为用作调谐器模块(高频模块)的示例，但本发明不限于该结构。可能该电子部件模块被构成为具有除调谐器模块(高频模块)之外的其他功能。
此外，第一到第四实施例描述了顶板固定至作为长部件的石英谐振器的示例，但本发明不限于该结构。如果除石英谐振器之外的长部件装配在模块衬底上，则顶板可固定至该长电子部件。例如，如果长半导体器件、长SAW滤波器等装配在模块衬底上，则顶板可固定至电子部件。
此外，第一到第四实施例描述了顶板支承构件设置在顶板与RF-IC之间的示例，但本发明不限于该结构。顶板支承构件可设置在顶板与高度小于固定顶板的电子部件的高度的电子部件之间。注意，优选设置有顶板支承构件的电子部件是顶面的平面面积相对大的电子部件。作为这样的电子部件，存在例如包括集成电路元件(IC)、SAW滤波器等等的装配部件。
此外，第一到第四实施例描述了其中装配了由WL-CSP(RF-IC、OFDM解调IC)组成的半导体器件的示例，但本发明不限于该结构。装配在该模块衬底上的半导体器件(IC)可以是除WL-CSP之外的形式。半导体器件(IC)的形式可以是除WL-CSP之外的例如裸芯片或封装形式。
此外，第一、第三、第四以及第五实施例描述了顶板支承构件由金属材料制成的示例，但本发明不限于该结构。顶板支承构件可能由除金属材料之外的材料制成。例如，顶板支承构件可由树脂材料制成。
此外，如果顶板支承构件在第二到第五实施例中由金属板制成，则根据第一实施例的制造方法的变体示例可用于制造该电子部件模块。
此外，第一实施例描述了电子部件模块由由树脂绝缘板制成的顶板组成的示例，但本发明不限于该结构。可能使用如第二和第五实施例中所述的由金属板制成的顶板或具有如第三和第四实施例中所述的复合结构的顶板以构成该电子部件模块。此外，有可能使用由除上述材料(例如陶瓷等)之外的材料制成的顶板来构成该电子部件模块。
此外，第二实施例描述了顶板支承构件由热固树脂制成的示例，但本发明不限于该结构。顶板支承构件可由除热固树脂之外的可固化树脂制成。例如，顶板支承构件可由诸如紫外固化树脂之类光固化树脂制成。
此外，第二实施例描述了液状树脂涂敷在电子部件的顶面、以使由树脂制成的顶面支承构件在顶板与电子部件(RF-IC)之间形成的示例，但本发明不限于该结构。例如，预制树脂板可用作顶板支承构件。此外，可能通过利用例如印刷方法在顶板的一个表面上按图案印刷浆料树脂、然后固化该树脂，以在顶板上的预定区域中形成顶板支承构件。
此外，第二实施例描述了顶板支承构件由树脂制成的示例，但本发明不限于该结构。顶板支承构件可能由金属板(金属材料)制成。
此外，第三和第四实施例描述了其中玻璃环氧化物材料用于顶板的基材部分的示例，但本发明不限于该结构。顶板的基材部分可由除玻璃环氧化物材料之外的材料制成。作为除玻璃环氧化物材料之外的材料，例如可以是聚酰亚胺膜材料。
此外，第三和第四实施例描述了其中顶板的基材部分的厚度约为0.1mm的示例，但本发明不限于该结构。该基材部分的厚度可以是除0.1mm之外的厚度，只要它具有期望的弹性即可。此外，导电箔的厚度和绝缘层的厚度可适当地修改。
此外，第三和第四实施例描述了其中铜箔用作顶板的导电箔的示例，但本发明不限于该结构。除铜箔之外的金属箔可用作顶板的导电箔。例如，铝箔等可用作顶板的导电箔。
此外，第三和第四实施例描述了顶板的表面粗糙化处理通过氩等离子体处理而进行的示例，但本发明不限于该结构。除氩等离子体处理之外的表面粗糙化处理方法可用于使顶板的表面粗糙化。例如，喷砂法(氧化铝粉喷雾)等可用于使顶板的表面粗糙化。此外，顶板在表面粗糙化处理之后的表面粗糙度能使顶板适当地固定至弹性构件就足够，而且它可以是除400nm之外的粗糙度。
此外，第四实施例描述了模具接合薄片用作弹性构件的示例，但本发明不限于该结构。除模具接合薄片(模具接合膜)之外的材料可用作该弹性构件，只要该弹性构件具有期望的弹性功能。例如，有可能通过在顶板的整个表面上印刷环氧树脂浆料等在该顶板上形成弹性构件。
此外，在第一到第三以及第五实施例中，如第四实施例中所述的表面粗糙化处理可在顶板的一个表面上(其上形成粘合层的表面)进行。此外，代替粘合层，如第四实施例中所述的弹性构件可固定至顶板。
此外，第四实施例描述了作为电子部件模块的装配示例的三个装配示例，但本发明不限于这些示例。电子部件模块可按照除上述三个装配示例之外的形式来安装。注意，如果顶板由金属制成，则电子部件模块可与上述三个装配示例相似地装配。
此外，第五实施例描述了顶板支承构件由金属制成的示例，但本发明不限于该结构。顶板支承构件可由除金属之外的材料制成。例如，顶板支承构件可由树脂材料制成。在该情况下，为改善热辐射性质，优选顶板支承构件由高导热树脂制成。作为高导热树脂，例如，可以是热导率约为2到20W/m·K的树脂。此外，可通过制造导热材料的细粉末、并将该粉末作为填料混合到作为基材的树脂中来获得这样的高导热树脂。
此外，第五实施例描述了顶板由金属制成的示例，但本发明不限于该结构。该顶板可由除金属之外的材料制成。在该情况下，考虑该模块的散热特性，优选该顶板由具有高热导率(散热特性)的材料制成。例如，优选该顶板由陶瓷或高导热树脂制成。
此外，第五实施例描述了其中作为发热部件的SAW滤波器安装在模块衬底上的示例，但本发明不限于该结构。该发热部件可以是除SAW滤波器之外的电子部件。作为除SAW滤波器之外的发热部件，例如可以是调节器IC、功率放大器IC、晶体管、二极管等。
此外，第五实施例描述了顶板固定至作为长部件的半导体部件的示例，但本发明不限于该结构。如果除半导体部件之外的长部件安装在模块衬底上，则顶板可固定至该长电子部件。

Claims (17)

1.一种电子部件模块，包括：
设置在衬底的顶面上的第一电子部件；
高度小于所述第一电子部件的第二电子部件，所述第二电子部件设置在所述衬底的顶面上以与所述第一电子部件并排地布置；
固定至所述第一电子部件以覆盖所述第一电子部件和所述第二电子部件的平坦顶板；以及
设置在所述第二电子部件与所述顶板之间以支承所述顶板的顶板支承构件，
所述顶板具有复合结构，所述复合结构包括绝缘基材部分和形成在所述基材部分上的导电箔。
2.如权利要求1所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板支承构件的厚度基本等于所述第一电子部件的所述高度与所述第二电子部件的所述高度之差。
3.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述第二电子部件是包括集成电路元件的装配部件。
4.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述第二电子部件是包括高频集成电路元件的装配部件，而所述顶板支承构件由电磁屏蔽材料制成。
5.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述第二电子部件是通过被驱动而发热的发热部件，而所述顶板支承构件由导热材料制成。
6.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板支承构件由金属材料制成。
7.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板支承构件由包括导热树脂或导电树脂的树脂材料制成。
8.如权利要求7所述的电子部件模块，其特征在于，形成所述顶板支承构件的所述树脂材料包含热固树脂。
9.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板的所述基材部分由玻璃环氧化物材料制成，而所述顶板的导电箔由铜箔制成。
10.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述导电箔的平面面积小于所述基材部分的平面面积，而且所述导电箔被设置成使所述导电箔的外缘在平面视图中在所述基材部分的外缘内侧。
11.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板还包括覆盖所述导电箔的绝缘构件。
12.如权利要求11所述的电子部件模块，其特征在于，所述绝缘构件具有使所述导电箔的一部分暴露的开口部分。
13.如权利要求12所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板被调整成使所述开口部分设置在与所述衬底相反的一面上。
14.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，还包括设置在所述顶板与所述电子部件之间的具有弹性功能的弹性构件，而且所述顶板经由所述弹性构件固定至所述第一电子部件。
15.如权利要求14所述的电子部件模块，其特征在于，所述弹性构件形成为具有预定厚度的薄板状形状，而且预先固定至所述顶板。
16.如权利要求14所述的电子部件模块，其特征在于，所述弹性构件由在所述电子部件模块的工作条件下具有1到200MPa的弹性模量的环氧树脂制成。
17.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于，所述顶板的平面面积小于所述衬底的平面面积，而且所述顶板被设置成所述顶板的外缘在所述衬底的外缘内侧。
CN2010101674770A 2009-04-21 2010-04-20 电子部件模块 Expired - Fee Related CN101872747B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-102672 2009-04-21
JP2009102672A JP4842346B2 (ja) 2009-04-21 2009-04-21 電子部品モジュールおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101872747A CN101872747A (zh) 2010-10-27
CN101872747B true CN101872747B (zh) 2012-10-17

Family

ID=42980830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101674770A Expired - Fee Related CN101872747B (zh) 2009-04-21 2010-04-20 电子部件模块

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8179678B2 (zh)
JP (1) JP4842346B2 (zh)
CN (1) CN101872747B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5165017B2 (ja) * 2010-03-18 2013-03-21 株式会社日立製作所 電子機器の冷却構造
JP5573645B2 (ja) 2010-12-15 2014-08-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE102010055627A1 (de) * 2010-12-22 2012-06-28 Epcos Ag Elektrisches Modul zur Aufnahme durch Bestückungsautomaten mittels Erzeugung eines Vakuums
JP5779042B2 (ja) * 2011-08-18 2015-09-16 新光電気工業株式会社 半導体装置
DE102011083223B4 (de) * 2011-09-22 2019-08-22 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit integrierter Dickschichtleiterplatte
CN103090338B (zh) * 2011-11-03 2018-10-09 欧司朗股份有限公司 驱动器组件及其制造方法
TW201320877A (zh) * 2011-11-04 2013-05-16 Most Energy Corp 熱管理裝置及電子設備
US20140016293A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Wisol Co., Ltd. High frequency module having surface acoustic wave device and method for manufacturing the same
US9826623B2 (en) * 2013-05-22 2017-11-21 Kaneka Corporation Heat dissipating structure
US9613246B1 (en) * 2014-09-16 2017-04-04 Apple Inc. Multiple scan element array ultrasonic biometric scanner
US9952095B1 (en) 2014-09-29 2018-04-24 Apple Inc. Methods and systems for modulation and demodulation of optical signals
US9979955B1 (en) 2014-09-30 2018-05-22 Apple Inc. Calibration methods for near-field acoustic imaging systems
US9747488B2 (en) 2014-09-30 2017-08-29 Apple Inc. Active sensing element for acoustic imaging systems
US9984271B1 (en) 2014-09-30 2018-05-29 Apple Inc. Ultrasonic fingerprint sensor in display bezel
US10133904B2 (en) 2014-09-30 2018-11-20 Apple Inc. Fully-addressable sensor array for acoustic imaging systems
US9607203B1 (en) 2014-09-30 2017-03-28 Apple Inc. Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers
US9824254B1 (en) 2014-09-30 2017-11-21 Apple Inc. Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers
US9904836B2 (en) 2014-09-30 2018-02-27 Apple Inc. Reducing edge effects within segmented acoustic imaging systems
DE102015001148B4 (de) 2015-01-30 2019-04-11 e.solutions GmbH Anordnung und Verfahren zur elektromagnetischen Abschirmung
US11048902B2 (en) 2015-08-20 2021-06-29 Appple Inc. Acoustic imaging system architecture
US10198610B1 (en) 2015-09-29 2019-02-05 Apple Inc. Acoustic pulse coding for imaging of input surfaces
KR102420101B1 (ko) * 2015-12-07 2022-07-13 삼성전자주식회사 케이블 지지구조를 포함하는 전자 기기
WO2018056239A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社村田製作所 高周波部品
US10802651B2 (en) 2018-01-30 2020-10-13 Apple Inc. Ultrasonic touch detection through display
KR102551188B1 (ko) 2018-06-26 2023-07-04 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 이를 포함하는 광학 기기
CN109404865B (zh) * 2018-11-16 2021-11-19 西安交通大学 模块化多功能石英灯挂载架
WO2021097756A1 (en) * 2019-11-21 2021-05-27 Texas Instruments Incorporated Packaged electronic device with low resistance backside contact
US11950512B2 (en) 2020-03-23 2024-04-02 Apple Inc. Thin-film acoustic imaging system for imaging through an exterior surface of an electronic device housing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744640B2 (en) * 2002-04-10 2004-06-01 Gore Enterprise Holdings, Inc. Board-level EMI shield with enhanced thermal dissipation
CN101273481A (zh) * 2005-09-29 2008-09-24 京瓷株式会社 移动终端设备
CN101431089A (zh) * 2007-11-06 2009-05-13 东部高科股份有限公司 图像传感器及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177320A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2592027Y2 (ja) 1993-06-26 1999-03-17 太陽誘電株式会社 混成集積回路部品
JP2605382Y2 (ja) 1993-12-27 2000-07-10 株式会社村田製作所 複合部品
JPH08306832A (ja) * 1995-05-01 1996-11-22 Mitsubishi Electric Corp 冷却装置
JP2000117898A (ja) * 1998-10-12 2000-04-25 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
US6275381B1 (en) * 1998-12-10 2001-08-14 International Business Machines Corporation Thermal paste preforms as a heat transfer media between a chip and a heat sink and method thereof
US6577504B1 (en) * 2000-08-30 2003-06-10 Intel Corporation Integrated heat sink for different size components with EMI suppression features
US6707671B2 (en) * 2001-05-31 2004-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power module and method of manufacturing the same
JP2003078229A (ja) * 2001-06-19 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品実装基板
US6882536B2 (en) * 2002-04-25 2005-04-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wrap-around cooling arrangement for printed circuit board
US7193318B2 (en) * 2004-08-18 2007-03-20 International Business Machines Corporation Multiple power density chip structure
JP2006073683A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sony Corp 回路デバイス及び回路デバイスの製造方法
US7254034B2 (en) * 2004-12-15 2007-08-07 Lucent Technologies Inc. Thermal management for shielded circuit packs
US7995344B2 (en) * 2007-01-09 2011-08-09 Lockheed Martin Corporation High performance large tolerance heat sink
JP5109422B2 (ja) * 2007-03-16 2012-12-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
CN201104378Y (zh) * 2007-04-04 2008-08-20 华为技术有限公司 屏蔽和散热装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744640B2 (en) * 2002-04-10 2004-06-01 Gore Enterprise Holdings, Inc. Board-level EMI shield with enhanced thermal dissipation
CN101273481A (zh) * 2005-09-29 2008-09-24 京瓷株式会社 移动终端设备
CN101431089A (zh) * 2007-11-06 2009-05-13 东部高科股份有限公司 图像传感器及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2008-235369A 2008.10.02

Also Published As

Publication number Publication date
CN101872747A (zh) 2010-10-27
US20100265663A1 (en) 2010-10-21
US8179678B2 (en) 2012-05-15
JP2010258008A (ja) 2010-11-11
JP4842346B2 (ja) 2011-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101872747B (zh) 电子部件模块
TWI466249B (zh) 半導體封裝件及其製造方法
TWI569401B (zh) High frequency module
US7002236B2 (en) Semiconductor package and method for producing the same
US20060043562A1 (en) Circuit device and manufacture method for circuit device
KR101642560B1 (ko) 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
KR20150053579A (ko) 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
WO2004021435A1 (ja) モジュール部品
JP2005019568A (ja) 積層型半導体装置
KR101250737B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
JP3143888U (ja) 部品内蔵モジュール
JP2006060128A (ja) 半導体装置
JP2000331835A (ja) 積層電子部品及び回路モジュール
JP2005251889A (ja) 立体的電子回路装置
KR20120045893A (ko) 반도체 패키지 모듈
JP2005217348A (ja) 立体的電子回路装置およびその中継基板と中継枠
WO2020071493A1 (ja) モジュール
JP2010123839A (ja) 半導体モジュール
JP2000138317A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP6737634B2 (ja) 放熱チップ及び放熱構造
JP2017162989A (ja) 電子部品内蔵基板およびその製造方法
CN116828698B (zh) 电磁屏蔽膜、电磁屏蔽封装体及其制备方法
JP2005340713A (ja) マルチチップモジュール
JP2009231480A (ja) 半導体装置
JP2007201517A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121017