CN101861284A - 硫化物或复合硫化物的单晶细粉及其制备方法 - Google Patents
硫化物或复合硫化物的单晶细粉及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101861284A CN101861284A CN200880116096.0A CN200880116096A CN101861284A CN 101861284 A CN101861284 A CN 101861284A CN 200880116096 A CN200880116096 A CN 200880116096A CN 101861284 A CN101861284 A CN 101861284A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- product
- sulfide
- ratio
- thermal reaction
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 28
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 94
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 75
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 claims description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical group S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BVJAAVMKGRODCT-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenerhodium Chemical compound [Rh]=S BVJAAVMKGRODCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 4
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 116
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 30
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 23
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 10
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 7
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G47/00—Compounds of rhenium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G55/00—Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供包含给定元素的硫化物或复合硫化物的细粉的细粒复合材料。该细粒复合材料通过制造包含硫化物或复合硫化物的细粉的细粒复合材料的方法获得,所述硫化物或复合硫化物包含至少一种选自钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)的元素。这种方法包括下列步骤:由至少一种含有选自钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)和硫(S)的元素的化合物制备溶剂混合物;并对该溶剂混合物施以水热或溶剂热反应。所得细粒复合材料包含硫化物或复合硫化物的细粒,该硫化物或复合硫化物包含至少一种选自钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)的元素。
Description
技术领域
本发明涉及硫化物或复合硫化物的单晶细粉及其制备方法,所述硫化物或复合硫化物包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素。
背景技术
水热和溶剂热反应已作为化合物合成方式引起关注。例如,日本专利公开(kokai)No.2005-36214A公开了在粒子生长过程中经由在150℃至370℃下使用水作为反应溶剂的硫离子和锌离子的水热反应制备具有多重孪晶结构和5纳米至20微米平均粒径的硫化锌粒子的方法。
各种硫属元素化物已作为现有昂贵铂催化剂的替代品引起关注。
发明内容
发明目的
本发明提供包含给定元素的硫化物或复合硫化物的单晶细粉。
实现该目的的方式
本发明的发明人发现,可以经由水热或溶剂热反应实现上述目的并完成本发明。
具体而言,本发明的第一方面涉及包含给定元素的硫化物或复合硫化物的单晶细粉,该硫化物或复合硫化物的单晶细粉包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素。
本发明的单晶细粉可以是各种构造的,特别优选大致球形的构造。
本发明的单晶细粉硫化物的实例包括选自硫化钼(Mo2S2、MoS2、Mo2S3、MoS3或MoS4)、硫化铑(Rh17S15、Rh9S8、Rh3S4、Rh2S3或Rh2S5)、硫化钌(RuS2)和硫化铼(ReS2或Re2S7)的二元化合物。优选复合硫化物的实例是Rh-X-S或Ru-X-S所示的三元化合物,其中X优选是至少一种选自钼(Mo)、钯(Pd)、硒(Se)、硅(Si)、钽(Ta)、碲(Te)、钍(Th)、钒(V)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、锑(Sb)和钨(W)的元素。其中,三元化合物,即Rh-Mo-S和Ru-Mo-S是最优选的实例。
不必限制本发明的单晶细粉的平均粒径,平均粒径为1纳米至100纳米的粉末是优选的。
本发明的第二方面涉及制造硫化物或复合硫化物的单晶细粉的方法,该硫化物或复合硫化物包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素,该方法包括下列步骤:由至少一种包含选自钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)的元素的化合物和含硫(S)化合物制备溶剂混合物;和在将该溶剂混合物转化成超临界或亚临界的水或溶剂的压力和温度下进行水热或溶剂热反应。用于溶剂热反应的溶剂不受限制,这类溶剂的实例包括二甲苯、丙酮和氯仿。
在本发明中,水热或溶剂热反应优选在200℃至600℃下进行。
在水热或溶剂热反应步骤后在惰性气氛中在300℃至800℃下的热处理也可以改进结晶性,由此分散原料化合物的残基,如羰基。
发明效果
本发明可以提供硫化物或复合硫化物的单晶细粉,该硫化物或复合硫化物包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素。特别地,本发明可以提供细球形单晶。包含给定元素的这类硫化物或复合硫化物的单晶细粉用于已知用途,而且利用其特征,可以预计到更多种用途。例如,这类粉末可用于燃料电池催化剂,同时充当现有铂催化剂的成本有效的替代品。此外,已知为润滑剂的MoS2是细球形单晶并因此可用作优质润滑剂。另外,适当选择要用于掺杂所述粉末的掺杂剂元素能够使得各种物理性质得以展现。
附图简要说明
图1是详述本发明的经由水热或溶剂热反应的合成方法的流程图。
图2显示经由溶剂热反应合成的MoS2的XRD图。
图3显示由MoCl5合成的MoS2粉末(在400℃下预煅烧5小时)的SEM照片。
图4显示经由溶剂热反应合成的MoS2的XRD图。
图5显示由硫脲合成的MoS2粉末(在400℃下预煅烧5小时)的SEM照片。
图6显示经由溶剂热反应合成的MoS2(a)及其预煅烧产物(b、c)的XRD图。
图7显示由Mo(CO)6和S经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的MoS2产物的XRD图,在合成中改变S∶Mo比率。
图8显示MoS2在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。这类产物由Mo(CO)6和S经由在220℃下溶剂热反应10小时合成,在合成中改变S∶Mo比率。
图9A显示由溶剂热反应产生的MoS2的扫描电子显微图,图9B显示其在400℃下预煅烧5小时的产物的扫描电子显微图。
图10显示由溶剂热反应产生的MoS2在400℃下预煅烧5小时的产物的透射电子显微图。
图11显示由溶剂热反应产生的MoS2的XRD图。
图12A和12B各自显示由溶剂热反应产生的MoS2的电子显微图。
图13显示在添加氨的情况下在220℃下水热合成10小时的MoS2的XRD图。
图14显示在添加氨的情况下水热合成的MoS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图15A和15B各自显示在添加氨的情况下在220℃下水热合成10小时的MoS2(S∶Mo比率为2.2∶1)的扫描电子显微图。
图16显示在添加氢氧化钠的情况下在2.2∶1的S∶Mo比率下在220℃下水热合成10小时的MoS2和在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的MoS2的XRD图。
图17显示在0.6M NaOH水溶液中在220℃下水热合成10小时的MoS2(S∶Mo比率为2.2∶1)的扫描电子显微图。
图18显示(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的XRD图。
图19A和19B各自显示(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的扫描电子显微图。
图20显示(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的FTIR谱。
图21显示(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的XRD图。
图22A和22B各自显示(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的扫描电子显微图。
图23显示(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的FTIR谱。
图24显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2的XRD图,在合成中改变S∶Ru比率。
图25显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图26A、26B和26C各自显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的扫描电子显微图。
图27A、27B、27C和27D各自显示RuS2的预煅烧产物的透射电子显微图。
图28显示经由溶剂热反应(S∶Ru比率为4∶1)合成的RuS2及其在400℃下预煅烧的产物的FTIR谱。
图29显示经由在220℃下水热反应10小时合成的RuS2的XRD图。
图30显示经由在220℃下水热反应10小时合成的RuS2在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图31A和31B各自显示RuS2及其预煅烧产物的扫描电子显微图。
图32显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的Rh2S3的XRD图。
图33显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的Rh2S3在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图34显示经由在5.0∶1的S∶Rh比率下在220℃下溶剂热反应10小时合成的Rh2S3及其在氩气流中在400℃下预煅烧5小时和在750℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图35A、35B、35C和35D各自显示由溶剂热反应产生的Rh2S3及其预煅烧产物的扫描电子显微图。
图36显示由水热反应产生的Rh2S3及其预煅烧产物的XRD图。
图37A和37B各自显示由水热反应产生的Rh2S3及其预煅烧产物的电子显微图。
图38A和38B各自显示由水热反应产生的Rh2S3(S∶Rh比率为3.0∶1)的电子显微图和电子衍射图。
图39A和39B各自显示由水热反应产生的Rh2S3在400℃下煅烧的产物(S∶Rh比率为3.0∶1)的电子显微图和电子衍射图。
图40显示水热合成的Rh2S3(S∶Rh比率为3∶1)及其在400℃下预煅烧的产物的FTIR谱。
图41显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的ReS2的XRD图。
图42显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的ReS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图43显示在4∶1的S∶Re比率下获得的ReS2及其预煅烧产物的XRD图。
图44显示在9∶1的S∶Re比率下获得的ReS2及其预煅烧产物的XRD图。
图45A、45B、45C和45D各自显示由溶剂热反应产生的ReS2及其预煅烧产物的扫描电子显微图。
图46A和46B各自显示在9.0∶1的S∶Rh比率下由溶剂热反应产生的ReS2及其在750℃下煅烧的产物的电子显微图和电子衍射图。
图47显示溶剂热产物(S∶Rh比率为4∶1)及其在400℃下预煅烧的产物的FTIR谱。
图48显示经由在220℃下水热反应10小时合成的ReS2及其在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。
图49A、49B、49C和49D各自显示由水热反应产生的ReS2及其预煅烧产物的扫描电子显微图。
图50显示检验本发明的硫化物或复合硫化物作为氧还原催化剂的性能的结果。
本发明的最佳实施方式
本发明旨在探索经由水热或溶剂热反应合成MoS2、RuS2、Rh2S3或ReS2的可能性,也旨在合成二元或三元硫化物固溶体。
图1显示详述本发明的经由水热或溶剂热反应的合成方法的流程图。Teflon衬里的高压釜用于低温反应,Hastelloy-C衬里的高压釜用于高温反应。该反应原位进行。下面描述具体合成条件。
条件如图1中所示。
(1)将原材料(Mo、Ru、Rh、Re和S)引入高压釜。确定原材料的类型和定量比。
(2)将溶剂引入高压釜。确定溶剂的类型和量。
(3)进行水热或溶剂热反应。
(4)洗涤固体产物,借助离心机回收,随后真空干燥。
(5)在惰性气氛,如Ar中进行预煅烧。确定温度和持续时间。
(6)通过SEM、HRTEM、EDX、FTIR、XRD或其它方式评测性质。
实施例1:MoS2的合成
使用Mo(CO)6、MoCl5、(NH4)6Mo7O24·4H2O和(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O作为Mo的原材料,使用S(固体硫)和硫脲((NH2)2CS)作为S的原材料,使用二甲苯或蒸馏水作为溶剂。溶剂热或水热反应在220℃或350℃下进行10小时。此后,在Ar气氛中在350℃至750℃下预煅烧5小时。
1.1:经由溶剂热反应合成MoS2
当使用Mo(CO)6和S作为该溶剂热反应的原材料时,获得良好分散的MoS2粉末。在220℃低温下合成10小时的MoS2粉末具有低结晶度,但是经由在氩气氛中在350℃下的预煅烧改进了该结晶度。通过在高温(350℃)下合成粉末10小时,与在低温下合成的粉末相比,改进了所得粉末的结晶度。
1.1.1:Mo原材料的影响
使用Mo(CO)6或MoCl5作为Mo的原材料在220℃下进行合成实验10小时。在使用MoCl5作为原材料时,所得MoS2粉末具有略高的结晶度,粒子更紧密聚集。因此,使用Mo(CO)6作为Mo的原材料。
图2显示经由溶剂热反应合成的MoS2的XRD图,溶剂是二甲苯,温度为220℃且持续时间为10小时。在该图中,“a”代表MoCl5+S且“b”代表Mo(CO)6+S。
图3显示由MoCl5合成的MoS2粉末(在400℃下预煅烧5小时)的SEM照片。
1.1.2:S原材料的影响
使用S或硫脲作为硫的原材料在220℃下进行合成实验10小时。在由S合成时,所得MoS2粉末具有相对较高的结晶度。相反,在使用硫脲作为原材料时,产物紧密聚集。因此,使用S作为硫源。
图4显示经由溶剂热反应合成的MoS2的XRD图,溶剂是二甲苯,温度为220℃且持续时间为10小时。在该图中,“a”代表Mo(CO)6+硫脲且“b”代表Mo(CO)6+S。
图5显示由硫脲合成的MoS2粉末(在400℃下预煅烧5小时)的SEM照片。
1.1.3:预煅烧的效果
由Mo(CO)6和S经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的MoS2在Ar流中预煅烧。图6显示经由溶剂热反应合成的MoS2(a)及其预煅烧产物(b、c)的XRD图;其中“b”代表350℃2小时,“c”代表600℃2小时。
如图6中所示,经由在350℃下预煅烧,提高结晶度,经由在600℃下预煅烧实现的结晶度与在350℃下实现的相差不大。因此,在下列实验中,决定在400℃或更高温度下进行预煅烧5小时。
1.1.4:S∶Mo比率的影响
在由Mo(CO)6和S经由在220℃下溶剂热反应10小时合成MoS2时,改变原材料的S∶Mo比率。图7显示由Mo(CO)6和S经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的MoS2产物的XRD图,在合成中改变S∶Mo比率。图8还显示由Mo(CO)6和S经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的MoS2在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图,在合成中改变S∶Mo比率。在这些图中,“a”代表1.6∶1的S∶Mo比率,“b”代表2.0∶1的比率,“c”代表2.4∶1的比率,“d”代表3.0∶1的比率。
如图7和图8中所示,所得产物具有MoS2的单层结构,即使S∶Mo比率从1.6∶1变到3.0∶1时。当S∶Mo比率为2.0∶1或更高时,MoS2的结晶度略微提高。没有观察到在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的结晶度有何不同。
1.1.5:MoS2的显微观察
在电子显微镜下观察由Mo(CO)6和S在2.4∶1的S∶Mo比率下经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的MoS2及其在400℃下预煅烧5小时的产物。图9A显示由溶剂热反应产生的MoS2的扫描电子显微图,图9B显示其在400℃下预煅烧5小时的产物的扫描电子显微图。图10显示由溶剂热反应产生的MoS2在400℃下预煅烧5小时的产物的透射电子显微图。发现所得MoS2由大约100纳米的良好分散细粒构成,其明显不同于图3A、3B、5A和5B中所示的由其它Mo原材料合成的MoS2。特别地,没有观察到由预煅烧引起的提高的聚集。
作为透射电子显微观察的结果,发现该产物具有多层纤维的精细结构。由于这种结构,产物的XRD图在衍射强度方面不同于JCPDS中描绘的那些。
1.1.6:高温合成
尝试在改变S∶Mo比率的同时由Mo(CO)6和S经由在350℃的更高温度下溶剂热反应10小时合成MoS2。图11显示由溶剂热反应产生的MoS2的XRD图。图12A和12B也各自显示由溶剂热反应产生的MoS2的电子显微图。
通过提高反应温度,所得MoS2的结晶度改进至与经由预煅烧获得的结晶度同等的水平。当S∶Mo比率特别高时,(002)的衍射强度提高。
作为扫描电子显微观察的结果,发现产物构造与低温反应产生的构造相同,且发现其由细粒构成。作为透射电子显微观察的结果,观察到两种组分,即具有有力对比度的纤维层和具有相对较高结晶度的晶格层。发现晶格间距为6.2和2.7它们被认为对应于MoS2的<002>和<100>。
由此表明,可以经由使用Mo(CO)6和S作为原材料在3∶1的S∶Mo比率下在350℃下的溶剂热反应10小时来合成具有高结晶度和优异分散性的MoS2。
1.2:经由水热反应合成MoS2
尝试使用MoCl5、(NH4)6Mo7O24·4H2O和(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O作为Mo的原材料和使用硫脲((NH2)2CS)作为S的原材料经由水热反应合成MoS2。结果,获得比经由溶剂热反应获得的结晶度高的MoS2。当向MoCl5中加入氢氧化钠时,使用(NH4)6Mo7O24·4H2O或(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O作为原材料获得由具有相对较高分散性的细粒构成的MoS2。
1.2.1:在添加氨的情况下,MoCl5和硫脲之间的反应
尝试使用MoCl5和硫脲作为原材料在220℃下反应10小时合成MoS2,其中改变定量比和改变氨添加量。图13显示在添加氨的情况下在220℃下水热合成10小时的MoS2的XRD图。图14显示在添加氨的情况下水热合成的MoS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在这些图中,“a”代表2.2∶1的S∶Mo比率且不添加氨,“b”代表2.2∶1的S∶Mo比率且在50体积%氨存在下,“c”代表3.0∶1的S∶Mo比率且在50体积%氨存在下,“d”代表4.0∶1的S∶Mo比率且在50体积%氨存在下。此外,图15A和15B各自显示在添加氨的情况下在220℃下水热合成10小时的MoS2(S∶Mo比率为2.2∶1)的扫描电子显微图。
当S∶Mo比率为30∶1时,获得表现出偏移衍射线(002)的产物,无论是否存在氨。当这种产物在400℃下预煅烧时,获得与传统MoS2相同的衍射图。当S∶Mo比率为30∶1时,可能在层之间的位点中已引入一定种类的物质。预煅烧产生改进的结晶度。通常,产物紧密聚集。
1.2.2:在添加氢氧化钠的情况下MoCl5和硫脲之间的反应
图16显示在添加氢氧化钠的情况下在2.2∶1的S∶Mo比率下在220℃下水热合成10小时的MoS2和在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的MoS2的XRD图。在该图中,“a”代表0.6M NaOH水溶液,“b”代表0.9MNaOH水溶液,“c”代表1.2M NaOH水溶液,“d”代表1.8M NaOH水溶液。图17显示在0.6M NaOH水溶液中在220℃下水热合成10小时的MoS2(S∶Mo比率为2.2∶1)的扫描电子显微图。
在添加氢氧化钠的情况下合成的MoS2具有相对较高的结晶度并由良好分散的细球形粒子构成。
1.2.3:(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲之间的反应
图18显示(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的XRD图。图19A和19B各自显示(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的扫描电子显微图。图20显示(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的FTIR谱。在这些图中,“a”代表在220℃下水热合成10小时的产物,“b”代表煅烧产物(400℃下5小时)。
所得产物具有高结晶度,且经由预煅烧没有改进结晶度。该样品由具有相对较高分散性的细粒构成。FTIR谱没有表现出任何由有机物造成的吸收。
1.2.4:(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲之间的反应
图21显示(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的XRD图。图22A和22B各自显示(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的扫描电子显微图。图22A显示在220℃下水热合成10小时的产物,图22B显示煅烧产物(在氩气中在400℃下煅烧5小时)。图23显示(NH4)6Mo7O24·4H2O和硫脲的水热反应产物及其预煅烧产物的FTIR谱。在这些图中,“a”代表在220℃下水热合成10小时的产物,“b”代表煅烧产物(在氩气中在400℃下煅烧5小时)。
使用(NH4)6Mo7O24·4H2O作为原材料获得的结果与使用(NH4)3[PO4Mo12O]·3H2O作为原材料获得的结果相同。
所得产物具有高结晶度,且经由预煅烧没有改进结晶度。该样品由具有相对较高分散性的细粒构成。FTIR谱没有表现出任何由有机物造成的吸收。
[实施例2:RuS2的合成]
使用Ru(CO)12作为Ru的原材料,使用S(固体硫)作为S的原材料,使用二甲苯或蒸馏水作为溶剂,在220℃下进行溶剂热或水热反应10小时。此后,在Ar气氛中在400℃下预煅烧5小时。
2.1:经由溶剂热反应合成RuS2
图24显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2的XRD图在合成中改变S∶Ru比率。在该图中,“a”代表6∶1的S∶Ru比率,“b”代表4∶1的S∶Ru比率。无论S∶Ru比率如何,该产物表现出低结晶度。图24中所示的经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2及其预煅烧产物的FTIR谱表明,溶剂热反应产物含有有机物。在该图中,“a”代表所得RuS2,“b”代表其预煅烧产物。
图25显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在该图中,“a”代表6∶1的S∶Ru比率,“b”代表4∶1的S∶Ru比率,“c”代表4.8∶1的S∶Ru比率,“d”代表4.3∶1的S∶Ru比率,“e”代表4∶1的S∶Ru比率。经由预煅烧消除产物中的有机物。发现4.8∶1或更小的S∶Ru比率是通过S∶Ru比率显著改变性状并经由样品的预煅烧造成结晶所必需的。当S∶Ru比率降至4∶1时,明显促进结晶,也可以观察到Ru金属的生成。
图26A、26B和26C各自显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的RuS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的扫描电子显微图。在该图中,“a”代表4∶1的S∶Ru比率,“b”代表4.3∶1的S∶Ru比率,“c”代表6∶1的S∶Ru比率,大约1微米的球形粒子聚集,且S∶Ru比率不会显著影响粉末或粒子构造。图27A、27B、27C和27D中所示的RuS2的预煅烧产物的透射电子显微图表明,预煅烧球形粒子是细粒,且各粒子表现出晶格象,表明令人满意的结晶。
图28显示经由溶剂热反应(S∶Ru比率为4∶1)合成的RuS2及其在400℃下预煅烧的产物的FTIR谱。在该图中,“a”代表水热合成产物,“b”代表其预煅烧产物。
2.2:经由水热反应合成RuS2
图29显示经由在220℃下水热反应10小时合成的RuS2的XRD图。图30显示经由在220℃下水热反应10小时合成的RuS2在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在该图中,“a”代表2∶1的S∶Ru比率,“b”代表2.8∶1的S∶Ru比率,“c”代表3.6∶1的S∶Ru比率,“d”代表4.4∶1的S∶Ru比率。此外,图31A和31B各自显示RuS2及其预煅烧产物的扫描电子显微图。图31A显示在4.4∶1的S∶Ru比率下获得的产物RuS2,图31B显示其在400℃下预煅烧5小时的产物。
在3.6∶1或更低的S∶Ru比率下,在所得产物中产生晶体相,但无法识别出相。这种相被认为含有有机物。在4.4∶1的S∶Ru比率下获得的非晶相经由预煅烧结晶成RuS2。在2.8∶1或更低的S∶Ru比率下,在预煅烧产物中观察到未识别的相。在2.0∶1的S∶Ru比率下,观察到Ru金属的生成。
[实施例3:Rh2S3的合成]
使用Rh6(CO)16作为Rh的原材料,使用S(固体硫)作为S的原材料,使用二甲苯或蒸馏水作为溶剂,在220℃下进行溶剂热或水热反应10小时。此后,在Ar气氛中在400℃下预煅烧5小时(部分在750℃下)。
3.1:经由溶剂热反应合成Rh2S3
图32显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的Rh2S3的XRD图。图33显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的Rh2S3在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在该图中,“a”代表1.5∶1的S∶Rh比率,“b”代表3.6∶1的S∶Rh比率,“c”代表5.0∶1的S∶Rh比率。图34显示经由在5.0∶1的S∶Rh比率下在220℃下溶剂热反应10小时合成的Rh2S3及其在氩气流中在400℃下预煅烧5小时和在750℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在该图中,“a”代表溶剂热反应产物Rh2S3,“b”代表其在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物,“c”代表在氩气流中在750℃下预煅烧5小时的产物。
溶剂热反应产物Rh2S3表现出低结晶度;但是,经由其预煅烧,显著促进结晶。S∶Rh比率影响预煅烧造成的结晶。在3.6∶1或更低的S∶Rh比率下,发生结晶;但是,在5.0∶1的S∶Rh比率下不发生结晶。通过将预煅烧温度提高至750℃,样品在5∶1的S∶Rh比率下结晶。
图35A、35B、35C和35D各自显示由溶剂热反应产生的Rh2S3及其预煅烧产物的扫描电子显微图。在这些图中,“a”代表在3.6∶1的S∶Rh比率下获得的溶剂热反应产物,“b”代表其在400℃下的煅烧产物,“c”代表在5.0∶1的S∶Rh比率下获得的溶剂热反应产物,“d”代表其在400℃下的煅烧产物。产物由极细粒子构成,无论S∶Rh比率如何,没有观察到预煅烧带来的变化。
3.2:经由水热反应合成Rh2S3
图36显示由水热反应产生的Rh2S3及其预煅烧产物的XRD图。在该图中,“a”代表在1.5∶1的S∶Rh比率下获得的水热反应产物,“b”代表其在400℃下的煅烧产物,“c”代表在3.0∶1的S∶Rh比率下获得的水热反应产物,“d”代表其在400℃下的煅烧产物。
无论S∶Rh比率如何,水热反应产物Rh2S3表现出低结晶度;但是,经由预煅烧,明显促进结晶。在1.5∶1的S∶Rh比率下,预煅烧产物含有杂质,在3.0∶1的S∶Rh比率下更可能获得需要的相。
图37A和37B各自显示由水热反应产生的Rh2S3及其预煅烧产物的电子显微图。在这些图中,“a”代表在1.5∶1的S∶Rh比率下的水热反应产物的煅烧产物(在400℃下),“b”代表在3.0∶1的S∶Rh比率下的水热反应产物的煅烧产物(在400℃下)。水热反应产物部分自形,并生长成更大晶体。尽管XRD图表现出非结晶性质,但晶体确实生长,这是无法解释的现象。
图38A和38B各自显示在3.0∶1的S∶Rh比率下由水热反应产生的Rh2S3的电子显微图和电子衍射图。图39A和39B各自显示在3.0∶1的S∶Rh比率下由水热反应产生的Rh2S3在400℃下煅烧的产物的电子显微图和电子衍射图。通过图38A、38B、39A和39B中所示的透射电子显微图或电子衍射图证实上述晶体生长。
图40显示水热合成的Rh2S3(S∶Rh比率为3∶1)及其在400℃下预煅烧的产物的FTIR谱。在该图中,“a”代表水热合成产物,“b”代表其预煅烧产物。图40中所示的IR谱表明,该水热反应产物不含任何有机物。
[实施例4:ReS2的合成]
使用Re2(CO)10作为Re的原材料,使用S(固体硫)作为S的原材料,使用二甲苯或蒸馏水作为溶剂,在220℃下进行溶剂热或水热反应10小时。此后,在Ar气氛中在400℃或750℃下预煅烧5小时。
4.1:经由溶剂热反应合成ReS2
图41显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的ReS2的XRD图。图42显示经由在220℃下溶剂热反应10小时合成的ReS2在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在这些图中,“a”代表1.32∶1的S∶Re比率,“b”代表2∶1的S∶Re比率,“c”代表4∶1的S∶Re比率,“d”代表9∶1的S∶Re比率。
当S∶Re比率低于2∶1时,除获自低结晶物质的宽衍射线外,还观察到极尖锐的衍射线,但这种尖锐线不可识别。由于这种衍射线在预煅烧时消失,这种线被认为来自有机物。当样品在400℃下预煅烧且S∶Re比率低于2∶1时,在大约40℃的衍射线完全没有分离,且性状不同于具有较高S∶Re比率的样品。
图43显示在4∶1的S∶Re比率下获得的ReS2及其预煅烧产物的XRD图。在该图中,“a”代表溶剂热反应产物ReS2,“b”代表其在400℃下预煅烧的产物,“c”代表其在750℃下预煅烧的产物。图44显示在9∶1的S∶Re比率下获得的ReS2及其预煅烧产物的XRD图。在该图中,“a”代表溶剂热反应产物ReS2,“b”代表其在400℃下预煅烧的产物,“c”代表其在750℃下预煅烧的产物。经由在750℃下的煅烧提高结晶度;但是,衍射线仍宽,且样品被认为没有完全结晶。
图45A、45B、45C和45D各自显示由溶剂热反应产生的ReS2及其预煅烧产物的扫描电子显微图。在这些图中,“a”代表在4∶1的S∶Re比率下的溶剂热反应产物,“b”代表其在400℃下预煅烧的产物,“c”代表在2∶1的S∶Re比率下的溶剂热反应产物,“d”代表其在400℃下预煅烧的产物。产物由球形粒子构成。特别地,当S∶Re比率为2∶1时,粒度均匀。但是,当S∶Re比率为4∶1时,粒径分布变宽。
图46A和46B各自显示在9.0∶1的S∶Rh比率下由溶剂热反应产生的ReS2及其在750℃下煅烧的产物的电子显微图和电子衍射图。
图47显示溶剂热产物(S∶Rh比率为4∶1)及其在400℃下预煅烧的产物的FTIR谱。在该图中,“a”代表水热合成产物,“b”代表其预煅烧产物。
表1显示在750℃下预煅烧的产物的EDX分析结果。
表1
区域No. | S∶Re |
1 | 2.39 |
2 | 1.80 |
3 | 1.21 |
4 | 2.19 |
5 | 1.71 |
6 | 1.26 |
7 | 2.19 |
8 | 2.22 |
9 | 1.99 |
作为组合物的EDX分析结果,获得平均1.98∶1的S∶Re比率,并在相同球形粒子中观察到组成变化。因此,不一定获得精确的组成比。
4.2:经由水热反应合成ReS2
图48显示经由在220℃下水热反应10小时合成的ReS2及其在氩气流中在400℃下预煅烧5小时的产物的XRD图。在该图中,“a”代表2∶1的S∶Re比率,“b”代表其预煅烧产物,“c”代表的4∶1的S∶Re比率,“d”代表其预煅烧产物。
即使将S∶Re比率变成2∶1或4∶1并将样品在400℃下预煅烧,结晶度虽略微改进,但产物仍保持低结晶度。
图49A、49B、49C和49D各自显示由水热反应产生的ReS2及其预煅烧产物的扫描电子显微图。在这些图中,“a”代表在4∶1的S∶Re比率下的水热反应产物,“b”代表其在400℃下预煅烧的产物,“c”代表在2∶1的S∶Re比率下的水热反应产物,“d”代表其在400℃下预煅烧的产物。该产物紧密聚集。
[性能评测]
图50显示检验本发明的硫化物或复合硫化物作为氧还原催化剂的性能的结果。图50中所示的结果表明,本发明的硫化物或复合硫化物具有优异的作为还原氧用的催化剂的能力。
[工业适用性]
本发明可以提供硫化物或复合硫化物的单晶细粉,该硫化物或复合硫化物包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素。特别可以获得细球形单晶。包含给定元素的这类硫化物或复合硫化物的单晶细粉可用于已知用途。此外,可以预计到利用其特性的各种用途的发展。例如,这类物质可用于能以成本有效的方式工作的燃料电池用催化剂。此外,适当选择要用于掺杂所述粉末的掺杂剂元素可导致表现出各种物理性质。
Claims (8)
1.硫化物或复合硫化物的单晶细粉,所述硫化物或复合硫化物包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素。
2.根据权利要求1的单晶细粉,其是大致球形的。
3.根据权利要求1或2的单晶细粉,其中所述硫化物是选自硫化钼、硫化铑、硫化钌和硫化铼的二元化合物。
4.根据权利要求1或2的单晶细粉,其中所述复合硫化物是Rh-X-S所示的三元化合物,且X代表至少一种选自钼(Mo)、钯(Pd)、硒(Se)、硅(Si)、钽(Ta)、碲(Te)、钍(Th)、钒(V)、锌(Zn)、钌(Ru)、锑(Sb)和钨(W)的元素。
5.根据权利要求1或2的单晶细粉,其中所述复合硫化物是Ru-X-S所示的三元化合物,且X是至少一种选自钼(Mo)、钯(Pd)、硒(Se)、硅(Si)、钽(Ta)、碲(Te)、钍(Th)、钒(V)、锌(Zn)、铑(Rh)、锑(Sb)和钨(W)的元素。
6.制造硫化物或复合硫化物的单晶细粉的方法,所述硫化物或复合硫化物包含至少一种选自由钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)和铼(Re)组成的组的元素,该方法包括下述步骤:
由至少一种含有选自钼(Mo)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)和硫(S)的元素的化合物制备溶剂混合物;和
在将该溶剂混合物转化成超临界或亚临界的水或溶剂的压力和温度下,使该溶剂混合物经过水热反应或溶剂热反应。
7.根据权利要求6的制造单晶细粉的方法,其中所述水热反应或溶剂热反应的步骤在200℃至600℃进行。
8.根据权利要求6或7的制造单晶细粉的方法,其中在所述水热反应或溶剂热反应的步骤后,在惰性气氛中在300℃至800℃进行热处理。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP239840/2007 | 2007-09-14 | ||
JP2007239840A JP5010409B2 (ja) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | 硫化物の単結晶微粉末、及びその製造方法 |
PCT/JP2008/066938 WO2009035164A2 (en) | 2007-09-14 | 2008-09-12 | Single-crystal fine powder of sulfide or sulfide complex and method for preparing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101861284A true CN101861284A (zh) | 2010-10-13 |
CN101861284B CN101861284B (zh) | 2013-01-23 |
Family
ID=40452662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200880116096.0A Expired - Fee Related CN101861284B (zh) | 2007-09-14 | 2008-09-12 | 硫化物或复合硫化物的单晶细粉及其制备方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8999877B2 (zh) |
EP (1) | EP2190785A2 (zh) |
JP (1) | JP5010409B2 (zh) |
KR (1) | KR101153558B1 (zh) |
CN (1) | CN101861284B (zh) |
DE (1) | DE112008002461B4 (zh) |
WO (1) | WO2009035164A2 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106040264A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-10-26 | 中国石油大学(华东) | 一种微米二硫化钼析氢电催化材料、制备方法及其应用 |
CN106082342A (zh) * | 2016-08-16 | 2016-11-09 | 攀枝花市九鼎智远知识产权运营有限公司 | 三硫化钼生产用反应装置 |
CN110518081A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-11-29 | 中国科学技术大学 | 一种太阳能电池吸收层及其制备方法以及应用 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI429785B (zh) * | 2007-02-22 | 2014-03-11 | Industrie De Nora Spa | 氧之電化學還原用觸媒及製法和氣體擴散電極 |
KR101080900B1 (ko) | 2009-07-29 | 2011-11-08 | 한국에너지기술연구원 | Mg 이차전지의 양극 활물질 제조용 CuxMo6S8분말 제조방법 |
JP5788832B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-10-07 | トヨタ自動車株式会社 | ソルボサーマル法を用いるCu,Zn,Sn及びSを含有する硫化物系化合物半導体ナノ粒子の製造方法 |
CN104709892B (zh) * | 2013-12-11 | 2018-01-09 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法 |
CN104386733B (zh) * | 2014-11-05 | 2016-03-30 | 朱忠良 | 一种纳米硫化铜的合成方法 |
CN104925865A (zh) * | 2015-03-21 | 2015-09-23 | 青岛科技大学 | 一种利用超临界流体辅助剥离制备二硫化钼纳米片层的新方法 |
CN110838586B (zh) * | 2018-08-15 | 2023-02-10 | 深圳国家能源新材料技术研发中心有限公司 | 一种硫化铼纳米管及其制备方法和应用 |
CN108807957A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-11-13 | 扬州大学 | 钠离子电池负极材料少层二硫化铼纳米片/空心碳球及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1137275A (en) * | 1977-05-16 | 1982-12-14 | Martin B. Dines | Chalcogenides of groups viii and viib |
US4308171A (en) | 1977-05-16 | 1981-12-29 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of preparing di and poly chalcogenides of group VIIb by low temperature precipitation from nonaqueous solution and small crystallite size stoichiometric layered dichalcogenides of rhenium and technetium |
FR2553680B1 (fr) * | 1983-10-25 | 1987-09-18 | Inst Francais Du Petrole | Catalyseurs a base de sulfures de metaux du groupe viii et du groupe vib, pour les reactions d'hydrotraitement des coupes d'hydrocarbures contenant du soufre |
DE3802236A1 (de) * | 1988-01-22 | 1989-08-03 | Hahn Meitner Kernforsch | Mischung von stoffen zur erzeugung eines metallchalkogenids und verwendung einer solchen mischung |
US6239057B1 (en) * | 1999-01-15 | 2001-05-29 | Uop Llc | Catalyst for the conversion of low carbon number aliphatic hydrocarbons to higher carbon number hydrocarbons, process for preparing the catalyst and process using the catalyst |
EP1199280A1 (de) * | 2000-10-19 | 2002-04-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Metallchalkogeniden mit Hilfe überkritischer Fluide |
KR100417079B1 (ko) | 2001-05-08 | 2004-02-05 | 주식회사 엘지화학 | 형광체용 단결정 황화아연 분말의 제조방법 |
MXPA05010869A (es) * | 2003-04-07 | 2006-05-31 | Univ Texas | Catalizadores de sulfuro/carburo de molibdeno. |
US20040262577A1 (en) | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Phosphor, producing method thereof, and electroluminescence device containing the same |
JP2005036214A (ja) | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蛍光体、その製造方法およびそれを有するエレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005264108A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | El蛍光体粒子の製造方法およびel蛍光体粉末 |
CN100355870C (zh) * | 2005-10-17 | 2007-12-19 | 青岛科技大学 | 萃取溶剂热法制取球形二硫化钼减摩材料的方法 |
JP5028616B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-09-19 | 国立大学法人宇都宮大学 | 金属硫化物の製造方法 |
-
2007
- 2007-09-14 JP JP2007239840A patent/JP5010409B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-12 WO PCT/JP2008/066938 patent/WO2009035164A2/en active Application Filing
- 2008-09-12 KR KR1020107008008A patent/KR101153558B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-09-12 CN CN200880116096.0A patent/CN101861284B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 US US12/677,595 patent/US8999877B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 DE DE112008002461T patent/DE112008002461B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 EP EP08831006A patent/EP2190785A2/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106040264A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-10-26 | 中国石油大学(华东) | 一种微米二硫化钼析氢电催化材料、制备方法及其应用 |
CN106082342A (zh) * | 2016-08-16 | 2016-11-09 | 攀枝花市九鼎智远知识产权运营有限公司 | 三硫化钼生产用反应装置 |
CN110518081A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-11-29 | 中国科学技术大学 | 一种太阳能电池吸收层及其制备方法以及应用 |
CN110518081B (zh) * | 2019-09-02 | 2021-03-09 | 中国科学技术大学 | 一种太阳能电池吸收层及其制备方法以及应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101153558B1 (ko) | 2012-06-11 |
EP2190785A2 (en) | 2010-06-02 |
US20100316559A1 (en) | 2010-12-16 |
CN101861284B (zh) | 2013-01-23 |
US8999877B2 (en) | 2015-04-07 |
JP2009067647A (ja) | 2009-04-02 |
DE112008002461B4 (de) | 2012-05-31 |
WO2009035164A2 (en) | 2009-03-19 |
WO2009035164A3 (en) | 2009-05-28 |
JP5010409B2 (ja) | 2012-08-29 |
DE112008002461T5 (de) | 2011-01-05 |
KR20100054858A (ko) | 2010-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101861284B (zh) | 硫化物或复合硫化物的单晶细粉及其制备方法 | |
EP2198961B1 (en) | Process for producing the fine-particle composite | |
Heath et al. | A liquid solution synthesis of single crystal germanium quantum wires | |
Zhu et al. | Preparation of pure ZnO nanoparticles by a simple solid-state reaction method | |
Pan et al. | Size controlled synthesis of monodisperse PbTe quantum dots: using oleylamine as the capping ligand | |
JP5028616B2 (ja) | 金属硫化物の製造方法 | |
WO1998034874A1 (de) | Carbonitrid-pulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung | |
AT501253B1 (de) | Verfahren zur herstellung von weitgehend eisenfreien metallchalkogeniden mit einer korngrössenverteilung im nanobereich | |
Peisen et al. | Preparation of lanthanum sulfide nanoparticles by thermal decomposition of lanthanum complex | |
Gao et al. | Synthesis of MoS2 inorganic fullerene-like nanoparticles by a chemical vapour deposition method | |
Mohammada et al. | Structural and morphological studies of ZnO nanostructures | |
AT410939B (de) | Verfahren zur herstellung von wolframcarbid | |
WO2012145773A1 (de) | Dotiertes hexagonales wolframcarbid und verfahren zu dessen herstellung | |
CN111893568B (zh) | 一种高纯NaAlB14晶体的制备方法 | |
JP2009149511A (ja) | 微粒子コンポジット、その製造方法、固体高分子型燃料電池用触媒、及び固体高分子型燃料電池 | |
CH679854A5 (zh) | ||
Hakimyfard et al. | Solid state synthesis, crystal structure, evaluation of direct and indirect band gap energies and optimization of reaction parameters for As2Ni3O8 nanomaterials | |
Ragimova | Obtaining the metal-containing nanoparticles in polyethylene matrix by mechano-chemical method and study of their properties | |
Zhang et al. | Preparation by hydrothermal techniques in a tungstosilicate acid solution system and optical properties of tellurium nanotubes | |
Feldman et al. | Preparation of nested fullerenes and nanotubes of MoS2 | |
Рагимова | OBTAINING THE METAL-CONTAINING NANOPARTICLES IN POLYETHYLENE MATRIX BY MECHANO-CHEMICAL METHOD AND STUDY OF THEIR PROPERTIES | |
Reddy et al. | Examination of the microstructure of hydroxyapatiteQ1 with respect to pH and calcination temperature for varying concentrations of zinc | |
Yefremova et al. | Influence of Vegetable Polymers’ Nature on Carbon Materials Structure Formation | |
Ye et al. | Synthesis of Sb2E3 (E= S, Se) Nanorods with a Flat Cross Section by a Rapid Hot Injection Method | |
Reddy et al. | Analysis of the microstructure of hydroxyapatiteQ1 with varying degrees of zinc inclusion as a function of pH and calcinations temperature |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130123 Termination date: 20170912 |