CN104386733B - 一种纳米硫化铜的合成方法 - Google Patents

一种纳米硫化铜的合成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104386733B
CN104386733B CN201410617810.1A CN201410617810A CN104386733B CN 104386733 B CN104386733 B CN 104386733B CN 201410617810 A CN201410617810 A CN 201410617810A CN 104386733 B CN104386733 B CN 104386733B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
liquid
copper sulfide
solvent
ionic liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410617810.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104386733A (zh
Inventor
朱忠良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanergy Zhongke Qingdao New Materials Co ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201410617810.1A priority Critical patent/CN104386733B/zh
Publication of CN104386733A publication Critical patent/CN104386733A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104386733B publication Critical patent/CN104386733B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00Compounds of copper
    • C01G3/12Sulfides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • C07F9/547Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
    • C07F9/645Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having two nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07F9/6503Five-membered rings
    • C07F9/6506Five-membered rings having the nitrogen atoms in positions 1 and 3

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应24-48小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。此方法将离子液体引入到纳米硫化铜的合成中,不需要添加其它的助剂,反应温度也较低,易于操作。制备的纳米硫化铜具有较好的光催化性能。

Description

一种纳米硫化铜的合成方法
技术领域
本发明涉及一种纳米硫化铜的合成方法。
背景技术
纳米材料又称为超微颗粒材料,一般是指尺寸在1~100nm间的粒子。它们处在原子簇和宏观物体交界的过渡区域,从通常的关于微观和宏观的观点看,这样的系统既非典型的微观系统亦非典型的宏观系统,是一种典型的介观系统。它具有表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应。纳米硫化铜作为纳米功能材料的一种,在光电材料、超导体方面具有广泛的应用前景。另外,高比表面积的纳米硫化铜因具有更为优异的性能,使其合成与性质研究受到极大关注。目前合成硫化铜薄膜、纳米管、纳米棒、纳米粒子的方法有模板法、液相法、声化学法、室温固相化学反应法等。低温溶剂热法由于合成工艺简单、操作方便、能耗低、产率高等优点近年来日益受到重视并取得了广泛发展。
过渡金属卤化物(包括硫化物、硒化物、碲化物)多蕴藏于矿石中,它们在色素、半导体、荧光器件方面含有巨大的商业应用价值,一直以来为广大研究人员所关注。其中硫化铜系列是一类非常有用的矿物,它们的矿物学特性以及技术特性已经被人们大量进行着研究,认为其在太阳能电池、太阳光吸收涂层以及化学传感器等方面有相当广阔的应用前景。室温条件下,硫化铜(CuxS)存在五种相态,x=1(covellite),1.75(anilite),1.8(digenite),1.95(djurleite),and2(chalcosite)。根据矿物相中计量比的不同,铜的硫化物会表现出半导体或是金属的行为。在高温下硫化铜还表现出快速离子导电(fast-ionconduction)现象。随着纳米科技的发展与广泛应用,硫化铜纳米材料的制备也逐步引起了人们广泛的重视。硫化铜的类似金属的导电性、化学敏感性和对太阳能吸收的理想特性使它成为一种令人极感兴趣的物质。硫化铜不仅是一种优良的半导体材料,而且在颜料、催化剂、苯胺黑的颜色指示剂等方面也有很广泛的应用。纳米尺寸结构赋予它的特殊性质将使硫化铜在更广泛的领域得到应用。
和其他过渡金属硫化物纳米材料的合成相比较,硫化铜的合成起步要晚一些,对它的研究报道也相应较少。就目前研究状况来说,硫化铜纳米材料的合成方法主要有微乳液法(Haram,S.K.;Mahadeshwar,A.R.;Dixit,S.G.J.Phys.Chem.1996,100,5868)、囊泡法(Igumenova,T.I.;Vasilova,O.V.;Parmon,V.N.J.Photochem.Photobiol.,A1996,94,205)、电化学法(Hwu,S.-J.;Li,H.;Mackay,R.etal..Chem.Mater.1998,10,6)、热解法(Larsen,T.H.;Sigman,M.;Ghezelbash,Aetal..J.Am.Chem.Soc.2003,125,5638)和有机溶剂辅助水热法(Lu,Q.;Gao,F.;Zhao,D.NanoLett.2002,2,725)等。这些方法虽有各自的优势之处,但是也存在许多的不足与缺陷:微乳液法粒径调控范围窄,产率低,而且很难得到没有团聚的纳米颗粒的粉体;电化学法所制得的产物一般都是无定型的,产率也不高;水热法制备的产物形貌和尺寸的受控因素复杂;对于热解法,虽然产物的晶型较好,但是反应过程较为复杂;并且由于受到前期相转移过程的限制,起始反应物质的量不可能太大,从而导致产率低。目前合成硫化铜纳米晶体还主要有如下方法:固态反应[I.P.Parkin,Chem.Soc.Rev.1996,15,199]、高温分解法[P.P.Paul,T.B.Rauchfuss,S.R.Wilson,J.Am.Chem.Soc.1993,115,3316]、还原法[X.Jiang,Y.Xie,J.Lu,W.He,L.Zhu,Y.Qian,J.Mater.Chem.2000,10,2193]、水热合成法[Q.Lu,F.Gao,D.Zhao,Nanotechnology.2002,13,741]等。这些方法在一定程度上存在不足,譬如产物尺寸、形貌难于控制;高温反应条件苛刻或是制备过程比较复杂、成本相对较高等。而乳液合成法[M.P.Pileni,NatureMater.2003,2,145]由于在控制材料的尺寸和形貌方面的有效性、反应温度低等优点而备受研究者的青睐。然而在以往的乳液合成中采用的都是传统表面活性剂,大多存在表面活性剂用量多、产物的尺寸分布宽、形貌不统一等缺陷。目前在纳米材料合成方面,关键是在保证高产率、低成本的情况下,采用一种反应条件温和的合成方法合成出形貌可控、尺寸分布窄的纳米材料。而且新奇形貌的出现更是研究者的不断追求。
发明内容
本发明的目的在于提出制备纳米硫化铜方法。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应24-48小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
此方法将离子液体引入到纳米硫化铜的合成中,不需要添加其它的助剂,反应温度也较低,易于操作。制备的纳米硫化铜具有较好的光催化性能。
具体实施方式
实施例1
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应24小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基乙基)咪唑碘。
实施例2
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应26小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
实施例3
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应28小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
实施例4
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应30小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
实施例5
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应36小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
实施例6
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应40小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
实施例7
一种纳米硫化铜的合成方法,合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应48小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。

Claims (1)

1.一种纳米硫化铜的合成方法,其特征在于:合成方法以离子液体为溶剂,将硝酸铜干燥除水后在研钵中研磨均匀,加入到离子液体溶剂中,向该离子液体体系中缓慢滴加硫脲;搅拌混合均匀,转移到聚四氟乙烯反应釜中,在烘箱中120℃的温度下反应24-48小时,冷却后用去离子水和乙醚洗涤产物,离心分离后真空干燥,得纳米硫化铜,所述离子液体的制备方法为将等摩尔的1-(2-甲氧基)咪唑氢氯酸盐与碘乙基磷酸二乙酯以乙醚为溶剂,回流搅拌反应,冷却至室温,旋蒸除去溶剂,得到粘稠液体,将此液体溶于水,加入等摩尔的氢氧化钾,常温下搅拌2h,旋蒸除去水,并滤去固体碘化钠,真空干燥,得到离子液体1-(2-甲氧基)-3-(2-二乙氧基膦酯基)乙基咪唑碘。
CN201410617810.1A 2014-11-05 2014-11-05 一种纳米硫化铜的合成方法 Active CN104386733B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410617810.1A CN104386733B (zh) 2014-11-05 2014-11-05 一种纳米硫化铜的合成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410617810.1A CN104386733B (zh) 2014-11-05 2014-11-05 一种纳米硫化铜的合成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104386733A CN104386733A (zh) 2015-03-04
CN104386733B true CN104386733B (zh) 2016-03-30

Family

ID=52604715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410617810.1A Active CN104386733B (zh) 2014-11-05 2014-11-05 一种纳米硫化铜的合成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104386733B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112062149A (zh) * 2020-09-16 2020-12-11 泉州师范学院 一种纳米硫化铜的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1847201A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 浙江工业大学 含氨基的手性离子液体、制备方法及其应用
CN101367541A (zh) * 2008-09-26 2009-02-18 沈阳化工学院 一种纳米硫化铜的合成方法
CN102795655A (zh) * 2012-07-30 2012-11-28 黑龙江大学 一种分级花状空心结构CuS的制备方法
EP2475618B1 (fr) * 2009-09-10 2013-09-04 Universite Paul Sabatier Toulouse III Matériau solide à l'état divisé, procédé de fabrication d'un tel matériau et utilisation d'un tel matériau dans une cellule photovoltaïque
CN103936053A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 厦门大学 一种硫化铜纳米线的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5010409B2 (ja) * 2007-09-14 2012-08-29 トヨタ自動車株式会社 硫化物の単結晶微粉末、及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1847201A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 浙江工业大学 含氨基的手性离子液体、制备方法及其应用
CN101367541A (zh) * 2008-09-26 2009-02-18 沈阳化工学院 一种纳米硫化铜的合成方法
EP2475618B1 (fr) * 2009-09-10 2013-09-04 Universite Paul Sabatier Toulouse III Matériau solide à l'état divisé, procédé de fabrication d'un tel matériau et utilisation d'un tel matériau dans une cellule photovoltaïque
CN102795655A (zh) * 2012-07-30 2012-11-28 黑龙江大学 一种分级花状空心结构CuS的制备方法
CN103936053A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 厦门大学 一种硫化铜纳米线的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104386733A (zh) 2015-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103359777B (zh) 一种Cu2ZnSnS4的水热制备法及其Cu2ZnSnS4材料和用途
CN105036196A (zh) 一种多维纯相w18o49的制备方法
Carter et al. Cu2ZnSn (S, Se) 4 solar cells from inks of heterogeneous Cu–Zn–Sn–S nanocrystals
CN103864137B (zh) 花状氧化锌纳米材料及其制备方法
Wang et al. Study on the synthesis and formation mechanism of Cu2ZnSnS4 particles by microwave irradiation
CN106395886B (zh) 一种纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米晶的大规模制备方法
CN100545081C (zh) 树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法
Wang et al. Effects of sulfur sources on properties of Cu 2 ZnSnS 4 nanoparticles
CN108675339B (zh) 一种棒状自组装成球状的锌镉硫固溶体材料的制备方法
CN102897722B (zh) 一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法
CN101857428A (zh) 一种导电氧化锌粉体的制备方法
CN104386733B (zh) 一种纳米硫化铜的合成方法
CN102249199A (zh) 微波-辅助溶剂热合成ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料纳米粉的方法
CN106379931A (zh) 一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒的方法
CN107452865B (zh) 一种金纳米颗粒包覆纳米片结构Sb2Te3热电材料的制作方法
CN102897723A (zh) 一种水热法制备硒化铜基纳米晶的方法
Lee et al. Electrophoretic deposition of Ga–Cu core–shell nanocomposites for CuGaS2 thin films
CN102005303B (zh) SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法
CN107098398A (zh) 一种FeS2纳米线的制备方法
CN103247718A (zh) 常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法
CN102786038B (zh) 一种立方晶相InSe纳米片的水热合成方法
CN102139862B (zh) 铜铟硒纳米片的制备方法
Validžić et al. Growth of Sb 2 S 3 nanowires synthesized by colloidal process and self-assembly of amorphous spherical Sb 2 S 3 nanoparticles in wires formation
CN103601157B (zh) 一种乙二胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法
Wang et al. Synthesis and properties of Cu2 (FexZn1− x) SnS4 nanocrystals by microwave irradiation assisted solvothermal method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Du Lihong

Inventor before: Zhu Zhongliang

CB03 Change of inventor or designer information
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170628

Address after: 102628, room 2, building 2212, center 3, 2 Xinghua street, Daxing District, Beijing

Patentee after: BEIJING YONGBO TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: Lake Town, Xishan District People's road 214000 Jiangsu city of Wuxi province and red Ju Wei Village No. 100

Patentee before: Zhu Zhongliang

TR01 Transfer of patent right
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Liu Baocheng

Inventor before: Du Lihong

CB03 Change of inventor or designer information
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170927

Address after: 065000 room 1, unit 18, building 1402, Peacock Garden, peacock Town, Guan County, Hebei, Langfang

Patentee after: Liu Baocheng

Address before: 102628, room 2, building 2212, center 3, 2 Xinghua street, Daxing District, Beijing

Patentee before: BEIJING YONGBO TECHNOLOGY CO.,LTD.

TR01 Transfer of patent right
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 225300 Mingzhu Avenue, Yongan Town, Taizhou City, Jiangsu Province, No. 108

Patentee after: Liu Baocheng

Address before: 065000 room 1, unit 18, building 1402, Peacock Garden, peacock Town, Guan County, Hebei, Langfang

Patentee before: Liu Baocheng

CP02 Change in the address of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180528

Address after: 102600 Beijing Daxing District Paradise Road four House 2 Building 1 unit 3 level 317 room.

Patentee after: BEIJING ZHITOUJIA INTELLECTUAL PROPERTY OPERATION CO.,LTD.

Address before: 225300 Pearl River Road, Yongan Town, Taizhou, Jiangsu Province, 108

Patentee before: Liu Baocheng

Effective date of registration: 20180528

Address after: 225300 room 105, Pearl Road, Yongan Town, Yongan, Taizhou, Jiangsu

Patentee after: Wei Deying

Address before: 102600 Beijing Daxing District Paradise Road four House 2 Building 1 unit 3 level 317 room.

Patentee before: BEIJING ZHITOUJIA INTELLECTUAL PROPERTY OPERATION CO.,LTD.

TR01 Transfer of patent right
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 210008 Hankou Road, Drum Tower District, Nanjing, Jiangsu Province, No. 22

Patentee after: Wei Deying

Address before: 225300 room 105, Pearl Road, Yongan Town, Yongan, Taizhou, Jiangsu

Patentee before: Wei Deying

CP02 Change in the address of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191121

Address after: No. 23-6, Tianshan Third Road, Daxin Town, Jimo District, Qingdao, Shandong Province

Patentee after: Hanergy Zhongke (Qingdao) new materials Co.,Ltd.

Address before: 210008 Nanjing, Gulou District, Jiangsu, No. 22 Hankou Road

Patentee before: Wei Deying

TR01 Transfer of patent right