CN101796722B - 弹性波器件、使用其的双工器以及使用该双工器的通信机 - Google Patents

弹性波器件、使用其的双工器以及使用该双工器的通信机 Download PDF

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CN101796722B CN200780100269.5A CN200780100269A CN101796722B CN 101796722 B CN101796722 B CN 101796722B CN 200780100269 A CN200780100269 A CN 200780100269A CN 101796722 B CN101796722 B CN 101796722B
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Abstract

本发明提供一种不改变电容而提高散热效率并且功率持久性高的滤波器、使用该滤波器的双工器以及使用该双工器的通信机。滤波器包括谐振器(S1、S2、S3、P1、P2、P3)和凸块(12~17),所述谐振器包括压电基板(11)、形成在压电基板(11)上的谐振部、以及形成在压电基板(11)上的谐振部的两端的反射器,所述凸块形成在压电基板(11)上。谐振器(S1、S2、S3、P1、P2、P3)通过两个以上的分割谐振器(S11、S12)并联连接来构成,在被分割谐振器(S11、S12)的反射器所夹的区域形成凸块(12)。

Description

弹性波器件、使用其的双工器以及使用该双工器的通信机
技术领域
本发明涉及具有弹性波谐振器的弹性波器件,特别涉及功率持久性高的弹性波器件、使用该弹性波器件的双工器以及使用该双工器的通信机。
背景技术
弹性波谐振器在压电基板或者压电薄膜上等具有由铝合金、Cu合金等形成的具有与所希望的频率相对应的周期的梳形电极,并利用由梳形电极激发的弹性波。由梳形电极激发的弹性波中具有表面声波、弹性边界波等。例如,示出了在单端口谐振器的情况下具有谐振频率和反谐振频率的双重谐振特性。作为利用上述的特性的电路而具有梯形滤波器,所述梯形滤波器将具有不同的梳形电极周期的单端口谐振器在串联臂和并列臂上配置成构成梯子状(例如,参考专利文献1)。另外,还有由多个梳形电极形成谐振器的DMS(Double mode SAW(Surface Acoustic Wave,表面声波),双模式表面声波)滤波器、具有激发用梳形电极和接收用梳形电极的IIDT型滤波器等。
图15A是表示梯形滤波器的基本结构的电路图,图15B是图15A的梯形滤波器的上表面图。梯形滤波器在输入端子101和输出端子102之间形成有连接成串联臂的串联谐振器102、103、104以及并联连接的并联谐振器105、106、107。分别由串联谐振器102和并联谐振器105、串联谐振器103和并联谐振器106、串联谐振器104和并联谐振器107构成一级滤波器,这些一级滤波器被连接成多级(3级)。图15A中的输入端子101和输出端子102由图15B中的输入凸块112和输出凸块113构成,图15A中的地由图15B中被接地的地凸块114、115、116构成。
梯形滤波器被使用在与通信机的天线连接的双工器上。进而,特别在发送用的梯形滤波器中由于直接施加被发送到天线上的电力,因此需要功率持久性(power durability)。在梯形滤波器中,在设计上提高功率持久性的第一方法是通过提高设备的排热性来降低设备的温度,由此难以发生迁移(migration)。
压电基板的排热主要经由封装等将热量散向连接基板来进行。在以往的结构中,如图16A的上表面图和图16B的截面图所示,构成滤波器的压电基板121通过芯片键合(DIE-BONDING)材料122被连接到封装123上,从压电基板121的背面的整个面向封装123进行排热。并且,热量从封装123被散向连接基板(未图示)。压电基板121上的电极经由电线125与封装123的电极124连接。
另外,被小型化了的封装的结构如图17A的上表面图和图17B的截面图所示,为了实现小型低曲线化,而采用在形成有滤波器的压电基板131上所形成的金属凸块132通过面向下方式与封装133连接的倒装焊(FCB,flip-chip bonding)的结构,并且通过金属凸块132向封装133排热。
另外,提高功率持久性的第二种方法是增加每个谐振器的对数(梳形电极数)。图18是表示单端口谐振器的结构的上表面图。单端口谐振器具有压电基板141、谐振部143、以及反射器142。谐振部143具有相向的两个激发电极144、145。由激发电极144、145的对数决定谐振器的电容C0,由电容决定滤波器的阻抗。因此,不合理地增加对数会使滤波器的阻抗偏移。因此,如图19所示的上表面图那样,将两个具有谐振部146的谐振器串联连接,由此能够不改变两个谐振器的电容而使一个谐振器的对数成倍,使功率持久性提高,所述谐振部146具有对数成倍的激发电极147、148。
专利文献1:日本专利文献特开平7-122961号公报。
发明内容
但是,在上述以往的滤波器中存在以下问题。在提高功率持久性的第一种方法中,由于使用金,因此每个凸块的热传导性好,但是排热路径变少,因此滤波器的温度上升。因此为了有效地排热,重要的是将凸块配置在发热体(梳形电极)的旁边。图20是单端口谐振器的上表面图。在不可配置凸块区域149布有用于向电极供电的布线(未图示)。可配置凸块区域150位于谐振部143的比反射器141更靠外的位置,并且远离发热体的中心(图中的圆圈标记),因此不能有效地排热。
另外,在提高功率持久性的第二种方法中,谐振器自身变大,因此存在设备尺寸变大的问题。另外,由于可配置凸块区域远离发热体的中心,因此存在由凸块进行的排热效果变弱等问题。
本发明其目的在于解决上述以往的问题,提供一种不改变电容而提高散热效率、功率持久性高的弹性波器件、使用该弹性波器件的双工器以及使用该双工器的通信机。
本发明的弹性波器件,包括:谐振器,所述谐振器包括压电基板、形成在所述压电基板上的谐振部、形成在所述压电基板上的谐振部的两端的反射器;以及凸块,所述凸块被形成在所述压电基板上。为了解决上述问题,所述谐振器的特征在于所述谐振器通过并联连接两个以上的分割谐振器来构成,并在被所述分割谐振器的反射器所夹而成的区域形成有凸块。
该结构的弹性波器件为了在使用时接收电力供应以及为了固定位置而通过凸块被连接在封装或者连接基板上。通过在被分割谐振器的反射器所夹的区域形成凸块,来有效地排出由分割谐振器产生的热量,与没被分割的谐振器相比能够提高功率持久性。
另外,也能构成为:所述弹性波器件具有与所述谐振部连接的信号布线,所述凸块被所述信号布线和所述反射器包围。
另外,也能构成为所述凸块与地连接。另外,也能构成为所述凸块与外部布线连接。
另外,也能构成为所述各个分割谐振器的梳形电极的对数是相同的。通过将对数形成为相同的,来自各个分割谐振器的发热量变得相同,从被分割谐振器的发射器所夹的凸块的排热效率提高。
另外,也能构成为所述各个分割谐振器的梳形电极以相同设计来形成。通过该结构,各个分割谐振器的谐振频率和反谐振频率一致。另外,能够防止由信号的反射等引起的信号的衰减。另外,所谓的相同设计是除了制造误差之外,梳形电极的材料质量、宽度、开口长度(梳形电极与其他的梳形电极相向的长度)、根数全部相同。
另外,也能构成为所述凸块的材料是Au。通过使用热传导性高的Au能够提高排热效率。
本发明的滤波器是一种连接有多个谐振器的滤波器,其中,所述多个谐振器是权利要求1至7中任一项所述的弹性波器件。通过该结构能够提高功率持久性。
另外,本发明的双工器为了解决上述问题,包括:发送用滤波器;以及通过频带与所述发送用滤波器不同的接收用滤波器;所述发送用滤波器和所述接收用滤波器中的至少一个使用上述所述的滤波器。通过该结构能够提高滤波器的功率持久性,同时也提高双工器的功率持久性。
另外,本发明的通信机也能构成为包括:天线;与所述天线连接的上述双工器;以及与所述双工器连接的信号处理部。通过该结构能够提高双工器的功率持久性,同时也能提高通信机的功率持久性。
根据本发明,通过在谐振器的分割谐振器之间设置有凸块,来提供不改变电容而提高散热效率、功率持久性高的弹性波器件、使用该弹性波器件的双工器以及使用该双工器的通信机,所述谐振器并联连接了将对数分成一半后的两个分割谐振器。
附图说明
图1A是表示本发明实施方式1的梯形滤波器的结构的电路图;
图1B是表示本发明实施方式1的梯形滤波器的结构的上表面图;
图2A是表示本实施方式的梯形滤波器的第二串联谐振器的结构的上表面图;
图2B是表示图2A的A-A’线的截面的截面图;
图3是表示本实施方式的梯形滤波器的合成串联谐振器的结构的上表面图;
图4A是表示以往的谐振器的结构的上表面图;
图4B是通过仿真求出图4A所示的谐振器驱动时的、压电基板表面的温度分布的图;
图5A是表示以往的另一谐振器的结构的上表面图;
图5B是通过仿真求出图5A所示的谐振器驱动时的、压电基板表面的温度分布的图;
图6A是表示本实施方式的谐振器的结构的上表面图;
图6B是通过仿真求出图6A所示的谐振器驱动时的、压电基板表面的温度分布的图;
图7A是表示去除图6A所示的谐振器的内部凸块的谐振器的结构的上表面图;
图7B是通过仿真求出图7A所示的谐振器驱动时的、压电基板表面的温度分布的图;
图8是表示本实施方式的合成并联谐振器的结构例的上表面图;
图9是表示本实施方式的另一合成并联谐振器的结构例的上表面图;
图10是表示本实施方式的合成串联谐振器的结构例的上表面图;
图11是表示本实施方式的另一合成串联谐振器的结构例的上表面图;
图12是表示本实施方式的另一合成串联谐振器的结构例的上表面图;
图13是表示本实施方式的另一合成串联谐振器的结构例的上表面图;
图14是表示本发明实施方式2的通信机的结构的框图;
图15A是表示以往的梯形滤波器的结构的电路图;
图15B是图15A所示的梯形滤波器的上表面图;
图16A是表示以往的滤波器的封装的上表面图;
图16B是表示以往的滤波器的封装的截面图;
图17A是表示另一滤波器的封装的上表面图;
图17B是表示另一滤波器的封装的截面图;
图18是表示单端口谐振器的构造的上表面图;
图19是表示将使梳形电极成倍后的谐振器串联连接的结构的上表面图;
图20是表示单端口谐振器的构造的上表面图。
标号说明
1 梯形滤波器
2 输入端子
3 输出端子
4 第一级滤波器
5 第二级滤波器
6 第三级滤波器
11、21、31、51 压电基板
12 输入凸块
13 输出凸块
14、15、16 地凸块
22、32、33、52 谐振部
23a、34a、34b 第一总线条
23b、37a、37b 第二总线条
24a、35a、35b 第一梳形电极
24b、38a、38b 第二梳形电极
25a、36a、36b 第一激发电极
25b、39a、39b 第二激发电极
26a、26b 反射器
27a、27b、44、47a、47b、64 金属膜
28a、28b、55、56、57、65 凸块
40a、61 第一信号布线
40b、63 第二信号布线
41a、41b 外侧反射器
42a、42b 内侧反射器
43 内侧凸块可形成区域
45 内侧凸块
46a、46b 外侧凸块可形成区域
48a、48b 外侧凸块
53、54 引出布线
62 地凸块
66 信号布线凸块
71 天线
72 双工器
73 发送侧信号处理部
74 接收侧信号处理部
75 麦克
76 扬声器
77 发送用滤波器
78 接收用滤波器
S1 合成串联谐振器
S11、P11 第一分割谐振器
S12、P12 第二分割谐振器
S2、S3 串联谐振器
P1、P2、P3 并联谐振器
具体实施方式
(实施方式1)
图1A是表示本发明实施方式1的梯形滤波器的结构的电路图。梯形滤波器1在输入端子2和输出端子3之间级联连接第一级滤波器4、第二级滤波器5、以及第三级滤波器6。
第一级滤波器4具有配置在串联臂上的合成串联谐振器S1和配置在并联臂上的并联谐振器P1。第二级滤波器5具有配置在串联臂上的串联谐振器S2和配置在并联臂上的并联谐振器P2。第三级滤波器6具有配置在串联臂上的串联谐振器S3和配置在并联臂上的并联谐振器P3。合成串联谐振器S1被形成为第一分割谐振器S11和第二分割谐振器S12并联连接。
合成串联谐振器S1、第二串联谐振器S2以及第三串联谐振器S3的谐振频率是frs,反谐振频率是fas。第一并联谐振器P1、第二并联谐振器P2以及第三并联谐振器P3的谐振频率是frp,反谐振频率是fap。串联谐振器的谐振频率frs和并联谐振器的反谐振频率fap被设定为大致是相同频率,梯形滤波器1作为带通滤波器而动作。
图1B是表示梯形滤波器1的结构的上表面图。在梯形滤波器1中,在压电基板11上形成元件。梯形滤波器1被构成为通过面向下方式而将凸块连接到连接基板或者封装(未图示)上。输入凸块12是具体构成图1A中的输入端子2的,并被电连接在连接基板的外部布线(未图示)上。输出凸块13是具体构成图1A中的输出端子3的,并被电连接在连接基板的外部布线上。地凸块15~17被电连接在安装有梯形滤波器1的连接基板的地(未图示)上。内部凸块14被形成在第一分割谐振器S11和第二分割谐振器S12所夹的区域(在连接第一分割谐振器S11和第二分割谐振器S12的线段上)。
图2A是表示第二串联谐振器S2的结构的上表面图,图2B是表示图2A的A-A’线的截面的截面图。第三串联谐振器S3、第一并联谐振器P1、第二并联谐振器P2以及第三并联谐振器P3的结构与第二串联谐振器S2是同样的。图2A所示的第二串联谐振器S2是SAW的单端口谐振器。第二串联谐振器P2具有谐振部22和反射器26a、26b。谐振部22具有压电基板21、形成在压电基板21上的第一激发电极25a以及第二激发电极25b。
第一激发电极25a通过多个第一梳形电极24a与第一总线条23a连接来形成。同样,第二激发电极25b通过多个第二梳形电极24b与第二总线条23b连接来形成。第一激发电极25a和第二激发电极25b以使第一梳形电极24a和第二梳形电极彼此交替排列的方式来相对配置。在与第一梳形电极24a的长度方向垂直的方向上的、谐振部22的两侧形成有反射器26a、26b。
在反射器26a、26b的与形成谐振部22的相反侧形成有金属膜27a、27b。在金属膜27a、27b上形成有凸块28a、28b。该凸块28a、28b运出由谐振部22产生的热量。由于作为用于运出所述热量的热传导路而被使用,因此优选靠近谐振部22而设置在可配置的反射器26a、26b的横向上。该凸块28a、28b与封装连接,并与谐振部22电连接。但是,也可以是不与谐振部22连接的结构。另外,该凸块27a、27b的形成位置不一定要在反射器26a、26b的与谐振部22相反的一侧,另外如果不需要凸块28a、28b则也可以没有。
图3是表示合成谐振器S1的结构的上表面图。合成串联谐振器S1由被设置在压电基板31上的第一分割谐振器S11和第二分割谐振器S12构成。第一分割谐振器S11具有谐振部32、外侧反射器41a,内侧反射器42a。谐振部32具有第一激发电极36a和第二激发电极39a。同样,第二分割电极S12具有谐振部33、外侧反射器41b以及内侧反射器42b。谐振部33具有第一激发电极36b和第二激发电极39b。谐振部32和谐振部33分别与第一信号布线40a连接并且分别与第二信号布线40b连接。
第一激发电极36a和第二激发电极39a、以及第一激发电极36b和第二激发电极39b以使第一梳形电极35a、35b和第二梳形电极38a、38b交替排列的方式来分别相向配置。在第一激发电极36a中,多个第一梳形电极35a分别与第一总线条34a连接。同样,在第二激发电极39a中,多个第二梳形电极38a分别与第二总线条37a连接。在第一激发电极36b中,多个第一梳形电极35b分别与第一总线条34b连接。同样,在第二激发电极39b中,多个第二电极38b分别与第二总线条37b连接。
以被内侧反射器42a、42b夹着的方式设置有内侧凸块可形成区域43。在内侧凸块可形成区域43上形成有金属膜44,在金属膜44上形成有内侧凸块45。另外,在外侧反射器41a、41b的外侧设置有外侧凸块可形成区域46a、46b。在外侧凸块可形成区域46a、46b上分别形成金属膜47a、47b,在金属膜47a、47b上分别形成外侧凸块48a、48b。
内侧凸块45和外侧凸块48a、48b与封装连接。由此,由第一分割谐振器S11和第二分割谐振器S12产生的热量通过内侧凸块45和外侧凸块48a、48b被排向封装。内侧凸块45和外侧凸块48a、48b与电路(谐振器)连接。但是,不一定要与电路连接,也可以设为电气上相对于电路浮动的结构。另外,在内侧凸块45和外侧凸块48a、48b与电路连接的情况下,内侧凸块45和外侧凸块48a、48b既可以与外部布线连接也可以被接到地上。另外,外侧凸块48a、48b的形成位置不一定要在外侧反射器41a、41b的与谐振部32、33相反的一侧。另外如果不需要凸块48a、48b则也可以没有。
图4A和图5A是简略示出以往的谐振器的结构的上表面图,图4B和图5B是通过仿真求出图4A和图5A的谐振器驱动时的、压电基板表面(形成有激发电极侧)的温度分布的图。如图4A所示的以往的谐振器具有设置在压电基板51上的谐振部52(包含反射器)、与谐振部52连接的引出布线53、54、以及凸块55、56。凸块55、56形成在相对于谐振部52没有形成引出布线53、54的方向的两端。如图4B所示的温度分布是假设处于使谐振部52驱动了的、热量上的稳定状态并且在将1W的发热源置于谐振部52的状态下进行温度分布仿真时的结果。该仿真对压电基板51使用LiTaO3、对谐振器的激发电极和反射器使用Al来进行。使在压电基板51的与凸块55、56相反的一侧与陶瓷基板的Cu电极连接,并设定仿真条件使该电极部分为25℃。仿真结果为图4B所示的温度分布,压电基板51的最高温度是119℃。
图5A所示的谐振器是在与图4A所示的谐振器的凸块56邻接地再配置了另一个凸块57的结构。针对该谐振器进行基于上述条件的温度分布仿真。其结果是,由于到封装的热传导路径增加到三条,因此如图5B所示,温度比图4B所示的谐振器的情况降低,最高温度为102℃。
图6A是为了易于与图4A、图5A进行比较而对图3所示的本实施方式的合成谐振器S 1进行简化了的上表面图。图6B是与图4B、图5B所示的以往的谐振器同样地通过仿真求出与合成谐振器S1的温度分布的图。与形成有三个凸块的图5B所示的谐振器相比,合成谐振器S1的温度降低,最高温度为81℃。
图7A是为了比较而简略示出去除了图6A的合成谐振器中内侧凸块45的谐振器的上表面图。在该谐振器中,如图7B所示的仿真结果所示,即使与图4B所示的谐振器比较,温度也变高,最高温度为122℃。这是由于与图4A的谐振器相比,谐振器变大,凸块的位置距离发热源相对地变远。与此相对,在图6A的构造中,通过设置内部凸块,从作为发热源的分割谐振器S11、S12的每个的发热中心到凸块的距离与图4A所示的构造相比变短,散热效率提高。
如上所述,通过分割谐振器并设置内部凸块,能够有效地将在谐振器中产生的热量散到封装中。其结果是,谐振器的温度没有上升,而功率持久性变高。
图8和图9是表示将两个分割谐振器并联连接的合成谐振器被连接在并联臂上的情况下的合成并联谐振器的结构例的图。在图8所示的合成并联谐振器中,第一分割谐振器P11和第二分割谐振器P12分别与第一信号布线61连接并且分别与第二信号布线63连接。在第一信号布线61上形成有电连接在连接基板(未图示)的地上的地凸块62。另外,第一信号布线61与形成有内部凸块65的金属膜64连接。第二信号布线63与其他谐振器连接。
图9所示的合成并联谐振器的金属膜64未与第一信号布线61连接。其他的结构与图8所述的合成谐振器是同样的。
图10~图13是表示将两个分割谐振器并联连接后的合成谐振器连接在串联臂上的合成串联谐振器的结构例的图。在图10所示的合成串联谐振器中,第一分割谐振器S11和第二分割谐振器S12分别与第一信号布线40a连接并且分别与第二信号布线40b连接。第一信号布线40a与其他谐振器连接。在第二信号布线40b上形成有电连接在连接基板的外部布线上的信号布线凸块66。第二信号布线40b与形成有内部凸块45的金属膜44连接。内部凸块45被电连接在连接基板的外部布线上或者与电气上浮动的位置连接。
图11所示的合成串联谐振器与图10所示的合成串联谐振器的不同点在于:在第二信号布线40b上没有形成信号布线凸块66。内部凸块45电连接在连接基板的外部布线上。其他的结构是与图10所示的合成串联谐振器同样的。
图12所示的合成串联谐振器与图10所示的合成串联谐振器的不同点在于:第二信号布线40b没被连接在形成有内部凸块45的金属膜44上。其他的结构与图10所示的合成串联谐振器是同样的。
如图13所示的合成串联谐振器与图12所示的串联谐振的不同在于:内侧反射器42a、42b与第一信号布线40a连接。其他的结构与图10所示的合成串联谐振器是同样的。
在图8~图13所示的合成谐振器中,由于从作为两个分割谐振器的发热中心的、靠近梳形电极的内部凸块45排热,因此功率持久性优良。
以上,本实施方式的滤波器通过相对于以往谐振器将梳形电极的根数为一半的谐振器(分割谐振器)并联连接、并在分割谐振器的反射器所夹的位置形成凸块,由此能够提高排热效率并提高功率持久性。
另外,在本实施方式中,示出了多个合成谐振器的结构例,但是合成谐振器的结构并不限于这些结构例,只要是内部凸块以被分割谐振器所夹的方式来被形成凸块,就什么样的结构都可以。另外,可以将多个合成谐振器配置在滤波器中。并且,在本实施方式中,示出了用两个分割谐振器来设计合成谐振器的例子,但是也可以利用三个以上的分割谐振器来形成合成谐振器。
另外,在图1所示的梯形滤波器中,第一级滤波器4、第二级滤波器5、第三级滤波器6以各自的阻抗相同的方式被形成。通过使各级的滤波器的阻抗相同,由此能够防止在各级的滤波器之间反射信号。因此,合成串联谐振器的阻抗值通过并联谐振器P1的阻抗值被唯一地决定。
另外,各个分割谐振器的梳形电极的根数(对数)可以是不同,但是优选是相同的。通过将梳形电极的根数设为相同,使得来自分割谐振器的发热量变为相等。因此,形成内部凸块的位置为排出来自分割谐振器的热量的最有效的位置。另外,梳形电极优选的是以相同的设计构成。相同的设计是指梳形电极的材质、宽度、开口长度(梳形电极与其他的梳形电极相向的长度)、根数完全相同。通过设为相同的设计,由此各个分割谐振器的谐振频率、反谐振频率一致。另外,通过设为相同的设计,能够防止由于信号的反射等引起的信号的衰减。
另外,在本实施方式中,作为滤波器以梯形滤波器为例进行了说明,但是即使使用格形滤波器也能得到同样的效果。
另外,合成谐振器的用途不限于滤波器,作为弹性波器件也可使用在其他的用途上。
另外,示出了滤波器通过面向下方式与封装连接的结构的例子,但是不一定限定于面向下方式。只要是通过凸块进行排热的结构就能够得到同样的排热效果。
(实施方式2)
图14是表示本发明实施方式2的通信机的结构图。通信机具有天线71、双工器72、发送侧信号处理部73、接收侧信号处理部74、麦克75、扬声器76。双工器72具有使用实施方式的滤波器的发送用滤波器77以及接收用滤波器78。接收用滤波器78具有与发送用滤波器77的通带不同的通带(接收频带)。
麦克75将声音转换为音频信号并将音频信号输入到发送侧信号处理部73。发送侧信号处理部73生成对音频信号进行了调制后的发送信号。双工器72将由发送侧信号处理部73生成的发送信号输入给天线71。
天线71将发送信号转换为电波并输出。另外,天线71将电波转换为作为电信号的接收信号,并将接收信号输入到双工器72。在双工器72中,接收用滤波器78使接收频带的接收信号通过,并输入到接收侧信号处理部74。另一方面,发送用滤波器77由于通带与接收频带不同,因此不使接收信号通过。因此,接收信号不被输入到发送侧信号处理部73。接收侧信号处理部74对接收信号进行检波、放大等处理,并生成音频信号。扩音器77将音频信号转换为声音并输出。
发送用滤波器77和接收用滤波器78由于使用图1所示的结构的梯形滤波器5,因此能够抑制由于发热引起的滤波器的温度上升。因此,功率持久性提高,能够稳定地使用通信机。
另外,对通信机具有麦克75和扬声器76的结构进行了说明,但是不一定被限定为该结构,例如可以是如个人计算机那样不一定需要麦克75或者扩音器76、以及收发声音数据以外的数据的结构。
以上,对本发明的实施方式进行了详细叙述,但是本发明并不限定于该特定的实施方式,在记载在权利要求的范围内的本发明的主旨的范围内能够进行各种变形、变更。
产业上的实用性
本发明的滤波器功率持久性优良,并且能够使用在通信机的双工器等上。

Claims (10)

1.一种弹性波器件,包括:
谐振器,所述谐振器包括压电基板、形成在所述压电基板上的谐振部、形成在所述压电基板上的谐振部的两端的反射器;凸块,所述凸块被形成在所述压电基板上;以及
与所述谐振部连接的信号布线,
其中,所述谐振器通过并联连接两个以上的分割谐振器来构成,并在被所述分割谐振器的反射器所夹的区域形成有凸块,
所述凸块被形成在金属膜上,所述金属膜未与所述信号布线连接。
2.如权利要求1所述的弹性波器件,其中,
所述凸块被所述信号布线和所述反射器包围。
3.如权利要求1或2所述的弹性波器件,其中,
所述凸块与所述弹性波器件上的地连接。
4.如权利要求1或2所述的弹性波器件,其中,
所述凸块与外部布线连接。
5.如权利要求1所述的弹性波器件,其中,
所述各个分割谐振器的梳形电极的对数是相同的。
6.如权利要求1所述的弹性波器件,其中,
所述各个分割谐振器的梳形电极以相同设计形成。
7.如权利要求1所述的弹性波器件,其中,
所述凸块的材料是Au。
8.一种具有权利要求1所述的弹性波器件的滤波器,其中,所述弹性波器件具有多个谐振器,所述多个谐振器相互连接。
9.一种双工器,包括:
发送用滤波器;以及
通频带与所述发送用滤波器不同的接收用滤波器;
所述发送用滤波器和所述接收用滤波器中的至少一个使用权利要求8所述的滤波器来构成。
10.一种通信机,包括:
天线;
与所述天线连接的权利要求9所述的双工器;以及
与所述双工器连接的信号处理部。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009032840B4 (de) 2009-07-13 2015-02-05 Epcos Ag SAW-Filterschaltung mit verbesserter ESD-Festigkeit
JP5333654B2 (ja) * 2010-03-19 2013-11-06 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
DE102010032763A1 (de) * 2010-07-29 2012-02-02 Epcos Ag Flip-Chip-Gehäuse für zwei Filtertopologien
JP5825444B2 (ja) * 2012-09-28 2015-12-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN103281102A (zh) * 2013-05-06 2013-09-04 东南大学 基于弹性波的配电线路组网通信方法及其系统
WO2016027707A1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-25 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
DE102015116224B4 (de) 2015-09-25 2019-10-24 Snaptrack, Inc. SAW-Filter mit zusätzlichem Pol
WO2017145473A1 (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 株式会社村田製作所 モジュール装置
WO2018123775A1 (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社村田製作所 弾性表面波装置および弾性表面波フィルタ
CN110431744B (zh) * 2017-03-15 2023-07-21 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
DE102018111428A1 (de) * 2018-05-14 2019-11-14 RF360 Europe GmbH Hochfrequenz-Multiplexer
DE102019104993B4 (de) * 2019-02-27 2024-05-02 Rf360 Singapore Pte. Ltd. SAW -Vorrichtung mit verbessertem Wärmemanagement
WO2021049206A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
CN115191084A (zh) * 2020-03-18 2022-10-14 株式会社村田制作所 弹性波装置及复合滤波器装置
US20220239281A1 (en) * 2021-01-22 2022-07-28 RF360 Europe GmbH Electroacoustic filter including split resonator with detuning
CN116070585B (zh) * 2023-03-14 2023-06-13 深圳飞骧科技股份有限公司 滤波器模组的热仿真方法、系统及相关设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0603928A1 (en) * 1992-12-21 1994-06-29 Delco Electronics Corporation Hybrid circuit
JP3379049B2 (ja) 1993-10-27 2003-02-17 富士通株式会社 表面弾性波素子とその製造方法
US5400950A (en) * 1994-02-22 1995-03-28 Delco Electronics Corporation Method for controlling solder bump height for flip chip integrated circuit devices
WO1998052279A1 (fr) 1997-05-12 1998-11-19 Hitachi, Ltd. Dispositif a onde elastique
WO1999046857A1 (fr) * 1998-03-12 1999-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Filtre a ondes de surface
JP2000196407A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Tdk Corp 弾性表面波装置
JP2004523949A (ja) * 2001-01-18 2004-08-05 インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト フィルタデバイスおよびフィルタデバイスを製作する方法
US6589180B2 (en) * 2001-06-20 2003-07-08 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc Acoustical array with multilayer substrate integrated circuits
DE60229821D1 (de) * 2001-09-25 2008-12-24 Tdk Corp Gehäuse für integrierte Schaltung
JP3833569B2 (ja) 2001-12-21 2006-10-11 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及びこれを用いた電子装置
JP4030795B2 (ja) * 2002-05-09 2008-01-09 日本電波工業株式会社 弾性表面波デバイス
JP3963824B2 (ja) * 2002-11-22 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路
EP1533897A3 (en) * 2003-11-20 2010-06-30 Panasonic Corporation Filter using piezoelectric resonator
US20060158281A1 (en) * 2004-11-18 2006-07-20 Steven Garris SAW ladder filter
JP4541853B2 (ja) * 2004-11-25 2010-09-08 日本電波工業株式会社 アンテナ分波器およびアンテナ分波器用表面弾性波フィルタ
JP4758197B2 (ja) * 2005-10-24 2011-08-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
JP2007184690A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ共用器
WO2007114390A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Kyocera Corporation 弾性表面波素子、弾性表面波装置および通信装置
US8004370B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Kyocera Corporation Surface acoustic wave element, surface acoustic wave apparatus, and communication apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2007-116628A 2007.05.10

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009063559A1 (ja) 2009-05-22
US20100148887A1 (en) 2010-06-17
KR20100047285A (ko) 2010-05-07
JP5072974B2 (ja) 2012-11-14
USRE48129E1 (en) 2020-07-28
US8049577B2 (en) 2011-11-01
JPWO2009063559A1 (ja) 2011-03-31
CN101796722A (zh) 2010-08-04

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