CN101796561A - 显示元件的制造方法、显示元件的制造装置及显示装置 - Google Patents
显示元件的制造方法、显示元件的制造装置及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101796561A CN101796561A CN200880105587A CN200880105587A CN101796561A CN 101796561 A CN101796561 A CN 101796561A CN 200880105587 A CN200880105587 A CN 200880105587A CN 200880105587 A CN200880105587 A CN 200880105587A CN 101796561 A CN101796561 A CN 101796561A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- next door
- mentioned
- display element
- drop
- forms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 133
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 114
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 57
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 56
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims description 5
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 15
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 11
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- -1 aromatic series carbohydrate Chemical class 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 2
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 16-Epiaffinine Natural products C1C(C2=CC=CC=C2N2)=C2C(=O)CC2C(=CC)CN(C)C1C2CO PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033029 Carbonic anhydrase-related protein 11 Human genes 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 101000867841 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 101001075218 Homo sapiens Gastrokine-1 Proteins 0.000 description 1
- 240000001439 Opuntia Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPNXGJLKXGASM-UHFFFAOYSA-N [Si].CC=C Chemical class [Si].CC=C OGPNXGJLKXGASM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSIYBLYHKRJVLJ-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[O-2].[In+3].[Sn+2]=O.[In+3].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [Zn+2].[O-2].[In+3].[Sn+2]=O.[In+3].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2] RSIYBLYHKRJVLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/148—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of electron emission flat panels, e.g. gate electrodes, focusing electrodes or anode electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种在柔性基板上形成可靠性高的驱动电路或薄膜晶体管的显示元件用制造装置、制造方法、以及可靠性高的显示元件。显示元件(50)具有柔性基板(FB)、通过按压柔性基板而形成的第1隔壁和第2隔壁(BA)、在第1隔壁和第2隔壁的表面上实施的疏液面(PJ)、和通过在第1隔壁与第2隔壁之间的槽部涂敷液滴而形成的电极(S、P)。另外,也可以在第1隔壁与第2隔壁(BA)之间的槽部(GR)的表面上形成亲液面。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光(EL)元件、液晶显示元件或电场放射显示器(FED:场致发光显示器)等平板显示元件。另外,还涉及该显示元件的制造方法以及制造装置,特别是涉及制造用于驱动显示元件的驱动电路的显示元件制造方法和制造装置。
背景技术
液晶显示元件等显示元件由于具有小型、薄型、低耗电以及重量轻的特点,所以目前在各种电子设备中被广泛使用。对于驱动这些显示元件的驱动电路或薄膜晶体管,一般使用被称为步进曝光装置的曝光装置来制造。
但是,特别是随着液晶显示元件向大型化发展,在达到第8代以后,由于制造成本和装置输送的限制等,存在着诸多问题,使用目前的比例放大延长线上的技术已经不能应对。另外,为了降低制造成本,在基板尺寸扩大的高效率化的基础上,如何实现装置成本的降低、运行成本的降低以及大型面板的成品率的提高,成为重大的课题。
另外,在市场上开始出现了有机EL和电场放射型显示器等,关于这些下一代的显示元件的制造,如何实现装置成本的降低、运行成本的降低也成为重大的课题。
在专利文献1中,作为液晶显示元件的装置成本的降低、运行成本的降低的对策,公开了一种以基板卷的形式来制造液晶显示元件的方法。
专利文献1:日本特许第3698749号公报
专利文献2:美国专利6320640号
专利文献3:美国专利6839123号
但是,专利文献1所公开的实施例虽然公开了可容易制造的无源型液晶单元的制造方法,但未涉及目前使用的具有高精度的驱动电路或薄膜晶体管的显示装置的制造。另外,专利文献1的技术虽然是使用液滴涂敷法涂敷导电墨水来形成电极,但是存在该导电墨水未必被准确涂敷的情况,在这种情况下,将制造出大量的可靠性低的显示元件。另外,在使用液滴涂敷法形成布线电极的情况下,在布线形成表面涂敷的液滴会扩展,因此难以做成宽度细的布线。并且,被涂敷的液滴在布线形成表面容易滚动,因此难以在所希望的区域上形成连续的布线。
发明内容
因此,本发明的目的是,提供一种即使线宽非常细,也能够形成位置容易进行控制的布线的显示元件的制造方法。另外,提供一种在柔性基板上形成可靠性高的驱动电路或薄膜晶体管的显示元件用制造装置以及可靠性高的显示元件。
第1观点的显示元件的制造方法包括:隔壁形成工序,在沿长度方向输送的基板上形成第1隔壁和第2隔壁;疏液处理工序,对第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理;和涂敷工序,在形成于第1隔壁与第2隔壁之间的槽部涂敷液滴。
根据该制造方法,即使是在为了对第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理而在槽部涂敷液滴时误将液滴涂敷在第1隔壁或第2隔壁上的情况下,也能够使液滴在隔壁上被排斥而进入槽部。因此,即使在基板被高速输送,以及液滴难以准确涂敷的情况下,也不容易产生不良品。
第2观点的显示元件的制造方法包括:隔壁形成工序,在沿长度方向输送的基板上形成第1隔壁和第2隔壁;亲液处理工序,对形成在第1隔壁和第2隔壁之间的槽部实施亲液处理;和对槽部涂敷液滴的涂敷工序。
根据该制造方法,由于对槽部实施了亲液处理,所以,液滴在进入了槽部时,液滴不会从槽部中溅出。因此,由液滴形成的电极等能够精确地形成在槽部,从而不容易产生不良品。
第3观点的显示元件的制造方法包括:在沿长度方向输送的基板上形成凸凹部的隔壁形成工序;对凸部实施疏液处理的疏液处理工序;和在凹部涂敷液滴的涂敷工序。
根据该制造方法,由于对凸部实施了疏液处理,所以,即使是向槽部涂敷液滴时错误地涂敷在凸部上的情况,液滴在凸部上也会被排斥,使液滴进入槽部。因此,即使在基板被高速输送以及液滴难以准确地涂敷的情况下,也不容易产生不良品。
第4观点的显示元件的制造方法包括:在沿长度方向输送的基板上形成凸凹部的隔壁形成工序;对凹部实施亲液处理的亲液处理工序;和在凹部涂敷液滴的涂敷工序。
根据该制造方法,由于对凹部实施了亲液处理,所以,液滴在进入了凹部时,液滴不会从凹部中溅出。因此,由液滴形成的电极等能够精确地形成在槽部,从而不容易产生不良品。
第5观点的显示元件具有:基板;通过按压基板而形成的第1隔壁和第2隔壁;在第1隔壁和第2隔壁的表面上实施的疏液面;和通过在第1隔壁与第2隔壁之间的槽部涂敷液滴而形成的电极。
该显示元件在第1隔壁和第2隔壁的表面具有疏液面,被错误涂敷在隔壁上的液滴不会附着在隔壁上。因此,可提供可靠性高的显示元件。
第6观点的显示元件具有:基板;通过按压基板而形成的第1隔壁和第2隔壁;在第1隔壁和第2隔壁的表面上实施的亲液面;和通过在槽部涂敷液滴而形成的电极。
该显示元件由于在第1隔壁与第2隔壁之间的槽部形成了亲液面,所以,液滴浸润在槽部中而形成电极。因此,可提供即使在显示元件受到冲击、振动等的情况下,也具有高可靠性的显示元件。
第7观点的显示元件的制造装置具有:旋转压模,其在沿长度方向输送的基板上,通过按压形成第1隔壁和第2隔壁;疏液处理部,其对第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理;和涂敷部,其在形成在第1隔壁与第2隔壁之间的槽部中涂敷液滴。
显示元件的制造装置由于具有对第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理的疏液处理部,所以,即使在涂敷部涂敷液滴时误将液滴涂敷在隔壁上时,该液滴也会进入槽部,因此,可制造出可靠性高的显示元件。
第8观点的显示元件的制造装置具有:旋转压模,其在沿长度方向输送的基板上,通过按压形成第1隔壁和第2隔壁;亲液处理部,其对形成在第1隔壁与第2隔壁之间的槽部实施亲液处理;和涂敷部,其在槽部中涂敷液滴。
显示元件的制造装置由于具有对第1隔壁与第2隔壁之间的槽部实施亲液处理的亲液处理部,所以能够使涂敷部涂敷的液滴在基板上可靠地进入槽部,因此,可制造出可靠性高的显示元件。
发明效果
本发明的显示元件的制造方法或制造装置能够以低成本制造可靠性高的显示装置。而且,该显示元件的抗冲击、振动等的耐性强,可靠性高。
附图说明
图1是表示在柔性基板FB上制造有机EL元件的制造装置100的结构的概略图。
图2A(a-1)是表示通过刻印辊10按压薄片基板FB而形成了隔壁的状态的俯视图。(a-2)是(a-1)的CC剖面图。
图2B(b-1)是形成了栅电极G的俯视图。(b-2)是栅电极G的放大图,图中的1至9的编号表示涂敷的顺序。(b-3)是表示金属墨水MI进入到栅极总线GBL用的槽部的状态的剖面图。(b-4)、(b-5)和(b-6)是表示从金属墨水MI未落到栅极总线GBL槽部内而落到隔壁上的状态,到进入槽部的状态的剖面图。(b-7)是金属墨水MI被热处理后的剖面图。
图2C是表示利用绝缘层用的液滴涂敷装置201形成了绝缘层1的状态的图。
图2D(d-1)是形成了源极总线SBL和像素电极P的俯视图。(d-2)、(d-3)和(d-4)是表示金属墨水MI进入到像素电极P用的槽部的状态的俯视图及其剖面图。
图2E(e-1)是表示利用切断装置30切断了源电极S与漏电极D之间的间隔的状态的图。(e-2)是表示有机半导体液滴涂敷装置200S在源电极S与漏电极D之间涂敷了有机半导体墨水OS的状态的图。
图2F(f-1)是在像素电极P上形成了发光层IR的俯视图。(f-2)、(f-3)和(f-4)是表示发光层用溶液形成在像素电极P上的状态的俯视图及其剖面图。
图3(a)是利用图1所示的有机EL元件用制造装置100制造的有机EL元件50的俯视图。(b)和(c)是(a)的b-b剖面图和c-c剖面图。
图4是表示利用准分子激光XE或YAG高次谐波激光器等激光光源直接进行描画,来形成亲液功能的方法的图。
图5是表示使用紫外线和1个掩模MK来形成亲液功能的方法的图。
图6A是表示使用紫外线和多个掩模MK形成亲液功能的方法的图。
图6B是表示使用紫外线和多个掩模MK形成亲液功能的方法的图。
图6C是表示使用紫外线和多个掩模MK形成亲液功能的方法的图。
图7(a)是底栅极型场效应型晶体管的剖面图。(b)是顶栅极型场效应型晶体管的剖面图。
图8(a)是有机EL元件用制造装置100的电极形成工序的俯视图。(b)是校准标记AM以及BM的周边放大图。
图9是有机EL元件50的制造工序的概略流程图。
图10是表示制造有机EL元件的制造装置110的结构的概略图。
图11是表示液晶供给兼用滤色片粘贴装置120的图。
图中符号说明:10-刻印辊;11-微细刻印用压模;15-热转印辊;20-液滴涂敷装置;20BL-液滴涂敷装置(20BL-蓝色发光层用液滴涂敷装置;20G-栅极用液滴涂敷装置;20Gr-绿色发光层用液滴涂敷装置;20I-绝缘层用液滴涂敷装置;20Re-红色发光层用液滴涂敷装置;20IT-ITO电极用液滴涂敷装置;20OS-有机半导体用液滴涂敷装置;20SD-源极用和漏极用以及像素电极用液滴涂敷装置);22-喷嘴;30-切断装置;40、40q、40r-印刷辊;50-有机EL元件;82-上游侧低真空室;83-下游侧低真空室;84-高真空室;90-速度和校准控制部;100、110-制造装置;120-液晶供给兼滤色片粘贴装置;AM-校准标记、BM-校准标记;BA-隔壁;BK-热处理装置;CA-校准照相机;CF-滤色片;CFB-液晶显示元件薄片;D-漏电极;FB-薄片基板;G-栅电极;GBL-栅极总线;GR-槽部;I-栅极绝缘层;IR-发光层;ITO-透明电极;LL-激光;MK-掩模(MK1:第1掩模;MK2:第2掩模;MK3:第3掩模;MK4:第4掩模;MK5:第5掩模);OS-有机半导体层;P-像素电极;PJ-突起;RL-供给辊;RR-辊;S-源电极;SBL-源极总线;TE-网纹。
具体实施方式
在本实施方式中说明的显示元件的制造装置是可适用于有机EL元件、液晶显示元件或电场放射显示器的装置。首先,对有机EL元件的制造装置以及制造方法进行说明。
<<实施例1:有机EL元件的制造装置>>
在有机EL元件的制造中,需要形成具备了薄膜晶体管(TFT)和像素电极的基板。为了在该基板上的像素电极上高精度地形成包含发光层的一层以上的有机化合物层(发光元件层),需要在像素电极的边界区域容易且高精度地形成隔壁BA(围堰层)。
图1是表示在柔性基板上制造具有像素电极和发光层等有机EL元件的制造装置100的结构的概略图。
有机EL元件用的制造装置100具有用于输送被卷成卷状的带状柔性薄片基板FB的供给辊RL。例如,薄片基板FB的长度例如为200m以上。通过使供给辊RL进行规定速度的旋转,把薄片基板FB向作为输送方向的X轴方向(长度方向)输送。另外,有机EL元件用制造装置100在多个部位具有辊RR,通过使这些辊RR旋转,把薄片基板FB沿X轴方向输送。辊RR也可以是从两面夹住薄片基板FB的橡胶辊,如果薄片基板FB具有穿孔,则也可以是附带棘爪的辊RR。这些辊RR中的一部分辊RR可以在与输送方向正交的Y轴方向移动。
有机EL元件用的制造装置100具有在其最后的工序中,把薄片基板FB卷成卷状的卷取辊RE。也可以取代卷取辊RE而具有把薄片基板切断成规定大小的未图示的切断装置。另外,在不良部位的修理工序中,为了进行处理,卷取辊RE或切断装置与供给辊RL和辊RR同步地以规定的速度切断或卷取薄片基板FB。
<隔壁形成工序>
从供给辊RL输送出的薄片基板FB首先进入在薄片基板FB上形成隔壁BA的隔壁形成工序。在隔壁形成工序中,在利用刻印辊10按压薄片基板FB的同时,在使被按压的隔壁BA保持形状的条件下,利用热转印辊15把薄片基板FB加热到玻璃转移点以上。因此,形成在刻印辊10的辊表面上的压模形状被转印到薄片基板FB上。
刻印辊10的辊表面被加工成镜面光洁度,在该辊表面上安装有利用SiC、Ta等材料构成的微细刻印用压模11。微细刻印用压模11具有薄膜晶体管的布线用压模(stamper)和显示像素用压模。另外,为了在带状柔性薄片基板FB的宽度方向的两侧形成校准标记AM和BM(参照图8),微细刻印用压模11具有校准标记AM和BM用的压模。另外,图2A表示形成了薄膜晶体管的布线用和滤色片用的隔壁BA的薄片基板FB。
<电极形成工序>
薄片基板FB在X轴方向被进一步搬运,进入电极形成工序。
作为薄膜晶体管(TFT),既可以使用无机半导体类,也可以使用有机半导体类。如果使用该有机半导体构成薄膜晶体管,则可以应用印刷技术和液滴涂敷技术来形成薄膜晶体管。
在使用了有机半导体的薄膜晶体管的种类中,场效应型晶体管(FET)尤为理想。在图1的电极形成工序中,使用FET的底栅极型有机EL元件50进行说明。在薄片基板FB上形成了栅电极G、栅极绝缘层I、源电极S、漏电极D以及像素电极P后,形成有机半导体层OS。
在电极形成工序中,使用液滴涂敷装置20。液滴涂敷装置20可以采用喷墨方式或分配(dispenser)方式。作为喷墨方式,例如有带电控制方式、加压振动方式、电能机械能转换方式、电热转换方式以及静电吸引方式等。液滴涂敷法对于材料的使用浪费少,而且,能够切实地在所希望的位置配置所希望量的材料。以下,对于栅电极G用液滴涂敷装置20,在末尾附加G等,成为栅极用液滴涂敷装置20G,以便区别。对于其他液滴涂敷装置20也是同样。另外,采用液体涂敷法涂敷的金属墨水MI的一滴的量,例如是1~300毫微克。
栅极用液体涂敷装置20G把金属墨水MI涂敷在栅极总线GBL的隔壁BA内。然后,在热处理装置BK中,通过热风或远红外线等辐射热等,使金属墨水MI干燥或烧结(烘干)。在这些处理中,形成栅电极G。金属墨水MI是在室温下的溶剂中稳定地分散了颗粒直径约5nm的导电体的液体,作为导电体,使用炭、银(Ag)或金(Au)等。图2B(b-1)表示形成了栅电极G的状态。
然后,绝缘层用液体涂敷装置201把聚酰亚胺类树脂或氨甲酸乙酯(urethane)类熟知的电绝缘性墨水涂敷在转变部上。然后,利用热处理装置BK通过热风或远红外线等的辐射热等,使电绝缘性墨水干燥,固化。通过这些处理,形成栅极绝缘层I。图2C表示形成了栅极绝缘层I的状态。
然后,源极用和漏极用以及像素电极用的液滴涂敷装置20SD把金属墨水MI涂敷在源极总线SBL的隔壁BA内和像素电极P的隔壁BA内。然后,利用热处理装置BK使金属墨水MI干燥或烧结(烘干)。通过这些处理,形成连接了源电极S、漏电极D和像素电极P的状态的电极。图2D表示形成了源电极S、漏电极D和像素电极P的状态。
然后,利用切断装置30切断相互连接的源电极S和漏电极D。作为切断装置30,优选使用飞秒激光器。使用了钛蓝宝石激光的飞秒激光照射部以10KHz到40KHz的脉冲照射760nm波长的激光LL。通过旋转被配置在激光LL的光路上的电流镜31,改变激光LL的照射位置。
切断装置30由于使用飞秒激光器,所以能够进行次微米级的加工,能够以准确的间隔切断用于决定场效应型晶体管的性能的源电极S和漏电极D。源电极S与漏电极D的间隔为20μm到30μm左右。通过该切断处理,形成源电极S与漏电极D分离的电极。图2E(e-1)表示源电极S与漏电极D分离的状态。
除了飞秒激光器以外,也可以使用碳酸气体激光器或绿光激光器等。另外,除了使用激光器以外,也可以使用切割机等,以机械方式进行切断。
然后,有机半导体液滴涂敷装置200S在源电极S与漏电极D之间的转换部上涂敷有机半导体墨水。然后,利用热处理装置BK通过热风或远红外线等的辐射热等,使有机半导体墨水干燥或烧结。通过这些处理,形成有机半导体层OS。图2E(e-2)表示形成了有机半导体层OS的状态。
另外,形成有机半导体墨水的化合物可以是单结晶材料、非晶形材料、也可以是低分子材料或高分子材料。作为特别理想的材料,例如是以并五苯、三亚苯、蒽等为代表的缩环类芳香族炭水化合物的单结晶或π共聚物类高分子。
通过上述的处理,即使不使用所谓的光刻工序,也能够通过应用印刷技术和液滴涂敷法技术形成薄膜晶体管等。如果只采用印刷技术或液滴涂敷技术,则由于墨水的浸渍和扩展而不能高精度形成薄膜晶体管等,但由于通过隔壁形成工序形成了隔壁BA,所以可防止墨水的浸渍和扩展。另外,决定薄膜晶体管性能的源电极S与漏电极D的间隔可以通过激光加工或机械加工来形成。
形成了薄膜晶体管和像素电极P的带状柔性薄片基板FB可以卷在卷取辊RE上,暂时结束处理,也可以如图1的下部所示,继续进行下一步的发光层形成工序。另外,在进行暂时卷取的情况下,为了保护所形成的电极,最好在卷取时,与成为缓冲层的衬纸一起卷取。
<发光层形成工序>
有机EL元件用制造装置100接下来进行在像素电极P上形成有机EL元件的发光层IR的形成工序。
在发光层形成工序中,使用液滴涂敷装置20。如上述那样,可以采用喷墨方式或分配(dispenser)方式。
发光层IR含有主化合物和磷光性化合物(也称为磷光发光性化合物)。所谓主化合物是在发光层中含有的化合物。磷光性化合物是可观测到来自激发三重态的发光的化合物,其在室温下发出磷光。
红色发光层用的液滴涂敷装置20Re在像素电极P上涂敷R溶液,形成干燥后的厚度为100nm的膜。R溶液是对于主材料的聚乙烯基咔唑(PVK),采用在1、2-二氯乙烷中溶解了红色添加剂的溶液。
接下来,绿色发光层用液滴涂敷装置20Gr在像素电极P上涂敷G溶液。G溶液是对于主材料PVK,采用在1、2-二氯乙烷中溶解了绿色添加剂的溶液。
并且,蓝色发光层用液滴涂敷装置20BL在像素电极P上涂敷B溶液。B溶液是对于主材料PVK,采用在1、2-二氯乙烷中溶解了蓝色添加剂的溶液。
然后,利用热处理装置BK,通过热风或远红外线等的辐射热等,使发光层干燥固化。图2F表示形成了发光层IR的状态。
然后,绝缘层用液滴涂敷装置201,为了确保不发生与后述的透明电极ITO的短路,把聚酰亚胺类树脂或氨甲酸乙酯的电绝缘性墨水,涂敷在栅极总线GBL或源极总线SBL的一部分上。然后,利用热处理装置BK,通过热风或远红外线等辐射热等,使电绝缘性墨水干燥固化。
然后,ITO电极用液滴涂敷装置201T在红色、绿色以及蓝色发光层上涂敷ITO(Indium Tin Oxide铟锌氧化物)墨水。ITO墨水是在氧化铟(In2O3)中添加了数%的氧化锌(SnO2)的化合物,该电极是透明的。另外,也可以使用IDIXO(In2O3-ZnO)等可以以非晶质制作透明电极的材料。透明导电膜优选其透射率在90%以上。然后,利用热处理装置BK,通过热风或远红外线等的辐射热,使ITO墨水干燥固化。图3(a)表示形成了栅极总线GBL上的绝缘层I和ITO电极的状态。
在图3(a)中,为了便于理解,绝缘层I被描绘成越过隔壁BA的圆形状,但没有必要越过隔壁BA,只要把电绝缘性墨水涂敷在源极总线SBL经过的栅电极G上即可。另外,在涂敷了透明电极ITO的状态时,即完成了有机EL元件50的制作。
另外,有机EL元件50有时设有空穴输送层和电子输送层,对于这些层,也可以运用印刷技术和液滴涂敷法技术。
<<形成在场效应型晶体管的隔壁上的有机EL元件50>>
图3是表示形成了发光层IR和ITO电极的底接触型有机EL元件的状态的图。有机EL元件50在薄片基板FB上形成有栅电极G、栅极绝缘层I和像素电极P,并且形成了有机半导体层OS、发光层IR和ITO电极。下面,使用图2A至图2F,对利用制造装置100制造的有机EL元件50的中间状态进行说明。
<薄片基板FB的结构>
在图2A和图3中,薄片基板FB由耐热性树脂胶片构成。具体是,作为薄片基板FB,使用聚乙烯树脂、聚丙稀树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯醇共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸乙酯树脂、聚丙稀树脂、醋酸乙烯树脂等。
如上述那样,由于薄片基板FB在隔壁形成工序中被实施热转印的热处理,各种墨水必须使用热处理装置BK进行干燥或烧结(烘干),所以,被进行200度C左右的加热。对于薄片基板FB,为了即使受热,其尺寸也不会改变,最好使用热膨胀系数小的材料。例如,可以通过在树脂胶片中混合无机添加材料来减小热膨胀系数。作为无机添加材料的示例,可以是氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。
<疏液功能>
图2A(a-1)是利用微细刻印用压模11实施了转印的薄片基板FB的俯视图。另外,图2A(a-2)是c-c剖面图。另外,所谓疏液性的意思是,包含水等的液体不容易与其他物质结合。
在图2A(a-2)中,隔壁BA的剖面形状可以是倒V字形状,也可以是倒U字形状,而且也可以是矩形形状。但是,为了在微细刻印用压模11按压了薄片基板FB后,薄片基板FB容易剥离,优选采用倒V字形状或倒U字形状。另外,虽然在左右的隔壁BA之间形成了槽部GR,但也可以使右隔壁BA与左隔壁BA在之间相连。即,只要使用微细刻印用压模11在薄片基板FB上形成了凸凹部即可。
另外,在隔壁BA的上面,利用微细刻印用压模11与隔壁BA一同形成多个突起PJ。这些突起PJ具有φ3μm~φ20μm,高度为1μm~8μm的大小,这些突起PJ以相互为6μm~40μm的间隔形成多个。突起PJ也可以是前端尖的针状,也可以是直径不变细的圆柱状。这样的突起PJ具有疏液功能,能够排斥液滴。
隔壁BA之间的槽部GR的宽度W(μm),成为栅极总线GBL等的必要的线宽,例如为20μm左右。从栅极用液滴涂敷装置20G涂敷的液滴直径d(μm)最好是从W/2至W/4左右。
图2B(b-2)是表示使金属墨水MI进入到栅极总线GBL用隔壁BA之间的槽部GR中的状态的剖面图。控制涂敷的顺序,使栅电极G成为直线状。图2B(b-2)中的从1至9的编号表示涂敷顺序。采用基于金属墨水MI彼此之间的张力而成为直线状的液滴涂敷顺序。基本上是以在最后涂敷中央的方式涂敷金属墨水MI。
图2B(b-3)是(b-2)的CC剖面图。通过设置隔壁BA,即使利用液滴涂敷装置20涂敷金属墨水MI,金属墨水MI也不会从栅极总线GBL中溢出。然后,利用热处理装置BK使金属墨水MI进行干燥或烧结,则如图2B(b-7)所示那样,金属墨水MI成为了薄膜。
另一方面,如图2B(b-4)所示,有可能金属墨水MI未被涂敷在槽部GR中,而错误地被涂敷在隔壁BA上。但由于在隔壁BA的上面形成有多个突起PJ,使隔壁BA具有疏液功能,因此,被错误地涂敷在隔壁BA上的金属墨水MI,如图2B(b-5)所示那样,沿着隔壁BA的V字形状的剖面向低处流出。然后,如图2B(b-6)所示那样,沿着隔壁BA的V字形状的剖面向低出流去。而且,使图2B(b-6)所示的金属墨水MI进入到栅极总线GBL用的隔壁BA之间的槽部GR中。
在本实施方式中,虽然通过形成突起PJ使隔壁BA具有了疏液功能,但也可以采用其他方法在隔壁BA的上面形成疏液功能。
作为其他方法,有在隔壁BA上覆盖疏液性覆盖膜的方法。具体是,在隔壁BA的上面通过采用印刷法等方法使用氟树脂形成氟树脂膜,使隔壁BA具备疏液功能。在图1的刻印辊10与栅极用液滴涂敷装置20G之间配置浸渍了氟树脂的辊,一边使浸渍了氟树脂的辊旋转,一边在隔壁BA的上面形成氟树脂。由此,隔壁BA可以具备与多个突起PJ相同的疏液功能。除了氟树脂以外,也可以使用丙烯硅类的树脂。
作为另一其他方法,通过在隔壁BA的上面进行等离子体照射或离子照射,使隔壁BA具备疏液功能。进行等离子体照射或离子照射,可改变隔壁BA的上面的性质,成为与形成了突起PJ相同的表面。由此,隔壁BA可以具备与多个突起PJ相同的疏液功能。在图1的刻印辊10与栅极用疏液涂敷装置20G之间配置等离子体照射装置或离子照射装置,在隔壁BA的上面形成突起PJ。另外,在进行等离子体照射或离子照射时,最好配置保护掩模,使槽部GR不受到等离子体或离子的照射。
<亲液功能>
理想的是,使隔壁BA的上面具备疏液功能,而使隔壁BA之间的槽部GR具备亲液功能。另外,所谓亲液性的意思是,包括水等的液体容易与其他物质结合。
具体的是,在薄片基板FB具有乙烯基(-CH2-CH2-)的情况下,通过对槽部GR照射准分子激光器XE或准分子氙灯XL,可以使槽部GR具有亲液性功能。通过从乙烯基中抽调一个氢原子,使槽部GR的表面改性,槽部GR可以具有亲液性功能。在图1的刻印辊10与栅极用液滴涂布装置20G之间,通过准分子激光器XE或准分子氙灯XL照射180nm左右的紫外线,在槽部GR的上面形成亲液功能。
另外,通过使用适当的气体气氛,通过紫外线照射,可以使氟树脂具备亲水功能。在B(CH3)3气体气氛中,照射180nm左右的紫外线,可具备强的亲油性。也可以取代B(CH3)3而使用Al(CH3)3。并且,如果使用NH3和B2H6的混合气体,则可具备强的亲水功能。
另外,即使在基板不具有乙烯基的情况下,也可以采用喷雾法等形成PVA(聚乙烯醇)等高分子薄膜,通过照射紫外线把表面性质从疏水性改变为亲液性。关于光源,除了准分子激光器XE或准分子氙灯XL以外,也可以使用YAG高次谐波激光器的第3高频波355nm或第4高频波266nm。关于该亲液功能的形成方法,结合图4至图6进行说明。
<控制浸润的图形>
图2D(b-1)是表示把金属墨水MI填充到源极总线SBL用和漏极D用以及像素电极P用的隔壁BA之间的槽部GR中的状态的俯视图。图2D(b-2)至(b-4)是放大了像素电极P用槽部GR的俯视图和剖面图。
在槽部GR的面上,形成了多个网纹TE,作为控制液滴的浸润的图形。多个网纹TE是采用微细刻印用模11与隔壁BA一同形成。这些网纹TE具有宽度为0.5μm~2μm、高度为0.1μm~2μm的大小。当网纹TE的高度为4μm以上时,由于具有疏液功能,所以是不理想的。在本实施方式中,由于像素电极P是正方形,所以网纹TE的形状也成为正方形形状。网纹TE具有使金属墨水MI沿着网纹TE的形状浸润的功能。通常,金属墨水MI等液滴基于表面张力而圆形扩展,但液滴沿着网纹TE的形状扩展为正方形。
具体是,如图2D(b-2)所示,液滴涂敷装置20SD把金属墨水MI涂敷在像素电极P用槽部GR的中央。如果陆续把金属墨水MI向像素电极P用槽部GR的中央涂敷,则如(b-3)所示,金属墨水MI扩展为正方形。如(b-4)所示,当达到适当的像素电极P的大小时,停止液滴涂敷装置20SD的涂敷。在利用热处理装置BK进行了热处理后,形成了正方形的像素电极P。
在本实施方式中,虽然未图示,但对于栅极总线GBL、源极总线SBL、以及漏极D,也可以利用微细刻印用模11形成沿着线的网纹TE。薄片基板FB通过在网纹TE的基础上结合上述的亲液功能,使金属墨水MI以均匀的高度扩展。
图2F(f-1)是表示在像素电极P上形成了红色、绿色和蓝色发光层IR的状态的俯视图。图2F(f-2)至(f-4)是在像素电极P上形成发光层IR时的俯视图和剖面图。
虽然网纹TE被像素电极P所覆盖,未直接出现在表面上,但在热处理后的像素电极P的表面上少许出现了网纹TE的形状。因此,发光层用R溶液、B溶液和G溶液的液滴沿着形成在像素电极P表面上的网纹TE的形状,扩展为正方形。
具体是,如图2F(f-2)所示,液滴涂敷装置20Re、液滴涂敷装置20Gr以及液滴涂敷装置20BL把R溶液、G溶液、B溶液涂敷在像素电极P的中央。如果陆续把R溶液、G溶液、B溶液涂敷在像素电极P的中央,则如(f-3)所示,R溶液、G溶液、B溶液逐渐扩展为正方形。如(f-4)所示那样,当成为了适当的发光层IR的大小时,停止涂敷,经过热处理,形成了正方形的发光层IR。
然后,在利用液滴涂敷装置20IT涂敷透明电极ITO时,由于在热处理后的正方形的发光层IR的表面上也少许出现网纹TE的形状,所以,透明电极ITO也形成为正方形。
通过上述的处理,完成了图3(a)所示的有机EL元件50。如图3(b)和(c)所示,由于存在具有疏液功能的突起PJ的隔壁BA,而且存在具有亲和功能且具有网纹TE的槽部GR,所以可形成精确且均匀的电极或发光层等。由于薄片基板FB由辊RR高速地沿X轴方向(长度方向)输送,所以,即使在液滴涂敷装置20可能不能准确地涂敷液滴的情况下,也能够形成精确且均匀的电极或发光层等。
<亲液功能的形成方法>
图4是表示使用准分子激光器XE或YAG高次谐波激光器等激光光源形成亲液功能的方法。图4(a)是表示包括驱动电路的有机EL元件50整体的薄片基板FB的图,(b)是(a)的圆内的放大图。
如图4(a)和(b)所示,在薄片基板FB的中央配置有有机EL元件50,在其外周部分设有信号线驱动电路51和扫描驱动电路53。信号线驱动电路51与源极总线SBL连接,该源极总线SBL与各个有机EL元件50布线连接。另外,扫描驱动电路53与栅极总线GBL连接,该栅极总线BGL与各个有机EL元件50布线连接。另外,未图示的共用电极等也与有机EL元件50布线连接。
有机EL元件50整体的薄片基板FB的周边部也可以相对有机EL元件50而具有比较宽的线宽。因此,对于信号线驱动电路51和扫描驱动电路53即使不特意设置隔壁BA,只利用液滴涂敷装置20涂敷金属墨水MI,也不会出现问题。
图4(c)是使用准分子激光器XE或YAG高次谐波激光器等激光光源形成亲液功能的示意图。主控制部90从校准照相机CA接收校准标记AM和BM的检测结果,控制激光的照射定时。激光光源根据主控制部90的控制信号,使激光左右前后摆动,在薄片基板FB上进行描画。由于如上述那样信号线驱动电路51和扫描驱动电路53的线宽比较宽,所以,适合于采用激光光源的扫描方式形成亲液功能。
图5表示使用准分子激光器XE或准分子氙灯XL等光源和掩模MK形成亲液功能的方法。图5(a)是说明对在图2A中说明过的隔壁BA的形成后的薄片基板FB形成亲水功能的方法的图。(b)是使用准分子激光器XE或准分子氙灯XL以及掩模MK形成亲液功能的示意图。
在有机EL元件50的图形是微细或复杂的情况下,如果对全部采用激光光源的描画方式来形成,则产出效率明显低下。在这样的情况下,由于使用了掩模MK的曝光可提高产出率,所以是适合的。
图5(a)表示配置了金属墨水MI用第1掩模MK1的情况。在第1掩模MK1上具有一行~数行的周期性图形。该第1掩模MK1具有开口,该开口能够使180nm左右的紫外线一次性照射到全部应涂敷金属墨水MI的区域上。另外,第1掩模MK1进行遮光,使紫外线不能照射到隔壁BA上。
采用使第1掩模MK1接近薄片基板FB的临近效应方式或使用了图5(b)所示透镜等投影光学系统的投影方式,在薄片上进行紫外线曝光。投影方式可以扩大掩模MK与薄片基板FB之间的间隔,从而可实现成品率的提高和微细化。准分子激光器XE或准分子氙灯XL等,通过与薄片基板FB的移动速度同步地使光源曝光,把第1掩模MK1上的图形曝光在薄片基板FB上。准分子激光器XE、曝光灯或YAG高次谐波激光器等,由于曝光时间为数10nsec~100nsec左右,所以,相对移动的薄片基板FB,即使使用静止状态的掩模MK进行曝光,也不会发生残影等的情况。因此,在被曝光的部位可精确形成亲液功能。
具体是,在把薄片基板FB的移动速度设为v、把长度方向的有机EL元件的像素间隔设为A、把准分子氙灯XL的脉冲频率设为B时,成为v=A×B的关系。例如,在主控制部90控制为像素间隔A=0.1mm的情况下,只要使薄片基板FB的移动速度v=500mm/sec、脉冲频率B=5kHz即可。
另外,也可以根据有机EL元件50的位置,或者使用掩模MK,或者直接进行激光描画,或使用双方。
图6A至图6C表示使用准分子激光器XE或准分子氙灯XL等光源和多个掩模MK形成亲液功能的方法。
图6A(a)是对于在图2A中说明过的隔壁BA的形成后的薄片基板FB,使用只在栅极总线GBL上形成亲水功能的第2掩模MK2的方法的图。在第2掩模MK2上形成有与栅极总线GBL对应的开口,对其他部分进行遮光。能够利用图5(b)所示的结构进行曝光。由于形成了亲液功能,只要利用液滴涂敷装置20G涂敷金属墨水MI,即可如图6A(b)所示那样精确地形成栅极总线GBL。
接下来,图6B(c)表示形成了在图2C中说明过的栅极绝缘层I的状态。是对于该状态的薄片基板FB使用了只在源极总线SBL和像素电极P上形成亲水功能的第3掩模MK3a或MK3b的图。
在第3掩模MK3a上形成有与源极总线GBL和像素电极P对应的开口,对其他部位进行遮光。另外,由于最终要用切断装置30在源电极S与漏电极D之间的间隔处进行切断,所以第3掩模MK3b也对源电极S与漏电极D的间隔进行遮光,不形成亲水功能。栅极绝缘层I由于是聚酰亚胺类树脂或氨基甲酸乙酯类树脂,所以,只要被照射了180nm左右的紫外线就能形成亲水功能。由于形成了亲液功能,所以只要利用液滴涂敷装置20SD涂敷金属墨水MI,即可如图6B(d)所示,精确地形成源极总线SBL和像素电极P。
接下来,图6C是形成用于有机EL元件50的发光层IR和透明电极ITO的涂敷的亲液功能的示意图。
首先,在如图6B(d)所示,形成了源极总线SBL和像素电极P后,在源电极S与漏电极D之间的转变部上涂敷有机半导体墨水,形成有机半导体层OS。对于该状态的薄片基板FB,使用只在发光层IR上形成亲水功能的第4掩模MK4。
第4掩模MK4形成有与发光层IR对应的开口。准分子激光器XE或准分子氙灯XL等通过与薄片基板FB的移动速度同步地使光源曝光,把第4掩模MK4上的图形曝光在薄片基板FB上。
如果在金属墨水MI中不包含被照射了紫外线等后发挥亲液功能的材料,则在形成了PVA(聚乙烯醇)等高分子薄膜之后,照射180nm左右的紫外线即可。由此,如图6C(e)所示,在像素电极P上精确地形成了发光层IR。
第5掩模MK5形成有与透明电极ITO对应的开口。准分子激光器XE或准分子氙灯XL等通过与薄片基板FB的移动速度同步地使光源曝光,把第5模MK5上的图形曝光在薄片基板FB上。
发光层IR由主化合物和磷光性化合物构成。在主材料中如果不包含被照射了紫外线后发挥亲液功能的材料,则在形成了PVA(聚乙烯醇)等高分子薄膜后,照射180nm左右的紫外线。由此可在发光层IR上形成亲液功能。
结合图6A至图6C说明过的形成亲液功能的方法,由于在每一层上形成亲液功能,所以即使对上层也能够形成亲液功能,从而可形成在精确的位置上。
<其他的场效应型晶体管>
图7是表示其他场效应型晶体管的剖面图。制造装置100除了可制造图3所示的场效应型晶体管以外,还能够制造各种场效应型晶体管。图7(a)所示的场效应型晶体管是底栅极型,其在薄片基板FB上形成了栅电极G、栅极绝缘层I、有机半导体层OS后,形成源电极S和漏电极D。
图7(b)是顶栅极型场效应型晶体管,其在薄片基板FB上形成了源电极S和漏电极D后,形成有机半导体层OS,进一步在其上形成栅极绝缘层I、和栅电极G。
即使是这些任意一种场效应型晶体管,也可以使用改变了金属墨水MI等的涂敷顺序的制造装置100,进行应对。
<<制造装置100的动作>>
返回图1,有机EL元件用制造装置100具有主控制部90。主控制部90进行供给辊RL和辊RR的速度控制。另外,主控制部90从多个校准照相机CA中接收校准标记AM和BM的检测结果,控制液滴涂敷装置20的墨水等的涂敷位置和定时,控制液滴涂敷装置20的墨水等的涂敷位置和定时,以及切断装置30的切断位置和定时等。
特别是,由于经过热转印辊15和热处理装置BK,薄片基板FB会在X轴方向和Y轴方向上伸缩。因此,有机EL元件用制造装置100在热转印辊15的下游配置校准照相机CA1,在热处理装置BK的后级配置校准照相机CA2至校准照相机CA8。
校准照相机CA可以在可视光照明下通过CCD或CMOS进行摄像,通过对摄像的图像进行处理,检测出校准标记AM和BM的位置,也可以向校准标记AM和BM照射激光,接收其散射光,检测出校准标记AM或BM的位置。
作为代表例,结合图8,说明有机EL元件用制造装置100的电极形成工序的控制。
在图8(a)中,薄片基板FB针对作为薄片基板FB的宽度方向的Y方向上排列的薄膜晶体管的布线用隔壁BA和像素用隔壁BA,在薄片基板FB的两侧,分别具有至少1个校准标记AM。另外,对于例如10个校准标记AM,在校准标记AM的旁边形成1个校准标记BM。由于薄片基板FB例如为200m的长度,所以,以一定的间隔设置校准标记BM,用于容易确认哪行的薄膜晶体管的布线用隔壁BA和像素用隔壁BA。一对校准照相机CA1对该校准标记AM和BM进行摄像,把摄像结果送到主控制部90。
栅极用液滴涂敷装置20G被配置在Y轴方向上,其把多列喷嘴22配置在Y轴方向上,并且在X轴方向上配置多行喷嘴22。栅极用液滴涂敷装置20G根据从主控制部90送来的位置信号,切换从喷嘴22涂敷金属墨水MI的定时和涂敷金属墨水MI的喷嘴22。
微细刻印用模11规定了校准标记AM和BM、与场效应型晶体管的栅极总线GBL和源极总线SBL的位置关系。即,如图8(b)所示,在Y轴方向上,规定了校准标记AM与栅极总线GBL的规定的距离AY、和校准标记BM与栅极总线GBL之间的规定的距离BY,在X轴方向上,规定了校准标记AM和BM与源极总线SBL之间的规定的距离AX。
因此,主控制部90通过拍摄一对校准标记AM,可检测出X轴方向上的偏移、Y轴方向上的偏移以及θ旋转。另外,也可以不仅在薄片基板FB两侧而在中央区域设置校准标记AM。
另外,在图8中,表示校准标记AM的形状是方形,校准标记BM的形状是十字形状,也可以分别是圆形标记、斜直线标记等其他标记形状。
<制造装置的全体制造工序>
图9是图1的有机EL元件50的制造工序的概略流程图。
在步骤P1中,由供给辊RL和辊RR把薄片基板FB沿长度方向输送。
在步骤P2中,刻印辊10按压薄片基板FB,形成薄膜晶体管和发光层等的隔壁BA、隔壁BA上面的突起PJ、槽部GR的网纹TE。校准标记AM和BM以及隔壁BA,由于相互的位置关系非常重要,所以最好同时形成。
在步骤P3中,对于具有乙烯基的薄片基板,根据需要,利用准分子氙灯等对槽部GR照射紫外线。通过该紫外线的照射,使槽部GR具备亲液功能。
在步骤P4中,校准照相机CA1至CA3拍摄校准标记AM和BM,主控制部90掌握薄片基板FB的位置。
然后,在步骤P5中,根据所掌握的位置信息,液滴涂敷装置20G等涂敷各种电极用和绝缘用金属墨水MI。
在步骤P6中,校准照相机CA4拍摄校准标记AM和BM,主控制部90掌握薄片基板FB的位置。
然后,在步骤P7中,根据所掌握的位置信息,利用激光LL形成源电极S与漏电极D的间隙。
在步骤P8中,校准照相机CA5拍摄校准标记AM和BM,主控制部90掌握薄片基板FB的位置。
然后,在步骤P9中,根据所掌握的位置信息,有机半导体液滴涂敷装置20OS在源电极S与漏电极D的间隙上涂敷有机半导体OS。
在步骤P10中,校准照相机CA6拍摄校准标记AM和BM,主控制部90掌握薄片基板FB的位置。
然后,在步骤P11中,根据所掌握的位置信息,形成发光层IR。以下,同样地形成绝缘层I和ITO电极。
<<实施例2:有机EL元件的制造装置>>
图10是表示在柔性基板上制造具有像素电极和发光层等的有机EL元件的制造装置110的结构的概略图,是图1的制造装置100的其他例。其中,对于制造装置100所具有的相同部件或装置,标记相同的符号。
图10所示的制造装置110与图1所示的制造装置100的不同点在于,在2个部位实施隔壁形成工序。刻印辊10形成薄膜晶体管的布线用的隔壁BA,并且在带状柔性薄片基板FB的作为宽度方向的Y轴方向的两侧形成校准标记AM。另外,在另一个隔壁形成工序中,使用印刷辊40。
印刷辊40形成有其表面能够进行丝网印刷的金属掩模。另外,在印刷辊40的内部保持有紫外线固化树脂。紫外线固化树脂由橡胶辊41隔着金属掩模涂敷到薄片基板FB上。由此,形成紫外线固化树脂的隔壁BA。该隔壁的高度例如为20μm。对于形成在薄片基板FB上的紫外线固化树脂的隔壁BA,利用水银灯等紫外线灯44进行固化。
在有机EL元件50中形成发光层、空穴输送层和电子输送层的情况下,需要增高隔壁BA。利用刻印辊10的热转印,不能充分加高从薄片基板FB挤压出的隔壁BA。因此,除了刻印辊10以外,还另外设置了印刷辊40。
在印刷辊40的上游侧,通过配置校准照相机CA6,使主控制部90掌握印刷辊40近前的薄片基板FB的位置。然后,主控制部90进行印刷辊40的旋转控制,对应形成在薄片基板FB上的薄膜晶体管的位置,印刷紫外线固化树脂。
紫外线固化树脂层是以通过紫外线照射发生交链反应等而固化的树脂为主要成分的层。作为紫外线固化树脂,优选使用包含具有乙烯性不饱和二键聚合的单体的成分,通过照射紫外线,使其固化,形成紫外线固化树脂层。作为紫外线固化树脂,例如可以使用紫外线固化型尿烷丙烯酸酯类树脂、紫外线固化型聚酯丙烯酸酯类树脂、紫外线固化型环氧丙烯酸酯类树脂、紫外线固化型多元醇丙烯酸酯类树脂、或紫外线固化型环氧树脂等。其中,优选使用紫外线固化型丙烯酸酯类树脂。另外,如果是发光层的隔壁BA用,则由于理想的是黑矩阵,所以也可以在紫外线固化型丙烯酸酯类树脂中导入铬等金属或氧化物以及碳。
紫外线固化树脂的隔壁BA可以重叠形成在利用刻印辊10形成在薄片基板上的隔壁BA上,也可以形成在刻印辊10未形成隔壁BA的区域上。其后的发光层形成工序只要具有与在实施例1中说明过的工序相同的结构即可。另外,也可以用刻印辊形成印刷辊40。在这种情况下,在辊上卷装印模。在基板具有遮光性的情况下,使用热可塑性树脂。在基板具有透光性的情况下,使用UV固化性树脂,使用紫外线灯44进行固化,从压模上剥离。
<<实施例3:液晶显示元件的制造装置>>
下面,对液晶显示元件的制造装置以及制造方法进行说明。液晶显示元件一般由偏光滤镜、具有薄膜晶体管的薄片基板FB、液晶层、滤色片和偏光滤镜构成。其中,对于具有薄膜晶体管的薄片基板FB,说明了可以利用在图1的上部图示的制造装置100或在图10的上部图示的制造装置110制造。在实施例3中,对液晶的供给和滤色片CF的粘贴进行说明。
对于液晶显示元件需要供给液晶,并且需要形成液晶的密封壁。因此,在图10的下部图示的印刷辊40,在实施例3中不是用于形成发光层用隔壁BA,而是用于液晶的密封壁。
图11是表示液晶供给兼滤色片粘贴装置120的图。
液晶供给兼滤色片粘贴装置120设有上游侧低真空室82和下游侧低真空室83,在上游侧低真空室82与下游侧低真空室83之间设有高真空室84。这些低真空室82、83和高真空室84利用回转泵或涡轮分子泵89抽真空。
向上游侧低真空室82中供给滤色片CF,另外,经过图10所示的印刷辊40,供给形成了液晶密封壁的薄片基板FB。另外,在滤色片CF的Y轴方向上的两侧也形成有校准标记。
形成了液晶密封壁的薄片基板FB首先从粘合剂分配器72涂敷用于与滤色片CF粘合的热固化性粘合剂。然后,薄片基板FB经过上游侧低真空室82被送到高真空室84。在高真空室84中,从液晶分配器74涂敷液晶。然后,利用热转印辊76把滤色片CF与薄片基板FB粘合。
利用校准照相机CA11拍摄薄片基板FB的校准标记AM,利用校准照相机CA12拍摄滤色片CF的校准标记AM。将校准照相机CA11和CA12拍摄的结果发送到主控制部90,由此掌握X轴方向的偏差、Y轴方向的偏差以及θ旋转。热转印辊76根据从主控制部90送来的位置信号,改变旋转速度,一边进行滤色片CF与薄片基板FB的位置调整,一边进行粘合。
粘合的液晶显示元件薄片CFB经过下游低真空室83被输送到外部。
另外,说明了使用热固化性粘合剂作为粘合剂,但也可以使用紫外线固化性粘合剂。在这种情况下,不使用热转印辊76,而使用紫外线灯等。
产业上应用可能性
以上,对有机EL元件以及液晶显示元件的制造方法进行了说明,但本发明的制造装置也可以应用于电场放射显示器等。本实施方式说明了使用了有机半导体的薄膜晶体管,但也可以是非晶形硅类的无机半导体薄膜晶体管。
另外,在实施方式的制造装置100中设置了热处理装置BK,但目前通过对金属墨水MI或发光层溶液等的改良,提出了一种使用不需要热处理的墨水或溶液的方案。因此,在本实施例中,也不是必须设置热处理装置BK。
另外,在图1或图10中,首先配置了刻印辊10,但也可以取代刻印辊10而利用印刷辊40形成隔壁BA。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
隔壁形成工序,在沿输送方向输送的基板上形成第1隔壁和第2隔壁;
疏液处理工序,对上述第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理;和
涂敷工序,在形成于上述第1隔壁与第2隔壁之间的槽部中涂敷液滴。
2.根据权利要求1所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
在通过上述隔壁形成工序形成上述第1隔壁和第2隔壁的同时,通过上述疏液处理工序在上述第1隔壁和第2隔壁的表面上形成多个微小突起。
3.根据权利要求1所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述疏液处理工序在上述第1隔壁和第2隔壁的表面上实施疏液性覆盖膜。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述隔壁形成工序在上述槽部形成用于控制上述液滴的浸润的图形。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述隔壁形成工序把形成在压模上的凸凹转印到上述基板上。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
还包括对上述槽部实施亲液处理的亲液处理工序。
7.根据权利要求6所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
上述亲液处理工序包括激光描画或使用了掩模的紫外线照射的至少一方。
8.(修改后)一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
隔壁形成工序,在沿输送方向输送的基板上形成第1隔壁和第2隔壁;
亲液处理工序,对形成于上述第1隔壁和第2隔壁之间的槽部实施亲液处理;和
向上述槽部涂敷液滴的涂敷工序。
9.根据权利要求8所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
上述亲液处理工序包括激光描画或使用了掩模的紫外线照射的至少一方。
10.根据权利要求9所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
对形成在上述显示元件周围的驱动电路进行上述激光描画。
11.根据权利要求9所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
在使用了上述掩模的紫外线照射中,准备适于显示元件的布线的多个掩模,按每个布线分开使用上述多个掩模。
12.根据权利要求8或9所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述隔壁形成工序在上述槽部形成用于控制上述液滴的浸润的图形。
13.(修改后)一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
在沿输送方向输送的基板上形成凸凹部的隔壁形成工序;
对上述凸部实施疏液处理的疏液处理工序;和
在上述凹部涂敷液滴的涂敷工序。
14.(修改后)一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
在沿输送方向输送的基板上形成凸凹部的隔壁形成工序;
对上述凹部实施亲液处理的亲液处理工序;和
在上述凹部涂敷液滴的涂敷工序。
15.(修改后)根据权利要求1至14中任一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
上述基板具有柔性。
16.(修改后)一种显示元件,其特征在于,具有:
基板;
通过按压上述基板而形成的第1隔壁和第2隔壁;
对上述第1隔壁和第2隔壁的表面实施的疏液面;和
通过在上述第1隔壁与上述第2隔壁之间的槽部涂敷液滴而形成的电极。
17.(修改后)一种显示元件,其特征在于,具有:
基板;
通过按压上述基板而形成的第1隔壁和第2隔壁;
对上述第1隔壁和第2隔壁之间的槽部的表面实施的亲液面;和
通过在上述槽部涂敷液滴而形成的电极。
18.(修改后)根据权利要求16或17所述的显示元件,其特征在于,具有:
在上述电极上实施的第2亲液面;
通过在上述第2亲液面上涂敷液滴而形成的发光层;和
通过在上述发光层上涂敷液滴而形成的透明电极材料。
19.(修改后)根据权利要求16或17所述的显示元件,其特征在于,具有:
通过在上述电极上涂敷液滴而形成的发光层;
在上述发光层上实施的第3亲液面;和
通过在上述第3亲液面上涂敷液滴而形成的透明电极材料。
20.(修改后)根据权利要求16或17所述的显示元件,其特征在于,具有:
滤色片;和
配置在上述基板与上述滤色片之间的液晶。
21.(修改后)根据权利要求16至20中任一项所述的显示元件,其特征在于,
上述基板具有柔性。
22.(追加)一种显示元件的制造装置,其特征在于,具有:
旋转压模,其在沿输送方向输送的基板上,通过按压形成第1隔壁和第2隔壁;
疏液处理部,其对上述第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理;和
涂敷部,其在形成于上述第1隔壁与第2隔壁之间的槽部中涂敷液滴。
23.(追加)一种显示元件的制造装置,其特征在于,具有:
旋转压模,其在沿输送方向输送的基板上,通过按压形成第1隔壁和第2隔壁;
亲液处理部,其对形成在上述第1隔壁与第2隔壁之间的槽部实施亲液处理;和
涂敷部,其在上述槽部中涂敷液滴。
24.(追加)根据权利要求22或23所述的显示元件的制造装置,其特征在于,
上述基板具有柔性。
Claims (21)
1.一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
隔壁形成工序,在沿长度方向输送的基板上形成第1隔壁和第2隔壁;
疏液处理工序,对上述第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理;和
涂敷工序,在形成于上述第1隔壁与第2隔壁之间的槽部中涂敷液滴。
2.根据权利要求1所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
在通过上述隔壁形成工序形成上述第1隔壁和第2隔壁的同时,通过上述疏液处理工序在上述第1隔壁和第2隔壁的表面上形成多个微小突起。
3.根据权利要求1所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述疏液处理工序在上述第1隔壁和第2隔壁的表面上实施疏液性覆盖膜。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述隔壁形成工序在上述槽部形成用于控制上述液滴的浸润的图形。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述隔壁形成工序把形成在压模上的凸凹转印到上述基板上。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
还包括对上述槽部实施亲液处理的亲液处理工序。
7.根据权利要求6所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
上述亲液处理工序包括激光描画或使用了掩模的紫外线照射的至少一方。
8.一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
隔壁形成工序,在沿长度方向输送的基板上形成第1隔壁和第2隔壁;
亲液处理工序,对形成于上述第1隔壁和第2隔壁之间的槽部实施亲液处理;和
向上述槽部涂敷液滴的涂敷工序。
9.根据权利要求8所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
上述亲液处理工序包括激光描画或使用了掩模的紫外线照射的至少一方。
10.根据权利要求9所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
对形成在上述显示元件周围的驱动电路进行上述激光描画。
11.根据权利要求9所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
在使用了上述掩模的紫外线照射中,准备适于显示元件的布线的多个掩模,按每个布线分开使用上述多个掩模。
12.根据权利要求8或9所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
通过上述隔壁形成工序在上述槽部形成用于控制上述液滴的浸润的图形。
13.一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
在沿长度方向输送的基板上形成凸凹部的隔壁形成工序;
对上述凸部实施疏液处理的疏液处理工序;和
在上述凹部涂敷液滴的涂敷工序。
14.一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
在沿长度方向输送的基板上形成凸凹部的隔壁形成工序;
对上述凹部实施亲液处理的亲液处理工序;和
在上述凹部涂敷液滴的涂敷工序。
15.一种显示元件,其特征在于,具有:
基板;
通过按压上述基板而形成的第1隔壁和第2隔壁;
对上述第1隔壁和第2隔壁的表面实施的疏液面;和
通过在上述第1隔壁与上述第2隔壁之间的槽部涂敷液滴而形成的电极。
16.一种显示元件,其特征在于,具有:
基板;
通过按压上述基板而形成的第1隔壁和第2隔壁;
对上述第1隔壁和第2隔壁之间的槽部的表面实施的亲液面;和
通过在上述槽部涂敷液滴而形成的电极。
17.根据权利要求11或12所述的显示元件,其特征在于,具有:
在上述电极上实施的第2亲液面;
通过在上述第2亲液面上涂敷液滴而形成的发光层;和
通过在上述发光层上涂敷液滴而形成的透明电极材料。
18.根据权利要求11或12所述的显示元件,其特征在于,具有:
通过在上述电极上涂敷液滴而形成的发光层;
在上述发光层上实施的第3亲液面;和
通过在上述第3亲液面上涂敷液滴而形成的透明电极材料。
19.根据权利要求11或12所述的显示元件,其特征在于,具有:
滤色片;和
配置在上述基板与上述滤色片之间的液晶。
20.一种显示元件的制造装置,其特征在于,具有:
旋转压模,其在沿长度方向输送的基板上,通过按压形成第1隔壁和第2隔壁;
疏液处理部,其对上述第1隔壁和第2隔壁实施疏液处理;和
涂敷部,其在形成于上述第1隔壁与第2隔壁之间的槽部中涂敷液滴。
21.一种显示元件的制造装置,其特征在于,具有:
旋转压模,其在沿长度方向输送的基板上,通过按压形成第1隔壁和第2隔壁;
亲液处理部,其对形成在上述第1隔壁与第2隔壁之间的槽部实施亲液处理;和
涂敷部,其在上述槽部中涂敷液滴。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-229608 | 2007-09-05 | ||
JP2007229608 | 2007-09-05 | ||
PCT/JP2008/002385 WO2009031288A1 (ja) | 2007-09-05 | 2008-09-01 | 表示素子の製造方法、表示素子の製造装置、及び表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101796561A true CN101796561A (zh) | 2010-08-04 |
CN101796561B CN101796561B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=40428612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200880105587.5A Active CN101796561B (zh) | 2007-09-05 | 2008-09-01 | 显示元件的制造方法、显示元件的制造装置及显示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8432528B2 (zh) |
EP (1) | EP2196980A4 (zh) |
JP (2) | JP5190812B2 (zh) |
KR (1) | KR101530728B1 (zh) |
CN (1) | CN101796561B (zh) |
TW (1) | TWI509673B (zh) |
WO (1) | WO2009031288A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104124266A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
CN104882467A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法、显示装置 |
CN104992958A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制备方法 |
WO2017020556A1 (zh) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板组件及其制备方法以及显示装置 |
WO2018157579A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
CN110164845A (zh) * | 2018-02-14 | 2019-08-23 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性基板、制作方法及具有其的柔性封装结构 |
CN111361301A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-03 | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 | 一种lens功能薄膜的喷墨打印制备方法 |
CN114843427A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-08-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI509673B (zh) * | 2007-09-05 | 2015-11-21 | 尼康股份有限公司 | A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display device |
TWI455235B (zh) | 2007-09-11 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | A manufacturing method of a display element, and a manufacturing apparatus for a display element |
KR101059799B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2011-08-26 | (주)미래컴퍼니 | 액정 패널의 버스 라인 리페어 방법 및 장치 |
US8801307B2 (en) | 2009-09-25 | 2014-08-12 | Nikon Corporation | Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element |
KR101051447B1 (ko) * | 2010-10-26 | 2011-07-22 | 한국기계연구원 | 인쇄기반 금속 배선을 이용한 투명전극 제조 장치 |
CN102789106B (zh) | 2012-04-24 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
JP6024189B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気泳動表示装置及び電子機器 |
JPWO2015064716A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2017-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 有機薄膜パターニング装置、有機薄膜製造システム、及び、有機薄膜パターニング方法 |
KR20150058910A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2016085923A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP6565321B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2019-08-28 | 凸版印刷株式会社 | 積層構造体、これを用いた有機el素子、およびこれらの製造方法 |
KR102555143B1 (ko) * | 2017-12-14 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
JP2019133959A (ja) * | 2019-05-21 | 2019-08-08 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20220051084A (ko) | 2020-10-16 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2021039956A (ja) * | 2020-12-08 | 2021-03-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003001490A2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-03 | Avery Dennison Corporation | Hybrid display device |
US20060290021A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corporation | Micro-embossing fabrication of electronic devices |
US20070085472A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Hideyuki Yamakawa | Organic electroluminescent element |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3698749B2 (ja) * | 1995-01-11 | 2005-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム |
JP3381681B2 (ja) | 1999-09-28 | 2003-03-04 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその断線補修方法 |
US6869635B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-03-22 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
JP2003263119A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | リブ付き電極およびその製造方法 |
JP4100011B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法 |
JP2004098012A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
JP4311084B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2009-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜パターンの製造方法、有機電界発光素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、プラズマディスプレイパネルの製造方法、液晶表示パネルの製造方法 |
TWI283324B (en) * | 2004-06-04 | 2007-07-01 | Ind Tech Res Inst | Method of liquid crystal alignment for a flexible liquid crystal display with microstructures |
JP5025107B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2012-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7732334B2 (en) * | 2004-08-23 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2006147827A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2006201538A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法 |
TWI509673B (zh) * | 2007-09-05 | 2015-11-21 | 尼康股份有限公司 | A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display device |
-
2008
- 2008-08-28 TW TW097132886A patent/TWI509673B/zh active
- 2008-09-01 WO PCT/JP2008/002385 patent/WO2009031288A1/ja active Application Filing
- 2008-09-01 JP JP2009531107A patent/JP5190812B2/ja active Active
- 2008-09-01 KR KR1020107004031A patent/KR101530728B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-01 EP EP08790539A patent/EP2196980A4/en not_active Withdrawn
- 2008-09-01 CN CN200880105587.5A patent/CN101796561B/zh active Active
-
2010
- 2010-03-05 US US12/718,450 patent/US8432528B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-15 JP JP2013004207A patent/JP5418994B2/ja active Active
- 2013-04-02 US US13/855,206 patent/US9310656B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003001490A2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-03 | Avery Dennison Corporation | Hybrid display device |
US20060290021A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corporation | Micro-embossing fabrication of electronic devices |
US20070085472A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Hideyuki Yamakawa | Organic electroluminescent element |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104124266A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
CN104992958A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制备方法 |
CN104992958B (zh) * | 2015-05-26 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制备方法 |
CN104882467A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法、显示装置 |
WO2016192385A1 (en) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate, display device having the same, and fabricating method thereof |
CN104882467B (zh) * | 2015-06-04 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法、显示装置 |
US10014353B2 (en) | 2015-06-04 | 2018-07-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate, display device having the same, and fabricating method thereof |
US10079272B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-09-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate assembly and manufacturing method thereof and display device |
WO2017020556A1 (zh) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板组件及其制备方法以及显示装置 |
WO2018157579A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
US11031578B2 (en) | 2017-03-03 | 2021-06-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and manufacturing method thereof |
CN110164845A (zh) * | 2018-02-14 | 2019-08-23 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性基板、制作方法及具有其的柔性封装结构 |
CN110164772A (zh) * | 2018-02-14 | 2019-08-23 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性基板的制作方法及柔性封装结构 |
CN111361301A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-03 | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 | 一种lens功能薄膜的喷墨打印制备方法 |
CN111361301B (zh) * | 2020-04-01 | 2021-06-15 | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 | 一种lens功能薄膜的喷墨打印制备方法 |
CN114843427A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-08-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100165269A1 (en) | 2010-07-01 |
CN101796561B (zh) | 2016-04-13 |
EP2196980A1 (en) | 2010-06-16 |
US9310656B2 (en) | 2016-04-12 |
US8432528B2 (en) | 2013-04-30 |
JP2013127627A (ja) | 2013-06-27 |
WO2009031288A1 (ja) | 2009-03-12 |
KR101530728B1 (ko) | 2015-06-22 |
TW200926271A (en) | 2009-06-16 |
US20130224894A1 (en) | 2013-08-29 |
JPWO2009031288A1 (ja) | 2010-12-09 |
TWI509673B (zh) | 2015-11-21 |
KR20100063038A (ko) | 2010-06-10 |
JP5190812B2 (ja) | 2013-04-24 |
EP2196980A4 (en) | 2011-09-14 |
JP5418994B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101796561B (zh) | 显示元件的制造方法、显示元件的制造装置及显示装置 | |
KR101506357B1 (ko) | 표시 소자의 제조 방법과 제조 장치, 표시 소자 제조용 시트 기판, 및 도포 유닛 | |
CN101314841B (zh) | 制造装置及发光装置的制造方法 | |
US7737629B2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
JP5073566B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
KR101236460B1 (ko) | 박막 전자 장치를 제조하는 인라인 공정 | |
TW201109744A (en) | Color conversion filter substrate | |
JP2006281490A (ja) | ブランケット装着機構、およびこれらによるオフセット印刷方法若しくは凸版反転オフセット印刷方法、並びにこれらによる印刷物 | |
JP2007098931A (ja) | スクリーン印刷装置、発光装置の製造方法および製造装置 | |
JP2011258851A (ja) | 発光素子基板およびその製法 | |
JP2010113171A (ja) | 感光性樹脂凸版の製造方法、有機電子デバイスの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 | |
JP4736652B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
CN1998086A (zh) | 半导体器件、电视机及其制造方法 | |
JP2005266616A (ja) | 光学的表示装置及びその製造方法 | |
JP2012216308A (ja) | 有機el表示装置の封止リペア方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |