CN101794645A - 制备导电膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了导电膜制备方法,其包括:曝光和显影具有厚95μm的长支持体和其上的含银盐乳剂层的光敏材料,从而形成金属银部分以制备导电膜前体的金属银形成步骤,和对所述导电膜前体进行平滑处理以制备导电膜的平滑处理步骤。在所述平滑处理中,通过彼此相对的第一和第二砑光辊辊压所述导电膜前体,所述第一砑光辊是将与支持体接触的树脂辊。该方法满足1/2≤P1/P2≤1的条件,其中P1表示将导电膜前体引入进行平滑处理步骤的区域时施加的传送力,P2表示将平滑处理后的导电膜从所述区域排出时施加的传送力。

Description

制备导电膜的方法
技术领域
本发明涉及制备导电膜的方法,该导电膜的电导性质适合用作多种显示装置的透光电磁防护膜、多种电子装置的透明电极、透明平面加热元件等。
背景技术
近来,已知具有透明衬底和金属等的细线的筛孔图案状导电层的材料用作导电膜,该导电膜的电导性质适合用作多种显示装置的透光电磁防护膜、多种电子装置的透明电极、透明平面加热元件等。制备所述材料的已知方法包括下列方法。
(1)包括通过结合、无电镀等在透明衬底上形成薄铜层的步骤,和通过光蚀刻将薄铜层刻蚀成图案的步骤的方法(参见日本特開05-016281和10-163673等)。
(2)包括通过印刷在透明衬底上将含有无电镀催化剂(比如钯)的颗粒的墨水设置成图案的步骤,和通过无电镀在其上形成导电层的步骤的方法(参见日本特開11-170420和2003-318593等)。
(3)包括将透明衬底上形成的光敏卤化银层在图案中曝光以形成图案状显影的银的步骤,和通过电镀在其上形成图案状导电层的步骤的方法(参见国际公开WO01/51276,日本特開2004-221564等)。
在上述三种方法中,使用卤化银的方法(3)的优势在于,与光蚀刻方法相比它的过程更简单,与印刷方法相比它可以更容易地形成细线,并适合形成连续无缝导电层。通过使用砑光辊的平滑处理,可以充分降低由这样的含有银盐(特别是卤化银)的光敏材料制备的导电膜的表面电阻。此外,该方法可有利地易于形成具有所需的图案和均匀的形状的金属银部分,以提高导电膜产率(参见日本特開2008-251417等)。
在使用砑光辊对由具有含银盐的乳剂层的光敏材料制备的导电膜前体(特别是使用厚度为95μm或更大的长支持体的导电膜前体)进行平滑处理的情形下,必须考虑因起皱引起的变形缺陷。日文特開2008-251417描述了能防止起皱的金属辊和塑料辊的组合。
然而,考虑到防止起皱,不仅需要考虑金属和塑料辊的组合,也需要考虑传送导电膜前体的力。
发明内容
考虑到上述问题,本发明的目的在于提供制备导电膜(特别是使用厚度为95μm或更大的长支持体的导电膜)的方法,该方法使用具有含银盐的乳剂层的光敏材料,能减少在使用砑光辊的平滑处理中因起皱引起的变形缺陷,从而提高导电膜的品质和产率。
[1]根据本发明的制备导电膜的方法,其包括:曝光和显影包含长支持体和其上的含有银盐的乳剂层的光敏材料从而形成金属银部分以制备导电膜前体的金属银形成步骤,和对所述导电膜前体进行平滑处理以制备导电膜的平滑处理步骤,其中所述支持体的厚度为95μm或更大,在所述平滑处理中通过彼此相对的第一砑光辊和第二砑光辊辊压所述导电膜前体,所述第一砑光辊是树脂辊并与所述支持体接触,该方法满足下面条件:
1/2≤P1/P2≤1,
其中P1表示将导电膜前体引入进行平滑处理步骤的区域时施加的传送力,P2表示将平滑处理后的导电膜从进行平滑处理步骤的区域排出时施加的传送力。
[2]根据本发明的方法,其中所述方法满足下面条件:
0.58≤R2/R1≤0.77,
其中R1表示所述导电膜前体的表面电阻,R2表示所述导电膜的表面电阻。
[3]根据本发明的方法,其中所述支持体的厚度为95到150μm。
[4]根据本发明的方法,其中所述光敏材料的厚度为100到200μm。
[5]根据本发明的方法,其中所述导电膜的长度为2m或更大。
[6]根据本发明的方法,其中所述第二砑光辊是金属辊,并与所述金属银部分接触。
[7]根据本发明的方法,其中所述金属辊具有压花表面。
[8]根据本发明的方法,其中以最大高度Rmax计,所述金属辊的表面粗糙度为0.05到0.8s。
[9]根据本发明的方法,其中所述乳剂层的银/粘合剂体积比为1/1或更大。
[10]根据本发明的方法,其中在对所述导电膜前体施加200到600kgf/cm(1960到5880N/cm)的负荷(线压力)时进行所述平滑处理。
[11]根据本发明的方法,其中在以10到50m/分钟的传送速率传送所述导电膜前体时进行所述平滑处理。
当通过本发明的制备方法制备使用具有含银盐乳剂层的光敏材料的导电膜(特别是使用厚度为95μm或更大的长支持体的导电膜)时,可在使用砑光辊的平滑处理中防止因起皱引起的变形缺陷,以提高膜的品质和产率。
通过下述说明并结合附图,本发明的上述及其他目的,特征和优势将更加明显,所述附图通过说明性实例显示本发明的优选实施方案。
发明内容
下面将描述本发明的导电膜制备方法。通过本发明方法制备的导电膜可用于车辆的除霜器(除霜装置)、窗玻璃等,用作加热片通过流过电流而发热,触摸屏的电极,无机EL装置,有机EL装置,或太阳能电池,或印刷电路板。应当说明,在本说明书中,“A到B”的数值范围均包括作为下限和上限值的数值A和B。
<用于导电膜制备的光敏材料>
[支持体]
用于本发明制备方法的光敏材料的支持体可以是塑料膜、塑料板、玻璃板等。用于所述塑料膜和塑料板的材料的实例包括聚酯(比如聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)和聚乙烯萘二甲酸酯);聚烯烃(比如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、和EVA);乙烯基树脂(比如聚氯乙烯和聚偏氯乙烯);聚醚醚酮(PEEK);聚砜(PSF);聚醚砜(PES);聚碳酸酯(PC);聚酰胺;聚酰亚胺;丙烯酸树脂);和三乙酰纤维素(TAC)。
所述支持体的厚度为95μm或更大,优选为至多150μm。在本发明方法中,可使用砑光辊平滑处理含有厚度为95μm或更大的长支持体的导电膜,同时防止因起皱引起的变形缺陷。通常,当支持体的厚度为100μm或更大时,易因起皱引起变形缺陷。在本发明中,即使在这样的条件下也可充分防止因起皱引起的变形缺陷。
[含银盐层]
用于本发明制备方法的光敏材料具有支持体和其上的含有银盐的乳剂层(含银盐层)作为光敏元件。除银盐外,含银盐层可含有粘合剂、溶剂等。除非产生一些问题,含有银盐的乳剂层(或含银盐层)可简称作乳剂层。
所述乳剂层可通过将乳化液(除银盐外,含有粘合剂、溶剂等的液体)涂布于支持体而形成。所述乳化液可暂时储存于储存容器内,可从该容器排出所需量的乳化液并通过液体传送装置引入涂布过程。所述液体传送装置优选为往复泵,其具体实例包括柱塞泵和隔膜泵。
下面描述柱塞泵和隔膜泵之间的差异。
柱塞泵在活塞和柱塞缸之间具有滑动部件。当乳化液含有大量粘合剂比如明胶时,明胶保护卤化银,从而卤化银不受柱塞泵滑动的影响。然而,当乳化液含有大量银时,例如银/粘合剂的体积比为1.5/1到4/1时,粘合剂含量小,由此易于因滑动期间的压力敏感性产生还原的银。结果,还原的银污染涂层(乳剂层),使得在显影过程中在未曝光区域中产生不希望的疵点(所谓的黑胡椒点(black pepper))。
隔膜泵具有和柱塞泵相似的结构,区别在于使用弹性柔性膜(隔膜:由橡胶等组成的膜)代替活塞。因为没有滑动部件,即使在乳化液含有大量银的情形下,例如银/粘合剂的体积比为1.5/1到4/1时,隔膜泵可优选地转移液体,不会产生压敏还原。
因此,可使用柱塞或隔膜泵转移含有少量银的乳化液,例如银/粘合剂的体积比为0.25/1到1/1,优选使用隔膜泵转移含有大量银的乳化液,例如银/粘合剂的体积比为1.5/1到4/1。尤其优选使用由氟碳树脂(比如聚四氟乙烯)组成的密封件对隔膜施压。这样的密封件的密封性能优异,从而可以防止被转移的乳化液泄漏,引入空气等。
所述乳剂层可具有250%或更大的溶胀率。在本发明中,溶胀率通过下面等式定义:
溶胀率(%)=100×((b)-(a))/(a)。
在上面的等式中,(a)表示乳剂层在干燥状态下的厚度,(b)表示在将乳剂层浸入25℃的蒸馏水1分钟后乳剂层的厚度。
例如,干燥的乳剂层厚度(a)可通过使用扫描电子显微镜观察样品的截面测量。溶胀的乳剂层厚度(b)可通过使用液氮冷冻干燥溶胀的样品,然后使用扫描电子显微镜观察样品的截面测量。
在本发明中,优选地,光敏材料的乳剂层的溶胀率为250%或更大。优选的溶胀率范围根据乳剂层的银/粘合剂体积比而变化。在膜中,卤化银不能溶胀,而粘合剂部分可以溶胀。无论银/粘合剂体积比如何,粘合剂部分具有恒定的溶胀率。然而,随着银/粘合剂体积比增大,整个乳剂层的溶胀率减小。在本发明中,当乳剂层的银/粘合剂体积比为4或更小时,乳剂层的溶胀率优选为250%或更大,当银/粘合剂体积比为4.5或更大但小于6时,溶胀率优选为200%或更大,当银/粘合剂体积比为6或更大时,溶胀率优选为150%或更大。
除银盐外,如果必要,所述乳剂层可含有染料、粘合剂、溶剂等。下面将描述乳剂层中的每一组分。
<染料>
光敏材料至少在乳剂层中可含有染料。染料在乳剂层中用作滤光染料,或用于防止辐射等。染料可以是固体分散体染料。可用于本发明的染料的优选实例描述于日本特開2008-251417,因此此处省略该实例的说明。考虑到比如防止辐射的效果和因过量加入引起的敏感性降低,染料和乳剂层中的总固体含量的比值优选为0.01到10质量%,更优选为0.1到5质量%。
<银盐>
本发明使用的银盐可以是无机银盐(比如卤化银)或有机银盐(比如乙酸银)。在本发明中,优选卤化银,因为其具有优异的光敏性质。
下面将描述本发明优选使用的卤化银。
在本发明中,优选光敏性质优异的卤化银。本发明可利用用于照相银盐胶片、照相纸、印刷雕刻膜、用于光掩模的乳液掩模等的卤化银技术。
卤化银可含有氯、溴、碘、或氟的卤素元素,并可含有所述元素的组合。例如,所述卤化银优选含有AgCl、AgBr、或AgI,更优选含有AgBr或AgCl作为主要成分。所述卤化银可含有氯溴化银、碘氯溴化银、或碘溴化银。所述卤化银更优选为氯溴化银、溴化银、碘氯溴化银、或碘溴化银,最优选为氯化银含量为50mol%或更大的氯溴化银或碘氯溴化银。
所述卤化银处于固体颗粒状态。考虑到曝光和显影后形成的图案状金属银层的图像质量,以球形当量直径计,卤化银颗粒的平均粒径优选为0.1到1000nm(1μm),更优选为0.1到100nm,进一步优选为1到50nm。卤化银颗粒的球形当量直径表示与卤化银颗粒具有相同体积的球形颗粒的直径。
在本发明中用作乳剂层的涂布液的卤化银乳化液可通过在P.Glafkides,″Chimie et Physique Photographique″,Paul Montel,1967,G.F.Dufin,″Photographic Emulsion Chemistry″,The Forcal Press,1966,V.L.Zelikman等人,″Making and Coating Photographic Emulsion″,The Forcal Press,1964等中描述的方法制备。
<粘合剂>
可在所述乳剂层中使用粘合剂以均匀地分散银盐颗粒,并帮助乳剂层附着于支持体。在本发明中,尽管粘合剂可含有非水溶性聚合物和水溶性聚合物,优选地,粘合剂具有高含量的水溶性组分,该水溶性组分可通过如下所述的浸入热水或与水蒸气接触而除去。
粘合剂的实例包括明胶、卡拉胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、多糖(比如淀粉)、纤维素及其衍生物、聚环氧乙烷、多糖、聚乙烯胺、壳聚糖、聚赖氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明质酸、和羧基纤维素。粘合剂因官能团的电离性显示中性、阴离子、或阳离子性。
粘合剂优选包含明胶。明胶可以是石灰处理的明胶或酸处理的明胶,可以是水解的明胶、酶解的明胶,或通过氨基或羧基改性的明胶(比如邻苯二甲酸酯化的明胶或乙酰化的明胶)。用于制备银盐的明胶优选为将氨基的正电荷转换成无电荷或负电荷状态。进一步优选另外使用邻苯二甲酸酯化的明胶。
乳剂层中的粘合剂的量没有特别限制,可适当选择以获得足够的分散性和附着性。乳剂层中的银/粘合剂体积比优选为1/2或更大,更优选为1/1或更大。
<溶剂>
用于形成乳剂层的溶剂没有特别限制,其实例包括水、有机溶剂(例如醇比如甲醇、酮比如丙酮、酰胺比如甲酰胺、亚砜比如二甲亚砜、酯比如乙酸乙酯、醚)、离子液体、和它们的混合物。在本发明中,乳剂层中的溶剂与银盐、粘合剂等的总体的质量比为30到90质量%,优选为50到80质量%。
[非光敏中间层]
非光敏中间层可含有明胶或明胶与SBR的组合。此外,该层可含有添加剂,比如交联剂或表面活性剂。
[其它层]
可在乳剂层上形成保护层。本发明中使用的保护层包含粘合剂(比如明胶或大分子),在光敏乳剂层上形成以改进防刮擦性或机械性能。保护层的厚度优选为0.3μm或更小。涂布或形成保护层的方法没有特别限制,可适当地选自已知的涂布方法。
<导电膜制备方法>
下面将描述使用上述光敏材料制备导电膜的方法。
在本发明的导电膜制备方法中,首先曝光和显影包含支持体和其上的含银盐乳剂层的光敏材料。然后,对显影形成的金属银部分进行平滑处理,比如砑光处理。在金属银部分的形成中,除金属银部分外可形成透光部分或绝缘部分,或者可通过整个表面曝光在整个膜表面上形成金属银部分。在通过本发明方法制备的导电膜中,可通过图案曝光在支持体上形成金属部分。在图案曝光中,可使用扫描曝光方法或表面曝光方法。金属银部分可在曝光区域或未曝光区域中形成。
图案形状细节可根据预期的用途适当选择。例如,为了制备电磁防护膜,图案可以是筛孔图案,或为了制备印刷电路板,图案可以是线状图案。
本发明的导电膜制备方法包括下面三个光敏材料和显影处理不同的实施方案。
(1)包括对不含物理显影核的光敏黑白卤化银材料进行化学或热显影,以在光敏材料上形成金属银部分的实施方案。
(2)包括对具有含物理显影核的卤化银乳剂层的光敏黑白卤化银材料进行溶液物理显影,以在所述材料上形成金属银部分的实施方案。
(3)包括对不含物理显影核的光敏黑白卤化银材料和具有含物理显影核的非光敏层的图像接收片的层叠体进行扩散转移显影,以在所述非光敏片上形成金属银部分的实施方案。
在所述实施方案中可使用负型显影(negative development)处理或反转显影处理。在扩散转移显影中,可使用直接正像(auto-positive)光敏材料进行负型显影处理。
所述化学显影、热显影、溶液物理显影、和扩散转移显影具有本领域通常已知的含义,并在普通摄影化学课本中有说明,比如Shin-ichi Kikuchi,″Shashin Kagaku(Photographic Chemistry)″,Kyoritsu Shuppan Co.,Ltd.和C.E.K.Mees,″The Theory of Photographic Process,4th ed.″。
[曝光]
在本发明的制备方法中,将在支持体上形成的含银盐层曝光。该层可使用电磁波曝光。例如,可使用光(比如可见光或紫外光)或辐射线(比如X射线)以产生电磁波。曝光可使用具有波长分布或特定波长的光源进行。辐射光可以筛孔图案施加以制备电磁防护膜,或以线状图案施加以制备印刷电路板。
[显影处理]
在本发明的制备方法中,在曝光后对含银盐层进行显影处理。本发明中可使用用于摄影银盐胶片、照相纸、印刷雕刻膜、用于光掩模的乳胶掩模等的普通显影处理技术。用于显影处理的显影剂没有特别限制,可以是PQ显影剂、MQ显影剂、MAA显影剂等。本发明可使用的市售显影剂的实例包括可从FUJIFILM Corporation获得的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、和PAPITOL;可从Eastman Kodak Company获得的C-41、E-6、RA-4、Dsd-19、和D-72;和它们的套装(kit)中含有的显影剂。所述显影剂可以是高反差显影剂(lith developer),比如可从Eastman Kodak Company获得的D85。
在本发明的制备方法中,通过曝光和显影处理,在曝光区域形成金属银部分,并在未曝光区域形成下面描述的透光部分。如果必要,可通过在显影处理后水洗样品以除去粘合剂而增大膜的导电性。在本发明中,显影、定影、和水洗优选在25℃或更低温度下进行。
在本发明的制备方法中,显影过程可含有定影处理,用于除去未曝光区域中的银盐以稳定材料。本发明可使用用于摄影银盐胶片、照相纸、印刷雕刻膜、用于光掩模的乳胶掩模等的普通定影处理技术。
用于显影处理的显影剂可含有用于改进图像质量的图像质量改进剂。图像质量改进剂的实例包括含氮杂环化合物比如苯并三唑。特别地,优选使用聚乙二醇用于高反差显影液。
显影后曝光区域中含有的金属银与曝光前该区域中含有的银的质量比优选为50质量%或更大,更优选为80质量%或更大。当质量比为50质量%或更大时,可容易地实现高导电性。
显影处理后,曝光区域中的金属银部分含有银和非导电性大分子,银/非导电性大分子的体积比优选为2/1或更大,更优选为3/1或更大。
在本发明中,通过显影获得的色调(tone)(渐变)优选为大于4.0,但并无特别限制。当显影后的色调超过4.0,导电的金属部分的导电性可以增大,同时保持透光部分的高透光性。例如,通过掺杂铑或铱离子可实现4.0或更大的色调。
[氧化处理]
在本发明的制备方法中,优选对通过显影形成的金属银部分进行氧化处理。例如,通过氧化处理可除去透光部分上沉积的少量金属,使得透光部分的透光率可增至约100%。
例如,氧化处理可通过已知方法使用氧化剂比如Fe(III)离子进行。氧化处理可在含银盐层的曝光和显影处理后进行。
在本发明中,可在曝光和显影处理后用含Pd溶液处理金属银部分。Pd可以为二价钯离子或金属钯的状态。由于该处理,可防止金属银部分的黑色随时间变化。
在本发明的制备方法中,通过曝光和显影处理直接在支持体上形成具有特定的线宽度、开口率、和银含量的筛孔金属银部分,从而可显示令人满意的表面电阻率。因此,不必对金属银部分进行进一步的物理显影和/或电镀以增大导电性。因此,在本发明中,透光导电膜可通过简单的过程制备。
如上所述,根据本发明的透光导电膜可用于车辆的除霜器(除霜装置)、窗玻璃等、用于在电流下发热的加热片、触摸屏的电极、无机EL装置、有机EL装置、或太阳能电池、或印刷电路板。
[还原处理]
通过在显影处理后将光敏材料浸入含水的还原性溶液中可获得具有高导电性的所需的膜。所述含水的还原性溶液可以是亚硫酸钠、氢醌、对苯二胺、草酸等的水溶液。水溶液的pH优选为10或更大。
[平滑处理]
在本发明的制备方法中,在显影后对金属银部分(整个表面金属银部分、图案化的金属筛孔部分、或图案化的金属线状部分)进行平滑处理。通过该平滑处理可显著增大金属银部分的导电性。当适当设计金属银部分和透光部分的区域时,得到的导电膜的电导性可以适合用作具有高电磁防护性、高透光能力、和黑色筛孔部分的透光电磁防护膜,用作多种电子装置的透明电极,或用作透明平面加热元件等。
平滑处理可使用砑光辊单元进行。砑光辊单元通常具有一对辊。使用砑光辊单元的平滑处理下称砑光处理。
砑光处理使用的辊可以是金属辊或树脂辊(比如环氧化物、聚酰亚胺、聚酰胺、或聚酰亚胺-酰胺树脂辊)。特别地,在光敏材料仅在一侧具有乳剂层的情形下,优选在下列条件下进行砑光处理以防止起皱。
(1)支持体在导电膜前体中的厚度为95μm或更大,在其上通过对具有长支持体和其上的含银盐乳剂层的光敏材料进行曝光和显影处理,优选进一步进行定影处理,而形成金属银部分。
(2)在砑光处理中,通过彼此相对的第一砑光辊和第二砑光辊辊压导电膜前体。
(3)第一砑光辊是树脂辊,并与支持体接触。
(4)满足下列不等式
1/2≤P1/P2≤1
其中P1表示将导电膜前体引入进行砑光处理步骤的区域时施加的传送力,P2表示将砑光处理后的导电膜从进行砑光处理步骤的区域排出时施加的传送力。
当通过按此方式使用砑光辊进行平滑处理制备使用具有含银盐乳剂层的光敏材料的导电膜(特别是使用厚度为95μm或更大的长支持体的导电膜)时,在平滑处理中可防止因起皱引起的变形缺陷,以提高膜的品质和产率。另外,即使在导电膜的长度为2m或更大的情形,也可防止因起皱引起的变形缺陷。
砑光处理进一步优选在下列条件的至少一种下进行:
(a)第二砑光辊是金属辊,并与导电膜前体的金属银部分接触。
(b)金属辊具有镜面抛光表面。
(c)金属辊具有压花表面。
(d)以最大高度Rmax计,压花金属辊的表面粗糙度为0.05到0.8s
(e)光敏材料的乳剂层的银/粘合剂体积比为1/1或更大。
(f)导电膜前体的砑光处理在200kgf/cm(1960N/cm)或更大,优选为200到600kgf/cm(1960到5880N/cm),更优选为300到600kgf/cm(2940到5880N/cm)的负荷(线压力)下进行。
(g)砑光处理在以10到50m/分钟的传送速率传送导电膜前体时进行。
(h)满足下面不等式
0.58≤R2/R1≤0.77
其中R1表示导电膜前体的表面电阻,R2表示导电膜的表面电阻。
进行砑光处理的温度优选为10℃(没有温度控制)到100℃。尽管优选的温度范围根据筛孔或线状金属图案的密度和形状、粘合剂的种类等而不同,通常,该温度更优选为10℃(没有温度控制)到50℃。
如上所述,通过本发明的制备方法可容易地以低成本制备表面电阻小于1.9(Ω/sq)的高导电膜。
因此,在本发明的导电膜制备方法中,通过曝光和显影具有支持体和其上形成的含银盐层的光敏材料,以形成含有0.1到10g/m2银的金属银部分,可获得表面电阻小于1.9的导电膜,而不在金属银部分上形成其它导电层。
[浸入热水中或与水蒸气接触的处理]
在本发明的制备方法中,在支持体上形成导电金属部分后,可将产物浸入热水(或温度较高的加热的水)中或与水蒸气接触。通过该处理,可在短时间内容易地改进导电性和透明性。认为部分除去了水溶性粘合剂,由此金属(导电物)之间的粘合增强。该处理理想地在平滑处理后进行,但也可在显影处理后进行。
支持体浸入的热水(或温度较高的加热的水)的温度优选为60℃到100℃,更优选为80℃到100℃。支持体与之接触的水蒸汽在1atm的温度优选为100℃到140℃。浸入热水(或温度较高的加热的水)中或与水蒸气接触的处理时间取决于使用的水溶性粘合剂的种类。当支持体的尺寸为60cm×1m时,处理时间优选为约10秒钟到5分钟,更优选为约1到5分钟。
[电镀处理]
在本发明中,对金属银部分进行平滑处理,也可进行电镀处理。通过电镀处理,可进一步减小表面电阻,并可进一步增大导电性。平滑处理可在电镀处理之前或之后进行。当在电镀处理前进行平滑处理时,电镀处理可以更有效地进行,以形成均匀的电镀层。电镀处理可以是电解电镀处理或无电镀处理。用于电镀层的材料优选为具有足够的导电性的金属比如铜。
本发明可适当地和表1和2显示的下列公开文献中描述的技术组合。“日本特开”,“公开号”,“小册子编号”等从略。
表1
  2004-2215642007-2351152006-3324592007-1022002006-2284782006-3483512007-1344392007-3100912005-3025082008-2678142008-2830292009-42132008-1475072008-2180962008-241987   2004-2215652007-2079872009-211532006-2284732006-2288362007-2703212007-1497602007-1161372008-2187842008-2704052008-2883052009-100012008-1597702008-2182642008-251274   2007-2009222006-0129352007-2262152006-2697952007-0093262007-2703222007-2081332007-0882192008-2273502008-2776752008-2884192009-165262008-1597712008-2249162008-251275   2006-3520732006-0107952006-2613152006-2697952006-3360902007-2013782007-1789152007-2078832008-2273512008-2776762008-3007202009-213342008-1715682008-2352242008-252046   2007-1292052006-2284692007-0721712006-3242032006-3360992007-3357292007-3343252007-0131302008-2440672008-2828402008-3007212009-269332008-1983882008-2354672008-277428
表2
  2006/0014612006/098335   2006/0880592006/098334   2006/0983332007/001008   2006/098336   2006/098338
[实施例]
下面将参考实施例更具体地描述本发明。在不脱离本发明范围的情况下,实施例中使用的材料、量、比值、处理内容、处理过程等可以适当变化。因此,应在各个方面认为下列具体实施例是说明性的而非限制性的。
[第一实施例]
<实施例1到6和比较实施例1到7>
[乳化液的制备]
液体1
水                                                750ml
邻苯二甲酸酯化明胶                                20g
氯化钠                                            3g
1,3-二甲基咪唑啉-2-硫酮                          20mg
苯硫代硫酸钠                                      10mg
柠檬酸                                            0.7g
液体2
水                                                300ml
硝酸银                                            150g
液体3
水                                                300ml
氯化钠                                            38g
溴化钾                                            32g
六氯铱酸(III)钾(0.005%KCl,20%水溶液)           5ml
六氯铑酸铵(0.001%NaCl,20%水溶液)               7ml
液体3中的六氯铱酸(III)钾(0.005%KCl,20%水溶液)和六氯铑酸铵(0.001%NaCl,20%水溶液)通过将复合粉末溶于KCl或NaCl的20%水溶液中,并通过分别在40℃加热得到的溶液120分钟制备。
将液体1保持在38℃和pH 4.5,并在搅拌下以总量的90%的量将液体2和3同时加入液体1中20分钟以上,以形成0.16μm核颗粒。然后,将下述液体4和5加入其中8分钟以上,将液体2和3剩余的10%加入其中2分钟以上,使得核颗粒长大至0.21μm。此外,加入0.15g碘化钾,将得到的混合物熟化5分钟,从而完成颗粒的形成。
液体4
水                                                100ml
硝酸银                                            50g
液体5
水                                                100ml
氯化钠                                            13g
溴化钾                                            11g
黄血盐                                            5mg
通过普通的絮凝法水洗所述颗粒。具体地,将温度降至35℃,通过硫酸降低pH直到卤化银沉淀(在3.6±0.2的pH范围内),并除去约3L的上层清液(第一水洗)。然后,将3L蒸馏水加入其中,加入硫酸直到卤化银沉淀,再次除去3L的上层清液(第二水洗)。再次重复第二水洗的过程(第三水洗),由此完成水洗和去矿化过程。水洗和去矿化过程后,将获得的乳化液控制在pH 6.4和pAg 7.5。将100mg稳定剂1,3,3a,7-四氮茚和100mg防腐剂PROXEL(商品名,可从ICI Co.,Ltd.购得)加入其中,以获得立方碘氯溴化银颗粒的最终乳化液,所述颗粒含有70mol%的氯化银和0.08mol%的碘化银,且平均颗粒直径为0.22μm,变化系数为9%。最终的乳化液的pH为6.4,pAg为7.5,导电率为4000μS/cm,密度为1.4×103kg/m3,粘度为20mPa·s。
[涂布样品的制备]
将8.0×10-4mol/mol Ag的下列化合物(Cpd-1)和1.2×10-4mol/mol Ag的1,3,3a,7-四氮茚加入所述乳化液,很好地混合得到的产物。然后,如果必要,将下列化合物(Cpd-2)加入所述混合物以控制溶胀率,并使用柠檬酸将涂布液的pH控制为5.6。
Figure GSA00000010600100151
在100μm厚的聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)上形成底涂层,以5g/m2的Ag密度和0.4g/m2的明胶密度将从上述乳化液制备的乳剂层涂布液涂布于所述底涂层。干燥得到的产物以获得涂布样品。
在获得的涂布样品中,乳剂层的银/粘合剂体积比(银/凝胶比值(体积))为1/1。因此,乳剂层满足1/1或更大的银/粘合剂体积比条件,优选用于形成根据本发明的导电膜的光敏材料。
[曝光和显影]
将干燥的涂层暴露于来自高压汞灯光源,通过具有网格图案空间(线/空间=195μm/5μm(间距200μm))的光掩模的平行光。光掩模可形成图案状显影的银图像(线/空间=5μm/195μm)。然后,对涂层进行包括显影、定影、水洗和干燥的处理。
(显影剂组成)
1L含有下列化合物的显影剂。
氢醌                                                15g/L
亚硫酸钠                                            30g/L
碳酸钾                                              40g/L
乙二胺四乙酸盐                                      2g/L
溴化钾                                              3g/L
聚乙二醇2000                                        1g/L
氢氧化钾                                            4g/L
pH                                                  控制为10.5
(定影剂组成)
1L含有下列化合物的定影剂。
硫代硫酸铵(75%)                                    300ml
亚硫酸铵一水合物                                    25g/L
1,3-二氨基丙烷四乙酸盐                             8g/L
乙酸                                                5g/L
氨水(27%)                                          1g/L
碘化钾                                              2g/L
pH                                                  控制为6.2
[还原处理]
将上述显影后的样品浸入保持于40℃的10重量%的含水亚硫酸钠溶液中10分钟。
[砑光处理]
在表3显示的下列条件下对上述显影后的样品(导电膜前体)进行砑光处理。
表3
辊的组成   底涂层   支持体厚度(μm)   引入传送力P1(kg/宽度)   排出传送力P2(kg/宽度)   负荷(kgf/cm)   传送速率(m/分钟) 起皱
  实施例1   金属-树脂   形成   100   20   20   200   10   不引起
  实施例2   金属-树脂   形成   100   20   20   400   10   不引起
  实施例3   金属-树脂   形成   100   15   20   400   10   不引起
  实施例4   金属-树脂   形成   100   10   20   400   10   不引起
  实施例5   金属-树脂   形成   100   10   20   400   50   不引起
  实施例6   金属-树脂   形成   100   20   20   400   50   不引起
  比较实施例1   金属-金属   形成   100   40   20   300   10   引起
  比较实施例2   金属-金属   形成   100   45   20   300   10   引起
  比较实施例3   金属-金属   形成   100   45   20   200   10   引起
  比较实施例4   金属-金属   形成   100   45   20   200   50   引起
  比较实施例5   金属-金属   形成   100   40   20   400   50   引起
  比较实施例6   金属-金属   形成   100   30   20   400   50   引起
辊的组成   底涂层   支持体厚度(μm)   引入传送力P1(kg/宽度)   排出传送力P2(kg/宽度)   负荷(kgf/cm)   传送速率(m/分钟) 起皱
  比较实施例7   金属-金属   形成   100   20   20   400   50   引起
(实施例1)
将金属辊(其具有镀有硬铬的铁芯,镜面抛光表面,辊直径为250mm)用作和金属银部分接触的砑光辊,并将树脂辊(其具有涂有环氧树脂的铁芯,辊直径为250mm)用作和支持体接触的砑光辊。样品在金属辊和树脂辊之间转移,从而在200kgf/cm(1960N/cm)的负荷下砑光处理样品,以获得实施例1的导电膜。在该过程中,引入传送力P1(将样品引入进行砑光处理步骤的区域时施加的传送力)为20(kg/宽度),排出传送力P2(将样品从进行砑光处理步骤的区域排出时施加的传送力)为20(kg/宽度),从而P1/P2为1。样品以10m/分钟的传送速率转移。
(实施例2)
按照和实施例1相同的方式制备实施例2的导电膜,区别在于砑光处理在400kgf/cm(3920N/cm)的负荷下进行。
(实施例3)
按照和实施例1相同的方式制备实施例3的导电膜,区别在于砑光处理在15(kg/宽度)的引入传送力P1和400kgf/cm(3920N/cm)的负荷下进行。
(实施例4)
按照和实施例1相同的方式制备实施例4的导电膜,区别在于砑光处理在10(kg/宽度)的引入传送力P1和400kgf/cm(3920N/cm)的负荷下进行。
(实施例5)
按照和实施例1相同的方式制备实施例5的导电膜,区别在于砑光处理在10(kg/宽度)的引入传送力P1,400kgf/cm(3920N/cm)的负荷,和50m/分钟的传送速率下进行。
(实施例6)
按照和实施例1相同的方式制备实施例6的导电膜,区别在于砑光处理在400kgf/cm(3920N/cm)的负荷和50m/分钟的传送速率下进行。
(比较实施例1)
将一对金属辊(其具有镀有硬铬的铁芯,镜面抛光表面,且辊直径为250mm)用作砑光辊。样品在所述金属辊之间转移,从而在300kgf/cm(2940N/cm)的负荷下砑光处理样品,以获得比较实施例1的导电膜。在该过程中,引入传送力P1为40(kg/宽度),排出传送力P2为20(kg/宽度),从而P1/P2为2。样品以10m/分钟的传送速率转移。
(比较实施例2)
按照和比较实施例1相同的方式制备比较实施例2的导电膜,区别在于砑光处理在45(kg/宽度)的引入传送力P1下进行。
(比较实施例3)
按照和比较实施例1相同的方式制备比较实施例3的导电膜,区别在于砑光处理在45(kg/宽度)的引入传送力P1和200kgf/cm(1960N/cm)的负荷下进行。
(比较实施例4)
按照和比较实施例1相同的方式制备比较实施例4的导电膜,区别在于砑光处理在45(kg/宽度)的引入传送力P1,200kgf/cm(1960N/cm)的负荷,和50m/分钟的传送速率下进行。
(比较实施例5)
按照和比较实施例1相同的方式制备比较实施例5的导电膜,区别在于砑光处理在400kgf/cm(3920N/cm)的负荷和50m/分钟的传送速率下进行。
(比较实施例6)
按照和比较实施例1相同的方式制备比较实施例6的导电膜,区别在于砑光处理在30(kg/宽度)的引入传送力P1,400kgf/cm(3920N/cm)的负荷,和50m/分钟的传送速率下进行。
(比较实施例7)
按照和比较实施例1相同的方式制备比较实施例7的导电膜,区别在于砑光处理在20(kg/宽度)的引入传送力P1,400kgf/cm(3920N/cm)的负荷,和50m/分钟的传送速率下进行。
[评价]
视觉观察并评价实施例1到6和比较实施例1到7的砑光处理后的膜中的起皱的发生。评价结果示于表3中。如表3所示,在实施例1到6中,金属辊朝向金属银部分,树脂辊朝向支持体,引入传送力P1和排出传送力P2的比值(P1/P2)满足1/2≤P1/P2≤1的条件,从而未发现起皱。相反,在比较实施例1到7中,每一样品使用一对金属辊作砑光处理,引入传送力P1和排出传送力P2的比值(P1/P2)不满足1/2≤P1/P2≤1的条件,从而观察到起皱。
[第二实施例]
实施例11到15中使用镜面抛光的金属辊,实施例16到20中使用压花的金属辊,在多种负荷下测量表面电阻减小率以评价金属辊之间的差异。乳化液制备,涂布样品制备,曝光和显影处理,以及还原处理按照和实施例1相同的方式进行。
[表面电阻的测量]
在砑光处理前(定影后)和砑光处理后测量根据实施例11到20的每一样品的表面电阻。利用在线四探针法(ASP)通过Dia Instruments Co.,Ltd.制造的LORESTA GP(型号MCP-T610)测量在各样品中任意选择的10个区域的表面电阻,测量值的平均值用于表面电阻评价。实施例11到20的测量结果详细示于表4中。
表4
Figure GSA00000010600100201
按照和实施例1相同的方式制备砑光处理的导电膜,区别在于支持体的厚度为90、120、或150μm。此外,导电膜没有起皱。通常,当支持体的厚度大时,容易引起起皱。在本发明中,通过控制传送力可以防止起皱。
(实施例11)
将金属辊(其具有镀有硬铬的铁芯,镜面抛光表面,辊直径为250mm)用作和金属银部分接触的砑光辊,并将树脂辊(其具有涂有环氧树脂的铁芯,辊直径为250mm)用作和支持体接触的砑光辊。样品在金属辊和树脂辊之间转移,从而在200kgf/cm(1960N/cm)的负荷下砑光处理样品,以获得实施例11的导电膜。在该过程中,引入传送力P1为20(kg/宽度),排出传送力P2为20(kg/宽度),从而P1/P2为1。样品以10m/分钟的传送速率转移。样品在砑光处理前(定影后)的表面电阻为1.845(Ω/sq),在砑光处理后的表面电阻为1.246(Ω/sq),从而减小率为1.246/1.845=0.68(即减小了32%)。
(实施例12)
按照和实施例11相同的方式制备实施例12的导电膜,区别在于砑光处理在300kgf/cm(2940N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为0.862/1.41=0.61(即减小了39%)。
(实施例13)
按照和实施例11相同的方式制备实施例13的导电膜,区别在于砑光处理在400kgf/cm(3920N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为0.914/1.533=0.60(即减小了40%)。
(实施例14)
按照和实施例11相同的方式制备实施例14的导电膜,区别在于砑光处理在500kgf/cm(4900N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为1.14/1.8=0.63(即减小了37%)。
(实施例15)
按照和实施例11相同的方式制备实施例15的导电膜,区别在于砑光处理在600kgf/cm(5880N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为1.025/1.771=0.58(即减小了42%)。
(实施例16)
按照和实施例11相同的方式制备实施例16的导电膜,区别在于将金属辊(其具有镀有硬铬的铁芯,压花表面,表面粗糙度Rmax为0.05到0.8s,辊直径为250mm)用作和金属银部分接触的砑光辊,将树脂辊(其具有涂有环氧树脂的铁芯,辊直径为250mm)用作和支持体接触的砑光辊。在此情况下,减小率为1.336/1.74=0.77(即减小了23%)。
(实施例17)
按照和实施例16相同的方式制备实施例17的导电膜,区别在于砑光处理在300kgf/cm(2940N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为1.162/1.716=0.68(即减小了32%)。
(实施例18)
按照和实施例16相同的方式制备实施例18的导电膜,区别在于砑光处理在400kgf/cm(3920N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为1.266/1.642=0.77(即减小了23%)。
(实施例19)
按照和实施例16相同的方式制备实施例19的导电膜,区别在于砑光处理在500kgf/cm(4900N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为1.192/1.804=0.66(即减小了34%)。
(实施例20)
按照和实施例16相同的方式制备实施例20的导电膜,区别在于砑光处理在600kgf/cm(5880N/cm)的负荷下进行。在此情况下,减小率为1.212/1.743=0.70(即减小了30%)。
[评价]
如表4所示,实施例11到20满足0.58≤R2/R1≤0.77(其中R1表示导电膜前体的表面电阻,R2表示导电膜的表面电阻),因此在这些情况中表面电阻有效降低。使用压花金属辊的实施例16到20的膜的减小率低于使用镜面抛光金属辊的实施例11到15的膜的减小率。这归因于每一样品未被粗糙的压花表面和树脂表面的组合均匀地压制,且金属银部分的银密度未能增大的事实。
[第三实施例]
关于用于转移制备的乳化液的液体传送装置,在对照实施例1到6中使用柱塞泵,在实施例21到实施例26中使用隔膜泵。使用显微镜视觉计算每个膜的单位面积产生的黑点(黑胡椒点)数[数量/mm2]。结果示于表5中。
表5
  银/粘合剂体积比   液体传送装置   黑点数(每1mm2)
  实施例21   0.25/1   隔膜泵   0
  实施例22   0.5/1   隔膜泵   0
  实施例23   1/1   隔膜泵   0
  实施例24   1.5/1   隔膜泵   0
  实施例25   2/1   隔膜泵   0
  实施例26   4/1   隔膜泵   0
  对照实施例1   0.25/1   柱塞泵   0
  对照实施例2   0.5/1   柱塞泵   0
  对照实施例3   1/1   柱塞泵   5
  对照实施例4   1.5/1   柱塞泵   12
  银/粘合剂体积比   液体传送装置   黑点数(每1mm2)
  对照实施例5   2/1   柱塞泵   20
  对照实施例6   4/1   柱塞泵   100
(对照实施例1和实施例21)
按照和实施例1相同的方式制备每一导电膜,区别在于乳化液的银/粘合剂的体积比为0.25/1。
(对照实施例2和实施例22)
按照和实施例1相同的方式制备每一导电膜,区别在于乳化液的银/粘合剂的体积比为0.5/1。
(对照实施例3和实施例23)
按照和实施例1相同的方式制备每一导电膜,乳化液的银/粘合剂的体积比为1/1。
(对照实施例4和实施例24)
按照和实施例1相同的方式制备每一导电膜,区别在于乳化液的银/粘合剂的体积比为1.5/1。
(对照实施例5和实施例25)
按照和实施例1相同的方式制备每一导电膜,区别在于乳化液的银/粘合剂的体积比为2/1。
(对照实施例6和实施例26)
按照和实施例1相同的方式制备每一导电膜,区别在于乳化液的银/粘合剂的体积比为4/1。
[评价]
如表5所示,在使用柱塞泵的对照实施例1到6中,在使用银/粘合剂的体积比为1/1或更大的乳化液的对照实施例3到6中产生黑点。特别地,随着乳化液的银/粘合剂的体积比增大,黑点数以指数的方式增大。
相反,在使用隔膜泵的实施例21到26中,在测量范围(即银/粘合剂体积比范围为0.25/1到4/1)内不产生黑点。
从所述结果清楚可见,优选隔膜泵用于转移具有高银含量(比如银/粘合剂的体积比为1.5/1到4/1)的乳化液。
应当理解,本发明的导电膜制备方法不限于上述实施方案,在不脱离本发明范围的情况下,可在其中作多种变化和修改。

Claims (11)

1.制备导电膜的方法,其包括:
金属银形成步骤,曝光和显影包含长支持体和其上的含有银盐的乳剂层的光敏材料,从而形成金属银部分以制备导电膜前体,和
平滑处理步骤,对所述导电膜前体进行平滑处理以制备导电膜,其中,
所述支持体的厚度为95μm或更大,
在所述平滑处理中通过彼此相对的第一砑光辊和第二砑光辊辊压所述导电膜前体,
所述第一砑光辊是树脂辊并与所述支持体接触,
所述方法满足1/2≤P1/P2≤1的条件,
其中P1表示将所述导电膜前体引入进行平滑处理步骤的区域时施加的传送力,P2表示将平滑处理后的导电膜从进行平滑处理步骤的区域排出时施加的传送力。
2.根据权利要求1的方法,其中所述方法满足下面条件:
0.58≤R2/R1≤0.77,
其中R1表示所述导电膜前体的表面电阻,R2表示所述导电膜的表面电阻。
3.根据权利要求1的方法,其中所述支持体的厚度为95μm或更大且150μm或更小。
4.根据权利要求1的方法,其中所述光敏材料的厚度为100μm或更大且200μm或更小。
5.根据权利要求1的方法,其中所述导电膜的长度为2m或更大。
6.根据权利要求1的方法,其中所述第二砑光辊是金属辊,并与所述金属银部分接触。
7.根据权利要求6的方法,其中所述金属辊具有压花表面。
8.根据权利要求6的方法,其中以最大高度Rmax计,所述金属辊的表面粗糙度为0.05到0.8s。
9.根据权利要求1的方法,其中所述乳剂层的银/粘合剂体积比为1/1或更大。
10.根据权利要求1的方法,其中在对所述导电膜前体施加200到600kgf/cm(1960到5880N/cm)的负荷(线压力)时进行所述平滑处理。
11.根据权利要求1的方法,其中在以10到50m/分钟的传送速率传送所述导电膜前体时进行所述平滑处理。
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