CN101783359B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N bis(4-fluorophenyl)-methyl-(1,2,4-triazol-1-ylmethyl)silane;methyl n-(1h-benzimidazol-2-yl)carbamate Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1.C=1C=C(F)C=CC=1[Si](C=1C=CC(F)=CC=1)(C)CN1C=NC=N1 VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 claims 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 199
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- IIDFEIDMIKSJSV-UHFFFAOYSA-N dipropoxyphosphinothioyloxy-dipropoxy-sulfanylidene-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCOP(=S)(OCCC)OP(=S)(OCCC)OCCC IIDFEIDMIKSJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical compound C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- -1 pottery Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012260 resinous material Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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Abstract
本发明提供了一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：基底；薄膜晶体管，在所述基底上并包括栅电极、源电极和漏电极；平坦化层，在所述薄膜晶体管上并具有暴露所述漏电极或所述源电极的一部分的接触孔；像素电极，在所述平坦化层上并通过所述接触孔结合到所述漏电极或所述源电极；有色的像素限定层，在所述平坦化层上并包括暴露所述像素电极的至少一部分的开口；有色层，在所述像素电极和所述像素限定层上并具有与所述像素限定层的彩色不同的彩色。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地说，本发明涉及一种具有改善的可视性的OLED。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器包括多个OLED，每个OLED具有空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。OLED使用电子和空穴在有机发射层中结合所产生的激子从激发态下降至基态产生的能量来发光。OLED显示器使用OLED发射的光来形成图像。
因此，OLED显示器具有自发光特性，与液晶显示器不同，OLED显示器不需要单独的光源。因此，OLED显示器可以具有减小的厚度和重量。另外，因为OLED显示器具有诸如低功耗、高亮度和快速的响应时间之类的特点，所以OLED显示器作为可行的可替换显示装置而受到关注。
通常，OLED显示器的电极和金属线反射从外面进入的光。在电极和金属线上的这种光反射导致黑色和对比度的显示劣化，由此导致显示特性劣化。
在该背景部分中公开的以上信息仅仅为了加深理解本发明的背景，因此，它可以包含不构成在本国对于本领域技术人员来说已经公知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种通过抑制或减少屏幕上的反射光而具有改善的可视性的OLED显示器。
在一个示例性实施例中，OLED显示器包括：基底；薄膜晶体管，在所述基底上并包括栅电极、源电极和漏电极；平坦化层，在所述薄膜晶体管上并具有暴露所述漏电极或所述源电极的一部分的接触孔；像素电极，在所述平坦化层上并通过所述接触孔结合到所述漏电极或所述源电极；有色的像素限定层，在所述平坦化层上并包括暴露所述像素电极的至少一部分的开口；有色层，在所述像素电极和所述像素限定层上并具有与所述像素限定层的彩色不同的彩色。
所述OLED显示器还可以包括位于所述像素电极上的有机发射层和位于所述有机发射层上的共电极，其中，所述有色层包括位于所述共电极上的覆盖层，用于保护所述有机发射层。
所述有色层可以包括位于所述基底上的密封构件，其中，所述像素电极和所述像素限定层在所述密封构件和所述基底之间。
所述OLED显示器还可以包括：有机发射层，在所述像素电极上；共电极，在所述有机发射层上；密封构件，在所述基底上，其中，所述共电极在所述基底和所述密封构件之间，其中，所述有色层包括位于所述密封构件和所述共电极之间的填充层。
所述OLED显示器还可以包括位于所述基底上的密封构件，其中，所述像素电极和所述像素限定层在所述密封构件和所述基底之间，其中，所述有色层包括位于所述密封构件上的覆盖窗。
所述像素限定层的颜色与所述有色层的颜色的混合可以降低穿过所述像素限定层和所述有色层的光的亮度。
基于减色混合，所述像素限定层的颜色可以与所述有色层的颜色呈互补关系。
所述OLED显示器还可以包括导电层，所述导电层的材料与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个电极的材料相同，其中，所述导电层位于与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个电极基本相同的平面上，并且所述导电层的形成工艺与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个电极的形成工艺基本相同，其中，所述导电层的至少一部分与所述像素限定层叠置。
因此，所述OLED显示器具有改善的显示品质。
附图说明
图1是根据本发明第一示例性实施例的OLED显示器的布局图。
图2是沿图1的II-II线截取的剖视图。
图3是根据本发明第二示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
图4是根据本发明第三示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
图5是根据本发明第四示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更加充分地描述本发明，在附图中，示出了本发明的示例性实施例。本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
为了清楚地示出层和区域，示例性地示出了层和区域的厚度和尺寸，因此本发明的实施例不限于此。
因此，附图和描述应当被视为实质上是示例性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基底之类的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在一个或多个中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
另外，在描述不同的示例性实施例时，相同的标号表示将仅在第一示例性实施例中详细描述的相同元件。因此，在其他示例性实施例中，将仅仅详细描述不同的元件。
此外，虽然在附图中示出了2Tr-1Cap结构的有源矩阵型的OLED显示器，在2Tr-1Cap结构中，一个像素具有两个薄膜晶体管和一个电容器，但本发明不限于此。因此，OLED显示器可以被形成为具有这样的像素，即，每个像素具有例如三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个电容器。另外，OLED显示器可以通过添加例如其他金属线以各种结构形成。
这里，像素是能够显示图像的最小单元，OLED显示器通常使用多个像素来显示图像。
在下文中，将参照图1和图2描述根据本发明第一示例性实施例的OLED显示器。
如图1和图2所示，本发明第一示例性实施例的OLED显示器100包括多个像素，每个像素具有开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20、电容器80和OLED 70。OLED显示器100还包括沿一个方向延伸的栅极线151以及沿另一方向延伸、与栅极线151交叉并与栅极线151绝缘的数据线171和共电源线172。这里，像素可以由相应的周围的栅极线151、数据线171和共电源线172来划分和限定。然而，像素不限于上述构造。
OLED 70包括像素电极710、形成在像素电极710上的有机发射层720和形成在有机发射层720上的共电极730。这里，像素电极710是作为空穴注入电极的阳极，共电极是作为电子注入电极的阴极。然而，本发明的第一示例性实施例不限于此构造。例如，根据OLED显示器100的驱动方法，像素电极710可以是阴极，共电极730可以是阳极。空穴和电子从各像素电极710和共电极730注入到有机发射层720中。当由电子和空穴在有机发射层中结合所产生的激子从激发态下降至基态时，实现发光。
电容器80包括第一电容器板158和第二电容器板178，在第一电容器板158和第二电容器板178之间设置有层间电介质160。
开关薄膜晶体管10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174。驱动薄膜晶体管20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。
开关薄膜晶体管10用作开关元件，并选择将发光的像素。开关栅电极152连接到栅极线151。开关源电极173连接到数据线171。开关漏电极174与开关源电极173隔开，并连接到第一电容器板158。
驱动薄膜晶体管20将驱动功率施加到像素电极710，从而在选择的像素中从OLED 70的有机发射层720发射光。驱动栅电极155连接到第一电容器板158。驱动源电极176和第二电容器板178连接到共电源线172。驱动漏电极177通过接触孔182连接到OLED 70的像素电极710。在一些实施例中，代替驱动漏电极177，驱动源电极176通过接触孔182连接到OLED 70的像素电极710。
利用上述结构，开关薄膜晶体管10由施加到栅极线151的栅极电压来驱动，以将施加到数据线171的数据电压传输到驱动薄膜晶体管20。与从共电源线172施加的共电压和从开关薄膜晶体管10传输的数据电压之间的差对应的电压存储在电容器80中。与存储在电容器80中的电压对应的电流经过驱动薄膜晶体管20流向OLED 70，因而OLED 70发光。
另外，如图2所示，OLED显示器100还包括像素限定层190和密封构件210。
像素限定层190设置有暴露像素电极710的开口。有机发射层720基本上设置在像素限定层190的开口中。即，一个像素的形成有像素限定层190的一部分基本上对应于没有形成有有机发射层720的一部分。因此，材料与栅电极152和155、源电极173和176以及漏电极174和177中的至少一者的材料相同的导电层的至少一些部分通过基本相同的工艺在基本同一平面上布置在像素限定层190下方。例如，导电层可以是栅极线151、数据线171、共电源线172、第一电容器板158、第二电容器板178中的一种和/或其他金属线中的一种。此外，像素限定层190被形成为具有颜色(例如，彩色)。
密封构件210结合到基底构件111，并与基底构件111一起进行密封，其中，像素限定层190设置在密封构件210和基底构件111之间。将由除了密封构件210之外的构成元件限定的结构称作显示基底110。密封构件210覆盖形成在基底构件111上的薄膜晶体管10和20以及OLED 70，并保护它们免受外部环境的影响。
由玻璃或塑料材料形成的电介质基底可以用作密封构件210。另外，密封构件210也被形成为具有颜色(例如，彩色)。密封构件210的彩色与像素限定层190的彩色不同。具体地讲，密封构件被形成为具有这样的彩色，即，当该彩色与像素限定层190的彩色混合时，能够降低亮度。也就是说，当像素限定层190的颜色和密封构件210的颜色重叠时，亮度降低。
在一个实施例中，像素限定层190被形成为具有通过减色混合按照与密封构件210的颜色成互补关系而设置的颜色。
也就是说，根据减色混合，密封构件210的颜色和像素限定层190的颜色是互补的颜色。
利用上述结构，OLED显示器100抑制或减少屏幕上的光反射，因此具有改善的可视性。
详细地讲，从外部进入并在设置于像素限定层190下方的导电层上反射的光在穿过像素限定层190和密封构件210的同时由于像素限定层190和密封构件210的颜色而在亮度方面有所降低。具体地讲，当密封构件210的颜色和像素限定层190的颜色通过减色混合而设置成互补关系时，混合的颜色可接近于黑色，因此，因为被反射的光会难以穿过像素限定区域190和密封构件210，所以可以有效地抑制或减少屏幕上的光反射。
例如，当像素限定层190具有基于黄色的颜色时，密封构件210可以具有基于蓝色的颜色，基于蓝色的颜色通过减色混合与像素限定层190的基于黄色的颜色呈互补关系。此时，像素限定层190用作黄色滤色器，因此只有被反射的黄光能够穿过像素限定层190。此外，因为当被反射的黄光穿过形成有基于蓝色的颜色的密封构件210时黄光的亮度显著降低，所以可以抑制或减少外部光在设置于像素限定层190下方的导电层上的反射。然而，本发明的第一示例性实施例不限于上述构造。即，像素限定层190和密封构件210可以被形成为具有能够彼此减色混合(subtractively mixed)的各种颜色。
在下文中，将参照图2更详细地描述根据本发明第一示例性实施例的OLED显示器100。图2示出了包括驱动薄膜晶体管20、OLED 70和电容器80的OLED显示器100。
将参照驱动薄膜晶体管20更详细地描述薄膜晶体管的结构。另外，将仅关于与驱动薄膜晶体管20的不同之处来描述开关薄膜晶体管10。
基底构件111是由玻璃、石英、陶瓷、塑料或类似材料形成的电介质基底。然而，本发明不限于此。例如，基底构件111可以是由不锈钢形成的金属基底。
缓冲层120形成在基底构件111上。缓冲层120用于防止杂质元素渗透，并使表面平坦化。缓冲层120可以由能够执行这些功能的各种材料形成。例如，缓冲层120可以由SiNx、SiO2和SiOxNy中的一种形成。在一些实施例中，没有缓冲层120。即，根据所使用的基底构件111的类型和/或工艺条件，可以省去缓冲层120。
驱动半导体层132形成在缓冲层120上。驱动半导体层132由多晶硅形成。另外，驱动半导体层132包括沟道区135、源区136和漏区137，沟道区135未掺杂有杂质，源区136和漏区137掺杂有p+离子，并分别形成在沟道区135的两侧。在源区136和漏区137中掺杂的离子材料是诸如硼(B)的P型杂质，例如B2H6。这里，杂质可以根据薄膜晶体管的类型而改变。
在本发明的第一示例性实施例中，将使用p型杂质的p沟道金属氧化物半导体(PMOS)作为驱动薄膜晶体管20。然而，本发明不限于此。即，可以使用n沟道金属氧化物半导体(NMOS)或互补的金属氧化物半导体(CMOS)作为驱动薄膜晶体管20。
另外，虽然在图2中示出的驱动薄膜晶体管20是具有多晶硅层的多晶薄膜晶体管，但在图2中未示出的开关薄膜晶体管10可以是例如具有非晶硅层的非晶薄膜晶体管或多晶薄膜晶体管。
例如，由SiNx或SiO2形成的栅极电介质140形成在驱动半导体层132上。包括驱动栅电极155的栅极金属线形成在栅极电介质140上。栅极金属线151(见图1)还包括第一电容器板158和其他金属线。此外，将驱动栅电极155形成为使其与驱动半导体层132的至少一部分(具体地讲，沟道区135)叠置。
覆盖驱动栅电极155的层间电介质160形成在栅极电介质140上。栅极电介质140和层间电介质160设置有暴露驱动半导体层132的源区136和漏区137的通孔。与栅极电介质140类似，层间电介质160可以由SiNx或SiO2形成。
包括驱动源电极176和驱动漏电极177的数据金属线形成在层间电介质160上。数据金属线还包括数据线171(见图1)、共电源线172和第二电容器板178。另外，驱动源电极176和驱动漏电极177通过各自的通孔分别连接到驱动半导体层132的源区136和漏区137。
如上所述，形成了包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177的驱动薄膜晶体管20。
驱动薄膜晶体管20不限于上述结构。即，对于本领域技术人员来说，可以基于各种公知的结构做出各种修改和改变。
覆盖数据金属线172、176、177和178的平坦化层180形成在层间电介质160上。平坦化层180用于消除台阶并使表面平坦化，由此提高OLED 70的发光效率。另外，平坦化层180设置有用于部分地暴露漏电极177的接触孔。
平坦化层180可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂(poly(phenylene ether)resin)、聚苯硫醚树脂(poly(phenylene sulfide)resin)和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种形成。
OLED 70的像素电极710形成在平坦化层180上。像素电极710通过平坦化层180的接触孔182连接到漏电极177。
另外，具有暴露像素电极710的开口的像素限定层190形成在平坦化层180上。即，像素电极710被定位成与像素限定层190的开口对应。
像素限定层190可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂之类的树脂形成。
有机发射层720形成在像素限定层190的开口中的像素电极710上。共电极730形成在像素限定层190和有机发射层720上。
如上所述，形成了包括像素电极710、有机发射层720和共电极730的OLED 70。
像素电极710和共电极730中的一个可以由透明导电材料形成，另一个可以由半透明或反射导电材料形成。根据像素电极710和共电极730的材料，OLED显示器可以是前发射型的OLED显示器、后发射型的OLED显示器或两侧发射型的OLED显示器。同时，本发明第一示例性实施例的OLED显示器100是前发射型的OLED显示器。即，OLED 70朝向共电极730发光，从而显示图像。
可以使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)作为透明导电材料。可以使用锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)作为反射材料。
有机发射层720可以由低或高分子量有机材料形成。有机发射层720是具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的多层。即，HIL可以设置在用作阳极的像素电极710上，HTL、发射层、ETL和EIL可以顺序地堆叠在HIL上。
密封构件210设置在OLED 70上方。密封构件210被布置为与基底构件111相对，以覆盖薄膜晶体管20和OLED 70。
密封构件210被形成为具有通过减色混合与像素限定层190的颜色呈互补关系而设定的颜色。即，当像素限定层190的颜色与密封构件210的颜色混合时，混合颜色的亮度降低。
在本发明的第一示例性实施例中，密封构件210被形成为具有基于蓝色的颜色，从而密封构件210对于基于蓝色的光来说能够具有相对高的渗透性。因此，当OLED显示器100对于基于蓝色的颜色具有低效率时，使用具有基于蓝色的颜色的密封构件210可以使得OLED显示器100更加有效。另外，像素限定层190可以被形成为具有基于黄色的颜色。
因此，在设置在像素限定层190下方的导电层上反射的外部光的亮度由于被反射的外部光所穿过的像素限定层190和密封构件210的颜色的减法混合而降低。像素限定层190和密封构件210不限于上述结构。即，像素限定层190和密封构件210可以被形成为具有彼此减法混合的各种颜色。
下面将参照图3描述本发明的第二示例性实施例。
如图3所示，OLED显示器200还包括布置在OLED 70和密封构件210之间的填充层250。填充层250可以稳固地固定密封构件210，防止湿气和外来杂质渗透到OLED 70中，并减少由折射率差产生的光反射。
另外，填充层250可以由具有颜色(例如，彩色)的树脂类材料形成。另一方面，本发明第二示例性实施例的OLED显示器200的密封构件210可以例如是透明的或半透明的。
此外，像素限定层190和填充层250可以具有彼此不同的彩色。具体地讲，填充层250被形成为具有这样的彩色，即，当该彩色与像素限定层190的彩色混合时，可以降低亮度。即，当像素限定层190的颜色和填充层250的颜色重叠时，亮度降低。
在一个实施例中，像素限定层190被形成为具有通过减色混合与填充层250的颜色呈互补关系而设定的颜色。
利用上述结构，OLED显示器200抑制了屏幕上的光反射，因而具有改善的可视性。
更详细地说，从外部进入并在设置于像素限定层190下方的导电层上反射的光在穿过像素限定层190和填充层250的同时由于像素限定层190和填充层250的颜色而在其亮度方面降低。具体地讲，当像素限定层190的颜色和填充层250的颜色通过减色混合呈互补关系设定时，混合的颜色接近于黑色，因为被反射的光会难以穿过像素限定区域190和填充层250，所以可以更加有效地抑制或减少屏幕上的光反射。
例如，当像素限定层190具有基于黄色的颜色时，填充层250可以具有基于蓝色的颜色，基于蓝色的颜色通过减色混合与像素限定层190的基于黄色的颜色呈互补关系。此时，像素限定层190用作黄色滤色器，因此只有被反射的黄光可以穿过像素限定层190。此外，因为当黄光穿过形成有基于蓝色的颜色的填充层250时黄光的亮度显著降低，所以可以抑制或减少外部光在设置于像素限定层190下方的导电层上的反射。然而，本发明的第二示例性实施例不限于上述构造。即，像素限定层190和填充层250可以被形成为具有能够彼此减色混合的各种颜色。
下面将参照图4描述本发明的第三示例性实施例。
如图4所示，OLED显示器300还包括覆盖OLED 70的共电极730的覆盖层330。覆盖层330直接形成在共电极730上，从而不仅用于保护OLED 70，而且使得OLED 70产生的光有效地发射出去。
覆盖层330由诸如Alq3、TPD、PBD、m-MTDATA、TCTA、NPD和NPB之类的有机材料或诸如SiNx、SiOx和SiOxNy之类的无机材料形成。这里，可以使用诸如Alq3、TPD、PBD、m-MTDATA、TCTA、NPD和NPB之类的有机材料作为用于形成有机发射层720的材料。
另外，覆盖层330被形成为具有颜色(例如，彩色)。另一方面，本发明的第三示例性实施例的OLED显示器300的密封构件210可以是例如透明的或半透明的。
此外，像素限定层190和覆盖层330具有彼此不同的彩色。具体地说，覆盖层330被形成为具有这样的彩色，即，当该彩色与像素限定层190的彩色混合时，能够降低亮度。也就是说，像素限定层190的颜色和覆盖层330的颜色重叠时，亮度降低。
在一个实施例中，像素限定层190被形成为具有通过减色混合与覆盖层330的颜色呈互补关系而设定的颜色。
利用上述结构，OLED显示器300抑制了屏幕上的光反射，因此具有改善的可视性。
更详细地说，从外部进入并在设置于像素限定层190下方的导电层上反射的光在穿过像素限定层190和覆盖层330的同时由于像素限定层190和覆盖层330的颜色而在其亮度方面降低。具体地讲，当像素限定层190的颜色和覆盖层330的颜色通过按照减色混合而呈互补关系设定时，混合的颜色接近于黑色，因为被反射的光会难以穿过像素限定区域190和覆盖层330，所以可以有效地抑制或减少屏幕上的光反射。
例如，当像素限定层190具有基于黄色的颜色时，覆盖层330可以具有基于蓝色的颜色，基于蓝色的颜色通过减色混合与像素限定层190的基于黄色的颜色呈互补关系。此时，像素限定层190用作黄色滤色器，因此只有被反射的黄光能够穿过像素限定层190。此外，因为当黄光穿过形成有基于蓝色的颜色的覆盖层330时黄光的亮度显著降低，所以可以抑制或减少外部光在设置于像素限定层190下方的导电层上的反射。然而，本发明的第三示例性实施例不限于上述构造。即，像素限定层190和覆盖层330可以被形成为具有能够彼此减色混合的各种颜色。
下面将参照图5描述本发明的第四示例性实施例。
如图5所示，OLED显示器400还包括设置在密封构件210上的覆盖窗500。覆盖窗500由具有颜色(例如，彩色)的透明材料(例如，玻璃或塑料)形成。另一方面，本发明第四示例性实施例的OLED显示器400的密封构件210可以例如是透明的或半透明的。
此外，像素限定层190和覆盖窗500具有彼此不同的彩色。具体地说，覆盖窗500被形成为具有这样的彩色，即，当该彩色与像素限定层190的彩色混合时，能够降低亮度。也就是说，像素限定层190的颜色和覆盖窗500的颜色重叠时，亮度降低。
在一个实施例中，像素限定层190被形成为具有通过减色混合与覆盖窗500的颜色呈互补关系而设定的颜色。
利用上述结构，OLED显示器400抑制屏幕上的光反射，因此具有改善的可视性。
更详细地说，从外部进入并在设置于像素限定层190下方的导电层上反射的光在穿过像素限定层190和覆盖窗500的同时由于像素限定层190和覆盖窗500的颜色而在其亮度方面降低。具体地讲，当像素限定层190的颜色和覆盖窗500的颜色通过按照减色混合而呈互补关系设定时，混合的颜色接近于黑色，因为被反射的光会难以穿过像素限定区域190和覆盖窗500，所以可以有效地抑制或减少屏幕上的光反射。
例如，当像素限定层190具有基于黄色的颜色时，覆盖窗500可以具有基于蓝色的颜色，基于蓝色的颜色通过减色混合与像素限定层190的基于黄色的颜色呈互补关系。此时，像素限定层190用作黄色滤色器，因此只有被反射的黄光能够穿过像素限定层190。此外，因为当黄光穿过形成有基于蓝色的颜色的覆盖窗500时黄光的亮度显著降低，所以可以抑制或减少外部光在设置于像素限定层190下方的导电层上的反射。然而，本发明的第四示例性实施例不限于上述构造。即，像素限定层190和覆盖窗500可以被形成为具有能够彼此减色混合的各种颜色。
如在上述示例性实施例中所述，通过有色的像素限定层190和具有与像素限定层190的颜色不同颜色(例如，不同的彩色)的另一有色层的组合，可以抑制屏幕上的光反射。优选的是，像素限定层190的颜色与其他有色层的颜色呈互补关系设定。有色层可以是密封构件210、填充层250、覆盖层330和覆盖窗500中之一。
Claims (8)
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
薄膜晶体管，在所述基底上并包括栅电极、源电极和漏电极；
平坦化层，在所述薄膜晶体管上并具有暴露所述漏电极或所述源电极的一部分的接触孔；
像素电极，在所述平坦化层上并通过所述接触孔结合到所述漏电极或所述源电极；
有色的像素限定层，在所述平坦化层上并包括暴露所述像素电极的至少一部分的开口；
有色层，在所述像素电极和所述像素限定层上，并具有与所述像素限定层的彩色不同的彩色；
有机发射层，在所述像素电极上；
密封构件，在所述基底上；
共电极，在所述有机发射层上并在所述基底和所述密封构件之间；
其中，所述有色层包括所述密封构件、直接形成在所述共电极上的用于保护所述有机发射层的覆盖层、位于所述密封构件和所述共电极之间的填充层以及位于所述密封构件上的覆盖窗中的一者。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素限定层的颜色与所述有色层的颜色的混合降低穿过所述像素限定层和所述有色层的光的亮度。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，基于减色混合，所述像素限定层的颜色与所述有色层的颜色呈互补关系。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括导电层，所述导电层的材料与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个电极的材料相同，其中，所述导电层位于与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个电极相同的平面上，并且所述导电层的形成工艺与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个电极的形成工艺相同，所述导电层的至少一部分与所述像素限定层叠置。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述导电层包括栅极线、数据线、电源线和电容器板中的至少一个。
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素限定层的颜色与所述有色层的颜色的混合产生黑色。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素限定层的颜色是基于黄色的颜色，所述有色层的颜色是基于蓝色的颜色。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有色层的颜色提供颜色过滤，从而在所述有色层与所述像素电极的暴露部分叠置的一部分中改善选定颜色的颜色效率。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090001162A KR100989135B1 (ko) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR10-2009-0001162 | 2009-01-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101783359A CN101783359A (zh) | 2010-07-21 |
| CN101783359B true CN101783359B (zh) | 2012-10-24 |
Family
ID=42200946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010100015297A Active CN101783359B (zh) | 2009-01-07 | 2010-01-06 | 有机发光二极管显示器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8253128B2 (zh) |
| EP (1) | EP2207207B1 (zh) |
| JP (1) | JP4971404B2 (zh) |
| KR (1) | KR100989135B1 (zh) |
| CN (1) | CN101783359B (zh) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5173871B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2013-04-03 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機ｅｌディスプレイ |
| KR101811341B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5725337B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-05-27 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| KR101851679B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2018-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법 |
| GB2498072B (en) * | 2011-12-21 | 2015-03-18 | Lg Display Co Ltd | Display device and method for manufacturing of the same |
| US9016894B2 (en) | 2012-03-09 | 2015-04-28 | General Electric Company | Color mixing using the reflective properties of OLEDs |
| CN102916036B (zh) * | 2012-10-12 | 2015-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有源矩阵有机电致发光显示器件及显示装置 |
| CN102916037B (zh) * | 2012-10-12 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有源矩阵有机电致发光显示器件及显示装置 |
| KR102021027B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2019-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| JP6429465B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置及びその作製方法 |
| KR102181238B1 (ko) | 2014-02-12 | 2020-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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- 2009-09-28 JP JP2009223002A patent/JP4971404B2/ja active Active
- 2009-12-18 US US12/642,732 patent/US8253128B2/en active Active
-
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- 2010-01-06 EP EP10250012.1A patent/EP2207207B1/en active Active
- 2010-01-06 CN CN2010100015297A patent/CN101783359B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8253128B2 (en) | 2012-08-28 |
| JP2010161058A (ja) | 2010-07-22 |
| EP2207207B1 (en) | 2015-09-23 |
| KR100989135B1 (ko) | 2010-10-20 |
| JP4971404B2 (ja) | 2012-07-11 |
| KR20100081770A (ko) | 2010-07-15 |
| CN101783359A (zh) | 2010-07-21 |
| EP2207207A2 (en) | 2010-07-14 |
| US20100171105A1 (en) | 2010-07-08 |
| EP2207207A3 (en) | 2011-06-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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| TR01 | Transfer of patent right |
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