CN101750800B - 液晶显示元件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示元件，具备：栅极线，以沿预定的方向延伸的方式，作为第1导电层配置；薄膜晶体管，栅极电极与上述栅极线连接；第1像素电极，在比上述第1导电层更靠液晶层侧，作为第2导电层配置；屏蔽电极，在上述栅极线的配置区域和上述第1像素电极的配置区域之间的区域，作为比上述第1导电层更靠液晶层侧的导电层配置；连接部，以相对于上述屏蔽电极至少一部分重叠的方式而且在比上述屏蔽电极更靠上述第1导电层侧配置，对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行连接；以及共用电极，隔着上述液晶层相对于上述第1像素电极对置，设定为与上述屏蔽电极相等的电位。

Description

液晶显示元件

本申请主张2008年12月5日提交的日本专利申请编号2008-311607号的优先权，其整个内容以引用的方式包含于此。 

技术领域

本发明涉及液晶显示元件。 

背景技术

在液晶显示元件中，在隔开间隔而对置的一对基板之中的一个基板上，形成：矩阵状排列的多个像素电极；与这些多个像素电极分别对应设置且连接的多个薄膜晶体管；以及向各自对应的薄膜晶体管供给栅极信号、数据信号的多个栅极线以及多个信号线。另外，在另一个基板上，形成相对于多个像素电极共用地对置的共用电极(对置电极)。而后，在这样一对基板间封入液晶。而且，在一对基板各自的对置面上，设置规定液晶分子的初始取向状态的取向膜。而后，在液晶显示元件中，对每个像素通过像素电极对液晶层施加电压，由此液晶的取向状态变化。 

特别地，在(日本)特开2008-83389号公报中公开的垂直取向型的液晶显示元件中，在一个基板上设置突起，使得不对液晶层施加电压时相对于基板垂直地取向的液晶分子，在对液晶层施加电压时稳定地进行取向变化。这样，在一个基板上设置了突起的垂直取向型的液晶显示元件中，对液晶层施加电压时，液晶分子以突起为中心放射状地取向。 

但是，例如，由于在像素电极附近配置了薄膜晶体管，因此薄膜晶体管的栅极电极或与该栅极电极连接的栅极线所产生的电场，也对像素电极区域上产生的电场带来影响。即，如果在像素电极的周围部分地存在不同电位的部位，那么该部位上的电场产生状况不同于其他部位，在这种情况下，应该放射状取向的液晶分子的取向状态发生歪斜。 

例如图9所示，在与薄膜晶体管100连接的像素电极101上的液晶分子102，受到栅极电极100a产生的电场的影响，而被沿着图中箭头所示方向牵引，液晶取向的中心不是突起103，而变得靠近栅极电极100a。这样，如果在放射状取向上发生歪斜，那么每个方位上视角范围不同，产生视场角性能降低的问题。 

另外，在由于从液晶显示元件的表面等施加外压而单位(cell)間隙暂时发生变化，随之放射状取向的中心位置从突起的配置位置偏离的情况下，存在如下问题：如果在像素电极的周围存在电场产生状况不同的部位，那么若干个像素上放射状取向的中心位置不回到突起的配置位置，而陷于电场产生状况不同的部位，例如接近薄膜晶体管的栅极电极的位置，已经偏移为与放射状取向不同的取向状态。即，存在这样的问题，即使用比较弱的力量按压表面，像素间在取向状态上也会发生不均匀，使显示品质降低。 

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种液晶显示元件，通过使像素电极周围的电位比较相等，能够使显示品质不容易下降。 

本发明的一个观点，提供一种液晶显示元件，具备： 

栅极线，以沿预定的方向延伸的方式，作为第1导电层配置； 

薄膜晶体管，栅极电极与上述栅极线连接； 

第1像素电极，在比上述第1导电层更靠液晶层侧，作为第2导电层配置； 

屏蔽电极，在上述栅极线的配置区域和上述第1像素电极的配置区域之间的区域，作为比上述第1导电层更靠液晶层侧的导电层配置； 

连接部，以相对于上述屏蔽电极至少一部分重叠的方式而且在比上述屏蔽电极更靠上述第1导电层侧配置，对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行连接；以及 

共用电极，隔着上述液晶层相对于上述第1像素电极对置，设定为与上述屏蔽电极相等的电位。 

本发明的另一个观点，提供一种液晶显示元件，具备： 

栅极线，配置为沿预定的方向延伸； 

第1像素电极以及第2像素电极，配置在比上述栅极线更靠液晶层侧，并且隔着上述栅极线配置在相互不同的方向； 

屏蔽电极，在上述第1像素电极的配置区域和上述栅极线的配置区域之间的区域，作为与上述第1像素电极相同的层配置； 

辅助电容电极，在上述第2像素电极的配置区域和上述栅极线的配置区域之间的区域，作为与上述栅极布线相同的层配置，并通过设置在绝缘层中的接触孔与上述屏蔽电极连接； 

薄膜晶体管，配置在上述屏蔽电极的配置区域和上述第2像素电极的配置区域之间的区域，栅极电极与上述栅极线连接；以及 

连接部，作为上述栅极线和上述屏蔽电极之间的层形成，对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行连接。 

本发明的另一个观点，提供一种液晶显示元件，具有： 

多个薄膜晶体管，配置为矩阵状，各自具有源极电极、漏极电极以及栅极电极； 

绝缘层，覆盖上述各薄膜晶体管； 

多个像素电极，形成在上述绝缘层上，并且各自与上述各薄膜晶体管连接； 

共用电极，配置为与上述各像素电极隔着液晶层；以及 

多个屏蔽电极，在形成了上述各像素电极的上述绝缘层上，形成在上述各像素电极和上述各薄膜晶体管的栅极电极之间，被施加与上述共用电极相同的电位。 

本发明的另一个观点，提供一种液晶显示元件，具有： 

薄膜晶体管； 

绝缘层，覆盖上述薄膜晶体管； 

像素电极，形成在上述绝缘层上，并且与上述薄膜晶体管连接； 

对置电极，与上述像素电极对置地配置； 

垂直取向膜，覆盖上述像素电极面以及上述对置电极面而形成； 

介电常数各向异性为负的液晶，介于形成在上述像素电极和上述对置电极的上述垂直取向膜间；以及 

屏蔽电极，在形成了上述像素电极的上述绝缘层上，形成在上述像素电极和上述薄膜晶体管的栅极电极之间，被施加与上述共用电极相同的电位。 

若采用该发明的显示装置，通过使像素电极周围的电位比较相等，能够使显示品质不容易下降。 

本发明其他的目的以及优点如下所述，由说明可以了解其中一部分，另外通过发明的实施了解一部分。本发明的目的以及优点能够通过下述明示的器具以及组合实现并获得。 

附图说明

与本说明书结合并作为其中一部分而形成的附图示出本发明的几个式样，上述的一般说明以及下述的实施方式的详细说明与图面一起示出本发明的原理。 

图1是涉及本发明的第1实施方式的液晶显示元件的平面图。 

图2是沿着图1的II-II线的剖面图。 

图3是示意地示出图1所示的液晶显示元件中像素电极和共用电极之间没有电位差的情况的液晶分子的动作的图。 

图4是示意地示出图1所示的液晶显示元件中像素电极和共用电极之间有电位差的情况的液晶分子的动作的图。 

图5是示意地示出图1所示的液晶显示元件中像素电极和共用电极之间产生电位差的情况的液晶分子的动作的平面图。 

图6是涉及本发明的第2实施方式的液晶显示元件的平面图。 

图7是涉及本发明的第3实施方式的液晶显示元件的平面图。 

图8是示出像素电极的变形例的平面图。 

图9是为了说明本发明要解决的课题的示意图。 

具体实施方式

[第1实施方式] 

图1是涉及本发明的第1实施方式的液晶显示元件1的平面图，图2是图1中沿着II-II线的剖面图。第1实施方式的液晶显示元件1是有源 矩阵液晶显示元件。TFT基板10和对置基板20隔开预先规定的间隔对置地设置。通过在TFT基板10和对置基板20之间封入液晶形成液晶层30。 

TFT基板10包括：透明基板11；多个像素电极12设为在透明基板面内按矩阵状地配置；多个薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)13，设置为对应于多个像素电极12的各个，且与各自对应的像素电极12连接；多个栅极线14以及多个信号线15，分别设置在行方向、列方向上，以便向这些多个薄膜晶体管13各个供给栅极信号或数据信号；多个辅助电容电极16，对于多个像素电极12的各个而设置；多个屏蔽电极17，对应于多个像素电极12的各个而设置，且设置在与该像素电极12连接的薄膜晶体管13的栅极电极13a和该像素电极12之间；以及取向膜(未图示)，设置在TFT基板10的表面。 

另一方面，对置基板20包括：透明基板21；彩色滤光器22，设置在透明基板21面；共用电极(对置电极)23，设置在该彩色滤光器22上；多个突起24，在共用电极23上至少与每个像素电极12对应设置；以及取向膜(未图示)，设置在对置电极20的表面即共用电极23以及多个突起24上； 

而且，液晶显示元件1利用多个显示像素来显示图像，对一个该显示像素分配一个上述像素电极。即，显示像素矩阵状地排列。 

对TFT基板10的结构进行详细说明。 

在玻璃基板等透明基板11上在列方向隔开间隔并列地配置多条栅极线14，各自的栅极线14在行方向延伸地配设。在各栅极线14上设置伸出部14a以使每个像素区域中线宽变宽，构成栅极电极13a。在图1所示的方式中，伸出部14a在列方向上向相邻的辅助电容电极16侧伸出。 

在透明基板11的面上相邻的栅极线14、14彼此之间，设置了成框状的辅助电容电极16，在行方向排列的辅助电容电极16、16彼此由辅助电容线16a连接，且设置得延伸到液晶显示区域外。详细地，辅助电容电极16由上边部16b、下边部16c、左边部16d以及右边部16e形成框状，辅助电容线16a将行方向的每个像素区域的辅助电容电极16之中的上边部16b彼此连接并延伸到液晶显示区域外。在辅助电容线16a上液晶显示区域外设置连接部(未图示)，被施加与共用电极23相同电压。如图1所示，辅助 电容电极16之中的上边部16b具有在列方向伸出到相邻的栅极线侧的伸出部16f。在此，如图1所示，伸出部14a设置在靠左，伸出部16f设置在靠右，使得栅极线14上的伸出部14a和辅助电容电极16上的伸出部16f在行方向的左右任一方相互不干扰。在图1所示的情况下，因为辅助电容电极16以及辅助电容线16a和栅极线14设置在透明基板11的上表面，所以能够由相同金属、例如Cr等形成。即，辅助电容电极16以及辅助电容线16a和栅极线14作为最下层的导电层一起形成。 

覆盖透明基板11、栅极线14、辅助电容线16a以及辅助电容电极16而形成第1绝缘层18。 

在第1绝缘层18上，在行方向上隔开间隔并列设置多个信号线15，各自的信号线15在列方向上延伸地配置。 

由相邻的栅极线14、14以及信号线15、15包围的各区域构成一个像素区域，在每个像素区域上设置薄膜晶体管13。即，各像素区域的规定位置，在图1所示的例子中，下侧的栅极线14的一部分成为栅极电极13a，第1绝缘层18中覆盖栅极电极13a的部分成为栅极绝缘膜13b，设置半导体层13c使得覆盖该栅极绝缘膜13b，在栅极电极13a的区域在半导体层13c面上设置蚀刻阻止层13d，设置列方向上对置并延伸的一对欧姆接触层13e、13f，使得部分覆盖该蚀刻阻止层13d面，以及设置漏极电极13g以及源极电极13h，使得部分地分别覆盖这样一对欧姆接触层13e、13f。 

在此，因为半导体层13c、一对欧姆接触层13e、13f、源极电极13h，如下述那样通过接触孔19a连接像素电极12，所以如图2所示，作为台座部13i，部分地延伸到像素电极12的下部，连接部13j将部分地覆盖一方的欧姆接触层13f的部位和台座部13i连接。该连接部13j在像素区域内左右延伸到左右的信号线15、15附近。 

因为薄膜晶体管13的半导体层13c、蚀刻阻止层13d、一对欧姆接触层13e、13f、漏极电极13g以及源极电极13h的层叠结构形成在第1绝缘层18面上，上述信号线15也形成在第1绝缘层18面上，所以信号线15也具有半导体层13c、一对欧姆接触层13e、13f、漏极电极13g以及源极电极13h的各层的层叠结构，与薄膜晶体管13的工艺同时形成。 

在信号线15、第1绝缘层18以及各像素区域的薄膜晶体管13上形成 有第2绝缘层19。 

在第2绝缘层19上各自的像素区域内，在源极电极13h上形成接触孔19a。在第2绝缘层19的上表面，在各自的每个像素区域上设有像素电极12。多个像素电极12在各自的像素区域内，通过接触孔19a与源极电极13h连接。像素电极12的外周缘12a比辅助电容电极16的内周缘16g靠外侧，在像素区域内像素电极12和辅助电容电极16重叠。图1中用阴影示出的部分是示意地示出像素电极12的外周缘12a和辅助电容电极16的内周缘16g之间即重合的部分。利用这样的重合形成辅助电容Cs。 

在第1实施方式中，进一步，在每个像素区域，在第2绝缘层19的上表面设置屏蔽电极17，该屏蔽电极17对栅极线14和像素电极12之间进行电屏蔽，该栅极线14构成通过薄膜晶体管13的源极电极13h以及半导体层13c连接到像素电极12的栅极电极13a的一部分。即，像素电极12和屏蔽电极17作为最上层的导电层一起形成。 

屏蔽电极17由平行地沿着该栅极线14而形成的直线部17a、以及从该直线部17a伸出到相邻的像素区域的伸出部17b构成为大致L字状。直线部17a的行方向的长度比每个像素区域的源极电极13h的行方向宽度还长。换种表达方式，屏蔽电极17的直线部17a也可以具有与各像素电极12的栅极电极13a的长度方向、即与栅极线的延伸方向平行的边的长度L2。该长度L2是各像素电极12的横方向(图的左右方向)的边的长度。另外，各屏蔽电极17具有跨过与各像素电极12的左边部12b和与该左边部12b相对置的右边部12c分别重合的各辅助电容电极16的左边部16d以及右边部16e之间的长度。即，各屏蔽电极17比图1所示的距离L1还长。屏蔽电极17的伸出部17b越过同一像素区域内的栅极线14而伸出，到达列方向上相邻的像素区域的辅助电容电极16的伸出部16f上。在第1绝缘层18以及第2绝缘层19中的辅助电容电极16的伸出部16f的区域上形成接触孔9b，屏蔽电极17的伸出部17b通过接触孔9b与列方向上相邻的像素区域内的辅助电容电极16的伸出部16f连接。这样，屏蔽电极17越过栅极线14的上方沿列方向延伸设置，在列方向上邻接的像素区域，通过接触孔19b连接到列方向上邻接的像素区域内的辅助电容电极16。 

因为像素电极12和屏蔽电极17都形成在第2绝缘层19上，所以从工 艺上优选用ITO等透明电极金属同时形成，另外，像素电极12和屏蔽电极17不必是同一层的，在剖面结构上，也可以比屏蔽电极17靠上层设置像素电极12，在屏蔽电极17的下方设置薄膜晶体管13的层叠结构体。 

无论怎样，只要形成屏蔽电极17，在作为对像素电极12和源极电极13h进行连接的传导层的连接部13j更靠液晶层30侧即可。只要这样构成，就能够由辅助电容电极16和屏蔽电极17完全地包围像素电极12的周围，进一步，能够在这样包围的各区域，使配置在最靠液晶层30侧的导电层作为辅助电容电极16或屏蔽电极17。即，能够用赋予辅助电容电极16或屏蔽电极17的电位，包围液晶层30的对应于像素电极12的区域。 

在多个像素电极12、多个屏蔽电极17以及第2绝缘层19上设有垂直取向膜(未图示)。 

对对置基板20尤其是CF基板的结构进行说明。 

在透明基板21面上形成RGB的各彩色滤光器22，在彩色滤光器22上形成有共用电极23。在共用电极23上，对每个像素区域，在与共用电极23相对的像素电极12的中央部、即对角线的交点附近，形成由树脂构成的突起24。在多个突起24以及共用电极23上形成垂直取向膜(未图示)。 

在这样的液晶显示元件1中，虽然省略图示，但在TFT基板10的下侧设有偏光板，在对置基板20的上侧设有偏光板，两偏光板相互垂直。延伸至TFT基板10的液晶显示区域外的辅助电容线16a的连接部和对置基板20中的共用电极23连接，对辅助电容线16a和共用电极23施加COM(共用)电位。而且，并不限定辅助电容线16a和共用电极23直接地连接，辅助电容线16a和共用电极23也可以分别通过不同的导体路径连接到输出COM(共用)电位的电源供给电路上。 

即，液晶显示元件1至少包括以下部分。 

栅极线14，作为第1导电层配置，沿预先规定的方向延伸； 

薄膜晶体管13，栅极电极13a与上述栅极线14连接； 

像素电极12，作为第2导电层配置，比上述第1导电层更接近液晶层30侧； 

屏蔽电极17，在上述栅极线14的配置区域和上述像素电极12的配置区域之间的区域上，作为比上述第1导电层更接近液晶层侧的导电层配置； 

连接部13j，使得与上述屏蔽电极17至少一部分重叠、且配置在比上述屏蔽电极17更接近上述第1导电层侧，并且连接上述薄膜晶体管13的源极电极13h和上述像素电极12； 

共用电极23，间隔着上述液晶层30与上述像素电极12对置，并且设置为与上述屏蔽电极17相等的电位；以及 

辅助电容电极，作为上述第1导电层配置，且设置为与上述屏蔽电极相等的电位； 

对液晶显示元件1的屏蔽电极17的作用进行说明。 

图3是示意地示出在图2所示的剖面结构中共用电极23和像素电极12之间未产生电位差的情况的液晶分子31的动作的图，图4是示意地示出在图2所示的剖面结构中共用电极23和像素电极12之间产生电位差的情况的液晶分子31的动作的图。图5是示意地示出共用电极23和像素电极12之间产生电位差的情况的液晶分子31的动作的平面图。 

在液晶显示元件1中，共用电极23和像素电极12之间未产生电位差的情况，即黑显示的情况，如图3所示，在一个像素区域内间隔着第1绝缘层18以及第2绝缘层19，辅助电容电极16部分地伸出到像素电极12的上边缘部和左右各边缘部的外侧，该辅助电容电极16在外部与共用电极23连接，所以该屏蔽电极17与共用电极23相同电位。而且，像素电极12的上侧(在图3右侧)的屏蔽电极17，通过接触孔19b与辅助电容电极16连接，而且，因为辅助电容电极16在外部与共用电极23连接，所以该屏蔽电极17与共用电极23的电位相同。 

另一方面，在像素电极12的下侧(在图3左侧)设置屏蔽电极17，该屏蔽电极17伸出到相邻的像素区域并通过接触孔19b与辅助电容电极16连接，因此，该屏蔽电极17是与共用电极23相同电位，而且，像素电极12的下边缘部与通过第2绝缘层19连接的源极电极13h相同，与共用电极23是同电位。 

因此，位于像素电极12的整个周缘部和共用电极23之间的液晶分子31取向为相对于取向膜垂直立起。在共用电极23侧的突起24周边，液晶分子31取向为与突起24上的取向膜的面垂直。因此，一个像素区域内的液晶分子31成为以突起24为中心轴对称，取向中心位置稳定。 

而且，如果在栅极电极13a上施加电压，那么栅极电极13a和屏蔽电极17之间产生电位差，如用虚线图示那样产生电场(电力线)。因此，位于栅极电极13a的区域中的液晶分子31按垂直于电力线方式倒下，液晶分子31混乱。但是，因为在该区域中的液晶分子31保持薄膜晶体管的元件特性，因此由于在对置基板侧设置未图示的遮光膜，由液晶分子31产生的取向影响不影响显示品质。 

另一方面，在液晶显示元件1中，共用电极23和像素电极12之间产生电位差的情况，即白显示的情况，在一个像素区域内，若像素电极12对于共用电极23有电位差，则在像素电极12的上侧(在图4右侧)的屏蔽电极17、像素电极12的下侧(在图4左侧)的屏蔽电极17以及共用电极23之间分别有电位差，产生如图4中虚线所示的电场(电力线)。由此，液晶分子31按与该产生的电场相交的方向取向。但是，因为像素电极12的上侧(在图4右侧)的屏蔽电极17和共用电极23是同电位，像素电极12的下侧(在图4左侧)的屏蔽电极17和共用电极23是同电位，而且，辅助电容电极16间隔着第1绝缘层18以及第2绝缘层19部分地伸出到像素电极12的左右各边缘部的外侧，该辅助电容电极16在外部与共用电极23连接，所以该屏蔽电极17与共用电极23相同电位。因为在像素电极12的区域产生的电力线不受外部、例如来自被施加了较大电压的栅极电极13a的影响，在像素电极12的周边与共用电极23之间不产生电场，所以在像素电极12区域的液晶分子31，不受来自外部的电场影响，像素电极12和共用电极23之间的液晶分子31倒向突起24的中心轴侧。 

即，液晶层30的液晶分子以突起24为中心放射状地取向。而且，这时，像素电极12的周围利用屏蔽电极17和辅助电容电极16，以与共用电极23相同的电位变得均等。因此，能够得到不歪斜的放射状取向。 

如以上说明那样，即使像素电极12和共用电极23之间产生电位差，在共用电极23和像素电极12之间像素电极的周围也会无缺口地产生无电场状态。由此，无论像素电极12和共用电极23之间有无电位差，取向中心位置稳定，如图5所示，液晶分子31向着突起24倒下，在突起24周围的液晶分子31的对称性未破坏。因此，能够进行漂亮的显示。 

另外，即使在由于从液晶显示元件的表面等施加外压而单位間隙暂时发生变化，随之放射状取向的中心位置从突起的配置位置偏离的情况下，因为像素电极12的周围以与共用电极23相同的电位变得均等，所以放射状取向的中心位置快速地返回到突起的配置位置。

在涉及第1实施方式的液晶显示元件1中，如图3以及图4所示，在每个像素区域，在像素电极12的上边缘部、左右边缘部和辅助电容电极16之间分别形成辅助电容Cs，而且，不仅在像素电极12的下边缘部和源极电极13h之间形成辅助电容Cs，而且在屏蔽电极17和源极电极13h之间也形成辅助电容Cs。总之，从剖面结构看，在源极电极13h的上下，各自与屏蔽电极17、辅助电容电极16之间形成辅助电容Cs。因此，通过设置屏蔽电极17，能够增加辅助电容Cs而相应减小辅助电容电极16的面积。 

在图示的例中，每个像素区域的屏蔽电极17与相对于对应的像素区域在列方向上邻接的后段的像素区域的辅助电容电极16通过接触孔19b连接。每个像素区域的屏蔽电极17，也可以与该像素区域内的辅助电容电极通过接触孔连接，这一点不需要图示。 

[第2实施方式] 

图6是涉及本发明的第2实施方式的液晶显示元件2的平面图。涉及第2实施方式的液晶显示元件2与第1实施方式在以下点上不同。而且，因为其他与第1实施方式相同，所以对相同或对应的部分赋予相同的符号。 

在第2绝缘层19上对每个像素区域设置屏蔽电极47b，在设置在该像素区域上的像素电极12的下边缘部和构成薄膜晶体管13的栅极电极13a的栅极线14之间设有该屏蔽电极47b。每个像素区域的屏蔽电极47b，与在相邻的行方向上并列而邻接的其他像素区域内的屏蔽电极47b连接，作为整体，设置屏蔽配线47延伸到液晶显示区域的外部。屏蔽配线47之中的延伸到液晶显示区域外部的连接部，与对置基板20的共用电极23连接。因此，每个像素区域的屏蔽电极47b与共用电极23成为同电位。 

在该第2实施方式中，不需要如图1所示的第1实施方式那样在每个像素区域中通过接触孔19b连接屏蔽电极17和辅助电容电极16，所以在像素区域内不能形成该接触孔的情况下是有效的。当然，不必如第1实施方式那样为了通过接触孔与屏蔽电极连接而在辅助电容电极16上设置为此的伸出部。 

在第2实施方式中，也与第1实施方式相同，无论在共用电极23和像素电极12之间产生不产生电位差，在共用电极23和像素电极12之间的液晶分子31都不受外部电场的影响，以突起为中心轴而取向中心的位置不偏离。 

[第3实施方式] 

在上述的第2实施方式中，在行方向上连接每个像素区域的屏蔽电极并延伸到显示区域外来设有屏蔽电极配线，也可以在列方向上连接每个像素区域的屏蔽电极并延伸到显示区域外来设有屏蔽电极配线。图7是涉及本发明的第3实施方式的液晶显示元件3的平面图。而且，因为其他点与第1实施方式相同，所以对相同或对应的部分赋予相同的符号。 

在第2绝缘层19上对每个像素区域设置屏蔽电极57b，在设置在该像素区域上的像素电极12的下边缘部和构成薄膜晶体管13的栅极电极13a的栅极线14之间设置该屏蔽电极57b。每个像素区域的屏蔽电极57b，与在相邻的列方向上并列而邻接的其他像素区域内的屏蔽电极57b连接，作为整体，设置屏蔽配线57延伸到液晶显示区域的外部。屏蔽配线57之中的延伸到液晶显示区域外部的连接部，与对置基板20的共用电极23连接。因此，每个像素区域的屏蔽电极57b与共用电极23成为同电位。 

在该第3实施方式中，不需要如图1所示的第1实施方式那样在每个像素区域中通过接触孔19b连接屏蔽电极17和辅助电容电极16，所以在像素区域内不能形成该接触孔的情况下是有效的。当然，不必如第1实施方式那样为了通过接触孔与屏蔽电极连接而在辅助电容电极16上设置为此的伸出部。 

在该第3实施方式中，也与第1实施方式以及第2实施方式相同，无论在共用电极23和像素电极12之间产生不产生电位差，在共用电极23和像素电极12之间的液晶分子31都不受外部电场，特别是来自栅极电极13a的强电场的影响，液晶分子31的取向以突起24为中心对称，取向中心不偏离。 

而且，无论在第2实施方式还是在第3实施方式的任意情况下，也可以不仅用屏蔽配线47、57的一部分对在列方向或行方向并列的各个屏蔽电极47b、57b进行连接，而且部分地，如第1实施方式中所示那样，设置贯 通第1绝缘层18以及第2绝缘层19的接触孔，与在透明基板11面上配设的辅助电容电极16或辅助电容线连接。采用这样的结构，能够提高加工成品率。 

本发明的实施方式并不限于上述内容，能够在记载了权利要求的范围的发明范围内如说明那样进行各种变更。 

例如，在上述任一实施方式中，对一个像素电极12设置一个对应的突起24，但也可以在像素区域如图所示那样在列方向上较长的情况下，例如图8所示，在行方向上设置缝62a使像素电极62分为例如3个，且将像素电极62分为3个区域，在这样细分了的每个区域上在对置基板20侧设置突起24。 

例如，在第1至第3实施方式中，在TFT基板10、对置基板20的任一基板上形成的取向膜都是垂直取向膜，液晶层中的液晶分子具有负的介电常数各向异性，但本发明的实施方式并不限于此，也可以在TFT基板10、对置基板20的任一基板上形成水平取向膜，液晶具有正的介电常数各向异性。在这种情况下，虽然未图示，但共用电极23不形成在对置基板上，而与像素电极并列地形成在TFT基板10侧，即，可以应用于液晶介于像素电极和共用电极之间来驱动显示的液晶显示元件中。 

另外，例如在第1至第3实施方式中，将薄膜晶体管13的漏极电极13g连接到信号线15上，将薄膜晶体管13的源极电极13j通过接触孔19a连接到像素电极12上，但相反，也可以将薄膜晶体管13的源极电极连接到信号线15上，将薄膜晶体管13的漏极电极通过接触孔19a连接到像素电极17上。 

Claims (13)

1.一种液晶显示元件，具备：

栅极线，作为第1导电层配置为沿预定的方向延伸；

第1辅助电容电极，作为上述第1导电层配置；

薄膜晶体管，其栅极电极与上述栅极线连接；

第1像素电极，作为第2导电层配置为比上述第1导电层更靠近液晶层，并且相对于上述第1导电层隔着绝缘层；

屏蔽电极，作为上述第2导电层，至少一部分配置在上述栅极线的配置区域和上述第1像素电极的配置区域之间的区域；

连接部，作为上述第1导电层和上述第2导电层之间的层，配置为至少一部分相对于上述屏蔽电极俯视重叠，对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行电连接；以及

共用电极，隔着上述液晶层与上述第1像素电极对置，设定为与上述屏蔽电极相等的电位；

上述第1辅助电容电极至少一部分与上述第1像素电极俯视重叠，并且，该第1辅助电容电极配置成包围上述第1像素电极的周围，并设定为与上述屏蔽电极相等的电位；

上述屏蔽电极配置成与上述栅极线所延伸的上述方向平行。

2.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，

上述屏蔽电极和上述第1辅助电容电极配置为上述液晶层的与上述第1像素电极对应的区域由施加在上述屏蔽电极或上述第1辅助电容电极上的电位包围。

3.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，

上述连接部经由上述第1辅助电容电极与上述屏蔽电极俯视重叠的区域，对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行连接。

4.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，具备：

第2像素电极，作为上述第2导电层配置为上述栅极线介于该第2像素电极与上述第1像素电极之间；以及

第2辅助电容电极，作为上述第1导电层配置，设定为与上述屏蔽电极相等的电位；

上述第2辅助电容电极至少一部分与上述第2像素电极俯视重叠，并且，该第2辅助电容电极配置为包围上述第2像素电极的周围。

5.根据权利要求4记载的液晶显示元件，其中，

上述屏蔽电极经由在配置于上述第1导电层和上述第2导电层之间的上述绝缘层中设置的第1接触孔，与上述第2辅助电容电极连接。

6.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，

上述栅极线具有伸出部，该伸出部从上述栅极线向与上述屏蔽电极的上述至少一部分相反的一侧伸出；

上述薄膜晶体管为：上述伸出部成为上述栅极电极。

7.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，

上述第1像素电极的与上述屏蔽电极对置的一边形成为与上述栅极线所延伸的上述方向平行。

8.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，包括：

信号线，配置为与上述栅极线交叉，并与上述薄膜晶体管的漏极电极连接；以及

第2像素电极，作为上述第2导电层配置为上述信号线介于该第2像素电极与上述第1像素电极之间；

上述屏蔽电极跨过上述信号线，至少延伸到上述第2像素电极的配置区域和上述栅极线的配置区域之间的区域。

9.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，包括：

信号线，配置为与上述栅极线交叉，并与上述薄膜晶体管的漏极电极连接；以及

第2像素电极，作为上述第2导电层配置为上述信号线介于该第2像素电极与上述第1像素电极之间；

上述屏蔽电极沿着上述栅极线，至少延伸到上述第2像素电极的配置区域和上述栅极线的配置区域之间的区域。

10.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，

上述液晶层包含介电常数各向异性为负的液晶分子。

11.根据权利要求10记载的液晶显示元件，其中，

在上述共用电极的液晶层侧，形成有预定的形状的突起。

12.根据权利要求1记载的液晶显示元件，其中，

上述第1像素电极形成有多个缝。

13.一种液晶显示元件，具备：

栅极线，作为第1导电层配置为沿预定的方向延伸；

第1辅助电容电极以及第2辅助电容电极，作为上述第1导电层，隔着上述栅极线配置在相互不同的方向；

薄膜晶体管，其栅极电极与上述栅极线连接；

第1像素电极以及第2像素电极，作为第2导电层配置为比上述第1导电层更靠近液晶层，且相对于上述第1导电层隔着绝缘层，并且，隔着上述栅极线配置在上述相互不同的方向；

屏蔽电极，作为上述第2导电层，至少一部分配置在上述第1像素电极的配置区域和上述栅极线的配置区域之间的区域；

连接部，作为上述第1导电层和上述第2导电层之间的层，配置成至少一部分相对于上述屏蔽电极俯视重叠，对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行电连接；以及

共用电极，配置为隔着上述液晶层与上述第1像素电极以及上述第2像素电极对置，并设定为与上述屏蔽电极相等的电位；

上述第1辅助电容电极至少一部分与上述第1像素电极俯视重叠，并且，该第1辅助电容电极配置为包围上述第1像素电极的周围，设定为与上述屏蔽电极相等的电位；

上述第2辅助电容电极至少一部分与上述第2像素电极俯视重叠，并且，该第2辅助电容电极配置为包围上述第2像素电极的周围，设定为与上述屏蔽电极相等的电位；

上述屏蔽电极经由在配置于上述第1导电层和上述第2导电层之间的上述绝缘层中设置的接触孔，与上述第2辅助电容电极连接；

上述屏蔽电极配置成与上述栅极线所延伸的上述方向平行。

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