KR102634380B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 행렬 형태로 배치된 화소를 포함하는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 위치하며 서로 절연된 게이트선 및 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 보호막, 상기 보호막이 가지는 접촉 구멍을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 그리고 상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극과 중첩하는 색필터를 포함하고, 상기 색필터는 상기 접촉 구멍과 중첩하는 개구부를 포함하고, 상기 개구부의 중심은 상기 화소를 가로지르는 가상의 중심선 상에 위치하며 상기 접촉 구멍은 상기 가상의 중심선을 기준으로 일측에 위치한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나이다. 액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극과 같은 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 인가하고 이를 통하여 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
실시예들은 제조 공정이 단순하고 더미 색필터의 설계가 용이한 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 행렬 형태로 배치된 화소를 포함하는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 위치하며 서로 절연된 게이트선 및 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 보호막, 상기 보호막이 가지는 접촉 구멍을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 그리고 상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극과 중첩하는 색필터를 포함하고, 상기 색필터는 상기 접촉 구멍과 중첩하는 개구부를 포함하고, 상기 개구부의 중심은 상기 화소를 가로지르는 가상의 중심선 상에 위치하며 상기 접촉 구멍은 상기 가상의 중심선을 기준으로 일측에 위치한다.
상기 가상의 중심선은 상기 데이터선 연장 방향을 따라 연장될 수 있다.
상기 색필터의 개구부는 상기 가상의 중심선을 기준으로 평면상 대칭 형태를 가질 수 있다.
상기 접촉 구멍의 평면상 넓이는 상기 개구부의 평면상 넓이 보다 작을 수 있다.
상기 개구부의 너비는 상기 접촉 구멍의 너비 보다 클 수 있다.
상기 개구부의 중심과 상기 접촉 구멍의 중심이 일치하지 않을 수 있다.
상기 게이트선과 동일한 층에 위치하는 유지 전극선을 포함하고, 상기 유지 전극선은 상기 접촉 구멍과 평면상 중첩하는 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 유지 전극선은 상기 게이트선과 평행하게 연장된 가로부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 가로부로부터 돌출될 수 있다.
상기 돌출부는 상기 개구부와 중첩할 수 있다.
상기 화소 전극과 동일한 층에 위치하는 차폐 전극을 포함할 수 있다.
상기 차폐 전극은 상기 게이트선 연장 방향을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 행렬 형태로 배치된 화소를 포함하는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 위치하며 서로 절연된 게이트선 및 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 유기막, 상기 유기막이 가지는 접촉 구멍을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 그리고 상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극과 중첩하는 색필터를 포함하고, 상기 색필터는 상기 접촉 구멍과 중첩하는 개구부를 포함하고, 상기 개구부의 중심은 상기 화소를 가로지르는 가상의 중심선 상에 위치하며 상기 접촉 구멍은 상기 가상의 중심선을 기준으로 일측에 위치한다.
상기 유기막은 상기 색필터와 상기 화소 전극 사이에 위치할 수 있다.
상기 주변 영역에 위치하는 더미 색필터를 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면 단순한 공정을 통해 제조되는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 2의 IV-IV'선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 일 화소의 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 보호막의 평면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 색필터의 평면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 유기막의 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 주변 영역 및 표시 영역의 개략적인 평면도이다.
도 10은 비교예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 4를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III' 선을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV'선을 따라 자른 단면도이다.
도 1을 참조하면 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 복수의 화소(PX)가 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 행렬 형태로 배치되는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)의 가장자리에 위치하는 주변 영역(PA)을 포함한다.
표시 영역(DA)에 위치하는 복수의 화소(PX) 중 일 화소(PX)에 대해 도 2 내지 도 4를 통해 살펴본다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 그리고 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
하부 표시판(100)에 대해 먼저 살펴본다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 기판(110) 위에 제1 게이트선(121)과 유지 전극선(131a, 131b)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131a, 131b)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 게이트선(121) 및 유지 전극선(131a, 131b)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트선(121)은 일 화소를 제1 방향(D1)을 따라 가로지른다. 게이트선(121)을 기준으로 +D2 방향에는 고계조를 표시하는 제1 부화소 전극(191a)이 위치하고, 게이트선(121)을 기준으로 -D2 방향에는 저계조를 표시하는 제2 부화소 전극(191b)이 위치할 수 있으며, 서로 뒤바뀔 수도 있다.
유지 전극선(131a, 131b)은 게이트선(121)과 동일 물질로 이루어지며, 게이트선(121)과 동시 공정으로 형성될 수 있다.
게이트선(121) 상측에 위치하는 제1 유지 전극선(131a)은 제1 부화소 전극(191a)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 제1 유지 전극선(131a)은 2 개의 세로부(134a)를 포함하고, 이들을 연결하는 가로부(135a)를 포함할 수 있다. 이때 제1 유지 전극선(131a)의 가로부(135a)는 하나의 화소 영역을 벗어나도록 연장되어 다른층 또는 외부 구동 회로와 연결될 수 있다.
게이트선(121) 하측에 위치하는 제2 유지 전극선(131b)은 제2 부화소 전극(191b)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 제2 유지 전극선(131b)은 2 개의 세로부(134b)를 포함하고, 이들을 연결하는 가로부(135b)를 포함할 수 있다.
또한 일 실시예에 따른 제1 유지 전극선(131a)은 제1 돌출부(137a)를 포함하고 제2 유지 전극선(131b)은 제2 돌출부(137b)를 포함할 수 있다. 제1 돌출부(137a) 및 제2 돌출부(137b) 각각은 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
제1 돌출부(137a) 및 제2 돌출부(137b) 각각은 가로부(135a, 135b)로부터 평면상 돌출된 사각 형태를 가질 수 있으나 이러한 형상에 제한되는 것은 아니다. 제1 돌출부(137a) 및 제2 돌출부(137b) 각각은 빛샘 현상이 발생 가능한 영역을 차단하는 어떠한 형태도 가질 수 있다.
제1 돌출부(137a)는 후술할 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185a), 색필터(230)가 가지는 개구부(230a) 및 유기막(240)이 가지는 접촉 구멍(240a)과 중첩할 수 있다.
제1 돌출부(137a)는 제1 드레인 전극(175a)이 확장된 영역 및 제1 부화소 전극(191a)이 연장된 영역과 중첩할 수 있다. 제1 돌출부(137a)는 제1 드레인 전극(175a) 및 제1 부화소 전극(191a)과 중첩할 수 있다.
제2 돌출부(137b)는 후술할 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185b), 색필터(230)가 가지는 개구부(230b) 및 유기막(240)이 가지는 접촉 구멍(240b)와 중첩할 수 있다.
제2 돌출부(137b)는 제2 드레인 전극(175b)이 확장된 영역 및 제2 부화소 전극(191b)이 연장된 영역과 중첩할 수 있다. 제2 돌출부(137b)는 제2 드레인 전극(175b) 및 제2 부화소 전극(191b)과 중첩할 수 있다.
본 명세서는 상술한 바와 같은 유지 전극선(131a, 131b)의 형상을 설명 및 도시하고 있으나, 이와 같은 형상에 제한되는 것은 아니며 동일한 기능을 수행하기 위한 어떠한 형상도 가질 수 있음은 물론이다.
게이트 도전체 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막 재질일 수 있으나 이에 제한되지 않고 유기 절연막 재질일 수도 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154a), 제2 반도체층(154b) 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다.
게이트 절연막(140), 제1 반도체층(154a), 제2 반도체층(154b) 및 제3 반도체층(154c) 위에는 데이터선(171), 제1 소스 전극(173a), 제2 소스 전극(173b), 제3 소스 전극(173c), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 및 제3 드레인 전극(175c) 및 분압 기준 전압선(178)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
데이터선(171)은 하나의 화소 영역 가장자리를 따라 D2 방향으로 연장되며, 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함한다.
제1 드레인 전극(175a)은 D1 방향을 따라 평면상 제1 소스 전극(173a)과 중첩하며 일례로써 제1 소스 전극(173a)과 중첩하는 I자 형태를 포함할 수 있다. 제1 드레인 전극(175a)은 제1 부화소 전극(191a)과 연결되는 넓게 확장된 영역을 포함한다.
제2 드레인 전극(175b) 역시 D1 방향을 따라 평면상 제2 소스 전극(173b)과 중첩하며, 일례로써 제2 소스 전극(173b)과 중첩하는 I자 형태를 포함할 수 있다. 제2 드레인 전극(175b)은 제2 부화소 전극(191b)과 연결되는 넓게 확장된 영역을 포함한다.
제3 소스 전극(173c)은 제2 드레인 전극(175b)과 인접하게 위치할 수 있다. 제3 소스 전극(173c)은 제2 드레인 전극(175b)으로부터 연장된 일부 영역일 수 있다.
분압 기준 전압선(178)은 제3 드레인 전극(175c)을 포함한다. 제3 드레인 전극(175c)은 제3 소스 전극(173c)과 함께 박막 트랜지스터를 이룰 수 있다.
분압 기준 전압선(178)은 복수의 세로부(172a, 172b, 172c) 및 이를 연결하는 가로부(174a, 174b)를 포함한다.
분압 기준 전압선(178)이 포함하는 제1 세로부(172a)는 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193a)와 중첩할 수 있다. 제2 세로부(172b)는 제2 부화소 전극(191b)의 세로 줄기부(193b)와 중첩할 수 있다. 또한 분압 기준 전압선(178)이 포함하는 제3 세로부(172c)는 제1 부화소 전극(191a)이 위치하는 영역과 제2 부화소 전극(191b)이 위치하는 영역 사이에 배치된 영역을 가로지를 수 있다.
분압 기준 전압선(178)은 제1 세로부(172a)와 제3 세로부(172c)를 연결하는 제1 가로부(174a), 그리고 제2 세로부(172b)와 제3 세로부(172c)를 연결하는 제2 가로부(174b)를 포함할 수 있다.
제1 가로부(174a)는 제1 부화소 전극(191a)과 중첩할 수 있으며 제2 가로부(174b)는 제2 부화소 전극(191b)과 중첩할 수 있다. 그러나 이러한 형태에 제한되지 않고 제1 가로부(174a) 및 제2 가로부(174b)는 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하지 않는 영역에 위치할 수도 있다.
전술한 분압 기준 전압선(178)은 화소 전극(191)의 형태에 따른 형상을 가질 수 있으며 화소 전극(191)의 형태가 달라짐에 따라 분압 기준 전압선(178)의 형태도 달라질 수 있다.
제3 반도체층(154c)과 중첩하는 영역에 위치하는 분압 기준 전압선(178)의 일부가 제3 드레인 전극(175c)이 될 수 있다.
전술한 제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체층(154a)과 함께 하나의 제1 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 제1 반도체층(154a)에 형성된다. 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체층(154b)과 함께 하나의 제2 박막 트랜지스터를 이루며, 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 제2 반도체층(154b)에 형성된다. 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체층(154c)과 함께 하나의 제3 박막 트랜지스터를 이루며, 채널은 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이의 제3 반도체층(154c)에 형성된다.
데이터 도전체 및 노출된 반도체층(154a, 154b, 154c) 위에 보호막(180)이 위치한다.
보호막(180)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막 재질일 수 있다. 보호막(180) 위에 색필터(230)가 위치하는 경우, 보호막(180)은 색필터(230)의 안료가 노출된 반도체층(154a, 154b, 154c)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
보호막(180)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 구멍(185a)은 제1 드레인 전극(175a) 및 제1 부화소 전극(191a)과 중첩할 수 있다. 제2 접촉 구멍(185b)은 제2 드레인 전극(175b) 및 제2 부화소 전극(191b)과 중첩할 수 있다.
색필터(230)는 보호막(180) 위에 위치하며, 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시할 수 있으며, 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색 또는 황색(yellow), 청록색(cyan), 자홍색(magenta) 등을 들 수 있다. 도시하지는 않았지만, 색 필터는 기본색 외에 기본색의 혼합색 또는 백색(white)을 표시하는 색 필터를 더 포함할 수 있다.
색필터(230)가 포함하는 개구부에 대해서는 이하 도 5 내지 도 8의 설명에서 구체적으로 설명하도록 한다.
색필터(230) 위에 유기막(240)이 위치한다. 유기막(240)은 후술한 화소 전극(191)이 위치하는 일면을 평탄화시킬 수 있다.
유기막(240)은 제3 접촉 구멍(240a) 및 제4 접촉 구멍(240b)을 포함한다. 제3 접촉 구멍(240a)은 보호막(180)이 포함하는 제1 접촉 구멍(185a)과 정렬될 수 있다. 제4 접촉 구멍(240b)은 보호막(180)이 포함하는 제2 접촉 구멍(185b)과 정렬될 수 있다.
제1 접촉 구멍(185a) 및 제3 접촉 구멍(240a)을 통해 제1 드레인 전극(175a)과 제1 부화소 전극(191a)이 연결될 수 있다. 제2 접촉 구멍(185b) 및 제4 접촉 구멍(240b)을 통해 제2 드레인 전극(175b)과 제2 부화소 전극(191b)이 연결될 수 있다.
유기막(240) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 게이트선(121)을 사이에 두고 서로 이격되며 D2 방향을 따라 이웃하는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함한다.
화소 전극(191)은 ITO 및 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수도 있다.
색필터(230) 위에는 화소 전극(191)과 동일한 물질로 이루어진 차폐 전극(197a, 197b)이 화소 전극(191)과 동일층에 위치한다. 화소 전극(191) 및 차폐 전극(197a, 197b)은 동일 공정으로 동시에 형성될 수 있다.
제1 부화소 전극(191a)은 D1 방향으로 연장된 제1 가로 줄기부(192a), 제1 가로 줄기부(192a)와 직교하며 D2 방향으로 연장된 제1 세로 줄기부(193a) 및 제1 가로 줄기부(192a)와 제1 세로 줄기부(193a)로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 제1 미세 가지부(194a)를 포함한다. 이웃하는 제1 미세 가지부(194a) 사이에는 전극이 제거되어 있는 미세 슬릿이 위치할 수 있다.
제1 미세 가지부(194a)가 제1 가로 줄기부(192a) 또는 제1 세로 줄기부(193a)와 이루는 예각은 약 40° 내지 약 45° 일 수 있으나 이에 한정되지 않고 액정 표시 장치의 시인성 등의 표시 특성을 고려하여 적절히 조절될 수 있다.
제1 부화소 전극(191a)은 제1 미세 가지부(194a)의 일부가 연장된 넓은 영역을 포함하고 이를 통해 제1 드레인 전극(175a)과 연결될 수 있다.
제2 부화소 전극(191b)은 D1 방향으로 연장된 제2 가로 줄기부(192b), 제2 가로 줄기부(192b)와 직교하며 D2 방향으로 연장된 제2 세로 줄기부(193b) 및 제2 가로 줄기부(192b)와 제2 세로 줄기부(193b)로부터 대각선 방향으로 연장된 복수의 제2 미세 가지부(194b)를 포함한다. 이웃하는 제2 미세 가지부(194b) 사이에는 전극이 제거되어 있는 미세 슬릿이 위치한다.
제2 미세 가지부(194b)가 제2 가로 줄기부(192b) 또는 제2 세로 줄기부(193b)와 이루는 예각은 약 40° 내지 약 45° 일 수 있으나 이에 한정되지 않고 액정 표시 장치의 시인성 등의 표시 특성을 고려하여 적절히 조절될 수 있다.
제2 부화소 전극(191b)은 제2 미세 가지부(194b)의 일부가 연장된 넓은 영역을 포함하고 이를 통해 제2 드레인 전극(175b)과 연결될 수 있다.
차폐 전극(197a, 197b)은 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이에 위치할 수 있으며 D1 방향을 따라 연장되는 형태를 가질 수 있다. 이러한 형태 및 위치에 제한되는 것은 아니다.
차폐 전극(197a, 197b)은 공통 전극(미도시)과 동일한 전압을 인가 받는다. 차폐 전극(197a, 197b)과 공통 전극 사이에는 전계가 발생하지 않고, 그 사이에 위치하는 액정 분자들은 배열되지 않는다. 차폐 전극(197a, 197b)과 공통 전극(270)의 사이의 액정은 블랙(black) 상태가 된다. 이와 같이 액정 분자들이 블랙을 나타내는 경우, 액정 분자 자체로 차광 부재의 기능을 할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치할 수 있다.
다음 상부 표시판(200)에 대해 설명한다.
제2 기판(210)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어지며, 제1 기판(110)과 중첩한다. 제2 기판(210)과 액정층(3) 사이에는 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막을 수 있다.
본 명세서는 차광 부재(220)가 상부 표시판(200)에 위치하는 구성을 설명하였으나 이에 제한되지 않으며 하부 표시판(100)에 위치할 수도 있다.
덮개막(250)은 차광 부재(220)와 액정층(3) 사이에 위치한다. 덮개막(250)은 유기 절연 물질로 만들어질 수 있다. 덮개막(250)은 차광 부재(220)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 실시예에 따라 덮개막(250)은 생략될 수 있다.
공통 전극(270)은 덮개막(250)과 액정층(3) 사이에 위치한다. 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 동일할 물질을 포함할 수 있다. 공통 전극(270)은 평면의 면형으로 형성되어 공통 전압을 인가 받는다.
공통 전극(270)과 액정층(3) 사이에는 제2 배향막(21)이 위치할 수 있다.
액정층(3)은 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 위치한다. 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이룰 수 있다. 또한 이에 제한되지 않고 액정층(3)의 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대해 수평하게 배열될 수도 있다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이에 위치하는 액정층(3)의 액정 분자 배열 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도를 제어한다.
이하에서는 도 5 내지 도 8을 참조하여 색필터(230)이 가지는 개구부(230a, 230b)와 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185a, 185b) 사이의 위치 관계 또는 색필터(230)가 가지는 개구부(230a, 230b)와 유기막(240)이 가지는 접촉 구멍(240a, 240b) 사이의 위치 관계에 대해 구체적으로 설명한다. 도 5는 일 실시예에 따른 일 화소의 평면도이고, 도 6은 일 화소에 포함되는 보호막의 평면도이고, 도 7은 일 화소에 포함되는 색필터의 평면도이고, 도 8은 일 화소에 포함되는 유기막의 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이 D2 방향을 따라 연장되며 일 화소의 중심을 가로지르는 가상의 중심선(VL)은 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193a), 제2 부화소 전극(191b)의 세로 줄기부(193b), 분압 기준 전압선(178)의 제1 세로부(172a) 및 제2 세로부(172b)와 중첩할 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 보호막(180)은 제1 드레인 전극(175a) 및 제1 부화소 전극(191a)과 중첩하는 제1 접촉 구멍(185a), 그리고 제2 드레인 전극(175b) 및 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하는 제2 접촉 구멍(185b)을 포함한다.
제1 접촉 구멍(185a)을 통해 제1 드레인 전극(175a) 및 제1 부화소 전극(191a)이 연결되고, 제2 접촉 구멍(185b)을 통해 제2 드레인 전극(175b) 및 제2 부화소 전극(191b)이 연결될 수 있다.
제1 접촉 구멍(185a)은 유지 전극선(131)의 제1 돌출부(137a)와 중첩할 수 있으며 제2 접촉 구멍(185b)은 유지 전극선(131)의 제2 돌출부(137b)와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)은 가상의 중심선(VL)을 중심으로 일 측으로 치우치게 위치할 수 있다. 본 명세서는 일 화소가 포함하는 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)이 가상의 중심선(VL)을 중심으로 좌측에 위치하는 실시예를 도시하였으나 이에 제한되지 않고 일부 화소에서는 가상의 중심선(VL)을 중심으로 우측에 위치할 수 있다.
구체적으로 일 화소에 위치하는 화소 전극(191)과 연결되는 데이터선(171)이 화소 전극(191)의 좌측에 위치하는 경우, 화소 전극(191)과 연결되는 박막 트랜지스터는 가상의 중심선(VL)을 중심으로 좌측에 위치할 수 있다(도 5 참조). 이에 따르면 화소 전극(191)과 박막 트랜지스터가 연결되는 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)은 가상의 중심선(VL)을 중심으로 좌측에 위치할 수 있다.
반면 이에 제한되지 않고 화소 전극(191)과 연결되는 데이터선(171)이 화소 전극(191)의 우측에 위치하는 경우, 화소 전극(191)과 연결되는 박막 트랜지스터는 가상의 중심선(VL)을 중심으로 우측에 위치할 수 있다. 이에 따르면 화소 전극(191)과 박막 트랜지스터가 연결되는 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)은 가상의 중심선(VL)을 중심으로 우측에 위치할 수 있다.
도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이 일 화소와 중첩하는 색필터(230)는 제1 드레인 전극(175a)과 제1 부화소 전극(191a)이 연결되는 영역과 중첩하는 제1 개구부(230a)를 포함한다. 색필터(230)는 제2 드레인 전극(175b)과 제2 부화소 전극(191b)이 연결되는 영역과 중첩하는 제2 개구부(230b)를 포함한다.
색필터(230)가 가지는 제1 개구부(230a) 및 제2 개구부(230b)의 중심은 가상의 중심선(VL) 상에 위치할 수 있다. 즉 색필터(230)가 가지는 제1 개구부(230a) 및 제2 개구부(230b)는 일 화소의 중심선 상에 위치하도록 배치될 수 있다.
제1 개구부(230a) 및 제2 개구부(230b) 각각은 가상의 중심선(VL)을 기준으로 평면상 대칭 형태를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 어떠한 형태도 가능함은 물론이다.
제1 개구부(230a)는 제1 드레인 전극(175a) 및 제1 부화소 전극(191a)과 중첩할 수 있다. 제2 개구부(230b)는 제2 드레인 전극(175b) 및 제2 부화소 전극(191b)과 중첩할 수 있다.
제1 개구부(230a) 내측에 후술할 유기막(240)의 접촉 구멍(240a) 및 보호막(180)의 접촉 구멍(185a)이 위치할 수 있다. 제1 개구부(230a)의 내측에 위치하는 접촉 구멍을 통해 제1 부화소 전극(191a)과 제1 드레인 전극(175a)이 연결될 수 있다.
또한 제2 개구부(230b) 내측에 후술할 유기막(240)의 접촉 구멍(240b) 및 보호막(180)의 접촉 구멍(185b)이 위치할 수 있다. 제2 개구부(230b)의 내측에 위치하는 접촉 구멍을 통해 제2 부화소 전극(191b)과 제2 드레인 전극(175b)이 연결될 수 있다.
한편 도 8에 도시된 유기막(240)은 전술한 보호막(180)과 동일한 형태를 가질 수 있다.
유기막(240)은 일 화소와 중첩하면서 제1 드레인 전극(175a)과 제1 부화소 전극(191a)이 중첩하는 영역에 위치하는 제3 접촉 구멍(240a)을 포함한다. 또한 유기막(240)은 제2 드레인 전극(175b)과 제2 부화소 전극(191b)이 중첩하는 영역에 위치하는 제4 접촉 구멍(240b)을 포함한다.
유기막(240)이 가지는 제3 접촉 구멍(240a) 및 제4 접촉 구멍(240b)의 중심은 가상의 중심선(VL)을 기준으로 일측에 위치할 수 있다. 본 명세서는 일 화소가 포함하는 제3 접촉 구멍(240a) 및 제4 접촉 구멍(240b)이 가상의 중심선(VL)을 중심으로 좌측에 위치하는 실시예를 도시하였으나 이에 제한되지 않고 일부 화소에서는 가상의 중심선(VL)을 중심으로 우측에 위치할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이 화소 전극(191)과 연결되는 데이터선(171)이 화소 전극(191)의 좌측에 위치하는 경우, 화소 전극(191)과 연결되는 박막 트랜지스터는 가상의 중심선(VL)을 중심으로 좌측에 위치할 수 있다. 화소 전극(191)과 박막 트랜지스터가 연결되는 제3 접촉 구멍(240a) 및 제4 접촉 구멍(240b)은 가상의 중심선(VL)을 중심으로 좌측에 위치할 수 있다.
반면 이에 제한되지 않고 화소 전극(191)과 연결되는 데이터선(171)이 화소 전극(191)의 우측에 위치하는 경우, 화소 전극(191)과 연결되는 박막 트랜지스터는 가상의 중심선(VL)을 중심으로 우측에 위치할 수 있다. 화소 전극(191)과 박막 트랜지스터가 연결되는 제3 접촉 구멍(240a) 및 제4 접촉 구멍(240b)은 가상의 중심선(VL)을 중심으로 우측에 위치할 수 있다.
제3 접촉 구멍(240a)은 보호막(180)의 제1 접촉 구멍(185a)의 가장자리와 정렬될 수 있다. 제3 접촉 구멍(240a)은 제1 접촉 구멍(185a)과 중첩할 수 있으며 실질적으로 하나의 접촉 구멍을 형성할 수 있다. 제1 접촉 구멍(185a) 및 제3 접촉 구멍(240a)을 통해 제1 드레인 전극(175a)과 제1 부화소 전극(191a)이 연결될 수 있다.
제4 접촉 구멍(240b)은 보호막(180)의 제2 접촉 구멍(185b)의 가장자리와 정렬될 수 있다. 제4 접촉 구멍(240b)은 제2 접촉 구멍(185b)과 중첩할 수 있으며 실질적으로 하나의 접촉 구멍을 형성할 수 있다. 제2 접촉 구멍(185b) 및 제4 접촉 구멍(240b)을 통해 제2 드레인 전극(175b)과 제2 부화소 전극(191b)이 연결될 수 있다.
이하에서는 색필터(230)가 포함하는 일 개구부와 보호막(180)이 포함하는 일 접촉 구멍을 기준으로 설명한다. 보호막(180)이 포함하는 일 접촉 구멍은 유기막(240)이 포함하는 접촉 구멍으로 대체될 수 있음은 물론이다.
색필터(230)가 포함하는 개구부(230a, 230b)의 평면상 넓이는 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)이 가지는 평면상 넓이 보다 클 수 있다. 개구부(230a, 230b)의 가로 방향(D1 방향) 길이는 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 가로 방향 길이 보다 클 수 있다. 또한 개구부(230a, 230b)의 세로 방향(D2 방향) 길이는 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 세로 방향 길이 보다 클 수 있다. 즉 개구부(230a, 230b)의 D1 방향 너비는 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 D1 방향 너비 보다 클 수 있으며, 개구부(230a, 230b)의 D2 방향 너비는 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 D2 방향 너비 보다 클 수 있다.
개구부(230a, 230b)의 중심은 가상의 중심선(VL) 상에 위치하고 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 중심은 가상의 중심선(VL) 상에 위치하지 않는다. 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 중심은 가상의 중심선(VL)으로부터 일 측에 치우친 형태를 가질 수 있다. 개구부(230a, 230b)의 중심과 접촉 구멍(185a, 185b, 240a, 240b)의 중심은 서로 일치하지 않으며 평면상 이격된 상태일 수 있다.
일 실시예에 따르면 유기막(240) 및 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍은 가상의 중심선을 기준으로 일측에 치우치게 배치될 수 있으나 색필터(230)는 가상의 중심선 상에 위치하는 중심을 가지는 개구부(230a, 230b)를 포함함으로써 색필터(230)를 제조하는데 필요한 마스크 패턴이 단순할 수 있다. 또한 주변 영역에 위치하는 색필터(230)를 제조하는 공정에서 색필터(230)가 포함하는 개구부의 방향과 접촉 구멍이 위치하는 방향을 정렬시키기 않아도 되므로 제조 공정이 단순할 수 있다.
이에 대해 도 9 내지 도 10을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 9는 일 실시예에 따른 표시 영역과 주변 영역의 개략적인 평면도이고, 도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치에 배치된 복수의 화소에 대한 개략적인 평면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이 표시 장치(10)는 도 2 또는 도 5에 도시된 일 화소가 행렬 형태로 배치된 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 도 2 또는 도 5에 도시된 형태의 화소가 배치될 수 있으며 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)으로부터 연장된 일부 신호선(미도시)와 함께 더미 색필터(230D)가 위치할 수 있다.
표시 영역(DA)에 위치하는 복수의 화소 중 일부는 각 화소마다 위치하는 가상의 중심선(VL)을 기준으로 중심이 좌측에 위치하는 접촉 구멍을 포함하고, 복수의 화소 중 나머지 일부는 가상의 중심선(VL)을 기준으로 중심이 우측에 위치하는 접촉 구멍을 포함할 수 있다.
일 예로 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)의 경계에 인접하게 위치하는 3개의 화소는 도 2 또는 도 5에 도시된 바와 같이 화소 전극에 연결되는 데이터선이 화소 전극의 좌측에 위치하며 접촉 구멍은 가상의 중심선을 기준으로 좌측에 위치할 수 있다. 또한 D1 방향을 따라 다시 반복되는 3개의 화소는 화소 전극에 연결되는 데이터선이 화소 전극의 우측에 위치하며 접촉 구멍의 중심은 가상의 중심선을 기준으로 우측에 위치할 수 있다.
표시 영역(DA)에 위치하는 색필터(230) 및 주변 영역(PA)에 위치하는 더미 색필터(230)의 개구부의 중심은 가상의 중심선 상에 위치할 수 있다. 가상의 중심선을 기준으로 색필터(230) 및 더미 색필터(230D)의 개구부는 평면상 대칭 형태를 가질 수 있다.
한편 도 10의 상단에 도시된 복수의 화소를 참조하면 표시 영역(DA) 내에 위치하는 복수의 화소는 D1 방향을 따라 3개의 화소를 기준으로 반복될 수 있다. 또한 복수의 화소는 D2 방향을 따라 3개의 화소를 기준으로 반복될 수 있다. 이때 일 화소는 도 2 또는 도 5에서 도시한 일 화소를 의미한다.
도 10을 참조하면 표시 영역(DA)의 1행 1열에 위치하는 일 화소는, 일 예로 일 화소 전극의 좌측에 위치하는 데이터선(171)과 연결된 박막 트랜지스터에 연결될 수 있다. 이와 유사하게 2행 1열 및 3행 1열에 위치하는 각각의 화소 전극은 화소 전극의 우측에 위치하는 데이터선(171)과 연결된 박막 트랜지스터에 연결될 수 있다. 화소 전극과 박막 트랜지스터가 연결된 상태를 데이터선(171)으로부터 돌출된 직선 형태로 나타냈다.
한편 주변 영역(PA)에 위치하는 더미 색필터를 형성하기 위해 색필터를 형성하는 마스크를 주변 영역(PA)에 위치하도록 배치할 수 있다. 이때 색필터의 개구부가 가상의 중심선을 기준으로 일측에 치우치게 위치하는 경우, 색필터의 개구부와 접촉 구멍 사이의 정렬을 고려해야 한다.
일 예로 도 10의 하단에 도시된 복수의 화소와 같이 9열에 해당하는 마스크 패턴을 주변 영역(PA)에 위치시켜야 표시 영역(DA)에 위치하는 색필터의 개구부와 드레인 전극의 일부를 노출하는 접촉 구멍이 동일한 위치(가상의 중심선을 기준으로 좌측 또는 우측)에 정렬될 수 있다. 이 경우 더미 색필터가 9열에 이르게 되므로 주변 영역이 차지하는 너비가 커지는 문제가 생길 수 있다.
그러나 일 실시예에 따르면 색필터의 개구부의 중심은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)에 걸쳐 일 화소가 가지는 가상의 중심선 상에 위치한다. 도 10에 도시된 바와 같이 상대적으로 많은 수의 더미 색필터(230D)를 형성할 필요가 없으며 상대적으로 적은 수의 더미 색필터(230D)를 형성하면서도 박막 트랜지스터와 화소 전극이 중첩하는 영역(접촉 구멍이 형성된 영역)과 중첩하는 개구부를 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 제1 기판
121: 게이트선
171: 데이터선
180: 보호막
185a, 185b, 240a, 240b: 접촉 구멍
191: 화소 전극
230: 색필터
230a, 230b: 개구부
VL: 가상의 중심선

Claims (20)

  1. 행렬 형태로 배치된 화소를 포함하는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 기판 위에 위치하며 서로 절연된 게이트선 및 데이터선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 보호막,
    상기 보호막이 가지는 접촉 구멍을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극과 중첩하는 색필터를 포함하고,
    상기 색필터는 상기 접촉 구멍과 중첩하는 개구부를 포함하고,
    상기 개구부의 중심은 상기 화소를 가로지르는 가상의 중심선 상에 위치하며 상기 접촉 구멍은 상기 가상의 중심선을 기준으로 일측에 위치하고,
    상기 화소 전극은
    가로 줄기부, 세로 줄기부 및 상기 가로 줄기부 및 상기 가로 줄기부로부터 연장된 미세 가지부를 포함하고,
    상기 가상의 중심선은 상기 화소 전극의 세로 줄기부와 중첩하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 가상의 중심선은 상기 데이터선 연장 방향을 따라 연장되는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 색필터의 개구부는 상기 가상의 중심선을 기준으로 평면상 대칭 형태를 가지는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 접촉 구멍의 평면상 넓이는 상기 개구부의 평면상 넓이 보다 작은 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 개구부의 너비는 상기 접촉 구멍의 너비 보다 큰 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 개구부의 중심과 상기 접촉 구멍의 중심이 일치하지 않는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 게이트선과 동일한 층에 위치하는 유지 전극선을 포함하고,
    상기 유지 전극선은 상기 접촉 구멍과 평면상 중첩하는 돌출부를 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 유지 전극선은 상기 게이트선과 평행하게 연장된 가로부를 포함하고,
    상기 돌출부는 상기 가로부로부터 돌출된 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 돌출부는 상기 개구부와 중첩하는 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 화소 전극과 동일한 층에 위치하는 차폐 전극을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 차폐 전극은 상기 게이트선 연장 방향을 따라 연장되는 표시 장치.
  12. 행렬 형태로 배치된 화소를 포함하는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 기판 위에 위치하며 서로 절연된 게이트선 및 데이터선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 유기막,
    상기 유기막이 가지는 접촉 구멍을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극과 중첩하는 색필터를 포함하고,
    상기 색필터는 상기 접촉 구멍과 중첩하는 개구부를 포함하고,
    상기 개구부의 중심은 상기 화소를 가로지르는 가상의 중심선 상에 위치하며 상기 접촉 구멍은 상기 가상의 중심선을 기준으로 일측에 위치하고,
    상기 화소 전극은
    가로 줄기부, 세로 줄기부 및 상기 가로 줄기부 및 상기 가로 줄기부로부터 연장된 미세 가지부를 포함하고,
    상기 가상의 중심선은 상기 화소 전극의 세로 줄기부와 중첩하며,
    상기 개구부의 중심과 상기 접촉 구멍의 중심이 일치하지 않는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 가상의 중심선은 상기 데이터선 연장 방향을 따라 연장되는 표시 장치.
  14. 제12항에서,
    상기 접촉 구멍의 평면상 넓이는 상기 개구부의 평면상 넓이 보다 작은 표시 장치.
  15. 제12항에서,
    상기 유기막은 상기 색필터와 상기 화소 전극 사이에 위치하는 표시 장치.
  16. 제12항에서,
    상기 주변 영역에 위치하는 더미 색필터를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제12항에서,
    상기 게이트선과 동일한 층에 위치하는 유지 전극선을 포함하고,
    상기 유지 전극선은 상기 접촉 구멍과 평면상 중첩하는 돌출부를 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 유지 전극선은 상기 게이트선과 평행하게 연장된 가로부를 포함하고,
    상기 돌출부는 상기 가로부로부터 돌출된 표시 장치.
  19. 제17항에서,
    상기 돌출부는 상기 개구부와 중첩하는 표시 장치.
  20. 제12항에서,
    상기 화소 전극과 동일한 층에 위치하는 차폐 전극을 포함하며, 상기 차폐 전극은 상기 게이트선 연장 방향을 따라 연장되는 표시 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101418589B1 (ko) * 2008-01-04 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060082105A (ko) * 2005-01-11 2006-07-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101462163B1 (ko) 2008-07-03 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4826626B2 (ja) * 2008-12-05 2011-11-30 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
KR101668380B1 (ko) * 2009-05-19 2016-10-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20100129027A (ko) * 2009-05-29 2010-12-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR102150033B1 (ko) 2014-01-14 2020-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102297858B1 (ko) * 2015-01-06 2021-09-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102260872B1 (ko) * 2015-01-09 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102420398B1 (ko) * 2015-11-24 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR102493218B1 (ko) 2016-04-04 2023-01-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20180014363A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6648737B2 (ja) * 2017-06-30 2020-02-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101418589B1 (ko) * 2008-01-04 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널

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