CN101728293A - Mos晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法 - Google Patents
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102621459A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 漏源击穿电压测试装置以及漏源击穿电压测试方法 |
CN102646591A (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的制造方法 |
CN103972145A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 北大方正集团有限公司 | Goi硅片制作方法、goi硅片及goi检测方法 |
CN104078343A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-10-01 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法 |
CN104103540A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海华力微电子有限公司 | 监控图形晶片栅极氧化层表面的方法 |
CN104101824A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海华力微电子有限公司 | 监控图形晶片栅极氧化层表面的方法 |
CN104752246A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于判定gox击穿失效的样品制备方法 |
CN104851818A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 介质层缺陷的检测方法和检测装置 |
CN105990112A (zh) * | 2015-01-30 | 2016-10-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体器件的制作方法 |
CN109166842A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于评估栅氧层tddb极性差异的测试结构及测试方法 |
CN112986772A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-06-18 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种电介质击穿测试电路及其测试方法 |
WO2021196990A1 (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 测试电路及半导体测试方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6049213A (en) * | 1998-01-27 | 2000-04-11 | International Business Machines Corporation | Method and system for testing the reliability of gate dielectric films |
CN1187809C (zh) * | 2001-05-21 | 2005-02-02 | 华邦电子股份有限公司 | 时间相依介电崩溃测试电路及测试方法 |
CN1284221C (zh) * | 2003-12-30 | 2006-11-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 定位结构及其定位方法 |
CN101281898B (zh) * | 2007-04-03 | 2010-05-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 栅介质层完整性的测试结构的测试方法 |
-
2009
- 2009-11-10 CN CN 200910198562 patent/CN101728293B/zh active Active
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102646591B (zh) * | 2011-02-22 | 2015-09-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的制造方法 |
CN102646591A (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的制造方法 |
CN102621459A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 漏源击穿电压测试装置以及漏源击穿电压测试方法 |
CN103972145A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 北大方正集团有限公司 | Goi硅片制作方法、goi硅片及goi检测方法 |
CN103972145B (zh) * | 2013-01-25 | 2016-07-06 | 北大方正集团有限公司 | Goi硅片制作方法、goi硅片及goi检测方法 |
CN104752246A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于判定gox击穿失效的样品制备方法 |
CN104752246B (zh) * | 2013-12-26 | 2018-03-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于判定gox击穿失效的样品制备方法 |
CN104851818A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 介质层缺陷的检测方法和检测装置 |
CN104078343A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-10-01 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法 |
CN104078343B (zh) * | 2014-07-02 | 2017-02-01 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法 |
CN104101824A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海华力微电子有限公司 | 监控图形晶片栅极氧化层表面的方法 |
CN104103540A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海华力微电子有限公司 | 监控图形晶片栅极氧化层表面的方法 |
CN104103540B (zh) * | 2014-07-24 | 2017-02-15 | 上海华力微电子有限公司 | 监控图形晶片栅极氧化层表面的方法 |
CN104101824B (zh) * | 2014-07-24 | 2017-06-27 | 上海华力微电子有限公司 | 监控图形晶片栅极氧化层表面的方法 |
CN105990112A (zh) * | 2015-01-30 | 2016-10-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体器件的制作方法 |
CN109166842A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于评估栅氧层tddb极性差异的测试结构及测试方法 |
CN109166842B (zh) * | 2018-08-27 | 2020-04-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于评估栅氧层tddb极性差异的测试结构及测试方法 |
WO2021196990A1 (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 测试电路及半导体测试方法 |
US11988704B2 (en) | 2020-04-03 | 2024-05-21 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Test circuits and semiconductor test methods |
CN112986772A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-06-18 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种电介质击穿测试电路及其测试方法 |
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Publication number | Publication date |
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