CN101696091B - 用于反射热辐射的装置、该装置的制造方法及其应用 - Google Patents

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Abstract

一种反射热辐射的装置，具有高的例如在500℃下长达100小时的耐热性，包括衬底，所述衬底在至少一个侧面上具有反射热辐射的层(A)，所述层含有铟锡氧化物，其中所述层(A)被阻挡层(B)覆盖，所述阻挡层含有至少一种金属氧化物和/或至少一种金属氮化物。本发明还涉及该装置的制造方法及其应用。这种装置适合于用在壁炉或烘焙炉中。

Description

用于反射热辐射的装置、该装置的制造方法及其应用
技术领域
本发明涉及一种反射热辐射的装置，包括特别是透明的衬底，如玻璃或玻璃陶瓷，该衬底在至少一个侧面上具有热反射的金属氧化层和必要时的其它的金属氧化层，本发明还涉及该装置的制造方法及其应用。 
背景技术
很多材料，更确切地说，既透光又透明的衬底，例如玻璃，可以通过在其表面上涂敷层来设有新的特性。因此例如已知对于可见光可透过，而对于其它光源例如在红外光谱或者在UV范围内的光只可有限透过的涂层。被如此涂层的部件或装置用于建筑玻璃、工业设备、壁炉、烘焙炉或车窗。 
因此，例如用于私人使用的燃烧木头的壁炉在当前配设有所谓的 -壁炉观察玻璃窗(Fa.Schott股份公司，德国)。这种炉目前具有高的热功率，其中大部分热量通过壁炉观察玻璃窗排出。此点在点燃炉时是所希望的，因为在开始加热时要将尽可能多的热量排放到房间中，进而使得房间尽快升温。 
另一方面，很多热量通过如下方式产生，即火焰尽快达到调节好的燃烧状况，也就是说，燃烧物必须在尽可能高的温度下燃烧。但在壁炉已达到所希望的燃烧功率时，大部分热量仍然通过壁炉观察玻璃窗排出，且壁炉周围区域即炉底和在炉附近的物体被大大地加热。如果现在木质底或其它昂贵的家具处于壁炉观察玻璃窗附近，则取决于木头类型会出现严重程度或大或小的老化过程。 
在壁炉观察玻璃窗处通常会产生明显高于250℃的温度。因此特别是对于玩耍的儿童来说，壁炉观察玻璃窗是危险源。 
在壁炉中燃烧时，视燃烧状态而定，产生氧化氮、一氧化碳和/或二氧化碳以及炭黑和细灰尘。这些产生物既会在开始燃烧时产生，又会在达到额定热量时产生。 
此外，现代的壁炉通常还与中央的供暖系统藕联，其中多余的热量通过烟气排出，且其热量可以被再次利用。因此，多余的能量可以得到 附加利用，否则会留在炉中和/或排放至周围环境。 
由US 2005/0064205 A1已知玻璃制品，其包括透明的耐热的平面玻璃 这种平面玻璃设有或多或少的透光层。当波长在380nm和370nm之间时，可见光的平均透光率为0.03-15％，当在红外范围内波长为1000nm-2500nm时，平均反射率为至少50％。作为红外反射层，该文件中还记载了掺杂锡的氧化铟。 
在WO 03/093185中记载了一种特别适合于光电池的涂层玻璃。这种玻璃具有作为电极的导电层，导电层包括至少掺杂有一种或多种元素的氧化铟层。该层本身可以通过由纯金属或金属氮化物构成的保护层被涂敷。该文件中还提到将这种电极用作热绝缘涂层。 
发明内容
因此本发明的目的是提出一种装置，其允许在光谱的红外部分中反射尽可能多的辐射，而在光谱的可见部分中的完全透明性则要基本保持不变。另外，该装置在高的使用温度下，特别是在直至500℃的使用温度下要保持耐热。 
此外，该装置应减小在壁炉观察玻璃窗之前的温度和在壁炉观察玻璃窗处的温度，减小的程度使得壁炉之前的物体不会受到由壁炉的热量影响引起的老化。特别是将提出如下装置：其负责将热量保留在壁炉中，从而即使在壁炉工作时也能至少短时间地从外部接触该装置，而不会在这种情况下难以燃烧。 
本发明的另一目的是，提出如下装置：其允许在壁炉中在点燃状态下利用较高的燃烧温度在短时间内促进燃烧以及提高在整个燃烧期间的温度。通过这种方式，将既减少炭黑和细灰尘的产生，又减少氧化氮的产生。另外通过这种方式可以得到附加的热量，所述热量可以通过烟气排出并得到再次利用。 
前述目的通过在权利要求书中限定的特征来实现。因为根据本发明会发现，含有铟锡氧化物(ITO)的薄的金属氧化物层特别良好地反射红外光。该层在下面称为层A。在这种情况下，反射热量的层尽管除了铟锡氧化物外还含有由现有技术已知的其它组分，但它优选含有至少30％(重量)的铟锡氧化物，优选至少50％，特别是至少70％，其中根据一种优选的实施方式，它具有至少80％的ITO。根据一种通常的实施 方式，除了必要时存在的污物外，它基本上完全由铟锡氧化物构成。 
本发明的反射热量的装置因此包括基底衬底，该基底衬底优选为平面状，且在至少一个侧面上具有反射热量的层，该层含有铟锡氧化物(ITO)或者由其构成。在反射热量的层上面设置有覆盖ITO层的阻挡层。该阻挡层特别是含有金属氧化物和/或金属氮化物。由此产生层序列：衬底/I TO层(A)/阻挡层(B)。 
阻挡层(B)可以实现进一步延长耐热时间。特别地，阻挡层(B)可以实现壁炉在450℃和500℃之间的温度下，优选在500℃的温度下工作超过80小时，特别是超过100小时，其中特别优选超过130小时。 
氧化物或氮化物优选是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、TiO2、SiOxNy、ZrO2、MoO2、Nb2O5。 
氮化硅也可以具有不同于上述化学计量的成分，且含有其它元素，例如作为氧化物的氧。但氮化硅优选含有少于5％(原子)的氧，特别优选含有少于2％(原子)的氧，更特别优选氮化硅不含氧。 
阻挡层(B)的厚度优选在至少50nm的范围内，通常为至少100nm，其中厚度优选最大为400nm。特别优选厚度在300nm-400nm的范围内。优选阻挡层(B)由二氧化硅构成。 
根据本发明设置的阻挡层在AAS测试中具有高的阻挡特性。 
为此，使用0.1m的HCL，在98℃下对层浸提(Auslaugung)1小时，剩余部分借助Na2O来确定。剩余部分在本发明的层中低于1μg/dm2，这例如使用AAS(原子吸收光谱仪)来证明。 
ITO层(A)和阻挡层(B)共同用作反射器或干涉系统。通过这种干涉系统可以使得等离子边(Plasmakante)附加地移至其它较低的波长。优选等离子边在这种情况下处于在1200nm和1300nm之间的范围内。阻挡层(B)的厚度在此根据阻挡层的折射率来选择。利用这种干涉光效应，可以实现等离子边移至较低的波长，更确切地说，在反射70％的情况下移动200nm，优选移动300nm，其中特别优选移动至少400nm。 
不言而喻，除了本发明的反射热量的层外，还可以在ITO层上方和下方设置有其它反射热量的层。该层设置在衬底的如下侧面上，即该侧面面向热源，或者有待反射的热量或IR辐射从该侧面射到装置上。不言而喻，该层也可以位于背离热量的侧面上，按照一种特别有益的形式，本发明的层位于衬底的两个侧面上。 
作为平面的基底衬底或载体材料，优选使用透明的载体材料，例如玻璃、玻璃陶瓷和/或其它陶瓷。但原则上也可以为其它并不透光或透明的材料例如金属、木头或塑料设置本发明的反射热量的层，以便保护位于其下面的衬底免于严重受热。 
在本发明的装置中所含有的反射热量的铟锡氧化物IT0层的厚度优选为至少100nm。优选的最小厚度为300nm或450nm，其中优选的最大厚度为800nm或700nm。特别优选的最大厚度为600nm。 
根据另一种优选的实施方式，电子密度即反射热量的ITO层的每单位体积的电子数量为至少1.0*1021cm-3-1.7*1021cm-3，优选最多至1.2*10 -12cm。 
铟锡氧化物ITO(铟锡氧化物)是一种半导的透明材料。优选铟锡氧化物的锡含量在5％和20％之间，或者在7％和13％之间，特别优选在8％和12％之间，更特别优选在9％和11％之间，分别以锡和铟的总量(100％重量)为基准。通常采用的锡含量约为10％。 
ITO层透明且能导电。但不可忽视，透明特性和导电特性随着电子密度相反地改变。导电性随着电子密度而增加，而在可见范围内的透光性则随着电子密度的增加而减小。因此，根据本发明，电子密度的大小决不能使得装置在可见的范围内丧失其透光性。 
ITO层中的电子的活动性优选为至少25cm2/Vs，特别为至少40cm2/Vs，其中特别优选为至少42cm2/Vs。优选的最大的活动性为50cm2/Vs，特别是最大为48cm2/Vs。在温度为20℃时，通常的活动性约为45±1cm2/Vs。 
反射光谱的特征是等离子边。就固体而言，等离子边处于光谱的出现所谓的等离子谐振之处。等离子边将反射光谱有效地划分为两个范围，即：长波长的一侧，在此对辐射进行反射；和短波长的一侧，其对于具有相应较短的波长的辐射来说是可透过的。 
ITO层的等离子边最好在1200nm和1800nm之间，优选在1200nm和1600nm之间。因为玻璃陶瓷并不反射＜4.5μm的波长，另一方面火焰光谱在约为3.5μm时，且高温光谱在约为2.5μm时就已经分别达到其最大值，所以为此需要很陡峭的且将移动至低波长的等离子边，以便实现尽可能有效的热量反射。 
在可见光和较长波长的微波之间的光谱范围内的电磁波称为红外 辐射。这相应于在约780nm-1mm范围内的波长，其中对于本发明而言，在350μm-5μm之间的范围特别重要。 
可见光的波长在380nm-780nm之间的范围内。 
反射率(反射能力)反映了在反射强度和入射强度之间的比率，例如光的反射强度和入射强度之间的比率。 
透射率被规定为在障碍物之后的光波强度和在障碍物之前的光强度之间的比率。 
折射率随着波长而改变。根据本发明，术语“折射率”系指波长为550nm的光的折射率，在分析和说明折射率时将忽略折射率的虚数部分。 
优选装置或层系统在红外范围(5μm)内的反射率为至少0.7，特别优选至少0.8，更特别优选至少0.9。这些值在500℃下热负载至少100小时之后仍然保持不变。IR辐射取决于波长，根据一种优选的实施方式，由于干涉效应，在1.6μm-1.45μm范围内时，通常为至少50％，在1.8μm-1.5μm范围内时，通常为至少60％，在2.05μm-1.63μm范围内时，通常为至少70％。 
根据本发明的层系统在500℃下热负载至少100小时之后在实验室颜色体系中仍然具有dE＜4的颜色改变。 
这种折射率可通过通常的分光光度计来简单地确定。 
反射热量的层(A)在可见范围内的透射率优选至少为70％，特别是至少为80％，更特别优选至少为85％。这些透射率值最好还将由反射热量的层(A)加上阻挡层(B)的组合来达到。 
优选ITO层(A)的表面电阻＜10Ω/□，特别优选＜7Ω/□，更特别优选＜4Ω/□(其中□表示平方)。优选ITO层(A)的折射率在1.8-2的范围内。 
优选装置的衬底是玻璃和/或玻璃陶瓷。合适的玻璃是含有碱的浮动玻璃，例如硼硅玻璃(例如美因兹市Schott股份公司的Borofloat、特别是Borofloat 33或Borofloat 40、Duran)，恰好如同无碱的玻璃(例如美因兹市Schott股份公司的AF37、AF45)、铝硅玻璃(例如美因兹市Schott股份公司的FIOLAX、ILLAX)、Li2O-Al2O3-SiO2浮动玻璃、脱色浮动玻璃和钙钠玻璃。 
用作含有碱的玻璃陶瓷的通常的玻璃陶瓷例如是锂-铝-硅酸盐(LAS玻璃陶瓷，如 或 美因兹市Schott 股份公司的所有品牌)，但也可以使用无碱的玻璃陶瓷，如镁-铝-硅酸盐(MAS)。作为玻璃陶瓷，也可以使用如在DE 10 2005 032 786 A1中记载的锂-铝-硅酸盐-玻璃陶瓷。 
该装置在本发明的范围内不仅在材料方面不受限制，而且在形状方面不受限制，从而例如可以使用平的、圆的、倒圆的、大的和小的形状。优选采用由玻璃和/或玻璃陶瓷构成或者具有玻璃和/或玻璃陶瓷的、玻璃窗形式的平的形状。 
因此本发明还涉及一种装置，其反射热量的、含有ITO的层(A)的厚度在580nm-630nm的范围内，优选厚度为600±5nm，其优选由SiO2构成的阻挡层(B)的厚度在340nm-360nm的范围内，优选为355±4nm。 
具有由ITO层(A)和阻挡层(B)构成的层系统的透明的装置以装置本身为基准在光的可见的范围内的透射率＞85％，特别优选＞90％。 
阻挡层(B)的折射率优选在1.3-1.8的范围内，最好在1.4-1.7的范围内。通过对ITO层(A)和阻挡层(B)的折射率的相应的选择，该层系统没有干涉颜色。含有前述层系统的装置在光入射的情况下在实验室颜色体系中的颜色改变优选最多为dE＝10，特别优选最多为dE＝8，更特别优选最多为dE＝4，更确切地说，同样在至多500℃的热负载之后。 
根据另一优选的实施方式，阻挡层(B)由多个单独的子层构成，特别是由3至5个单独的子层构成，这些子层例如可借助SEM摄影通过接口看到。 
根据一种特别优选的实施方式，阻挡层(B)起到保护ITO层(A)或透明的衬底免于产生裂纹的作用。优选阻挡层(B)的厚度在300nm至400nm之间。 
阻挡层(B)还用作保护ITO层(A)免于化学腐蚀的保护层，用作机械的保护层，如刮伤防护层，用作具有光学功能的层，用作能够改善对必要时位于其上的层的粘附的层。这些层例如含有锌和镁的LAS陶瓷的组分可由DE 10 2005 032 786 A1得到。 
阻挡层(B)本身可以附加地被涂层上或涂敷易于清洁的表面。根据另一实施方式，该附加层(D)具有很硬的表面。如果阻挡层(B)位于烘焙炉观察玻璃窗的内侧面，则它通常 
-在300℃下能耐热100小时； 
-在有各种不同的直接污染物(例如乳酪、调味沙司、凝乳、猪 肚、李子酱)时在高温下(至多300℃)易于清洁； 
-使用通常的抹布或海绵，例如使用通常的小块纤维布进行的刮擦试验、擦刷试验中表现出良好的机械稳定性；和 
-耐各种不同的化学清洁剂，例如烘焙炉喷雾、冲洗介质、清洁醋和食品。 
本发明还涉及如下装置：其中在衬底和ITO层(A)之间设置有分隔层(C)，该分隔层由优选同样从二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)中选出的至少一种金属氧化物和/或金属氮化物构成。其它合适的材料是TiO2、SiOxNy、ZrO2、MoO2、Nb2O5。 
由于分隔层(C)，等离子边的位置如前所述并不改变。分隔层(C)减少了碱离子从衬底扩散到反射热量的层(A)中，并防止导电性恶化。此外，分隔层(C)防止了铟扩散至衬底和反射层(A)的边界面。 
优选分隔层(C)的厚度在50nm至200nm的范围内，特别优选在80nm至120nm的范围内，更特别优选为100nm。 
优选分隔层(C)由二氧化硅构成。 
根据一种有益的设计，本发明的装置的分隔层(C)的厚度为80nm至120nm，优选为100±10nm，特别优选为100±5nm，其ITO层(A)的厚度为580nm至630nm，优选为600±10nm，其阻挡层(B)的厚度为340nm至360nm，优选为355±5nm或355±2nm。 
该层系统同样用作干涉系统，其允许进一步提高壁炉或烘焙炉的内部空间的温度，同时导致降低壁炉前面的温度。 
本发明的具有由分隔层(C)/ITO层(A)/阻挡层(B)构成的层系统的装置在可见光内的透射率优选＞85％，特别优选＞90％。 
本发明的由阻挡层(B)/ITO层(A)和分隔层(C)构成的层系统既可以位于壁炉观察玻璃窗或烘焙炉观察玻璃窗的外侧面上，又可以位于其内侧面上。只要层系统位于外面，就会产生从外到内的层序列：阻挡层(B)/ITO层(A)/分隔层(C)。该层系统可以实现减少在壁炉观察玻璃窗的内侧面上产生炭黑。 
只要层系统位于壁炉的内侧面上，就会产生从外到内的层序列：衬底/分隔层(C)/ITO层(A)/阻挡层(B)。该层系统可以实现轻易地去除在壁炉观察玻璃窗上可能出现的炭黑。 
本发明的另一透明装置具有层序列：阻挡层(B)/ITO层(A)/ 分隔层(C)/衬底/分隔层(C)/ITO层(A)/阻挡层(B)。由于在衬底两侧都进行涂层，可以达到衬底外侧面上的温度，这些温度明显提高了在接触观察玻璃窗时的安全性。 
优选ITO层(A)采用溅射方法(阴极溅射)来涂敷。 
溅射方法优选从由DC磁控管溅射、RF溅射、HF溅射、DC二极管溅射、DC三极管溅射和反应MF溅射构成的组中选取，其中DC磁控管溅射以及反应MF溅射是特别优选的。 
溅射是一种物理过程，其中通过用带有能量的离子(主要是惰性气体离子)进行轰击使得原子从固体(目标)中脱离，并过渡成气态。在溅射时，材料从具有一定的目标功率密度的被轰击的目标中脱离。 
根据本发明，在涂敷含有反射热量的铟锡氧化物的层(A)时，使用优选在4W/cm2-8W/cm2范围内，特别优选在4W/cm2-6W/cm2范围内或4W/cm2-5W/cm2范围内的目标功率密度。 
作为用于溅射的目标，可以使用主要由铟(In)氧化物和锡(Sn)氧化物构成的合成金属氧化物烧结体。该方法所使用的目标的通常的烧结密度为至少80％，优选至少90％，其中特别优选至少95％。另外，作为氧化物，目标可以代替一部分锡氧化物而含有少量的例如10％的至少一种金属，或者这种金属的全部量，这种金属从钛[Ti]、铜[Cu]、锌[Zn]、锗[Ge]、锑[Sb]、镓[Ga]、铈[Ce]、钨[W]、铼[Re]、铅[Pb]和其它金属中选取。 
可以在ITO层(A)上涂敷阻挡层(B)，所采用的方法从由溅射、真空蒸镀方法如CVD(化学气相沉积)和PVD(物理气相沉积)、电子束蒸镀、离子电镀方法和火焰热解、浸入式涂层或溅射热解构成的组中选取。相同的方法适合于将分隔层(C)涂敷到透明的衬底上。用于涂敷氮化硅的方法例如在DE 698 13 648和DE 695 03 896中公开。 
由二氧化硅构成的层也可以采用溶胶-凝胶方法如在DE 103 36 041中所记载的那样来涂敷。 
同样可以通过火焰热解如在DE 10 2004 053 706中所述那样将分隔层(C)涂敷到衬底上。 
优选采用溅射方法将阻挡层(B)涂敷到ITO层(A)上。在这种情况下，在涂敷时特别是使用在10W/cm2-20W/cm2范围内，优选在12W/cm2-17W/cm2范围内，特别是为15±1W/cm2的目标功率密度。 
优选采用溅射方法将分隔层(C)涂敷到衬底上。在涂敷时优选使用在10W/cm2-20W/cm2范围内，特别优选在12W/cm2-17W/cm2范围内，更特别优选为15±1W/cm2的目标功率密度。 
根据本发明的另一实施方式，在涂敷阻挡层(B)之后将由具有ITO层(A)和阻挡层(B)的衬底构成的物体退火。 
退火在此系指在300℃和700℃之间，优选在350℃和500℃之间的温度下进行热处理。退火时间为1小时-100小时，优选为至少2小时，特别是至少3小时。 
退火过程允许消除ITO层中的缺陷处。通过这种方式可以改善ITO层的导电性。退火过程优选在存在阻挡层(B)的情况下进行。 
本发明还涉及前述装置的用于对热物体的热屏蔽的应用。这种应用例如涉及在工业设备建造例如玻璃、金属的熔化中，在炉过程中或者在加热系统的燃烧器等中对热过程的观察。优选该装置在壁炉中特别是用作透明的观察窗，通过该观察窗可以观察炉中的火焰。但原则上也可以将本发明的装置用于给壁炉中的燃烧室加炉衬。 
通过本发明的装置可以提高壁炉中的燃烧温度。这种提高负责使得内室中的温度在短时间内提高，从而在点燃时就已经产生少量的氧化氮和炭黑/细灰尘。炭黑被附加地燃烧，从而产生较多的热量。 
根据本发明的上述透明物体也适合于用在烘焙炉中。优选上述透明物体用作烘焙炉中的观察窗或者用于给烘焙炉内室加炉衬。 
测量方法
制造实例1： 
在高的溅射功率下制造一种I R反射的系统，该系统被顺序地涂敷有100nm厚的SiO2层、600nm厚的ITO层以及350nm厚的阻挡层。在此为了实现良好的阻挡效果(AAS：≤1μg/cm2)分别溅射15W/cm2的SiO2层。为了实现尽可能耐热的TCO涂层，制造4.3W/cm2的I TO层。在此在制造时ITO负载通常不高于3W/cm2。利用如此得到的层系统来进行如下测量。 
实例
a)壁炉观察玻璃窗前面的温度 
所述层系统接下来在燃烧木头的壁炉中用作壁炉观察玻璃窗。根据EN 13240，在按照规定烧尽橡木和山毛榉期间，通过按规定为木头设有分布均匀的质量，在壁炉观察玻璃窗前不远处，使用热电偶检测在5个 不同的沿着整个玻璃窗均匀分布的位置(左、右、上、下、中)处的温度，以便研究热辐射。替代地，使用热量计来加热水，利用热量计来检测从壁炉观察玻璃窗区域排放的全部热量。层系统朝向背离炉的一侧。在烧尽期间，通过未涂层的壁炉观察玻璃窗，在玻璃窗前面3cm处的温度达到180℃。另外，玻璃窗本身更热(约为300℃-400℃)。 
就市场上常见的F而言：涂敷有氧化锡的玻璃陶瓷在间隔3cm处温度最多减小至约90℃-100℃。 
由于在一侧使用上述层系统，在窗前面间隔3cm处的温度最多可以减小至70℃。 
通过在两侧给玻璃窗上的本发明的层系统涂层，在观察窗前面间隔3cm处的温度最多可以减小至约40℃-50℃。 
温度变化曲线在附图1中示出。 
b)在壁炉烟管中的温度变化曲线 
图1利用关于时间的温度变化曲线示出了不同涂层的壁炉观察玻璃窗的热负载的结果； 
图2示出壁炉烟管中的温度关于时间的变化曲线。 
由于采用了本发明的高度IR反射的系统，可以实现减少在炉窗上产生炭黑。虽然窗比较热，然而由此还使得炭黑在内侧面燃烧。但由于炉腔中窗前面的温度较高，很少有炭黑颗粒沉积，而且完全是纯炭黑颗粒，因为树脂化合物已预先燃烧。窗因此可以用干布轻易地清洁。与此相反，未涂层的窗则必须麻烦地用磨蚀的布借助清洁剂来清洁。炉腔内的高温也可以通过烟管中快速上升的温度来得到证实。如由附图2可见，本发明的涂层在点燃开始时就使得温度快速上升，相反，现有技术的涂层则非常缓慢地才能达到所述温度。 

Claims (19)

1.一种反射热辐射的装置，具有高的直至500℃的耐热性，包括衬底，所述衬底在至少一个侧面上具有反射热辐射的层(A)，其特征在于：所述层含有铟锡氧化物和具有在1200nm和1800nm之间的等离子边，和所述层被阻挡层(B)覆盖，所述阻挡层含有至少一种金属氧化物和/或至少一种金属氮化物，所述阻挡层(B)根据它的折射率具有这样的厚度，即它与所述层(A)一起形成一个干涉系统，所述干涉系统使得等离子边在反射70％的情况下移动200nm而移至较低的波长。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述层(A)的厚度为100nm至800nm。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述层(A)具有1.0×1021cm-3至1.7×1021cm-3的电荷密度。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于：所述层(A)具有1.0×1021cm-3至1.7×1021cm-3的电荷密度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于：所述衬底和所述装置是透明的。
6.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于：所述反射热量的层(A)在可见范围内具有至少70％的透射率。
7.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于：在20℃的温度下在所述反射热量的层(A)中电子具有在25cm2/Vs和50cm2/Vs之间的活动性。
8.如权利要求5所述的装置，其特征在于：所述透明的衬底是玻璃和/或玻璃陶瓷。
9.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于：所述阻挡层(B)由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al203)和/或Ti02、SiOxNy、Zr02、MoO2、Nb205构成。
10.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于：所述阻挡层(B)的厚度在50nm至400nm的范围内。
11.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于：所述装置在所述衬底和所述反射热量的层(A)之间具有分隔层(C)，所述分隔层由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和/或氧化铝(Al2O3)构成。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于：所述分隔层(C)的厚度在10nm至200nm的范围内。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于：所述分隔层(C)的厚度在80nm至120nm的范围内。
14.如权利要求12所述的装置，其特征在于：所述分隔层(C)的厚度为100nm。
15.一种方法，用于制造根据前述权利要求中任一项的反射热量的装置，其特征在于：所述反射热量的、含有铟锡氧化物的层采用溅射方法来涂敷，此外涂敷阻挡层，该阻挡层含有至少一种金属氧化物和/或金属氮化物。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于：在涂敷所述层时，使用至少为4W/cm2至5W/cm2的目标功率密度。
17.如权利要求15至16中任一项所述的方法，其特征在于：所述阻挡层所采用的涂敷方法从由溅射、溶胶-凝胶方法、真空蒸镀方法、电子束蒸镀、离子电镀方法和热解方法构成的组中选取。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于：所述真空蒸镀方法是化学气相沉积CVD和物理气相沉积PVD。
19.根据前述权利要求中任一项所述的装置在壁炉或烘焙炉中的一种应用。
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