CN101644863A - Tft-lcd像素结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种TFT－LCD像素结构及其制造方法，结构包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，所述数据线位于每一像素单元的中间，所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄膜晶体管，所述公共电极线与所述数据线平行，并与所述像素电极形成至少二个存储电容。本发明还提供了一种TFT－LCD像素结构的制造方法。本发明涉及的TFT－LCD像素结构及其制造方法通过在同一像素单元设置多个薄膜晶体管和存储电容，有效降低大型的TFT－LCD生产中各种不良的发生几率，提高产品的良率。

Description

TFT-LCD像素结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，特别是一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法。
背景技术
在平板显示技术中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，以下简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，随着TFT-LCD的大型化发展趋势，对画面品质要求越来越高，面板尺寸越来越大，单个像素的大小也越来越大，因此生产中发生各种不良的几率也越来越大。同时，随着像素点面积的增大，像素不良对画面品质的影响也越来越大，有一个点缺线(亮点和灭点)都会很明显地影响画面品质。因此，对于大型的TFT-LCD，应尽量减少生产中发生各种不良的几率，同时提高单个像素工作的可靠性。
TFT-LCD包括彩膜基板和阵列基板，两基板间充满着液晶材料，通过对彩膜基板上的透明电极施加公共电压和对阵列基板的像素电极施加数据电压，使液晶在彩膜基板和阵列基板间的电场作用下发生偏转。通过数据电压的变化可以调整该电场强度和方向，因此可以控制液晶材料的扭转角度，从而可控制该区域光的透过量。
图9为现有技术TFT-LCD像素结构的示意图，如图9所示，在TFT-LCD阵列基板上形成多个平行的栅线2以及与栅线2绝缘垂直交叉的多个数据线1，栅线2和数据线1交叉定义数个像素单元，栅线2和数据线1的交叉部分形成作为开关器件的薄膜晶体管(TFT)4，薄膜晶体管4与设置在像素单元的像素电极5连接。同时像素电极5和栅线2之间形成存储电容6。但实际生产表明，现有的TFT-LCD像素结构，当发生上下位移时，存储电容6随之变小，因此存储电容6不稳定，并且不能避免出现单个像素的点缺线(亮点或灭点)，也没有弥补的方法，如果出现了亮点，只能采取激光维修，将亮点打成灭点，导致良率降低。并且在对盒后，由于对盒偏差以及其他的因素，出现由黑矩阵引起的漏光不良。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD像素结构，通过在同一像素单元设置多个TFT和存储电容，有效降低大型的TFT-LCD生产中发生各种不良的几率，提高产品的良率。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD像素结构，包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，所述数据线位于每一像素单元的中间，所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄膜晶体管，所述公共电极线与所述数据线平行，并与所述像素电极形成至少二个存储电容。
所述薄膜晶体管为二个，分别位于所述数据线的两侧。
所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的制造方法，包括：
步骤1、在基板上依次形成栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在每个漏电极位置形成钝化层过孔；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容。
所述步骤3具体为：在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容，所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
所述步骤3还包括：使所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
所述步骤3还包括：使所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
所述步骤1具体包括：
步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺对所述半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上形成有源层图形；
步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧。
所述步骤1具体包括：
步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，采用半色调或灰色调掩模板，通过构图工艺形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧。
本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的液晶显示面板，包括彩膜基板、液晶层和阵列基板，所述彩膜基板包括基板、设置在所述基板上的彩膜树脂和设置在所述彩膜树脂上的透明电极。
所述彩膜树脂上与所述阵列基板的栅线相对应的位置设置有黑矩阵。
本发明提出了一种TFT-LCD像素结构，通过在一个像素单元设置二个薄膜晶体管，由于与一个像素电极连接的二个薄膜晶体管都能对该像素电极充电，使充电速度大幅度提高，并能保证充电完全，因此使本发明的TFT-LCD像素结构具有响应快的特点。在生产或使用中，当其中一个薄膜晶体管出现不良时，另外一个薄膜晶体管仍能保证该像素正常工作，因此使本发明TFT-LCD像素结构具有可靠性高的特点。同时，在一个像素单元设置多个存储电容，减少了由于上下位移造成的相关不良，提高了TFT-LCD的良率。进一步地，本发明通过减少黑矩阵的设置，不但减少了彩膜基板的制造成本，也避免了由于黑矩阵出现位移而导致的漏光不良。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明TFT-LCD像素结构第一实施例的结构示意图；
图2为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图之一；
图3为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图之二；
图4为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图之三；
图5为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法的流程图；
图6为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第一实施例的流程图；
图7为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第二实施例的流程图；
图8为本发明彩膜基板像素结构示意图；
图9为现有技术TFT-LCD像素结构的示意图。
附图标记说明：
1-数据线；        2-栅线；           3-公共电极线；
4-薄膜晶体管；    5-像素电极；       6-存储电容；
61-第一存储电容； 62-第二存储电容；  63-第三存储电容；
64-第四存储电容。
具体实施方式
图1为本发明TFT-LCD像素结构第一实施例的结构示意图，如图1所示，本实施例TFT-LCD像素结构包括数据线1、栅线2、公共电极线3、薄膜晶体管(TFT)4和像素电极5，栅线2与数据线1交叉定义一像素单元，薄膜晶体管4形成在栅线2和数据线1的交叉处，其中数据线1位于每一像素单元的中间，数据线1的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极5的薄膜晶体管4，公共电极线3与数据线1平行，并与像素电极5形成至少二个存储电容。在本实施例中，薄膜晶体管4为二个，分别位于数据线1的两侧；存储电容为二个，第一存储电容61和第二存储电容62，分别位于像素单元的两侧。具体地，栅线2在单个像素单元的下方，数据线1位于像素单元的中间，与栅线2交叉排列。源漏极是从数据线1分离出来的，以数据线1为基准，左右各安排一个，共两个，形成两个薄膜晶体管4。像素电极5在阵列基板上，以矩阵的形式在每个像素单元内形成的，此时的像素电极5跟两个薄膜晶体管4各自接触，可以两个薄膜晶体管4开启，因此即使有任何一个薄膜晶体管4发生了不良，没有发生不良的另一个薄膜晶体管4可以起到开关作用，从而可以防止由薄膜晶体管4失效而引起的像素电极5的失效，需要说明的是，每一个像素单元可以根据具体的情况，设置至少二个薄膜晶体管4，实现即使有任何一个薄膜晶体管4发生了不良，没有发生不良的剩下的薄膜晶体管4可以起到开关作用。并且，将公共电极线3设置在数据线1两侧的像素电极5边缘，一侧的公共电极线3与像素电极5形成第一存储电容61，另一侧的公共电极线3与像素电极5形成第二存储电容62。第一存储电容61和第二存储电容62给薄膜晶体管4提供更稳定的电压，从而提高像素工作的可靠性。
本实施例上述技术方案在一个像素单元设置二个薄膜晶体管，由于与一个像素电极连接的二个薄膜晶体管都能对该像素电极充电，使充电速度大幅度提高，并能保证充电完全，因此使本实施例TFT-LCD像素结构具有响应快的特点。在生产或使用中，当其中一个薄膜晶体管出现不良时，另外一个薄膜晶体管仍能保证该像素正常工作，因此使本实施例TFT-LCD像素结构具有可靠性高的特点。同时，在一个像素单元设置二个存储电容，减少了由于上下位移造成的相关不良，提高了TFT-LCD的良率。
图2为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图之一；图3为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图之二；图4为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图之三，如图2-图4所示，本实施例TFT-LCD像素结构包括数据线1、栅线2、公共电极线3、薄膜晶体管4和像素电极5，栅线2与数据线1交叉定义一像素单元，薄膜晶体管4形成在栅线2和数据线1的交叉处，其中数据线1位于每一像素单元的中间，数据线1的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极5的薄膜晶体管4，公共电极线3与数据线1平行，并与像素电极5形成至少二个存储电容。在本实施例中，薄膜晶体管4为二个，分别位于数据线1的两侧，具体地，栅线2在单个像素单元的下方，数据线1位于像素单元的中间，与跟栅线2交叉排列。源漏极从数据线1分离出来，以数据线1为基准，左右各安排一个，共两个，形成两个薄膜晶体管4。像素电极5在阵列基板上，以矩阵的形式在每个像素单元内形成的，此时的像素电极5跟两个薄膜晶体管4各自接触，因此可以两个薄膜晶体管4开启，因此即使有任何一个薄膜晶体管4发生了不良，没有发生不良的另一个薄膜晶体管4可以起到开关作用，从而可以防止由薄膜晶体管4失效而引起的像素电极5的失效，需要说明的是，每一个像素单元可以根据具体的情况，设置至少二个薄膜晶体管4，实现即使有任何一个薄膜晶体管4发生了不良，没有发生不良的剩下的薄膜晶体管4可以起到开关作用。并且，将公共电极线3设置在数据线1两侧的像素电极5边缘，一侧的公共电极线3与像素电极5形成第一存储电容61，另一侧的公共电极线3与所述像素电极5形成第二存储电容62；如图2所示，像素电极5与位于其上侧的栅线2形成第三存储电容63，或者，如图3所示，像素电极5与位于其下侧的栅线2形成第四存储电容64，或者，如图4所示，像素电极5与位于其上侧的栅线2形成第三存储电容63的同时与位于其下侧的栅线2形成第四存储电容64。第一存储电容61、第二存储电容62与第三存储电容63和/或第四存储电容64给薄膜晶体管4提供更稳定的电压，从而提高像素工作的可靠性。
本实施例的主体结构与第一实施例相同，所不同的是，本实施例在一个像素单元内形成了三个或四个存储电容，因此本实施例在具有第一实施例的效果和优点基础上，能够给薄膜晶体管提供更稳定的电压，从而提高了产品的良率。
图5为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法的流程图，如图5所示，本发明TFT-LCD像素结构的制造方法包括：
步骤1、在基板上依次形成栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在每个漏电极位置形成钝化层过孔；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容。
其中，步骤3具体为：在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容，所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
另外，如果形成使像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容的结构，则步骤3还包括：使所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
如果形成使像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容的结构，则步骤3还包括：使所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
下面通过具体实施例进一步说明本发明技术方案。在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和剥离等工艺。
图6为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第一实施例的流程图，如图6所示，本实施例的方法采用五次构图工艺，具体包括：
步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺对所述半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上形成有源层图形；
步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧；
步骤14、在完成步骤13的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在每个漏电极位置形成钝化层过孔；
步骤15、在完成步骤14的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容。
其中，步骤15具体为：在完成步骤14的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容，所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
另外，如果形成使像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容的结构，则步骤15还包括：使所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
如果形成使像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容的结构，则步骤15还包括：使所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
图7为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第二实施例的流程图，如图7所示，本实施例的方法采用四次构图工艺，具体包括：
步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，采用半色调或灰色调掩模板，通过构图工艺形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧；
步骤23、在完成步骤22的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在每个漏电极位置形成钝化层过孔；
步骤24、在完成步骤23的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容。
其中，步骤24具体为：在完成步骤23的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容，所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
另外，如果形成使像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容的结构，则步骤24还包括：使所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
如果形成使像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容的结构，则步骤24还包括：使所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
本发明TFT-LCD像素结构的制造方法所对应的TFT-LCD像素结构包括位于像素单元内的数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，栅线与数据线垂直设置，薄膜晶体管形成在栅线和数据线的交叉处，数据线位于像素单元的中间，数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄膜晶体管，公共电极线与数据线平行，并与像素电极形成至少二个存储电容。其中TFT结构与现有技术相同，至少包括形成在基板上的栅电极以及位于栅电极上方的源电极和漏电极，栅电极与栅线连接，源电极与数据线连接，漏电极通过钝化层过孔与像素电极连接。
本发明TFT-LCD像素结构的制造方法通过构图工艺对源漏金属层进行构图，形成数据线、公共电极、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，使数据线位于像素单元的中部，源、漏电极为二个，在一个像素单元内形成二个薄膜晶体管，使充电速度大幅度提高，并能保证充电完全，因此使本实施例TFT-LCD像素结构具有响应快的特点。在生产或使用中，当其中一个薄膜晶体管出现不良时，另外一个薄膜晶体管仍能保证该像素正常工作，因此采用本实施例TFT-LCD像素结构的制造方法制造的TFT-LCD像素结构具有可靠性高的特点。
在上述实施例的基础上，进一步地，本发明实施例还提供了一种应用上述TFT-LCD像素结构的液晶显示面板，包括彩膜基板、液晶层和阵列基板，该彩膜基板包括基板、设置在基板上的彩膜树脂和设置在彩膜树脂上的透明电极。图8为本发明彩膜基板的像素结构示意图，如图8所示，一个像素包括红、绿和蓝三个亚像素。由于上述TFT-LCD像素结构的栅线和公共电极线部分的材料为金属，因此与彩膜基板相对应的部分无需再加黑矩阵。从实际实践当中，不设置黑矩阵，不但减少了彩膜基板的制造成本，也避免了由于黑矩阵出现位移而导致的漏光不良。
本发明实施例还提供了另一种应用上述TFT-LCD像素结构的液晶显示面板，包括彩膜基板、液晶层和阵列基板，该彩膜基板包括基板、设置在基板上的彩膜树脂和设置在彩膜树脂上的透明电极，彩膜树脂上与阵列基板的栅线相对应的位置设置有黑矩阵。由于上述TFT-LCD像素结构的公共电极线部分的材料为金属，因此与彩膜基板相对应的部分无需再加黑矩阵。在黑矩阵设置时，减少纵向的部分，只设置与栅线对应的横向黑矩阵，从而避免由于纵向黑矩阵出现位移而导致的漏光不良。
以上所提出实施例也可以有其它的实现方法。在具有矩阵负载的公共电极的阵列基板上面，薄膜晶体管器件结构显然可以有各种修改和变化。而这些修改和变化也被包含在本发明的范围之内。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (13)

1、一种TFT-LCD像素结构，包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，其特征在于，所述数据线位于每一像素单元的中间，所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄膜晶体管，所述公共电极线与所述数据线平行，并与所述像素电极形成至少二个存储电容。
2、根据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管为二个，分别位于所述数据线的两侧。
3、根据权利要求1或2所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
4、根据权利要求3所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
5、根据权利要求3或4所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
6、一种TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上依次形成栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在每个漏电极位置形成钝化层过孔；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容。
7、根据权利要求6所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，使所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接，并使所述像素电极与所述公共电极线形成存储电容，所述存储电容为二个，所述公共电极线位于所述数据线两侧的像素电极边缘，一侧的公共电极线与所述像素电极形成第一存储电容，另一侧的公共电极线与所述像素电极形成第二存储电容。
8、根据权利要求7所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，所述步骤3还包括：使所述像素电极与位于其上侧的栅线形成第三存储电容。
9、根据权利要求7或8所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，所述步骤3还包括：使所述像素电极与位于其下侧的栅线形成第四存储电容。
10、根据权利要求6、7所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：
步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺对所述半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上形成有源层图形；
步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧。
11、根据权利要求6、7所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：
步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，采用半色调或灰色调掩模板，通过构图工艺形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线图形，所述数据线位于像素单元的中间，所述源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线均为二个，其中一个源电极、漏电极、TFT沟道区域和公共电极线位于所述数据线的一侧，另一个源电极、漏电极和公共电极线位于所述数据线的另一侧。
12、一种包括权利要求1-5任一权利要求所述的TFT-LCD像素结构的液晶显示面板，包括彩膜基板、液晶层和阵列基板，其特征在于，所述彩膜基板包括基板、设置在所述基板上的彩膜树脂和设置在所述彩膜树脂上的透明电极。
13、根据权利要求12所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩膜树脂上与所述阵列基板的栅线相对应的位置设置有黑矩阵。
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