CN101635305B - 有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光显示装置。有机发光显示装置包括:基板,包括像素区域和非像素区域;第一电极,在第一方向上形成在像素区域上;第一导线,结合到第一电极并形成在非像素区域中;第二电极,在第二方向上形成在像素区域内;第二导线,结合到第二电极并形成在非像素区域中;有机薄膜层,形成在第一电极和第二电极之间;驱动电路,结合到第一导线和第二导线;钝化层,形成为横过像素区域和非像素区域,并且具有用以暴露第一导线和第二导线中的至少一条的开口。
Description
本申请要求2008年7月21日向韩国知识产权局提交的第2008-70607号韩国专利申请的优先权并主张其效力,该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明的多方面涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是一种自发射的下一代显示装置,与液晶显示装置(LCD)相比,其具有改进的视角、对比度、响应时间和能耗。有机发光显示装置可以是无源矩阵有机发光显示装置或者有源矩阵有机发光显示装置,对于无源矩阵有机发光显示装置,像素按矩阵结合在扫描线和信号线之间,对于有源矩阵有机发光显示装置,像素由薄膜晶体管(TFT)控制。
构成像素的有机发光二极管,每个由阳极电极、有机薄膜层和阴极电极组成。当预定的电压施加在阳极电极和阴极电极之间时,通过阳极电极注入的空穴与通过阴极电极注入的电子复合,以在发光层中形成激子。当激子返回到较低的能量状态时发射光子。
一般来说,在有机发光显示装置的生产过程中,像素是通过发光测试和老化测试进行测试的。在这种情况下,短棒(bar)用来向扫描线或信号线提供连续的测试信号。第2006-29086号韩国专利公开(2006年4月4日)和第2006-127561号韩国专利公开(2006年12月13日)公开了正的短棒和负的短棒,所述短棒形成在数据焊盘和扫描焊盘上,其中数据焊盘与数据线结合并且扫描焊盘与扫描线结合。当测试探针与短棒接触时执行发光测试。在划线工序中短棒被去除,所述工序是指在发光测试完成时对基板进行切割。
然而,在下述结构中,即驱动电路形成在基板上或者使用玻璃上芯片或引线键合工艺将半导体芯片的形式的驱动电路安装到基板上,结合到驱动电路的输入端的焊盘形成在基板边缘上,与切划线相邻。因此,这种有机发光显示装置存在的问题是难以使用上述工艺构成短棒。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种有机发光显示装置,其中短棒可以容易地形成和去除,以执行发光测试和老化测试。有机发光显示装置包括安装在基板上的驱动电路。
本发明的另一方面提供了一种有机发光显示装置,其中短棒可以容易地形成和去除,以执行发光测试和老化测试。有机发光显示装置包括辅助电极以减小扫描线和数据线的电阻。
本发明的一个示例性实施例提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:基板,具有像素区域和非像素区域;第一电极,在第一方向上形成在像素区域中;第一导线,结合到第一电极并形成在非像素区域中;第二电极,形成在像素区域上并在第二方向上延伸;第二导线,结合到第二电极并形成在非像素区域中;有机薄膜层,形成在第一电极和第二电极之间;驱动电路,结合到第一导线和第二导线;钝化层,形成在像素区域和非像素区域上并且具有用以暴露第一导线和第二导线中的至少一条的开口。
由于基板的尺寸应该增加,因此当将驱动电路安装到基板上时,由于导线的长度增加而电阻增加,从而有机发光显示装置的亮度和性能可能劣化。因此,由低电阻金属形成的辅助电极被用来将驱动电路安装到基板。
本发明的多个方面提供了一种有机发光显示装置,其中短棒可以容易地形成和去除,以执行发光测试和老化测试,所述有机发光显示装置在短棒去除时防止辅助电极受到损坏。有机发光显示装置包括安装在基板上的驱动电路。辅助电极减小扫描线和数据线的电阻。由于采用了防止辅助电极受到损害的简化的生产工艺来制造,从而有机发光显示装置可以具有高亮度、卓越的性能以及低工作电压。
本发明的其他方面和/或优点将在下面的描述中予以部分阐述,并且通过描述其将在一定程度上变得明显,或者可以通过实施本发明而被获知。
附图说明
通过下面结合附图进行的示例性实施例的描述,本发明的这些和/或其他方面和优点将会变得明显且更易于理解,附图中:
图1是示出根据本发明一个示例性实施例的有机发光显示装置的平面图;
图2是示意性示出图1中截面I1-I2的剖面图;
图3A和图3B是示意性示出图1中截面I11-I12的剖面图;
图4是示出根据本发明另一示例性实施例的有机发光显示装置的短棒区域的剖面图;
图5是示出沿图1中线I1-I2截取的像素区域的一部分的剖面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的示例性实施例,在附图中示出了本发明的示例,其中,相同的标号始终表示相同的元件。以下,通过参照如图描述示例性实施例,以解释本发明。
本领域的技术人员应该知晓,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,示例性实施例可以以多种不同的方式进行修改。因此,附图和描述实质上是示例性而非限制性的。此外,当第一元件被称作形成或设置在第二元件“上”时,第一元件可以直接与第二元件接触,或者一个或多个中间元件可以设置在它们之间。同样,当第一元件被称作“连接到”第二元件时,第一元件可以直接与第二元件连接,或者可以通过一个或多个中间元件连接到第二元件。
图1和图2分别是示出根据本发明一个示例性实施例的有机发光显示装置的平面图和剖面图。图2示意性地示出图1的截面I1-I2。
有机发光显示装置包括基板100,所述基板可以由绝缘材料制成,如玻璃或塑料,或者可以由金属制成。基板100被分成像素区域20和非像素区域40。非像素区域40设置在像素区域20周围。
在基板100的像素区域20中,有机发光二极管110的阵列结合在阳极电极12和阴极电极14的矩阵之间。数据线62和扫描线64分别连接到阳极电极12和阴极电极14,并且被设置在非像素区域40中。电源线(未示出)向有机发光二极管110提供驱动电压,并且驱动电路90处理通过输入焊盘66提供的外部信号。电源线、驱动电路90和输入焊盘66设置在非像素区域40中。
有机发光二极管110均包括彼此交叉的阳极电极12的一部分和阴极电极14的一部分,以及设置在它们之间的有机薄膜层(未示出)的一部分。有机薄膜层包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层,并还可以包括空穴注入层和电子注入层。
驱动电路90可以形成在非像素区域40上并且结合到数据线62和扫描线64。可选地,驱动电路90可以为通过玻璃上芯片或引线键合工艺安装在基板100上的集成电路半导体芯片。
钝化层80覆盖像素区域20和非像素区域40,并且由聚酰亚胺基、酚醛树脂基或丙烯酸树脂基绝缘材料制成。钝化层80包括开口80a至80c。开口80a和80b分别暴露输入焊盘66和安装有驱动电路90的区域。开口80c暴露一些扫描线64。开口80c是形成有短棒的区域,其中所述短棒公共地与数据线62或扫描线64结合。短棒用来执行发光测试和/或老化测试。开口80c的位置可适当地选择为最小尺寸。示出的开口80c暴露扫描线64,但也可以定位为暴露数据线62。此外,钝化层80可包括另一开口以暴露数据线62。钝化层80可以包括两个开口80c,例如每个暴露大约一半的扫描线64或数据线62。
图3A和图3B是示出沿图1中I11-I12截取的截面的剖面图。图3A示出了形成在钝化层80中的开口80c,图3B示出了设置在开口80c中并且公共地结合到扫描线64的短棒400。
通过数据线62或扫描线64,测试信号被提供给有机发光二极管110。测试探针与短棒400相接触以执行发光测试和老化测试。
当发光测试和老化测试完成时,短棒400被去除。短棒400通常由金属,例如铝(Al)形成,其可以被酸性溶液等去除。在这种情况下,由于钝化层80覆盖基板100的整个表面,所以当基底100浸入酸性溶液中时数据线62和扫描线64受到保护。
所述示例性实施例公开了短棒400通过开口80c公共地结合到一些扫描线64。但是,在其他示例性实施例中开口80c可以包括多个形成在钝化层80的开口,以暴露每条扫描线64。如图4所示,短棒400通过多个开口公共地结合到扫描线64。
数据线62和扫描线64可以由透明电极材料制成,所述透明电极材料选自由氧化铟锡(ITO),氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)组成的组。由于所述透明电极材料具有高电阻,所以数据线62和扫描线64可以包括由低电阻材料形成的辅助电极,以减小数据线62和扫描线64的电阻。例如,扫描线64可以包括如图4所示的透明电极64a和辅助电极64b。辅助电极64b可以由金属制成,例如铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、铬(Cr),或者由它们的多层制成。例如,辅助电极64b可以包括钼(Mo)、铝(Al)、和/或钼(Mo)的多个层。
包封基板200设置在基板100上,以包封有机发光二极管100。基板100和包封基板200通过如环氧树脂,玻璃料等密封剂300彼此附着。
如上所述,根据本发明一个示例性实施例的有机发光显示装置包括形成在基板100上的钝化层80。钝化层80包括开口80c以暴露一些数据线62和/或扫描线64。如图3A和3B所示,钝化层80可以覆盖像素区域20和非像素区域40。钝化层80可以设置在阳极电极12和阴极电极14之间。
图5是示出根据本发明示例性实施例的设置在阳极电极12和阴极电极14之间的钝化层80的剖面图。剖面图图5示出了沿图1中线I1-I2截取的像素区域20的一个部分。
参照图1和图5,阳极电极12在一个方向上形成在像素区域20上,并且数据线62从阳极电极12延伸。扫描线64结合到阴极电极14并且形成在非像素区域40中。在这种情况下,数据线62和扫描线64都包括辅助电极和形成在辅助电极下的透明电极。
钝化层80覆盖像素区域20和非像素区域40,并且被图案化以暴露阳极电极12。在这种情况下,开口80a和80b分别暴露输入焊盘66和安装有驱动电路90的区域。开口80c暴露数据线62。扫描线形成在钝化层80上。
阻挡肋(未示出)在像素区域20中形成在钝化层80上,并横过阳极电极12延伸。阻挡肋将阳极电极12与钝化层80上的有机薄膜层分开。阻挡肋的壁是锥形的,这样它们就能在钝化层80处有一个最大厚度。
在像素区域20上形成了有机薄膜层13之后,阴极电极14形成为沿另一方向横过阳极电极12。短棒400可以在阴极电极14形成的过程中形成。
虽然示出并描述了本发明的一些示例性实施例,但是本领域的技术人员应该知晓,在不脱离本发明的原理和精神的情况下,可以对这些示例性实施例作出改变,本发明的范围由权利要求及其等同物来限定。
Claims (13)
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板,具有像素区域和非像素区域;
第一电极,设置在像素区域中并且在第一方向上延伸;
第一导线,结合到第一电极并设置在非像素区域中;
第二电极,设置在像素区域中并且在第二方向上延伸;
第二导线,结合到第二电极并设置在非像素区域中;
有机薄膜层,设置在第一电极和第二电极之间;
驱动电路,结合到第一导线和第二导线;
钝化层,形成在基板上并且具有用以暴露第一导线以将第一导线连接到短棒的形成在非像素区域的第一开口。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一导线和第二导线均包括透明电极和设置在透明电极上的辅助电极。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,
透明电极包括选自由氧化铟锡、氧化铟锌和氧化铟锡锌组成的组的材料;
辅助电极包括选自由铝、银、钼、铜和铬组成的组的材料。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,辅助电极包括两个或者两个以上的金属层,所述两个或两个以上的金属层中的每层均含有独立地选自由铝、银、钼、铜和铬组成的组的金属。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,钝化层由聚酰亚胺基、酚醛树脂基或丙烯酸树脂基材料制成。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括设置在第一开口中并连接到第一导线的短棒。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,钝化层设置在第一电极和第二电极之间。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括输入焊盘,所述输入焊盘形成在非像素区域中,结合到驱动电路的输入端并且通过形成在钝化层中的第二开口暴露。
9.一种有机发光显示装置,包括:
基板,具有像素区域和非像素区域;
第一电极和第二电极,按矩阵设置在像素区域中;
扫描线,设置在非像素区域中并且结合到第一电极;
数据线,设置在非像素区域中并且结合到第二电极;
有机薄膜层,形成在于第一电极和第二电极之间;
驱动电路,结合到扫描线和数据线;
钝化层,形成在基板上,钝化层具有第一开口和第二开口以分别将扫描线或数据线连接到短棒。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述扫描线和数据线均包括辅助电极和设置在辅助电极下的透明电极。
11.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,钝化层设置在第一电极和第二电极之间并且由聚酰亚胺基、酚醛树脂基或丙烯酸树脂基材料制成。
12.如权利要求9所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括输入焊盘,输入焊盘设置在非像素区域中,结合到驱动电路的输入端并且通过形成在钝化层中的第三开口暴露。
13.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中:
钝化层由聚酰亚胺基、酚醛树脂基或丙烯酸树脂基材料制成;
扫描线和数据线均包括辅助电极和设置在辅助电极下的透明电极。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086758A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
NL2011234C2 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-02 | Koninkl Douwe Egberts Bv | Beverage preparation system and method for preparing a beverage. |
US20150066515A1 (en) * | 2013-09-03 | 2015-03-05 | Panasonic Intellectual Property Corporation Of America | Equipment control method and speech-based equipment control system |
CN106097977B (zh) * | 2016-08-22 | 2019-01-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种有机二极管显示驱动电路、显示面板及电子设备 |
CN106653814B (zh) * | 2016-12-28 | 2020-02-14 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板与显示装置 |
CN106646953A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
KR102354247B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2022-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
CN115104186B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板、显示装置 |
CN116249400A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1329455A (zh) * | 2000-06-19 | 2002-01-02 | Lg电子株式会社 | 全色有机电致发光显示屏及其制造方法和驱动电路 |
CN1949069A (zh) * | 2006-11-06 | 2007-04-18 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
KR20070080425A (ko) * | 2006-02-07 | 2007-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
CN101114099A (zh) * | 2004-11-29 | 2008-01-30 | 广辉电子股份有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075481A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルおよびその検査方法 |
JPH0926589A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH09152623A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Optrex Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
KR100239749B1 (ko) | 1997-04-11 | 2000-01-15 | 윤종용 | 그로스 테스트용 tft 소자 제조 방법 및 이를 형성한 액정 표시 장치 구조와 그로스 테스트 장치 및 방법 |
JP3854905B2 (ja) | 2002-07-30 | 2006-12-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP4673579B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-04-20 | オプトレックス株式会社 | 表示装置 |
KR100588018B1 (ko) | 2004-09-30 | 2006-06-09 | 엘지전자 주식회사 | 모기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시소자의 제조방법 |
EP1648033A3 (en) * | 2004-10-14 | 2008-04-23 | LG Electronics Inc. | Organic Electro-Luminescence display device and method of fabricating the same |
KR100761077B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2007-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
KR100717330B1 (ko) | 2005-06-07 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자의 에이징 방법 |
KR100736575B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 소자용 모기판 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
KR20070106151A (ko) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP2008026497A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Seiko Epson Corp | 光学パネル、検査プローブ、検査装置、および検査方法 |
KR100884455B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2009-02-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 모기판 |
-
2008
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1329455A (zh) * | 2000-06-19 | 2002-01-02 | Lg电子株式会社 | 全色有机电致发光显示屏及其制造方法和驱动电路 |
CN101114099A (zh) * | 2004-11-29 | 2008-01-30 | 广辉电子股份有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
KR20070080425A (ko) * | 2006-02-07 | 2007-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
CN1949069A (zh) * | 2006-11-06 | 2007-04-18 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
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