CN112992999A - 显示母板及显示面板 - Google Patents
显示母板及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112992999A CN112992999A CN202110184967.XA CN202110184967A CN112992999A CN 112992999 A CN112992999 A CN 112992999A CN 202110184967 A CN202110184967 A CN 202110184967A CN 112992999 A CN112992999 A CN 112992999A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- storage capacitor
- display
- plate
- layer
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开提供一种显示母板及显示面板，属于显示技术领域，其可解决现有的显示母板在制备过程中聚集大量的静电，容易造成短路等不良的问题。本公开的显示母板，包括多个显示面板，每个显示面板具有显示区和围绕显示区的非显示区，显示面板包括：基底、位于基底上的多条信号线、及位于基底上且设置于非显示区的至少一个静电防护结构；静电防护结构包括：第一存储电容；第一存储电容包括：相对设置的第一极板和第二极板；第一存储电容的第一极板与多条信号线中的至少一条连接，第一存储电容的第二极板与多条所述信号线之间的至少一条连接。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示母板及显示面板。
背景技术
OLED(有机电致发光二极管：Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点，因而有着广阔的应用前景。
现有OLED显示面板的制备工艺过程中会由于玻璃基板与生产设备之间摩擦或由于某些工艺步骤，在OLED显示面板上容易产生并聚集大量的静电，这些静电会对其中的驱动电路产生影响，如对驱动电路击穿导致电路短路或者对薄膜晶体管作用使其失效，这样，在后续的点灯测试中容易产生不良，如静电造成的暗线等。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示母板及显示面板。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示母板，包括多个显示面板，每个所述显示面板具有显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：基底、位于所述基底上的多条信号线、及位于所述基底上且设置于所述非显示区的至少一个静电防护结构；
所述静电防护结构包括：第一存储电容；所述第一存储电容包括：相对设置的第一极板和第二极板；所述第一存储电容的所述第一极板与多条所述信号线中的至少一条连接，所述第一存储电容的所述第二极板与多条所述信号线中的至少一条连接。
可选地，所述信号线包括：数据线和电源电压线。
可选地，所述静电防护结构还包括：电阻；
所述电阻的一端与所述第一存储电容的所述第一极板连接，另一端与所述第一存储电容的所述第二极板连接。
可选地，所述静电防护结构还包括：第一薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的控制极和第一极均与所述第一存储电容的所述第一极板连接，第二极与所述信号线连接。
可选地，所述静电防护结构还包括：第二薄膜晶体管；
所述第二薄膜晶体管的控制极和第一极均与所述第一存储电容的所述第二极板连接，第二极与所述信号线连接。
可选地，所述显示面板还包括：位于所述基底上的且沿着背离所述基底方向上依次绝缘设置的三层金属层或四层金属层；
所述第一存储电容的所述第一极板和所述第二极板分别与三层所述金属层或四层所述金属层中的任意两层同层设置。
可选地，所述显示面板还包括：位于所述基底上阵列排布的多个像素驱动电路；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管和第二存储电容；所述金属层的数量为三层；
第一层所述金属层包括：所述驱动晶体管的栅极和所述第二存储电容的第一极板；
第二层所述金属层包括：所述第二存储电容的第二极板；
第三层所述金属层包括：所述驱动晶体管的源漏极和所述信号线。
可选地，所述显示面板还包括：位于所述基底上阵列排布的多个像素驱动电路；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管和第二存储电容；所述金属层的数量为四层；
第一层所述金属层包括：所述驱动晶体管的栅极和所述第二存储电容的第一极板；
第二层所述金属层包括：所述第二存储电容的第二极板；
第三层所述金属层包括：所述驱动晶体管的源漏极和一部分所述信号线；
第四层所述金属层包括：另一部分所述信号线。
可选地，所述电阻与所述驱动晶体管的有源层同层设置。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示面板，所述显示面板由上述的显示母板切割形成，其中，所述信号线与所述第一存储电容的所述第一极板之间断开设置，所述信号线与所述第一存储电容的所述第二极板之间断开设置。
附图说明
图1为本公开实施例提供的一种显示母板的结构示意图；
图2为图1所示的显示母板中的一个显示面板的结构示意图；
图3为图2所示的显示面板中的一个静电防护结构的结构示意图；
图4为图2中的显示面板在A-A方向上的一种截面结构示意图；
图5为图2中的显示面板在A-A方向上的另一种截面结构示意图；
图6为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开实施例中的所采用的薄膜晶体管的源极和漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。在本公开实施例中，为区分薄膜晶体管的源极和漏极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极，栅极称为控制极。此外按照薄膜晶体管的特性区分可以将薄膜晶体管分为N型和P型，当采用P型薄膜晶体管时，第一极为P型薄膜晶体管的源极，第二极为P型薄膜晶体管的漏极，栅极输入低电平时，源漏极导通，则工作电平是指使得P型薄膜晶体管开启工作的有效电平，即为低电平，非工作电平则指高电平；当采用N型薄膜晶体管时，第一极为N型薄膜晶体管的源极，第二极为N型薄膜晶体管的漏极，栅极输入高电平时，源漏极导通，则工作电平是指使得N型薄膜晶体管开启工作的有效电平，即为高电平，非工作电平则指低电平。在本公开实施例中以各个晶体管为P型薄膜晶体管为例进行说明。
本发明的实施例中的发光器件为电流型发光器件，进一步地，可以为量子点发光器件、微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或者迷你发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)或者有机电致发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)等。在本公开实施例中以发光器件为微型发光二极管为例进行说明，发光器件的第一极和第二极分别为微型发光二极管的阳极和阴极。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示母板，图1为本公开实施例提供的一种显示母板的结构示意图，如图1所示，该显示母板包括多个显示面板10。图2为图1所示的显示母板中的一个显示面板的结构示意图，如图2所示，该显示面板具有显示区和非显示区，该显示面板包括：基底101、位于基底101上的多条信号线102、及位于基底101上的至少一个静电防护结构103。图3为图2所示的显示面板中的一个静电防护结构的结构示意图，如图3所示，静电防护结构103包括：第一存储电容C1；第一存储电容C1包括：相对设置的第一极板1031和第二极板1032；第一存储电容C1的第一极板1031与多条信号线102中的至少一条连接，第一存储电容C1的第二极板1032与多条信号线102中的至少一条连接。
在实际应用中，图2所示的显示面板需要与驱动芯片(图中未示出)绑定连接，因此需要利用连接线将信号线102引出至绑定区并与其中的绑定焊盘连接，以使得驱动芯片可以向信号线102提供驱动信号，实现显示功能。绑定区一般设置于显示面板的非显示区中的一侧，即显示面板的底部，这样，为了避免静电防护结构103对绑定区中的绑定焊盘以及连接线的干扰，在本公开实施例中，静电防护结构103设置于显示面板的非显示区，且与绑定区相对的一侧，即显示面板的顶部。在显示面板的顶部需要设置用于安装摄像头、听筒、光线传感器等器件的缺口，进一步地可以为静电防护结构103的提供的安装空间。具体地，在显示面板的封装过程中一般采用围绕显示区且间隔设置的两层阻挡坝结构，来防止水氧等气体侵入显示区，影响显示区中的显示器件，可以将静电防护结构103设置于两层阻挡坝结构的中间位置，以防止水氧等气体对静电防护结构103的侵蚀。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的显示母板中的显示面板可以为柔性显示面板，也可以为刚性显示面板，并且本公开实施例尤其适用于柔性显示面板，基底101可以由聚酰亚胺(polyimide，PI)等柔性材料制成，可以避免显示面板在弯折、拉伸、扭曲等过程中产生的应力使得基底101发生断裂，以防止对显示面板中的其他膜层及显示器件造成损坏，造成显示不良。可以理解的是，本公开实施例中的基底101还可以为玻璃等刚性材料，或者聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene glycol terephthalate，PET)等其他柔性材料制成，在此不再一一列举。第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。信号线102可以采用金属材料或者合金材料，例如由铜、钼、铝及钛，利用蒸镀等工艺形成。
本公开实施例提供的显示母板中，第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032可以分别与不同的信号线102连接，在制备过程中显示面板上聚集的大量静电可以通过信号线102传导至非显示区的第一存储电容C1中，第一存储电容C1可以对导出的静电进行存储，以避免聚集的大量静电对显示区的驱动电路产生影响，如对驱动电路中导线击穿导致电路短路或者对其中的薄膜晶体管作用使其失效，这样，在后续的点灯测试中可以避免产生由于静电造成的暗线等显示不良，从而可以提高显示画面的均一性，提高显示效果。
在一些实施例中，信号线102可以包括：数据线DL和电源电压线VDD。具体地，如图3所示，第一存储电容C1的第一极板1031与数据线DL连接，第一存储电容C1的第二极板1032电源电压线VDD连接。
具体地，在本公开实施例中，第一存储电容C1的第一极板1031可以与一条数据线DL连接，第一存储电容C1的第二极板1032可以与一条电源电压线VDD连接，数据线DL所在的走线层以及电源电压线VDD所在的走线层中聚集的静电可以导出至非显示区中的电容C中，避免静电聚集造成不同的数据线DL之间以及不同的电源电压信号VDD之间发生短路，影响数据信号以及电源电压信号的传输。可以理解的是，显示面板中的信号线102除了上述的数据线DL和电源电压线VDD之外，还可以为栅线，复位信号线、初始化信号线等其他信号线，在此不再一些列举，第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032还可以分别于其他的信号线连接，以将显示面板中的静电导出至非显示区中的第一存储电容C1中，避免静电对显示面板显示区的驱动电路及其他器件的影响。
在一些实施例中，如图3所示，静电防护结构103还包括：电阻R；电阻R的一端与第一存储电容C1的第一极板1031连接，另一端与第一存储电容C1的第二极板1032连接。
静电防护结构103中的电阻R的阻值较大，例如其阻值可以大于100欧姆，电阻R、第一存储电容C1、数据线DL及电源电压线VDD之间可以组成一个回路。显示面板中聚集的静电可以通过数据线DL和电源电压线VDD分别传导至第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032，并存储于第一存储电容C1中。当第一存储电容C1中的电量积累到一定的程度时，第一存储电容C1中的静电可以进行释放，由于电阻R的存在，静电形成的电流可以流经电阻R，从而将第一存储电容C1积累的静电进行消耗，避免第一存储电容C1被较大的静电击穿，进而可以避免聚集的大量静电对显示区的驱动电路产生影响，如对驱动电路中导线击穿导致电路短路或者对其中的薄膜晶体管作用使其失效，这样，在后续的点灯测试中可以避免产生由于静电造成的暗线等显示不良，从而可以提高显示画面的均一性，提高显示效果。可以理解的是，其中的电阻R也可以为其他类型的负载，例如电感等。
在一些实施例中，如图3所示，静电防护结构103还包括：第一薄膜晶体管T1；第一薄膜晶体管T1的控制极和第一极均与第一存储电容C1的第一极板1031连接，第二极与信号线102连接。
在本公开实施例中，第一薄膜晶体管T1的控制极可以为栅极，第一极可以为源极，第二极可以为漏极，第一薄膜晶体管T1的栅极和源极短接，并且与第一存储电容C1的第一极板1031连接，漏极与信号线102，即数据线DL连接，这样，显示面板中的静电所形成的电流仅可以由数据线DL流向非显示区的第一存储电容C1的第一极板1031，实现单向导电，从而避免第一存储电容C1中积累的静电再流向数据线DL，进而可以避免静电对显示区的驱动电路及其他器件的影响。
在一些实施例中，如图3所示，静电防护结构103还包括：第二薄膜晶体管T2；第二薄膜晶体管T2的控制极和第一极均与第一存储电容C1的第二极板1032连接，第二极与信号线102连接。
在本公开实施例中，第二薄膜晶体管T2的控制极可以为栅极，第一极可以为源极，第二极可以为漏极，第二薄膜晶体管T2的栅极和源极短接，第一存储电容C1的第二极板1032连接，漏极与信号线102，即电源电压线VDD连接，这样，显示面板中的静电所形成的电流仅可以由电源电压线VDD流向非显示区的第一存储电容C1的第二极板1032，实现单向导电，从而避免第一存储电容C1中积累的静电再流向电源电压线VDD，进而可以避免静电对显示区的驱动电路及其他器件的影响。可以理解的是，静电防护结构103中可以仅设置有第一薄膜晶体管T1，或者仅设置第二薄膜晶体管T2，或者二者均设置，可以根据实际需要，选择合适的薄膜晶体管进行设置。
在一些实施例中，显示面板还包括：位于基底101的且沿背离基底101方向上依次设置的三层金属层或四层金属层；第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032分别与上述的三层金属层或四层金属层中的任意两层同层设置。
在此需要说明的是，显示面板中的金属层可以用于形成薄膜晶体管中的膜层，也可以用于形成信号线102，第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032分别与上述的三层金属层或四层金属层中的任意两层同层设置，即第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032与上述的三层金属层或四层金属层中的任意两层采用相同的材料，利用同一工艺一次制备而成。其具体的结构将在后续进行进一步详细说明。
在一些实施例中，图4为图2中的显示面板在A-A方向上的一种截面结构示意图，如图4所示，显示面板还包括：位于基底101上阵列排布的多个像素驱动电路；像素驱动电路包括：驱动晶体管T和第二存储电容C2；金属层的数量为三层；第一层金属层包括：驱动晶体管T的栅极1051和第二存储电容C2的第一极板1041；第二层金属层包括：第二存储电容C2的第二极板1042；第三层金属层包括：驱动晶体管T的源漏极1052和信号线102。
本公开实施例中的像素驱动电路通常至少包括开关晶体管、驱动晶体管、第一存储电容(也即现有的2T1C、6T1C或7T1C的像素驱动电路)，在图4中仅示出了其中的一个驱动电路中的一个驱动晶体管T，其他薄膜晶体管的结构与其类似，在此不再进行详述。可选地，金属层的数量可以为三层，在实际应用中，驱动晶体管T的栅极1051和第二存储电容C2的第一极板1041可以同层设置，形成第一层金属层，其材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。第二存储电容C2的第二极板1042可以形成第二层金属层，第二层金属层的材料可以与第一层金属层材料相同。驱动晶体管T的源漏极1052和信号线102(例如数据线DL和电源信号线VDD)可以形成第三金属层，其材料可以包括金属材料或者合金材料，例如由铜、钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。第一存储电容C1的第一极板1031可以与第一层金属层，即驱动晶体管T的栅极1051和第二存储电容C2的第一极板1041同层设置，可以采用相同材料，利用同一工艺一次制备而成，从而可以减少制备步骤，节约制备成本。第一存储电容C1的第二极板1032可以与第二存储电容C2的第二极板1042同层设置，可以采用相同材料，利用同一工艺一次制备而成，其技术效果与上述相同，在此不再赘述。可以理解的是，本公开实施例中第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032的设置没有特殊要求，以上设置方式仅为示例，在实际应用中，只要将第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032设置在其中的两层不同的金属层中即可。
在一些实施例中，图5为图2中的显示面板在A-A方向上的另一种截面结构示意图，如图5所示，显示面板还包括：位于基底101上阵列排布的多个像素驱动电路；像素驱动电路包括：驱动晶体管T和第二存储电容C2；金属层的数量为四层；第一层金属层包括：驱动晶体管T的栅极1051和第二存储电容C2的第一极板1041；第二层金属层包括：第二存储电容C2的第二极板1042；第三层金属层包括：驱动晶体管T的源漏极1052和一部分信号线102；第四层金属层包括：另一部分信号线102。
本公开实施例中的像素驱动电路通常至少包括开关晶体管、驱动晶体管、第一存储电容(也即现有的2T1C、6T1C或7T1C的像素驱动电路)，在图5中仅示出了其中的一个驱动电路中的一个驱动晶体管T，其他薄膜晶体管的结构与其类似，在此不再进行详述。可选地，金属层的数量可以为四层，在实际应用中，驱动晶体管T的栅极1051和第二存储电容C2的第一极板1041可以同层设置，形成第一层金属层，其材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。第二存储电容C2的第二极板1042可以形成第二层金属层，第二层金属层的材料可以与第一层金属层材料相同。驱动晶体管T的源漏极1052和一部分信号线102(例如数据线DL和电源信号线VDD)可以形成第三金属层，其材料可以包括金属材料或者合金材料，例如由铜、钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。另一部分信号线102可以形成第四金属层。第一存储电容C1的第一极板1031可以与第一层金属层，即驱动晶体管T的栅极1051和第二存储电容C2的第一极板1041同层设置，可以采用相同材料，利用同一工艺一次制备而成，从而可以减少制备步骤，节约制备成本。第一存储电容C1的第二极板1032可以与第二存储电容C2的第二极板1042同层设置，可以采用相同材料，利用同一工艺一次制备而成，其技术效果与上述相同，在此不再赘述。可以理解的是，本公开实施例中第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032的设置没有特殊要求，以上设置方式仅为示例，在实际应用中，只要将第一存储电容C1的第一极板1031和第二极板1032设置在其中的两层不同的金属层中即可。可以理解的是，显示面板中还可以包括缓冲层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层等其他膜层，其结构及实现原理与相关技术中的相同，在此不再赘述。进一步可以理解的是，该显示面板包括微发光二极管，为反光二极管包括相对设置的阳极和阴极以及阳极和阴极之间的发光层，其中，阳极与驱动晶体管T的漏极直接连接，或者通过连接电极连接。
在一些实施例中，电阻R与驱动晶体管T的有源层1053同层设置。
在本公开实施例中，电阻R可以与驱动晶体管T的有源层1053采用相同的材料，利用同一工艺一次制备而成，从而可以减少制备步骤，节约制备成本。其材料可以为P-Si，阻值较大，以对传输至第一存储电容C1中的进行消耗。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，该显示面板由上述第一方面提供的显示母板切割形成，与上述的图2和图3中所示的显示面板不同的是，其中，信号线102与第一存储电容C1的第一极板1031之间断开设置，信号线102与第一存储电容C1的第二极板1032之间断开设置。其结构如图6所示，其中的虚线表示切割线，第一存储电容C1的两个极板与信号线102分别位于切割线的两侧，这样可以保证显示面板中的信号线102输入准确的信号，避免在应用过程中静电防护结构103对显示面板的影响。切割之后形成的显示面板可以不包含该静电防护结构103。该显示面板实现原理及其具有的技术效果可参考上述对显示母板的实现原理及技术效果的论述，在此不再赘述。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以为手机、平板电脑、电子手表、运动手环、笔记本电脑等具有显示面板的电子设备。该显示装置的实现原理及其具有的技术效果可参考上述对显示母板的实现原理及技术效果的论述，在此不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示母板，包括多个显示面板，每个所述显示面板具有显示区和围绕所述显示区的非显示区，其特征在于，所述显示面板包括：基底、位于所述基底上的多条信号线、及位于所述基底上且设置于所述非显示区的至少一个静电防护结构；
所述静电防护结构包括：第一存储电容；所述第一存储电容包括：相对设置的第一极板和第二极板；所述第一存储电容的所述第一极板与多条所述信号线中的至少一条连接，所述第一存储电容的所述第二极板与多条所述信号线中的至少一条连接。
2.根据权利要求1所述的显示母板，其特征在于，所述信号线包括：数据线和电源电压线。
3.根据权利要求1所述的显示母板，其特征在于，所述静电防护结构还包括：电阻；
所述电阻的一端与所述第一存储电容的所述第一极板连接，另一端与所述第一存储电容的所述第二极板连接。
4.根据权利要求1所述的显示母板，其特征在于，所述静电防护结构还包括：第一薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的控制极和第一极均与所述第一存储电容的所述第一极板连接，第二极与所述信号线连接。
5.根据权利要求1或4所述的显示母板，其特征在于，所述静电防护结构还包括：第二薄膜晶体管；
所述第二薄膜晶体管的控制极和第一极均与所述第一存储电容的所述第二极板连接，第二极与所述信号线连接。
6.根据权利要求1或3所述的显示母板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述基底上的且沿着背离所述基底方向上依次绝缘设置的三层金属层或四层金属层；
所述第一存储电容的所述第一极板和所述第二极板分别与三层所述金属层或四层所述金属层中的任意两层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示母板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述基底上阵列排布的多个像素驱动电路；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管和第二存储电容；所述金属层的数量为三层；
第一层所述金属层包括：所述驱动晶体管的栅极和所述第二存储电容的第一极板；
第二层所述金属层包括：所述第二存储电容的第二极板；
第三层所述金属层包括：所述驱动晶体管的源漏极和所述信号线。
8.根据权利要求6所述的显示母板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述基底上阵列排布的多个像素驱动电路；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管和第二存储电容；所述金属层的数量为四层；
第一层所述金属层包括：所述驱动晶体管的栅极和所述第二存储电容的第一极板；
第二层所述金属层包括：所述第二存储电容的第二极板；
第三层所述金属层包括：所述驱动晶体管的源漏极和一部分所述信号线；
第四层所述金属层包括：另一部分所述信号线。
9.根据权利要求7所述的显示母板，其特征在于，所述电阻与所述驱动晶体管的有源层同层设置。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板由如权利要求1-8任一项所述的显示母板切割形成，其中，所述信号线与所述第一存储电容的所述第一极板之间断开设置，所述信号线与所述第一存储电容的所述第二极板之间断开设置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110184967.XA CN112992999B (zh) | 2021-02-10 | 2021-02-10 | 显示母板及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110184967.XA CN112992999B (zh) | 2021-02-10 | 2021-02-10 | 显示母板及显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112992999A true CN112992999A (zh) | 2021-06-18 |
| CN112992999B CN112992999B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=76393143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110184967.XA Active CN112992999B (zh) | 2021-02-10 | 2021-02-10 | 显示母板及显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112992999B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113571566A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN113611700A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板母板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527263A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US20160379578A1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN110299070A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-10-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| US20200350309A1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-11-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, electrostatic discharge protection circuit and display apparatus |
-
2021
- 2021-02-10 CN CN202110184967.XA patent/CN112992999B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527263A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US20160379578A1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20200350309A1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-11-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, electrostatic discharge protection circuit and display apparatus |
| CN110299070A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-10-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113611700A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板母板 |
| CN113611700B (zh) * | 2021-07-21 | 2023-11-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板母板 |
| CN113571566A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN113571566B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112992999B (zh) | 2024-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107871757B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP7033070B2 (ja) | 有機発光ダイオードアレイ基板及びその製造方法、表示装置 | |
| CN106328689B (zh) | 薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置 | |
| US20170338220A1 (en) | Display device including electrostatic discharge circuit | |
| JP2020505715A (ja) | 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置 | |
| EP2287914A1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11063108B2 (en) | Organic light emitting diode array substrate and electronic device | |
| KR20120072173A (ko) | 유기전계 발광소자용 기판 | |
| KR20210016114A (ko) | 표시 장치 | |
| TWI759046B (zh) | 有機發光二極體顯示裝置及製造其之方法 | |
| KR20210016111A (ko) | 표시 장치 | |
| CN112992999B (zh) | 显示母板及显示面板 | |
| CN101635305A (zh) | 有机发光显示装置 | |
| US8242492B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| CN110689818A (zh) | 电子装置及电子装置的修复方法 | |
| KR100766949B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN113611726A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN111627379B (zh) | 显示面板、显示模组及显示装置 | |
| US11567604B2 (en) | Display module and display device | |
| US20240096905A1 (en) | Display panel and tiled display screen | |
| WO2023216201A1 (zh) | Oled显示面板、oled显示面板的像素电路及显示设备 | |
| US11839123B2 (en) | Display substrate and display device | |
| CN113130568B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| US20240099063A1 (en) | Display panel and display device | |
| US20210167150A1 (en) | Display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |