CN101611168A - 连续成膜装置 - Google Patents

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Abstract

一种连续成膜装置，具有：一对成膜辊(2)、(3)，以所卷架的基材(S)对置的方式，平行地对置配置；磁场产生构件(12)、(13)，设置在所述各成膜辊(2)、(3)的内部，以使等离子体收敛于与所述成膜辊之间的对置空间(5)相面对的辊表面附近的方式产生磁场；等离子体电源(14)，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给管(8)，对所述对置空间(5)供给成膜气体；以及真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气。所述等离子体电源(14)的一个电极与一个成膜辊(2)连接，另一个电极与另一个成膜辊(3)连接。

Description

连续成膜装置
技术领域
本发明涉及在塑料膜或片等带状基材的表面上连续地对功能性保护膜进行成膜的等离子体CVD装置。
背景技术
近年来，提出了各种将塑料膜或片作为基材的显示器基板，要求所述基板针对水蒸气或氧的阻挡性。为了赋予这样的阻挡性，有时在基材上涂敷具有透明性的SiOx保护膜，期望生产率较高的涂敷单元。作为在将所述基材从辊向辊进行输送的过程中涂敷SiOx保护膜的技术，例如有真空蒸镀法、溅射法等物理蒸镀法(PVD)法、或等离子体CVD(Plasma Enhanced-Chemical Vapor Deposition)法。
所述真空蒸镀法作为生产率较高的工艺，主要作为针对食品包装用膜的成膜技术而被广泛地使用，阻挡性能为水蒸气透过率、氧透过率分别是1g/m2·day、1cc/m2·atm·day左右，作为显示器基板不能满足要求水平。另一方面，能够以溅射法形成致密的保护膜。例如，在表面状态较好的基板上，成膜50～100nm的SiOx、SiON保护膜，由此，能够达到Mocon法的检测极限的0.02g/m2·day、0.02cc/m2·atm·day以下的阻挡性能。但是，存在成膜速度低、不能够得到充分的生产率这样的问题。进而，由于以PVD法形成的保护膜为无机物质，较脆，所以当进行超过100nm的成膜时，由于保护膜的内部应力、保护膜/基板间的热膨胀系数的差异、以及保护膜不能够追随膜的变形，所以存在容易产生保护膜缺陷或剥离这样的问题。
相对于此，虽然等离子体CVD法不及真空蒸镀，但是相对于溅射法在成膜速度方面存在一个数位以上的优越性，存在能够形成高阻挡保护膜的可能性。进而因为保护膜具有某种程度的柔软性，所以，具有能够在膜上形成数百nm～数μm这样的不能够以PVD法实现的较厚的保护膜的特长。因此，期待发挥这些特征的新的成膜工艺。
作为利用等离子体CVD法的成膜装置有各种类型，作为一边在成膜辊上卷架膜一边进行成膜的装置，例如，在日本专利2005-504880号公报(专利文件1)中记载了如下内容：具备卷架进行成膜的膜并输送的一对成膜辊，以跨越所述辊的方式形成磁场，并且两个成膜辊以成为相同极性的方式与高频电源连接，同时，供给从数十到数百kHz的高频电力，在辊间的对置空间(放电区域)中产生彭宁放电，将等离子体封闭，并且向所述对置空间供给氧和HMDSO等原料气体，同时对放电区域两侧的成膜辊上的膜上进行成膜。
此外，在日本专利2587507号公报(专利文献2)中记载了一种等离子体CVD成膜装置，其具有：一对成膜辊(金属辊筒)，在真空室内对置配置；交流电源，将一个与另一个的电极分别连接到一个与另一个的成膜辊上；放电室，配置在成膜辊之间的对置空间，与成膜辊对置的面开放；以及单体(原料)气体供给单元，与所述放电室连接。根据专利文献2，因为向放电室的内部供给单体气体，所以与室外相比真空度降低，由此能够在放电室内使等离子体产生，在成膜辊上的膜上进行保护膜形成，此外由于构成放电电极的成膜辊的表面被所输送的膜覆盖，所以能够防止放电电极的污染。
可是，在专利文献1的成膜装置中，由于需要将放电用的电源的另一极、与在从成膜辊的对置空间的中心起大致等距离地设置的环状电极(相对电极)连接，所以在相对电极周边也产生等离子体，完全地抑制该周边的保护膜堆积是困难的。进而，在长时间的运转中，伴随着向相对电极的保护膜堆积，产生放电的变化或发生剥离，存在保护膜中容易产生缺陷的问题。
另一方面，在专利文献2的成膜装置中，需要在成膜辊间的对置空间中形成放电室，但是在放电室的壁上保护膜堆积，从该部位产生剥离，保护膜容易产生缺陷。此外，为了使放电室内的真空度比真空室内的其他部位低(即，提高压力)，需要使放电室和成膜辊的间隙极小，从而抑制气体的流动。但是，由于保护膜也在该间隙附近堆积，所以放电室的气体的封闭效果发生变化，成膜的稳定性被损坏，进而保护膜质量的稳定性下降。
专利文献1日本专利2005-504880号公报
专利文献2日本专利2587507号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种等离子体CVD装置，能够抑制对保护膜剥离的产生或对保护膜质量的稳定性造成不良影响的向真空室内部的保护膜的堆积。
本发明的等离子体CVD装置，一边在真空室内连续地输送基材，一边在该基材的表面上形成保护膜，该等离子体CVD装置的特征在于，具有：一对成膜辊，以被卷架在该一对成膜辊上的基材对置的方式，平行或者大致平行地对置配置；磁场产生构件，设置在上述各成膜辊的内部，在与上述成膜辊之间的对置空间相面对的辊表面附近，产生从该表面朝向对方侧的辊表面膨胀的磁场；等离子体电源，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给单元，对上述对置空间供给成膜气体；以及真空排气单元，对上述对置空间进行真空排气，在上述等离子体电源中，一个电极与一个成膜辊连接，另一个电极与另一个成膜辊连接。
根据该等离子体CVD装置，特别是因为设置有：在与成膜辊之间的对置空间相面对的辊表面附近、使从该表面朝向对方侧的辊表面膨胀的磁场产生的磁场产生构件，和极性交替地反转的等离子体电源，所以不设置区划对置空间的放电室等护罩、并且不使用成膜辊之外的放电用电极，就能够在一对成膜辊之间的对置空间中使放电产生，并将由此产生的等离子体收敛到上述对置空间的各个成膜辊表面附近。因此，通过从气体供给单元向上述对置空间供给成膜气体，从而成膜气体通过等离子体分解并活性化，分解后的气体堆积在被卷架于成膜辊上的、并且与上述对置空间相面对的基材的表面上，能够效率良好地形成保护膜。在向基材进行成膜时，由于不存在离解后的成膜气体吸附的护罩或与成膜辊不同的放电电极，所以，保护膜不会堆积在护罩或放电电极上，能够抑制起因于这样的保护膜的堆积而产生的保护膜缺陷或成膜稳定性的恶化，能够形成高质量的保护膜。
附图说明
图1是实施方式的等离子体CVD装置的整体配置说明图。
图2是成膜辊以及磁场产生构件的放大剖面说明图。
图3(a)、(b)以及(c)是等离子体电源的电压波形图。
图4是磁场产生构件的整体立体图。
图5是另一实施方式的等离子体CVD装置的整体配置说明图。
图6是表示以各个磁场产生构件形成闭合磁路的方式进行配置的另一配置例的、成膜辊以及磁场产生构件的放大剖面说明图。
图7是表示以形成跨越成膜辊间的磁力线的方式配置磁场产生构件的比较配置例的、成膜辊以及磁场产生构件的放大剖面说明图。
具体实施方式
本发明的等离子体CVD装置，在减压下向对置配置的成膜辊施加交流或者伴随极性反转的脉冲电压，在对置配置的成膜辊之间的对置空间(成膜区域(zone))中使辉光放电产生，在面对成膜辊的对置空间而卷架的带状基材上，利用等离子体CVD进行成膜。作为所述基材，只要是塑料的膜或片、纸等能够辊状地卷绕的绝缘性材料的话，能够使用任意的材料。作为塑料膜、片，PET、PEN、PES、聚碳酸酯、聚烯烃、聚酰亚胺等是合适的，作为基材的厚度，优选是能够在真空中输送的5μm～0.5mm。再有，如后述那样，根据装置的结构能够使用导电性的材料作为基材。
图1表示本发明的实施方式的等离子体CVD装置的整体结构，具备：真空室1；一对成膜辊2、3，在所述真空室1内以辊轴成为平行的方式对置配置；卷出辊4，对卷成辊状的带状基材S进行保持并且进行卷出；多个输送辊6，将从所述卷出辊4卷出的基材S，以面对一个以及另一个成膜辊2、3之间的对置空间(成膜区域)5的方式卷架在所述成膜辊2、3上，从而进行输送；卷绕辊7，对成膜后的基材S进行卷绕；成膜气体供给管8，连接在气体供给装置(省略图示)上，在所述对置空间5的正上方与辊轴平行地配置；真空排气口9，在所述真空室1的底壁上开口；以及真空泵10，与真空排气口9连通连接。在所述成膜气体供给管8中，指向对置空间5的多个气体喷出喷嘴在长度方向上设置，所述真空排气口9配置在所述对置空间5的正下方。此外，如图2所示，在所述各个成膜辊2、3的内部设置有磁场产生构件12、13，此外，设置有对所述成膜辊2、3供给等离子体电力的等离子体电源14。再有，所述气体供给装置以及成膜气体供给管8构成本发明的气体供给单元，此外，真空排气口9以及真空泵10构成本发明的真空排气单元。
作为从所述成膜气体供给管8向对置空间5供给的成膜气体，将成膜原料气体、反应气体、载体气体、放电气体单独或者混合使用。作为所述成膜原料气体，能够示出作为含有Si的保护膜的成膜用的HMDSO、TEOS、硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、HMDS、TMOS，作为含有C的保护膜的成膜用的甲烷、乙烷、乙烯、乙炔，作为含有Ti的保护膜的成膜用的四氯化钛，对应于保护膜的种类来选择适当的原料气体。作为所述反应气体，氧化物形成用中能够使用氧、臭氧等，在氮化物形成用中能够使用氮、氨等，这也是对应于保护膜的种类来选择适当的气体。此外，作为所述载体气体、放电气体，能够从He、Ar、Ne、Xe这样的稀有气体或氢中选择适当的气体。
所述对置空间5通过设置在其下方的真空泵10排气，与从所述成膜气体供给管8供给的成膜气体的供给相匹配地被控制为适当的压力。由于在对置空间5的周围产生保护膜的形成，所以，如本发明所述，优选尽量不在其附近设置遮蔽壁或电极等结构构件，由此，能够抑制成为保护膜缺陷的原因的不必要的保护膜的形成。在后面对所述对置空间5的压力进行叙述。
所述成膜辊2、3与真空室1电绝缘，此外，彼此电绝缘。而且，等离子体电源14的一个电极连接到一个成膜辊2上、另一个电极连接到另一个成膜辊3上。所述等离子体电源14输出极性交替反转的电压，作为电压波形，如图3(a)所示，能够例示正弦波的交流电，如图3(b)、(c)所示，能够例示矩形波的脉冲状电压，但是，在实际的工作中，由于发生放电而成为稍微失真的形状。对于电压波形来说，重要的是能够产生放电即可，也可以是其他波形。
在所述成膜辊2、3中，以即使辊进行旋转也相对于对置空间5保持固定位置关系的方式，设置有磁场产生构件12、13。例如，以如下方式构成即可：成膜辊2、3以中空的方式构成，磁场产生构件12、13通过由成膜辊2、3的轴端侧外部保持，由此彼此的相对位置被固定，在该状态下仅成膜辊2、3进行旋转。如图2以及图4所示，该磁场产生构件12、13具备：在辊轴方向上较长的中央磁铁16；环形跑道状的外周磁铁17；以及将该中央磁铁16和外周磁铁17在辊内侧进行连接的磁场短路部件18。再有，所述“环形跑道状”的意思是：平行配置一对相同长度的直线，将该一对直线的同一侧端部彼此以向外侧膨胀的朝向的半圆弧分别连结后的形状，即，田径场的跑道(race-track)那样的形状(参照图4)。
在各成膜辊2、3中所具备的磁场产生构件12、13以相同极性的磁极对置的方式配置。通过所述磁场产生构件12、13将从中央磁铁16的磁极发出的磁力线有效地导向外周磁铁17的磁极，在各成膜辊2、3中，产生从辊表面向对置空间5侧膨胀的、剖面为两个山形的磁控管放电用的环形跑道状磁场R。即，所述“环形跑道状磁场R”是磁力线从中央磁铁16朝向环形跑道状地包围其周围的外周磁铁17、并且向对置空间5侧膨胀的磁场，形成为对于配置中央磁铁16和外周磁铁17面从法线方向进行观察时所述膨胀的磁场的顶部沿着外周磁铁17的环形跑道状。
通过一个成膜辊2所具备的磁场产生构件12形成的磁力线、与对置的成膜辊3所具备的磁场产生构件13的磁极，磁力线不跨越而分别形成大致闭合的磁路。此处，“磁力线跨越”的状态是：产生从对置的一个磁场产生构件12的N极(S极)朝向另一个磁场产生构件13的S极(N极)的磁力线的状态。例如，在图2中，当以中央磁铁16成为S极而外周磁铁17成为N极的方式来变更另一个磁场产生构件13时，成为如下状态：产生从一个磁场产生构件12的中央磁铁(N极)16朝向另一个磁场产生构件13的中央磁铁(S极)16的磁力线(参照图7)。该状态是“磁力线跨越”的状态。
如上所述，通过所述磁场产生构件12、13，在与所述成膜辊2、3之间的对置空间5相面对的辊表面附近，形成剖面为两山形、在辊轴方向延伸的环形跑道状的磁场R。该磁场的形态例如是与以平面磁控溅射阴极形成的磁场相同的形态。在所述磁场R中，等离子体的产生在磁场存在之处优先地发生，并且，具有利用等离子体的漂移等使等离子体在辊的长度方向均匀化的作用。即，利用所述环形跑道状的磁场R，通过辉光放电而产生的等离子体收敛在磁力线的膨胀部而形成，在成膜辊2、3的与对置空间5相面对的表面附近形成环形跑道状的等离子体P。即，如上所述，当对于配置中央磁铁16和外周磁铁17的面从法线方向观察时，向对置空间5侧膨胀的磁场的顶部形成为环形跑道状。因此，收敛在该膨胀的磁场的顶部(所述磁力线的膨胀部)的所述等离子体，以从所述法线方向观察时收敛为环形跑道状的方式形成。
此外，针对两个成膜辊2、3间的距离，以能够对等离子体进行俘获的方式，以与磁场产生构件12、13的大小或磁场强度的关系适当进行调整即可。
在所述磁场R下，将成膜气体向成膜辊2、3之间的对置空间5供给，并且将构成成膜区域的对置空间5调整、维持为适当的压力，当从等离子体电源14向成膜辊2、3施加高频的交流或者脉冲状的电压时，隔着对置空间5以及卷架在成膜辊2、3的表面上的基材S，在成膜辊2、3之间产生辉光放电，形成等离子体P。因此，如果向对置空间5供给成膜气体，则原料气体通过等离子体而被分解，在基材上利用等离子体CVD工艺形成保护膜。
由于在本发明中使用的基材S是绝缘性的材料，所以在施加直流电压时不能够流过等离子体电流，但是，如果是适当的频率(大致1kHz以上，优选10kHz以上)，就能够通过绝缘性的基材S而传播电流。此外，在从等离子体电源14供给的放电电压中，作为峰值优选在数百伏(V)～两千伏(V)左右的范围。成膜辊2、3分别与输出高频的交流或者脉冲状的电压的等离子体电源14的两极连接，因为当对一个成膜辊2施加负电压时，对另一个成膜辊3施加正电压，所以电流从另一个成膜辊3流到一个成膜辊2，并一边以高频进行逆转一边进行。
此外，从等离子体电源14施加的电压被施加到成膜辊2、3的表面整体上，但是，因为使辉光放电变得容易的磁场R仅存在于与对置空间5相面对的辊表面侧，所以只要周围的压力在0.1Pa～10Pa左右的范围中，就能够以磁场存在的区域为中心产生辉光放电。因此，不需要设置包围对置空间5那样的放电室。当压力不足0.1Pa左右时，磁场存在的区域中的放电的产生变得困难，另一方面，当超过10Pa左右时，磁场区域以外的放电的产生变得显著，在成膜辊的未卷架基材的部分中也产生成膜，这是不优选的。
在上述实施方式的等离子体CVD装置中，一边将基材S架设在两根成膜辊2、3上进行输送，一边在与成膜辊2、3之间的对置空间5相面对的辊表面上担载的基材S上形成保护膜。在对基材S的成膜中，通过由磁场产生构件12、13在辊表面附近形成的环形跑道状的磁场R、以及在分别连接到等离子体电源14的各个电极上的成膜辊2、3之间的对置空间5中产生的辉光放电，形成环形跑道状的等离子体P，利用该环形跑道状的等离子体P对被供给到所述对置空间5的成膜气体进行分解，通过使被分解后的气体堆积在与所述对置空间5相面对的成膜辊2、3表面上担载的基材S上，从而在被连续输送的基材S的表面上形成保护膜。
所述辉光放电仅在各个成膜辊2、3的表面附近的磁场存在区域中产生，由于除了成膜辊2、3之外，不需要与等离子体的产生相关的电极，此外也不需要包围对置空间5的放电室这样的遮蔽构件，所以，利用等离子体CVD进行的保护膜的形成实质上仅在位于成膜辊2、3表面的基材上产生。由于作为成膜对象物的基材S被卷架在成膜辊2、3上，并且始终被输送，所以在本装置中，能够在与等离子体产生相关的场所不生成较厚的保护膜，进行长时间的稳定的放电。此外，在形成保护膜时，几乎不产生有害的剥离。进而，由于与等离子体产生相关的机构仅是两根成膜辊2、3，所以能够通过最小限度数量的辊构成等离子体产生机构。
根据上述实施方式，将一个基材S卷架在两根成膜辊2、3上进行输送，但是，基材的输送路径不限于此，如图5所示，也可以分别对各个成膜辊2、3设置卷出辊4、卷绕辊7，以在与成膜辊2、3之间的对置空间5相面对的辊表面上分别担载基材S的方式进行卷架。在保护膜的电阻较低的情况下，因为通过保护膜流过电流，放电变得不稳定，所以在由电阻较低的金属构成的金属保护膜等中，优选图5所示的装置结构。此外，如果是图5所示的装置结构，作为基材S也能够使用金属等具有导电性的材料。虽然需要在成膜辊2、3间施加电压，但只要是图5所示的结构，则基材S是具有导电性的材料也可以。
此外，在上述实施方式中，在对置配置的成膜辊2、3中设置的磁场产生构件12、13以相同极性的磁极对置的方式来配置磁极，在各个成膜辊2、3中，使从辊表面向对置空间侧膨胀的、剖面为两个山形的磁控管放电用的环形跑道状磁场R产生，但是，不一定需要将相同极性的磁极对置配置。在图6中，一个成膜辊2的磁场产生构件12和另一个成膜辊的磁场产生构件13以相反极性的中央磁铁16和外周磁铁17对置的方式配置，此时，通过将磁场产生构件12、13的圆周方向位置错开配置，从而能够防止在成膜辊2、3间跨越的磁力线的产生，能够使等离子体收敛在与各个成膜辊2、3之间的对置空间5相面对的辊表面附近。再有，在该情况下，当不使磁场产生构件12、13的配置错开而对置配置时，如图7所示，形成跨越成膜辊2、3之间而与对置对方的异性磁极直接连结的磁力线，使磁控管放电产生的环形跑道状的磁场变弱。在存在很多连结辊间的磁力线的情况下，通过对两根成膜辊施加相同极性的电压，从而能够期待彭宁效应引起的放电，但是，在对两根成膜辊2、3间施加电压、使辉光放电产生的本发明中，优选尽量不形成在成膜辊2、3间跨越的磁力线。
进而，在上述实施方式中，在水平方向并排配置成膜辊2、3，将气体供给单元(成膜气体供给管)配置在对置空间的上方，将真空排气单元配置在下方，但是，成膜辊等的配置也不一定限于此。例如，也可以垂直地配置成膜辊，此时，在对置空间的侧方的一方设置气体供给单元、在另一方设置真空排气单元即可。重要的是从对置空间的一方供给气体、从另一方进行排气即可。不过，在上述实施方式的情况下，如图2所示，最优选将气体供给单元和真空排气单元上下配置。
总结以上所说明的本发明如下。
即，本发明的等离子体CVD装置，是一边在真空室内对基材连续地进行输送，一边在该基材的表面上形成保护膜的装置，其特征在于，具有：一对成膜辊，以所卷架的基材对置的方式，平行或者大致平行地对置配置；磁场产生构件，设置在所述各成膜辊的内部，在与所述成膜辊之间的对置空间相面对的辊表面附近，产生从该表面朝向对方侧的辊表面膨胀的磁场；等离子体电源，一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给单元，对所述对置空间供给成膜气体；以及真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气，在所述等离子体电源中，一个电极与一个成膜辊连接，另一个电极与另一个成膜辊连接。
根据该等离子体CVD装置，特别是因为设置有：在与成膜辊之间的对置空间相面对的辊表面附近、使膨胀的磁场产生的磁场产生构件，和极性交替地反转的等离子体电源，所以，不设置区划对置空间的放电室等护罩、并且不使用与成膜辊之外的放电用电极，就能够在一对成膜辊之间的对置空间中使放电产生，并将由此产生的等离子体收敛到所述对置空间的各个成膜辊表面附近。因此，从气体供给单元向所述对置空间供给成膜气体，从而成膜气体通过等离子体分解并活性化，分解后的气体堆积在被卷架于成膜辊上的、并且与所述对置空间相面对的基材的表面上，能够效率良好地形成保护膜。在向基材进行成膜时，由于不存在离解后的成膜气体吸附的护罩或与成膜辊不同的放电电极，所以，保护膜不会堆积在护罩或放电电极上，能够抑制起因于这样的保护膜的堆积而产生的保护膜缺陷或成膜稳定性的恶化，能够形成高质量的保护膜。
再有，优选分别设置在所述成膜辊中的磁场产生构件以如下方式配置磁极：在设置于一个成膜辊中的磁场产生构件和设置于另一个成膜辊中的磁场产生构件之间磁力线不跨越，各个磁场产生构件形成大致闭合的磁路。通过设置这样的磁场产生构件，能够促进在各成膜辊的对置侧表面附近形成磁力线膨胀的磁场，等离子体容易收敛于该膨胀部，所以，能够使成膜效率提高。
此时，分别设置在所述成膜辊中的磁场产生构件分别具备在辊轴方向上较长的环形跑道状的磁极，优选以一个磁场产生构件的磁极的磁性和与该磁极相面对的另一个磁场产生构件的磁极的磁性彼此成为相同的方式，配置各磁场产生构件中的磁极。通过设置这样的磁场产生构件，针对各个磁场产生构件，磁力线不跨越对置的辊侧的磁场产生构件，所以能够沿着辊轴的长度方向在与对置空间相面对的辊表面附近容易地形成环形跑道状的磁场，能够使等离子体收敛于该磁场，所以，能够使用沿着辊宽度方向卷架的宽度较宽的基材，有效地形成保护膜。
此外，优选所述气体供给单元设置在所述对置空间的一方、所述真空排气单元设置在所述对置空间的另一方。通过像这样配置气体供给单元、真空排气单元，能够效率良好地对成膜辊的对置空间供给成膜气体，能够使成膜效率提高。
此外，优选所述对置空间的压力为0.1～10Pa。由此，能够将磁场存在的成膜辊的表面附近的区域作为中心，高效地使辉光放电产生，能够得到优良的成膜性。
产业上的可利用性
如上所述，本发明的成膜装置对在塑料的膜或片等带状基材的表面上连续地形成功能性保护膜的成膜装置是有用的，适于抑制向真空室内部的保护膜堆积而向基材形成高质量的保护膜。

Claims (5)

1.一种等离子体CVD装置，一边在真空室内连续地输送基材，一边在该基材的表面上形成保护膜，其中，该等离子体CVD装置具有：
一对成膜辊，以被卷架在该一对成膜辊上的基材对置的方式，平行或者大致平行地对置配置；
磁场产生构件，设置在所述各成膜辊的内部，在与所述成膜辊之间的对置空间相面对的辊表面附近，产生从该表面朝向对方侧的辊表面膨胀的磁场；
等离子体电源，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；
气体供给单元，对所述对置空间供给成膜气体；以及
真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气，
在所述等离子体电源中，一个电极与一个成膜辊连接，另一个电极与另一个成膜辊连接。
2.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，
分别设置在所述成膜辊中的磁场产生构件的磁极以如下方式配置：在设置于一个成膜辊中的磁场产生构件和设置于另一个成膜辊中的磁场产生构件之间磁力线不跨越，各个磁场产生构件形成大致闭合的磁路。
3.如权利要求2所述的等离子体CVD装置，其中，
分别设置在所述成膜辊中的磁场产生构件分别具备在辊轴方向上较长的环形跑道状的磁极，并且，以一个磁场产生构件的磁极的磁性、与和该磁极相面对的另一个磁场产生构件的磁极的磁性成为彼此相同的方式配置各磁场产生构件中的磁极。
4.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，
所述气体供给单元设置在所述对置空间的一方，所述真空排气单元设置在所述对置空间的另一方。
5.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，
所述对置空间的压力为0.1～10Pa。
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