CN101553912A - 机器人装置和设有其的处理装置、灰化系统和灰化方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的机器人装置被构造成通过以下方式移送工件，即将包含用于保持工件的保持器具的指部旋转规定的角度。机器人装置包括：包含彼此间隔的第一指部和第二指部的驱动轴。所述第一指部包含第一臂部和第二臂部，所述第一臂部和第二臂部从所述第一指部的旋转中心延伸，而所述第一臂部和第二臂部之间具有规定的角度，从而所述第一臂部和第二臂部彼此相互离开，并且所述第二指部包含第三臂部和第四臂部，所述第三臂部和第四臂部从所述第二指部的旋转中心延伸，而所述第三臂部和第四臂部之间具有规定的角度，从而所述第三臂部和第四臂部彼此相互离开。在所述第一臂部和所述第三臂部沿所述驱动轴的轴向重叠时，所述第二臂部和所述第四臂部彼此相互离开。所述机器人装置还提高了生产率而不造成尺寸增加以及成本增高。

Description

机器人装置和设有其的处理装置、灰化系统和灰化方法
技术领域
本发明涉及用于输送工件的机器人装置以及设有所述机器人装置的处理装置，灰化系统和灰化方法。
背景技术
例如，在用于在一工件(所述工件例如为用于液晶显示器件的玻璃基板和用于半导体器件的晶片)上形成电路图案等的处理中，必须在所述工件上完成不同的处理步骤。因而，提出了所谓的多室系统，在所述多室系统内设置多个处理室，以在每个室同时地或逐步地完成处理。
在于多室系统内处理工件时，机器人装置从供应单元接收未被处理的工件，并将所述工件供应至一处理室。例如，在所述工件在处理室内被处理之后，机器人装置从处理室接收工件并将所述工件移送至下一处理室或将所述工件输送至另一处理单元。
这里，为了提高这种处理的生产率，提出了一种适于快速地接收并供应工件的机器人装置(见专利参考文献1)。
然而，近年，在高需求以及需要批量制造的领域中需要生产率的进一步提高，例如包括不挥发性半导体记忆元件的半导体器件的领域。因而，即使如专利参考文献1中所公开的技术从生产率提高的角度看具有问题。
专利公开文献1：日本特开平11-135600号公报
发明内容
本发明待解决的问题
本发明提供了一种机器人装置、设有其的处理装置、灰化系统以及灰化方法，这可进一步提高生产率而不造成尺寸增加以及成本增高。
解决该问题的措施
根据本发明的第一方面，提供了一种机器人装置，其被构造成移送一工件，这是通过将包含用于保持所述工件的保持器具的指部旋转规定的角度而实现的，所述机器人装置包括：驱动轴，所述驱动轴包含彼此相互分离的第一指部和第二指部，所述第一指部包含第一臂部和第二臂部，所述第一臂部和第二臂部从所述第一指部的旋转中心延伸，而所述第一臂部和第二臂部之间具有规定的角度，从而所述第一臂部和第二臂部彼此相互离开，并且所述第二指部包含第三臂部和第四臂部，所述第三臂部和第四臂部从所述第二指部的旋转中心延伸，而所述第三臂部和第四臂部之间具有规定的角度，从而所述第三臂部和第四臂部彼此相互离开，在所述第一臂部和所述第三臂部沿所述驱动轴的轴向重叠时，所述第二臂部和所述第四臂部彼此相互离开。
根据本发明的第二方面，提供了一种处理装置，包括：负载锁定室，所述负载锁定室包含根据本发明第一方面的第一机器人装置；处理室，所述处理室被构造成处理一工件；以及转移室，所述转移室包含第二机器人装置，其中所述第二机器人装置被构造成将从所述第一机器人装置接收的工件转移至所述处理室。
根据本发明的第三方面，提供了一种灰化系统，包括：根据本发明第二方面的处理装置，所述处理装置是灰化装置；被构造成容纳晶片的容纳装置；转移装置，所述转移装置被构造成从所述容纳装置同时地接收两个所述晶片，并将所述晶片转移至所述处理装置；以及缓慢冷却器具，用于缓慢冷却由所述灰化装置所灰化的晶片。
根据本发明的第四方面，提供了一种灰化方法，包括在晶片并未安放在根据本发明的第一方面的在负载锁定室内设置的机器人装置的第一指部和第二指部上时，旋转所述第一指部和第二指部；并且在灰化之后将所述晶片移送至与在灰化之前转移所述晶片时使用的臂部相同的臂部。
附图说明
图1是示意性剖切透视图，示出了根据本发明实施例的处理装置；
图2是示意性剖切透视图，示出了处理室的结构；
图3是示意性透视图，示出了机器人装置；
图4是示意图，示出了包括根据该实施例的处理装置的灰化系统；
图5是示意图，示出了灰化系统的功能；
图6是示意图，示出了灰化系统的功能；
图7是示意图，示出了避免与推销干涉的指部的形状；
图8是示意图，示出了避免与推销干涉的指部的形状；
图9是示意图，示出了避免与推销干涉的指部的形状；
图10是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图11是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图12是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图13是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图14是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图15是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图16是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图17是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图18是示意性处理示意图，用于说明由发明人所研究的对比例；
图19是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图20是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图21是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图22是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图23是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图24是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图25是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图26是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图27是示意性处理示意图，用于说明由发明人所获得的发现；
图28是示意性透视图，用于说明设置在负载锁定室内的机器人装置的指部的另一实例。
附图标记列表
1     处理装置
2     负载锁定室
3     转移室
4     处理室
4a    处理室
4b    处理室
9a    推销
9b    推销
11a   机器人装置
11b   机器人装置
47    指部
48    指部
60a   机器人装置
60b   机器人装置
62a   指部
62b   指部
100   灰化系统
101   转移装置
102   缓慢冷却器具
103   容纳装置
621   指部
622   指部
623   指部
624a  指部
624b  指部
U     晶片
W     工件
具体实施方式
现在将参看附图说明本发明的实施例。
图1是示意性剖切透视图，示出了根据本发明的实施例的处理装置。如图1所示，处理装置1包括适于减小其中的压力的负载锁定室2、转移室3以及处理室4a、4b。多个(在图1的视图中总共在四个部位的)移送闸门(handover gate)5a至5d在负载锁定室2与转移室3之间的和转移室3与处理室4a、4b之间的壁内平行地形成。负载锁定室2与转移室3、以及转移室3与处理室4a、4b通过移送闸门5a至5d相连，从而允许所述各室的内部空间彼此相互连通。在此，负载锁定室2、转移室3、和处理室4a、4b的顶部通过顶板(未示出)被气密性密封。
闸门阀6在每个移送闸门5a至5d下方可伸出地设置，并且所述闸门阀允许气密性地关闭每个移送闸门5a至5d。
另一移送闸门7在负载锁定室2的另一壁(与转移室3侧的相反那侧的壁)内设置，并且可以通过大气阀(atmospheric valve)(未示出)被气密性关闭。
根据工件W以及在其上进行处理的内容可以任意地选择处理室4a、4b的结构。例如，可以用于在半导体器件的晶片上实现灰化、蚀刻、清洁和膜形成等，或者用于在液晶显示器件的玻璃基板上实现蚀刻、膜形成等。在此，为了方便说明，描述了用于灰化晶片的结构。
图2是示意性剖视图，示出了处理室4a、4b的结构。
处理室4a、4b包括处理容器10、在该处理容器10的上侧表面内设置的并由平坦的介电板制成的波导体(透射窗)54、以及在所述波导体54外侧设置的供应波导件(feed waveguide)50。在处理容器10内设置一台16，所述台用于允许在波导体54下方的处理空间内在所述台上放置并保持诸如晶片的工件W。
处理容器10可以维持由减压排气系统E所形成的减压的空气环境，并合适地设有用于向处理空间供应处理气体的气体供应管(未示出)。
如上所述，移送闸门5c、5d在处理容器10的一个侧壁内设置，并且闸门阀6允许气密性地关闭每个移送闸门5c、5d。
接着，说明处理室4a、4b本身的操作。
例如，为了利用该处理室4a、4b在工件W的表面上完成灰化，首先，工件W以其表面朝向上的方式放置在台16上。随后说明工件转移到处理室4a、4b内并从所述处理室转移出。
接着，处理空间通过减压排气系统E被转换成减压的状态。然后，作为处理气体的规定的灰化气体被引入到该处理空间内。随后，当在该处理空间内形成该处理气体的气体环境时，例如2.45GHz的微波M从未示出的微波能量源被引入到供应波导件50内。在波导件50内传播的微波M通过槽式天线52朝向波导体54发射。波导体54由诸如石英和铝的介电材料制成。微波M作为表面波在波导体54的表面上传播，并入射到室10内的处理空间内。处理气体的等离子体P通过入射到处理空间内的微波M的能量被形成。在由此所产生的等离子体P中的电荷密度达到或超过适于屏蔽通过波导体54所供应的微波M的密度(截至密度)时，微波M在达到从波导体54的下侧表面朝向室内的处理空间的特定距离(透入深度)d之前被反射，微波M的驻波被形成。
然后，微波M的反射表面用作为等离子体激发表面，并且在该等离子体激发表面上激发出稳定的等离子体P。在于该等离子体激发表面上所形成的稳定的等离子体P中，离子和电子与该处理气体的分子碰撞，以产生激活的活性物质(等离子体产物)，例如激活的原子、分子和自由基团。这些等离子体产物在处理空间内如箭头A所示扩散，并飞到工件W的表面上，在那里完成灰化。应该注意的是，尽管本发明适于如后所述的等离子体的灰化，但是处理室4a、4b也可以用于诸如蚀刻、薄膜沉积、表面改性的等离子体处理、以及等离子体掺杂、常压等离子体处理、以及诸如清洁的所谓的湿式处理。
在转移室3内，机器人装置11a在移送闸门5a与移送闸门5c之间设置，机器人装置11b在移送闸门5b与移送闸门5d之间设置。
图3是示意性透视图，示出了机器人装置11a、11b。
如图3所示，机器人装置11a、11b包括安装体13，其中所述安装体气密性装配并固定到在转移室3的底壁内形成的未示出的安装孔中。驱动源15安装至该安装体13的下侧表面侧。该驱动源15包括电机15a和减速器15b，它们彼此一体形成。
驱动轴17通过未示出的联轴器连接至减速器15b的输出轴。该驱动轴17通过在安装体13内设置的未示出的轴承被可旋转地支承，并且驱动轴的末端部伸入转移室3内。
臂体31的纵向中央部被连接并固定至伸入转移室3内的驱动轴17的末端部。臂体31包括连接在一起的下壳32和上壳33，容纳空间34在这些连接表面之间形成。
驱动轴17的末端部伸入容纳空间34中。驱动轴17的末端表面与上壳33的内侧表面相连，而该连接部由螺钉等固定。此外，固定的带轮38在臂体31的纵向中央部上设置。该固定的带轮38可相对于所述驱动轴17相对旋转，并且安装并固定至伸入容纳空间34中的并与安装体13一体形成的推压构件(未示出)的末端部。
第一旋转带轮41在容纳空间34的一个纵向端部中可旋转地设置，第二旋转带轮42在另一端部中可旋转地设置。作为动力转移器具的连续同步带43在这对旋转带轮41、42与固定的带轮38之间伸展。安装至未示出的调节板的一对张紧辊45以它们之间具有规定间隔的方式在固定的带轮38与每个旋转带轮41、42之间设置。该调节板沿臂体31的纵向的位置可以被调节，这允许调整同步带43的张紧程度。
固定的带轮38与旋转带轮41、42之间的变速比(外径尺寸之比)设定为2比1。因此，在固定的带轮38与旋转带轮41、42相对旋转时，它们的转速比等于2比1。
安装轴41a、42a在旋转带轮41、42的上侧表面上设置。安装轴41a、42a从上壳33向外伸出。第一指部47安装至第一旋转带轮41的安装轴41a，第二指部48安装至第二旋转带轮42的安装轴42a。
第一旋转带轮41的安装轴41a被构造成比第二旋转带轮42的安装轴42a短。因此，第一指部47沿高度方向位置低于第二指部48。
因为第一指部47和第二指部48高度不同，所以即使每个指部47、48从位于臂体31的纵向延长线上的状态旋转180度至位于臂体31上方的状态，这些指部47、48也并不彼此干涉，而是彼此相对垂直地间隔且相对，在所述指部之间存在规定的间距。
接着，说明机器人装置11a、11b本身的操作。
在驱动源15被操作以使得驱动轴17旋转时，臂体31与这种旋转互锁。在图3中，在臂体31沿箭头B的方向旋转时，同步带43沿箭头C的方向运转，这是因为固定的带轮38并不旋转。因此，这对旋转带轮41、42沿箭头D的方向旋转，并且指部47、48与这种旋转互锁地转动。
指部47、48在臂体31上方垂直间隔并彼此相互重叠的状态此后被称为臂体31处于0度的旋转角度的状态。如果臂体31从0度的旋转角度沿箭头B的方向旋转90度，则指部47、48旋转180度，并因而位于臂体31的纵向延长线上。也就是说，指部47、48从臂体31的两个端部伸出，并与臂体31共直线，导致了如图3所示的状态。
负载锁定室2包括第一移送位置8a，其与移送闸门5a的位置相对；第二移送位置8b，其与移送闸门5b的位置相对；以及第三移送位置8c，其与移送闸门7的位置相对。
第一移送位置8a和第二移送位置8b的位置设置在与负载锁定室2与转移室3之间的壁间隔等距的位置并平行于该壁。移送位置8c在穿过第一移送位置8a与第二移送位置8b中间的并垂直于前述壁的直线上设置。
三个垂直可移动的推销9a、9b分别在移送位置8a、8b上设置。在如后所述的工件W(例如晶片)移送并未完成时，每个推销9a、9b位于下降端位置。在工件W被移送后，每个推销9a、9b上升至上升端位置，允许工件W安放在推销9a、9b的上端表面上。
另一方面，如图1所示，机器人装置60a、60b在所述负载锁定室2内在第一移送位置8a与第二移送位置8b之间设置。机器人装置60a具有未示出的基部。该基部安装至负载锁定室2的底壁，并且从所述基部伸出的驱动轴61a的末端连接有大体L形的指部62a的基部。机器人装置60b具有未示出的基部。该基部安装至负载锁定室2的底部，并且从所述基部伸出的驱动轴61b的末端连接有大体L形的指部62b的基部。每个指部62a、62b设有两个臂部，所述两个臂部从指部的旋转中心以大体L的形状延伸，并且未示出的保持器具在臂部的延伸端部附近设置，从而工件W可以安放并保持在所述器具上(见图5)。
驱动轴61a、61b设置成穿过负载锁定室2的底壁，并且与独立的驱动源分别相连。在此，可选地，动力可以从一个驱动源通过齿轮等被传递至每个驱动轴61a、61b。
驱动轴61a、61b大体上处于第一移送位置8a与第二移送位置8b之间的中央。驱动轴61a绕驱动轴61b共轴线地设置。与指部62a相连的驱动轴61a的末端被构造成短于(低于)驱动轴61b的末端。因此，指部62a安置成在从负载锁定室2的底壁的高度方向上低于指部62b。
如上所述，指部62a、62b大体上为L形。因此，在指部62a、62b旋转90°时，指部62a、62b的末端在移送位置8a与8c之间或在8b与8c之间移动。在此，指部62a、62b的高度被构造成处于高于负载锁定室2的底壁并低于机器人装置11a、11b的指部47的位置。这允许指部62a、62b插入指部47下方，即使指部47高于第一移送位置8a或第二移送位置8b。
如上所述，在该实施例中，在负载锁定室2内的移送位置8c，两个以它们之间具有垂直间隔的方式被承载的晶片U可以同时地在对应的指部的一个端部上被接收，所述指部然后被旋转90°，以将晶片U分布至两个平坦的部位(第一移送位置8a和第二移动位置8b)。同时，两个被处理的晶片U可以由对应的指部的另一端部同时地接收在两个平坦的部位(第一移送位置8a和第二移动位置8b)，并然后与前述对应的指部的旋转相关联地被返回至移送位置8c，同时它们之间具有垂直间隔。
也就是说，根据该实施例的机器人装置60a、60b可以同时地将两个晶片U供应至这两个处理室4a、4b的侧部。与之平行地，机器人装置60a、60b可以同时地从处理室4a、4b的侧部接收处理后的晶片U，并可将所述晶片移送至如后所述的转移装置101(见图4)，从而它们以之间具有垂直间隔的方式被堆叠。因而，与晶片U被各个供应并从处理室4a、4b被运出的情况相比，为此所需的时间大体上可以减半。
接着，说明机器人装置60a、60b本身的操作。
在未示出的驱动源操作成使得驱动轴61a、61b旋转时，指部62a、62b与所述旋转互锁。指部62a和指部62b沿彼此相反的方向旋转90°。如上所述，指部62a、62b大体上为L形。因此，在指部62a、62b旋转90°时，指部62a、62b的末端在移送位置8a与8c之间或在8b与8c之间移动。这允许工件W在每个移送位置被移动。
接着，说明如上所述构造的处理装置1被用于连续灰化晶片U的情况。
图4是示意图，示出了包括根据该实施例的处理装置1的灰化系统100。
如图4所示，灰化系统100包括前述的处理装置1、转移装置101、缓慢冷却器具102、以及容纳装置103。
转移装置101包括具有垂直间隔的接头的臂101a。未示出的保持器具在臂101a的末端上设置，从而晶片U或工件可以安放并保持在其上。此外，臂101a设置在臂基部101c上，所述臂基部连接至可移动的器具101b，从而臂基部101c可沿箭头F13的方向移动。因此，臂101a以折叠的方式展开和收缩，并且两个晶片U同时地被安放并保持在臂101a的末端上，并可以沿箭头F13的方向移动。此外，尽管没有示出，但是设置了用于调整晶片U的旋转方向以及垂直位置的器具，以及用于通过旋转臂101的基部而改变臂101a的方向的器具。
缓慢冷却器具102用于缓慢冷却灰化的晶片U。灰化导致了增加晶片U或工件的温度。因此，在晶片或工件被容纳在树脂盒等中时，其需要被冷却以降低其温度。在这方面，如果晶片U被快速地冷却以缩短处理时间，则晶片U可出现裂缝，这例如是在所谓的层叠晶片的情况中，在所述层叠晶片中，支承基板(移送晶片)和活动基板(活动晶片)被层叠。
作为研究的结果，发明人已经发现，如果缓慢冷却器具102在灰化系统100内设置以通过自然散热等冷却晶片U，则可以防止晶片U出现裂缝等，并且在冷却时间的过程中可以同时地灰化其它晶片U，允许提高生产率。例如，设置由耐热材料制成的容纳器具，从而允许晶片U被安放和保持在其上。在此，尽管缓慢冷却器具102允许一个晶片U被安放并保持在其上，但是所述缓慢冷却器具也可允许多个晶片U以堆叠(多层)的结构或平坦的结构被安放并保持在其上，这考虑到了灰化时间与缓慢冷却时间之间的折衷。
容纳装置103用于在灰化之前和之后容纳晶片U，并且示意性可以是适于以堆叠(多层)的结构容纳晶片U的晶片载体。具体地讲，容纳装置可以是FOUP(前开式统一规格的舱)，其是用于在基于迷你环境系统的半导体车间内转移并保持晶片U的前开式载体。同样按照需要设置用于在载体之前的门的打开/关闭装置。
接着，参照图4至6说明灰化系统100的功能。
图5和6是示意图，示出了灰化系统100的功能。
首先，如图4所示，转移装置101的臂基部101c移动至指定的容纳装置103的前部。在此，容纳装置103的门通过未示出的打开/关闭装置被打开。接着，臂101a以折叠的方式沿箭头F2的方向展开，以接收两个晶片U，同时在它们之间具有规定的垂直间隔。然后，臂101a以折叠的方式沿箭头F1的方向收缩，以从容纳装置103接收晶片U。
接着，如图5所示，臂101a旋转180°并指向处理装置1。此时，臂基部101c的位置按照需要被调整，从而来到处理装置1之前。
接着，臂101a以折叠的方式沿箭头F3的方向展开，以将两个晶片U以它们之间具有规定的垂直间隔的方式移送至机器人装置60a、60b的指部62a、62b。随后，臂101a以折叠的方式沿箭头F4的方向收缩，以从负载锁定室2收回。负载锁定室2通过闸门阀6被气密性地关闭，并且其中的压力被减小至规定的值。
接着，指部62a、62b沿箭头F5、F6的方向旋转90°，以将两个晶片U分布至第一移送位置8a和第二移送位置8b。在第一移送位置8a和第二移送位置8b，晶片U通过推销9a、9b被抬高至规定的高度。
接着，指部47或指部48插入抬高的晶片U下方。随后，推销9a、9b向下移动，以将晶片U移送到指部47或指部48上。
接着，机器人装置11a、11b被旋转并沿箭头F7、F9的方向(朝向处理室4a、4b)被转移到转移室3内，并且晶片U被运输到处理室4a、4b内。
接着，晶片U通过未示出的推销等在处理室4a、4b内被移送至台16。在机器人装置11a、11b被收回之后，处理室4a、4b通过闸门阀6被气密性关闭，并且完成前述的灰化。灰化等的状况是基于现有已知的技术，并且因此省略了其的说明。
灰化后的晶片U以如前所述相反的次序被移送至转移装置101的臂101a。也就是说，所述灰化后的晶片沿图5中的箭头F8/F10、F5/F6和F4的方向被转移并移送到转移装置101的臂101a。
接着，如图6所示，臂基部101c移动至缓慢冷却器具102的前部，并且臂101a以折叠的方式沿箭头F11的方向展开，以将两个晶片U以它们之间具有规定的垂直间隔的方式移送至缓慢冷却装置102。然后，如果存在已经完成缓慢冷却的任何晶片U，则其被接收，并且臂101a以折叠的方式沿箭头F12的方向收缩，以从缓慢冷却器具102收回。
接着，臂基部101c移动至容纳装置103的前部，并且臂101a旋转180°，并以折叠的方式沿箭头F2的方向展开，以将两个晶片U以它们之间具有规定的垂直间隔的方式移送至容纳装置103。在此，控制被设置成，从容纳装置103被运送出的晶片U在同一位置被再次容纳。随后，如果需要的话，前述次序被重复以连续地完成灰化。
在此，如上所述，晶片U通过垂直移动推销9a、9b而在指部62a、62b与指部47、48之间被移送。因此，在推销9a、9b向上移动时，指部62a、62b不可旋转，并且可以出现等待时间。
作为研究的结果，发明人已经发现如果机器人装置60a、60b的指部具有尽管旋转但避免与推销9a、9b干涉的形状，但是可以消除等待时间。
图7至9是示意图，示出了避免与推销9a、9b干涉的指部的形状。
在此，为了避免附图复杂，仅仅示出了机器人装置60b侧(上侧)上的指部，并且省略了机器人装置60a侧(下侧)上的指部的图示。
图7示出了指部621，其具有大体T形的形状，从而避免与推销9a、9b的干涉。图7A示出了处于第二移送位置8b和移送位置8c的指部621。图7B示出了处于第一移送位置8a和移送位置8c的指部621。
图8示出了指部622，其末端部分弯曲成方U形。图8A示出了处于第二移送位置8b和移送位置8c的指部622。图7B示出了处于第一移送位置8a和移送位置8c的指部622。
图9示出了具有大体T形的指部623，其末端部朝向旋转中心弯曲。如上所述，在第二移送位置8b和移送位置8c的指部623的状态相对于在第一移送位置8a和移送位置8c的状态是对称的，并因此省略了它们的图示。
在此，在半导体器件制造的领域中，从制造控制、质量控制等的必要性考虑，从容纳装置103运送出的晶片U需要在同一容纳装置103内的同一位置被再次容纳。然而，这在前述灰化系统100的操作中被违反，例如消耗额外的时间和精力，以将晶片U重新定位在正确的位置。
图10至18是示意性处理示意图，示出了发明人所研究的对比例。如图10A所示，从底部开始No.1至No.6的六个晶片在容纳装置103内被容纳。在此，图中的灰化系统的阴影部分示出了减压的状态。
接着，如图10B所示，容纳在容纳装置103内的No.1和No.2晶片U通过转移装置101被取出并转移到负载锁定室2的前部。
接着，如图11A所示，No.2晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，No.1晶片U被移送至下侧指部。随后，如图11B所示，上侧指部和下侧指部旋转90°，并且这些晶片U被转移至第一移送位置8a和第二移送位置8b。
接着，如图12A所示，负载锁定室2内的压力被减小至规定的值。随后，如图12B所示，No.1和No.2晶片U被移送至转移室内设置的机器人装置的指部。与之平行地，以前述的次序，No.3和No.4晶片U从容纳装置103被取出并被转移至负载锁定室2的前部。
接着，如图13A所示，No.1和No.2晶片U被运到处理室4内，安放在台上，并经受灰化处理。然后，如图13B所示，负载锁定室2被返回至大气压力。
接着，如图14A所示，No.4晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，No.3晶片U被移送至下侧指部。随后，如图14B所示，上侧指部和下侧指部旋转90°，并且这些晶片U被转移至第一移送位置8a和第二移送位置8b。
接着，如图15A所示，负载锁定室2内的压力被减小至规定的值。随后，如图15B所示，No.3和No.4晶片U被移送至转移室内设置的机器人装置的一个指部。与之平行地，已经完成灰化处理的No.1和No.2晶片U从处理室4被运出。
接着，如图16A所示，No.3和No.4晶片U被运入处理室4内，安放在台上，并经受灰化处理。同时地，No.1晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，而No.2晶片U被移送至下侧指部。与之平行地，以上述次序，No.5和No.6晶片U从容纳装置103取出，并转移至负载锁定室2的前部。
接着，如图17A所示，No.6晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，No.5晶片U被移送至下侧指部。随后，如图17B所示，上侧指部和下侧指部旋转90°，并且这些晶片U被转移至第一移送位置8a和第二移送位置8b。与之相联系地，No.1和No.2晶片U被转移至移送位置8c。
同时，No.1晶片U被安放在负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部上，而No.2晶片U被安放在下侧指部上。这意味着，上下关系参照如图11A所述的处理之前的关系(No.2晶片U在上侧指部上而No.1晶片U在下侧晶片上)被颠倒。
然后，如图18所示，如果No.1和No.2晶片U被直接移送至转移装置101并被容纳在容纳装置103中，则晶片U以颠倒的上下关系被容纳。
作为研究的结果，发明人已经发现如果上侧指部和下侧指部旋转90°以改变没有晶片U安放在负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部和下侧指部上时的安放位置，则晶片U可以从负载锁定室以最初上下的关系被运出。
图19至27是示意性处理流程图，示出了发明人所获得的发现。
如图19A所示，从底部开始依次No.1至No.6的六个晶片在容纳装置103内被容纳。在此，图中的灰化系统的阴影部分表明了减压的状态。
接着，如图19B所示，在容纳装置103内容纳的No.1和No.2晶片U通过转移装置101被取出，并被转移至负载锁定室2的前部。
接着，如图20A所示，No.2晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，No.1晶片U被移送至下侧指部。随后，如图20B所示，上侧指部和下侧指部旋转90°，并且这些晶片U被转移至第一移送位置8a和第二移送位置8b。
接着，如图21A所示，负载锁定室2内的压力被减小至规定的值。随后，如图21B所示，No.1和No.2晶片U被移送至转移室内设置的机器人装置的指部。与之平行地，以上述的次序，No.3和No.4晶片U从容纳装置103被取出并被转移至负载锁定室2的前部。
接着，如图22A所示，No.1和No.2晶片U被运到处理室4内，安放在台上，并经受灰化处理。然后，如图22B所示，负载锁定室2返回至大气压力。
接着，如图23A所示，No.4晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，而No.3晶片U被移送至下侧指部。随后，如图23B所示，上侧指部和下侧指部旋转90°，并且这些晶片U被转移至第一移送位置8a和第二移送位置8b。
接着，如图24A所示，负载锁定室2内的压力被减小至规定的值。随后，如图24B所示，No.3和No.4晶片U被移送至转移室内设置的机器人装置的一个指部。与之平行地，已经完成灰化处理的No.1和No.2晶片U从处理室4被运出。
此时，没有晶片U安放在负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部和下侧指部上。因而，此时，上侧指部和下侧指部旋转90°。在此，图24B示出了旋转过程中上侧指部和下侧指部的位置。
在这种情况中，如果指部具有参照图7至9所述的避免与推销9a、9b干涉的形状，则甚至在推销9a、9b向上移动时上侧指部和下侧指部也可旋转90°，并且可以提高生产率。
接着，如图25A所示，No.3和No.4晶片U被运入处理室4内，安放在台上，并经受灰化处理。同时地，No.1晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的下侧指部，No.2晶片U被移送至上侧指部。与之平行地，以前述的次序，No.5和No.6晶片U从容纳装置103被取出并被转移至负载锁定室2的前部。
接着，如图26A所示，No.6晶片U被移送至负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部，而No.5晶片U被移送至下侧指部。随后，如图26B所示，上侧指部和下侧指部旋转90°，并且这些晶片U被转移至第一移送位置8a和第二移送位置8b。与之相联系地，No.1和No.2晶片U被转移至移送位置8c。
随后，该次序被重复以继续灰化晶片U。
此时，根据该实施例，No.2晶片U安放在负载锁定室内设置的机器人装置的上侧指部上，No.1晶片U安放在下侧指部上。这意味着，上下关系与参照图20A所述的处理之前的关系(No.2晶片U在上侧指部上而No.1晶片U在下侧晶片上)相同。
然后，如图27所示，如果No.1和No.2晶片U直接移送至转移装置101并容纳在容纳装置103内，则晶片U可以以最初的上下关系被容纳。
在该实施例中，参照图24B所述上侧指部和下侧指部旋转90°的操作仅仅需要每两种以下的情况(occasion)完成一次。在此，所述情况指的是这样的情况，即在负载锁定室2内设置的机器人装置将灰化之前的晶片U与灰化后的晶片U交换。
取决于负载锁定室内设置的机器人装置的指部的结构，这种操作可以每种情况都被完成，或者可以如上所述每规定数量的情况完成一次。
此外，用于记忆晶片U的转移状态的器具可以被设置，以存储每个晶片U的转移记录，从而指部可以响应于特定的晶片U应该被返回至指部的具体臂部的决定而被操作。例如，用于转移未处理的晶片的臂部可以被记忆，从而指部可以被切换成将已处理的晶片U移送至同一臂部。
出于方便说明的原因，根据本发明的该实施例的处理装置1为晶片灰化装置。然而，本发明并不限于此。例如，本发明还可应用为减压处理装置，例如蚀刻装置和膜形成装置、以及用于在大气压下进行处理的装置、以及所谓的湿式处理装置、例如清洁装置和湿式蚀刻装置，它们用于液晶显示器件的玻璃基板、用于半导体器件的晶片等。
然而，例如考虑到将工件返回至最初的容纳位置并提供缓慢冷却器具以防止高温的处理后的工件出现裂缝，本发明有利地应用于灰化半导体器件的晶片。
本发明的实施例已经参照实例被说明。然而，本发明并不限于此。
在不脱离本发明精神的前提下，本领域技术人员可以合适地修改上述实例，并且这些改型同样包含在本发明的范围内。
例如，处理装置1和灰化系统100的各部件的形状、尺寸、布局等并不限于是所示的那些，而是可以合适地被改型。
此外，在上述说明中，垂直可移动的三个推销在移送位置8a、8b被设置。然而，例如，考虑到大工件的变形，如图28所示，可以设置五个垂直可移动的推销90a、90b。推销的数量和布局并不限于所示的那些，而可以合适地被改型。
此外，如图28所示，指部624a、624b的形状被设置成，其延伸端部的横截面尺寸朝向末端逐渐减小。
此外，如图28(以及图1)所示，在上述说明中，指部624a、624b的臂部之间的角度θ大体上是直角，但是本发明并不限于此。更具体地讲，必须允许在一个部位接收的多个工件W通过指部的旋转被分布。例如，相对于指部624b侧，这可以被实现，如果指部的旋转中心624e并不位于其中安放工件的指部末端的中心624c与624d之间的连接线X上。
此外，负载锁定室内设置的机器人装置的指部的数量可以被改变，或者不同形状的指部可以被组合。例如，具有大体L形的两个指部以及一个直线指部可以被组合。这种组合可以与转移室3内的三个机器人装置以及三个处理室4结合使用。
此外，上述实例的各部件只要可行的话就可以组合，并且这种组合还包含在本发明的范围内，只要它们属于本发明的精神，
工业实用性
本发明提供了机器人装置以及设有其的处理装置，灰化系统，以及灰化方法，这可进一步提高生产率而不造成尺寸增加以及成本增高。

Claims (4)

1.一种机器人装置，其被构造成移送工件，这是通过将包含用于保持所述工件的保持器具的指部旋转规定的角度而实现的，所述机器人装置包括：
驱动轴，所述驱动轴包含彼此相互间隔的第一指部和第二指部，
所述第一指部包含第一臂部和第二臂部，所述第一臂部和第二臂部从所述第一指部的旋转中心延伸，而所述第一臂部和第二臂部之间具有规定的角度，从而所述第一臂部和第二臂部彼此相互离开，并且
所述第二指部包含第三臂部和第四臂部，所述第三臂部和第四臂部从所述第二指部的旋转中心延伸，而所述第三臂部和第四臂部之间具有规定的角度，从而所述第三臂部和第四臂部彼此相互离开，
在所述第一臂部和所述第三臂部沿所述驱动轴的轴向重叠时，所述第二臂部和所述第四臂部彼此相互离开。
2.一种处理装置，包括：
负载锁定室，所述负载锁定室包含根据权利要求1的第一机器人装置；
处理室，所述处理室被构造成处理工件；以及
转移室，所述转移室包含第二机器人装置，其中所述第二机器人装置被构造成将从所述第一机器人装置接收的工件转移至所述处理室。
3.一种灰化系统，包括：
根据权利要求2所述的处理装置，所述处理装置是灰化装置；
被构造成容纳晶片的容纳装置；
转移装置，所述转移装置被构造成从所述容纳装置同时地接收两个所述晶片，并将所述晶片转移至所述处理装置；以及
缓慢冷却器具，用于缓慢冷却由所述灰化装置所灰化的晶片。
4.一种灰化方法，包括
在晶片并未安放在根据权利要求1的在负载锁定室内设置的机器人装置的第一指部和第二指部上时，旋转所述第一指部和第二指部；并且
将灰化之后的所述晶片移送至与在灰化之前转移所述晶片时使用的臂部相同的臂部。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935538A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 上海微电子装备有限公司 一种载片传输装置及其传输方法
CN108987300A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件制造工具及其制造方法
CN113097047A (zh) * 2021-03-10 2021-07-09 长江存储科技有限责任公司 灰化设备及灰化方法
CN113314448A (zh) * 2021-05-13 2021-08-27 长江存储科技有限责任公司 半导体传输设备及其控制方法
CN114102645A (zh) * 2021-12-17 2022-03-01 烟台大学 一种机器人可调式机械手

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012028659A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US9330951B2 (en) * 2013-06-05 2016-05-03 Persimmon Technologies, Corp. Robot and adaptive placement system and method
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135600A (ja) 1997-08-25 1999-05-21 Shibaura Mechatronics Corp ロボット装置および処理装置
JPH11163075A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2000174091A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Fujitsu Ltd 搬送装置及び製造装置
JP2003060008A (ja) * 2001-05-21 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置、移載装置、移載方法
JP4518712B2 (ja) * 2001-08-13 2010-08-04 キヤノンアネルバ株式会社 トレイ式マルチチャンバー基板処理装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935538A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 上海微电子装备有限公司 一种载片传输装置及其传输方法
CN106935538B (zh) * 2015-12-30 2020-08-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种载片传输装置及其传输方法
CN108987300A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件制造工具及其制造方法
US10770314B2 (en) 2017-05-31 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, tool, and method of manufacturing
CN108987300B (zh) * 2017-05-31 2021-06-08 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件制造工具及其制造方法
CN113097047A (zh) * 2021-03-10 2021-07-09 长江存储科技有限责任公司 灰化设备及灰化方法
CN113314448A (zh) * 2021-05-13 2021-08-27 长江存储科技有限责任公司 半导体传输设备及其控制方法
CN114102645A (zh) * 2021-12-17 2022-03-01 烟台大学 一种机器人可调式机械手
CN114102645B (zh) * 2021-12-17 2024-04-19 烟台大学 一种机器人可调式机械手

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