CN101546051B - 法拉第旋转器 - Google Patents
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Abstract
本发明的法拉第旋转器，其特征在于，磁铁体由第一磁铁(1)、第二磁铁(2)以及第三磁铁(3)构成，其中，上述第一磁铁(1)在与光轴垂直且朝光轴的方向上磁化，上述第二磁铁(2)在与光轴垂直且远离光轴的方向上磁化，上述第三磁铁(3)配置在上述两磁铁之间，在与光轴平行从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在这些磁铁的各中心设置有用于配置上述磁铁体的贯通孔(孔部)，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。
Description
技术领域
本发明涉及在光通信系统、激光加工系统等中使用的磁光学设备，尤其涉及在光隔离器等中使用的法拉第旋转器(Faraday rotator)的改良，所述光隔离器用于防止从光源射出且在光学元件的端面反射的光回到光源。
背景技术
法拉第旋转器是功能元件，具有由法拉第元件以及用于向该法拉第元件施加磁场以产生法拉第效应的磁铁，用于光隔离器等磁光学设备上，其中，所述光隔离器在光通信系统、激光加工系统等中使用，用于遮断向半导体激光器返回的反光，使其激光振荡稳定。
图1是目前在光通信系统中使用的基本的法拉第旋转器的剖视图。图中的附图标记10是在光轴方向上磁化的(黑箭头)永久磁铁(磁铁体)，其形状一般为圆筒形，在其贯通孔中插入有法拉第元件11。法拉第元件11因永久磁铁10的贯通孔中的光轴方向的磁场而产生法拉第效应。以往，在光通信系统中使用的光的波段(band of wavelength)主要是1.3～1.7μm，在光隔离器中，以稀土类铁石榴石膜(rare earth iron garnet film)作为法拉第元件插入到永久磁铁中，将此用作法拉第旋转器。
近年来，越来越需要用于保护激发加工机用光纤激光器所使用的半导体激光的光隔离器，但是在此使用的光的波长为比光通信波段(opticalcommunication band)短的波长，主要是1μm附近的波长。而且，对于1μm附近的波长而言，稀土类铁石榴石膜较大地吸收这种光，导致稀土类铁石榴石膜不耐用，因此作为上述法拉第元件，使用铽镓石榴石(以下，有时略记为TGG)、铽玻璃等顺磁性体。
尤其，当将法拉第旋转器用于光隔离器时，通过法拉第效应使光的偏振面旋转，其旋转角度(以下称为法拉第旋转角)必须是45度(以下标记为45°)。
当设法拉第元件的长度为L、费尔德常数(Verdet constant)为V、光轴方向的磁场为H时，法拉第旋转角＝V×L×H。
法拉第元件的费尔德常数在空间上恒定，而通过磁铁产生的光轴方向的磁场在空间不一定恒定，因此，实际上
法拉第旋转角＝∑V·H(L)·ΔL (式2)
然而，由于TGG、铽玻璃等上述顺磁性体的费尔德常数小，使偏振面旋转的能力小，因此需要大的磁场，结果需要上述顺磁性体在光轴方向上长且大，同时将其磁化的永久磁铁也变得巨大。
另外，顺磁性体和磁铁的巨大化不仅使成本较大地上升，而且由于强大的漏磁场，导致光隔离器的装配困难，而且向设备组装光隔离器也困难。
另外，若上述顺磁性体的尺寸在光轴方向上长，则在激光透过时，因吸收光而造成顺磁性体的温度上升，法拉第旋转角偏离45°，引起光隔离器的性能下降。
作为解决这样的问题的方法，已开发了一种法拉第旋转器，如图5所示，该法拉第旋转器由第一磁铁1和第二磁铁2构成具有贯通孔的磁铁体，在该磁铁体的上述贯通孔内配置法拉第元件5，以提高对法拉第元件5施加的磁场强度，所述第一磁铁1的磁化方向与光轴垂直并且在朝向光轴的方向上磁化，所述第二磁铁2的磁化方向与光轴垂直并且在从光轴离开的方向上磁化(参照JP特开2004-302412号公报(以下称为专利文献1)以及JP特开2007-248779号公报(以下称为专利文献2))。
而且，通过在专利文献1以及2中公开的方法，能够加强对法拉第元件施加的磁场强度，但是为了实现法拉第旋转器的进一步的小型化，期望开发更强的磁铁体结构。
然而，为了解决因顺磁性体(法拉第元件)的温度上升而引起的法拉第旋转角的偏离问题，考虑到如下方法是有效的，即，将短的多个顺磁性体组合从而提高放热性的方法，例如将法拉第旋转角为22.5度的两个法拉第旋转器进行串联连接的方法。
但是，当将专利文献1中记载的法拉第旋转器进行串联连接时，存在如下问题，即，如果不在两个法拉第旋转器间设置充分的间隔，则施加在法拉第元件上的磁场强度会下降。
另外，还考虑应用具有两个法拉第旋转器的专利文献2中记载的光隔离器的结构的方法。但是，专利文献2的上述光隔离器作为在法拉第旋转角为45度的法拉第旋转器间配置了偏振光镜的所谓准双(semi double)型光隔离器结构(在法拉第旋转器之间配置了偏振光镜的光隔离器被称为准双型光隔离器结构，应用法拉第旋转角为45度的法拉第旋转器)发挥功能，在专利文献2中记载的磁铁结构中，在将两个法拉第元件的法拉第旋转角设为22.5度的情况下，在与偏振光镜组合而构成光隔离器时不能够有效地发挥功能。
发明内容
本发明是着眼于这样的问题而作成的，其目的在于提供一种更小型的法拉第旋转器，并且提供一种在将两个该法拉第旋转器进行串联连接的情况下，也能够使其作为法拉第旋转器有效地发挥功能的小型的法拉第旋转器。
即，本发明的第一方式是一种法拉第旋转器，具有磁铁体和法拉第元件，其中，上述磁铁体在中心具有使光通过的贯通孔，上述法拉第元件配置在该贯通孔内并且具有使光透过的顺磁性体，该法拉第旋转器的特征在于，上述磁铁体由第一磁铁、第二磁铁以及第三磁铁构成，其中，上述第一磁铁，其磁化方向与光轴垂直，并且在朝向光轴的方向上被磁化，上述第二磁铁，其磁化方向与光轴垂直，并且在从光轴离开的方向上被磁化，上述第三磁铁配置在上述第一磁铁和第二磁铁之间，其磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁朝向第一磁铁的方向上被磁化；在上述第一磁铁、第二磁铁以及第三磁铁的各中心设置有构成上述磁铁体的贯通孔的孔部，并且在由这些孔部构成的贯通孔的长度方向中央部配置法拉第元件，并且当第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。
另外，本发明的第二方式是一种法拉第旋转器，具有磁铁体和法拉第元件，其中，上述磁铁体在中心具有光通过的贯通孔，上述法拉第元件配置在该贯通孔内并且具有光透过的顺磁性体，其特征在于，将两个第一方式的法拉第旋转器沿着光轴方向进行串联连接，并且在第一法拉第旋转器和第二法拉第旋转器之间，配置有由内侧磁铁和外侧磁铁构成的第四磁铁对，并且上述内侧磁铁和上述外侧磁铁的磁化方向与光轴平行，且上述内侧磁铁和上述外侧磁铁在相互相反的方向上被磁化，上述内侧磁铁具有与第一和第二法拉第旋转器的贯通孔连通的孔部，上述外侧磁铁具有直径比上述内侧磁铁的外径大的孔部，并且在该孔部中嵌入整个上述内侧磁铁。
并且，根据本发明的第一方式的法拉第旋转器，其具有如下特征：磁铁体由第一磁铁、第二磁铁以及第三磁铁构成，其中，上述第一磁铁其磁化方向与光轴垂直并且在朝向光轴的方向上被磁化，上述第二磁铁其磁化方向与光轴垂直并且在从光轴离开的方向上被磁化，上述第三磁铁配置在上述第一磁铁和第二磁铁之间，磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在第一、第二磁铁以及第三磁铁的各中心设置有构成上述磁铁体的贯通孔的孔部，并且在由这些孔部构成的贯通孔的长度方向中央部配置法拉第元件，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，上述关系式的关系成立。
然后，与专利文献1以及2中公开的方法相比较，通过磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化的上述第三磁铁的作用，能够进一步提高对法拉第元件施加的磁场强度，因此能够减小法拉第元件的光轴方向的长度尺寸，使法拉第旋转器的进一步地小型化。
另外，根据本发明的第二方面的法拉第旋转器，其具有如下特征：将两个第一方式的法拉第旋转器沿着光轴方向进行串联连接，并且在第一法拉第旋转器和第二法拉第旋转器之间配置有由内侧磁铁和外侧磁铁构成的第四磁铁对，并且内侧磁铁和外侧磁铁的磁化方向与光轴平行且内侧磁铁和外侧磁铁在相互相反的方向上磁化，其中，上述内侧磁铁具有与第一和第二法拉第旋转器的贯通孔连通的孔部，上述外侧磁铁具有比该内侧磁铁的外径大的孔部，并且在该孔部中嵌入有整个内侧磁铁。
并且，通过由内侧磁铁和外侧磁铁构成的各磁铁的磁化方向与光轴平行并且在相互相反的方向上磁化的第四磁铁对的作用，在无需设置充分的间隔，将第一法拉第旋转器和第二法拉第旋转器进行串联连接的情况下，也难以使对法拉第元件施加的磁场强度的下降，因此抑制吸收光而引起的法拉第元件的温度上升，由此能够使法拉第旋转角稳定的法拉第旋转器进一步地小型化。
附图说明
图1是在光通信系统中使用的基本的法拉第旋转器的概略剖视图。
图2是本发明的法拉第旋转器的概略剖视图。
图3是第一实施例的法拉第旋转器的概略剖视图。
图4是第一实施例的法拉第旋转器的构成构件即第一磁铁的概略剖视图。
图5是第一比较例(现有技术)的法拉第旋转器的概略剖视图。
图6是将第一实施例和第一比较例的法拉第旋转器的光轴方向的磁场强度进行比较的曲线图。
图7是本发明的变形例的法拉第旋转器的概略剖视图。
图8是第二实施例的法拉第旋转器的概略剖视图。
具体实施方式
下面，对本发明进行详细说明。
首先，本发明的第一方式的法拉第旋转器，具有磁铁体和法拉第元件，其中，上述磁铁体在中心具有使光通过的贯通孔，上述法拉第元件配置在该贯通孔内并且具有光透过的顺磁性体，其特征在于，上述磁铁体由第一磁铁、第二磁铁以及第三磁铁构成，其中，上述第一磁铁其磁化方向与光轴垂直并且在朝光轴的方向上磁化，上述第二磁铁其磁化方向与光轴垂直并且在从光轴离开的方向上磁化，上述第三磁铁配置在上述第一磁铁和第二磁铁之间，磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在第一、第二磁铁以及第三磁铁的各中心设置有构成上述磁铁体的贯通孔的孔部，并且在由这些孔部构成的贯通孔的长度方向中央部配置法拉第元件，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述式(1)的关系成立：
L2/10≤L3≤L2 式(1)。
并且，磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化的上述第三磁铁进一步发挥辅助作用，即，对因第一磁铁以及第二磁铁的相互作用而形成的磁场进行加强，但是如果光轴方向的长度过短，则不能充分发挥辅助磁铁的作用，另外，如果过长，则通过第一以及第二磁铁的相互作用而形成的磁场反而会减弱，因此设为式(1)的范围。
另外，在将两个上述法拉第旋转器沿着光轴方向进行串联连接的本发明的第二方式中，在第一法拉第旋转器和第二法拉第旋转器之间配置有由内侧磁铁和外侧磁铁构成的第四磁铁对，并且内侧磁铁和外侧磁铁的磁化方向与光轴平行且内侧磁铁和外侧磁铁在相互相反的方向上磁化，其中，上述内侧磁铁具有与第一和第二法拉第旋转器的贯通孔连通的孔部，上述外侧磁铁具有比该内侧磁铁的外径大的孔部，并且在该孔部中嵌入有整个内侧磁铁。
另外，当将两个上述法拉第旋转器进行串联连接时，因从第一法拉第旋转器流向第二法拉第旋转器的磁力线，导致施加在法拉第元件的磁场减弱。
因此，在第一法拉第旋转器和第二法拉第旋转器之间配置由在相对于光轴方向平行并且相互相反的方向上磁化的内侧磁铁和外侧磁铁构成的上述第四磁铁对，抵消从第一法拉第旋转器流向第二法拉第旋转器的磁力线，由此，防止施加在法拉第元件上的磁场减弱。此时，优选第四磁铁对的光轴方向的长度为第一磁铁的光轴方向长度L2的1/2以上。
另外，在第三磁铁的孔部(贯通孔)附近，产生因第一磁铁以及第二磁铁的相互作用而形成的非常大的磁场，因此，有时由于用作第三磁铁的磁铁的残留磁感应密度或顽磁力，在第三磁铁的孔部(贯通孔)附近发生减磁或磁化反转，导致发生第三磁铁的效果减弱等缺陷。在这种情况下，需要如图7所示地使第三磁铁3的整个孔部(贯通孔)或其一部分的直径大于第一磁铁1以及第二磁铁2的孔部(贯通孔)，以去掉发生减磁或磁化反转的部分。
另外，从磁铁制作方面考虑，优选组合多个磁铁片构成第一磁铁以及第二磁铁。
下面，参照附图具体说明本发明的实施例。
[第一实施例]
图2表示第一实施例的法拉第旋转器的剖视图。在图2中，附图标记1、2以及3表示第一磁铁、第二磁铁、第三磁铁，用黑箭头表示其磁化方向。另外，在各磁铁的中心设置有孔部(贯通孔)。
另外，第一磁铁1与光行进的光轴垂直并且从外侧向光轴磁化。另一方面，第二磁铁2的磁化方向与光轴垂直，但是与第一磁铁1相反地在从光轴向外侧的方向上磁化。另外，第三磁铁3配置在第一磁铁1和第二磁铁2之间，磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁2到第一磁铁1的方向上被磁化。
另外，法拉第元件5配置在设于第一磁铁1、第二磁铁2以及第三磁铁3上的孔部(贯通孔)的长度方向的中央部。
另外，在制作第一实施例的法拉第旋转器之前，通过利用有限元素法(finite element method)的计算机模拟来求出法拉第旋转器的光轴方向的磁场分布，并进行了优化，以便满足上述式(1)、(2)，并且，使作为法拉第旋转器的体积减小，进一步使法拉第元件的长度尺寸变短。
磁铁为Nd-Fe-B烧结磁铁，法拉第元件使用直径为3mm的圆柱状的TGG。如图4所示，第一磁铁1由6个磁铁片构成，形成为在与光轴准垂直的方向上磁化的形态。另外，第二磁铁2也由与第一磁铁1相同厚度的6个磁铁片构成，磁化方向与第一磁铁相反并且平行。另外，假设在第一磁铁1、第二磁铁2、第三磁铁3的中心设置3.3mm的孔部(贯通孔)，以便能够容纳上述法拉第元件。
设光的波长为1064nm，通过计算机模拟计算出法拉第旋转角成为45°的三个磁铁的外径L1、第一磁铁1以及第二磁铁2的光轴方向长度L2、第三磁铁3的光轴方向长度L3以及TGG的光轴上的结晶长度C。图3表示L1～L3以及C的关系。另外，表1表示计算机模拟的结果。
| L1 | L2 | L3 | C |
| 30mm | 12mm | 5mm | 12mm |
表1
根据上述结果，制作了三台第一实施例的法拉第旋转器，使用波长为1064nm、光强度为100mW的光纤激光(fiber laser)对法拉第旋转角进行了评价。
评价结果，法拉第旋转角为45±1°，是良好的旋转角。
接着，在将光强度提高至10W并进行了连续照射时，即使经过了时间法拉第旋转角也没有发生变化，TGG的温度也没有发生变化。
[第一比较例]
将专利文献1中公开的图5所示的结构的法拉第旋转器进行装配。第一磁铁1以及第二磁铁2使用与第一实施例相同的磁铁，图3所示的L1～L3的尺寸与第一实施例相同。即，在第一磁铁1与第二磁铁2之间不插入第三磁铁，而设置有等同于L3的长度的空间。另外，如图5所示，在第一磁铁1和第二磁铁2的外侧，覆盖厚度为0.35mm的圆筒状的软铁(软磁性体)6制成的构件，在贯通孔中插入了厚度为0.35mm、内径为2.6mm的圆筒状软铁(软磁性体)6制成的构件。因此，不同于第一实施例，第一比较例的法拉第元件使用了直径为2.5mm的圆柱状的TGG，但将TGG的光轴上的长度设为与第一实施例相同，是12mm。
然后，和第一实施例同样，对法拉第旋转角进行了评价，结果为27°，不能用作光隔离器。这是因为，向顺磁性体即法拉第元件5施加的磁场不足。
另外，第一比较例的法拉第旋转器的光轴上的磁场分布也通过计算机模拟来求出，在图6中示出与第一实施例进行比较的结果。从图6的曲线图可知，与第一比较例(现有技术)相比，在第一实施例的法拉第旋转器中，在光轴上的中心附近可以获得极大的磁场。由此，可以确认在第一比较例(现有技术)中，在使用与第一实施例的法拉第旋转器大小相同的磁铁以及长度相同的顺磁性体的情况下，无法实现45°的法拉第旋转角。
对第一比较例的法拉第旋转器与第一实施例的法拉第旋转器的磁铁的体积以及TGG的光轴上的长度进行了比较，所述磁铁的体积以及TGG的光轴上的长度是在TGG直径以及磁铁的贯通孔直径固定的情况下，通过计算机模拟计算出能够实现45°的法拉第旋转角时的大小。表2表示该结果。另外，为了容易比较，将第一实施例的磁铁体积(a.u.)和TGG长度(a.u.)设为1，对数值进行了标准化。
| 第一实施例 | 第一比较例(现有技术) | |
| 磁铁体积(a.u.) | 1 | 2.1 |
| TGG长度(a.u.) | 1 | 1.5 |
表2
根据该表2的数值可知，第一实施例的法拉第旋转器极其适合小型化，可以确认，由于法拉第元件的光轴上的长度尺寸较短，所以能够抑制光吸收引起的温度上升使法拉第旋转角稳定。
另外，法拉第旋转器的小型化能够抑制磁铁以及顺磁性体的使用量，因此性价比也非常好。
[第二实施例]
制作了如下结构的法拉第旋转器，即，将两个与第一实施例的法拉第旋转器相同的法拉第旋转器如图8所示地进行串联连接，并且在两个法拉第旋转器之间插入了由内侧磁铁和外侧磁铁构成的第四磁铁对4，所述内侧磁铁和外侧磁铁在相对于光轴方向平行并且相互相反的方向上磁化。另外，构成第四磁铁对4的上述内侧磁铁，其磁化方向与光轴平行并且在从图8左侧的第一法拉第旋转器向图8右侧的第二法拉第旋转器的方向上被磁化，另外，上述外侧磁铁其磁化方向与光轴平行并且在从图8右侧的第二法拉第旋转器向图8左侧的第一法拉第旋转器的方向上磁化，内侧磁铁和外侧磁铁在相对于光轴方向平行并且相互相反的方向上磁化。
然后，与第一实施例相同，通过计算机模拟进行了优化，以使作为法拉第旋转器的体积减小，使顺磁性体的长度尺寸变短。
与第一实施例相同，假设各磁铁以及法拉第元件使用Nd-Fe-B烧结磁铁以及直径为3mm的圆柱状的TGG。另外，第一磁铁1以及第二磁铁2也与第一实施例相同，由6个磁铁片构成。此外，在各磁铁的中心设置有3.3mm的孔部(贯通孔)，以便能够容纳上述法拉第元件5。
设光的波长为1064nm，为了使两个法拉第元件所形成的法拉第旋转角的合计成为45°，通过计算机模拟计算出了4种磁铁的外径L1、各磁铁的光轴方向的长度L2～L4以及TGG的光轴上的结晶长度C。
图8表示L1～L4以及C的关系。另外，表3表示计算机模拟的结果。
| L1 | L2 | L3 | L4 | C |
| 30mm | 4mm | 4mm | 4mm | 5mm |
表3
组装表3所示的法拉第旋转器，与第一实施例同样地，使光透过，从而进行了特性评价。
评价结果，激光强度为10mW时的法拉第旋转角为45±1°，是良好的旋转角，即使将光强度提高到10W后进行连续照射，法拉第旋转角也不发生变化，TGG的温度也不发生变化。另外，与第一实施例相比，虽然没确认温度特性的提高，但是由于TGG的结晶长度变短，所以可以推测当进一步加强激光强度时会表现出比第一实施例更良好的温度特性。
这样，可以知道，各实施例的法拉第旋转器极其适合小型化，由于法拉第元件的光轴上的长度尺寸较短，所以能够抑制光吸收引起的温度上升使法拉第旋转角稳定。另外，法拉第旋转器的小型化能够抑制磁铁以及顺磁性体的使用量，因此性价比也非常好。
本发明的法拉第旋转器极其适合小型化，并且由于法拉第元件的光轴上的长度尺寸较短，所以能够抑制光吸收引起的温度上升使法拉第旋转角稳定。因此，具有如下的产业上的可利用性，即，能够适用于在光通信系统、激光加工系统等中使用的光隔离器等磁光学设备上，用于遮断向半导体激光器返回的光，使该激光振荡稳定。
Claims (8)
1.一种法拉第旋转器，具有磁铁体和法拉第元件，其中，上述磁铁体在中心具有使光通过的贯通孔，上述法拉第元件配置在该贯通孔内并且具有使光透过的顺磁性体，该法拉第旋转器的特征在于，
上述磁铁体，由第一磁铁、第二磁铁以及第三磁铁按照第一磁铁、第三磁铁、第二磁铁这样的顺序横向串联组合而成，其中，
上述第一磁铁，其磁化方向与光轴垂直，并且在朝向光轴的方向上被磁化，
上述第二磁铁，其磁化方向与光轴垂直，并且在从光轴离开的方向上被磁化，
上述第三磁铁配置在上述第一磁铁和第二磁铁之间，其磁化方向与光轴平行并且在从第二磁铁朝向第一磁铁的方向上被磁化；
在上述第一磁铁、第二磁铁以及第三磁铁的各中心设置有构成上述磁铁体的贯通孔的孔部，并且在由这些孔部构成的贯通孔的长度方向中央部配置法拉第元件，并且当第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。
2.一种法拉第旋转器，其特征在于，
将两个权利要求1的法拉第旋转器沿着光轴方向进行串联连接，并且在第一法拉第旋转器和第二法拉第旋转器之间，配置有由内侧磁铁和外侧磁铁构成的第四磁铁对，并且上述内侧磁铁和上述外侧磁铁的磁化方向与光轴平行，且上述内侧磁铁和上述外侧磁铁在相互相反的方向上被磁化，
上述内侧磁铁具有与第一和第二法拉第旋转器的贯通孔连通的孔部，
上述外侧磁铁具有直径比上述内侧磁铁的外径大的孔部，并且在该孔部中嵌入整个上述内侧磁铁。
3.根据权利要求2所述的法拉第旋转器，其特征在于，
整个内侧磁铁嵌入到外侧磁铁的孔部中的上述第四磁铁对的光轴方向的长度为L2/2以上。
4.根据权利要求1或2所述的法拉第旋转器，其特征在于，
第三磁铁的整个孔部或者部分孔部的直径大于第一以及第二磁铁的孔部的直径。
5.根据权利要求3所述的法拉第旋转器，其特征在于，
第三磁铁的整个孔部或者部分孔部的直径大于第一以及第二磁铁的孔部的直径。
6.根据权利要求1或2所述的法拉第旋转器，其特征在于，
组合多个磁铁片构成上述第一以及第二磁铁。
7.根据权利要求3所述的法拉第旋转器，其特征在于，
组合多个磁铁片构成上述第一以及第二磁铁。
8.根据权利要求4所述的法拉第旋转器，其特征在于，
组合多个磁铁片构成上述第一以及第二磁铁。
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