KR100757376B1 - 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된자기광학소자 - Google Patents

자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된자기광학소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 자기광학소자에 관한 것으로, 본 발명은 기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층, 상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층 및 상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층으로 이루어진 적층구조를 준비하는 단계; 상기 적층구조로 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장을 인가하는 단계; 및, 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
자기 광학 소자, 자화, 극방향, 종방향, 횡방향, 자기 광학적 배치, 도파로형 집적 광 아이솔레이터

Description

자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 자기광학소자{A MAGNETO-OPTIC DEVICE MANUFACTURING METHOD AND A MAGNETO-OPTIC DEVICE USING IT}
도 1은 본 발명에 따른 자기 광학 소자를 제작하기 위한 적층구조를 나타내는 단면도.
도 2 내지 도 4는 도 1에 도시된 적층구조 하에서 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치를 통해 자기 광학 층에 각각 자기장을 인가하는 상태를 나타내는 개략 사시도.
도 5는 자기 광학 층에 형성된 도파로 일부에 자화영역의 길이 및 자화 반전 영역의 미세한 길이 조절을 인가하여 편광 회전각 정밀 조절을 가능하게 하는 상태를 나타내는 개략 사시도.
도 6 및 도 7은 자기 광학 층에 형성된 도파로 일부에 자화 영역 및 반전 영역의 미세한 길이 조절을 행하여 정밀한 비가역적 위상 변위를 유발시켜 광세기를 조절하는 방법을 나타내는 개략 사시도.
도 8은 도 5 내지 도 7에 도시한 자화영역 미세조절을 위한 전자석 팁을 나타내는 개략도.
도 9는 본 발명에 따른 편광 회전각 조절을 이용하여 제작된 도파로형 광 아이솔레이터를 나타내는 개략 사시도.
도 10은 본 발명에 따른 비가역적 위상변위를 이용한 도파로형 광 아이솔레이터를 나타내는 개략 사시도.
<도면 내 주요부분에 대한 부호설명>
3 : 자기장 인가 층 3a : 자석 층
3b : 연자성 층 3c : 비자성 층
3d : 자화 안정 층 5 : 자기 광학 층
5a, 5b : 광 도파로 5c : 암
21,23 : 자화영역 30 : 전자석 팁
본 발명은 자기광학소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 자기 광학적 배치를 통해 자기 광학 층을 자화시키고, 자화 및 자화반전 영역의 미세조절을 통한 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 자기광학소자에 관한 것이다.
최근의 광통신 시스템의 급격한 발전들은 다양한 광 구성요소들에 대한 집적화를 필요로 하고 있으며, 이를 구현하기 위한 많은 시도가 이루어지고 있다. 특 히, 광 집적화를 구현하기 위하여 광원으로 사용되는 반도체 레이저, 광 증폭기 및 광 변조기 등과 같은 광 신호처리를 위해 사용되는 소자들의 안정성을 위하여 자기 광학적 특성을 이용하는 아이솔레이터(Isolator) 및 써큘레이터(Circulator) 등의 필요성이 점증되고 있다.
이러한 자기광학현상을 이용하는 자기광학소자들은 엄밀하게 벌크 구성 요소들로서 집적화된 형태로 쓸 수 없는 광 구성 요소들이므로, 광의 진행 방향에 따라 광학적 성질들이 변화화는 비가역적 효과(Nonreciprocal effect)를 이용한 도파로형 집적 소자들에 대한 새로운 대안의 제시와 그 구현을 위한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
그런데, 이들 연구에서는 집적화를 위한 작은 소자들의 크기로 인하여, 자기 광학 소자의 고유한 동작 특성을 가능하게 하는데 필수적인 기술인, 정밀하고 안정적인 선택적 영역의 자화 기술과 자화 유지 기술등에 많은 제한점을 가지고 있었다. 즉, 종래의 자기 광학 소자들의 자기 광학 층을 자화 시키기 위해 적용되고 있는 주된 자기장 인가 방식은 전자석과 영구 자석을 이용한 방법과 스퍼터링(sputtering)을 이용하며 만든 박막 자석을 이용하는 방법들이다.
그러나, 위의 상기한 자기장 인가 방식들은 자기 광학 소자의 집적화에 요구되는 정밀한 선택적 영역의 자화를 어렵게 하고 있으며 소자 제작 허용 오차에 따른 광 특성 저하라는 문제점을 갖고 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 자기 광학 층을 자화시키기 위해 자석 층과 자화 안정층을 도입한 자기장 인가방식을 이용하여 자기광학소자의 선택적 영역을 정밀하고 안정적으로 자화시키고, 인위적으로 미세한 자화 반전 영역을 정밀하게 제어함으로써 소자의 제작 허용 오차로 인해 발생 할 수 있는 광 특성 저하를 개선할 수 있는 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 자기광학소자를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 종래에 연구되어 온 자기 광학 소자들에 비해 보다 정밀한 동작 특성을 쉽게 구현 할 수 있는 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 자기광학소자를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 자기광학소자의 제작방법은, 기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층, 상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층 및 상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층으로 이루어진 적층구조를 준비하는 단계; 상기 적층구조로 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장을 인가하는 단계; 및, 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 자기장 인가 층은 상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석층; 및, 상기 자석층 하면에 적층된 연자성 층;을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 극방향 자기 광학적 배치는 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하며, 자화 방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 수직하게 되며, 상기 연자성 층 통해 상기 자석 층의 자장을 강화하고 자화 반전을 안정되게 하는 것도 가능하다. 이때, 상기 자기 이방성 물질은 Cr합금이고, 상기 연자성 층은 NiFe인 것이 바람직하다.
또한, 상기 자기장 인가 층은 상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석 층;
상기 자석 층에 적층된 비자성 층; 및, 상기 비자성 층 하면에 적층된 자화 안정 층;을 포함하는 것도 물론 가능하다.
이 경우, 상기 종방향 자기 광학적 배치는 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 평행하며, 자화 방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 평행하며, 상기 횡방향 자기 광학적 배치는 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하고, 자화방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 평행하게 이루어진다.
이 경우, 상기 자석 층은 CoPtCrB 이고, 상기 비자성 층은 Ru 인 것이 바람직하다.
아울러, 상기 비자성 층은 상기 비자성 층의 두께를 조절하여 자석층과 자화 안정 층의 자화방향이 서로 반대 방향이 되는 구조로 이룸으로써, 상기 자석 층의 용이한 자화 반전 및 열적 안정성을 향상시키고 상기 자석 층의 자화로 인해 상기 자기 광학 층의 정밀한 자화를 유도할 수 있다.
또한, 상기 자석 층은 상기 자석 층의 길이 및 폭을 조절하여 상기 자석 층의 모양에 의해 발생할 수 있는 자기 이방성을 해소하고, 상기 자기 광학 층을 자화 시킬 수 있다.
상기 광 도파로의 자화영역은 하단이 상부에 비해 좁게 형성된 전자석 팁에 의해 형성될 수도 있다
상기 광 도파로에 자화영역을 형성하는 단계에서, 광의 편광 회전각은 광 도파로의 자화된 자화 영역의 길이에 비례하므로 상기 광 도파로의 일부를 선택적으로 자화시키고, 전자석 팁을 이용하여 정밀한 자화 영역을 다시 만들어 냄으로서 상기 편광 회전각을 45°으로 조절할 수 있다.
상기 광 도파로는 중앙이 분기되는 한쌍으로 이루어지며, 상기 한쌍의 광 도파로에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계에서, 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 수평 모드와 수직 모드(전계기준)의 비가역적 위상 변위를 통해, 상기 한쌍의 암을 지나는 광의 위상차에 따른 출력광의 세기를 조절하고, 미세한 자화 반전 영역을 조절하여 보다 정밀하고 수월하게 출력광의 세기를 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 자기광학소자는, 기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층; 상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층; 및 상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호 층;으로 이루어지며, 상기 적층된 구도를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장이 인가되고, 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역이 형성된 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시 예에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 자기광학소자를 제작하기 위한 적층구조를 나타내는 단면도이고, 도 2 내지 도 4는 도 1에 도시된 적층구조 하에서 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치를 통해 자기 광학 층에 각각 자기장을 인가하는 상태를 나타내는 개략사시도이다.
본 발명은 자기광학소자를 제조하기 위해, 도 1과 같은 적층구조를 구비한다. 상기 적층구조는 크게 나누어 기판(1)의 상면에 적층된 자기장 인가 층(3), 자기장 인가 층(3) 상면에 적층된 자기 광학 층(5) 및 자기 광학 층(5) 상면에 적층된 보호층(7)으로 이루어진다. 여기서, 자기장 인가 층(3)은 자기 광학 층(5)을 자화시키는 역할을 하고, 자기 광학 층(5)은 자기 광학 현상을 나타내며, 보호층(7)은 자기 광학 층(5)을 보호하는 역할을 한다.
이 경우, 상기 자기장 인가 층(3)은 도 2와 같이, 후술하는 극방향 자기 광학적 배치의 구현을 위해 자기 광학 층(5) 하면에 적층된 자석층(3a) 및 자석층(3a) 하면에 적층된 연자성 층(SUL:soft-magnetic underlayer)(3b)으로 이루어진다. 또한, 자기장 인가 층(3)은 도 3 및 도 4와 같이, 후술하는 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치의 구현을 위해 자기 광학 층(5) 하면에 적층된 자석 층(3a), 자석 층(3a)에 적층된 비자성 층(nonmagnetic layer)(3c) 및 비자성 층(3c) 하면에 적층된 자화 안정 층(3d)으로 이루어지는 것도 가능하다.
이 경우, 자기광학소자에서 구현하고자 하는 동작 특성은 광의 진행 방향과 자기 광학 층(5)의 자화 방향과 밀접한 관계가 있으므로, 상기한 적층구조는 동작 특성 구현에서 요구되는 자기광학 현상을 이용하기 위해 반드시 고려해야 하는 중요한 부분이다.
상기 자기광학소자에서 주로 이용되는 광의 진행 방향과 자기 광학 층(5)의 자화방향의 기하학적 배치는 극방향 배치(polar configuration), 종방향 배치(longitudinal configuration) 및 횡방향 배치(equatorial(tranverse) configuration)로 분류해 볼 수 있다.
극방향 배치(polar configuration)는, 도 2와 같이, 입사 광의 진행방향과 자기 광학 층(5)의 자화 방향이 서로 수직하고, 자화 방향은 자기 광학 층(5)의 평면에 수직한 배치 형태이다. 종방향 배치(longitudinal configuration)는, 도 3과 같이, 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 평행하며, 자화 방향은 자기 광학 층(5)의 평면에 평행한 배치 형태이다. 횡방향 배치(equatorial(tranverse) configuration)는, 도 4와 같이, 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하고, 자 화방향은 자기 광학 층(5)의 평면에 평행한 배치이다.
이러한 세 가지의 자기 광학적 배치는 입사광의 편광 형태에 따라 비가역적 위상 변위(nonreciprocal phase shift)와 모드 변환(mode conversion)과 같은 자기 광학 현상을 유도할 수 있다.
본 발명에서는 상기한 광의 진행 방향과 자기 광학 층(5)의 자화 방향의 배치를 갖도록 자기장을 인가하고, 자화 안정성을 도모하며, 미세하게 자화 반전 영역의 크기 조절을 가능하게 함으로서 비가역적 현상이 나타나는 자기 광학 층(5)의 선택적 자화 영역 크기를 변화시킬 수 있는 효과를 갖게 하여 광 특성을 향상시킬 수 있다.
첨부한 도 2 내지 도 4와 같이, 자기 광학 층(5)으로 자기장을 인가를 위한 자기 광학적 배치로, 극방향 배치(polar configuration), 종방향 배치(longitudinal configuration) 및 횡방향 배치(equatorial(tranverse) configuration)를 각각 도시하고 있으며, 여기서 광의 진행 방향은 z축 방향이며, 자기 광학 층(5)을 자화시킬 자기장 인가 층의 길이와 폭은 각각 l과 w로 나타냈다.
상기 극방향 배치(polar configuration)를 통해 자기 광학 층(5)에 자기장을 인가하는 경우, 도 2와 같이, 자석 층(3a)의 자화 용이축(easy-axis)이 박막 평면에 수직하도록 자기 이방성 물질(예를 들면, Cr합금으로 이루어짐)을 이용하여 박막 평면에 수직한 방향으로 자화가 가능하게 하였으며, 연자성 층(SUL:soft-magnetic underlayer)(3b)(예를 들면, NiFe로 이루어짐)을 통해 자석 층(3a)의 자장을 강화하고 자화 반전을 안정되게 만들 수 있다.
상기 종방향 배치(longitudinal configuration) 및 횡방향 배치(equatorial(tranverse) configuration)를 통해 자기 광학 층(5)으로 자기장을 인가하는 경우, 도 3 및 도 4와 같이, 자석 층(3a)(예를 들면, CoPtCrB로 이루어짐) 의 자화 안정성을 도모하기 위하여 비자성 층(3c)을 이용하였다. 이러한 비자성 층(3c)(예를 들면 Ru로 이루어짐)은 그 두께를 조절하여 자석층(3a)과 자화 안정 층(3d)의 자화방향이 서로 반대 방향이 되는 구조 즉, 반강자성체 결합 구조(AFC:Antiferromagnetically coupled structure) 구조로 이루어지며, 이러한 구조는 반강자성체 결합 구조(AFC)의 물리적인 전체두께를 증가시키는 효과를 갖게 되어 자석 층(3a)의 용이한 자화 반전 및 열적 안정성을 향상시킬 수 있다. 아울러, 자석 층(3a)의 자화로 인해 자기 광학 층(5)의 정밀한 유도 자화를 가능하게 하였다. 또한, 자기 광학 층(5)을 자화시키기 위해 자석 층(3a)의 길이(l)와 폭(w)을 조절하여 자석 층(3a)의 모양에 의해 발생할 수 있는 자기 이방성(shape magnetic anisotropy)을 해결할 수 있다.
도 5 내지 도 7은, 자화 영역의 조절 방법을 광 도파로 구조에 적용하여 자기 광학적 배치에 따른 자기광학소자의 광 특성을 제어하는 방법들을 나타내고 있고, 도 9는 본 발명에 따른 편광 회전각 조절을 이용하여 제작된 광 도파로형 광 아이솔레이터를 나타내는 개략사시도이고, 도 10은 본 발명에 따른 비가역적 위상변위를 이용한 광 도파로형 광 아이솔레이터를 나타내는 개략사시도이다.
상기 자기광학소자의 동작 특성을 얻기 위해서는 비가역적 효과가 나타날 수 있도록 정밀한 선택적 영역의 자화가 필요하고, 이는 가혹한 자기광학소자의 공정 조건을 요구하고 있으며, 이에 따라 본 발명은 후술하는 선택적 영역의 자화영역 미세조절을 통해서 자기광학소자 특성을 용이하게 제어할 수 있는 방법을 제공한다. 아울러 본 발명의 실시예에서는 이러한 선택적 영역을 자화시키기 위해 투자율이 큰 물질을 자화시켜 세부 영역에 강한 자기장의 인가를 가능하도록 하단(33)이 상부(31)에 비해 좁게 형성된 전자석 팁(30, 도 8참조)을 이용하여 자기 광학 층(5)에 형성된 광 도파로(5a,5b)의 일부에 선택적 영역의 자화를 행한다.
먼저, 도 5와 같이, 자기 광학적 배치 중 종방향 배치(longitudinal configuration)에 입사광의 편광 회전각을 이용하여 광 도파로(5a) 일부를 자화시켜 편광 회전각을 유발시키는 경우, 상기 편광 회전 각은 광 도파로(5a)의 자화된 자화영역(21, 도 9 참조)의 길이에 비례한다. 이에 따라, 편광 회전각에 해당하는 상기 자화영역(21)의 길이를 용이하게 조절하여 벌크 형태의 패러데이 회전자(Faraday rotator)와 같은 기능을 할 수 있으며, 미세한 자화 반전 영역을 만들어 냄으로서 정밀한 편광 회전을 가능하게 할 수 있다.
또한, 도 6 및 도 7과 같이, 자기 광학적 배치 중 극방향 배치(poalr configuration) 및 횡방향 배치(equatorial configuation)가 적용된 광 도파로(5b) 구조는 마하젠더 형태의 광 도파로 구조에 적용하였다. 이들은 각각 입사 광의 수평 모드와 수직 모드(전계기준)의 비가역적 위상 변위 현상을 일으킨다. 그러므로, 간섭계의 한쌍의 암(arm)(5c)에 비가역적 위상변위를 일으킬 수 있도록 자화영역(23, 도 10 참조)을 자화시켜 간섭계의 한쌍의 암(arm)(5c)을 지나는 광의 위상차에 따른 출력광의 세기를 조절 할 수 있으며, 미세한 자화 반전 영역을 조절하여 보다 정밀한 출력광의 세기 조절을 가능하게 할 수 있다.
더욱이, 상기한 방법들을 이용하면, 반사되어 광 도파로(5a,5b)로 후향 진행(backward propagation)하는 광의 진행을 소멸 시킬 수 있는 광 아이솔레이터(31)의 구현이 가능하다. 즉, 상기 종방향 배치(longitudinal configuration)의 경우 편광 회전각이 45°(도 9 참조)가 되도록 정밀 조절이 가능하고, 극방향 배치(polar configuration)와 횡방향 배치(equatorial configuration)의 경우는 전향 진행(forward propagation)하는 광은 동일 위상이 되게 하고 후향 진행하는 광은 180°의 위상차를 가질 수 있도록 정밀한 조절이 가능하게 되어 광 특성이 뛰어난 집적형 광 도파로 아이솔레이터(33)의 구현이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 자기광학현상 고유의 비가역적 효과를 이용하는 자기 광학소자의 소형화와 집적화 구현을 위한 박막 광 도파로(waveguide)형 자기광학 소자의 안정적이고 정밀한 자기장 인가와 미세한 자화 반전 영역의 조절을 통해 광 도파로형 자기 광학 소자의 안정적 동작 구현과 광 특성 향상을 가능하게 할 수 있는 이점이 있다. 이는 기존의 자기 광학 소자들이 지니고 있었던 자기 광학 층을 자화 시키기 위한 자기장 인가 방법의 문제로 인해 어려움이 있었던 집적화 문제를 해결할 수 있으며, 종래의 집적화 연구에서 겪어왔던 비가역적 현상이 나타나는 정확한 자화 영역의 길이 조절에 관한 문제를 획기적으로 개선하여 자기 광학 소자의 광 특성을 크게 향상시킬 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층, 상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층 및 상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층으로 이루어진 적층구조를 준비하는 단계;
    상기 적층구조로 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장을 인가하는 단계; 및
    상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은
    상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석층; 및,
    상기 자석층 하면에 적층된 연자성 층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 극방향 자기 광학적 배치는
    상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하며, 자화 방향은 자기 이방성 물질에 의해 상기 자기 광학 층의 평면에 수직한 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 자기 이방성 물질은 Cr합금인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 연자성 층은 NiFe인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은
    상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석 층;
    상기 자석 층에 적층된 비자성 층; 및
    상기 비자성 층 하면에 적층된 자화 안정 층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 종방향 자기 광학적 배치는
    상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 평행하며, 자화 방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 평행한 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 횡방향 자기 광학적 배치는
    상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하고, 자화방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 평행한 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자석 층은 CoPtCrB 인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  10. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비자성 층은 Ru 인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  11. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 비자성 층은
    상기 비자성 층의 두께를 조절하여 자석층과 자화 안정 층의 자화방향이 서로 반대 방향이 되는 구조로 이룸으로써, 상기 자석 층의 용이한 자화 반전 및 열적 안정성을 향상시키고 상기 자석 층의 자화로 인해 상기 자기 광학 층의 정밀한 자화를 유도하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  12. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 자석 층은
    상기 자석 층의 길이 및 폭을 조절하여 상기 자석 층의 모양에 의해 발생할 수 있는 자기 이방성을 해소하고, 상기 자기 광학 층을 자화 시키는 것을 특징으로하는 자기광학소자의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로의 자화영역은 하단이 상부에 비해 좁게 형성된 전자석 팁에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로에 자화영역을 형성하는 단계에서,
    상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 편광 회전각을 이용하여 상기 광 도파 로 일부를 선택적으로 자화시켜 광의 편광 회전각을 유발시키며, 상기 편광 회전 각은 광 도파로의 자화된 자화영역의 길이에 비례하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 편광 회전각은 45°인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로는 중앙이 분기되는 한쌍으로 이루어지며, 상기 한쌍의 광 도파로에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계에서,
    상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 수평 모드와 수직 모드(전계기준)의 비가역적 위상 변위를 통해, 상기 한쌍의 암을 지나는 광의 위상차에 따른 출력광의 세기를 조절하여 미세한 자화 반전 영역을 조절하여 광의 위상차에 따른 출력광의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법.
  17. 기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층;
    상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층; 및
    상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층;으로 이루어지며,
    상기 적층된 구도를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장이 인가되고, 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역이 형성된 것을 특징으로 하는 자기광학소자.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은
    상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석층; 및,
    상기 자석층 하면에 적층된 연자성 층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은
    상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석 층;
    상기 자석 층에 적층된 비자성 층; 및
    상기 비자성 층 하면에 적층된 자화 안정 층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자.
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