JPS59101604A - 光アイソレ−タ - Google Patents
光アイソレ−タInfo
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- JPS59101604A JPS59101604A JP20940982A JP20940982A JPS59101604A JP S59101604 A JPS59101604 A JP S59101604A JP 20940982 A JP20940982 A JP 20940982A JP 20940982 A JP20940982 A JP 20940982A JP S59101604 A JPS59101604 A JP S59101604A
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- film
- dielectric
- taper
- substrate
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/095—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0955—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜で構成される光アイソレータに係シ、特に
、ガーネット基板と磁性ガーネット結晶からなる単一モ
ード導波路及び誘電体クラッド層からなるファラデー回
転子並びに金属膜を導波路上に直接積層させた薄膜偏光
子からなる薄膜形光アイソレータの高性能化に好適な、
誘電体クラッドのテーパ状化と金属膜のテーパ状化に関
するものである。
、ガーネット基板と磁性ガーネット結晶からなる単一モ
ード導波路及び誘電体クラッド層からなるファラデー回
転子並びに金属膜を導波路上に直接積層させた薄膜偏光
子からなる薄膜形光アイソレータの高性能化に好適な、
誘電体クラッドのテーパ状化と金属膜のテーパ状化に関
するものである。
光アイソレータは、基本的に、直線偏光の偏波面を非可
逆的に４５度回転させるファラデー効果を有する磁気光
学素子（ファラデー回転子）と偏光子によシ構成される
。従来の薄膜形光アイソレータは、磁性ガーネット結晶
薄膜導波路上に直接金属？付けた構造か、または、一様
な膜厚を持った誘電体バッファ層を介して金属を付けた
構造を取つていた。例えば、特開昭５７−５８１０６“
光アイツレ〜り”、特開昭５７−７８０１８”導波形フ
ァラテー回転素子”、宮崎前、”Ｂｉ置換ＹＩＧ薄膜を
用いた導波路形光アイソレータによる非相反変換特性”
、信学技報、 ＯＱ Ｅ８］、−９８金属を導波路上に
直接付けた場合、及び、誘電体バッファ層を介して金属
を導波路に付けた場合の、理論的なａ４算例がＹａｍａ
ｍｏ ｔ ｏ 寺によ’） ＩＢＥＥ、 Ｊｏｕｒｎａ
ｌｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ １ｅｃｔｏｎｉｃｓ 、
ＶＯｌ、ＱＥ、 １１ Ｐ７２９（１９７５）に報告
されている。金属全直接導波路上に付けた場合のＴＭモ
ードの最低次モード。
逆的に４５度回転させるファラデー効果を有する磁気光
学素子（ファラデー回転子）と偏光子によシ構成される
。従来の薄膜形光アイソレータは、磁性ガーネット結晶
薄膜導波路上に直接金属？付けた構造か、または、一様
な膜厚を持った誘電体バッファ層を介して金属を付けた
構造を取つていた。例えば、特開昭５７−５８１０６“
光アイツレ〜り”、特開昭５７−７８０１８”導波形フ
ァラテー回転素子”、宮崎前、”Ｂｉ置換ＹＩＧ薄膜を
用いた導波路形光アイソレータによる非相反変換特性”
、信学技報、 ＯＱ Ｅ８］、−９８金属を導波路上に
直接付けた場合、及び、誘電体バッファ層を介して金属
を導波路に付けた場合の、理論的なａ４算例がＹａｍａ
ｍｏ ｔ ｏ 寺によ’） ＩＢＥＥ、 Ｊｏｕｒｎａ
ｌｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ １ｅｃｔｏｎｉｃｓ 、
ＶＯｌ、ＱＥ、 １１ Ｐ７２９（１９７５）に報告
されている。金属全直接導波路上に付けた場合のＴＭモ
ードの最低次モード。
ＴＭ−＋モードは単位当りの減衰量が、＝２Ｘ１０３ｄ
Ｂ／ｍ と非常に太きｂｏこれに対し次のモード、ＴＭ
、モードは一＝７０ｄＢ％肩とかなり少なくなることが
報告された。６考のためＴＥ、モードの減衰量を挙ける
と２．５７ ｄ Ｂ／ｃｒｎである。
Ｂ／ｍ と非常に太きｂｏこれに対し次のモード、ＴＭ
、モードは一＝７０ｄＢ％肩とかなり少なくなることが
報告された。６考のためＴＥ、モードの減衰量を挙ける
と２．５７ ｄ Ｂ／ｃｒｎである。
上記のＹａｍａｍｏ ｔ ｏ等の報告に照らし、従来の
薄膜形光アイソレータに用いられた、導波路上に直接矩
形状に付けられた金属薄膜偏光の問題を述べる。以下、
導波路は誘電体クラッド有する領域で単一モードである
。ＴＢ、モードに関しては、誘電体クラッドを持つ導波
路部においても、金属クラッド金持つ導波路部において
もそれほど電界分布が変化しないため、結合効率は、Ｔ
Ｍモードの結合効率よりも良い。しかし、パルス状に誘
電体クラッドと金属クラッドが接合している場合には、
ＴＥ、モードの電界分布の不整合により、接合部で反射
を生じ、結合のときにパワー損失を生じる欠点がある。
薄膜形光アイソレータに用いられた、導波路上に直接矩
形状に付けられた金属薄膜偏光の問題を述べる。以下、
導波路は誘電体クラッド有する領域で単一モードである
。ＴＢ、モードに関しては、誘電体クラッドを持つ導波
路部においても、金属クラッド金持つ導波路部において
もそれほど電界分布が変化しないため、結合効率は、Ｔ
Ｍモードの結合効率よりも良い。しかし、パルス状に誘
電体クラッドと金属クラッドが接合している場合には、
ＴＥ、モードの電界分布の不整合により、接合部で反射
を生じ、結合のときにパワー損失を生じる欠点がある。
ＴＭモードに関しては、誘電体クラッドを有する導ｅ路
部で単一モードであっても、導波路の幅が厚いと、金属
クラッドを有する導波路部において、ＴＭ、モード、Ｔ
Ｍ、モードの励起がある。
部で単一モードであっても、導波路の幅が厚いと、金属
クラッドを有する導波路部において、ＴＭ、モード、Ｔ
Ｍ、モードの励起がある。
このため、２！ｆ−波路の＠が厚いと、誘電体クラッド
を持つ導波路部でのＴＭ、モードの光が金属クラッド金
有する導波路部での単位長当りの減衰量が、ＴＭ−＋モ
ードよシも１桁以上小さいＴＭ、モードへのパワーの結
合音生じる。このため、２０ｄＢのＴＭ−ＴＥモード消
光比を得るための長さが長くなるという欠点がある。
を持つ導波路部でのＴＭ、モードの光が金属クラッド金
有する導波路部での単位長当りの減衰量が、ＴＭ−＋モ
ードよシも１桁以上小さいＴＭ、モードへのパワーの結
合音生じる。このため、２０ｄＢのＴＭ−ＴＥモード消
光比を得るための長さが長くなるという欠点がある。
誘電体バッファ層を介して、金属を付けた薄膜偏光子は
、多モード専波路に対しては有効であるが、単一モード
導波路においては、ＴＭ−１モードの減衰量を減らすと
いう欠点がある。
、多モード専波路に対しては有効であるが、単一モード
導波路においては、ＴＭ−１モードの減衰量を減らすと
いう欠点がある。
本発明の目的は、ガーネット基板、磁性ガーネット結晶
尋彼路、誘電体クラッド層、金属膜及び印加磁界用磁石
、または、磁性膜よりなる薄Ｍ尋波路形光アイソレータ
において、該誘電体バッファ層、及び金属膜の端部全テ
ーパ状にすることで、半導体レーザからの光に対する透
過性の改善と共に、寸法を半導体レーザと同程度の太き
さまでの小形化全提供することにある。
尋彼路、誘電体クラッド層、金属膜及び印加磁界用磁石
、または、磁性膜よりなる薄Ｍ尋波路形光アイソレータ
において、該誘電体バッファ層、及び金属膜の端部全テ
ーパ状にすることで、半導体レーザからの光に対する透
過性の改善と共に、寸法を半導体レーザと同程度の太き
さまでの小形化全提供することにある。
上記目的全達成するための本発明の構成は磁性ガーネッ
ト結晶全導波路とし７１４ｆ膜４波路形光アイル−タに
、誘電体クラッドをテーパ状にして金属膜の一部全積層
させ、さらに金属膜の他端をテーパ状にした薄膜偏光子
を設けるところのものである。
ト結晶全導波路とし７１４ｆ膜４波路形光アイル−タに
、誘電体クラッドをテーパ状にして金属膜の一部全積層
させ、さらに金属膜の他端をテーパ状にした薄膜偏光子
を設けるところのものである。
金属は、表面に電荷が集中して、電界は表面に垂直であ
るという特性を持っている。このため、電界がクラッド
表面に対して、垂直な成分を持つＴＭモードは、金属ク
ラッドによる影響を受は易い。金属を上手に使うことに
より、ＴＭ、モードを高次のモード変換できる。導波路
が単一モードであるとき、このモード変換全利用して、
ＴＭモードを消去させることが出来る。詳ＭＢ ｋ次に
図を用いて述べる。
るという特性を持っている。このため、電界がクラッド
表面に対して、垂直な成分を持つＴＭモードは、金属ク
ラッドによる影響を受は易い。金属を上手に使うことに
より、ＴＭ、モードを高次のモード変換できる。導波路
が単一モードであるとき、このモード変換全利用して、
ＴＭモードを消去させることが出来る。詳ＭＢ ｋ次に
図を用いて述べる。
第１図に、上記原理の説明図を示す。図中、基板１の屈
折率ｎ１ と、導波路２の屈折率口２と、誘電体クラッ
ド５の屈折率ｎ５の間には、ｎ２〉！＞ｎ５の関係があ
る。導波路２は、誘電体クラッド３及び誘電体クラッド
５を有する領域で単一モード導波路である。ＴＬモード
の光は、はとんど損失を失することなく伝搬して行く。
折率ｎ１ と、導波路２の屈折率口２と、誘電体クラッ
ド５の屈折率ｎ５の間には、ｎ２〉！＞ｎ５の関係があ
る。導波路２は、誘電体クラッド３及び誘電体クラッド
５を有する領域で単一モード導波路である。ＴＬモード
の光は、はとんど損失を失することなく伝搬して行く。
ＴＭ。
モードの光の電界分布全、伝搬に従い、、１０−１゜１
０−２．１０−３．１０−４に示す。誘電体クラッド３
を有する領域では、ＴＭ、モードの１に界分布１０−１
全有する。テーパ状に金属クラッド４を持つ領域に変化
して行くと、ＴＭ、モードの光の電界の分布変化が増し
てくる（１０−２）。
０−２．１０−３．１０−４に示す。誘電体クラッド３
を有する領域では、ＴＭ、モードの１に界分布１０−１
全有する。テーパ状に金属クラッド４を持つ領域に変化
して行くと、ＴＭ、モードの光の電界の分布変化が増し
てくる（１０−２）。
さらに金属クラッド４の厚さが増し、次の誘電体クラッ
ド５の領域に達すると、さらに、電界分布の変化が大き
くなり高次モードの電界分布に近づく次の誘電体クラッ
ド５がテーノくに厚さを増してくると、漸次１Ｍｌモー
ドへと推移して行く。ところが、導波路２は単一モード
導波路であるために、１Ｍモードの光は基板中へ放射さ
れる。モード変換は、テーパ状にクラッドが変るため、
滑らかに行なわれ、低い次数のＴＭ、モードの励起はほ
とんどない。このようにして高性能な薄膜偏光子を得る
ことができる。
ド５の領域に達すると、さらに、電界分布の変化が大き
くなり高次モードの電界分布に近づく次の誘電体クラッ
ド５がテーノくに厚さを増してくると、漸次１Ｍｌモー
ドへと推移して行く。ところが、導波路２は単一モード
導波路であるために、１Ｍモードの光は基板中へ放射さ
れる。モード変換は、テーパ状にクラッドが変るため、
滑らかに行なわれ、低い次数のＴＭ、モードの励起はほ
とんどない。このようにして高性能な薄膜偏光子を得る
ことができる。
この高性能な薄膜形偏光子を、薄膜導波路形ファラデー
回転子に一体化した、薄膜導波路形光アイソレータ全第
２図に示す。図中、誘電体クラッド５は、金属側でテー
パ状となって徐々に厚みを減らし、また、金属クラッド
は、誘電体クラッド５と接している反対の端がテーバ状
になり徐々に厚みを減らしている。この領域が、高性能
のテーパ状金属薄膜偏光子の領域である。ガーネット基
板１上に該基板１よシ屈折率の高い磁性ガーネット導波
路２が形成されて、該導波路２上には、基板の屈折率よ
シ低い誘電体クラッドが積層されている。印加磁界用磁
石６又は、磁性膜６′の領域がファラデー回転部で、先
の高性能のテーパ状金属薄膜偏光子の領域と組み合わさ
れ、薄膜導波路形光アイソレータを構成している。この
テーパ状薄膜偏光子の長さは、０．３ｍ＋ｎ程度で、２
０ｄＢの消光比を持つ。又、テーパ状にクラッドが変化
しているため、不必要な反射を生じず、細光部品の連結
に際しても、無反射素子であるため、悪い影響を及ぼす
心配がない。
回転子に一体化した、薄膜導波路形光アイソレータ全第
２図に示す。図中、誘電体クラッド５は、金属側でテー
パ状となって徐々に厚みを減らし、また、金属クラッド
は、誘電体クラッド５と接している反対の端がテーバ状
になり徐々に厚みを減らしている。この領域が、高性能
のテーパ状金属薄膜偏光子の領域である。ガーネット基
板１上に該基板１よシ屈折率の高い磁性ガーネット導波
路２が形成されて、該導波路２上には、基板の屈折率よ
シ低い誘電体クラッドが積層されている。印加磁界用磁
石６又は、磁性膜６′の領域がファラデー回転部で、先
の高性能のテーパ状金属薄膜偏光子の領域と組み合わさ
れ、薄膜導波路形光アイソレータを構成している。この
テーパ状薄膜偏光子の長さは、０．３ｍ＋ｎ程度で、２
０ｄＢの消光比を持つ。又、テーパ状にクラッドが変化
しているため、不必要な反射を生じず、細光部品の連結
に際しても、無反射素子であるため、悪い影響を及ぼす
心配がない。
以下、本発明の実施例を示す。
第３図に、本発明の一実施例として半２鰺レーザと薄膜
形光アイソレータを設定した図を示す。薄膜形光アイソ
レータは、前述の第２図に示したように、３次元導波路
２′ｆｃ有する。半導体レーザは、該導波路２と基板１
との境界面及び誘電体バッファ層との境界面に対し、４
５度頷けて設定しである。半導体レーザ７からの出射光
は偏光特性に優れている。該レーザ光の偏光面の方向１
１−１は、該半畳レーザのＴＥ０モードの光の偏光方向
である。該半導体レーザからの光は、光アイソレータの
磁性ガーネット結晶薄膜導波路２に入射して、印加磁界
用磁性薄膜６′を上部に有する領域で、ファラデー回転
して、その偏光面が４５度回転する（１１−２）。同、
磁性膜６′は、光の伝搬方向に磁界が加わるように磁化
してあり、又、長さ及び厚さは、導波路２内を伝搬する
直線偏光の偏波面が、該領域内で４５度回転するように
設定しである。偏光面が４５度頷き、完全にＴＥ、モー
ドになった光１１−２は、テーパ状誘電体クラッド５及
び金属膜４からなる偏光子部をほとんど減衰することな
く、伝搬して行（（１１−３）。一方、逆方向からの入
射光１２−１は、テーパ状偏光子部で、金属膜４と導波
路２の境界面に垂直な電界成分を有する光（ＴＭ、モー
ド光）は、テーパ状部分で高次のモードへ移行し基板中
に放射されるが、該境界面に平行な電界成分を有する光
（ＴＥ、モード光）は、モードの変化はないので、その
まま伝搬する（１２−２）。尚、該導波路２は、誘電体
クラッド５を有する領域で単一モードであり、また、基
板１の屈折率は、該誘電体クラッド５の屈折率よシも大
きい。該ＴＥ、モード光１２−２は、磁性膜６′を上部
に持つ導波路２の領域で、ファラデー効果を受けて、偏
波面が４５度偏いた光１２−３となる。該光１２−３は
、半導体レーザ７からの出射光１１−１の偏波面に対し
、９０度頷いた偏波面ケ有するために、該半導体レーザ
の発振に何ら影響を与えない。
形光アイソレータを設定した図を示す。薄膜形光アイソ
レータは、前述の第２図に示したように、３次元導波路
２′ｆｃ有する。半導体レーザは、該導波路２と基板１
との境界面及び誘電体バッファ層との境界面に対し、４
５度頷けて設定しである。半導体レーザ７からの出射光
は偏光特性に優れている。該レーザ光の偏光面の方向１
１−１は、該半畳レーザのＴＥ０モードの光の偏光方向
である。該半導体レーザからの光は、光アイソレータの
磁性ガーネット結晶薄膜導波路２に入射して、印加磁界
用磁性薄膜６′を上部に有する領域で、ファラデー回転
して、その偏光面が４５度回転する（１１−２）。同、
磁性膜６′は、光の伝搬方向に磁界が加わるように磁化
してあり、又、長さ及び厚さは、導波路２内を伝搬する
直線偏光の偏波面が、該領域内で４５度回転するように
設定しである。偏光面が４５度頷き、完全にＴＥ、モー
ドになった光１１−２は、テーパ状誘電体クラッド５及
び金属膜４からなる偏光子部をほとんど減衰することな
く、伝搬して行（（１１−３）。一方、逆方向からの入
射光１２−１は、テーパ状偏光子部で、金属膜４と導波
路２の境界面に垂直な電界成分を有する光（ＴＭ、モー
ド光）は、テーパ状部分で高次のモードへ移行し基板中
に放射されるが、該境界面に平行な電界成分を有する光
（ＴＥ、モード光）は、モードの変化はないので、その
まま伝搬する（１２−２）。尚、該導波路２は、誘電体
クラッド５を有する領域で単一モードであり、また、基
板１の屈折率は、該誘電体クラッド５の屈折率よシも大
きい。該ＴＥ、モード光１２−２は、磁性膜６′を上部
に持つ導波路２の領域で、ファラデー効果を受けて、偏
波面が４５度偏いた光１２−３となる。該光１２−３は
、半導体レーザ７からの出射光１１−１の偏波面に対し
、９０度頷いた偏波面ケ有するために、該半導体レーザ
の発振に何ら影響を与えない。
基板１に、ガドリウム・ガリウム・ガーネット基板を用
いて、該基板上部に、Ｂｉ置換形イツトリウム・鉄・ガ
ーネット薄膜育成した後、イオンビームエツチング法に
より３次元導波路２を形成した。誘電体バッファ層５に
は５ｉｏ２’４用いて、金属膜４にはＡｔを用いた。磁
性膜６′には、コバルト合金をスパッタした。薄膜導波
形光アイソレータの全素子長は、０．５ｍｍであり、そ
の構成は、ファラデー回転子部の長さ、つまｐ、磁性Ｍ
６’の長さは０．２聴で、薄膜偏光子部の長さ、つまり
、金属膜４の長さは０．３ ｔｔａｎであった。半導体
レーザ７からの入射光に対しては、２ｄＢのパワーの減
衰音生じた。逆方向からの光に対しては、金属膜４と導
波路２の境界面に垂直な偏光面を有する光に対しては、
３０ｄＢのパワーの減衰を生じ、該境界面に平行な偏波
面を有する光に対しては、半導体レーザ７側の出射端に
おいて、ＴＥ０モード、ＴＭモードのパワー比が２５０
％であった。
いて、該基板上部に、Ｂｉ置換形イツトリウム・鉄・ガ
ーネット薄膜育成した後、イオンビームエツチング法に
より３次元導波路２を形成した。誘電体バッファ層５に
は５ｉｏ２’４用いて、金属膜４にはＡｔを用いた。磁
性膜６′には、コバルト合金をスパッタした。薄膜導波
形光アイソレータの全素子長は、０．５ｍｍであり、そ
の構成は、ファラデー回転子部の長さ、つまｐ、磁性Ｍ
６’の長さは０．２聴で、薄膜偏光子部の長さ、つまり
、金属膜４の長さは０．３ ｔｔａｎであった。半導体
レーザ７からの入射光に対しては、２ｄＢのパワーの減
衰音生じた。逆方向からの光に対しては、金属膜４と導
波路２の境界面に垂直な偏光面を有する光に対しては、
３０ｄＢのパワーの減衰を生じ、該境界面に平行な偏波
面を有する光に対しては、半導体レーザ７側の出射端に
おいて、ＴＥ０モード、ＴＭモードのパワー比が２５０
％であった。
本発明によれば、ガーネット基板、磁性ガーネット結晶
導波路、誘電体クラッド、金属膜及び磁界印加用磁石、
または、磁性膜によシ構成される薄膜導波路形光アイソ
レータにおいて、誘電体クラッドと金属クラッドの接合
部を、誘電体クラッドの浮さが除々に零になるテーパ状
にすることで、該接合部における半導体レーザからの光
の反射金防ぐので、透過性が改善される。
導波路、誘電体クラッド、金属膜及び磁界印加用磁石、
または、磁性膜によシ構成される薄膜導波路形光アイソ
レータにおいて、誘電体クラッドと金属クラッドの接合
部を、誘電体クラッドの浮さが除々に零になるテーパ状
にすることで、該接合部における半導体レーザからの光
の反射金防ぐので、透過性が改善される。
また、本発明によれば、ガーネット基板、磁性ガーネッ
ト結晶導波路、誘電体クラッド層、金属膜及び磁界印加
用磁石、または、磁性膜により構成される薄膜導波路形
光アイソレータにおいて、誘電体クラッドと金属クラッ
ドの接合部を誘電体クラレドの厚さが徐々に零になるテ
ーパ状にし、さらに該金属膜の他端もテーパ状にするこ
とで、逆方向からの光を短い伝搬長、０・３１Ｔａｎ以
下で）直線偏光にすることができるので、半導体レーザ
と同程度の太きさまで小形化される。
ト結晶導波路、誘電体クラッド層、金属膜及び磁界印加
用磁石、または、磁性膜により構成される薄膜導波路形
光アイソレータにおいて、誘電体クラッドと金属クラッ
ドの接合部を誘電体クラレドの厚さが徐々に零になるテ
ーパ状にし、さらに該金属膜の他端もテーパ状にするこ
とで、逆方向からの光を短い伝搬長、０・３１Ｔａｎ以
下で）直線偏光にすることができるので、半導体レーザ
と同程度の太きさまで小形化される。
第１図は、本発明の模式図、第２図は、本発明の一実施
例としての光アイソレータの見取り図、第３図は、第２
図薄膜導波路形光アイソレータの半導体レーザへの設定
、及び動作原理全示した説明図である。 １・・・ガーネット基板、２・・・磁性ガーネット結晶
薄２ツド、６・・・磁界印加用磁石、６′・・・磁界印
力へ磁性膜、７・・・半導体レーザ、１０−１．２，３
．４・・・ＴＭモードの電界分布、１１−１．２．３・
・・半導体レーザからの光の電界の振動方向、１２−１
゜Ｚ ｊ 図 第 ２ ロ 不 ３ 図 ／／−Ｉ Ｎ−２／ｌ−３ １２−３１２−２ｔｚ−１
例としての光アイソレータの見取り図、第３図は、第２
図薄膜導波路形光アイソレータの半導体レーザへの設定
、及び動作原理全示した説明図である。 １・・・ガーネット基板、２・・・磁性ガーネット結晶
薄２ツド、６・・・磁界印加用磁石、６′・・・磁界印
力へ磁性膜、７・・・半導体レーザ、１０−１．２，３
．４・・・ＴＭモードの電界分布、１１−１．２．３・
・・半導体レーザからの光の電界の振動方向、１２−１
゜Ｚ ｊ 図 第 ２ ロ 不 ３ 図 ／／−Ｉ Ｎ−２／ｌ−３ １２−３１２−２ｔｚ−１
Claims (1)
- ガーネット基板、該基板上に形成された該基板の屈折率
よシも高い屈折率を有する磁性ガーネット結晶薄膜導波
路、該導波路上の有限な領域に形成された該導波路の屈
折率よりも小さい屈折率を有する誘電体り２ツド、及び
、該誘電体クラッド上の、該磁性ガーネット導波路中を
直線偏光が伝搬するときに、該直線偏光の偏波面がファ
ラデー効果により４５度回転するように設定された厚さ
と長さを持つ磁石、または、磁性膜からなるファラデー
回転部、並びに、該磁性ガーネット導波路上に金属膜を
直接積層させた薄膜偏光子部よ構成る薄膜形光アイソレ
ータにおいて、該磁性ガーネット導波路上の該誘電体ク
ラッドと該金属膜が、該誘電体クラッドの厚さが徐々に
零になるようにしたテーパ状部の上部に金属膜の一部が
存在する接合を取り、かつ、該金属膜の該導波路と直接
接する端部が、該金属膜の厚さが徐々に零になるような
構成をとることを特徴とする薄膜形光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20940982A JPS59101604A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 光アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20940982A JPS59101604A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 光アイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101604A true JPS59101604A (ja) | 1984-06-12 |
Family
ID=16572400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20940982A Pending JPS59101604A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101604A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126019A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光アイソレ−タ |
| JPS61156205A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Nec Corp | 光電気複合回路 |
| FR2614999A1 (fr) * | 1987-05-04 | 1988-11-10 | Thomson Csf | Guide d'onde optique bidimensionnel monomode ferrimagnetique, son procede de fabrication, et son utilisation dans un isolateur optique integre |
| EP0685081A1 (en) * | 1993-02-22 | 1995-12-06 | The Trustees of Columbia University in the City of New York | Thin-film magneto-optic polarization rotator |
| KR100757376B1 (ko) | 2006-04-04 | 2007-09-11 | 인하대학교 산학협력단 | 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된자기광학소자 |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP20940982A patent/JPS59101604A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126019A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光アイソレ−タ |
| JPS61156205A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Nec Corp | 光電気複合回路 |
| FR2614999A1 (fr) * | 1987-05-04 | 1988-11-10 | Thomson Csf | Guide d'onde optique bidimensionnel monomode ferrimagnetique, son procede de fabrication, et son utilisation dans un isolateur optique integre |
| EP0685081A1 (en) * | 1993-02-22 | 1995-12-06 | The Trustees of Columbia University in the City of New York | Thin-film magneto-optic polarization rotator |
| EP0685081A4 (en) * | 1993-02-22 | 1996-12-18 | Univ Columbia | LIQUID CRYSTAL DISPLAY. |
| KR100757376B1 (ko) | 2006-04-04 | 2007-09-11 | 인하대학교 산학협력단 | 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된자기광학소자 |
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