CN101529567A - 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置 - Google Patents

布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101529567A
CN101529567A CNA2007800404997A CN200780040499A CN101529567A CN 101529567 A CN101529567 A CN 101529567A CN A2007800404997 A CNA2007800404997 A CN A2007800404997A CN 200780040499 A CN200780040499 A CN 200780040499A CN 101529567 A CN101529567 A CN 101529567A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
barrier film
semiconductor layer
low resistance
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007800404997A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101529567B (zh
Inventor
高泽悟
武井应树
高桥明久
片桐弘明
浮岛祯之
谷典明
石桥晓
增田忠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of CN101529567A publication Critical patent/CN101529567A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101529567B publication Critical patent/CN101529567B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
    • H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by physical means, e.g. sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/16—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer

Abstract

形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。

Description

布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置
技术领域
本发明涉及布线膜的领域，特别涉及晶体管用的布线膜和形成该布线膜的形成方法。
背景技术
以往，电子部件用的金属布线膜使用Al(铝)或Cu(铜)等低电阻材料。例如，在TFT(Thin film transistor：薄膜晶体管)液晶显示器中，与面板的大型化一起，布线电极的低电阻化的要求变高，使用Al或Cu作为低电阻布线的必要性也变高。
以Al为主要成分的Al布线与SiO2或ITO(铟锡氧化物)等氧化物接触时，由于氧化物的氧，有时产生小丘，并且，在将Al布线用作TFT的源电极、漏电极的情况下，存在向基底Si层扩散的问题、与由ITO构成的透明电极的接触电阻恶化等的问题。
另一方面，关于Cu布线，与Al相比，Cu是低电阻的材料。对于Al来说，与ITO透明电极的接触电阻的恶化成为问题，但是，由于Cu比Al更难以氧化，所以，接触电阻也是良好的。
因此，将Cu用作低电阻布线膜的必要性提高。但是，Cu与其他布线材料相比较，存在与玻璃或Si等基底材料的密接性差的问题、或在用作源电极、漏电极的情况下Cu向Si层扩散的问题，所以，在Cu布线和其他层的界面，需要提高密接性或防扩散用的阻挡层。
此外，关于在半导体中使用的Cu镀层的基底Cu种子层，也与上述相同地，由于扩散问题，需要TiN或TaN等防扩散的阻挡层。
作为以Cu为主要成分的电子部件用金属布线膜的相关专利，已知以在Cu中添加Mo元素等为特征的技术(JP特开2005-158887)或以在纯Cu的溅射的成膜工艺中引入氮或氧为特征的技术(JP特开平10-12151)，但是，都在低电阻化等方面存在问题。
专利文献1：JP特开2005-158887号公报
专利文献2：JP特开平10-12151号公报
发明内容
本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的是提供一种针对玻璃基板或硅层的密接性较高、并且低电阻的布线膜。
本发明提供一种布线膜的形成方法，在成膜对象物的硅或二氧化硅露出的表面上形成布线膜，其中，向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气和溅射气体，在含氧的真空环境中，对第一纯铜靶进行溅射，在所述成膜对象物的表面上形成阻挡膜，之后，在停止向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气的状态下，对第二纯铜靶进行溅射，在所述阻挡膜的表面上形成低电阻膜，刻蚀所述阻挡膜和所述低电阻膜，形成所述布线膜。
本发明是一种布线膜的形成方法，使用同一靶作为所述第一、第二纯铜靶，在相同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成和所述低电阻膜的形成。
本发明是一种布线膜的形成方法，在所述阻挡膜的形成中，以所述真空环境中的氧气分压与溅射气体分压的比例为3.0％以上的方式导入氧气，对所述第一铜靶进行溅射。
本发明是一种布线膜的形成方法，在形成所述低电阻膜之后，向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气和溅射气体，在含氧的真空环境中，对第三纯铜靶进行溅射，在所述低电阻膜表面上形成密接膜，之后，刻蚀所述阻挡膜、所述低电阻膜、所述密接膜，形成所述布线膜。
本发明是一种布线膜的形成方法，使用同一靶作为所述第一～第三纯铜靶，在相同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成、所述低电阻膜的形成、所述密接膜的形成。
本发明是一种布线膜的形成方法，使用不同的靶作为所述第一～第三纯铜靶，在不同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成、所述低电阻膜的形成、所述密接膜的形成。
本发明是一种布线膜的形成方法，使用同一靶作为所述第一、第三纯铜靶，使用与所述第一、第三纯铜靶不同的靶作为所述第二纯铜靶，在相同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成和所述密接膜的形成，在与在所述阻挡膜和所述密接膜的形成中所使用的真空槽不同的真空槽中，进行所述低电阻膜的形成。
本发明是一种晶体管，具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或者导通，在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
本发明是一种晶体管，在所述源极半导体层上的所述低电阻膜和所述漏极半导体层上的所述低电阻膜的任何一个或两个的表面上，形成以铜为主要成分且含氧的密接膜。
本发明提供一种晶体管，具有：栅电极；由半导体构成的漏极半导体层；由半导体构成的源极半导体层，以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，所述栅电极与玻璃基板接触，其中，所述栅电极具有在所述玻璃基板的表面上形成的阻挡膜和在所述阻挡膜的表面上形成的低电阻膜，所述阻挡膜以铜为主要成分且含有氧，所述低电阻膜以铜为主要成分且与所述阻挡膜相比为低电阻。
本发明提供一种具有晶体管的电子装置中，所述晶体管具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
本发明的电子装置具有晶体管，所述晶体管具有：栅电极；由半导体构成的漏极半导体层；由半导体构成的源极半导体层，以如下放方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，所述栅电极与玻璃基板接触，其中，所述栅电极具有在所述玻璃基板的表面上形成的阻挡膜和在所述阻挡膜的表面上形成的低电阻膜，所述阻挡膜以铜为主要成分且含有氧，所述低电阻膜以铜为主要成分且与所述阻挡膜相比为低电阻。
本发明的电子装置具有：玻璃基板；配置在所述玻璃基板上的透明的像素电极；配置在所述像素电极上的液晶；配置在所述液晶上的透明的公共电极；密接在所述玻璃基板上的蓄积电极，在形成于所述像素电极和所述蓄积电极之间的液晶电容上，连接有将所述蓄积电极作为单侧的电极的蓄积电容，以所述液晶电容的充放电控制所述液晶的取向，其中，所述蓄积电极具有：形成在所述玻璃基板表面上的阻挡膜；形成在所述阻挡膜表面上的低电阻膜，所述阻挡膜以铜为主要成分且含有氧，所述低电阻膜以铜为主要成分且与所述阻挡膜相比为低电阻。
此外，在本发明中，所谓主要成分，是指作为主要成分的元素含有50原子％以上。因此，“以铜为主要成分”的意思是“含有50原子％以上的铜原子”。
也有在本发明所使用的纯铜靶中混入了Cu以外的元素(例如，Mn、Mg等)作为杂质的情况，但是，杂质元素的含有量不到0.1原子％，通常不到10-4原子％。对于使用这样的纯铜靶成膜的本发明的布线膜来说，Cu和氧以外的杂质元素的含有量不到0.1原子％，通常不到10-4原子％。
利用本发明成膜的布线膜针对硅或玻璃的密接性高、并且是低电阻。对于形成布线膜时的退火来说，能够由同一刻蚀剂一次对阻挡膜和低电阻膜进行构图，所以制造工序简单。
附图说明
图1是用于说明在本发明中使用的溅射装置的一例的截面图。
图2(a)～(e)是用于说明本发明的布线膜的形成工序的一例的截面图。
图3是用于说明本发明的液晶显示装置的一例的截面图。
图4是用于说明本发明的半导体装置的一例的截面图。
图5(a)、(b)是用于说明本发明的布线膜的形成工序的另一例的截面图。
图6是用于说明溅射装置的第二例的截面图。
图7是用于说明溅射装置的第三例的截面图。
附图标记说明
1  溅射装置
2  真空槽
3  液晶显示装置
6  半导体装置
11  纯铜靶
31  玻璃基板
22  阻挡膜
23  低电阻膜
24  叠层膜
25、27  布线膜
36  像素电极
38  蓄积电极
40  晶体管(TFT)
41  栅电极
42  漏电极
43  源电极
46  沟道半导体层
47  漏极半导体层
48  源极半导体层
55  公共电极
具体实施方式
图1的附图标记1表示在本发明中使用的溅射装置的第一例。
该溅射装置1具有真空槽2，在真空槽2内，配置有纯铜靶11。纯铜靶11中的铜以外的元素成分的含有量不到0.1原子％。
图2(a)的附图标记21是成膜对象物，在其表面，半导体区域或玻璃基板的表面露出。
在真空槽2上连接有真空排气系统9和气体导入系统8，由真空排气系统9对真空槽2内进行真空排气，在成为真空环境的状态下，搬入成膜对象物21，并保持在配置于真空槽2内的基板保持件7上。
在气体导入系统8上连接有溅射气体源和氧气源，并以能够一边进行流量控制一边向真空槽2内导入溅射气体和氧气的方式构成。
在纯铜靶11上连接有溅射电源5，在对真空槽2内进行真空排气之后，从气体导入系统8导入溅射气体、或者导入溅射气体与氧气，由溅射电源5对纯铜靶11施加电压时，在纯铜靶11表面附近，形成所导入的气体的等离子体。
由等离子体对纯铜靶11进行溅射时，向成膜对象物21方向放出由铜原子或者原子团构成的铜微粒子，到达成膜对象物21的表面时，与氧进行反应，在成膜对象物21的表面上，如图2(b)所示，形成由铜和氧化铜构成的阻挡膜22。
一边导入氧一边对纯铜靶11进行溅射，生长阻挡膜22，阻挡膜22形成为10nm以上的膜厚度时停止氧气的导入，继续真空排气和溅射气体的导入，由溅射气体对相同的纯铜靶11进行溅射时，在阻挡膜22的表面上形成纯铜的低电阻膜23(图2(c))。
当低电阻膜23形成为预定膜厚时，从溅射装置1中搬出成膜对象物21。在成膜对象物21的表面上，如图2(c)所示，形成有具有阻挡膜22和低电阻膜23的叠层膜24。在成膜对象物21的表面上露出的半导体区域或玻璃基板表面上密接阻挡膜22，在其表面上配置有低电阻膜23。
接下来，如图2(d)所示，在叠层膜24的表面上配置构图后的抗蚀剂膜26，使在抗蚀剂膜26的底面上露出的叠层膜24曝露在弱酸等的刻蚀液或刻蚀气体中时，如图2(e)所示，形成构图后的布线膜25。
该布线膜25的截面形状是底面侧的宽度比上部的宽度长的梯形，具有锥形(taper)。
阻挡膜22和低电阻膜23由铜、或者铜以及铜氧化物构成，所以，能够由相同组成的刻蚀液(或刻蚀气体)进行刻蚀，在对阻挡膜22进行刻蚀时，不需要重新配置抗蚀剂膜。
在上述实施例中，在相同的溅射装置1的真空槽2内形成阻挡膜22和低电阻膜23，但是本发明不限于此。如后述的图6、7所示，也可以在不同的真空槽内对不同的靶进行溅射而形成阻挡膜22和低电阻膜23。
并且，如果在同一溅射装置1内部连续对阻挡膜22和低电阻膜23进行成膜，则不存在阻挡膜22和低电阻膜23曝露在大气中的危险，所以膜质变好。
上述成膜对象物21是后述的TFT基板或在半导体装置中使用的基板，在表面的一部分或全部上，玻璃基板或硅等半导体层露出。
由铜和铜氧化物构成的阻挡膜22的针对玻璃基板或半导体区域的密接性，比纯铜的薄膜的针对玻璃基板或半导体区域(单晶硅或多晶硅等)的密接性高。
在本发明中，由阻挡膜22将低电阻膜23牢固地连接在玻璃基板或半导体区域上，难以剥离。
此外，在由铜氧化物和铜构成的阻挡膜22上配置有纯铜的薄膜(低电阻膜)的情况下的、铜向硅氧化物或半导体区域中的扩散量，比由Ti或W等高熔点金属形成阻挡膜、并且在其上配置有纯铜的薄膜的情况下的铜的扩散量多，但是，比不设置阻挡膜22而使纯铜膜与硅氧化物或半导体区域接触地配置的情况少。因此，在半导体装置的领域，也存在要求由本发明形成的布线膜作为低电阻布线膜的可能性。
并且，在具有ITO或ZnO等氧化物透明导电膜的液晶显示装置中，在形成上述纯铜的低电阻膜23之后，一边向配置有上述纯铜靶11的真空环境中导入氧，一边对该纯铜靶11进行溅射，在低电阻膜23上，形成由铜氧化物和铜构成的10nm以上膜厚的密接膜29(图5(a))。能够在该密接膜29上密接地配置氧化物透明导电膜。
在这种情况下，由于在密接膜29中含有氧，所以，防止了氧化物透明导电膜中的氧向低电阻膜23扩散。
密接膜29与阻挡膜22相同地，也由铜以及铜氧化物构成，所以，能够由与阻挡膜22以及低电阻膜23相同的刻蚀剂(刻蚀液或刻蚀气体)进行刻蚀，即使不重新配置抗蚀剂膜，也能够一次刻蚀阻挡膜22、低电阻膜23和密接膜29的叠层膜28，形成构图后的布线膜27(图5(b))。
以上说明了在相同的真空槽2内部对相同的纯铜靶11进行溅射、从而形成阻挡膜22、低电阻膜23和密接膜29的情况，但是，本发明不限于此。
图6的附图标记80示出第二例的溅射装置，图7的附图标记90示出第三例的溅射装置。第二、第三例的溅射装置80、90具有：第一真空槽2a；与第一真空槽2a连接的第二真空槽2b；配置在第一真空槽2a内的第一纯铜靶11a；配置在第二真空槽2b内的第二纯铜靶11b。
对使用第二例、第三例的溅射装置80、90形成布线膜用的叠层膜的工序进行说明。
首先，由真空排气系统9在第一、第二真空槽2a、2b内部形成真空环境，在维持该真空环境的状态下，将成膜对象物21搬入第一真空槽2a内部，并保持在基板保持件7a上。
一边继续真空排气，一边由气体导入系统8将溅射气体和氧气导入到第一真空槽2a内，由电源5向第一纯铜靶11a施加电压，在包含氧的真空环境中对第一纯铜靶11a进行溅射，形成阻挡膜22。
将形成有阻挡膜22的成膜对象物21从第一真空槽2a搬入到第二真空槽2b，并保持在基板保持件7b上。一边对第二真空槽2a内进行真空排气，一边导入溅射气体，在不含氧的真空环境中对第二纯铜靶11b进行溅射，形成低电阻膜23。
在低电阻膜23的表面上进一步地形成密接膜29的情况下，在第二例的溅射装置80中，使形成有低电阻膜23的成膜对象物21从第二真空槽2b返回到第一真空槽2a中。一边对第一真空槽2a内进行真空排气，一边导入溅射气体和氧气，在含有氧气的真空环境中对第一纯铜靶11a进行溅射，形成密接膜29。
与此相对，在第三例的溅射装置90中，在第二真空槽2a上连接有第三真空槽2c，将形成有低电阻膜23的成膜对象物21从第二真空槽2b搬入到第三真空槽2c，并保持在基板保持件7c上。
在第三真空槽2c内部配置有第三纯铜靶11c。一边对第三真空槽2c内进行真空排气，一边导入溅射气体和氧气，在含有氧气的真空环境中对第三纯铜靶11c进行溅射，形成密接膜29。
第二、第三例的溅射装置80、90在不同的真空槽2a～2c内形成不同的真空环境(含有氧的真空环境，不含有氧的真空环境)。因此，与如第一例的溅射装置1那样在相同的真空槽2内交替形成不同的真空环境的情况相比较，从完成一个膜的成膜到对下一个膜进行成膜的真空排气，不需要长时间。
此外，为了降低布线膜27整体的电阻，使低电阻膜23比阻挡膜22或密接膜29厚。因此，低电阻膜23与阻挡膜22或密接膜29相比，成膜时间长。如第二、第三例的溅射装置80、90那样，如果由专用的真空槽对成膜需要长时间的膜进行成膜，则生产率提高。
并且，如第三例的溅射装置90那样，如果使真空槽2a～2c的数量与构成布线膜27的铜膜的数量相同，且在专用的真空槽2a～2c内对各铜膜进行成膜，则生产率进一步提高。
对于第二例的溅射装置80来说，如图6所示，可以直接连接第一、第二真空槽2a、2b，也可以将第一、第二真空槽2a、2b连接到相同的搬送室，通过该搬送室在第一、第二真空槽2a、2b之间搬入搬出成膜对象物21。
此外，对于第三例的溅射装置90来说，如图7所示，也可以串联地连接第一～第三真空槽2a～2c，通过第二真空槽2b将成膜对象物21从第一真空槽2a搬送到第三真空槽2c。并且，可以将第一～第三真空槽2a～2c连接到相同的搬送室，通过该搬送室，在第一～第三真空槽2a～2c之间搬入搬出成膜对象物21。
在任何一种情况下，成膜对象物21都不与大气接触地在真空槽间移动，从而得到膜质好的布线膜25、27。
接下来，说明本发明的电子装置的一例。
图3的附图标记3是具有本发明的布线膜的电子装置(液晶显示装置)，具有TFT基板30和滤色片基板50。
该液晶显示装置3是有源型的，TFT基板30具有玻璃基板31，在玻璃基板31上配置有TFT(薄膜晶体管)40、显示像素35、蓄积电容器39。
TFT40具有栅电极41、漏电极42、源电极43，蓄积电容器39具有蓄积电极38，显示像素35具有像素电极36。栅电极41、漏电极42、源电极43、蓄积电极38由上述布线膜25、27构成。
此外，TFT40具有栅极绝缘膜44、沟道半导体层46、漏极半导体层47、源极半导体层48。
与沟道半导体层46的单面接触地相互隔开配置漏极半导体层47和源极半导体层48，在漏极半导体层47和源极半导体层48之间的位置的沟道半导体层46的相反侧的面上，配置有栅极绝缘膜44和栅电极41。
漏电极42和源电极43分别与漏极半导体层47和源极半导体层48的表面接触地配置。
栅电极41、漏电极42、源电极43被导出到TFT40的外部，能够施加来自外部电源的电压。
沟道半导体层46、漏极以及源极半导体层47、48由非晶硅或多晶硅等构成。
p型和n型的导电型中，漏极半导体层47和源极半导体层48是相同的导电型，沟道半导体层46是与漏极半导体层47以及源极半导体层48相同的导电型、或者相反的导电型。
首先，说明沟道半导体层46与源极以及漏极半导体层47、48是相同导电型的情况。
对于沟道半导体层46来说，杂质浓度比漏极以及源极半导体层47、48高，成为低电阻。
在漏电极42和源电极43之间施加了工作电压的状态下，与沟道半导体层46、漏极以及源极半导体层48相同极性的电荷，将在沟道半导体层46表面上施加的电压施加到栅电极41上时，在沟道半导体层46的栅电极41上的部分，形成低电阻的蓄积层，由该蓄积层连接漏极半导体层47和源极半导体层48，TFT导通。在没有施加栅极电压的期间不形成蓄积层，TFT40断开。
接下来，说明沟道半导体层46是与源电极以及漏电极47、48不同导电型的情况，在漏电极42和源电极43之间施加了工作电压的状态下，将在沟道半导体层46表面感应出与该沟道半导体层46相反极性的电荷的电压施加到栅电极41上时，在沟道半导体层46的栅电极41上的部分，形成与源电极以及漏电极47、48相同导电型的反转层，由该反转层连接漏极半导体层47和源极半导体层48，TFT导通。在没有施加栅极电压的期间不形成反转层，TFT40断开。
源电极43的一部分表面露出，与从显示像素35延伸设置的像素电极36接触。
像素电极36延伸设置到蓄积电容器39所在的部分上，隔着绝缘膜(栅极绝缘膜44)，与配置在玻璃基板31上的蓄积电极38对置配置，由对置的部分形成蓄积电容。
因此，蓄积电容的电容器的单侧电极是蓄积电极38，另一单侧电极是像素电极36，但是，另一单侧电极不限于像素电极36，也可以是其他电极(例如，公共电极55)。
TFT基板30和滤色片基板50离开固定距离地配置，其间封入液晶4。
对于滤色片基板50来说，在与TFT40对置的位置上配置有黑矩阵52，在与显示像素35对置的位置上配置有滤色片53。在滤色片基板50的至少与显示像素35对置的部分上配置有公共电极55。像素电极36和公共电极55由ITO等透明的金属膜构成。
TFT基板30和滤色片基板50分别具有偏光板49、59。利用TFT40的导通和断开，在像素电极36和公共电极55之间施加电压时，显示像素35上的液晶4的取向发生变化，通过液晶4的光的偏向方向改变，从而控制照射到显示像素35上的光的向液晶显示装置3的外部的穿透和遮断。
蓄积电容相对于在像素电极36和公共电极55之间形成的液晶电容并联地连接，TFT40导通，像素电极36和公共电极55之间的液晶电容通过TFT40由电源电压进行充电时，蓄积电容也由电源电压充电。
由于在蓄积电容中蓄积的电荷，TFT40转为断开，像素电极36从电源电压被断开，也对像素电极36上施加与TFT40导通时相同的电压，维持显示像素35上的液晶4的偏向状态。当该液晶电容被放电时，液晶4的偏向状态发生变化。
蓄积电极38和栅电极41与玻璃基板31接触，漏电极42和源电极43与半导体层(漏极半导体层47、源极半导体层48)接触。
蓄积电极38、栅电极41、漏电极42、源电极43由利用本发明形成的布线膜25、27构成，阻挡膜22与玻璃基板31或半导体层47、48接触。因此，蓄积电极38以及栅电极41与玻璃基板31之间的密接性、或漏电极42以及源电极43与半导体层47、48之间的密接性高。此外，在配置于阻挡膜22上的低电阻膜23中不含氧，与阻挡膜22相比是低电阻，所以，各电极膜的扩展方向(与膜厚方向成直角的方向)的电阻是低电阻。
本发明的电子装置不限于液晶显示装置。
图4的附图标记6是作为本发明的电子装置的另一例的半导体装置的一部分，在图4中示出半导体装置6的晶体管60。
该晶体管60除了不配置在玻璃基板上、并具有半导体基板(硅基板)61以外，具有与在上述图3中示出的TFT40相同的构件，对相同的构件给出相同的附图标记，并且省略说明。
在该晶体管60中，源极半导体层48和漏极半导体层47的一部分表面露出，在露出的部分上分别密接有源电极43的阻挡膜22和漏电极42的阻挡膜22。
因此，漏电极42和源电极43的针对硅基板61的密接性高，由阻挡膜22防止向硅基板61的铜扩散。
此外，图4的附图标记64是用于使漏电极42以及源电极43与栅电极41绝缘的绝缘膜，该图的附图标记74是用于使漏电极42以及源电极43从硅基板61的源极半导体层48和漏极半导体层47以外的场所绝缘的绝缘膜。
对于漏极半导体层47、源极半导体层48和沟道半导体层46来说，在电子装置是半导体装置6的情况下，在硅基板61中扩散杂质而形成，在电子装置是液晶显示装置的情况下，在玻璃基板31的表面上，利用CVD法等附着硅等半导体而形成。
此外，栅极绝缘膜44等绝缘膜由氮化硅等氮化膜、氧化硅等氧化膜构成。
以上说明了由利用本发明形成的布线膜25、27分别构成栅电极41、漏电极42、源电极43、蓄积电极38的情况，但是，本发明不限于此，可以由本发明的布线膜形成方法形成源电极43和漏电极42中的任何一个或两个而由与本发明不同的方法形成栅电极41和蓄积电极38，也可以由本发明的布线膜的形成方法形成栅电极41和蓄积电极38中的任何一个或两个而由与本发明不同的方法形成源电极和漏电极。
此外，可以由两层结构的布线膜25构成源电极43、漏电极42、栅电极41、蓄积电极38中的全部的电极，也可以由三层结构的布线膜27构成全部的电极。并且，也可以由两层结构的布线膜25构成源电极43、漏电极42、栅电极41、蓄积电极38中的一个以上的电极，由三层结构的布线膜27构成其余的电极。如上所述，密接膜29防止氧扩散到低电阻膜23中，所以，对于三层结构的布线膜27来说，如像素电极36或公共电极55那样，使用于与由氧化物透明导电膜构成的电极接触的结构是有效的。
实施例
使用玻璃基板作为成膜对象物21，对溅射时的氧气分压与溅射气体(Ar)的分压的比例和成膜后的退火处理温度的成膜条件进行组合，由各组合对阻挡膜22进行成膜。
此外，在各组合中，对于溅射气体的导入来说，以溅射气体分压成为固定值(04Pa)的方式设定导入量。氧气分压与溅射气体分压的比例，是将氧气分压除以溅射气体分压(0.4Pa)后的值乘以100得到的值。
<密接性试验>
在各阻挡膜22上，用前端锋利的切刀刻上10行×10列、总共100个1mm见方的格子，贴附粘接带(型号610的透明胶带)之后，对在剥离粘接带时残留的阻挡膜22的个数进行计数，将该结果和氧气分压与溅射气体分压的比例以及退火处理温度一起记载在下表1中。下述表1中的退火温度的单位是℃。
表1：密接性试验
Figure A20078004049900171
此外，在阻挡膜22从玻璃基板全部剥离的情况下是0/100，一个也没有剥离的情况下是100/100，分子数越大，密接性越高。
从上述表1可知，氧气分压越高，密接性越高。氧气分压与溅射气体分压的比例为3.0％以上时，残留一半以上的阻挡膜22，为了确保作为电子装置的布线膜的密接性，需要氧气分压与溅射气体分压的比例为3.0％以上。特别地，可知在需要没有剥离而残留9成以上的阻挡膜这样的较高的密接性的情况下，需要氧气分压与溅射气体分压的比例为10％以上。
<电阻值>
测定以350℃进行退火处理后的各阻挡膜22的电阻率。将该测定结果记载在下述表2中。
表2：电阻率
氧气分压越高，电阻率越上升。观察上述表2，在氧气分压与溅射气体分压的比例为20.0％时，电阻率为8.0最大，该值是能够作为上述布线膜的阻挡膜而用于电子装置中的值。
<膜组成>
关于在不同的氧气分压下成膜的三种阻挡膜，由XPS法(X射线电子分光法)测定氧原子的含有量和铜原子的含有量。将该测定结果记载在下述表3中。
表3：膜组成
Figure A20078004049900181
从上述表3中确认，溅射时的氧气分压越高，阻挡膜22中含有的氧原子的量越多。

Claims (13)

1.一种布线膜的形成方法，在成膜对象物的硅或者二氧化硅露出的表面上形成布线膜，其中，
向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气和溅射气体，在含氧的真空环境中，对第一纯铜靶进行溅射，在所述成膜对象物的表面上形成阻挡膜，之后，
在停止向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气的状态下，对第二纯铜靶进行溅射，在所述阻挡膜的表面上形成低电阻膜，
刻蚀所述阻挡膜和所述低电阻膜，形成所述布线膜。
2.根据权利要求1所述的布线膜的形成方法，其中，
使用同一靶作为所述第一、第二纯铜靶，
在相同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成和所述低电阻膜的形成。
3.根据权利要求1所述的布线膜的形成方法，其中，
所述阻挡膜的形成中，以所述真空环境中的氧气分压与溅射气体分压的比例为3.0％以上的方式导入氧气，对所述第一铜靶进行溅射。
4.根据权利要求1所述的布线膜的形成方法，其中，
在形成所述低电阻膜之后，向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气和溅射气体，在含氧的真空环境中，对第三纯铜靶进行溅射，在所述低电阻膜表面上形成密接膜之后，
刻蚀所述阻挡膜、所述低电阻膜、所述密接膜，形成所述布线膜。
5.根据权利要求4所述的布线膜的形成方法，其中，
使用同一靶作为所述第一～第三纯铜靶，
在相同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成、所述低电阻膜的形成、所述密接膜的形成。
6.根据权利要求4所述的布线膜的形成方法，其中，
使用不同的靶作为所述第一～第三纯铜靶，
在不同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成、所述低电阻膜的形成、所述密接膜的形成。
7.根据权利要求4所述的布线膜的形成方法，其中，
使用同一靶作为所述第一、第三纯铜靶，
使用与所述第一、第三纯铜靶不同的靶作为所述第二纯铜靶，
在相同的真空槽内部进行所述阻挡膜的形成和所述密接膜的形成，
在与所述阻挡膜和所述密接膜的形成所使用的真空槽不同的真空槽中，进行所述低电阻膜的形成。
8.一种晶体管，其中，
具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，
以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或者导通，
在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，
在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
9.根据权利要求8所述的晶体管，其中，
在所述源极半导体层上的所述低电阻膜和所述漏极半导体层上的所述低电阻膜的任何一个或两个的表面上，形成以铜为主要成分且含氧的密接膜。
10.一种晶体管，
具有：栅电极；由半导体构成的漏极半导体层；由半导体构成的源极半导体层，
以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，
所述栅电极与玻璃基板接触，其中，
所述栅电极具有：在所述玻璃基板的表面上形成的阻挡膜；在所述阻挡膜的表面上形成的低电阻膜，
所述阻挡膜以铜为主要成分且含有氧，
所述低电阻膜以铜为主要成分且与所述阻挡膜相比为低电阻。
11.一种具有晶体管的电子装置，其中，
所述晶体管具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，
以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，
在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，
在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
12.一种电子装置，
具有晶体管，
所述晶体管具有：栅电极；由半导体构成的漏极半导体层；由半导体构成的源极半导体层，
以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，
所述栅电极与玻璃基板接触，其中，
所述栅电极具有在所述玻璃基板的表面上形成的阻挡膜和在所述阻挡膜的表面上形成的低电阻膜，
所述阻挡膜以铜为主要成分且含有氧，
所述低电阻膜以铜为主要成分且与所述阻挡膜相比为低电阻。
13.一种电子装置，
具有：玻璃基板；配置在所述玻璃基板上的透明的像素电极；配置在所述像素电极上的液晶；配置在所述液晶上的透明的公共电极；密接在所述玻璃基板上的蓄积电极，
在形成于所述像素电极和所述蓄积电极之间的液晶电容上，连接有将所述蓄积电极作为单侧的电极的蓄积电容，
以所述液晶电容的充放电控制所述液晶的取向，其中，
所述蓄积电极具有：形成在所述玻璃基板的表面上的阻挡膜；形成在所述阻挡膜的表面上的低电阻膜，
所述阻挡膜以铜为主要成分且含有氧，
所述低电阻膜以铜为主要成分且与所述阻挡膜相比为低电阻。
CN2007800404997A 2006-12-28 2007-12-26 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置 Active CN101529567B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006354858 2006-12-28
JP354858/2006 2006-12-28
PCT/JP2007/074930 WO2008081805A1 (ja) 2006-12-28 2007-12-26 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105358772A Division CN102097472A (zh) 2006-12-28 2007-12-26 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101529567A true CN101529567A (zh) 2009-09-09
CN101529567B CN101529567B (zh) 2012-07-04

Family

ID=39588488

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105358772A Pending CN102097472A (zh) 2006-12-28 2007-12-26 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置
CN2007800404997A Active CN101529567B (zh) 2006-12-28 2007-12-26 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105358772A Pending CN102097472A (zh) 2006-12-28 2007-12-26 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090236603A1 (zh)
EP (1) EP2101346A4 (zh)
JP (1) JPWO2008081805A1 (zh)
KR (1) KR101132582B1 (zh)
CN (2) CN102097472A (zh)
TW (1) TWI395270B (zh)
WO (1) WO2008081805A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102521445A (zh) * 2011-12-09 2012-06-27 清华大学 磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法
CN103227195A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 日立金属株式会社 电子部件用层叠布线膜
CN103227013A (zh) * 2012-01-25 2013-07-31 日东电工株式会社 导电性薄膜卷的制造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038284A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Mitsubishi Materials Corp 薄膜トランジスター
JP5315701B2 (ja) * 2008-01-18 2013-10-16 三菱マテリアル株式会社 薄膜トランジスター
JP5411481B2 (ja) * 2008-10-22 2014-02-12 国立大学法人東北大学 マグネトロンスパッタ装置
KR101184240B1 (ko) 2008-10-24 2012-09-21 가부시키가이샤 알박 박막 트랜지스터의 제조 방법, 박막 트랜지스터
JP5604056B2 (ja) * 2009-05-15 2014-10-08 関東化学株式会社 銅含有積層膜用エッチング液
JP5548396B2 (ja) 2009-06-12 2014-07-16 三菱マテリアル株式会社 薄膜トランジスタ用配線層構造及びその製造方法
KR101583602B1 (ko) * 2009-07-23 2016-01-11 엘지디스플레이 주식회사 구리배선 형성방법과 구리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
EP2312633A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-20 Applied Materials, Inc. Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device
KR102138547B1 (ko) 2009-11-13 2020-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2022156320A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 Tdk株式会社 積層電子部品

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333925A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Nippon Steel Corp 半導体集積回路及びその製造方法
KR100186540B1 (ko) * 1996-04-25 1999-03-20 구자홍 피디피의 전극 및 그 형성방법
US6037257A (en) * 1997-05-08 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Sputter deposition and annealing of copper alloy metallization
JP4247772B2 (ja) * 1998-12-14 2009-04-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 配線とこれを用いた薄膜トランジスタ基板およびその製造方法と液晶表示装置
JP2002091338A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Toshiba Corp アレイ基板およびその製造方法ならびに液晶表示素子
JP2005158887A (ja) 2003-11-21 2005-06-16 Dept Corp 回路基板及びその製造方法
US7023059B1 (en) * 2004-03-01 2006-04-04 Advanced Micro Devices, Inc. Trenches to reduce lateral silicide growth in integrated circuit technology
KR101054344B1 (ko) * 2004-11-17 2011-08-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101168728B1 (ko) * 2005-07-15 2012-07-26 삼성전자주식회사 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법
KR101167661B1 (ko) * 2005-07-15 2012-07-23 삼성전자주식회사 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102521445A (zh) * 2011-12-09 2012-06-27 清华大学 磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法
CN102521445B (zh) * 2011-12-09 2014-01-01 清华大学 磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法
CN103227013A (zh) * 2012-01-25 2013-07-31 日东电工株式会社 导电性薄膜卷的制造方法
CN103227195A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 日立金属株式会社 电子部件用层叠布线膜
CN103227195B (zh) * 2012-01-31 2015-10-28 日立金属株式会社 电子部件用层叠布线膜

Also Published As

Publication number Publication date
EP2101346A4 (en) 2015-11-18
EP2101346A1 (en) 2009-09-16
KR101132582B1 (ko) 2012-04-06
WO2008081805A1 (ja) 2008-07-10
CN102097472A (zh) 2011-06-15
TW200842981A (en) 2008-11-01
KR20090053853A (ko) 2009-05-27
CN101529567B (zh) 2012-07-04
TWI395270B (zh) 2013-05-01
US20090236603A1 (en) 2009-09-24
JPWO2008081805A1 (ja) 2010-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101529567B (zh) 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置
CN101529566B (zh) 布线膜的形成方法、晶体管及电子装置
JP5247448B2 (ja) 導電膜形成方法、薄膜トランジスタの製造方法
CN101719493B (zh) 显示装置
CN101335294A (zh) 使用a1合金膜的低接触电阻型电极及其制造方法和表示装置
WO2011024770A1 (ja) 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法
CN101512730A (zh) 导电膜形成方法、薄膜晶体管、带有薄膜晶体管的面板以及薄膜晶体管的制造方法
KR101175970B1 (ko) 배선층, 반도체 장치, 액정 표시 장치
CN101971349A (zh) 薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管
CN108352411A (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
WO2010013636A1 (ja) 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法
CN103201839B (zh) 沉积薄膜电极与薄膜堆迭的方法
US8373832B2 (en) Wiring layer, semiconductor device, and liquid crystal display device using semiconductor device
TWI484637B (zh) A display device and a Cu alloy film used therewith
JP5368717B2 (ja) 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
CN101681932A (zh) 薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法、电极形成方法
CN107180837A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant