CN101510554A - 光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法 - Google Patents

光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101510554A
CN101510554A CNA2009100041477A CN200910004147A CN101510554A CN 101510554 A CN101510554 A CN 101510554A CN A2009100041477 A CNA2009100041477 A CN A2009100041477A CN 200910004147 A CN200910004147 A CN 200910004147A CN 101510554 A CN101510554 A CN 101510554A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
electrically connected
metal electrode
transmitted
electric current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2009100041477A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101510554B (zh
Inventor
金度晔
松枝洋二郎
金襟男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN101510554A publication Critical patent/CN101510554A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101510554B publication Critical patent/CN101510554B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/041—Temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

本发明公开一种光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法。所述光传感器能够通过得到依赖于温度变化的电流变化并根据温度变化对电流进行补偿，来产生仅对应于环境光的光传感信号。所述平板显示装置使用该光传感器。并且所述光传感器包括：光传感单元，产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流；包括暗二极管的温度补偿单元，由于阻断光的入射而产生与所述第二电流具有相同大小的第三电流，所述第二电流对应于环境温度；以及缓冲单元，通过从所述光传感单元中产生的第二电流中减去所述温度补偿单元中产生的第三电流，输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。

Description

光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请引用早先于2008年2月13日提交韩国知识产权局并被正式分配序列号No.10-2008-0013032的申请“光传感器及使用该光传感器的平板显示器”，要求该申请的所有权益，并将该申请合并于此。
技术领域
本发明涉及光传感器、使用该光传感器的平板显示装置以及制造暗二极管(dark diode)的方法，更具体地涉及仅响应于光而输出信号的光传感器及使用该光传感器的平板显示装置。
背景技术
近来，具有减小的重量和体积的各种平板显示(FPD)装置已经发展起来，而重量和体积在阴极射线管(CRT)中是障碍。作为平板显示装置的有液晶显示装置、场致发射显示装置、等离子体显示面板、有机发光显示装置和其他相关显示装置。
有机发光显示装置使用通过电子和空穴的复合产生光的有机发光二极管(OLED)来显示图像。
有机发光显示装置具有各种优点，如优良的色彩显示、薄的厚度以及其他相关优点，从而使有机发光显示装置被广泛应用在除蜂窝电话之外的各种应用场景中，例如PDA(个人数字助理)、MP3装置以及其他相关电子设备。
在这种平板显示装置上所显示的图像的可视性可能随环境光的亮度而不同。换句话说，即使以相同的亮度显示图像，当环境光的亮度相对较高时，所显示的图像对用户的裸眼来说可能显得较暗，而当环境光的亮度相对较低时，所显示的图像对用户的裸眼来说可能显得较亮。
因此，为了增强所显示的图像对用户裸眼的可视性，对环境光的亮度进行检测，其中当环境光的亮度相对较高时，可以提高所显示图像的亮度，而当环境光的亮度相对较低时，可以降低所显示图像的亮度。而且当根据环境光的亮度控制图像的亮度时，所显示图像的亮度将不会被不必要的提高，从而可以降低显示装置的功率消耗。
基于上述原因，已经设计出通过将用于检测环境光的光传感器附到平板显示装置上来对应于环境光控制所显示图像的亮度的方法。
光传感器包括对温度敏感的光电二极管。因此，当环境温度升至预定的程度时，光电二极管中由温度产生的电流变得明显大于由光产生的电流，从而可能使由光产生的电流被忽略。因此，为了补偿与显示装置的环境光对应的亮度，应当根据温度对从光电二极管产生的电流进行补偿。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种光传感器、使用该光传感器的平板显示装置以及制造暗二极管的方法，以便解决上述问题。
本发明的另一目的在于提供一种这样的光传感器及使用该光传感器的平板显示装置：能够通过得到由温度改变引起的电流变化并根据温度变化对电流进行补偿，来产生仅对应于环境光的光传感信号。
为了实现上述目的，根据本发明的第一方面，光传感器可以被构造有：光传感单元，产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流；包括暗二极管的温度补偿单元，由于阻断光的入射而产生与所述第二电流具有相同大小的第三电流，所述第二电流对应于环境温度；以及缓冲单元，通过从所述光传感单元中产生的第二电流中减去所述温度补偿单元中产生的第三电流，输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。
为了实现上述目的，根据本发明的第二方面，平板显示装置可以被构造有：对应于数据信号和扫描信号显示图像的像素单元；通过检测环境光来产生光传感信号的光传感器；对应于所述光传感信号产生所述数据信号的数据驱动器；以及产生所述扫描信号的扫描驱动器；其中所述光传感器包括：光传感单元，产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流；包括暗二极管的温度补偿单元，由于阻断光的入射而产生与所述第二电流具有相同大小的第三电流，所述第二电流对应于环境温度；以及缓冲单元，通过从所述光传感单元中产生的第二电流中减去所述温度补偿单元中产生的第三电流，输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。
为了实现上述目的，根据本发明的第三方面，暗二极管可以被构造有：透明基板；形成在所述透明基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的半导体层；形成在所述半导体层上的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上并分别与所述半导体层的两端都接触的第一金属电极和第二金属电极；形成在所述第一金属电极和所述第二金属电极上的第三绝缘膜；形成在所述第三绝缘膜上的平坦化膜；以及形成在所述平坦化膜上并面对所述半导体层的阳极。
附图说明
结合附图并参考以下详细描述，对本发明的更全面的认识以及伴随而来的诸多优点将因其变得更好理解而容易明白。在附图中，相同的附图标记表示相同或相似的组件，其中：
图1是图示构成本发明的平板显示装置的一个实例的有机发光显示装置的结构的示意图；
图2是图示构成图1的有机发光显示装置所采用的光传感器的第一实施例的电路的示意图；
图3是图示图2的光传感器的操作的一组波形；
图4是示出图2的光传感器所采用的暗二极管的第一实施例的截面图；
图5是示出图2的光传感器所采用的暗二极管的第二实施例的截面图；以及
图6是示出图2的光传感器所采用的暗二极管的第三实施例的截面图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅以图示的形式示出和描述了本发明的某些实施例。如本领域技术人员将会认识到的是，可以以不同的方式对所描述的实施例进行修改，而不会偏离本发明的精神和范围。相应地，附图和说明将会被认为在本质上是示例性的而非限制性的。另外，当元件被称为是在另一元件“上”时，它可以直接在该元件上，或者间接在该元件上而在两者之间插入一个或多个中间元件。当第一元件被描述为耦接至第二元件时，第一元件可以是不仅耦接至第二元件，而且还通过第三元件耦接至第二元件。另外，当元件被称为是“连接至”另一元件时，它可以直接连接至该元件，或者间接连接至该元件而在两者之间插入一个或多个中间元件。在下文中，相同的附图标记表示相同的元件。
在下文中，将结合附图对根据本发明的示范性实施例进行描述。
图1图示有机发光显示装置的结构，该有机发光显示装置构成本发明的平板显示装置的一个实例。参见图1，有机发光显示装置包括像素单元100、光传感器200、数据驱动器300以及扫描驱动器400。
像素单元100排布有多个像素101，其中每个像素101包括对应于电流的流动而发光的有机发光二极管(未示出)。同时像素单元100排布有数目为n的形成在行方向上并传送扫描信号的扫描线S1、S2、...、Sn-1和Sn，以及数目为m的形成在列方向上并传送数据信号的数据线D1、D2、...、Dm-1和Dm。
这种像素单元100通过从外部接收第一电源和第二电源而被驱动。换句话说，像素单元100根据扫描信号、数据信号、第一电源以及第二电源来驱动电流在有机发光二极管中流动，从而产生光以显示图像。
光传感器200产生光传感信号ls，其自动检测环境光，并且对应于可能具有高亮度或低亮度的环境光的亮度，来控制像素单元上所显示图像的亮度。光传感信号ls被传送至数据驱动器300。然后，数据驱动器300产生对应于光传感信号的数据信号。
数据驱动器300作为产生数据信号的装置，接收具有红、绿和蓝分量的视频信号R、G和B数据以及光传感信号ls以产生数据信号。数据驱动器300被连接至数据线D1、D2、...、Dm-1和Dm，并向像素单元100施加数据信号。
扫描驱动器400作为产生扫描信号的装置，被连接至扫描线S1、S2、...、Sn-1和Sn，以将扫描信号传送至像素单元100的特定行。被传送有扫描信号的像素101还被传送有从数据驱动器300输出的数据信号，从而产生驱动电流。所产生的驱动电流在有机发光二极管中流动。
图2是图示构成图1的有机发光显示装置所采用的光传感器的第一实施例的电路的示意图。参见图2，光传感器200包括光传感单元210、温度补偿单元220以及缓冲单元230。
光传感单元210包括光电二极管PD。光电二极管PD产生对应于环境光的亮度的电流。换句话说，如果环境光入射到光电二极管PD，与环境光对应的电流沿从阴极到阳极的方向流动，流动的电流强度对应于环境光的亮度。这里，光电二极管还对温度敏感，因此从光电二极管PD产生的电流可能根据温度变化而变化。
更具体地，光传感单元210包括光电二极管PD、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一电容器Cst1以及第二电容器Cboost1。
光电二极管PD的阴极被电连接至驱动电源，并且其阳极被电连接至第一晶体管M1的漏极和第二晶体管M2的源极。
第一晶体管M1的源极被电连接至第一节点N1，第一晶体管M1的漏极被电连接至光电二极管PD的阳极，并且其栅极被电连接至第一控制线HOLD。
第二晶体管M2的源极被电连接至光电二极管PD的阳极，第二晶体管M2的漏极被电连接至初始化信号线Vint，并且其栅极被电连接至复位信号线RESET。
第一电容器Cst1的第一电极被电连接至驱动电源VDD，第一电容器Cst1的第二电极被电连接至第一节点N1。第二电容器Cboost1的第一电极被电连接至第一节点N1，并且第二电容器Cboost1的第二电极被电连接至第二节点N1。
温度补偿单元220具有与光传感单元210相同的结构，并且阻挡环境光入射到光电二极管以产生对应于温度的电流。暗二极管DPD在例如保护层1009和透明基板1000之间具有防止入射环境光1500照射在暗二极管DPD上的一个或多个反射层(例如如图4所示的阳极1008，由于该层由金属制成，因此是高反射层)，因此，暗二极管DPD仅仅产生对应于环境温度的电流。由于光没有照射在温度补偿单元220所包括的暗二极管DPD上，所以仅仅具有根据DPD二极管周围的环境温度而变化的幅度的电流在暗二极管DPD中流动。因此，当从光传感单元210所产生的电流中减去温度补偿单元220所产生的电流时，得到的电流就是对应于环境光所产生的电流。
更具体地，温度补偿单元220包括暗二极管DPD、第三晶体管M2、第四晶体管M4、第三电容器Cst2以及第四电容器Cboost2。
暗二极管DPD的阳极被电连接至初始化电源Vint，暗二极管DPD的阴极被电连接至第三晶体管M3的漏极和第四晶体管M4的源极。
第三晶体管M3的源极被电连接至第三节点N3，第三晶体管M3的漏极被电连接至暗二极管DPD的阴极，并且第三晶体管M3的栅极被电连接至第一控制线HOLD。
第四晶体管M4的源极被电连接至暗二极管DPD的阴极，第四晶体管M4的漏极被电连接至驱动电源VDD，并且第四晶体管M4的栅极被电连接至复位信号线RESET。
第三电容器Cst2的第一电极被电连接至初始化电源Vint，并且第三电容器Cst2的第二电极被电连接至第三节点N3。
第四电容器Cboost2的第一电极被电连接至第三节点N3，并且其第二电极被电连接至第二节点N2。
缓冲单元230从光传感单元210所产生的电流中减去温度补偿单元220所产生的电流。缓冲单元230从光传感单元中根据环境光产生的电流和根据温度产生的电流中减去根据温度产生的电流，以产生仅仅对应于环境光而与温度无关的电流。而且，缓冲单元230可以改善所产生的电流的特性。
更具体地，缓冲单元230包括第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7以及第八晶体管M8。
第五晶体管M5的源极被电连接至驱动电源VDD，第五晶体管M5的漏极被电连接至第四节点N4，并且第五晶体管M5的栅极被电连接至第二节点N2。
第六晶体管N6的源极被电连接至第二节点N2，第六晶体管M6的漏极被电连接至第四节点N4，并且第六晶体管M6的栅极被电连接至复位信号线RESET。
第七晶体管M7的源极被电连接至第四节点N4，第七晶体管M7的漏极被电连接至第一输出线Iref，并且第七晶体管M7的栅极被电连接至复位信号线RESET。
第八晶体管M8的源极被电连接至第四节点N4，第八晶体管M8的漏极被电连接至第二输出线Iout，并且第八晶体管M8的栅极被电连接至第二控制线TX。
图3是图示图2的光传感器的操作的一组波形。
参见图3，光传感器200根据复位周期T1、积分周期以及采样周期T3而工作。
在复位周期T1中，通过复位信号线RESET传送的复位信号reset为低，通过第二控制线TX传送的第二控制信号tx为高，并且通过第一控制线HOLD传送的第一控制信号hold为低。
在积分周期T2中，复位信号reset为高，第二控制信号tx为高，并且第一控制信号hold为低。
在采样周期T3中，复位信号reset为高，第二控制信号tx为低，并且第一控制信号hold为高。
首先，在复位周期T1中，复位信号reset和第一控制信号hold为低，并且第二控制信号tx为高，所以第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第六晶体管M6和第七晶体管M7导通，而第八晶体管截止。因此，第一电容器Cst1和第二电容器Cboost1由初使化电压进行初始化，并且第三电容Cst2和第四电容器Cboost2由驱动电源VDD的电压进行初始化。当参考电流iref流经被电连接至第七晶体管M7的漏极的第一输出端Iref时，第二节点N2具有与参考电流iref的电流量对应的预定电压Vref。这种预定电压Vref借助于第一电容器Cst1、第二电容器Cboost1、第三电容器Cst2和第四电容器Cboost2得到维持。这里，预定电压为施加到第五晶体管M5栅极从而使参考电流iref流动的电压。当晶体管M8截止时，晶体管M7导通以允许电流Iref流经晶体管M7的漏极。当电流Iref流经晶体管M7的漏极时，由于节点N4被电连接至晶体管M7的源极，因此电流Iref流经晶体管M5的漏极。流经晶体管漏极的电流由该晶体管的源极和栅极之间的电压确定，如果电流Iref流经晶体管M5的漏极，则允许电流Iref流经晶体管M5漏极的电压被施加。这里，施加到晶体管M5的电压是由电流Iref确定的，而与晶体管M5的阈值电压无关。
在积分周期T2中，第一控制信号hold为低，且第二控制信号tx和复位信号reset为高，从而使第二晶体管M1和第三晶体管M3维持导通状态，而第二晶体管M2和第四晶体管M4维持截止状态。因此，在光电二极管PD中，根据入射光和环境温度，电流沿从光电二极管PD的阴极到光电二极管PD的阳极的方向流动。在暗二极管DPD中，根据环境温度，电流沿从阴极到阳极的方向流动。此时，在流经光电二极管PD的电流中，对应于入射光而流动的电流被称为第一电流，且对应于环境温度而流动的电流被称为第二电流。并且在暗二极管DPD中流动的对应于环境温度的电流被称为第三电流。
借助于光电二极管PD而流动的第一电流和第二电流流向第一节点N1。借助于暗二极管DPD而流动的第三电流从第三节点N3通过暗二极管DPD流向初始化信号线Vint。此时，光电二极管PD和暗二极管DPD以相同的工艺形成，所以由温度产生的第二电流和第三电流具有相同的电流量。
第一节点N1的电压根据光电二极管PD中流动的第一电流和第二电流而增大，第三节点N3的电压根据暗二极管DPD中流动的第三电流而减小。这里，第二电流和第三电流大小相同而方向相反。因此，第一节点N1的电压根据第二电流而增大的程度与第三节点N3的电压根据第三电流而减小的程度相同。因此，通过第一电容器Cst1、第二电容器Cbootstl、第三电容器Cst2和第四电容器Cboost2被耦接至第一节点N1和第三节点N3的第二节点N2的电压对应于第一电流的大小而增大。
因此，电压Vref+ΔV(第一节点N1中根据第一电流产生的电压变化的程度)被施加到第二节点N2。此时，第八晶体管M8为截止状态，使其可以防止与施加到第二节点N2的电压对应的的电流流经第二输出端Iout。因此，在周期T2中，第二输出端Iout处不存在电流。
在采样周期T3中，复位信号reset和控制信号hold为高而第二控制信号tx为低，所以第八晶体管M8导通。因此，光电二极管PD与第一节点N1断开，并且暗二极管DPD与第三节点N3断开。因此，第二节点N2的电压借助于第一电容器Cst1和第二电容器Cboost1以及第三电容器Cst2和第四电容器Cboost2不再进一步变化。第二输出端Iout通过第八晶体管M8保持与第五晶体管M5的漏极相连。因此电流沿着从第五晶体管M5的源极到其漏极的方向流动。这种对应于第二节点N2处的电压而流动并且通过第二输出端Iout流到光传感器200外部的电流被用作光传感信号。
图4是示出图2的光传感器所采用的暗二极管的第一实施例的截面图。参见图4，缓冲层1001和包括三个区域，即半导体区域1002a、1002b和1002c的半导体层被依次形成在透明基板1000上。然后，在缓冲层1001和半导体层上形成第一绝缘膜1003。这里半导体区域1002b和1002c分别位于半导体层的两个末端部分，而半导体区域1002a位于半导体层的中间部分。半导体区域1002a可以由掩模或相关工具覆盖，然后可以执行离子掺杂工艺。在掺杂工艺之后，半导体区域1002b和半导体区域1002c之一可以成变为N型，而另一区域可以成为P型，而半导体区域1002a没有被离子掺杂，成为本征半导体区域。此后，在第一绝缘膜1003上形成第二绝缘膜1004，并且形成穿透第一绝缘膜1003和第二绝缘膜1004的接触孔1100。在第二绝缘膜1004上形成金属层，然后金属层被图样化为第一金属电极1005a和第二金属电极1005b。第一金属电极1005a和第二金属电极1005b通过接触孔1100分别与半导体层的P型半导体区域1002b和N型半导体区域1002c电耦接。在形成第一金属电极1005a和第二金属电极1005b之后，形成第三绝缘膜1006，并在第三绝缘膜1006上形成平坦化层1007。在平坦化层1007上形成有机发光显示装置的阳极1008，并在平坦化层1007上形成保护膜1009等。
在根据以上所述形成的暗二极管DPD中，光借助于阳极1008被反射，从而使光不入射到暗二极管DPD。因此，暗二极管DPD仅根据温度变化而产生电流。
图5是示出图2的光传感器所采用的暗二极管的第二实施例的截面图。参见图5，缓冲层2001和包括三个区域，即半导体区域2002a、2002b和2002c的半导体层被依次形成在透明基板2000上。然后，在缓冲层2001和半导体层上形成第一绝缘膜2003。此处，半导体区域2002b和2002c分别位于半导体层的两个末端部分，而半导体区域2002a位于半导体层的中间部分。半导体区域2002a可以由掩模或相关工具覆盖，然后可以执行离子掺杂工艺。在掺杂工艺之后，半导体区域2002b和半导体区域2002c之一可以变为N型，另一区域可以变为P型，而半导体区域2002a没有被离子掺杂，成为本征半导体区域。在第一绝缘膜2003上形成第二绝缘膜2004，并且形成穿透第一绝缘膜2003和第二绝缘膜2004的接触孔2100。此后，在第二绝缘膜上形成金属层，然后金属层被图样化以形成第一金属电极2005a、第二金属电极2005b和第三金属电极2005c。第一金属电极2005a和第二金属电极2005b通过接触孔2100分别与半导体层的P型半导体区域和N型半导体区域电耦接，而第三金属电极2005c面对半导体层的本征半导体区域2002a形成，并与其隔开。在第一金属电极2005a、第二金属电极2005b和第三金属电极2005c上形成第三绝缘膜2006，并在第三绝缘膜2006上形成平坦化层2007。在平坦化层2007上形成有机发光显示装置的阳极2008，并在平坦化层2007上形成保护膜2009等。
在图4的暗二极管DPD中，即使光借助于阳极1008被反射，一部分光仍然可以入射到暗二极管DPD。因此，为了解决这个问题，图5的暗二极管中，在阳极2008和具有半导体区域2002a、2002b和2002c的半导体层之间形成第三金属电极2005c。因此，穿过阳极2008的一部分光被金属电极2005c阻挡，从而不会入射到半导体层。因此，与图4的暗二极管相比，图5的暗二极管DPD可以进一步降低光的影响。
图6是示出图2的光传感器所采用的暗二极管的第三实施例的截面图。参见图6，缓冲层3001和具有半导体区域3002a和3002b的半导体层依次形成在基板3000上。然后，在半导体层上形成第一绝缘膜3003，并执行离子掺杂工艺。借助于离子掺杂工艺，半导体层被分为两部分3002a和3002b。换句话说，半导体区域3002a可以变为P型半导体区域，而半导体区域3002b可以成为本征半导体区域。
在第一绝缘膜3003上形成金属层，并且金属层被图样化，以在预定区域形成第三金属电极3004。第三金属电极3004面对半导体层形成，与半导体层隔开，并且位于可以覆盖半导体层的中间部分的位置。
在第三金属电极3004上形成第二绝缘膜3005。形成第二绝缘膜3005之后，形成穿透第一绝缘膜3003和第二绝缘膜3005的接触孔3100，并在第二绝缘膜3005上形成金属层。金属层被图样化，以形成第一金属电极3006a和第二金属电极3006b。此时，第一金属电极3006a和第二金属电极3006b借助于接触孔3100分别与半导体层的两个末端部分3002a和3002b电耦接。而且第一金属电极3006a和第二金属电极3006b被形成为与第三金属电极3004重叠。因此，半导体层由第一金属电极3006a、第二金属电极3006b和第三金属电极3006c完全覆盖。在形成第一金属电极3006a和第二金属电极3006b之后，形成第三绝缘膜3007，并在第三绝缘膜3007上形成平坦化层3008。在平坦化层3008上形成有机发光显示装置的阳极3009，并在平坦化层3008上形成保护膜3010等。
利用如上所述的构成本发明的光传感器以及使用该光传感器的平板显示装置，根据温度改变的电流可以被补偿，从而使光传感器可以产生仅与环境光的改变有关的信息。
虽然已结合某些示例性实施例对本发明进行了描述，但应当理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意在涵盖所附权利要求及其等同物的精神和范围之内的各种修改和等同布置。

Claims (28)

1、一种光传感器，包括：
包括光电二极管的光传感单元，产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流；
包括暗二极管的温度补偿单元，通过阻挡光照射到所述暗二极管上来产生与第二电流具有相同大小的第三电流，其中第二电流具有根据所述暗二极管周围的环境温度而变化的幅度；以及
缓冲单元，通过从所述光传感单元处产生的第二电流中减去所述温度补偿单元处产生的第三电流，输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。
2、根据权利要求1所述的光传感器，其中在所述光传感单元中，光电二极管的阴极被传送以驱动电源的电压，且所述光电二极管的阳极被传送以初始化电源的电压；并且在所述温度补偿单元中，所述暗二极管的阳极被传送以所述初始化电源的电压，且所述暗二极管的阴极被传送以所述驱动电源的电压。
3、根据权利要求1所述的光传感器，其中所述光传感单元和所述温度补偿单元被传送以复位信号和第一控制信号，并且所述缓冲单元被传送以第二控制信号，所述复位信号在第一周期期间为低而在第二周期和第三周期期间为高，所述第一控制信号在第一周期和第二周期期间为低而在第三周期期间为高，并且所述第二控制信号在第一周期和第二周期期间为高而在第三周期期间为低。
4、根据权利要求3所述的光传感器，其中所述光电二极管的阴极被传送以驱动电源的电压，所述光电二极管的阳极被传送以初始化电压；
并且所述光传感单元进一步包括：
第一晶体管，其第一电极被电连接至所述光电二极管的阳极，其第二电极被电连接至第一节点，并且其栅极被电连接至被传送以所述第一控制信号的第一控制线；
第二晶体管，其第一电极被电连接至被传送以所述初始化电压的初始化信号线，其第二电极被电连接至所述光电二极管的阳极，并且其栅极被电连接至被传送以所述复位信号的复位信号线；
第一电容器，其第一电极被电连接至所述光电二极管的阴极，并且其第二电极被电连接至所述第一节点；以及
第二电容器，其第一电极被电连接至所述第一节点，并且其第二电极被电连接至第二节点。
5、根据权利要求3所述的光传感器，其中所述暗二极管的阳极被电连接至传送初始化电压的初始化信号线，所述暗二极管的阴极被传送以驱动电源的电压；
并且所述温度补偿单元进一步包括：
第三晶体管，其第一电极被电连接至所述暗二极管的阴极，其第二电极被电连接至第三节点，并且其栅极被电连接至被传送以所述第一控制信号的第一控制线；
第四晶体管，其第一电极被传送以所述驱动电源的电压，其第二电极被电连接至所述暗二极管的阴极，并且其栅极被电连接至被传送以所述复位信号的复位信号线；
第三电容器，其第一电极被电连接至所述暗二极管的阳极，并且其第二电极被电连接至所述第三节点；以及
第四电容器，其第一电极被电连接至所述第三节点，并且其第二电极被电连接至第二节点。
6、根据权利要求3所述的光传感器，其中所述缓冲单元包括：
第五晶体管，其第一电极被电连接至驱动电源，其第二电极被电连接至第四节点，并且其栅极被电连接至第二节点；
第六晶体管，其第一电极被电连接至所述第二节点，其第二电极被电连接至所述第四节点，并且其栅极被电连接至被传送以所述复位信号的复位信号线；
第七晶体管，其第一电极被电连接至所述第四节点，其第二电极被电连接至第一输出线，并且其栅极被电连接至所述复位信号线；以及
第八晶体管，其第一电极被电连接至所述第四节点，其第二电极被电连接至第二输出线，并且其栅极被电连接至被传送以所述第二控制信号的第二控制信号线。
7、根据权利要求1所述的光传感器，其中所述暗二极管包括半导体层和形成在所述半导体层上的金属层。
8、根据权利要求7所述的光传感器，其中所述暗二极管进一步包括布置在所述半导体层与所述金属层之间的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极与所述第二金属电极电绝缘。
9、根据权利要求8所述的光传感器，其中所述暗二极管进一步包括布置在所述半导体层与所述金属层之间的第三金属电极，所述第三金属电极与所述第一金属电极和所述第二金属电极电绝缘。
10、根据权利要求9所述的光传感器，其中所述暗二极管进一步包括形成在所述第一金属电极和所述第二金属电极与所述第三金属电极之间的电绝缘膜。
11、根据权利要求10所述的光传感器，其中所述第一金属电极和所述第二金属电极与所述第三金属电极重叠并且与所述第三金属电极电绝缘。
12、一种平板显示装置，包括：
对应于数据信号和扫描信号显示图像的像素单元；
通过检测环境光来产生光传感信号的光传感器；
对应于所述光传感信号产生所述数据信号的数据驱动器；
产生所述扫描信号的扫描驱动器；并且
所述光传感器包括：
包括光电二极管的光传感单元，产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流；
包括暗二极管的温度补偿单元，通过阻挡光照射到所述暗二极管上来产生与所述第二电流具有相同大小的第三电流，其中第二电流具有根据所述暗二极管周围的环境温度而变化的幅度；以及
缓冲单元，通过从所述光传感单元中产生的第二电流中减去所述温度补偿单元中产生的第三电流，输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。
13、根据权利要求12所述的平板显示装置，其中在所述光传感单元中，光电二极管的阴极被传送以驱动电源的电压，且所述光电二极管的阳极被传送以初始化电源的电压；并且在所述温度补偿单元中，所述暗二极管的阳极被传送以所述初始化电源的电压，且所述暗二极管的阴极被传送以所述驱动电源的电压。
14、根据权利要求12所述的平板显示装置，其中所述光传感单元和所述温度补偿单元被传送以复位信号和第一控制信号，并且所述缓冲单元被传送以第二控制信号，所述复位信号在第一周期期间为低而在第二周期和第三周期期间为高，所述第一控制信号在第一周期和第二周期期间为低而在第三周期期间为高，并且所述第二控制信号在第一周期和第二周期期间为高而在第三周期期间为低。
15、根据权利要求14所述的平板显示装置，其中所述光电二极管的阴极被传送以驱动电源的电压，所述光电二极管的阳极被传送以初始化电压；
并且所述光传感单元进一步包括：
第一晶体管，其第一电极被电连接至所述光电二极管的阳极，其第二电极被电连接至第一节点，并且其栅极被电连接至被传送以所述第一控制信号的第一控制线；
第二晶体管，其第一电极被电连接至被传送以所述初始化电压的初始化信号线，其第二电极被电连接至所述光电二极管的阳极，并且其栅极被电连接至被传送以所述复位信号的复位信号线；
第一电容器，其第一电极被电连接至所述光电二极管的阴极，并且其第二电极被电连接至所述第一节点；以及
第二电容器，其第一电极被电连接至所述第一节点，并且其第二电极被电连接至第二节点。
16、根据权利要求14所述的平板显示装置，其中所述暗二极管的阳极被电连接至传送初始化电压的初始化信号线，所述暗二极管的阴极被传送以驱动电源的电压；
并且所述温度补偿单元进一步包括：
第三晶体管，其第一电极被电连接至所述暗二极管的阴极，其第二电极被电连接至第三节点，并且其栅极被电连接至被传送以所述第一控制信号的第一控制线；
第四晶体管，其第一电极被传送以所述驱动电源的电压，第二电极被电连接至所述暗二极管的阴极，并且其栅极被电连接至被传送以所述复位信号的复位信号线；
第三电容器，其第一电极被电连接至所述暗二极管的阳极，并且其第二电极被电连接至所述第三节点；以及
第四电容器，其第一电极被电连接至所述第三节点，并且其第二电极被电连接至第二节点。
17、根据权利要求14所述的平板显示装置，其中所述缓冲单元包括：
第五晶体管，其第一电极被电连接至驱动电源，其第二电极被电连接至第四节点，并且其栅极被电连接至第二节点；
第六晶体管，其第一电极被电连接至所述第二节点，其第二电极被电连接至所述第四节点，并且其栅极被电连接至被传送以所述复位信号的复位信号线；
第七晶体管，其第一电极被电连接至所述第四节点，其第二电极被电连接至第一输出线，并且其栅极被电连接至所述复位信号线；以及
第八晶体管，其第一电极被电连接至所述第四节点，其第二电极被电连接至第二输出线，并且其栅极被电连接至被传送以所述第二控制信号的第二控制信号线。
18、根据权利要求12所述的平板显示装置，其中所述暗二极管包括半导体层和形成在所述半导体层上的金属层。
19、根据权利要求18所述的平板显示装置，其中所述暗二极管进一步包括形成在所述半导体层与所述金属层之间的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极与所述第二金属电极电绝缘。
20、根据权利要求19所述的平板显示装置，其中所述暗二极管进一步包括形成在所述半导体层与所述金属层之间的第三金属电极，所述第三金属电极与所述第一金属电极和所述第二金属电极电绝缘。
21、根据权利要求20所述的平板显示装置，其中所述暗二极管进一步包括形成在所述第一金属电极和所述第二金属电极与所述第三金属电极之间的电绝缘膜。
22、根据权利要求21所述的平板显示装置，其中所述第一金属电极和所述第二金属电极与所述第三金属电极重叠并且与所述第三金属电极电绝缘。
23、一种暗二极管，包括：
透明基板；
形成在所述透明基板上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的半导体层；
形成在所述半导体层上的第一电绝缘膜；
形成在所述第一电绝缘膜上的第二电绝缘膜；
形成在所述第二电绝缘膜上、并通过形成在所述第一电绝缘膜和第二电绝缘膜中的通孔分别被电接触到所述半导体层两端的第一金属电极和第二金属电极，并且所述第一金属电极和所述第二金属电极彼此电绝缘；
形成在所述第一金属电极和所述第二金属电极上的第三电绝缘膜；
形成在所述第三电绝缘膜上的平坦化膜；以及
布置在所述平坦化膜上、面对所述半导体层并且与所述半导体层隔开的阳极，所述阳极由反射材料制成。
24、根据权利要求23所述的暗二极管，其中所述暗二极管进一步包括形成在所述第二电绝缘膜上并位于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的第三金属电极，所述第三金属电极与所述第一金属电极和所述第二金属电极电绝缘。
25、根据权利要求24所述的暗二极管，其中所述第三金属电极被形成在所述第一电绝缘膜上，与所述第一金属电极和第二金属电极重叠，并与所述第一金属电极和所述第二金属电极电绝缘。
26、一种制造暗二极管的方法，该方法包括：
形成透明基板；
在所形成的透明基板上形成缓冲层；
在所形成的缓冲层上形成半导体层，所述半导体层包括离子掺杂的半导体区域和本征半导体区域；
在所形成的半导体层上形成第一电绝缘膜；
在所形成的第一电绝缘膜上形成第二电绝缘膜；
在所形成的第二电绝缘膜上形成第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极和第二金属电极通过形成在所述第一电绝缘膜和第二电绝缘膜中的通孔分别被电接触到所述半导体层的预定半导体区域，所述第一金属电极和所述第二金属电极彼此电绝缘；
在所形成的第一金属电极和第二金属电极上形成第三电绝缘膜；
在所形成的第三电绝缘膜上形成平坦化膜；以及
在所形成的平坦化膜上形成阳极，所述阳极面对所述半导体层，并且与所述半导体层隔开，所述阳极由反射材料制成。
27、根据权利要求26所述的方法，进一步包括形成位于所述第一金属电极与所述第二金属电极之间的第三金属电极，所述第三金属电极与所述第一金属电极和第二金属电极电绝缘。
28、根据权利要求27所述的方法，其中所述第三金属电极被形成在所述第一电绝缘膜上，与所述第一金属电极和所述第二金属电极重叠，并且与所述第一金属电极和所述第二金属电极电绝缘。
CN2009100041477A 2008-02-13 2009-02-12 光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法 Active CN101510554B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080013032A KR100958028B1 (ko) 2008-02-13 2008-02-13 광센서 및 그를 이용한 평판표시장치
KR10-2008-0013032 2008-02-13
KR1020080013032 2008-02-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101510554A true CN101510554A (zh) 2009-08-19
CN101510554B CN101510554B (zh) 2011-05-04

Family

ID=40750964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100041477A Active CN101510554B (zh) 2008-02-13 2009-02-12 光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8749537B2 (zh)
EP (2) EP2091039B1 (zh)
JP (1) JP5038202B2 (zh)
KR (1) KR100958028B1 (zh)
CN (1) CN101510554B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456764A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 光电二极管及其制造方法,及包括光电二极管的光传感器
CN104914602A (zh) * 2015-07-10 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和阵列基板
CN106027014A (zh) * 2012-05-11 2016-10-12 意法半导体研发(深圳)有限公司 用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置
CN108027505A (zh) * 2015-09-18 2018-05-11 罗伯特·博世有限公司 微机械构件、基于微镜的激光系统以及用于监控基于微镜的激光系统的方法
WO2019109615A1 (en) * 2017-12-08 2019-06-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel driving circuit, driving method thereof, and display apparatus
WO2020238883A1 (zh) * 2019-05-29 2020-12-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2214157A4 (en) * 2007-11-26 2012-03-07 Sharp Kk Liquid crystal display arrangement and control method therefor
KR100957948B1 (ko) * 2008-02-19 2010-05-13 삼성모바일디스플레이주식회사 광센서 및 그를 이용한 평판표시장치
CN105786268B (zh) 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
TWI434409B (zh) 2010-08-04 2014-04-11 Au Optronics Corp 有機電激發光顯示單元及其製造方法
KR101481676B1 (ko) * 2011-12-26 2015-01-13 엘지디스플레이 주식회사 발광표시장치
KR101947163B1 (ko) 2012-02-10 2019-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102036346B1 (ko) 2012-11-30 2019-10-24 삼성전자 주식회사 열적 리셋을 수행할 수 있는 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치들
KR102278875B1 (ko) * 2015-01-14 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치
KR102380922B1 (ko) * 2015-09-11 2022-04-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR101937336B1 (ko) * 2016-07-20 2019-01-11 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 방출-제어 회로, 그것을 갖는 디스플레이 장치, 및 그 구동 방법
CN107785406B (zh) * 2017-11-03 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其驱动方法、显示装置
CN108682390A (zh) * 2018-05-16 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其亮度检测方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4659930A (en) * 1985-12-27 1987-04-21 Honeywell Inc. Radiation hard visible light readout circuit
JPH08181348A (ja) 1994-12-22 1996-07-12 Copal Co Ltd 光電変換装置
JPH10115552A (ja) 1996-08-19 1998-05-06 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置および固体撮像装置
JPH11312822A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Seiko Instruments Inc イメージセンサー
JP4639509B2 (ja) * 2001-03-30 2011-02-23 ミツミ電機株式会社 光電流増幅回路
JP3775574B2 (ja) 2001-05-22 2006-05-17 シャープ株式会社 光結合装置
DE60134143D1 (de) * 2001-10-16 2008-07-03 Suisse Electronique Microtech Photodetektor mit grossem Dynamikbereich und erhöhtem Arbeitstemperaturbereich
KR100669270B1 (ko) * 2003-08-25 2007-01-16 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치 및 광전 변환 소자
US7183727B2 (en) * 2003-09-23 2007-02-27 Microsemi Corporation Optical and temperature feedbacks to control display brightness
KR100567786B1 (ko) 2003-12-29 2006-04-05 전자부품연구원 차동형 이종접합 포토트랜지스터
KR100997977B1 (ko) * 2004-01-12 2010-12-02 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 이용한 표시 장치
GB0406540D0 (en) * 2004-03-24 2004-04-28 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
KR101032946B1 (ko) * 2004-04-01 2011-05-09 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 구비한 표시 장치
JP4599985B2 (ja) * 2004-10-21 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 光検出回路、電気光学装置、および電子機器
US7620291B1 (en) * 2005-03-29 2009-11-17 Texas Advanced Optoelectronic Solutions, Inc. Automatic calibration circuit for optoelectronic devices
KR100707640B1 (ko) * 2005-04-28 2007-04-12 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치 및 그 구동 방법
JPWO2006117956A1 (ja) * 2005-04-28 2008-12-18 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100705005B1 (ko) * 2005-06-20 2007-04-09 삼성전기주식회사 씨모스 이미지 센서의 이미지 화소
JP2007018458A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Sony Corp 表示装置、センサ信号の補正方法並びに撮像装置
KR100723207B1 (ko) * 2005-08-01 2007-05-29 삼성전기주식회사 암전류 보상 기능을 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 센서
JP2007065004A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 照度検出方法、輝度制御方法、電気光学装置及び電子機器
JP4878005B2 (ja) 2006-05-30 2012-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びそれを用いた電子機器
GB2446821A (en) * 2007-02-07 2008-08-27 Sharp Kk An ambient light sensing system
GB2448869A (en) * 2007-04-20 2008-11-05 Sharp Kk Stray light compensation in ambient light sensor
WO2008143211A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
JP5660755B2 (ja) * 2007-11-02 2015-01-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示制御方法ならびに電子機器
KR101015884B1 (ko) * 2008-07-16 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 손가락 열에 의한 전류를 제거하는 터치 패널 구동회로 및 이를 포함하는 터치 패널

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456764A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 光电二极管及其制造方法,及包括光电二极管的光传感器
TWI572051B (zh) * 2010-11-02 2017-02-21 三星顯示器有限公司 光二極體、該光二極體之製造方法、以及包括該光二極體之光感測器
CN102456764B (zh) * 2010-11-02 2017-03-01 三星显示有限公司 光电二极管及其制造方法，及包括光电二极管的光传感器
CN106027014A (zh) * 2012-05-11 2016-10-12 意法半导体研发(深圳)有限公司 用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置
CN106027014B (zh) * 2012-05-11 2019-10-01 意法半导体研发(深圳)有限公司 用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置
CN104914602A (zh) * 2015-07-10 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和阵列基板
CN108027505A (zh) * 2015-09-18 2018-05-11 罗伯特·博世有限公司 微机械构件、基于微镜的激光系统以及用于监控基于微镜的激光系统的方法
WO2019109615A1 (en) * 2017-12-08 2019-06-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel driving circuit, driving method thereof, and display apparatus
WO2020238883A1 (zh) * 2019-05-29 2020-12-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US11778887B2 (en) 2019-05-29 2023-10-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR100958028B1 (ko) 2010-05-17
US8749537B2 (en) 2014-06-10
CN101510554B (zh) 2011-05-04
EP2091039A2 (en) 2009-08-19
JP5038202B2 (ja) 2012-10-03
US20090201228A1 (en) 2009-08-13
EP2091039A3 (en) 2009-11-25
EP2194522A3 (en) 2012-09-12
EP2091039B1 (en) 2013-12-25
KR20090087653A (ko) 2009-08-18
EP2194522A2 (en) 2010-06-09
JP2009194350A (ja) 2009-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101510554B (zh) 光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法
CN107591127B (zh) 像素电路、阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置
EP1939594B1 (en) Ambient light sensing circuit and flat panel display including ambient light sensing circuit
CN101615380B (zh) 显示装置、显示装置的驱动方法以及电子装置
CN109427301B (zh) 像素电路和电致发光显示面板、其驱动方法及显示装置
CN100403380C (zh) 能量感应式发光二极管显示器系统及其操作方法
CN112740315B (zh) 显示面板的温度补偿方法、显示面板以及电子装置
CN107204172A (zh) 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN109599060A (zh) 像素补偿方法、像素补偿系统及显示装置
CN106652908A (zh) 有机发光显示面板及其驱动方法、有机发光显示装置
CN112673414B (zh) 具有光感测功能的像素电路、驱动方法和显示设备
CN101471038A (zh) 照度传感设备及其驱动方法和具有照度传感设备的显示器
KR101535894B1 (ko) 광 감지회로, 이를 구비한 액정표시장치 및 이의 구동방법
CN110364114B (zh) 显示面板及其亮度补偿方法、显示装置
JP2012235138A (ja) 発光フィードバックのフラットパネルディスプレイ
US11537350B2 (en) Infinitely expandable display apparatus based on electroluminescent display type and driving method thereof
WO2021196382A1 (zh) 像素驱动电路以及显示面板
US20240313185A1 (en) Display device
US20240021158A1 (en) Display device and driving method thereof
TW201131545A (en) Pixel circuit and driving method thereof and display panel and display using the same
CN110111713A (zh) 一种显示面板的残像判别方法、装置、显示设备
TW201123139A (en) Driving device of light emitting unit
KR20220093541A (ko) 무한 확장 표시장치와 그 구동방법
KR20190113708A (ko) 유기발광 표시 장치
US20220109038A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20120928

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20120928

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.