CN101506912B - 包括钝化层的变阻器的制造 - Google Patents

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Abstract

公开了一种制造电子部件的方法(1)，该电子部件包括电-陶瓷主体和导电端子。所述方法(1)包括以下步骤：提供(10)电-陶瓷主体；将端子材料施加(11)到所述主体上；施加钝化材料；进行焙烧以使所述端子材料固化，从而提供端子；以及对所述端子进行电镀(15)。在第一阶段中在施加所述钝化材料之前对所述部件进行焙烧(12)，以获得具有足够强度的多孔端子材料用于随后的处理。在所述第一阶段焙烧之后，将所述钝化材料施加(13)到所述多孔钝化材料和所述主体上。在施加所述钝化材料之后，接下来在第二阶段中对所述部件进行焙烧(14)，所述第二阶段焙烧的参数使得至少一些覆盖所述端子的钝化材料扩散到所述多孔端子材料中，同时使所述主体上的钝化材料基本保持原样。所述端子材料还包括烧结抑制剂(Pt，为1.5wt％)，以有助于在第一阶段焙烧过程中控制所述端子材料的孔隙度。

Description

包括钝化层的变阻器的制造
技术领域
本发明涉及与电压相关的非线性电阻器(“变阻器”)或其他具有部分导电体的电-陶瓷电子部件的制造。
背景技术
变阻器的制造已经进行了很多年。所述变阻器包括通常由ZnO构成的电-陶瓷(electro-ceramic)主体以及用于实现电接触的端子。大多数变阻器是用于表面安装的，因此所述端子处于端面上，并且围绕四个侧面的末端。从20世纪80年代起，很多变阻器已经插入(interleave)了内部电极。US6535105(AVX)、US5565838(AVX)和US5387432(Hubbell)对这种变阻器进行了说明。
变阻器的制造的问题在于，要一贯地实现对端子的准确电镀。近年来，这一问题随着微型化程度的提高变得更加尖锐。US6535105描述了保护陶瓷不被电镀的树脂涂层(“钝化”)的应用。然而，树脂涂层位于端子的金属之下，并且可能降低内部电极和端子金属镀层之间的电路径的质量。US556583描述了在钝化涂层上溅射端子的方法。而且，与内部电极的电接触似乎也缺乏足够的一致性。US5387432公开了钝化成分(passivationcomposition)。
本发明涉及提供的一种端子电镀的一致性和准确性得到提高的变阻器的制造方法。
发明内容
根据本发明，提供一种制造电-陶瓷部件的方法，该电-陶瓷部件包括电-陶瓷主体和导电端子，所述方法包括以下步骤：提供电-陶瓷主体；将端子材料施加到所述主体上；施加钝化材料；进行焙烧以使所述端子材料固化，从而提供端子；以及对所述端子进行电镀，其特征在于，
在第一阶段中在施加所述钝化材料之前对所述部件进行焙烧，以获得具有足够强度的多孔端子材料用于随后的处理，
在所述第一阶段焙烧之后，将所述钝化材料施加到所述多孔钝化材料和所述主体上，并且
在施加所述钝化材料之后，接下来在第二阶段中对所述部件进行焙烧，所述第二阶段焙烧的参数使得至少一些覆盖所述端子的钝化材料扩散到所述多孔端子材料中，同时使所述主体上的钝化材料基本保持原样。
由于所述钝化材料在第二阶段焙烧过程中扩散到所述端子材料中，因此所述端子得到良好的电镀，而且在所述电镀过程中所述电-陶瓷主体还得到了良好的保护。这有助于提高产品产量。
在一个实施例中，所述端子材料包括Ag、玻璃粉和载体(carrier)。
在一个实施例中，所述端子材料还包括烧结抑制剂，以有助于在第一阶段焙烧过程中控制所述端子材料的孔隙度。
在一个实施例中，所述烧结抑制剂的熔点大于所述端子材料的主要组分的熔点。
在一个实施例中，所述烧结抑制剂包括Pt。
在一个实施例中，Pt以0.1wt％到4wt％的浓度存在。
在一个实施例中，Pt浓度大约为1.5wt％。
在另一个实施例中，所述烧结抑制剂包括氧化铝。
在一个实施例中，所述钝化材料包括玻璃、粘合剂和水。
在另一个实施例中，通过喷射施加所述钝化材料。
在一个实施例中，通过加热的气流进行所述喷射。
在一个实施例中，所述第一阶段焙烧的稳定温度在420℃到510℃的范围内。
在一个实施例中，所述第一阶段焙烧的稳定温度在480℃到490℃的范围内。
在一个实施例中，所述第一阶段焙烧的持续时间为15分钟到40分钟。
在另一实施例中，所述第一阶段焙烧的持续时间为20分钟到30分钟。
在一个实施例中，所述第二阶段焙烧的稳定温度在630℃到710℃的范围内。
在一个实施例中，所述第二阶段焙烧的稳定温度为650℃到670℃。
在一个实施例中，所述第二阶段焙烧的持续时间在5分钟到35分钟的范围内。
在一个实施例中，所述第二阶段焙烧的持续时间在5分钟到15分钟的范围内。
附图说明
通过以下参考附图仅通过举例的方式给出的对本发明的一些实施例的说明将更清楚地理解本发明，在附图中：
图1是本发明的变阻器制造方法的流程图；
图2(a)到图2(c)是示出处于以下阶段的变阻器的示图(不按比例)：(a)第一阶段中施加的端子浆料以及经焙烧的变阻器，(b)所施加的钝化涂层，以及(c)第二阶段焙烧之后；
图3(a)和3(b)分别是示出第一和第二阶段焙烧的焙烧温度相对于时间的分布曲线图；以及
图4(a)、4(b)和4(c)是(a)第一焙烧阶段之后，(b)第二焙烧阶段之后，以及(c)镍(Ni)和锡(Sn)电镀之后的陶瓷主体和浆料的截面图像。
具体实施方式
参考图1，其示出了用于制造变阻器的方法1。
在步骤10中，通过常规制造技术制造具有内部电极的ZnO陶瓷主体。在步骤11中，通过将端子浸渍到浆料中而施加由Ag、Pt、玻璃粉和介质(vehicle)构成的端子浆料。(以0.1wt％到4.0wt％的浓度范围)将Pt作为烧结抑制剂添加到端子材料中是非常有利的，因为其有助于通过控制焙烧过程的时间/温度来控制孔隙度的水平。所述抑制剂为铂，例如，其可以是在商业领域被称为“铂黑”的具有12-18m2/g的比表面积的铂。在该实施例中，端子浆料材料包括74wt％的(Ag)和1.5wt％的(Pt)，其余为玻璃粉和介质。
在步骤12中，第一阶段焙烧到处于420℃到510℃范围内的稳定温度(plateau temperature)，如图3(a)的曲线图所示。图2(a)还示意性地示出了第一阶段焙烧之后的端子。由附图标记20表示部件，由21表示陶瓷主体(具有内部电极)，由22表示端子浆料。第一阶段焙烧的温度优选处于480℃到490℃的较小范围内。第一阶段焙烧的稳定期处于15分钟到40分钟的范围内，优选处于20分钟到30分钟的较小范围内。
所述烧结抑制剂比主要的端子浆料组分Ag具有更高的熔点。其将在烧结过程中延缓致密化。对于纯银端子而言，颗粒之间的界面能相对较低，因而在第一阶段焙烧条件下将实现更高水平的致密化。然而，在银端子材料中添加铂将增加启动紧致化所需的界面能。在给定的第一焙烧条件下，更高的界面能要求将导致低水平的紧致化。
第一阶段焙烧的目的在于首先使浆料中的玻璃充分熔化，从而在不使银致密化的情况下使Ag颗粒结合到一起。然而，端子由此是多孔的，其具有足够的强度以允许进行随后的处理。图4(a)是第一阶段焙烧之后的端子的图像，其中可以看到浆料中的孔隙。
在步骤13中，通过如下方式施加具有石英玻璃粉的钝化材料：对整个部件进行喷射，同时进行加热和旋转，以确保所有的侧面都得到充分的涂敷。在该实施例中，这是通过在雾化的钝化材料的气氛下在暖气流中使组分“流体化”来实现的。所喷射的钝化材料包括13.5wt％的玻璃粉和1wt％的胶乳粘合剂，其余为去离子水。“流体化器”以大约100m3/hr的气流以及39℃和44℃之间的出口温度进行工作，以确保所述组分的完全干燥。图2(b)示出了涂敷了钝化材料26之后的部件25，所述钝化材料明显在所有的表面上延伸。
在步骤14中，在第二阶段中以图3(b)所示的分布曲线对所述部件进行焙烧。稳定温度的范围为630℃到710℃，最优选处于650℃到670℃的子范围内。相应的时间为5分钟到35分钟，最优选为5分钟到15分钟。这使得钝化物熔化，并且由于端子的孔隙而迁移到其中，从而得到硬的导电Ag端子31，如图2(c)所示。该图表明，端子浆料22上的钝化层26在第二阶段焙烧过程中已经“消失”-扩散到了多孔的端子中。然而，钝化层26仍然保留在端子之间的陶瓷主体的表面上，以便在随后的处理当中对陶瓷进行保护。在图4(b)中示出了第二阶段焙烧之后的端子材料的截面图，其中明显可以看到孔隙度的降低。
在步骤15中，通过电镀将镍阻挡层随后是可焊的Sn或Sn/Pb合金选择性地电镀到端子上，如图4(c)所示。由于端子之间的陶瓷受到钝化物的保护，因此被电镀的风险很小。同时，端子得到了很好的电镀，因为钝化层在第二阶段焙烧过程中已经扩散到了端子中-留下露出的Ag作为良好的电镀主体。
或者，可以通过在“扫调式(pan)涂敷器”中进行旋转来施加钝化材料，从而使单元在加热室中翻滚(tumble)，将钝化材料的喷射细流(finespray)注入到所述加热室中。
应当认识到，本发明在端子的电镀过程中提供了良好的选择性。迄今，这种装置的电镀工艺参数一直都需要对电镀化学(electroplating chemistry)、时间和电流密度的变化进行严格的控制。凭借本发明，极大地降低了在端子的表面上残留玻璃的可能性，从而使所述装置对电镀过程中的变化具有更高的耐受性。而且，由于存在玻璃向端子中的扩散，因此可以提高沉积在部件上的玻璃量。陶瓷表面上的玻璃的厚度与可能出现的过电镀的程度成比例。对于典型的2-3um的钝化玻璃沉积物而言，对电镀参数具有严格控制的现有技术工艺由于过电镀而通常具有7％的产量损失。借助本发明，使这一过电镀产量损失大幅降至不到1％。在陶瓷主体和正常焙烧的端子(通常推荐采取600′C的焙烧温度)上施加玻璃钝化物的现有技术工艺中，在玻璃量、过电镀的程度以及端子上的电镀金属的厚度之间存在着平衡。如果施加太多的玻璃，那么在端子表面上残留一些玻璃，从而使电镀更加困难并有可能导致金属涂敷降低的风险将很高。在陶瓷主体上沉积较厚的玻璃的优点在于，在所述主体上沉积电镀金属的风险低。类似地，如果施加太少的玻璃，那么尽管端子的电镀将更容易，但是由于玻璃钝化层薄而使在陶瓷主体上发生电镀的风险提高。
本发明克服了这些限制，因为其允许施加较厚的玻璃钝化层，从而降低了过电镀产量损失。这一改进的工艺允许沉积～6um的玻璃，并且在端子上进行良好的电镀，而且使过电镀产量损失通常小于1％。
本发明不限于所述的实施例，而是可以在构造和细节上发生变化。其他材料也适合作为烧结抑制剂，其中一种基于氧化铝材料并具有13.5m2的表面面积的材料已经显示出类似的效果。可以通过焙烧只有银的端子材料实现低孔隙度，然而这需要较低的温度，并且尽管能够获得所述孔隙度，但是端子的机械强度较低，从而使所述装置的进一步处理更加困难。

Claims (19)

1.一种制造电-陶瓷部件的方法，该电-陶瓷部件包括电-陶瓷主体和导电端子，所述方法包括以下步骤：提供(10)电-陶瓷主体；将端子材料施加(11)到所述主体上；施加钝化材料；进行焙烧以使所述端子材料固化，从而提供端子；以及对所述端子进行电镀(15)，其特征在于，
在第一阶段中在施加所述钝化材料之前对所述部件进行焙烧(12)，以获得具有足够强度的多孔端子材料，从而便于随后的处理，
在所述第一阶段的焙烧之后，将所述钝化材料施加(13)到所述多孔端子材料和所述主体上，以及
在施加所述钝化材料之后，接下来在第二阶段中对所述部件进行焙烧(14)，所述第二阶段的焙烧的参数使得至少一些覆盖于所述端子上的钝化材料扩散到所述多孔端子材料中，同时使所述主体上的钝化材料基本保持原样。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述端子材料包括Ag、玻璃粉和载体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述端子材料还包括烧结抑制剂，以有助于在所述第一阶段的焙烧过程中控制所述端子材料的孔隙度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述烧结抑制剂的熔点大于所述端子材料的主要组分的熔点。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述烧结抑制剂包括Pt。
6.根据权利要求5所述的方法，其中存在的Pt的浓度是0.1wt％到4wt％。
7.根据权利要求6所述的方法，其中Pt浓度为1.5wt％。
8.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述烧结抑制剂包括氧化铝。
9.根据权利要求1、2、3或4所述的方法，其中所述钝化材料包括玻璃、粘合剂和水。
10.根据权利要求1、2、3或4所述的方法，其中通过喷射施加所述钝化材料。
11.根据权利要求10所述的方法，其中在加热的气流中进行所述喷射。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一阶段的焙烧的稳定温度在420℃到510℃的范围内。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一阶段的焙烧的稳定温度在480℃到490℃的范围内。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一阶段的焙烧的持续时间为15分钟到40分钟。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一阶段的焙烧的持续时间为20分钟到30分钟。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二阶段的焙烧的稳定温度在630℃到710℃的范围内。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二阶段的焙烧的稳定温度为650℃到670℃。
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二阶段的焙烧的持续时间在5分钟到35分钟的范围内。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二阶段的焙烧的持续时间在5分钟到15分钟的范围内。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101422949B1 (ko) * 2012-12-12 2014-07-23 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR20160098780A (ko) * 2015-02-11 2016-08-19 삼성전기주식회사 전자부품 및 전자부품의 실장 기판
US11037710B2 (en) 2018-07-18 2021-06-15 Avx Corporation Varistor passivation layer and method of making the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5366935A (en) * 1994-03-14 1994-11-22 Hubbell Incorporated Passivating coating for metal oxide varistors
US6535105B2 (en) * 2000-03-30 2003-03-18 Avx Corporation Electronic device and process of making electronic device

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US427241A (en) * 1890-05-06 Barber s
US2669004A (en) * 1952-11-21 1954-02-16 Bell Telephone Labor Inc Varistor curve tracer
US3255392A (en) * 1961-02-14 1966-06-07 Du Pont Varistor element heat-treated ion radical salts
US3312907A (en) * 1964-03-16 1967-04-04 Automatic Elect Lab Regulating arrangement employing a symmetrical varistor
US3571599A (en) * 1969-02-24 1971-03-23 Eastman Kodak Co Photomultiplier tube circuit employing varistor
GB1346851A (en) * 1971-05-21 1974-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Varistors
US3742419A (en) * 1971-09-30 1973-06-26 Gen Electric Integral sensor for monitoring a metal oxide varistor
US3710187A (en) * 1971-09-30 1973-01-09 Gen Electric Electromagnetic device having a metal oxide varistor core
US3818411A (en) * 1971-10-13 1974-06-18 Gen Electric Metal oxide varistor with selectively positionable intermediate electrode
US3710058A (en) * 1971-12-22 1973-01-09 Gen Electric Switch assembly having wafers of metal oxide varistor material
US3862422A (en) * 1972-12-29 1975-01-21 Gen Electric Method of operation of photoconductive varistor
US3863111A (en) * 1973-06-29 1975-01-28 Gen Electric Polycrystalline varistor surge protective device for high frequency applications
US3950274A (en) * 1973-09-27 1976-04-13 General Electric Company Process for making a low voltage varistor
US3938069A (en) * 1973-09-27 1976-02-10 General Electric Company Metal oxide varistor with passivating coating
US3956024A (en) * 1973-10-30 1976-05-11 General Electric Company Process for making a semiconductor varistor embodying a lamellar structure
US3886097A (en) * 1973-11-12 1975-05-27 Gen Motors Corp Method for making a low avalanche voltage metal oxide varistor
US3953371A (en) * 1973-11-12 1976-04-27 General Electric Company Controlled grain size metal oxide varistor and process for making
US4032965A (en) * 1975-03-10 1977-06-28 General Electric Company Semiconductor varistor embodying a lamellar structure
US3959763A (en) * 1975-04-17 1976-05-25 General Signal Corporation Four terminal varistor
US4069465A (en) * 1976-07-12 1978-01-17 Allen-Bradley Company Cylindrical varistor and method of making the same
US4184984A (en) * 1976-09-07 1980-01-22 General Electric Company High breakdown voltage varistor
US4068281A (en) * 1976-09-15 1978-01-10 General Electric Company Thermally responsive metal oxide varistor transient suppression circuit
JPS5366561A (en) * 1976-11-26 1978-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thick film varistor composition
US4155262A (en) * 1977-05-02 1979-05-22 General Electric Company Metal oxide varistor pressure sensor and method
US4204101A (en) * 1977-06-22 1980-05-20 Gould Inc. Hybrid circuit breaker with varistor in parallel with vacuum interrupter
DE2735484C2 (de) * 1977-08-05 1984-06-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren mit Zinkoxid als Hauptkomponente
US4142996A (en) * 1977-10-25 1979-03-06 General Electric Company Method of making homogenous metal oxide varistor powders
US4198443A (en) * 1978-05-26 1980-04-15 General Electric Company Sinterless zinc oxide varistor devices
US4188002A (en) * 1978-10-23 1980-02-12 Westinghouse Air Brake Company Vital power varistor circuit for railroad signaling systems
US4371860A (en) * 1979-06-18 1983-02-01 General Electric Company Solderable varistor
US4272754A (en) * 1979-12-17 1981-06-09 General Electric Company Thin film varistor
US4374049A (en) * 1980-06-06 1983-02-15 General Electric Company Zinc oxide varistor composition not containing silica
US4317101A (en) * 1980-10-27 1982-02-23 General Electric Company Stable high voltage DC varistor
JPS5812306A (ja) * 1981-07-16 1983-01-24 株式会社東芝 酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法
US4495482A (en) * 1981-08-24 1985-01-22 General Electric Company Metal oxide varistor with controllable breakdown voltage and capacitance and method of making
US4436650A (en) * 1982-07-14 1984-03-13 Gte Laboratories Incorporated Low voltage ceramic varistor
DE3231118C1 (de) * 1982-08-20 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4451815A (en) * 1982-09-27 1984-05-29 General Electric Company Zinc oxide varistor having reduced edge current density
DE3318588A1 (de) * 1983-05-21 1984-11-22 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Varistorsicherungselement
US4733175A (en) * 1984-06-04 1988-03-22 General Electric Company Varistor defect detection by incipient hot spot observation
US4638284A (en) * 1984-12-05 1987-01-20 General Electric Corp. Tubular varistor arrangement
JPH0316251Y2 (zh) * 1985-03-04 1991-04-08
CA1256937A (en) * 1985-04-11 1989-07-04 Philip Chadwick Zinc oxide stack overvoltage protection against temperature rise and thermal runaway
US4645889A (en) * 1986-03-14 1987-02-24 General Electric Company Varistor quenched arc chute for current limiting circuit interrupters
FR2606929B1 (fr) * 1986-11-14 1989-02-10 Telemecanique Electrique Dispositif interrupteur pour appareil de protection
US4803436A (en) * 1987-09-16 1989-02-07 General Electric Company Method and apparatus for evaluating the condition of a gapless metal-oxide varistor lightning arrester used for protecting a distribution transformer
US4811164A (en) * 1988-03-28 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Monolithic capacitor-varistor
US5119218A (en) * 1988-09-28 1992-06-02 Ube Industries, Ltd. Liquid crystal display device having varistor elements
GB2229571B (en) * 1988-11-14 1992-12-23 Johnson Electric Ind Mfg Varistor for an electric motor
JPH0812814B2 (ja) * 1989-07-20 1996-02-07 ソマール株式会社 バリスタ材料及びその製造方法
US5004573A (en) * 1989-11-02 1991-04-02 Korea Institute Of Science And Technology Fabrication method for high voltage zinc oxide varistor
EP0620566B1 (en) * 1989-11-08 1996-07-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating
JP2556151B2 (ja) * 1989-11-21 1996-11-20 株式会社村田製作所 積層型バリスタ
US5973588A (en) * 1990-06-26 1999-10-26 Ecco Limited Multilayer varistor with pin receiving apertures
GB2242066B (en) * 1990-03-16 1994-04-27 Ecco Ltd Varistor structures
US5124822A (en) * 1990-05-08 1992-06-23 Raychem Corporation Varistor driven liquid crystal display
US6183685B1 (en) * 1990-06-26 2001-02-06 Littlefuse Inc. Varistor manufacturing method
JP2976046B2 (ja) * 1991-06-27 1999-11-10 株式会社村田製作所 チップバリスタ
JPH0685363B2 (ja) * 1991-09-30 1994-10-26 ソマール株式会社 高電圧用バリスタ及びその製造方法
JP2623188B2 (ja) * 1992-01-29 1997-06-25 ソマール株式会社 バリスタ及びその製造方法
EP0581969B1 (en) * 1992-02-25 1999-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide varistor and production thereof
FR2698736B1 (fr) * 1992-11-27 1995-03-17 Soule Sa Perfectionnements aux parafoudres à varistances notamment pour haute tension.
JP3039224B2 (ja) * 1993-09-29 2000-05-08 松下電器産業株式会社 バリスタの製造方法
JPH07320908A (ja) * 1994-05-19 1995-12-08 Tdk Corp 酸化亜鉛系バリスタの製造方法および酸化亜鉛系バリスタ
US5614074A (en) * 1994-12-09 1997-03-25 Harris Corporation Zinc phosphate coating for varistor and method
US6018287A (en) * 1995-05-08 2000-01-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lateral high-resistance additive for zinc oxide varistor, zinc oxide varistor produced using the same, and process for producing the varistor
JP3293403B2 (ja) * 1995-05-08 2002-06-17 松下電器産業株式会社 酸化亜鉛バリスタ用側面高抵抗剤とそれを用いた酸化亜鉛バリスタとその製造方法
US5616881A (en) * 1995-05-30 1997-04-01 Morton International, Inc. Inflator socket pin collar for integrated circuit initaitor with integral metal oxide varistor for electro-static discharge protections
US5724221A (en) * 1996-02-02 1998-03-03 Efi Electronics Corporation Direct contact varistor assembly
FR2747500B1 (fr) * 1996-04-12 1998-06-26 Soule Materiel Electr Parafoudre perfectionne a base de varistances
DE19701243A1 (de) * 1997-01-16 1998-07-23 Asea Brown Boveri Säulenförmig ausgebildeter, hochstromfester Widerstand, insbesondere Varistor auf der Basis eines Metalloxids, und Verfahren zur Herstellung eines solchen Widerstands
JP3223830B2 (ja) * 1997-02-17 2001-10-29 株式会社村田製作所 バリスタ素子の製造方法
GB2324648A (en) * 1997-03-26 1998-10-28 Jack Wang Burn and explosion-resistant circuit package for a varistor chip
US6362555B1 (en) * 1997-08-12 2002-03-26 Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho Small motor with improved connecting structure between coil, riser and varistor
JPH11204309A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Tdk Corp 積層型バリスタ
JPH11273914A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Murata Mfg Co Ltd 積層型バリスタ
JPH11297510A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Murata Mfg Co Ltd 積層型バリスタ
DE19820134A1 (de) * 1998-05-06 1999-11-11 Abb Research Ltd Varistor auf der Basis eines Metalloxids und Verfahren zur Herstellung eines solchen Varistors
US6214685B1 (en) * 1998-07-02 2001-04-10 Littelfuse, Inc. Phosphate coating for varistor and method
US6038119A (en) * 1998-09-21 2000-03-14 Atkins; Ian Paul Overvoltage protection device including wafer of varistor material
JP2000164406A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品とその製造方法
JP3449599B2 (ja) * 1999-03-26 2003-09-22 Ｔｄｋ株式会社 積層チップ型バリスタ
US6211770B1 (en) * 1999-04-27 2001-04-03 Mcg Electronics, Inc. Metal oxide varistor module
JP3555563B2 (ja) * 1999-08-27 2004-08-18 株式会社村田製作所 積層チップバリスタの製造方法および積層チップバリスタ
US6304166B1 (en) * 1999-09-22 2001-10-16 Harris Ireland Development Company, Ltd. Low profile mount for metal oxide varistor package and method
JP3598935B2 (ja) * 2000-03-15 2004-12-08 株式会社村田製作所 電圧非直線抵抗体、その製造方法及びバリスタ
JP3598954B2 (ja) * 2000-08-21 2004-12-08 株式会社村田製作所 電圧非直線抵抗体の製造方法
US6252493B1 (en) * 2000-10-27 2001-06-26 The Wiremold Company Brooks Electronics Division High current varistor
US6699076B2 (en) * 2001-10-09 2004-03-02 Siemens Vdo Automotive Corporation Connector assembly with metal oxide varistor
US6841191B2 (en) * 2002-02-08 2005-01-11 Thinking Electronic Industrial Co., Ltd. Varistor and fabricating method of zinc phosphate insulation for the same
JP4282314B2 (ja) * 2002-06-25 2009-06-17 シャープ株式会社 記憶装置
US7167352B2 (en) * 2004-06-10 2007-01-23 Tdk Corporation Multilayer chip varistor
DE102004037588A1 (de) * 2004-08-03 2006-02-23 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements
JP4492579B2 (ja) * 2006-03-31 2010-06-30 Ｔｄｋ株式会社 バリスタ素体及びバリスタ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5366935A (en) * 1994-03-14 1994-11-22 Hubbell Incorporated Passivating coating for metal oxide varistors
US6535105B2 (en) * 2000-03-30 2003-03-18 Avx Corporation Electronic device and process of making electronic device

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