CN101502173A - 荧光变换介质以及包含它的彩色发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种荧光变换介质，包含：由吸收可见光和/或近紫外线，发出可见荧光的无机纳米晶体构成的荧光微粒；和分散所述荧光微粒的透明介质，荧光强度成为最大的波长的吸光率在0.1～1的范围内。

Description

荧光变换介质以及包含它的彩色发光装置
技术领域
本发明涉及一种荧光变换介质以及包含它的彩色发光装置。特别是涉及一种分散无机纳米晶体的高效率荧光变换介质，以及把该荧光变换介质和发出可见光和/或近紫外线的光源部组合的彩色发光装置。
背景技术
使用荧光材料，变换从光源部发出的光的波长的荧光变换介质在以电子显示器领域为首的各种领域中应用。
例如，在专利文献1中描述配置表现蓝色发光或蓝绿色发光的有机电致发光(EL)材料部，和吸收所述发光层的发光并且发出从蓝绿色到红色的至少一色的可见光荧光的荧光材料部，构成的EL元件。
根据该方法，使用蓝色光源，用荧光变换介质进行色变换，取得三原色。即在荧光变换介质中，照射蓝色光，激励荧光色素，产生更长波长的绿色光和红色光。
作为荧光变换介质中使用的荧光材料，以往一般是有机类荧光色素和有机类荧光颜料。例如在专利文献2中描述把若丹明(rhodamine)类荧光颜料、和在蓝色区域具有吸收并且感应向该若丹明类荧光颜料的能量移动或再吸收的荧光颜料分散到光透过性介质中的材料构成的红色荧光变换介质。
为了提高荧光变换介质的荧光变换效率，增大变换的光的强度(荧光强度)，有必要使荧光变换介质充分吸收从光源发出的光。可是，如果荧光变换介质中的有机荧光色素浓度增大，在膜中有机荧光色素就会彼此会合。作为其结果，从光源吸收的能量就会逃到会合的相邻的色素(浓度消光)，无法取得高的荧光量子收获率。
作为光透过性介质，如果使用光硬化性树脂或热硬化性树脂等反应性树脂，树脂中的反应成分和有机荧光色素就会反应，色素会分解，构造会变化。因此，在荧光变换介质的形成工序中，在照射紫外线的工序或例如以200℃的高温烘焙的工序中，存在荧光变换介质的荧光强度恶化的问题。此外，在发光装置的连续驱动时，对荧光变换介质连续地照射激励光，具有荧光变换介质的荧光强度随时间经过恶化的问题。
为了解决以上说明的问题，即作为荧光变换介质中使用的荧光材料，使用有机荧光色素时的问题，在专利文献3中，提出应用无机纳米晶体的有机EL元件的全彩色化技术。作为无机纳米晶体，把Cds、CdSe、CdTe分散到光透过性树脂中的膜作为荧光变换介质，通过与发出峰值波长450nm的蓝色单色光的有机EL元件结合，取得红色发光、绿色发光。通过控制无机纳米晶体的粒径，进行红色、绿色那样的变换色的控制。
此外，在专利文献4中描述把分散无机纳米晶体的荧光变换介质和LED组合，实现高效率白色LED的技术。
可是，由于这些由无机纳米晶体构成的荧光微粒在原理上、在发光频带内也具有大的光吸收，所以即使要提高变换效率，增加荧光微粒的浓度，也具有自吸收引起的界限，具有荧光变换效率不会提高到从无机纳米晶体自身的荧光量子收获率期待的程度的问题。
在专利文献5中描述把有机EL光源部和分散无机纳米晶体的荧光变换介质组合，实现高的荧光变换效率和高耐久性的彩色发光装置。考虑无机纳米晶体具有的高的折射率，进行荧光变换介质的最优化设计，使变换效率变为最大，但是，无法避免无机纳米晶体的自吸收引起的发光成分的损失，取得的荧光变换效率不充分。
专利文献1：特开平3-152897号公报
专利文献2：特开平8-286033号公报
专利文献3：美国专利第6,608,439号说明书
专利文献4：美国专利第6,501,091号说明书
专利文献5：WO2005/097939号手册
发明内容
本发明是鉴于上述的问题提出的，其目的在于，提供一种荧光变换效率高的荧光变换介质和使用它的彩色发光装置。
根据本发明，提供以下的荧光变换介质和彩色发光装置。
1.一种荧光变换介质，包括：由吸收可见光和/或近紫外线，发出可见荧光的无机纳米晶体构成的荧光微粒；和分散所述荧光微粒的透明介质，荧光强度成为最大的波长的吸光率在0.1～1的范围内。
2.一种荧光变换介质，包括：由吸收可见光和/或近紫外线并且发出可见荧光的无机纳米晶体构成的荧光微粒；和分散所述荧光微粒的透明介质，由以下表达式表示的重叠度P是2.5≦P≦30。
P＝∫A(λ)·I(λ)dλ
(表达式中，I(λ)(单位：nm-1)表示光的波长为λ(单位：nm)时，按最大值为1进行归一化后的荧光变换介质的发光强度频谱，A(λ)(单位：无量纲)表示荧光变换介质的吸光率频谱)
3.根据1或2所述的荧光变换介质，所述无机纳米晶体是半导体纳米晶体。
4.根据3所述的荧光变换介质，所述半导体纳米晶体中使用的块体材料的20℃的能带隙是1.0～3.0eV。
5.根据3或4所述的荧光变换介质，所述半导体纳米晶体由用半导体材料构成的至少1层以上的壳层覆盖半导体材料构成的核的材料构成。
6.根据1～5中的任意一项所述的荧光变换介质，所述透明介质是树脂；在所述无机纳米晶体的表面进行用于提高与树脂的亲和性的相溶性处理。
7.一种彩色发光装置，具有：发出可见光和/或近紫外线的光源部；和吸收和/或透过从所述光源部发出的光，发出与光源部不同的频谱的光的色变换部，所述色变换部包含1～6中的任意一项所述的荧光变换介质。
8.根据7所述的彩色发光装置，所述色变换部是所述荧光变换介质和滤色器的叠层体，该滤色器将所述荧光变换介质发出的荧光和/或透过荧光变换介质的光中的给定波长区域的光透过并且遮断其他波长区域的光成分。
9.根据7或8所述的彩色发光装置，所述光源部发出至少包含蓝色的光，所述色变换部接收所述光源部发出的光，发出红色、绿色或蓝色的至少一种以上的光。
10.一种彩色发光装置，包括：发出至少包含蓝色的光的光源部；接收所述光源部发出的光，发出蓝色的光的蓝色变换部；接收所述光源部发出的光，发出绿色的光的绿色变换部；接收所述光源部发出的光，发出红色的光的红色变换部，所述蓝色变换部不包含所述荧光变换介质，包含透过所述光源发出的光中的蓝色波长区域的光并且遮断其他波长区域的光成分的蓝色滤色器，所述绿色变换部和红色变换部的至少一个是1～6中的任意一项所述的荧光变换介质和滤色器的叠层体，该滤色器将所述荧光变换介质发出的荧光和/或透过荧光变换介质的光中的绿色或红色波长区域的光透过并且遮断其他波长区域的光成分。
11.根据9或10所述的彩色发光装置，所述绿色荧光变换介质的由以下表达式定义的重叠度P是4≦P≦30。
P＝∫A(λ)·I(λ)dλ
(表达式中，I(λ)(单位：nm-1)表示光的波长为λ(单位：nm)时，按最大值为1进行归一化后的荧光变换介质的发光强度频谱，A(λ)(单位：无量纲)表示荧光变换介质的吸光率频谱)
12.根据9～11中的任意一项所述的彩色发光装置，所述红色荧光变换介质的由以下表达式定义的重叠度P是2.5≦P≦20。
P＝∫A(λ)·I(λ)dλ
(表达式中，I(λ)(单位：nm-1)表示光的波长为λ(单位：nm)时，按最大值为1进行归一化后的荧光变换介质的发光强度频谱，A(λ)(单位：无量纲)表示荧光变换介质的吸光率频谱)
13.根据7～12中的任意一项所述的彩色发光装置，所述光源部是有机电致发光元件。
14.根据13所述的彩色发光装置，所述有机电致发光元件包含：具有光反射性的第一电极；具有光透过性的第二电极；在所述第一电极和第二电极之间形成的包含有机发光层的有机发光介质。
根据本发明，能提供荧光变换效率高，荧光变换介质随时间经过的恶化少的荧光变换介质以及使用它的彩色发光装置。
附图说明
图1是表示本发明的荧光变换介质的一个实施方式的概略剖视图。
图2是表示把CdSe/ZnS核(core)/壳(shell)型荧光微粒在透明树脂中分散的荧光变换介质的吸收、发光、激励频谱的图。
图3是表示把CdSe/ZnS核/壳型荧光微粒在透明树脂中分散的荧光变换介质的纳米晶体浓度和荧光强度的关系的图。
图4是表示把CdSe/ZnS核/壳型荧光微粒在透明树脂中分散的荧光变换介质的红色荧光以及绿色荧光的吸光率和荧光变换效率的关系的图。
图5是表示把CdSe/ZnS核/壳型荧光微粒在透明树脂中分散的荧光变换介质的红色荧光以及绿色荧光的重叠度和荧光变换效率的关系的图。
图6是表示本发明的彩色发光装置的一个实施方式的概略剖视图。
图7是表示本发明的有机EL元件的一个实施方式的概略剖视图。
图8是使用本发明的彩色发光装置的显示模块的概略图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的荧光变换介质和彩色发光装置。
图1是表示本发明的荧光变换介质一个实施方式的概略剖视图。
荧光变换介质1是由在透明介质10中分散荧光微粒12而构成的膜，荧光微粒12吸收从光源(不图示)发出的光，发出可见荧光。
由荧光变换介质1变换的光(可见荧光)、和从光源发出的光中不变换地透过膜的光向荧光变换介质1的外部发射。
以下，说明荧光变换介质的结构。
1.荧光变换介质
(1)荧光微粒
本发明中使用的荧光微粒由把无机结晶超微粒化达到纳米级的无机纳米晶体构成。作为无机纳米晶体，使用吸收可见光和/或近紫外线，发出可见荧光的无机纳米晶体。因为透明性高，散射损失小，所以理想的是使用粒径20nm以下，更理想的是使用超微粒化达到10nm以下的无机纳米晶体。
无机纳米晶体的表面，在后面描述的透明介质是树脂时，为了提高向树脂的分散性，理想的是进行相溶性处理。作为相溶性处理，例如列举用长链烷基、磷酸、树脂等修饰或涂敷表面。
作为本发明中使用的无机纳米晶体，具体地列举以下的材料。
(a)在金属氧化物中掺杂过渡金属离子的纳米晶体荧光体
作为在金属氧化物中掺杂过渡金属离子的纳米晶体荧光体，列举在Y2O3、Gd2O3、ZnO、Y3Al5O12、Zn2SiO4等的金属氧化物中掺杂Eu2+、Eu3+、Ce3+、Tb3+等的吸收可见光的过渡金属离子的纳米晶体荧光体。
(b)在金属硫族化合物(chalcogenide)中掺杂过渡金属离子的纳米晶体荧光体
作为在金属硫族化合物中掺杂过渡金属离子的纳米晶体荧光体，列举在ZnS、CdS、CdSe等的金属硫族化合物中掺杂Eu2+、Eu3+、Ce3+、Tb3+等的吸收可见光的过渡金属离子的纳米晶体荧光体。为了防止由后面描述的基体树脂的反应成分消除S或Se等，也可以用硅石等的金属氧化物或有机物等修饰表面。
(c)使用半导体的能带隙(bandgap)，吸收可见光，发光的纳米晶体荧光体(半导体纳米晶体)
作为半导体纳米晶体的材料，能列举长周期型周期表的IV族元素、IIa族元素-VIb族元素的化合物、IIIa族元素-Vb族元素的化合物、IIIb族元素-Vb族元素的化合物、由黄铜(chalcopyrite)型化合物构成的结晶。
具体而言，能列举Si、Ge、MgS、MgSe、Zns、ZnSe、ZnTe、AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaAs、GaSb、CdS、CdSe、CdTe、InP、InAs、InSb、AgAlAs2、AgAlSe2、AgAlTe2、AgGaS2、AgGaSe2、AgGaTe2、AgInS2、AgInSe2、AgInTe2、ZnSiP2、ZnSiAs2、ZnGeP2、ZnGeAs2、ZnSnP2、ZnSnAs2、ZnSnSb2、CdSiP2、CdSiAs2、CdGeP2、CdGeAs2、CdSnP2、CdSnAs2等的结晶、以及由这些元素或化合物构成的混晶结晶。
理想的是Si、AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaAs、InP、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、CuGaSe2、CuGaTe2、CuInS2、CuInSe2、CuInTe2，直接过渡型半导体的ZnSe、ZnTe、GaAs、CdS、CdTe、InP、CuInS2、CuInSe2在发光效率高的点上是更理想的。
在所述无机纳米晶体中，根据粒径，也能容易地控制发光波长，由于在蓝色波长区域和近紫外波长区域具有大的吸收，并且发光区域中的吸收和发光的重叠度大，所以理想的是使用半导体纳米晶体。
以下，说明半导体纳米晶体的功能。
如特表2002-510866号公报等文献中所述，这些半导体材料在块体(bulk)材料(意味着未微粒化的材料)，室温下，具有0.5～4.0eV左右的能带隙。用这些材料形成微粒，通过把该微粒变为纳米尺寸，把半导体中的电子限制在纳米晶体中。作为结果，纳米晶体的能带隙增大。
可知能带隙增大的宽度理论上与半导体微粒的粒径的平方成反比。因此，通过控制半导体微粒的粒径，能控制能带隙。这些半导体吸收比相当于能带隙的波长更小的波长的光，发出相当于能带隙的波长的荧光。
作为块体半导体的能带隙，理想的是在20℃，为1.0eV～3.0eV。如果低于1.0eV，由于在纳米晶体化时，对于粒径的变化，荧光波长过于敏感地移动，所以在制造管理难的点上不理想。此外，如果超过3.0eV，就只发出比近紫外区域更短波长的荧光，在作为彩色发光装置难以应用的点上是不理想的。
半导体纳米晶体能由众所周知的方法，例如美国专利第6,501,091号公报记载的方法制造。作为该公报中记载的制造例，有把在三辛基膦(trioctyl phosphine)(TOP)中混合硒化三辛基膦和二甲基镉(dimethylcadmium)的前体溶液投入到加热到350℃的三辛基氧化膦(trioctyl phosphine oxide)(TOPO)中的方法。
所述半导体纳米晶体是由半导体纳米晶体构成的核粒子和由比核粒子中使用的半导体材料的能带隙更大的半导体材料构成的至少1层以上的壳层构成的核/壳型半导体纳米晶体。它具有用ZnS(能带隙：3.8eV)那样的能带隙大的半导体材料的壳覆盖例如由CdSe(能带隙：1.74eV)构成的核微粒的表面的构造。据此，容易发现在核微粒内产生的激子的限制效果。在所述的半导体纳米晶体的具体例中，由后面描述的透明介质中的活性成分(未反应的单体(monomer)或水分等)消除S或Se等，破坏纳米晶体的结晶构造，容易发生荧光性消失的现象。因此，为了防止它，也可以用硅石等的金属氧化物或有机物等修饰表面。
核/壳型半导体的纳米晶体能用众所周知的方法，例如美国专利第6,501,091号公报记载的方法制造。例如，是CdSe核/ZnS壳构造的时候，通过把在TOP中混合二乙基锌(diethylzinc)和三甲基硫化物(trimethylsilylsulfide)的前体溶液投入到把分散CdSe核粒子的TOPO液加热到140℃的溶液中，从而能制造。
此外，也能使用形成激子的载体在核和壳之间分离的所谓的TypeII型纳米晶体(J.Am.Chem.Soc.，Vol.125，No.38，2003，p11466-11467)。
再有，也可以使用在核上叠层2层以上的层构造，作为多壳构造，改良稳定性或发光效率、发光波长的调整的纳米晶体(AngewandteChemie，Vol.115，2003，p5189-5193)等。
另外，所述荧光体微粒可以一种单独使用，此外，也可以组合二种以上使用。
(2)透明介质
透明介质是分散/保持无机纳米晶体的介质，能选择玻璃或透明树脂等透明材料。特别是从荧光变换介质的加工性的观点出发，适合使用非硬化型树脂、热硬化型树脂或光硬化型树脂等树脂。
具体而言，列举把低聚体(oligomer)或聚合体(polymer)方式的三聚氰胺树脂、酚醛树脂(phenolresin)、醇酸树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸乙酯树脂、马来酸树脂、聚酰胺(polyamide)类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸脂(polyacrylate)、聚碳酸酯、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)、羟乙基纤维素(hydroxyethylcellulose)、羧甲基纤维素(carboxymethylcellulose)等和形成它们的单体作为构成成分的共聚物。
为了把荧光变换介质构图，能使用光硬化型树脂。作为光硬化型树脂，通常使用包含感光剂的具有反应性乙烯基的丙烯酸、甲基丙烯酸类的光聚合型树脂或聚乙烯醇肉桂酸酯(polyvinyl cinnamate)等的光交联(photo-crosslinkable)型树脂等。另外，不包含感光剂的时候，也可以使用热硬化型的树脂。
另外，在全彩色显示器中，形成把彼此分离的荧光体层配置为矩阵状的荧光变换介质。因此，作为基体树脂(透明介质)，理想的是使用能应用光刻法的光硬化型树脂。
此外，这些基体树脂可以一种单独使用，此外，也可以混合多种使用。
此外，不包含感光剂的时候，也能通过丝网印刷(screen printing)等的印刷，形成发光图案。
(3)荧光变换介质的制作
荧光变换介质的制作使用研磨(milling)法或超声波分散法等的众所周知的方法，通过使用混合/分散的分散液，进行制作荧光微粒和基体树脂(透明介质)。这时，能使用基体树脂的良好溶剂。通过众所周知的成膜方法，例如旋转涂敷法、丝网印刷法等，在支撑基板上把该荧光微粒分散液成膜，制作荧光变换介质。
另外，在不损害本发明的目的的范围中，在荧光变换介质中，除了荧光微粒和透明介质外，也可以添加紫外线吸收剂、分散剂、均化剂(levelingagent)等。
适宜地选择本发明的荧光变换介质，从而荧光强度变为最大的波长的吸光率变为0.1～1的范围。
此外，把I(λ)(单位：nm-1)定义为光的波长为λ(单位：nm)时，最大值变为1地规格化的荧光变换介质的发光强度频谱，在A(λ)(单位：无量纲)定义为荧光变换介质的吸光率频谱时，重叠度P定义为P＝∫A(λ)·I(λ)dλ。以重叠度P是2.5≦P≦30来适当选择本发明的荧光变换介质。
以下，详细说明其理由。
图2是表示把CdSe/ZnS核/壳型荧光微粒(发光峰值615nm)在透明树脂中分散的荧光变换介质(厚度约20μm)的吸收、发光、激励频谱的图。可知在发光区域内强的吸收和激励共存。
图3是表示纳米晶体的浓度和荧光峰值强度的关系的图。
作为光源部，假定在波长465nm处具有峰值的蓝色电致发光(EL)光源，作为叠层的滤色器，假定透过频带为580nm以上的红色用低通滤色器(使长波长、即低频的光透过)。对于荧光体微粒，使用图2的吸收数据。荧光体微粒的荧光量子收获率为0.8，荧光变换介质的膜厚是10μm，改变荧光体微粒的浓度，计算荧光峰值强度。
描述计算的概略。在光源部发出的光子中，从荧光变换介质的吸收数据求出由荧光变换介质吸收(一次吸收)的光子数。按照所述荧光量子收获率发光(一次发光)，并且从发光区域的荧光变换介质的吸收数据求出一次发光的光子中自吸收(二次吸收)的比例，假定在更长波长一侧用所述量子收获率再发光(二次发光)，求出二次发光部分的贡献。考虑以上的一次和二次吸收、一次发光和二次发光、考虑它们导出的透过光部分，求出发光频谱，进而考虑滤色器的透过特性，求出在外部取出的发光频谱。
横轴是透明介质中的纳米晶体的浓度，纵轴是荧光峰值强度。图的A是假定没有自吸收，全部取出发出的荧光时的荧光峰值强度的荧光体微粒浓度依存性。由于如果浓度变大，吸收量就饱和，所以荧光强度达到极限。B是只考虑自吸收的情形，可知如果浓度变大，自吸收就变为优势，无法取出内部的荧光。C是考虑自吸收和再发光的情形。可知把自吸收成分中相当的部分作为再发光取出。
图4是表示荧光变换介质的发光强度变为最大的波长的吸光率A(＝log10(I0/I)，I0：入射光强度，I：出射光强度)和荧光变换效率η的关系的图。另外，荧光变换效率η是从光源部(这里为有机EL发光元件)入射的光的亮度和透过荧光变换介质/滤色器取出的光的亮度的比。对于红色，使用发光峰值波长615nm的CdSe/ZnS核/壳型半导体纳米晶体的数据、和把波长580nm作为截止波长的红色用低通滤色器的数据，来计算。对于绿色，使用发光峰值波长525nm的CdSe/ZnS核/壳型半导体纳米晶体的数据、和透过频带480～590nm的绿色用带通滤色器的数据，来计算。可知在红色和绿色若干不同的0.1≦A≦1.0的范围中，能取得良好的变换效率。可知在红色，特别理想的是0.1≦A≦0.7。此外，在绿色，特别理想的是0.2≦A≦1.0。
为了使自吸收、再发光很好地起作用，因为一次发光必须与二次吸收在波长区域接近，所以重要的是在荧光体微粒的发光频带中存在适度的吸收。因此，把发光频带I(λ)和吸光率频谱A(λ)(这里，λ是以nm单位测定的光的波长)的重叠度定义为P＝∫A(λ)·I(λ)dλ，求出理想的区域。
把一次发光再吸收、再发光引起成为问题的二次发光。因此，重要的是把一次发光的波长区域和强度I、再吸收的波长区域和强度A重叠。为了定量地评价该重叠的大小，用波长λ对I(λ)和A(λ)的积进行积分，求出它的贡献。
图5表示结果。在红色和绿色，最佳区域有若干不同，但是优选2.5≦P≦30。进而可知，红色的时候，更理想的是2.5≦P≦20，在绿色，4≦P≦30的范围更理想。
如上所述，发现在使用由无机纳米晶体构成的荧光微粒的荧光变换介质中，通过最优化地设计发光区域的吸收的强度，能最大限度地利用自吸收/再发光的效果，能把变换效率最大化。
图6是表示本发明的彩色发光装置的一个实施方式的概略剖视图。
彩色发光装置20具有发出可见光和/或近紫外线的光源部22、接收从光源部22发出的光并且发出可见荧光的色变换部30。色变换部30形成在基体材料32上。在光源部22和色变换部30之间存在透明介质24。
在本实施方式中，光源部22至少发出蓝色光。色变换部30由蓝色变换部、绿色变换部和红色变换部构成。蓝色变换部由蓝色滤色器38构成，蓝色滤色器38透过来自光源部22的光中的蓝色波长区域的光，遮断其他波长区域的光成分。
绿色变换部由上述的本发明的绿色荧光变换介质5和绿色滤色器36构成，绿色滤色器36透过绿色荧光变换介质5发出的荧光和/或透过绿色荧光变换介质5的光中的某绿色波长区域的光，遮断其他波长区域的光成分。
红色变换部由上述的本发明的红色荧光变换介质3和红色滤色器34构成，红色滤色器34透过红色荧光变换介质3发出的荧光和/或透过红荧光变换介质3的光中的某红色波长区域的光，遮断其他波长区域的光成分。
此外，光源部22、红色变换部形成红色像素R。同样，光源部22、绿色变换部形成绿色像素G，光源部22、蓝色变换部形成蓝色像素B。
在本实施方式中，绿色像素G的绿色荧光变换介质5和红色像素R的红色荧光变换介质3接收来自至少发出蓝色成分(波长430nm～490nm)的光的光源部22的光，分别发出绿光、红光，实现彩色化。
在蓝色像素B中没有荧光变换介质，只有滤色器38，通过从光源部22发出的光中，只使蓝色成分透过，取得蓝色的发光。据此，取得全彩色显示所必要的三原色成分。在本实施方式中，没必要形成蓝色的荧光变换介质，能简化发光装置的制造工序。
另外，在本实施方式中，红色和绿色变换部是荧光变换介质和滤色器的叠层体，蓝色变换部只是滤色器，但是并不局限于此，这些色变换部也可以是荧光变换介质单体、滤色器单体、荧光变换介质和滤色器的叠层体、它们的任意的组合。
以下，就彩色发光装置的结构加以说明。
2.彩色发光装置
(1)光源部
作为光源部，能使用发出可见光的光源部，例如能使用有机EL元件、无机EL元件、半导体发光二极管、荧光显示管等。其中，理想的是在光取出一侧使用透明电极的EL元件，例如包含光反射性电极、发光层、夹着该发光层并与光反射性电极相对的透明电极的有机EL元件，以及无机EL元件。特别是优选通过使用单纯矩阵结构、有源矩阵驱动的像素寻址，能显示任意的大容量、高质量的图像的有机EL元件和无机EL元件。
以下，说明作为光源部，使用在光取出一侧用透明电极的有机EL元件的情形。
图7是表示有机EL元件的一个例子的概略剖视图。
该有机EL元件具有按顺序在基板102上叠层光反射性电极104、发光介质106、以及透明电极108的方式。
有机EL元件100通过在光反射性电极104和透明电极108之间施加电压，对发光介质106供给电子和空穴，通过使电子和空穴复合，进行发光。由发光介质106发出的光从透明电极108取出，但是通过形成光反射性电极104，能把在基板方向传播的发光高效地向外部取出。
另外，图7所示的有机EL元件是顶发光类型，但是也可以光反射性电极104为透明电极，以透明电极108为光反射性电极，以基板102为透光性基板，变为底发光类型。
(A)基板
有机EL元件的基板是用于支撑有机EL元件的构件，理想的是机械强度和尺寸稳定性优异的基板。
作为这样的基板的材料，例如能列举玻璃板、金属板、陶瓷板或塑料板(例如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚脂树脂、环氧树脂、酚醛树脂、硅树脂、氟树脂、聚醚砜(polyethersulfone)树脂)等。
(B)光反射性电极(第一电极)
第一电极是具有光反射性的光反射性电极，不要求透明性。在本发明中，能采用光反射性电极是阳极并且后面描述的透明电极是阴极的时候、以及光反射性电极是阴极并且后面描述的透明电极是阳极的时候的任意的元件结构。
把第一电极作为阳极使用时，使用满足空穴注入所必要的功函数(work function)的金属。作为功函数的值，希望是4.6eV以上，具体而言，列举金、银、铜、铱(iridium)、钼、铌、镍、锇、钯、白金、钌、钽、钨或铝等金属或它们的合金、铟和/或锡的氧化物(以下简称为ITO)等金属氧化物、碘化铜、聚吡咯、聚苯胺、聚(3-甲基噻吩)等导电性高分子以及它们的叠层体。
此外，作为阴极使用时，使用功函数小的(4eV以下)金属、合金、电传导性化合物以及它们的混合物作为电极物质的电极。作为这样的电极物质的具体例，列举钠、钠-钾合金、镁、锂、镁/银合金、铝/氧化铝、铝/锂合金、铟、稀土类金属等1种或2种以上。
(C)发光介质
发光介质能定义为包含电子和空穴复合、能进行EL发光的有机发光层的介质。例如在阳极上叠层以下的各层，能构成有关的发光介质。
(i)有机发光层
(ii)空穴注入层/有机发光层
(iii)有机发光层/电子注入层
(iv)空穴注入层/有机发光层/电子注入层
(v)有机半导体层/有机发光层
(vi)有机半导体层/电子阻挡层/有机发光层
(vii)空穴注入层/有机发光层/附着改善层
其中，(iv)的结构取得更高的发光亮度，耐久性也优异，所以通常使用。
作为发光介质的有机发光层的发光材料，列举p-四苯基衍生物(p—quarterphenyl derivative)、p-五苯基衍生物(p—quinquephenyl derivative)、苯并二唑(benzodiazole)类化合物、苯并咪唑(benzimidazole)类化合物、苯并恶唑(benzoxazole)类化合物、金属螯形氧基化合物(metal—chelatedoxynoid compound)、二唑(oxadiazole)类化合物、苯乙烯基(styrylbenzene)类化合物、二苯乙烯基吡嗪(distyrylpyrazine)衍生物、丁二烯(butadiene)类化合物、萘酰亚胺(naphthalimide)化合物、紫苏烯衍生物、醛连氮(aldazine)衍生物、pyraziline衍生物、环戊二烯(cyclopentadiene)衍生物、吡咯并吡咯(pyrrolopyrrole)衍生物、苯乙烯甲胺(styrylamine)衍生物、香豆素类化合物、芳香族二甲基类化合物(aromatic dimethylidynecompound)、8-羟基喹啉(quinolinol)衍生物作为配合基的金属络合物、聚苯(polyphenyl)类化合物等的1种单独或2种以上的组合。
此外，这些有机发光材料中作为芳香族二甲基类化合物的4，4’-二(2，2-二-t-丁基苯基乙烯)联苯(4，4′-bis(2，2-di-t-butylphenylvinyl)biphenyl)(简称为DTBPBBi)、4，4’-二(2，2-二苯基乙烯)联苯(简称为DPVBi)和它们的衍生物。
也适合并用：把具有二苯乙烯亚芳(distyrylarylene)骨架等的有机发光材料作为主体材料，在该主体材料掺杂作为掺杂剂的从蓝色到红色的强的荧光色素，例如香豆素类材料，或者与主体材料同样的荧光色素的材料。更具体而言，作为主体材料，使用上述的DPVBi等，作为掺杂剂，使用N，N-联苯氨基苯(N，N—diphenylaminobenzene)(简称为DPAVB)等。
理想的是使用在发光介质的空穴注入层作用1×104～1×106V/cm的范围的电压时测定的空穴移动度是1×10-6cm2/V·秒以上，离子化能量是5.5eV以下的化合物。通过设置这样的空穴注入层，向有机发光层的空穴注入变为良好，能取得高的发光亮度，或者低电压驱动成为可能。
作为这样的空穴注入层的构成材料，具体而言，列举卟啉(porphyrin)化合物、芳香族第三级胺化合物、苯乙烯胺化合物、芳香族二甲基类化合物、缩合芳香族环化合物(condensed aromatic ring compound)、例如4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(简称为NPD。)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]三苯胺(简称为MTDATA)等有机化合物。
此外，作为空穴注入层的构成材料，理想的是使用p型-Si或p型-SiC等无机化合物。另外，在上述的空穴注入层和阳极层之间、或者上述的空穴注入层和有机发光层之间设置导电率为1×10-10S/cm以上的有机半导体层。通过设置这样的有机半导体，向有机发光层的空穴注入变为更良好。
理想的是使用在发光介质的电子注入层作用1×104～1×106V/cm的范围的电压时测定的电子移动度是1×10-6cm2/V·秒以上，离子化能量超过5.5eV的化合物。通过设置这样的电子注入层，向有机发光层的电子注入变为良好，能取得高的发光亮度，或者低电压驱动成为可能。作为这样的电子注入层的构成材料，具体而言，列举8-羟基喹啉(8—hydroxyquinoline)的金属络合物(Al螯合物：Alq)或者它的衍生物、或者二唑衍生物等。
此外，发光介质的附着改善层能视为有关的电子注入层的一个方式，即是电子注入层中与阴极的接合性良好的材料构成的层，由8-羟基喹啉的金属络合物或者它的衍生物构成。另外，在上述的电子注入层中，理想的是设置导电率1×10-10S/cm以上的有机半导体层。通过设置这样的有机半导体层，向有机发光层的电子注入性变得良好。
关于发光介质的厚度，理想的是在5nm～5μm的范围内设定。理由是因为如果发光介质的厚度变为低于5nm，有时发光亮度或耐久性会下降，而如果发光介质的厚度超过5μm，有时作用电压的值会提高。因此，理想的是有机发光层的厚度为10nm～3μm的范围内的值，更理想的是20nm～1μm的范围内的值。
(D)透明电极(第二电极)
第二电极使用由透明导电材料构成的透明电极材料。透明电极为了高效取出有机发光层发出的光，由透过率10％以上的材料，理想的是透过率60％以上的材料构成。具体而言，列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铜(CuIn)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锑(Sb2O3、Sb2O4、Sb2O5)或者氧化铝(Al2O3)等的一种单独或2种以上组合。另外，为了在不损害透明电极的透明性的范围中实现低电阻化，理想的是添加Pt、Au、Ni、Mo、W、Cr、Ta或Al等金属的一种单独、或者组合2种以上。
把第二电极作为阴极使用时，也可以并用用于对有机发光层注入电子的低功函数材料构成的低功函数层。作为低功函数层，为了电子的注入容易，使用功函数小的构成材料，例如低于4.0eV的构成材料。薄膜化到具有足够的透过率的程度，在发光介质之上形成，并在其上叠层透明电极。ITO或ZnO那样的透明氧化物导体的功函数是4.6eV以上，难以作为阴极使用。
作为低功函数材料，还使用铝、钡、钙、铈、铒、铕、钆、铪、铟、镧、镁、银、锰、钕(neodium)、钪(scandium)、钐(samarium)、钇(yttrium)、锌、锆(zirconium)等金属、这些金属和其他金属的合金组成物。特别理想的是镁、银以及镁和银的合金。
透明电极的厚度是5～1000nm，理想的是10～500nm的范围。此外，关于低功函数层的膜厚，在1～100nm的范围设定，理想的是在5～50nm的范围设定，更理想的是在5～30nm的范围设定。关于各范围，如果超过上限的膜厚，在高效取出来自有机发光层的发光的观点上是不理想的。此外，如果低于下限的膜厚，在抑制形成透明电极层时的向有机发光层的损害的观点上是不理想的。
有机EL元件的各层的形成方法能使用以往众所周知的方法，例如真空蒸镀法、溅射、旋转涂敷法等的形成方法。
所述有机EL元件按照需要，也可以形成连接透明电极和荧光变换介质的后面描述的透明介质。透明介质在提高荧光变换介质表面的平滑性的目的中使用。
(2)透明介质
作为透明介质，如果对可见光的透过率是50％以上的透明的材料，就能适宜使用无机材料、有机材料、以及它们的叠层体等。
在无机材料中，理想的是无机氧化物层或无机氮化物层、无机氧氮化物层。例如，列举硅石、氧化铝、AlON、SiAlON、SiNx(1≦x≦2)，SiNxNy(理想的是0.1≦x≦1，0.1≦y≦1)。
在有机材料中，能使用硅胶、氟化碳化氢液体、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂等。
在无机材料的时候，能通过溅射法、CVD法、溶胶-凝胶(Sol—Gel)法等形成透明介质。此外，在有机材料的时候，能通过旋转涂敷法、印刷法、滴下注入(drip injection)法等进行。
透明介质的层厚是0.01μm～10mm，理想的是0.1μm～1mm。
(3)滤色器
滤色器通过荧光变换介质由阳光或室内照明光等从发光装置的外部入射的光发出荧光、把入射光用反射电极反射、再出射，就能防止对比度，即发光装置处于发光状态时和处于非发光状态时的明亮度的比下降。
作为本发明中使用的滤色器，例如能列举以下的色素或者把色素在粘结剂用树脂中溶解或分散的固体状态的材料。
红色(R)色素：紫苏烯类颜料、湖颜料(lake pigment)、偶氮类颜料(azo pigment)等
绿色(G)色素：卤素多置换酞菁染料类颜料(halogen—multisubstitutedphthalocyanine pigment)、卤素多置换铜酞菁染料类颜料(halogen—multisubstituted copper phthalocyanine pigment)、三苯甲烷类碱性染料(basic triphenylmethane dye)等。
蓝色(B)色素：铜酞菁染料类颜料(copper phthalocyanine pigment)、阴丹酮类颜料(indanthrone pigment)、靛酚类颜料(indophenol pigment)、青蓝类颜料(cyanine pigment)等
而粘结剂用树脂理想的是透明的(可见光透过率50％以上)材料。例如，列举聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、羟基乙基纤维素、羧基甲基纤维素(carboxymethylcellulose)等透明树脂(高分子)，作为能应用光刻法的感光性树脂，列举具有丙烯酸类、甲基丙烯酸类的反应性乙烯基的光硬化型抗蚀剂材料。另外，在使用印刷法时，选择使用聚氯乙烯树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂等的透明树脂的印刷墨水(介质)。
滤色器主要由色素构成时，通过所希望的滤色器图案的掩膜，用真空蒸镀或者溅射法成膜，而由色素和粘结剂用树脂构成时，一般把荧光色素和所述树脂以及抗蚀剂混合、分散、可溶化，用旋转涂敷、辊涂(rollcoating)、铸造法(casting)等方法制膜，用光刻法以所希望的滤色器图案构图，或用印刷等的方法以所希望的滤色器图案构图。各滤色器的膜厚和透过率优选如下。
R：膜厚0.5～5.0μm(透过率50％以上/610nm)，
G：膜厚0.5～5.0μm(透过率50％以上/545nm)，
B：膜厚0.2～5.0μm(透过率50％以上/460nm)，
(4)基体材料
本发明中使用的基体材料是支撑彩色显示装置的基板，理想的是400nm～700nm的可见光区域的光的透过率是50％以上，平滑的基板。具体而言，列举玻璃版、聚合体板等。作为玻璃板，能列举碱石灰玻璃、含有钡和锶的玻璃、铅玻璃、铝矽酸(aluminosilicate)玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅酸钡玻璃、石英等。此外，作为聚合体板，能列举聚碳酸酯、丙烯酸聚合体(acrylic polymer)、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物(polyethersulfide)、聚砜(polysulfone)等。
通过组合具有所述结构的彩色发光装置和周边驱动电路部以及接口电路部，能容易地实现能应用在民用电视等中的显示模块。
图8是使用本发明的彩色发光装置的显示模块的概略图。
把包含色变换部30的基板(色变换基板202)和集成光源部22、周边驱动电路部204和接口电路部206的基板粘贴在一起，构成显示模块200。光源部22理想的是有机EL元件，更理想的是蓝色发光的单色有机EL元件。
另外，使用本发明的彩色发光装置的显示模块并不局限于该结构。
[实施例]
实施例1
(1)光源部的制作
在25mm×75mm×1.1mm的玻璃基板上，用溅射法把ITO以130nm的厚度制膜的基板作为透明支撑基板。然后，把该基板在异丙醇(isopropylalcohol)中进行5分钟超声波洗净之后，吹氮，干燥，进行10分钟UV臭氧(ozone)洗净(UV300，Samco Intemational Co.，Ltd制造)。
在该透明支撑基板上，固定在市场销售的蒸镀装置(日本真空技术(株式会社)制作)的基板支架，在钼制电阻加热容器中加入200mg N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-联苯(1，1’-联苯)-4，4’-双胺(TPD)，在其他钼制电阻加热容器中加入200mg4，4’-二(2，2’-二苯乙烯)-联苯(DPVBi)，在其他钼制电阻加热容器中加入200mg4，4’-二(2，4-N，N’-联苯氨基苯乙烯)联苯(DPAVBi)，把真空槽减压到1×10-4Pa。
然后，把加入TPD的所述容器加热到215～220℃，以蒸镀速度0.1～0.3mm/秒在透明支撑基板上蒸镀，对膜厚60nm的空穴注入层进行制膜。这时，基板的温度是室温。不从真空槽取出，在空穴注入层，把DPVBi作为主体材料，叠层40nm。这时，同时加热DPAVBi的容器，在发光层把DPAVBi作为发光掺杂剂混合。这时的蒸镀速度是主体材料DPVBi的蒸镀速度为2.8～3.0nm/秒，掺杂剂材料DPAVBi的蒸镀速度为0.1～0.13nm/秒。然后，把真空槽压力返回到大气压，新在钼制电阻加热容器中加入作为接合层的材料的8-羟基喹啉/铝络合物，作为阴极材料，把铝在钨制细丝上安装，把真空槽减压到1×10-4Pa。
接着，以蒸镀速度0.01～0.03nm/秒蒸镀8-羟基喹啉/铝络合物，形成20nm的接合层。把银以150nm的厚度蒸镀，作为阴极。
这样取得有机EL光源。在取得的光源上施加7V电压，从透明支撑基板一侧用分光放射亮度计测定，表现亮度230nit、色度(0.16，0.30)的蓝绿色发光。发光的峰值波长是470nm。
(2)荧光变换介质的制作
(I)荧光微粒
作为荧光微粒，准备表1所示的4种核/壳型半导体纳米晶体。
[表1]
 
核材料 核粒径(nm) 壳材料 发光峰值波长(nm)
NC1 CdSe 5.2 ZnS 615
NC2 CdSe 4.0 ZnS 531
NC3 InP 4.9 ZnS 616
NC4 ZnTe 6.8 ZnS 529
(II)用于把荧光微粒分散保持的透明介质溶液
作为透明介质，使用甲基丙烯酸-甲基丙烯酸甲基共聚物(甲基丙烯酸共聚比＝15～20％，Mw＝20，000～25,000，折射率1.60)，把它在1-甲氧基-2-乙酸基丙烷(1—methoxy—2—acetoxypropane)中溶解。
(III)滤色器的制作
在厚度0.7mm的玻璃板上旋转涂敷颜料类红色滤色器材料(CRY-S840B，Fujifilm Arch Co.，Ltd.制造)，紫外线曝光之后，在200℃烘焙，取得红色滤色器(膜厚1.2μm)基板。
另外，在相同厚度0.7mm的玻璃板上旋转涂敷颜料类绿色滤色器材料(CG-8510L，Fujifilm Arch Co.，Ltd.制造)，紫外线曝光之后，在200℃烘焙，取得绿色滤色器(膜厚1.0μm)基板。
使用Shimadzu UV-VIS-NIR Spectrometer UV-3100S(株式会社)岛津制作所制造)，测定各滤色器的透过率频谱。作为结果，红色滤色器的透过率是91％(在波长615nm的值)、绿色滤色器的透过率是88％(波长525nm的值)。
(IV)荧光变换基板的制作和评价
把发出荧光波长615nm的红色荧光的NC1微粒投入膜中纳米晶体浓度变为7.8×10-4mol/L的透明介质溶液中，进行分散处理。通过旋转涂敷法，在玻璃基板上把它制膜，在200℃进行30分钟的干燥处理，取得厚度10μm的荧光变换介质单独的荧光变换基板。分别使用ShimadzuUV-VIS-NIR Spectrometer UV-3100S和Hitachi Fluorescent SpectrometerF4500((株式会社)日立制作所制造)，测定本基板的吸收频谱和发光频谱。使用该测定结果，取得发光峰值波长(615nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.17，发光和吸收的重叠度P＝4.1。
在相同的条件下，在先制作的红色滤色器基板的滤色器膜上，通过旋转涂敷法，把荧光变换介质成膜，在200℃进行30分钟的干燥处理，取得叠层了红色滤色器和荧光变换介质的荧光变换基板。荧光变换介质的膜厚是10μm。
对该基板通过折射率1.53的硅油进行粘贴使得荧光变换介质与先制作的有机EL光源的透明支撑基板对置。在有机EL光源部作用电压，用分光放射亮度计测定，表现发光峰值波长621nm、荧光变换效率0.54、色度(0.67，0.32)的良好的红色发光。
比较例1
在实施例1中，除了NC1的膜中纳米晶体浓度为6.3×10-3mol/L以外，与实施例1相同。发光峰值波长(615nm)的荧光变换介质的吸光率A＝1.34、发光和吸收的重叠度P＝33.1。作为与光源部组合的评价的结果，发光峰值波长为632nm，变换效率下降到0.25，色度也变为(0.70，0.30)，作为红色，过度了。
比较例2
在实施例1中，除了NC1的膜中纳米晶体浓度为2.0×10-4mol/L，膜厚为20μm以外，与实施例1相同。发光峰值波长(615nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.08，发光和吸收的重叠度P＝1.8。作为与光源部组合的评价的结果，发光峰值波长为618nm，变换效率下降到0.27，色度也变为(0.64，0.34)，作为红色，不充分。
实施例2
在实施例1中，除了代替NC1，使用绿发光荧光微粒NC2，膜中纳米晶体浓度为8.5×10-3mol/L，膜厚为20μm以外，与实施例1相同。发光峰值波长(525nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.81、发光和吸收的重叠度P＝23.6。作为光源部和绿色滤色器组合的评价的结果，发光峰值波长为540nm，变换效率达到1.36，色度也良好，为(0.22，0.72)。
比较例3
在实施例2中，除了NC2的膜中纳米晶体浓度为1.6×10-3mol/L，膜厚为10μm以外，与实施例2相同。发光峰值波长(525nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.07、发光和吸收的重叠度P＝2.2。作为光源部和绿色滤色器组合的评价的结果，变换效率下降到0.96，色度也变为(0.14，0.52)，作为绿色，过度了。
实施例3
在实施例1中，除了代替NC1，使用红发光荧光微粒NC3，膜中纳米晶体浓度为7.0×10-4mol/L，膜厚为20μm以外，与实施例1相同。发光峰值波长(616nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.19、发光和吸收的重叠度P＝5.3。作为光源部和红色滤色器组合的评价的结果，发光峰值波长为622nm，变换效率达到0.55，色度也良好，为(0.66，0.33)。
比较例4
在实施例3中，除了膜中纳米晶体浓度为6.3×10-3mol/L，膜厚为20μm以外，与实施例3相同。发光峰值波长(616nm)的荧光变换介质的吸光率A＝1.18，发光和吸收的重叠度P＝33.3。作为光源部和红色滤色器组合的评价的结果，发光峰值波长为638nm，变换效率降低到0.28，色度也变为(0.70，0.30)，作为红色，过度了。
比较例5
在实施例3中，除了膜中纳米晶体浓度为3.9×10-4mol/L，膜厚为10μm以外，与实施例3相同。发光峰值波长(616nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.04，发光和吸收的重叠度P＝1.0。作为光源部和红色滤色器组合的评价的结果，发光峰值波长为617nm，变换效率下降到0.24，色度也变为(0.61，0.35)，作为红色，不充分。
实施例4
在实施例1中，除了代替NC1，使用绿发光荧光微粒NC4，膜中纳米晶体浓度为7.0×10-4mol/L，膜厚为20μm以外，与实施例1相同。发光峰值波长(529nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.22、发光和吸收的重叠度P＝5.5。作为光源部和绿色滤色器组合的评价的结果，发光峰值波长为537nm，变换效率达到1.26，色度也良好，为(0.18，0.60)。
比较例6
在实施例4中，除了膜中纳米晶体浓度为3.0×10-4mol/L，膜厚为20μm以外，与实施例4相同。发光峰值波长(529nm)的荧光变换介质的吸光率A＝0.09、发光和吸收的重叠度P＝2.4。作为光源部和绿色滤色器组合的评价的结果，发光峰值波长为489nm，变换效率下降到0.94，色度也变为(0.15，0.52)，作为绿色，不充分。
表2表示在以上的实施例和比较例中制作的荧光变换介质的各参数、变换效率和色度。
[表2]
Figure A200780028975D00271
工业上的可利用性
本发明的荧光变换介质和使用它的彩色发光装置能在民用电视、大型显示器、移动电话用显示画面等各种显示装置的显示画面中使用。

Claims (14)

1.一种荧光变换介质，其特征在于，
包括：由吸收可见光和/或近紫外线并且发出可见荧光的无机纳米晶体构成的荧光微粒；和
分散所述荧光微粒的透明介质，
荧光强度成为最大的波长的吸光率在0.1～1的范围内。
2.一种荧光变换介质，其特征在于，
包括：由吸收可见光和/或近紫外线并且发出可见荧光的无机纳米晶体构成的荧光微粒；和
分散所述荧光微粒的透明介质，
由以下表达式表示的重叠度P是2.5≦P≦30。
P＝∫A(λ)·I(λ)dλ
(表达式中，I(λ)(单位：nm-1)表示光的波长为λ(单位：nm)时，按最大值为1进行归一化后的荧光变换介质的发光强度频谱，A(λ)(单位：无量纲)表示荧光变换介质的吸光率频谱)
3.根据权利要求1或2所述的荧光变换介质，其特征在于，
所述无机纳米晶体是半导体纳米晶体。
4.根据权利要求3所述的荧光变换介质，其特征在于，
所述半导体纳米晶体中使用的块体材料的20℃的能带隙是1.0～3.0eV。
5.根据权利要求3或4所述的荧光变换介质，其特征在于，
所述半导体纳米晶体由用半导体材料构成的至少1层以上的壳层覆盖半导体材料构成的核的材料构成。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的荧光变换介质，其特征在于，
所述透明介质是树脂；
在所述无机纳米晶体的表面进行用于提高与树脂的亲和性的相溶性处理。
7.一种彩色发光装置，其特征在于，
具有：发出可见光和/或近紫外线的光源部；和
吸收和/或透过从所述光源部发出的光，发出与光源部不同的频谱的光的色变换部，
所述色变换部包含权利要求1～6中的任意一项所述的荧光变换介质。
8.根据权利要求7所述的彩色发光装置，其特征在于，
所述色变换部是所述荧光变换介质和滤色器的叠层体，该滤色器将所述荧光变换介质发出的荧光和/或透过荧光变换介质的光中的给定波长区域的光透过并且遮断其他波长区域的光成分。
9.根据权利要求7或8所述的彩色发光装置，其特征在于，
所述光源部发出至少包含蓝色的光，
所述色变换部接收所述光源部发出的光，发出红色、绿色或蓝色的至少一种以上的光。
10.一种彩色发光装置，其特征在于，
包括：发出至少包含蓝色的光的光源部；
接收所述光源部发出的光，发出蓝色的光的蓝色变换部；
接收所述光源部发出的光，发出绿色的光的绿色变换部；
接收所述光源部发出的光，发出红色的光的红色变换部，
所述蓝色变换部不包含所述荧光变换介质，包含透过所述光源发出的光中的蓝色波长区域的光并且遮断其他波长区域的光成分的蓝色滤色器，
所述绿色变换部和红色变换部的至少一个是权利要求1～6中的任意一项所述的荧光变换介质和滤色器的叠层体，该滤色器将所述荧光变换介质发出的荧光和/或透过荧光变换介质的光中的绿色或红色波长区域的光透过并且遮断其他波长区域的光成分。
11.根据权利要求9或10所述的彩色发光装置，其特征在于，
所述绿色荧光变换介质的由以下表达式定义的重叠度P是4≦P≦30。
P＝∫A(λ)·I(λ)dλ
(表达式中，I(λ)(单位：nm-1)表示光的波长为λ(单位：nm)时，按最大值为1进行归一化后的荧光变换介质的发光强度频谱，A(λ)(单位：无量纲)表示荧光变换介质的吸光率频谱)
12.根据权利要求9～11中的任意一项所述的彩色发光装置，其特征在于，
所述红色荧光变换介质的由以下表达式定义的重叠度P是2.5≦P≦20。
P＝∫A(λ)·I(λ)dλ
(表达式中，I(λ)(单位：nm-1)表示光的波长为λ(单位：nm)时，按最大值为1进行归一化后的荧光变换介质的发光强度频谱，A(λ)(单位：无量纲)表示荧光变换介质的吸光率频谱)
13.根据权利要求7～12中的任意一项所述的彩色发光装置，其特征在于，
所述光源部是有机电致发光元件。
14.根据权利要求13所述的彩色发光装置，其特征在于，
所述有机电致发光元件包含：
具有光反射性的第一电极；
具有光透过性的第二电极；
在所述第一电极和第二电极之间形成的包含有机发光层的有机发光介质。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102023380A (zh) * 2009-09-23 2011-04-20 三星电子株式会社 显示装置
CN112867967A (zh) * 2018-08-31 2021-05-28 纳米系统公司 提高量子点颜色转换层中的色域性能和效率

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) * 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
WO2007117698A2 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
US8836212B2 (en) * 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
GB0714865D0 (en) * 2007-07-31 2007-09-12 Nanoco Technologies Ltd Nanoparticles
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
JP5176459B2 (ja) * 2007-09-28 2013-04-03 大日本印刷株式会社 白色発光素子
JP5407242B2 (ja) * 2007-09-28 2014-02-05 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
WO2009145813A1 (en) * 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
JP5192854B2 (ja) * 2008-03-06 2013-05-08 日本放送協会 蛍光体及びこれを用いた表示パネル
KR101016272B1 (ko) 2008-04-04 2011-02-18 주식회사 아모그린텍 광 여기 발광장치와 그 제조방법, 및 이를 이용한 백색 광원
KR101032413B1 (ko) 2008-04-04 2011-05-03 주식회사 아모그린텍 광 여기 발광장치와 그 제조방법, 및 이를 이용한 백색 광원
WO2009145500A2 (ko) * 2008-04-04 2009-12-03 주식회사 에이엠오 광 여기 발광장치와 그 제조방법, 및 이를 이용한 백색 광원
WO2009125471A1 (ja) 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
JP5181019B2 (ja) * 2008-04-07 2013-04-10 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
JP5350365B2 (ja) * 2008-04-07 2013-11-27 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
WO2009125472A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
KR100933529B1 (ko) * 2008-05-28 2009-12-23 재단법인서울대학교산학협력재단 광자결정 구조체를 구비한 발광소자
WO2009145571A2 (ko) * 2008-05-28 2009-12-03 서울대학교산학협력단 광자결정 구조체를 구비한 발광소자
KR100974629B1 (ko) 2008-11-11 2010-08-10 국민대학교산학협력단 백색 ｌｅｄ 소자
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
WO2010129374A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Qd Vision, Inc. Optical materials, optical components, and methods
EP2465147B1 (en) 2009-08-14 2019-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
KR101653744B1 (ko) * 2009-08-27 2016-09-05 삼성전자주식회사 수광소자 및 이를 포함한 촬상소자
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
JP2013508895A (ja) 2009-10-17 2013-03-07 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 光学部品、これを含む製品およびこれを作製する方法
US8796719B2 (en) 2010-02-25 2014-08-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element, display and display device
KR20130083388A (ko) * 2010-05-20 2013-07-22 다리엔 루밍라이트 컴퍼니 리미티드 벗겨지는 광변환 발광필름
JP5429114B2 (ja) * 2010-08-26 2014-02-26 住友大阪セメント株式会社 赤外線透過黒色膜、赤外線透過黒色膜を用いた膜付き基材及び画像表示装置
DE102010042945A1 (de) * 2010-10-26 2012-04-26 Schott Ag Transparente Schichtverbunde
US10343946B2 (en) 2010-10-26 2019-07-09 Schott Ag Highly refractive thin glasses
US10308545B2 (en) 2010-10-26 2019-06-04 Schott Ag Highly refractive thin glasses
US9039266B2 (en) 2010-10-27 2015-05-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Reflective color display with backlighting
RU2595711C2 (ru) * 2010-12-21 2016-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство с полимерсодержащими матрицами
EP2669350B1 (en) * 2011-01-28 2018-11-07 Showa Denko K.K. Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin
JP2014224836A (ja) * 2011-09-16 2014-12-04 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
US8921872B2 (en) 2011-12-09 2014-12-30 Sony Corporation Display unit and method of manufacturing the same, electronic apparatus, illumination unit, and light-emitting device and method of manufacturing the same
TW201334622A (zh) * 2012-02-10 2013-08-16 Wintek Corp 有機電致發光顯示裝置
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
ITMI20121951A1 (it) * 2012-11-16 2014-05-17 D Mendeleyev Univ D Sistema di rivelazione di radiazione uv, convertitore ottico uv-visibile e metodo di rivelazionedi radiazione ultravioletta.
KR102203603B1 (ko) * 2013-03-14 2021-01-14 나노시스, 인크. 나노결정을 위한 알킬-산 리간드
WO2015024008A1 (en) 2013-08-16 2015-02-19 Qd Vision, Inc. Methods for making optical components, optical components, and products including same
TWI544620B (zh) 2014-12-30 2016-08-01 業鑫科技顧問股份有限公司 顯示面板
US10081764B2 (en) * 2015-07-03 2018-09-25 National University Corporation Nagoya University Tellurium compound nanoparticles, composite nanoparticles, and production methods therefor
JP6293710B2 (ja) 2015-07-22 2018-03-14 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
KR102374025B1 (ko) * 2016-12-28 2022-03-14 디아이씨 가부시끼가이샤 발광 소자 및 그것을 이용한 화상 표시 소자
US10540865B2 (en) 2017-04-27 2020-01-21 Facilasystems, LLC Visually indicating a waning power source of a safety sensor
US20220185974A1 (en) 2019-03-19 2022-06-16 Konica Minolta, Inc. Wavelength conversion film, wavelength conversion device, light-emitting member, authentication device, wristband-type electronic device and biometric device
EP4010449A1 (en) * 2019-08-05 2022-06-15 Nexdot Fluorescent film and conversion layer
KR20210061858A (ko) * 2019-11-20 2021-05-28 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
TWI719778B (zh) * 2019-12-25 2021-02-21 財團法人印刷創新科技硏究發展中心 螢光物的影像模擬方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795932B2 (ja) 1989-11-09 1998-09-10 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP3037610B2 (ja) 1995-02-13 2000-04-24 出光興産株式会社 赤色蛍光変換膜及びそれを用いた赤色発光素子
KR100251649B1 (ko) 1997-04-22 2000-04-15 윤종용 반도체장치제조공정용초순수의제조를위한살균조성물 및 이를이용한초순수제조장치의살균방법
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6608439B1 (en) 1998-09-22 2003-08-19 Emagin Corporation Inorganic-based color conversion matrix element for organic color display devices and method of fabrication
WO2005097939A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 蛍光変換媒体及びカラー発光装置
US20070164661A1 (en) * 1999-07-26 2007-07-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluorescent conversion medium and color light emitting device
CN1185323C (zh) * 2001-09-18 2005-01-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用紫光二极管将发光材料变换成白色发光的方法
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
CN1706227B (zh) 2002-10-18 2010-11-24 伊菲雷知识产权公司 彩色电致发光显示器
EP1768467A4 (en) * 2004-07-15 2009-01-21 Idemitsu Kosan Co ORGANIC EL DISPLAY
JPWO2006103907A1 (ja) 2005-03-29 2008-09-04 出光興産株式会社 赤色蛍光変換媒体及びそれを用いた色変換基板、発光デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102023380A (zh) * 2009-09-23 2011-04-20 三星电子株式会社 显示装置
CN112867967A (zh) * 2018-08-31 2021-05-28 纳米系统公司 提高量子点颜色转换层中的色域性能和效率

Also Published As

Publication number Publication date
EP2048915A1 (en) 2009-04-15
US20080029710A1 (en) 2008-02-07
JP2008041361A (ja) 2008-02-21
EP2048915A4 (en) 2011-03-09
KR20090051161A (ko) 2009-05-21
WO2008015807A1 (fr) 2008-02-07
US7986088B2 (en) 2011-07-26
CN101502173B (zh) 2011-07-27
TW200810595A (en) 2008-02-16

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