CN101495272B - 包含封装在聚合物外壳中的液体有机材料芯体的化学机械抛光垫及其制造方法 - Google Patents

包含封装在聚合物外壳中的液体有机材料芯体的化学机械抛光垫及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种化学机械抛光(CMP)垫以及制造这种CMP垫的方法，所述抛光垫包含有在聚合物基质中封装有液体有机材料的聚合物外壳的芯体，所述液体有机材料的沸点或分解点为130℃或更高，所述CMP抛光垫的抛光表面上具有由芯体形成的开放孔。具有高硬度和高密度的这种CMP抛光垫提升了抛光效率与晶片的平整度，并且保持了芯体的尺寸均匀，从而制作出具有高抛光效率和稳定的抛光性能的抛光垫。

Description

包含封装在聚合物外壳中的液体有机材料芯体的化学机械抛光垫及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种化学机械抛光垫(CMP)及其制造方法，更具体的，涉及一种由聚合物基质构成的化学机械抛光垫，该聚合物基质包含封装在聚合物外壳内的液体有机材料。
背景技术
通常，抛光过程包括将粗糙的表面打磨形成如玻璃一样的平面。当用抛光垫反复均匀地抛光物体表面时，存在于抛光垫与物体之间界面中的极细颗粒的浆液会使物体得以抛光。特别是在制造半导体的过程中，由于晶片的平整化会对半导体集成有很大的影响，因此必须要为了晶片的平整化进行化学机械抛光(CMP)的工艺。
在CMP工艺中用到的和抛光垫有关的常规方法有三种。
一种是填充入天然毛毡如羊毛、天然织物纤维、混入氨基甲酸酯的毛毡聚酯以及其它填充物中的一种的氨基甲酸酯抛光垫。另外一种是不需要填充物但包含能够储存浆液的气泡或孔的抛光垫。还有一种是使用了具有能够储存浆液的微孔的均匀聚合物基质的抛光垫。
关于氨基甲酸酯抛光垫，专利号为N0.4,927,432的美国专利批露了一种由混合有使用孔及突起纤维的氨基甲酸酯的聚酯毛毡构成的抛光垫。尽管上述专利描述的抛光垫展示了极佳的平整度，但由于该抛光垫的硬度低，因此抛光速度也低。
关于另外一种抛光垫，专利号为No.5,578,362的美国专利披露了一种具有半圆形凹陷部分的表面结构的抛光垫，该抛光垫通过将聚氨酯与中空球形辅料混合而制成。这种抛光垫由于其极佳的抛光速度及平整度而被普遍使用。然而，当混入不同的辅料时，由于辅料的低密度使得难以实现均匀分布，这使得难以统一地制备出具有规则密度偏差的抛光垫。并且，随着抛光的进行，平整度误差会增加。由于辅料的中空形状，要制备出高硬度的抛光垫以改进抛光效率也很困难。
专利号为No.6,685,540的美国专利披露了一种使用固相聚合物作为填充物的抛光垫。然而，抛光垫中没有用来收集浆液的位置，因此降低了抛光效率。
此外，专利号为No.6,790,883的美国专利批露了一种通过将聚合物基质与水溶性有机和无机原料混合在一起而制成的抛光垫。该材料溶于水后产生的空的空间用作能够收集浆液的孔。然而，由于产生这样一个收集浆液的空间需要时间，因此致使抛光效率降低。并且，材质的性质退化以及水溶性原料的水溶解度致使该抛光垫的寿命很短。
此外，专利号为No.0495404的韩国专利批露了一种含有嵌入的液体微元素的抛光垫及制造方法。根据描述，因为制造工艺中所用的全部成分都是液态的，所以制造所述抛光垫的工艺很简单。然而，已经知道，起初与氨基甲酸酯聚合物基质混合的嵌入的液体微成分并不具有特定的尺寸。因此，在氨基甲酸酯反应过程中，需要控制为收集由液体微成分构成的浆液而留出的空间的尺寸。由于要在一个很短的氨基甲酸酯反应时间内形成均匀的浆液收集空间，所以要求所述液体与氨基甲酸酯性质不相容，并且难以在制造过程中以很小的变化来控制均匀的浆液收集空间的尺寸。此外，由于使用了与聚合物基质性质不相容的液体，因此由于存在液体材料会朝所述抛光垫的表面转移的现象，粘合强度会降低。再者，由于氨基甲酸酯基质的特性退化，导致抛光垫的寿命很短，并且由于空间中仅存有液体，所以抛光垫自身硬度有所降低。因此，很难满足半导体工艺对晶片平整度的要求。
此外，公开号为No.2001-0005435的韩国专利文献批露了用于抛光垫的氨基甲酸酯模具，所述氨基甲酸酯模具是通过将膨胀中空的微球体和加热时不起泡膨胀的微球体中的一种，以及具有异氰酸酯基端预聚物和包含活性氢的化合物的水混合并硬化而制备而成的。然而，上述方法存在一个问题，就是在氨基甲酸酯反应期间由微球体与水产生的气泡会膨胀或形成泡沫，由此使气泡变形并降低了其密度和硬度。而且，由于气体被用作浆液收集空间，因此所述抛光垫的硬度和密度不会得到提升。
专利号为No.6,777,455的美国专利批露了一种通过混合惰性气体制备的微氨基甲酸酯泡沫的抛光垫。在该专利中，难以提高通过混合惰性气体制备的抛光垫本身的硬度，在CMP工艺中，低硬度会造成凹陷和侵蚀，并且改善晶片的平整度也很困难。
另外，有一种无气泡均匀氨基甲酸酯抛光垫，所述抛光垫利用其表面的纹理来实现抛光功能。然而，所述抛光垫会在物体的抛光面留下划痕，并由于抛光过程中浆液量的不足，而使抛光速度很低。
到目前为止，通过混合、固化、以及灌注孔、填充料和无纺材料从而获得其弹性和硬度的抛光垫被广泛的使用着，考虑到制造过程的容易度，这些抛光垫使用了聚氨酯聚合物基质。此外，除聚氨酯基质之外，包含某些上述不同种类的材料、孔、气泡以及能够在CMP工艺中形成凹陷部分的不同材料的抛光垫，也在一些半导体工艺或玻璃的平整化工艺中得到普遍的使用。
然而，当聚氨酯基质包含有孔或气泡时，密度的偏差会因其分布的不均匀而增加，从而对于每一批次产生抛光功能的差别，以及对于同一批次的每一部分产生密度上的差别，还有平整度误差的问题，这种误差会随抛光过程的进行而增大。
随着半导体工艺的改善，要求提供一种具有极佳功能的抛光垫，比如高抛光效率、稳定的抛光功能、晶片的平整度以及制造抛光垫的便利性。
为满足对半导体高度集成与平整度日益增长的要求，抛光垫必须具有高硬度、高抛光效率以及稳定的抛光功能。但在通常情况下，尽管抛光垫的抛光效率开始是高的，随着时间的推移抛光效率也会变差。同样，由于中空辅料的低密度，稳定地制造高硬度和高密度的抛光垫也较为困难。
另一方面，具有稳定抛光功能的无气泡氨基甲酸酯抛光垫能够具备高硬度和高密度，并保持晶片的平整度。但是，这种抛光垫的抛光效率相对较低。
发明内容
技术问题
如上所述，一般的抛光垫对满足对半导体高集成度与高平整度日益增长的要求较为困难。
因此，本发明的一个方面提供了一种具有高硬度、高密度、高抛光效率以及稳定抛光功能的抛光垫及其制造方法，并且制造方便。
技术方案
根据本发明的一个方面，本发明提供一种化学机械抛光(CMP)垫，所述抛光垫包含有在聚合物基质中封装了液体有机材料的聚合物外壳的芯体，所述液体有机材料的沸点或分解点为130℃或更高，所述CMP垫在其抛光表面上具有由芯体形成的开放孔。
所述聚合物外壳的密度可以为0.5到1.5g/cm3.
所述聚合物外壳的材料可以选自聚苯乙烯-丙烯酸脂共聚物、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、硅酮、环氧树脂、聚氨酯、聚酯、尼龙、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、丙烯酸树脂及其混合物。
所述液体有机材料可以选自由CnHm(n是从9到16的整数)的混合物形成的烃类溶剂或改性的烃类溶剂；邻苯二甲酸酯增塑剂；液体低聚物，分子量约为10,000或更小，粘度约为5×108cps/20℃或更小；高沸点的溶剂，如N，N-二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物。
所述邻苯二甲酸酯增塑剂可以选自邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二异壬酯、己二酸二辛酯、偏苯三酸三辛酯、邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸二异癸酯。所述液体低聚物可以选自聚丙二醇、聚乙二醇、聚亚甲基二醇、多羟基化合物酯、多羟基化合物碳酸酯、聚Hanstoff分散系和聚异氰酸酯多加成物。
所述聚合物基质可以选自聚氨酯、聚酯、尼龙、压克力、环氧树脂、硅酮、聚碳酸酯及其混合物。
所述芯体可以每一百份树脂(phr)中1到200份的比例包含于聚合物基质中。
所述芯体尺寸可以是从1到200μm。
抛光垫的硬度可以为60 Shore D或更高。
根据本发明的另一方面，提供了一种生产CMP垫的方法，该方法包括：使用主料和硬化剂通过双液浇铸法制备聚合物基质；并将聚合物基质与封装有液体有机材料的聚合物外壳的芯体相混合。
更优选的，封装有液体有机材料的聚合物外壳的芯体可以和主料和硬化剂中的至少一种相混合。
附图说明
图1是示出根据本发明示例性实施例的抛光垫的示意图；以及
图2是示出抛光垫硬度降低的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将会参照附图对本发明的示例性实施例进行详细的说明。
图1是示意图，示出了由聚合物基质3构成的化学机械抛光(CMP)垫，所述聚合物基质3包含具有封装了液体有机材料2的聚合物外壳1形式的芯体。
本发明中，聚合物基质由下述材料其中一种形成：聚氨基甲酸酯、聚酯、尼龙、亚克力、环氧树脂、硅酮、聚碳酸酯及其混合物。特别是，聚合物基质可以由聚氨基甲酸酯形成。
聚氨基甲酸酯可以通过将主料和硬化剂两种液体经过浇铸来制备。混合主料和硬化剂时，包含封装在聚合物外壳内的液体有机材料的芯体可以和主料和硬化剂中的至少一种混合。
在聚合物基质中，包含了具有以聚合物外壳封装液体有机材料形式的芯体，因此在抛光过程中，使得抛光垫的硬度提升至60D以上，并且随着抛光垫的磨损，露出并打开抛光垫中的芯体从而为储存浆液持续地提供空间。
使用常规中空孔来获得具有高硬度和高密度的抛光垫是不可能的。根据本发明的示例性实施例，可以获得通过包含封装有液体有机材料的芯体而具有高硬度和高密度的抛光垫，并且可以通过混合彼此具有相似密度的材料来制备均匀的抛光垫。另外，即使在长时间抛光后，根据上述方法制备的抛光垫的底部因浆液的浸蚀而变软并且抛光垫自身硬度随着时间的推移变差也是可以控制的，因此可以获得稳定的抛光效率。
与聚合物基质密度类似的聚合物材料，比如氨基甲酸酯，可以用作聚合物外壳以减少基质混合物的缺陷并减少晶片平整度偏差。具体地，其密度可以是从0.5到1.5g/cm3。而且，作为构成聚合物外壳的材料，可以选自聚苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、硅酮、环氧树脂、聚氨酯、聚酯、尼龙、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、丙烯酸树脂及其混合物。特别地，所述聚合物外壳可以是聚丙烯酸酯。
所述液体有机材料可以选自烃类溶剂和改性烃类溶剂，这种溶剂是CnHm的混合物，其中n为从9到16的整数，如Hosung Chemex有限公司生产的CX-2100、CX-2500和CX-2700；邻苯二甲酸酯增塑剂，如邻苯二甲酸二酯、邻苯二甲酸二异壬酯、己二酸二辛酯、偏苯三酸三辛酯、邻苯二甲酸二丁酯，以及邻苯二甲酸二异癸酯；液体低聚物，所述液体低聚物的分子量约为10,000或更小，粘度约为5×108cps/20℃或更小，且分解点为130℃或更高，这是一种改性的多羟基化合物，如聚丙二醇、聚乙二醇、聚亚甲基二醇、多羟基化合物酯、多羟基化合物碳酸酯、聚Hanstoff分散系和聚异氰酸酯多加成物(polyisocyanatepolyaddition)；具有高沸点的溶剂，如N，N-二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物。
此外，沸点或分解点可以高于130℃，而且更具体的，高于160℃，上述液体低聚物就不容易因聚合物基质产生的聚合热而挥发。当液体有机材料的沸点低于130℃时，由于在氨基甲酸酯的反应过程中芯体的变形，可能无法获得高密度和高硬度的抛光垫。
聚合物基质中可以含有1到200phr的所述芯体，且更具体的，基于聚合物基质可以是10到60phr的芯体。当芯体的含量低于1phr时，抛光特性如抛光速度和平整度会很低。因为芯体的均匀分布较困难，所以当芯体的含量高于200phr时，稳定的制备抛光垫以及获得稳定的抛光效率较为困难。
芯体的尺寸可以是1到200μm，而且更具体的，是10到70μm。当尺寸小于1μm时，由于抛光浆液的量少，无法提高抛光特性如抛光速度和平整度。当尺寸大于200μm时，不适合用氨基甲酸酯模具来制备抛光垫。
示例
下文将参照示例详细地描述本发明。然而，本发明并不局限于这些示例。
示例1
将1000克聚四甲撑二醇(PTMEG)(官能团2，Mw＝1000)倒入反应容器，并将1262克二苯基亚甲基二异氰酸酯(MDI)倒入反应容器。在80℃的温度下将上述两种液体搅拌三小时制得末端均由异氰酸酯形成的预聚物，即主料。至此，将封装在聚合物外壳内的500克由DongjinSemichem Co.，Ltd.生产的MS-220D液体有机材料倒入并用高速混匀器混匀。MS-220D是一种由封装了液体有机材料的聚丙烯酸酯外壳形成的芯体，该液体有机材料是沸点为160℃或更高的烃类液体有机材料CnHm混合溶剂，其中n为从9到16的整数。
与主料相混合的硬化剂可以通过将1080克4，4’-亚甲基-双(O-氯苯胺倒入容器并在130℃的温度下加热三小时并从中去除孔来制备。
用高速混匀器将主料和硬化剂按照当量比为1∶1混合进行氨基甲酸酯反应，并倒入25英寸的开口环形模具内进行硬化。将按上述方法制备的氨基甲酸酯饼按原样在80℃下放置24小时并完全反应以熟化。
本例中，制备好的聚氨基甲酸酯密度为1.105g/cm3，硬度为67D(由Shore D测量)。块状的聚氨基甲酸酯被切割并切成长度为20英寸的片。用激光在聚氨基甲酸酯表面形成宽度为400μm，间距为0.5英寸的XY形状的槽。通过用双面胶带将缓冲垫贴到聚氨基甲酸酯的底部来制备抛光垫。
示例2
除了MS-220D的加入量不同，制备氨基甲酸酯饼的方法和示例1类似。本例中，加入量为1000克。
示例3
除了MS-220D的加入量不同，制备氨基甲酸酯饼的方法和示例1类似。本例中，加入量为1500克。
示例4
抛光垫是通过用和示例1类似的方法制备氨基甲酸酯饼、并同时形成尺寸为180μm和间距为300μm的微孔、以及用激光在饼的表面形成槽的方法来制备的。
本例中，聚氨基甲酸酯饼的密度为1.1g/cm3，硬度为66 Shore D.
对比示例1
除了封装了液体有机材料的聚合物外壳的芯体，制备氨基甲酸酯饼的方法和示例1类似。
本例中，聚氨基甲酸酯饼的密度为1.145g/cm3，硬度为68D(由Shore D测量)。聚氨基甲酸酯饼被切割并切成长度为20英寸的片。用激光在聚氨基甲酸酯表面形成尺寸为180μm，间距为300μm的微孔。之后，通过用双面胶带将缓冲垫贴到聚氨基甲酸酯的底部来制备抛光垫。
对比示例2
将500％重量百分比的由Uniroyal ADIPENETM L-325和浓度为2.2meg/g的异氰酸酯基团形成的聚醚预聚物与13g的EXPANCEL 551DE(由亚乙烯基氯化物和丙烯腈构成的共聚物形成的微壳)进行混合、减压以从中去除孔，并且边搅拌边向其中加入145g已在120℃下融化了的4，4’-亚甲基-双(O-氯苯胺)。将混合物搅拌约一分钟后倒入开口环形模具中，在100℃烤箱中熟化6小时，从而制得单元直径为40μm的聚氨酯微泡沫块。得到的聚氨酯微泡沫块的密度为0.75g/cm3。用激光形成凹槽。
分别测试按示例1到4和对比示例1和2制备的抛光垫的性能。施加到所制备的抛光垫的化学机械抛光(CMP)工艺的条件如下，CMP机采用AVANTI-472(IPEC Co.，Ltd)，浆液采用二氧化硅浆液(CheilIndustries，Starplanar-4000)，流量为200ml/分钟，抛光负载为7psi，抛光垫每分钟旋转46次，晶片每分钟旋转38次。在上述条件下对晶片的均匀度、平均抛光速度和划痕的数量进行了测量。测量结果见表1。
平均抛光速度
抛光平均速度是按照对8英寸的硅酮晶片在上述条件下抛光1分钟来测试的，所述晶片涂覆有1μm(10,000
Figure G200780028002XD00081
)的热氧化层。
晶片的均匀度
晶片的均匀度是通过对8英寸的硅酮晶片在上述条件下抛光1分钟后测量98个位置的厚度而获得的，所述晶片涂覆有1μm(10,000
Figure G200780028002XD00082
)的热氧化层。晶片的均匀度由以下公式得出：
晶片的均匀度(％)＝(最大厚度-最小厚度)/2×晶片平均厚度×100等式
划痕数量
划痕的数量是用KLA(TENCOR Co.，Ltd.KLA 2112)，通过对8英寸的涂覆有1μm(10,000
Figure G200780028002XD00083
)热氧化层的硅酮晶片在上述条件下抛光1分钟，并清洗，烘干晶片后，测量一块晶片上形成的微小划痕数目得到的。划痕数目越少，抛光垫的效果越好。市售的抛光垫的划痕数目可小于500。
表1
Figure G200780028002XD00091
如表1所示，根据示例1到4制备的抛光垫比根据对比示例2制备的抛光垫具有更高的硬度和密度，比根据对比示例1和2制备的抛光垫在平均抛光速度、晶片均匀度和划痕数目上具有更优异的值。在对每种含量下硬度降低的情况看，尽管按45phr的比例混合(很大的量)，本发明的抛光垫具有0.95g/cm3的高密度及65D的硬度，还是远高于包含孔的对比示例2中的54D，并且只比对比示例1用作硬抛光垫的高硬度68D略低。此外，对于抛光速度、划痕数目以及晶片均匀度，本发明的抛光垫相对于对比示例1及对比示例2的数据相对更高，并展示了稳定的数值。
示例5
用类似于示例1的方法，通过与封装在聚合物外壳内的液体有机材料形成的芯体相混合来制备氨基甲酸酯饼。
在本例中，加入体积分别为聚合物基质体积的5％、10％、20％、30％和40％的MS-220D并进行混合，由此制备出五种抛光垫。对每种抛光垫的硬度进行测量。测量结果如图2所示。
对比示例3：
用类似于对比示例2的方法，采用EXPANCEL 551DE，即由亚乙烯基氯化物和丙烯腈的共聚物形成的微壳代替封装在聚合物外壳中的液体有机芯体来制备氨基甲酸酯饼。
在本例中，加入体积分别为聚合物基质体积的5％、10％、20％、30％和40％的EXPANCEL 551DE并进行混，制备出五种抛光垫。对每种抛光垫的硬度进行测量。测量结果如图2所示。
对比示例4：
用类似于示例5的方法，采用豆油代替封装在聚合物外壳内的液体有机芯体来制备氨基甲酸酯饼。
在本例中，加入体积分别为聚合物基质体积的5％、10％、20％、30％和40％的豆油并进行混合，制备出五种抛光垫。对每种抛光垫的硬度进行测量。测量结果如图2所示。
对比示例5：
用类似于示例5的方法，采用环糊精代替封装在聚合物外壳内的液体有机芯体来制备氨基甲酸酯饼。
在本例中，加入体积分别为聚合物基质体积的5％、10％、20％、30％和40％的环糊精并进行混合，制备出五种抛光垫。对每种抛光垫的硬度进行测量。测量结果如图2所示。
图2是说明依照示例5和对比示例3到5的方法制备的抛光垫的硬度变化测量结果的曲线图。根据图2，可以看出通过与液体有机材料芯体混合而制备的抛光垫和常规的抛光垫差别不大。因此，可以知道由于保持了抛光垫的硬度，由此保持了抛光效率和晶片的平整度。
工业用途
本发明一方面提供了一种通过混合聚合物基质和具有封装在聚合物外壳中的液体有机材料形式的芯体来制备的抛光垫，以得到更高的抛光效率、更稳定的抛光性能以及晶片的平整度。因此，这种抛光垫可以具有大于60D的硬度以改进抛光效率和晶片的平整度，这对集成半导体工艺具有重要作用。可以通过使用与氨基甲酸酯密度类似的封装在聚合物外壳中的液体有机材料来减少由低密度中空辅料产生的缺陷。在130℃温度下的氨基甲酸酯反应中，芯体的尺寸可得以均匀保持，从而获得高抛光效率并且稳定地制备抛光垫。

Claims (17)

1.一种化学机械抛光垫，所述抛光垫包含有在聚合物基质中的封装有液体有机材料的聚合物外壳的芯体，所述液体有机材料的沸点或分解点为130℃或更高，所述化学机械抛光垫在其抛光表面上具有由芯体形成的开放孔，
其中所述液体有机材料选自下列材料中的至少一种：由CnHm的混合物形成的烃类溶剂或改性的烃类溶剂，其中n为从9到16的整数；邻苯二甲酸酯增塑剂；液体低聚物，所述液体低聚物的分子量为10,000或更小，粘度为5×108cps/20℃或更小；N，N-二甲基甲酰胺及其混合物。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述聚合物外壳具有0.5-1.5g/cm3的密度。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述聚合物外壳选自聚苯乙烯-丙烯酸脂共聚物、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、硅酮、环氧树脂、聚氨酯、聚酯、尼龙、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、丙烯酸树脂及其混合物。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述邻苯二甲酸酯增塑剂选自邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二异壬酯、己二酸二辛酯、偏苯三酸三辛酯、邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸二异癸酯。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述液体低聚物选自聚丙二醇、聚乙二醇和多羟基化合物酯。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述聚合物基质选自聚氨酯、聚酯、尼龙、压克力、环氧树脂、硅酮、聚碳酸酯及其混合物。
7.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述芯体以每一百份树脂中1到200份的比例包含于聚合物基质中。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述芯体的尺寸为1-200μm。
9.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述抛光垫的硬度为60 ShoreD或更高。
10.一种制备化学机械抛光垫的方法，所述方法包括：
使用主料和硬化剂通过双液浇铸法制备聚合物基质；以及
将所述聚合物基质与封装有液体有机材料的聚合物外壳的芯体相混合，所述液体有机材料的沸点或分解点为130℃或更高，
其中所述液体有机材料选自下列材料中的至少一种：由CnHm的混合物形成的烃类溶剂或改性的烃类溶剂，其中n为从9到16的整数；邻苯二甲酸酯增塑剂；液体低聚物，所述液体低聚物的分子量为10,000或更小，粘度为5×108cps/20℃或更小；N，N-二甲基甲酰胺及其混合物。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述封装有液体有机材料的聚合物外壳的芯体与所述主料和所述硬化剂中的至少一种相混合。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述聚合物外壳的芯体按每一百份树脂中1到200份的比例包含在所述聚合物基质中。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述聚合物基质选自聚氨酯、聚酯、尼龙、压克力、环氧树脂、硅酮、聚碳酸酯及其混合物。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述聚合物外壳具有0.5到1.5g/cm3的密度。
15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述聚合物外壳选自聚苯乙烯-丙烯酸脂共聚物、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、硅酮、环氧树脂、聚氨酯、聚酯、尼龙、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、丙烯酸树脂及其混合物。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述邻苯二甲酸酯增塑剂选自邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二异壬酯、己二酸二辛酯、偏苯三酸三辛酯、邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸二异癸酯。
17.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述液体低聚物选自聚丙二醇、聚乙二醇和多羟基化合物酯。
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