CN101490915B - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及半导体激光装置，尤其涉及在高输出工作时使基本横模振荡稳定的技术。
背景技术
半导体激光装置是在光盘装置中为了向DVD(Digital Versatile Disc)或CD(Compact Disc)等光盘进行数据的写入而必需且不可缺少的光器件。
近年来，在光盘装置中寻求向光盘的数据写入速度的高速化，为了实现该高速化，半导体激光的高输出化成为不可缺少的条件。
图9是表示专利文献1中公开的以往的高输出的半导体激光装置20的构造的截面图。
半导体激光装置20在n型GaAs基板10上形成，在该基板10上，依次层叠有n型GaAs缓冲层11、n型AlGaInP第一包层(clad)12、AlGaInP活性层13、p型AlGaInP第二包层14、p型GaInP保护层15。
由此，活性层13形成为由因为活性层13而能带间隙较大的2个包层12、14夹持的双异质(Double-Hetero)构造。
另外，如图9所示，通过p型AlGaInP第二包层14，在活性层13上，形成了上表面为平坦的凸部的脊(ridge)。进而，上述脊以凸部的上表面外露的方式由n型AlGaInP电流阻碍层16覆盖，并以覆盖该n型AlGaInP电流阻碍层16和位于凸部的上表面上的p型GaInP保护层15的方式，层叠有p型GaAs接触层17。
高输出的半导体激光装置20中，为了提高光的取出效率，使共振器的前方的解理面上的反射率为5-10％左右，后方的解理面上的反射率为95-100％左右，来分别进行开面涂层。
因此，在半导体激光装置20内产生的光分布强度在解理面的前后为非对称，前方的解理面附近的光分布强度比后方的解理面附近高2倍左右。
其结果是，在光密度高的前方的解理面附近的区域中，比光密度低的后方的解理面附近的区域需要更多的受激发射光，为了产生更多的受激发射光，在前方的解理面附近的区域的活性层13上，需要比后方的解理面附近的区域的活性层13更多的电子-空穴对(以下称为载流子)。
因此，在半导体激光装置20中，如图10所示，构成为：相对于脊延伸的共振器方向(图9的相对于纸面正交的方向)，上述脊(凸部)上表面的宽度(相当于P型GaInP保护层15的宽度)从前方的解理面至后方的解理面以直线性变小。
具体地说，上述脊上表面的形状从前方的解理面至后方的解理面为逆梯形形状。
由此，在光密度高的前方的解理面附近的区域的活性层13中能够注入更多的载流子，所以增益的饱和直到高输出也很难发生，能够得到高的热饱和水平，并且上述脊上表面的宽度狭窄的部分抑制高次横模的振荡，能够抑制扭折(kink)的发生。
专利文献1：日本特开2005-209952号公报
但是，在专利文献1公开的发明中，与在半导体激光装置20内产生的光分布强度的偏置对应的脊上表面的宽度的调整，是通过不对前方的解理面侧的脊上表面的宽度设置限制、而在共振器方向上决定脊上表面的宽度为最小的位置来执行的，因此，例如在前方的解理面侧的脊上表面的宽度与后方的解理面侧的脊上表面的宽度的差变大的情况下，产生下述问题，即：横模振荡的激光的放射损失增大，相对于载流子的注入量，从前方的解理面能够取出的激光的光量减少，热饱和水平降低。
发明内容
本发明鉴于上述问题，目的在于提供一种半导体激光装置，能够防止在高输出工作时的激光输出的热饱和水平的降低，进行稳定的基本横模振荡。
为了达成上述课题，本发明是一种具有脊条(ridge stripe)构造的半导体激光装置，其特征在于，具备以下结构：包层，具有凸部；以及电流阻碍层，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；凸部的上表面的宽度W在前后两端的解理面间变化，设前后两端的解理面间的距离为L，前方的解理面侧的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面侧的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr，在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围的任意的位置上，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
在上述结构中，在与前方的解理面的距离比L/2大、比L小的范围内，W也可以随着接近后方的解理面而逐渐减小。
在上述结构中，也可以是，Wf为2.5μm以上6μm以下，进而优选为3.0μm以上4.8μm以下，Wr为0.8μm以上2.5μm以下，进而优选为1.5μm以上2.2μm以下。
另外，在上述结构中，也可以是，以与前方的解理面的距离D为0.45L≤D≤0.55L的范围内的任意的位置X作为起点、以后方的解理面的位置作为终点的范围内的锥角，比以前方的解理面的位置作为起点、以X作为终点的范围内的锥角大。
进而，设以X作为基点、以后方的解理面的位置作为终点的范围内的锥角为α，以前方的解理面的位置作为起点、以X作为终点的范围内的锥角为β时，α在0.27°≤α≤0.37°的范围内，β在0.01°≤β≤0.1°的范围内。
另外，在上述结构中，也可以是，在从后方的解理面向前方的解理面的方向上，在50μm以下的规定的距离的范围内，W＝Wr。
本发明通过具备上述结构，前方的解理面侧的包层的凸部的上表面的宽度比后方的解理面侧宽，以使在共振器的前方侧的区域中供给更多的载流子，所以在高输出的半导体激光装置中，在光分布强度高的区域中，能够有效地防止由于载流子供给不足而产生光输出的热饱和。
另外，在前方的解理面侧的区域中，使上述凸部的上表面的宽度不急剧变窄，所以能够使发出的光的波导损耗减少，相对于载流子的注入量，能够提高光从前方的解理面的取出效率。
另外，加宽注入电流的路径，能够减小路径上的电阻，所以能够有效地减小半导体激光装置的工作电压。
在上述结构中也可以是，在与前方的解理面的距离比L/2大、比L小的范围内，W随着接近后方的解理面而逐渐减小。
由此，上述凸部的上表面的宽度随着向光分布强度变小的后方的解理面侧前进而逐渐减小，所以在后方的解理面侧抑制高次横模产生，能够抑制因高次横模的产生而引起的扭折水平(电流-光输出特性变为非直线性的光输出水平)的降低。
在上述结构中也可以是，在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，W随着远离前方的解理面而逐渐减小。
由此，上述凸部的上表面的宽度对应前方的解理面侧的区域中的光分布强度的变化而逐渐减小，所以在前方的解理面侧抑制高次横模产生，能够抑制因高次横模的产生而引起的扭折水平(电流-光输出特性变为非直线性的光输出水平)的降低。
在上述结构中也可以是，上述电流阻碍层包括折射率小于3.2的电介质。
由此，与以往在电流阻碍层中使用的AlGaInP的折射率(3.2-3.6)相比，能够减小电流阻碍层的折射率，能够提高光的封入效果。
另外，也可以是，与前方的解理面的距离D在0.25L≤D≤0.35L的范围内，W与Wf相等，在超出该范围的范围内，W在远离前方的解理面的方向上逐渐减小。
进而，也可以是，以D为0.65L≤D≤0.75L的范围内的任意的位置Y为起点、以后方的解理面的位置为终点的范围内的锥角，比以W开始逐渐减小的位置为起点、以Y为终点的范围内的锥角大。
另外，进而，也可以是，以Y为起点、以后方的解理面的位置为终点的范围内的锥角为α，以W开始逐渐减小的位置为起点、以Y为终点的范围内的锥角为β时，α在0.27°≤α≤0.37°的范围内，β在0.01°≤β≤0.1°的范围内。
由此，在前方的解理面侧抑制高次横模产生，能够抑制因高次横模的产生而引起的扭折水平的降低，并且在后方的解理面侧抑制高次横模产生，能够抑制因高次横模的产生而引起的扭折水平的降低。
附图说明
图1是表示半导体激光装置100的构造的截面图。
图2是表示半导体激光装置100的脊的外观的侧视图。
图3表示半导体激光装置100产生的光的共振器方向的光分布强度。
图4是表示由图2的203表示的共振器方向上的脊宽度的分布的图。
图5是表示半导体激光装置100的制造工序的图。
图6表示电流-光输出特性曲线。
图7是表示半导体激光装置的类型与工作电压的关系的图。
图8是表示半导体激光装置200中的脊延伸的共振器方向上的脊宽度的分布的图。
图9是表示专利文献1公开的以往的高输出的半导体激光装置20的构造的截面图。
图10是表示专利文献1公开的以往的高输出的半导体激光装置20的共振器方向上的脊宽度的分布的图。
图11是表示半导体激光装置300中的脊延伸的共振器方向上的脊宽度的分布的图。
图12是表示图4的变形例的图。
符号说明
10、101：n型GaAs基板
11、102：n型GaAs缓冲层
12、103：n型AlGaInP第一包层
13、104：AlGaInP活性层
14、105：p型AlGaInP第二包层
15、106：p型GaInP保护层
16、107：n型AlGaInP电流阻碍层
17、108：p型GaAs接触层
具体实施方式
以下对于为了实施本发明的最佳方式，参照附图进行说明。
(实施方式1)
<结构>
图1是表示本发明的方式1中的半导体激光装置100的构造的截面图。
半导体激光装置100构成为：在n型GaAs基板101上，依次层叠n型GaAs缓冲层102、n型AlGaInP第一包层103、AlGaInP活性层104、p型AlGaInP第二包层105。
而且，虽然在图1中未图示，但在后述的p型GaAs接触层108之上，设置有阳极电极，另外在n型GaAs基板101之下，设置有阴极电极。
在上述结构的半导体激光装置100中，AlGaInP活性层104形成为由能带间隙大的n型AlGaInP包层103和p型AlGaInP包层105夹持的双异质构造。
AlGaInP活性层104如图1的左图所示，是由AlGaInP第一波导(guide)层g1、GaInP第一阱层w1、AlGaInP第一势垒层b1、GaInP第二阱层w2、AlGaInP第二势垒层b2、GaInP第三阱层w3及(AlGa)InP第二波导层g2构成的应变量子阱活性层。
另外，在p型AlGaInP包层105上，形成有上表面为平坦的凸部的脊。p型AlGaInP包层105以脊的上表面外露的方式由n型AlGaInP电流阻碍层107覆盖。
另外，脊如图2所示，相对于图1的纸面在正交的方向上延伸，与脊延伸的共振器方向(由图2的203所示。)正交的共振器的前方的解理面201、后方的解理面202分别由电介质多层膜进行涂层，以使其成为规定的反射率(在此，使前方的解理面201的反射率为7％，后方的解理面202的反射率为95％。)。
为了提高光的取出效率，优选前方的解理面201上的反射率为5-10％左右，后方的解理面202上的反射率为95-100％左右。
图2的符号105表示图1所示的p型AlGaInP第二包层105，符号107表示图1所示的n型AlGaInP电流阻碍层107。
另外，图2的符号205表示在p型AlGaInP第二包层105上形成的凸形形状的脊的宽度(以下称为“脊宽度”。)。
图3表示半导体激光装置100产生的光的、共振器方向的光分布强度。图3的符号30表示光分布强度为最大的前方的解理面201附近的位置，符号32表示光分布强度为最小的后方的解理面202附近的位置，符号31表示与前方的解理面201和后方的解理面202分别为等距离的位置。如图3所示，光分布强度显示出从前方的解理面201向后方的解理面202逐渐减小的趋势，前方的解理面201附近的位置30的光分布强度与后方的解理面202附近的位置32相比，大致高2倍。
另外，如图1所示，在p型AlGaInP第二包层105上形成的脊的上表面上，层叠有p型GaInP保护层106，进而，形成有p型GaAs接触层108，以覆盖p型GaInP保护层106和n型AlGaInP电流阻碍层107。
半导体激光装置100中，电流经由电极从p型GaAs接触层108注入，通过n型AlGaInP电流阻碍层107变得狭窄，从上述脊上表面集中注入AlGaInP活性层104。
由此，通过几十mA的注入电流，能够实现激光振荡必须的载流子的反转分布状态。
这时，通过载流子的再结合而发出的光，在与AlGaInP活性层104的主面垂直的方向，由n型AlGaInP包层103及p型AlGaInP包层105封入在内部，在与上述主面平行的方向，由折射率比p型AlGaInP包层105小的n型AlGaInP电流阻碍层107封入在内部。
图4是表示由图2的203所示的共振器方向上的脊宽度的分布的图。具体而言，是表示凸形形状的脊的平坦的上表面所成的形状的图。
在半导体激光器100中，如图4所示，脊宽度构成为对应于上述脊的延伸方向上的位置而变化。
Wf表示上述脊与前方的解理面201正交的位置(以下，称为“前位置”。)上的脊宽度，Wr表示上述脊与后方的解理面202正交的位置(以下，称为“后位置”。)上的脊宽度，Wv表示在前位置和后位置之间的任意的位置(以下，称为“变动位置”。)上的脊宽度。
Wc表示与前位置和后位置两者等距离的位置(设前位置和后位置间的距离(相当于共振器长度的距离)为L，离前位置L/2的距离的位置)上的脊宽度，Wc设定为1/2(Wf+Wr)＜Wc≤Wf，更优选为1/2(Wf+Wr)+(Wf-Wr)/4＜Wc＜Wf，由图4的符号Sc所示的、与前位置的距离为L/2以内的范围内的脊上表面的面积设定为L/8(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf。
在此，关于Sc的上述不等式的左边在脊上表面形成的形状为图10所示的逆梯形形状的情况下，相当于与前位置的距离为L/2以内的范围内的脊上表面的面积(图10的Sc’)。
另外，上述不等式的右边在与前位置的距离为L/2以内的范围内，在将脊宽度固定为Wf的情况下，表示与前位置的距离为L/2以内的范围内的脊上表面的面积。
另外，如图4所示，Wv设定为从前位置向后位置方向逐渐减小。
通过如上所述的设定，Wv的逐渐减小量到达最佳。
由此，在本实施方式涉及的半导体激光装置100中，为了在光分布强度大的前方的解理面201侧的区域(具体而言，离开前方的解理面201为L/2(由图3的符号31所示的位置)以内的范围内的区域)中供给更多的载流子，设计为前方的解理面201侧的区域的脊宽度比后方的解理面202侧的区域的脊宽度宽，另外为了使上述脊的延伸方向上传播的光的放射损耗不变大，设计为在光分布强度大的前方的解理面201侧的区域中，脊宽度不急剧地变窄，所以在光分布强度高的区域中，能够有效地防止由于载流子供给不足而产生光输出的热饱和，并且能够减小脊宽度的宽窄的差而减少通过载流子的再结合而发出的光的波导损耗，相对于载流子注入量，能够提高来自前端面部201的光的取出效率。
另外，由于使注入电流的路径变宽，能够减小路径上的电阻，所以能够有效地减小半导体激光装置的工作电压。
为了得到上述效果，Wf优选为2.5μm以上，从抑制高次横模产生的观点出发，优选为6μm以下。
另外，为了使横模稳定，Wr优选为2.5μm以下，为了不增大路径电阻，Wr优选为0.8μm以上。
另外，构成半导体激光装置100的各层的厚度、组成、组成比可以任意设定。
例如，可以设定为：n型GaAs缓冲层102的厚度为0.5μm，n型AlGaInP包层103的组成比及厚度为(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49P、厚度1.2μm，P型AlGaInP包层105的组成比及厚度为(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49P、厚度0.2(最短部)-1.2μm，p型GaInP保护层106的组成比及厚度为Ga0.51In0.49P、厚度50nm，n型AlGaInP电流阻碍层107的组成比及厚度为AlGaInP、厚度0.7μm，p型GaAs接触层108的组成比及厚度为GaAs、厚度3μm。
另外，对于AlGaInP活性层104，可以设定为：第一波导层g1的组成比及厚度为(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P、厚度50nm，第一阱层w1的组成比及厚度为Ga0.48In0.52 P、厚度5nm，第一势垒层b1的组成比及厚度为(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P、厚度5nm，第二阱层w2的组成比及厚度为Ga0.48In0.52 P、厚度5nm，第二势垒层b2的组成比及厚度为(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P、厚度5nm，第三阱层w3的组成比及厚度为Ga0.48In0.52 P、厚度5nm，第二波导层g2的组成比及厚度为(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P、厚度50nm。
<制法>
图5是表示半导体激光装置100的制造工序的图。
如图5(a)所示，使用外延生长法，在n型GaAs基板101上，使n型GaAs缓冲层102、n型AlGaInP包层103、AlGaInP活性层104、p型AlGaInP包层105、p型GaInP保护层106依次生长。作为外延生长法，例如能够使用分子束外延法(MBE法)、有机金属气相生长法(MOCVD法)、气源MBE法。
接着，如图5(b)所示，在生长于最上部的p型GaInP保护层106之上，形成氧化硅膜110。氧化硅膜110的形成例如能够通过热化学蒸镀法(热CVD法)进行。
在形成的氧化硅膜110上涂敷光致抗蚀剂，通过光刻法及干式蚀刻法，使氧化硅膜110图形化为与图4所示的脊的分布图形相当的形状，如图5(c)所示，形成带状的氧化硅膜110，进而以带状的氧化硅膜110为掩模，选择性地蚀刻并除去该氧化硅膜110的区域周边的p型GaInP保护层106及p型AlGaInP包层105，如图5(d)所示，形成凸形形状的脊。
接着在以氧化硅膜110为掩模的状态下，在p型AlGaInP包层105之上，使用外延生长法，使n型AlGaInP电流阻碍层107选择性地生长并如图5(e)所示地层叠。作为外延生长法，例如能够使用MBE法、MOCVD法、气源MBE法。
接着如图5(f)所示，通过蚀刻，除去作为掩模使用的氧化硅膜110。
进而，使用外延生长法，如图5(g)所示，在n型AlGaInP电流阻碍层107及p型GaInP保护层106之上使P型GaAs接触层108生长并层叠。
(实施方式2)
本实施方式涉及的半导体激光装置200除了脊宽度的分布图形与图4所示的图形不同以外，与实施方式1的半导体激光装置100相同，所以以下仅对不同点进行说明。
图8是表示半导体激光装置200中的脊延伸的共振器方向上的脊宽度的分布的图。
如图8所示，Wv在与前位置的距离为L/3以内的范围内，设定为与Wf相等，若离开前位置超过L/3，则设定为到后位置为止直线性地逐渐减小。
与上述前位置的距离并不限定于L/3，是0.25L-0.35L的范围内的距离即可。
另外，在前文中，“Wv与Wf相等”指的是包括0.5％的误差而相等。
(实施方式3)
本实施方式涉及的半导体激光装置300除了脊的分布图形与图4所示的图形不同以外，与实施方式1的半导体激光装置100相同，所以以下仅对不同点进行说明。
图11是表示半导体激光装置300中的脊延伸的共振器方向上的脊宽度的分布的图。具体而言，是表示凸形形状的脊的平坦的上表面所成的形状的图。
如图11所示，Wv在与前位置的距离为L/3以内的范围内，设定为与Wf相等，若离开前位置超过L/3，则设定为到后位置为止逐渐减小。
而且，与上述前位置的距离并不限定于L/3，是0.25L-0.35L的范围内的距离即可。以下(在图11中以符号110表示的位置)也是同样。
进而设定为：从与前位置离开L/3的距离的位置(图11中以符号110表示的位置)在脊的延伸方向上规定距离的范围(0.65L-0.75L)内的任意的位置(在图11中以111表示。)作为起点、以后位置作为终点的范围(以下，称为“后范围”)中的锥角(图11中以θ2表示。)，比以符号110表示的位置作为起点、以符号111表示的位置作为终点的范围(以下，称为“前范围”。)中的锥角(图11中以θ1表示。)大(θ2＞θ1)。
在上述情况下优选θ1在0.01°≤θ1≤0.1°的范围内，θ2在0.27°≤θ2≤0.37°的范围内。
而且，所谓“锥角”，指的是凸形形状的脊的平坦的上表面所成的形状中、脊延伸方向的外轮廓线相对于图11(后述的图12中的锥角的情况为图12)的纸面上的正交坐标的x轴方向(由图2的203所示的共振器方向)所成的角度，在此，指的是上述前范围及后范围中的各外轮廓线(图11的112、113所示)相对于上述x轴方向所成的角度，对外轮廓线112的锥角由图11的θ1示出，同样地，对外轮廓线113的锥角由图11的θ2示出。
(实施例)
1.电流-光输出的相关关系
对于本实施方式1及2涉及的半导体激光装置100、200及以往的半导体激光装置20，分别使用电流-光输出(I-L)特性测量装置，在高温80℃脉冲、脉冲宽度50ns、占空比(duty)50％的脉冲条件下，测量表示电流与光输出的相关关系的电流-光输出特性，制作电流-光输出特性曲线。设各半导体激光装置的共振器长度为1500μm，Wf为3.5μm，Wr为1.9μm。
图6表示制作的电流-光输出特性曲线。如图6所示，在本实施方式1及2涉及的半导体激光装置100(由符号601表示)及200(由符号602表示)中，即使为350mW以上，也显示出不发生扭折、直线性好、良好的电流-光输出特性，与此相对，在以往的半导体激光装置20(由符号603表示)中，在320mW左右发生扭折。
2.工作电压的比较
对于在1中使用的各半导体激光装置，在图7中表示使用与1相同的I-L特性测量装置来测量工作电压的结果。测量条件是与1相同的脉冲条件，测量光输出为350mW时的工作电压。
图7所示的曲线图的纵轴表示工作电压，横轴表示各半导体装置中的脊上表面所占的总表面积。
如图7所示，在脊上表面的总表面积与工作电压之间，可以看到负的相关关系，随着脊上表面的总表面积的增大，工作电压显示出降低的趋势。
图7的符号601表示半导体激光装置100。符号602表示半导体激光装置200，符号603表示以往的半导体激光装置20。
与以往的半导体激光装置20相比，本实施方式1及2涉及的半导体激光装置100及200的脊上表面的总表面积较大，工作电压显著降低。
(补充)
以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但无需说明，本发明并不限于上述的实施方式。
(1)在本实施方式1中，通过限定Wc的范围，从而使脊宽度的变化最佳，但也可以如图12所示，进而通过限定规定的位置上的锥角的关系，从而使脊宽度的变化最佳。
具体而言，也可以设定为：以从前位置开始在脊的延伸方向上规定距离的范围(0.45L-0.55L)内的任意的位置(在图12中由120表示)作为起点、以后位置作为终点的范围中的锥角(在图12中由θ4表示的、对外轮廓线123的锥角)，比以前位置作为起点、以由符号120表示的位置作为终点的范围中的锥角(在图12中由θ3表示的、对外轮廓线122的锥角)大(θ4＞θ3)。
在上述情况下优选为：θ3在0.01°≤θ3≤0.1°的范围内，θ4在0.27°≤θ4≤0.37°的范围内。
由此，可以得到与限定Wc的范围时相同的效果。
(2)在本实施方式1及2中，作为电流阻碍层107使用了n型AlGaInP，但作为电流阻碍层能够使用折射率比AlGaInP的折射率(3.2-3.6)小的电介质材料，例如SiO2(折射率1.5)或SiN(折射率2.0)。包括上述电介质材料的电流阻碍层，例如能够使用大气压热CVD法形成。
由此，能够减小电流阻碍层的折射率，能够提高光的封入效果。
(3)在本实施方式中，在p型AlGaInP第二包层105上形成的脊的截面形状为梯形，但截面形状并不限于梯形，例如也可以是长方形或正方形。
(4)在本实施方式1及2中，对于使用AlGaInP类化合物半导体的红色半导体激光器应用了本发明涉及的脊形状，但本发明涉及的脊形状并不限于红色半导体激光器，在使用GaN类化合物半导体的蓝色半导体激光器中，同样也能够应用本发明涉及的脊形状。
(5)本发明涉及的脊形状也能够应用在双波长的半导体激光装置中。在本情况下，对应于各波长。
例如，也可以形成在共用的n型GaAs基板上具有与半导体激光装置100相同的带状构造的、第一波长用的半导体装置和第二波长用的半导体装置。
(6)本实施方式1-3中可应用的共振器长度并不限定于1500μm左右(1450μm-1550μm)，为至少800μm以上即可。
例如，可以为1700μm左右(1650μm-1750μm)的长度，也可以为2200μm左右(2150μm-2250μm)的长度。
(7)在本实施方式1-3的半导体激光装置中，在离开前位置超过规定的距离的范围内，将Wv设定为到后位置为止逐渐减小，但到后位置为止的距离为50μm以内的范围内，也可以不使Wv逐渐减小，而将Wv固定为Wf。
工业可利用性
本发明涉及半导体激光装置，尤其能够作为使在高输出工作时的基本横模振荡稳定的技术进行利用。

Claims (12)

1.一种半导体激光装置，具有脊条构造，其特征在于，具备：
包层，具有凸部；以及
电流阻碍层，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；
凸部的上表面的宽度W在前后两端的解理面间变化，
设前后两端的解理面间的距离为L，前方的解理面侧的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面侧的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr，
在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，
在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
2.如权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于，
在与前方的解理面的距离比L/2大、比L小的范围内，
W向后方的解理面逐渐减小。
3.如权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于，
在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，
W在远离前方的解理面的方向上逐渐减小。
4.如权利要求2记载的半导体激光装置，其特征在于，
在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，
W在与前方的解理面的距离为1/3L以内的范围内的任意的位置上与Wf相等，在超过该范围的范围内，在远离前方的解理面的方向上逐渐减小。
5.如权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于，
Wf为2.5μm以上6μm以下，Wr为0.8μm以上2.5μm以下。
6.如权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于，
上述电流阻碍层包括折射率小于3.2的电介质。
7.如权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于，
以与前方的解理面的距离D为0.45L≤D≤0.55L的范围内的任意的位置X作为起点、以后方的解理面的位置作为终点的范围内的锥角，比以前方的解理面的位置作为起点、以X作为终点的范围内的锥角大。
8.如权利要求7记载的半导体激光装置，其特征在于，
以X作为基点、以后方的解理面的位置作为终点的范围内的锥角为α，以前方的解理面的位置作为起点、以X作为终点的范围内的锥角为β时，α在0.27°≤α≤0.37°的范围内，β在0.01°≤β≤0.1°的范围内。
9.如权利要求2记载的半导体激光装置，其特征在于，
在与前方的解理面的距离D为0.25L≤D≤0.35L的范围内，W与Wf相等，在超出该范围的范围内，W在远离前方的解理面的方向上逐渐减小。
10.如权利要求9记载的半导体激光装置，其特征在于，
以D为0.65L≤D≤0.75L的范围内的任意的位置Y为起点、以后方的解理面的位置为终点的范围内的锥角，比以W开始逐渐减小的位置为起点、以Y为终点的范围内的锥角大。
11.如权利要求10记载的半导体激光装置，其特征在于，
以Y为起点、以后方的解理面的位置为终点的范围内的锥角为α，以W开始逐渐减小的位置为起点、以Y为终点的范围内的锥角为β时，
α在0.27°≤α≤0.37°的范围内，β在0.01°≤β≤0.1°的范围内。
12.如权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于，
在从后方的解理面向前方的解理面的方向上，在50μm以下的规定的距离的范围内，W＝Wr。
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