CN101490201B - 用于抛光氮化硅材料的组合物及方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 115
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 50
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 33
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 31
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- -1 phospho Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- JJJOZVFVARQUJV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexylphosphonic acid Chemical compound CCCCC(CC)CP(O)(O)=O JJJOZVFVARQUJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 4
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N itaconic acid Chemical compound OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 3
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDVOLDOITVSJGL-UHFFFAOYSA-N 3,7-dihydroxy-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound O1B(O)OB2OB(O)OB1O2 XDVOLDOITVSJGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzoic acid Chemical compound COC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 235000019395 ammonium persulphate Nutrition 0.000 description 2
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N glutaric acid Chemical compound OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N mandelic acid Chemical compound OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- ZWLPBLYKEWSWPD-UHFFFAOYSA-N o-toluic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(O)=O ZWLPBLYKEWSWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 2
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1CC=NS1 GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCZNNAKNUVJVGX-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzonitrile Chemical compound CC1=CC=C(C#N)C=C1 VCZNNAKNUVJVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004160 Ammonium persulphate Substances 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- GFMYEVPBEJFZHH-UHFFFAOYSA-N CP(O)(O)O Chemical compound CP(O)(O)O GFMYEVPBEJFZHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-XIXRPRMCSA-N Mesotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-XIXRPRMCSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- CUBCNYWQJHBXIY-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.OC(=O)C1=CC=CC=C1O CUBCNYWQJHBXIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- JZBWUTVDIDNCMW-UHFFFAOYSA-L dipotassium;oxido sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]OS([O-])(=O)=O JZBWUTVDIDNCMW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- GPSDUZXPYCFOSQ-UHFFFAOYSA-N m-toluic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1 GPSDUZXPYCFOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004137 mechanical activation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 235000019394 potassium persulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N quinolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1C(O)=O GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
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Abstract
本发明提供一种用于抛光含有氮化硅的基板的方法。该方法包括用抛光组合物研磨氮化硅基板的表面，该抛光组合物包含胶体二氧化硅、至少一种酸性组分、及含水载体。该至少一种酸性组分具有在1至4.5范围内的pKa。该组合物的pH值在比该至少一种酸性组分的pKa小0.5个pH单位至比该pKa大1.5个pH单位范围内。
Description
技术领域
本发明涉及抛光组合物及方法。更具体而言，本发明涉及用于抛光含有氮化硅的基板的方法及为此的组合物。
背景技术
用于基板表面的化学机械抛光(CMP)的组合物及方法在本领域中是公知的。用于半导体基板(例如集成电路)表面的CMP的抛光组合物(也称为抛光浆料、CMP浆料及CMP组合物)通常含有研磨剂、多种添加剂化合物等。
通常，CMP涉及对表面同时进行化学及机械研磨，例如研磨上覆的第一层以暴露其上形成第一层的非平坦的第二层的表面。一种这样的工艺描述于Beyer等人的美国专利第4,789,648号中。简言之，Beyer等人公开了一种CMP工艺，其使用抛光垫及浆料以比第二层快的速率移除第一层直至上覆的第一材料层的表面变为与被覆盖的第二层的上表面共面。化学机械抛光的更详细解释参见美国专利第4,671,851号、第4,910,155号及第4,944,836号。
在常规CMP技术中，在CMP装置中，将基板载体(carrier)或抛光头安装于载体组件上且将其安置成与抛光垫相接触。载体组件提供对基板的可控压力，迫使基板抵靠着抛光垫。使垫与载体及其附着的基板彼此相对移动。垫与基板的相对移动用以研磨基板的表面以从基板表面移除一部分材料，由此抛光基板。基板表面的抛光通常进一步借助于抛光组合物的化学活性(例如氧化剂、酸、碱或CMP组合物中存在的其它添加剂)和/或悬浮于抛光组合物中的研磨剂的机械活性通常进一步有助于对基板表面的抛光。典型的研磨剂材料包括二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、氧化锆及氧化锡。
例如，Neville等人的美国专利第5,527,423号描述了一种通过使金属层的表面与包含悬浮于含水介质中的高纯度金属氧化物细颗粒的抛光浆料接触来化学机械抛光金属层的方法。或者，可将研磨剂材料引入抛光垫中。Cook等人的美国专利第5,489,233号公开了具有表面纹理或图案的抛光垫的用途，且Bruxvoort等人的美国专利第5,958,794号公开了一种固定研磨剂抛光垫。
半导体晶片通常包括其上已形成多个晶体管的基板，所述基板诸如硅或砷化镓。通过图案化基板中的区域及基板上的层将晶体管以化学及物理方式连接至基板。晶体管与层由主要包含某种形式的氧化硅(SiO2)的层间电介质(ILD)隔离。通过使用公知的多层互连将晶体管相互连接。典型的多层互连包含由以下材料中的一种或多种组成的堆叠薄膜：钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、铝铜(Al-Cu)、铝硅(Al-Si)、铜(Cu)、钨(W)、掺杂多晶硅(poly-Si)、及其各种组合。此外，通常通过使用以诸如二氧化硅、氮化硅和/或多晶硅的绝缘材料填充的沟槽使晶体管或晶体管组彼此隔离。
用于形成互连的传统技术已由Chow等人的美国专利第4,789,648号中公开的方法得以改进，该专利涉及一种用于在基板上制造共面多层金属/绝缘体薄膜的方法。引起广泛关注且产生多层互连的该技术在器件制造的各种阶段期间使用化学机械抛光以平坦化金属层或薄膜的表面。
尽管许多已知的CMP浆料组合物适合用于有限的目的，但是常规的CMP浆料组合物倾向于对用在晶片制造中的绝缘体材料呈现出不可接受的抛光速率及相应的选择性水平。此外，已知的抛光浆料倾向于对下面的膜产生差的膜移除特性、或者产生导致差的制造成品率的有害膜腐蚀。
随着集成电路器件技术的进步，正以新的及不同的方式使用传统材料以实现先进集成电路所需的性能水平。具体而言，以多种组合形式使用氮化硅、氧化硅及多晶硅以实现新的及更加复杂的器件构造。通常，结构复杂性及性能特征在不同应用中是不同的。现需要允许氮化硅、氧化硅及多晶硅材料的移除速率在CMP期间可调整或调节以满足特定IC器件的抛光要求的方法及组合物。
例如，对于许多IC器件应用，持续需要实现快的氮化硅移除速率。已设计传统的抛光浆料用于“在氮化硅上停止”的应用，诸如在浅沟槽隔离(STI)中的应用。典型STI浆料利用高pH值及高研磨剂浓度的二氧化硅研磨剂来实现合理的氮化硅移除速率。高研磨剂颗粒浓度的使用与抛光装置中的高水平刮痕缺陷有关。
Chen等人共同拥有的待审美国专利申请第11/374,238号描述了用于抛光氮化硅基板的具有1至6的pH值的新型抛光组合物，其包含研磨剂和某些酸性组分(例如，丙二酸及氨基羧酸的组合；锡酸盐；尿酸；苯乙酸；或丙二酸、氨基羧酸及硫酸盐的组合)。
现在仍然需要开发提供相对高的氮化硅移除速率的新型抛光方法及组合物。本发明提供这种经改善的抛光方法及组合物。从本文提供的本发明的描述，本发明的这些及其它优点以及额外的发明特征将变得明晰。
发明内容
本发明提供用于抛光含有氮化硅的表面的方法及可用于这种方法中的抛光组合物。在优选实施方式中，本发明提供一种用于抛光含有氮化硅的基板的方法。该方法包括用抛光组合物研磨含有氮化硅的基板的表面，该抛光组合物包含胶体二氧化硅、具有1至4.5的pKa的至少一种酸性组分、及含水载体。该抛光组合物的pH值在比该至少一种酸性组分的pKa小0.5个pH单位至比该pKa大1.5个pH单位的范围内。
该酸性组分优选为无机酸、羧酸、有机膦酸、酸性杂环化合物、其盐、或前述物质中的两种或更多种的组合。
该组合物包含0.01重量％至15重量％的胶体二氧化硅、及10ppm至100,000ppm(0.001重量％至10重量％)的至少一种酸性组分。
在一些优选实施方式中，在抛光氧化硅晶片时所获得的氧化硅移除速率小于在相同抛光条件下用相同浆料抛光氮化硅晶片时所获得的相应氮化硅移除速率，对于包含相对低含量的胶体二氧化硅(即，0.05重量％至4重量％)的组合物尤其如此。通常，对于包含0.1重量％至4重量％的胶体二氧化硅的组合物而言，氮化硅移除速率比氧化硅移除速率大2倍或更多，更通常大10倍或更多。此外，氮化硅对多晶硅可获得类似选择性。
在另一方面中，本发明提供一种用于抛光含有氮化硅的基板的化学机械抛光方法。该方法包括以下步骤：使含有氮化硅的基板的表面与抛光垫及含水抛光组合物接触，及使抛光垫与基板之间发生相对运动，同时使一部分抛光组合物与抛光垫和基板之间的表面保持接触一段足以磨除至少一部分基板表面的时间。该抛光组合物包含0.01重量％至15重量％的胶体二氧化硅；10ppm至100,000ppm的具有1至4.5的pKa的至少一种酸性组分；及含水载体。抛光组合物的pH值在比该至少一种酸性组分的pKa小0.5个pH单位至比该pKa大1.5个pH单位的范围内。
具体实施方式
本发明提供用于抛光含有氮化硅的表面的方法。在优选实施方式中，该方法包括用抛光组合物研磨含有氮化硅的基板的表面，该抛光组合物包含胶体二氧化硅、具有1至4.5的pKa的至少一种酸性组分、及含水载体。抛光组合物的pH值在比该至少一种酸性组分的pKa小0.5个pH单位至比该pKa大1.5个pH单位的范围内。
胶体二氧化硅以0.01重量％至15重量％的量存在于抛光组合物中。优选地，胶体二氧化硅以0.05重量％至8重量％，更优选0.1重量％至4重量％的量存在于CMP组合物中。胶体颗粒优选具有1nm至500nm，更优选10nm至50nm的平均粒度，其由本领域中公知的激光光散射技术测定。
胶体二氧化硅合意地悬浮于抛光组合物中，更具体而言，悬浮于抛光组合物的含水载体组分中。当二氧化硅悬浮于抛光组合物中时，其优选是胶体稳定的。术语“胶体”指研磨剂颗粒在液体载体中的悬浮液。“胶体稳定性”指悬浮液随时间的保持性。在本发明的上下文中，二氧化硅悬浮液若符合以下条件则视为是胶体稳定的：当将二氧化硅置于100mL量筒中且使其在无搅动的情况下静置2小时的时间时，量筒底部50mL中的颗粒浓度([B]，单位为g/mL)与量筒顶部50mL中的颗粒浓度([T]，单位为g/mL)之间的差值除以研磨剂组合物中的总颗粒浓度([C]，单位为g/mL)小于或等于0.5(即，([B]-[T])/[C]≤0.5)。([B]-[T])/[C]的值合意地为小于或等于0.3，且优选小于或等于0.1。
如本文及所附权利要求中所使用的术语“胶体二氧化硅”指通过Si(OH)4的缩聚而制备的二氧化硅。前体Si(OH)4可例如通过高纯度烷氧基硅烷的水解或通过硅酸盐水溶液的酸化而获得。这种研磨剂颗粒可根据美国专利5,230,833制备、或者可以作为多种市售产品诸如Fuso PL-1、PL-2及PL-3产品、及Nalco 1050、2327及2329产品、以及可得自DuPont、Bayer、AppliedResearch、Nissan Chemical及Clariant的其它类似产品中的任何产品而获得。
关于本发明的组合物及方法的如本文及所附权利要求中所使用的术语“具有1至4.5的pKa的至少一种酸性组分”涵盖包含至少一个具有对应于1至4.5的pKa的离解常数的酸性氢的物质。因此，具有单一酸性氢的物质、以及具有两个或更多个酸性氢的物质均落在所述组合物的酸组分的范畴内。具有两个或更多个酸性氢的物质(例如，硫酸、磷酸、丁二酸、柠檬酸等)具有对应于各酸性氢的连续离解的多个连续pKa值。例如，磷酸具有三个酸性氢，及分别对应于第一、第二及第三个氢的离解的三个pKa值(即，2.1、7.2及12.4)。对具有多个酸性氢的物质而言，仅这些pKa值之一必须在1至4.5的范围内。这样的化合物中的任何其它酸性氢可具有在1至4.5的范围内的pKa，可具有小于1的pKa，或可具有大于4.5的pKa。
酸性组分占抛光组合物的0.001重量％至10重量％(10ppm至100,000ppm)。优选地，酸性组分以100ppm至5000ppm，更优选500ppm至2000ppm的量存在于组合物中。
酸性组分可为具有1至4.5的pKa的任何无机或有机酸。在一些优选实施方式中，酸性组分可为无机酸、羧酸、有机膦酸、酸性杂环化合物、其盐、或前述物质中的两种或更多种的组合。合适的无机酸的非限制性实例包括硫酸(即，硫酸氢根离子HSO4 -)、磷酸、亚磷酸、焦磷酸、亚硫酸及四硼酸。合适的羧酸的非限制性实例包括单羧酸(例如，苯甲酸、苯乙酸、1-萘甲酸、2-萘甲酸、乙醇酸、甲酸、乳酸、扁桃酸等)及多羧酸(例如，草酸、丙二酸、丁二酸、己二酸、酒石酸、柠檬酸、马来酸、富马酸、天冬氨酸、谷氨酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、1，2，3，4-丁烷四羧酸、衣康酸等)。合适的有机膦酸的非限制性实例包括膦酰基乙酸、亚氨基二(甲基膦酸)、
2000LC牌氨基-三(亚甲基膦酸)及
2010牌羟基亚乙基-1，1-二膦酸(两者均可得自Solutia)。合适的酸性杂环化合物的非限制性实例包括尿酸、抗坏血酸等。表1提供选定的合适的酸性组分的非限制性实例以及它们的据报道的pKa值。各种无机及有机酸的pKa值汇编于化学领域普通技术人员熟悉的多种数据来源中，包括(但不限于)由The ChemicalRubber Company出版的The CRC Handbook of Chemistry and Physics及由McGraw-Hill出版的Lange′s Handbook of Chemistry等的多种版本。对于其pKa值不能在文献中找到的酸，使用ACD/pKa dB软件(Advanced ChemistryDevelopment，Inc.，Toronto，Canada)估算pKa值。
在本发明的范围内改变组合物的pH值(即，比pKa小0.5个单位至比pKa大1.5个单位)通常导致氮化硅移除速率的变化。例如，包含0.5重量％的胶体二氧化硅、0.01mol/L的
2010及0.02mol/L的硫酸盐的组合物在pH 2.2下提供
的氮化物移除速率，而在pH 3下，当在相同抛光条件下测量时，移除速率为
在其它情况下，移除速率可随着pH值的增加而增加。例如，包含0.5重量％的胶体二氧化硅、0.01mol/L的邻苯二甲酸及0.02mol/L的硫酸盐的组合物在pH 3下提供
的氮化物移除速率，而在pH 4下，当在相同抛光条件下测量时，移除速率为
表1：各种酸的pKa值
| 酸 | pKa | 酸 | pKa | 酸 | pKa |
| 己二酸 | 4.43；4.41 | 衣康酸 | 3.85；5.45 | 对氨基苯磺酸 | 3.23 |
| 茴香酸 | 4.47 | 乳酸 | 3.08 | α-酒石酸 | 2.98；4.34 |
| 抗坏血酸 | 4.10；11.79 | 马来酸 | 1.83；6.07 | 内消旋酒石酸 | 3.22；4.82 |
| 天冬氨酸 | 3.86；9.82 | 丙二酸 | 2.83；5.69 | 邻甲苯甲酸 | 3.91 |
| 苯甲酸 | 4.19 | 扁桃酸 | 3.85 | 间甲苯甲酸 | 4.27 |
| BTC* | 3.36；4.38；5.45；6.63 | 1-萘甲酸 | 3.70 | 对甲苯甲酸 | 4.36 |
| 氯乙酸 | 2.85 | 2-萘甲酸 | 4.17 | 尿酸 | 3.89 |
| 邻氯苯甲酸 | 2.92 | 草酸 | 1.23；4.19 | D 2000** | 约1-2**** |
| 柠檬酸 | 3.14，4.77；6.39 | 苯乙酸 | 4.28 | D2010*** | 约1-2**** |
| 甲酸 | 3.75 | 邻苯二甲酸 | 2.89；5.51 | 亚硝酸 | 3.37 |
| 谷氨酸 | 2.19；9.13 | 间苯二甲酸 | 3.54；4.60 | 磷酸 | 2.12；7.21；12.67 |
| 戊二酸 | 4.34；5.41 | 对苯二甲酸 | 3.51；4.82 | 亚磷酸 | 2.00；6.59 |
| 甘氨酸 | 2.34；9.60 | 喹啉酸 | 2.52 | 硫酸 | -3；1.99 |
| 乙醇酸 | 3.83 | 水杨酸 | 2.98 | 亚硫酸 | 1.81；6.91 |
| 马尿酸 | 3.64 | 丁二酸 | 4.16；5.61 | 四硼酸 | 4.0；9.0 |
*丁烷-1，2，3，4-四羧酸
** 
2000(氨基-三(亚甲基膦酸))
***作为60％的水溶液出售的
2010LA(羟基亚乙基-1，1-二膦酸)。
****当氨基-三(亚甲基膦酸)及羟基亚乙基-1，1-二膦酸各自具有多于一个通过ACD/pKa dB软件(Advanced Chemistry Development，Inc.，Toronto，Canada)计算的估计在1与2之间的pKa值时。
本发明的组合物及方法提供在宽范围的pH值、胶体二氧化硅浓度及酸组分浓度下实用的氮化硅移除速率。在一些特别优选的实施方式中，当在台式(table-top)CMP抛光机上以3.5磅每平方英寸(psi)的下压力、60转每分钟(rpm)的压板(platen)转速、56rpm的载体转速及100毫升每分钟(mL/min)的抛光浆料流动速率抛光氮化硅毯覆式晶片(blanket wafer)时，氮化硅移除速率为250埃每分钟(
)或更大。一个额外的好处是，本发明的组合物还可提供在氧化硅或多晶硅的存在下对氮化硅的选择性移除。
本发明的抛光组合物任选地可包含一种或多种氧化剂(例如，用于氧化半导体表面的组分，诸如金属组分)。适合用于本发明的抛光组合物及方法中的氧化剂包括，但不限于，过氧化氢、过硫酸盐(例如，单过硫酸铵、二过硫酸铵、单过硫酸钾及二过硫酸钾)、高碘酸盐(例如，高碘酸钾)、其盐、及前述物质中的两种或更多种的组合。优选地，氧化剂以足以氧化存在于半导体晶片中的一种或多种选定的金属或半导体材料的量存在于组合物中，所述量是半导体CMP领域中公知的。
本发明的抛光组合物还可任选地包含适量的一种或多种通常包含于抛光组合物中的其它添加剂材料，诸如金属络合剂、腐蚀抑制剂、粘度调节剂、杀生物剂等。
在优选实施方式中，抛光组合物进一步包含杀生物量的杀生物剂(例如异噻唑啉酮组合物，诸如可从Rohm and Haas得到的
杀生物剂)。
含水载体可为任何含水溶剂，例如水、含水甲醇、含水乙醇、其组合等。优选地，含水载体为去离子水。
本发明的抛光组合物的pH值在比酸性组分的pKa(即，在1至4.5的范围内的pKa)小0.5个单位至比该pKa大1.5个单位的范围内。例如，若酸性组分为磷酸(pKa＝2.12、7.21、12.67)，则组合物的pH值可在1.6至3.6的范围内(即，比2.12小0.5至比2.12大1.5)。类似地，若酸性组分为草酸(pKa＝1.23、4.19)，由于草酸的两个pKa均在1至4.5的范围内，因此组合物的pH值可在0.7至5.7的范围内(即，比1.23小0.5至比4.19大1.5)。
本发明的抛光组合物可通过任何合适的技术制备，其中的许多是本领域技术人员已知的。可以间歇或连续方法制备抛光组合物。通常，抛光组合物可通过以任何顺序组合其组分来制备。本文所使用的术语“组分”包括单独成分(例如，胶体二氧化硅、酸、碱、氧化剂等)及这些成分的任何组合。例如，胶体二氧化硅可分散在水中，且可添加酸性组分，且通过能够将各组分引入到抛光组合物中的任何方法进行混合。通常，当使用氧化剂时，直至组合物准备好用于CMP工艺时才将氧化剂添加至抛光组合物中，例如氧化剂可在即将开始抛光之前添加。pH值可根据需要通过添加酸或碱在任何合适的时间进行进一步调节。
本发明的抛光组合物还可作为浓缩物提供，该浓缩物意欲在使用之前用适量含水溶剂(例如水)进行稀释。在这样的实施方式中，抛光组合物浓缩物可包含分散或溶解于含水溶剂中的各种组分，这些组分的量使得在用适量含水溶剂稀释浓缩物后，抛光组合物的各组分将以在用于使用的合适范围内的量存在于抛光组合物中。
本发明还提供一种化学机械抛光氮化硅基板的方法。该方法包含(i)使含有氮化硅的基板的表面与抛光垫及如本文所述的本发明的抛光组合物接触，及(ii)使该抛光垫与该基板的表面彼此相对移动，同时保持至少一部分该抛光组合物处于该垫与该表面之间，由此磨除该表面的至少一部分以抛光该基板。
本发明的抛光组合物可用于抛光任何合适的基板，且尤其可用于抛光包含氮化硅的基板、以及含有氮化硅和氧化硅和/或多晶硅的基板。本发明的组合物在足够低以避免过度刮痕缺陷的研磨剂含量下提供相对高的氮化硅移除速率。具体而言，可改变CMP组合物的配方及pH值来改变氮化硅移除速率。在一些优选实施方式中，尤其是在包含4％或更少的胶体二氧化硅的实施方式中，氮化硅的相对移除速率超过氧化硅和/或多晶硅的移除速率。该选择性为用于抛光具有相对窄的氧化物线宽的现代半导体材料的额外优点。
本发明的抛光组合物尤其适合与化学机械抛光装置一起使用。通常，CMP装置包含：压板，其在使用时处于运动中且具有由轨道、线性和/或圆周运动产生的速度；抛光垫，其与压板接触且当运动时相对于压板移动；及载体，其固持待通过与抛光垫的表面接触并相对于抛光垫的表面移动而抛光的基板。基板的抛光通过如下发生：将基板放置成与抛光垫及本发明的抛光组合物接触，然后使抛光垫相对于基板移动以磨除基板的至少一部分以抛光基板。
可使用任何合适的抛光垫(例如抛光表面)用本发明的抛光组合物平坦化或抛光基板。合适的抛光垫包括例如编织及非编织抛光垫、有沟槽或无沟槽垫、多孔或无孔垫等。此外，合适的抛光垫可包含任何合适的具有不同密度、硬度、厚度、可压缩性、压缩回弹能力及压缩模量的聚合物。合适的聚合物包括例如聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龙、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成(coformed)产物、及其混合物。
合意的是，CMP装置进一步包含原位抛光终点侦测系统，其中的许多在本领域中是已知的。通过分析从工件表面反射的光或其它辐射来检测及监控抛光过程的技术是本领域中已知的。这样的方法描述于例如Sandhu等人的美国专利第5,196,353号、Lustig等人的美国专利第5,433,651号、Tang的美国专利第5,949,927号、及Birang等人的美国专利第5,964,643号中。合意的是，检测或监控正在抛光的工件的抛光过程的进展使得可确定抛光终点，即确定何时终止对特定工件的抛光过程。
以下实施例进一步说明本发明，但当然不应解释为以任何方式限制本发明的范围。如本文及以下实施例及权利要求中所使用的，以百万分率(ppm)报道的浓度是基于所关注的活性组分的重量除以组合物的重量(例如，毫克组分/千克组合物)。例如，
2010LA作为羟基亚乙基-1，1-二膦酸的60重量％的水溶液出售；因此，2000ppm的
2010LA指以活性成分计，在1千克组合物中的2000毫克羟基亚乙基-1，1-二膦酸，其对应于在996.7克CMP组合物中的3300毫克
2010LA产品(60％的水溶液)。
实施例1
该实施例说明本发明的组合物用于抛光氮化硅基板的有效性。
使用10种不同的抛光组合物单独化学机械抛光类似的氮化硅毯覆式晶片(组合物1A-1J)。各抛光组合物包含0.5重量％至5重量％的胶体二氧化硅(具有20nm的平均粒度)。各组合物的二氧化硅的量、酸的量及类型、组合物的pH值及酸的pKa示于表2中。实施例1B、1D、1F及1I为本发明的组合物，而实施例1A、1C、1E、1G及1H为其中组合物的pH值落在本发明的范围之外的比较组合物。
在以下抛光条件下，在台式(bench-top)抛光机上利用这些抛光组合物抛光氮化硅的毯覆式晶片：3.5psi的下压力、60rpm的压板转速、56rpm的载体转速及100毫升每分钟(mL/min)的浆料进料速率。测定对各抛光组合物获得的氮化硅移除速率(“氮化物RR”)。结果列于表2中。
表2：酸性组分及pH值对氮化硅移除速率的影响
* 
2010LA(羟基亚乙基-1，1-二膦酸)
从表2中所列结果可明显看出，本发明的抛光组合物中的每一种均呈现出大于
的氮化硅移除速率。比较组合物呈现出相当低的移除速率。
实施例2
该实施例说明本发明的组合物中的胶体二氧化硅对氮化硅移除的重要性。
在台式抛光机上，在3.5psi的下压力、60rpm的压板转速、56rpm的载体转速及100mL/min的抛光浆料流动速率下，用一系列不同的抛光组合物抛光氮化硅毯覆式晶片。使用3000ppm的硫酸作为酸性组分(pH2.2)且使用4重量％或8重量％的二氧化硅在去离子水中制备所有抛光组合物。出于比较目的，实施例2A及2B包含热解二氧化硅来替代胶体二氧化硅。二氧化硅的量及类型、以及对各组合物所观察到的氮化硅移除速率(RR)示于表3中。
表3：二氧化硅类型对氮化硅移除速率的影响
表3中的数据清楚地表明与提供低的氮化物移除速率的热解二氧化硅相比，在本发明的组合物中使用胶体二氧化硅的重要性。
实施例3
该实施例说明胶体二氧化硅浓度对氮化硅移除的影响。
在台式抛光机上，在3.5psi的下压力、60rpm的压板转速、56rpm的载体转速及100mL/min的抛光浆料流动速率下，用一系列不同的抛光组合物抛光氮化硅毯覆式晶片。使用2000ppm的羟基亚乙基-1，1-二膦酸(
2010LA)作为酸性组分(pH2.2)且使用0重量％至8重量％的二氧化硅在去离子水中制备所有抛光组合物。所用二氧化硅的量以及对各组合物所观察到的氮化硅移除速率(RR)示于表4中。
表4：二氧化硅浓度对氮化硅移除速率的影响
表4中的数据表明，即使在二氧化硅含量低至0.2重量％的情况下，也可观察到有效的氮化硅移除。
实施例4
该实施例说明酸浓度及胶体二氧化硅浓度对氮化硅移除的影响。
在台式抛光机上，在3.5psi的下压力、60rpm的压板转速、56rpm的载体转速及100mL/min的抛光浆料流动速率下，用一系列不同的抛光组合物抛光氮化硅毯覆式晶片。使用10ppm至1000ppm的羟基亚乙基-1，1-二膦酸(2010LA)作为酸性组分(pH2.2)且使用0.5重量％或5重量％的二氧化硅在去离子水中制备所有抛光组合物。所用二氧化硅及酸组分的量以及对各组合物所观察到的氮化硅移除速率(RR)示于表5中。
表5：酸浓度对氮化硅移除速率的影响
* 
2010LA(羟基亚乙基-1，1-二膦酸)
表5中的数据表明可在宽范围的酸浓度及胶体二氧化硅浓度下实现有效的氮化硅移除。
实施例5
该实施例说明氮化硅相对于氧化硅的移除选择性。
使用一系列不同的抛光组合物抛光氮化硅及氧化硅毯覆式晶片。使用2060ppm羟基亚乙基-1，1-二膦酸(2010LA)(实施例5A及5B)、1660ppm邻苯二甲酸(实施例5C及5D)及2000ppm硫酸(硫酸氢根)(实施例5E及5F)作为酸组分在包含0.1重量％及1重量％的胶体二氧化硅的去离子水中制备所有抛光组合物。使用这些组合物在Mirra抛光机上，在4psi的下压力、93rpm的压板转速、86rpm的载体转速及150mL/min的流动速率下抛光氮化硅及氧化硅毯覆式晶片。这些试验的结果示于表6中。
表6：酸性组分对氮化硅及二氧化硅移除速率的影响
表6中的结果表明在所评估的抛光条件下非常高的氮化硅对氧化硅的选择性。
实施例6
该实施例说明氮化硅相对于多晶硅的移除选择性。
在台式CMP抛光机上，在3.5psi的下压力、60rpm的压板转速、56rpm的载体转速及100mL/min的抛光浆料流动速率下，使用两种不同的本发明抛光组合物抛光氮化硅及多晶硅毯覆式晶片。这些组合物具有2.3的pH值，且包含500ppm的羟基亚乙基-1，1-二膦酸(2010LA)及0.5重量％或5重量％的胶体二氧化硅。对各组合物测定氮化硅及多晶硅移除速率。由于移除在硅表面上的保护性氧化物涂层，因而多晶硅的CMP通常呈现出一段开始时间。因此，多晶硅的移除速率通过标绘10秒、60秒及180秒后所移除的多晶硅的量来测定。然后通过参考标绘图根据30秒的抛光与90秒的抛光之间的1分钟时间间隔期间所移除的多晶硅的量来计算多晶硅移除速率(单位为
包含0.5重量％的胶体二氧化硅的组合物呈现出
的氮化硅移除速率及
的多晶硅移除速率。包含5重量％的胶体二氧化硅的组合物呈现出
的氮化物移除速率及小于
的多晶硅移除速率。因此，本发明的组合物呈现出在相同抛光条件下氮化硅对多晶硅的显著移除选择性。
Claims (7)
1.一种用于在基板中存在氧化硅的情况下选择性地移除氮化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括用抛光组合物研磨包含氮化硅及氧化硅的基板的表面的步骤，该抛光组合物包含0.01重量％至15重量％的胶体二氧化硅；10ppm至100,000ppm具有1至4.5的pKa的至少一种酸性组分；及为此的含水载体，其中该抛光组合物的pH值在比该至少一种酸性组分的pKa小0.5个pH单位至比该pKa大1.5个pH单位的范围内。
2.一种用于在基板中存在多晶硅的情况下选择性地移除氮化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括用抛光组合物研磨包含氮化硅及多晶硅的基板的表面的步骤，该抛光组合物包含0.01重量％至15重量％的胶体二氧化硅；10ppm至100,000ppm具有1至4.5的pKa的至少一种酸性组分；及为此的含水载体，其中该抛光组合物的pH值在比该至少一种酸性组分的pKa小0.5个pH单位至比该pKa大1.5个pH单位的范围内。
3.权利要求1和2中任一项的方法，其中该至少一种酸性组分选自无机酸、羧酸、有机膦酸、酸性杂环化合物、其盐、及前述物质中的两种或更多种的组合。
4.权利要求1和2中任一项的方法，其中该抛光组合物的pH值比该至少一种酸性组分的pKa大不超过1个pH单位。
5.权利要求1和2中任一项的方法，其中该抛光组合物的pH值比该至少一种酸性组分的pKa大不到1个pH单位。
6.权利要求1和2中任一项的方法，其中该胶体二氧化硅以0.1重量％至4重量％的量存在于该组合物中。
7.权利要求1和2中任一项的方法，其中该至少一种酸性组分以500ppm至2000ppm的量存在于该抛光组合物中。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/448,205 | 2006-06-07 | ||
| US11/448,205 US8759216B2 (en) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | Compositions and methods for polishing silicon nitride materials |
| PCT/US2007/013424 WO2007146065A1 (en) | 2006-06-07 | 2007-06-07 | Compositions and methods for polishing silicon nitride materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101490201A CN101490201A (zh) | 2009-07-22 |
| CN101490201B true CN101490201B (zh) | 2013-01-16 |
Family
ID=38832072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200780026767XA Active CN101490201B (zh) | 2006-06-07 | 2007-06-07 | 用于抛光氮化硅材料的组合物及方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8759216B2 (zh) |
| EP (1) | EP2035523B1 (zh) |
| JP (1) | JP5313885B2 (zh) |
| KR (1) | KR101268128B1 (zh) |
| CN (1) | CN101490201B (zh) |
| IL (1) | IL195698A (zh) |
| MY (1) | MY150866A (zh) |
| SG (1) | SG172674A1 (zh) |
| TW (1) | TWI374931B (zh) |
| WO (1) | WO2007146065A1 (zh) |
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2006
- 2006-06-07 US US11/448,205 patent/US8759216B2/en active Active
-
2007
- 2007-06-07 KR KR1020097000151A patent/KR101268128B1/ko active IP Right Grant
- 2007-06-07 MY MYPI20084974 patent/MY150866A/en unknown
- 2007-06-07 EP EP07809387.9A patent/EP2035523B1/en active Active
- 2007-06-07 WO PCT/US2007/013424 patent/WO2007146065A1/en active Application Filing
- 2007-06-07 TW TW096120558A patent/TWI374931B/zh active
- 2007-06-07 SG SG2011040649A patent/SG172674A1/en unknown
- 2007-06-07 CN CN200780026767XA patent/CN101490201B/zh active Active
- 2007-06-07 JP JP2009514374A patent/JP5313885B2/ja active Active
-
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- 2008-12-03 IL IL195698A patent/IL195698A/en active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007146065A1 (en) | 2007-12-21 |
| US8759216B2 (en) | 2014-06-24 |
| IL195698A (en) | 2014-08-31 |
| EP2035523A1 (en) | 2009-03-18 |
| JP2009540575A (ja) | 2009-11-19 |
| EP2035523A4 (en) | 2011-12-21 |
| TW200804579A (en) | 2008-01-16 |
| CN101490201A (zh) | 2009-07-22 |
| KR20090020677A (ko) | 2009-02-26 |
| TWI374931B (en) | 2012-10-21 |
| US20070298612A1 (en) | 2007-12-27 |
| MY150866A (en) | 2014-03-14 |
| EP2035523B1 (en) | 2017-09-13 |
| JP5313885B2 (ja) | 2013-10-09 |
| KR101268128B1 (ko) | 2013-05-31 |
| SG172674A1 (en) | 2011-07-28 |
| IL195698A0 (en) | 2009-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Illinois, USA Patentee after: CMC Materials Co.,Ltd. Address before: Illinois, USA Patentee before: CABOT MICROELECTRONICS Corp. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |